KR100896067B1 - 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 - Google Patents

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Abstract

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치가 개시된다. 본 발명의 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 평면디스플레이용 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되며, 상부 챔버 및 하부 챔버를 구비하는 챔버; 상부 챔버의 상판부에 결합되어 챔버 내로 공정 가스를 제공하는 가스공급부를 지지하는 지지 플레이트: 및 상부 챔버 및 지지 플레이트 사이에서 지지 플레이트의 적어도 일측 단부에 마련되며, 상부 챔버의 상판부가 열변형하는 경우 지지 플레이트의 적어도 일측 단부가 상판부의 열변형에 비구속되도록 상판부와 지지 플레이트를 결합시키는 비구속 결합 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 증착 공정 등으로 인해 상부 챔버가 열팽창하는 경우가 발생하더라도 가스공급부 등을 지지하는 지지 플레이트의 양단이 상부 챔버의 열변형에 비구속되어 상부 챔버의 열변형 시 함께 열변형되는 것을 차단할 수 있으며, 따라서 지지 플레이트가 그 상부에 가스공급부와 같은 여러 요소들을 안정적으로 지지할 수 있다.
화학 기상 증착장치, CVD, 평면디스플레이, LCD, 지지 플레이트, 비구속, 열팽창

Description

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치{Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display}
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 구조도이다.
도 2는 도 1에 도시된 구조도를 상부 챔버와 하부 챔버로 분해한 분해 구조도이다.
도 3은 도 2에 도시된 상부 챔버를 상부에서 바라본 개략적인 사시도이다.
도 4는 도 3의 'Ⅳ'방향에서 바라본 정면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 지지 플레이트를 하부에서 바라본 사시도이다.
도 6은 도 3의 'Ⅵ'방향에서 바라본 측면도이다.
도 7은 도 3에 도시된 비구속 결합 유닛의 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
3 : 챔버 10 : 상부 챔버
12 : 고주파 전원부 13 : 상판부
15 : 가스공급부 17 : 인슐레이터
18 : 가스유입관 19 : 차폐박스
20 : 하부 챔버 30 : 서셉터
31 : 리프트 핀 32 : 컬럼
33 : 서셉터 지지부 40 : 전극
42 : 가스분배판 44 : 후방 플레이트
45 : 가스유입관 50 : 지지 플레이트
60 : 비구속 결합 유닛 61 : 지지 플레이트 브라켓
62 : 수직벽 63 : 지지벽
71 : 챔버 결합 브라켓 72 : 고정벽부
73 : 하부벽 74 : 연장벽
75 : 가동걸림부재 76 : 걸림턱
80 : 구속 결합 유닛 90 : 승강 모듈
B : 버퍼공간 G : 유리기판
S : 증착공간
본 발명은, 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 증착 공정 등으로 인해 상부 챔버가 열팽창하는 경우가 발생하더라도 가스공급부 등을 지지하는 지지 플레이트가 열팽창되지 않고 원래의 상태를 유지할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것이다.
평면디스플레이는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 채용된다.
이러한 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 그 종류가 다양하다.
이들 중에서, 특히 LCD(Liquid Crystal Display)는 2장의 얇은 상하 유리기판 사이에 고체와 액체의 중간물질인 액정을 주입하고, 상하 유리기판의 전극 전압차로 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 일종의 광스위치 현상을 이용한 소자이다.
LCD는 현재, 전자시계를 비롯하여, 전자계산기, TV, 노트북 PC 등 전자제품에서 자동차, 항공기의 속도표시판 및 운행시스템 등에 이르기까지 폭넓게 사용되고 있다.
종전만 하더라도 LCD TV는 20인치 내지 30인치 정도의 크기를 가지며, 모니터는 17인치 이하의 크기를 갖는 것이 대부분이었다. 하지만, 근래에 들어서는 40인치 이상의 대형 TV와 20인치 이상의 대형 모니터가 출시되어 판매되고 있으며 이에 대한 선호도가 나날이 높아지고 있는 실정이다.
따라서 LCD를 제조하는 제조사의 경우, 보다 넓은 유리기판을 제작하고자 연구 중에 있으며, 현재에는 가로/세로의 폭이 2미터 내외에 이르는 소위, 8세대라 불리는 유리기판의 양산을 목전에 두고 있다.
LCD는 증착(Deposition), 사진식각(Photo Lithography), 식각(Etching), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT 공정, 상하 유리기판을 합착하는 Cell 공정, 그리고 기구물을 완성하는 모듈(Module) 공정을 통해 제품으로 출시된다.
한편, 수많은 공정 중의 하나인 화학 기상 증착 공정(Chemical Vapor Deposition Process)은, 외부의 고주파 전원부에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 이온(ion)이 전극의 가스분배판으로부터 분출되어 유리기판 상에 증착되는 공정이다.
이러한 공정은, 화학 기상 증착 공정을 수행하는 챔버 내에서 이루어진다. 그리고 챔버는 통상적으로 상부 챔버와 하부 챔버를 구비하며, 상부 챔버는 하부 챔버에 착탈 가능하게 결합되도록 마련된다. 따라서, 유지 보수 등의 작업을 하는 경우 상부 챔버는 하부 챔버로부터 분리되었다가 일반적으로 뒤집어진 상태에서 유지 보수 등의 작업이 마쳐진 후 다시 하부 챔버에 결합되어진다.
이 중 상부 챔버의 구성에 대해 개략적으로 설명하면, 상부 챔버는 플라즈마 증착 공정 시 챔버의 증착공간으로 플라즈마화된 공정 가스를 공급할수 있도록, 후방 플레이트 및 가스분배판을 구비하는 전극과, 전극에 의해 형성되는 버퍼공간으로 공정 가스를 공급하는 가스공급부와, 전극과 전기적으로 연결되어 가스공급부를 통해 공급되는 공정 가스가 플라즈마화되도록 하는 고주파 전원부와, 가스공급부와 고주파 전원부가 그 상부에 지지되는 지지 플레이트를 구비한다. 이 중 지지 플레이트는 상부 챔버의 상판부와 일체로 되어 있으며, 그 중앙 영역에 전술한 가스공급부 및 고주파 전원부가 장착되어 있다.
이러한 구성에 의해, 전극의 가스분배판을 통해 플라즈마화된 공정 가스가 증착공간 내로 확산될 수 있고, 이로 인해 하부 챔버의 서셉터에 안착되어 있는 유리기판의 상면은 플라즈마화된 공정 가스에 의해 증착되어질 수 있다.
그런데, 종래의 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 있어서는, 증착 공정 시 챔버 내부의 온도가 수백도에 이르도록 급속도로 상승함에 따라 상부 챔버 및 하부 챔버의 외벽들이 가열되어 열팽창되고, 아울러 상부 챔버의 상부에 결합된 상판부 및 상판부와 일체로 결합된 지지 플레이트 또한 가열되어 열팽창되는데, 이러한 열팽창에 의해 지지 플레이트와 상판부 간의 결합부위가 파손되거나, 또는 증착 공정의 계속적인 반복에 의해 지지 플레이트의 형상이 영구적으로 열변형됨으로써 지지 플레이트가 그 상부에 장착된 여러 구성요소들을 견고히 지지 못하는 경우가 발생될 우려가 있다.
특히, 지지 플레이트의 상부에 장착된 가스공급부 및 고주파 전원부는 가스 유입관에 의해 후방 플레이트와 연결되는데, 증착 공정 시 상판부의 열변형과 연동되어 지지 플레이트가 열변형되는 경우 그 상부에 장착된 여러 구성요소들의 구조가 틀어지면서 챔버 내의 버퍼공간 즉 후방 플레이트와 가스분배판 사이 공간으로 공정 가스를 제대로 제공하지 못하는 경우가 발생될 수도 있다.
따라서 증착 공정 시 상판부의 열변형과 연동되어 지지 플레이트가 열변형되는 것을 방지할 수 있는 구조가 필요한 실정인데, 이 때 고려해야 할 사항이 있다. 그것은, 일반적으로 가스분배판과 후방 플레이트 등은 수백 킬로그램 정도의 중량을 갖는 거대한 구조물이기 때문에 상부 챔버의 밑면 쪽에서 상부 챔버 내에 가스분배판과 후방 플레이트 등을 조립하는 작업은 상당히 곤란하여, 조립 시 또는 유 지 보수 시 회전지그 등으로 상부 챔버를 뒤집은 상태가 될 수도 있는데, 이 때에도 상판부와 지지 플레이트의 결합이 유지되어야 한다는 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은, 증착 공정 등으로 인해 상부 챔버가 열팽창하는 경우가 발생하더라도 가스공급부 등을 지지하는 지지 플레이트의 양단이 상부 챔버의 열변형에 비구속되어 상부 챔버의 열변형 시 함께 열변형되는 것을 차단할 수 있으며, 따라서 지지 플레이트가 그 상부에 가스공급부와 같은 여러 요소들을 안정적으로 지지할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치를 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 평면디스플레이용 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되며, 상부 챔버 및 하부 챔버를 구비하는 챔버; 상기 상부 챔버의 상판부에 결합되어 상기 챔버 내로 공정 가스를 제공하는 가스공급부를 지지하는 지지 플레이트: 및 상기 상부 챔버 및 상기 지지 플레이트 사이에서 상기 지지 플레이트의 적어도 일측 단부에 마련되며, 상기 상부 챔버의 상판부가 열변형하는 경우 상기 지지 플레이트의 상기 적어도 일측 단부가 상기 상판부의 열변형에 비구속되도록 상기 상판부와 상기 지지 플레이트를 결합시키는 비구속 결합 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 의해서 달성된다.
여기서, 상기 비구속 결합 유닛은, 상기 상부 챔버가 뒤집어진 경우에도 상기 상판부가 상기 지지 플레이트를 지지할 수 있도록 상기 상판부와 상기 지지 플레이트를 결합시키는 것이 바람직하다.
상기 비구속 결합 유닛은, 상기 지지 플레이트의 중앙 영역을 기준으로 상기지지 플레이트의 양단부 하면에 대칭되도록 한 쌍 마련되는 것이 바람직하다.
상기 비구속 결합 유닛은, 상기 지지 플레이트의 하면에 고정 결합되는 한 쌍의 지지 플레이트 브라켓; 및 일단부는 상기 상부 챔버의 상판부에 고정 결합되고, 타단부는, 상기 한 쌍의 지지 플레이트 브라켓에 대해 상대 이동 가능하되 상기 상부 챔버가 뒤집어진 경우에도 상기 한 쌍의 지지 플레이트 브라켓을 지지할 수 있도록 상기 한 쌍의 지지 플레이트 브라켓에 결합되는 챔버 결합 브라켓을 포함할 수 있다.
상기 한 쌍의 지지 플레이트 브라켓 각각은, 상기 지지 플레이트의 양단부 하면에서 상기 지지 플레이트의 길이 방향을 따라 기립되게 결합되는 수직벽; 및 상기 수직벽의 하단에서 일측으로 절곡된 지지벽을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 챔버 결합 브라켓은, 상기 지지 플레이트의 길이 방향의 가로 방향으로 마련되어 상기 상부 챔버의 상판부에 고정 결합되는 고정벽부; 및 일단부는 고정벽부에 고정 결합되고, 타단부는, 상기 지지 플레이트 결합 브라켓에 슬라이딩 이동 가능하되 상기 상부 챔버가 뒤집어진 경우에도 상기 지지 플레이트 결합 브라켓을 지지할 수 있도록 상기 지지 플레이트 결합 브라켓에 결합되는 가동걸림부재를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 고정벽부는, 상기 상판부와 나란하게 접촉배치되는 하부벽; 및 상기 하부벽의 일단에서 상방으로 연장 절곡되어 마련되는 연장벽을 포함하며, 상기 가동걸림부재와 상기 연장벽은 스크루 결합될 수 있다.
상기 챔버 결합 브라켓의 가동걸림부재에는, 상기 지지 플레이트 결합 브라켓의 지지벽의 상면을 따라 슬라이딩 이동 가능하도록 반경 방향으로 돌출된 걸림턱이 마련되는 것이 바람직하다.
상기 지지 플레이트 결합 브라켓 및 상기 챔버 결합 브라켓은 상기 지지 플레이트 및 상기 상부 챔버의 상판부에 각각 스크루 결합될 수 있다.
상기 한 쌍의 상기 비구속 결합 유닛 사이에는 상기 지지 플레이트를 상기 상부 챔버의 상판부에 고정 결합시키는 구속 결합 유닛을 더 포함할 수 있다.
상기 평면디스플레이용 유리기판은 엘씨디(LCD, Liquid Crystal Display)용 유리기판일 수 있다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 구조도이고, 도 2는 도 1에 도시된 구조도를 상부 챔버와 하부 챔버로 분해한 분해 구조도이고, 도 3은 도 2에 도시된 상부 챔버를 상부에서 바라본 개략적인 사시도이며, 도 4는 도 3의 'Ⅳ'방향에서 바라본 정면도이고, 도 5는 도 3에 도시된 지지 플레이트를 하부에서 바라본 사시도이고, 도 6은 도 3의 'Ⅵ'방향에서 바라본 측면도이며, 도 7은 도 3에 도시된 비구속 결합 유닛의 단면도이다.
설명에 앞서, 평면디스플레이(Flat Display)란, 전술한 바와 같이 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 중 어떠한 것이 적용되어도 좋다.
다만, 본 실시 예에서는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판을 평면디스플레이로 간주하여 설명하기로 한다. 여기서 대형이란, 앞서도 기술한 바와 같이, 8세대에 적용되는 수준의 크기를 가리킨다. 이하, 평면디스플레이를 유리기판(G)이라 명칭하여 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 7에 자세히 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)는, 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)를 구비하며 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버(3)와, 하부 챔버(20) 내에 마련되어 증착 대상물인 유리기판(G)이 로딩되는 서셉터(30)와, 상부 챔버(10) 내에 마련되어 증착 대상물인 유리기판(G)을 향해 소정의 실리콘계 화합물 이온인 증착 물질 즉 플라즈마(Plasma)화된 공정 가스를 방출하는 전극(40)과, 상부 챔버(10)의 상판부(13) 중앙 영역에 결합되어 가스공급부(15) 및 고주파 전원부(12) 등을 지지하는 지지 플레이트(50)와, 상판부(13)와 지지 플레이트(50) 사이에 마련되되 지지 플레이트(50)의 중앙 영역을 기준으로 지지 플레이트(50)의 양단부 하면에 대칭되도록 한 쌍 마련되어 상부 챔버(10)의 상판부(13)가 열팽창하더라도 지지 플레이트(50)의 양단부 영역이 상판부(13)의 열변형에 대해 비구속되도록 상판부(13)와 지지 플레이트(50)를 결합시키는 비구속 결합 유닛(60)과, 지지 플레이 트(50)의 하면 중앙 영역에 마련되어 상판부(13)와 지지 플레이트(50) 간을 고정 결합시키는 구속 결합 유닛(80)을 포함한다.
도 1 및 도 2에 자세히 도시된 바와 같이, 증착 대상물인 유리기판(G)에 대해 증착 공정이 진행될 때 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)는 상호 결합 상태를 유지하며, 경우에 따라서는, 가령 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)를 유지 보수하는 등의 경우에는 하부 챔버(20)로부터 상부 챔버(10)를 분리할 수 있다. 즉, 증착 공정을 수행하기 위해 별도의 크레인(미도시)에 의해 상부 챔버(10)가 하부 챔버(20)의 상부에 결합되어 한 몸체를 이룰 수 있으며, 마찬가지로 유지 보수 등을 위해 별도의 크레인에 의해 하부 챔버(20)로부터 상부 챔버(10)를 분리할 수 있다.
이와 같이, 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)가 한 몸체를 이루어 그 내부의 증착공간(S)에서 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 진행될 때는 증착공간(S)이 진공 분위기로 유지되어야 하며, 이를 위해 증착공간(S)은 증착 공정 시 외부로부터 차폐되어야 한다.
먼저, 하부 챔버(20)에 대해서 살펴보면, 하부 챔버(20)는, 실질적으로 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 진행되는 부분으로서, 전술한 증착공간(S)이 하부 챔버(20) 내에 형성된다. 이러한 하부 챔버(20)의 외벽에는 소정의 작업 로봇(미도시)에 의해 유리기판(G)이 증착공간(S) 내외로 출입할 수 있도록 기판출입부(21)가 형성되어 있다. 이러한 기판출입부(21)는 그 주변에 결합된 도어(24)에 의해 선택적으로 개폐된다.
도시하지는 않았지만, 하부 챔버(20) 내의 바닥면 영역에는 증착공간(S)에 존재하는 공정 가스를 다시 증착공간(S)으로 확산시키는 가스확산판(미도시)이 마련되어 있다.
서셉터(30, Susceptor)는 하부 챔버(20) 내의 증착공간(S)에서 횡 방향으로 배치되어 로딩(loading)되는 유리기판(G)을 지지한다. 보통은 증착 대상물인 유리기판(G)의 면적보다 큰 구조물로 형성되며, 서셉터(30)의 상면은 유리기판(G)이 정밀하게 수평 상태로 로딩될 수 있도록 거의 정반(Surface plate)으로 제조된다.
서셉터(30)의 상면으로 유리기판(G)이 얹혀지면서 로딩되거나 취출되기 위해 서셉터(30)에는 로딩되거나 취출되는 유리기판(G)의 하면을 안정적으로 지지하는 복수의 리프트 핀(31, Lift Pin)이 더 구비되어 있다. 리프트 핀(31)들은 서셉터(30)를 관통하도록 서셉터(30)에 설치되어 있다.
이러한 리프트 핀(31)들은 서셉터(30)가 하강할 때, 그 하단이 하부 챔버(20)의 바닥면에 가압되어 상단이 서셉터(30)의 상단으로 돌출된다. 리프트 핀(31)의 돌출된 상단은 유리기판(G)을 상부로 들어올리게 되고 따라서 유리기판(G)은 서셉터(30)로부터 이격되게 된다. 반대로, 서셉터(30)가 부상하면, 리프트 핀(31)이 서셉터(30)의 상면에 대해 하방으로 이동하여 유리기판(G)이 서셉터(30)의 상면에 밀착된다. 즉, 리프트 핀(31)들은 로봇아암(미도시)이 서셉터(30)에 로딩된 유리기판(G)을 파지할 수 있도록 유리기판(G)과 서셉터(30) 사이의 공간을 형성하는 역할을 겸한다.
이러한 서셉터(30)에는, 그 상단이 배면 중앙 영역에 고정되고 하단이 하부 챔버(20)를 통해 하방으로 노출되어 서셉터(30)를 승강 가능하게 지지하는 컬 럼(32)이 더 결합되어 있다.
전술한 바와 같이, 8세대 하에서의 서셉터(30)는 무겁고 사이즈 또한 크기 때문에 처짐 등이 발생될 수 있는데, 이는 서셉터(30)의 상면에 로딩되는 유리기판(G)의 처짐 등으로 연계될 수 있다. 이에, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 컬럼(32)의 상부 영역에는 서셉터 지지부(33)가 마련되어 서셉터(30)를 안정적으로 떠받치고 있다.
서셉터(30)는 하부 챔버(20) 내의 증착공간(S)에서 상하로 승강한다. 즉, 유리기판(G)이 로딩될 때는 하부 챔버(20) 내의 바닥면 영역에 배치되어 있다가 유리기판(G)이 서셉터(30)의 상면에 밀착되고 증착 공정이 진행될 때에는 유리기판(G)이 후술할 가스분배판(42)에 인접할 수 있도록 부상한다. 이를 위해, 서셉터(30)에 결합된 컬럼(32)에는 서셉터(30)를 승강시키는 승강 모듈(90)이 더 마련되어 있다.
승강 모듈(90)에 의해 서셉터(30)가 승강하는 과정에서 컬럼(32)과 하부 챔버(20) 사이에 공간이 발생되면 안 된다. 따라서 컬럼(32)이 통과하는 하부 챔버(20)의 해당 영역에는 컬럼(32)의 외부를 감싸도록 벨로우즈관(91)이 마련되어 있다. 벨로우즈관(91)은 서셉터(30)가 하강할 때 팽창되고, 서셉터(30)가 부상할 때 압착된다.
이어서 상부 챔버(10)에 대해 살펴보면, 상부 챔버(10)의 내부에는, 도 1 및 도 2에 자세히 도시된 바와 같이, 횡 방향을 따라 전극(40)이 구비되어 있다. 전극(40)은, 하부 챔버(20)를 향한 전면에 배치되는 가스분배판(42)과, 버퍼공간(B)을 사이에 두고 가스분배판(42)의 배후에 배치되는 후방 플레이트(44)를 구비한다.
가스분배판(42)은, 챔버(3) 내에 형성되는 증착공간(S)에 플라즈마화된 공정 가스를 고르게 분배(확산)하는 역할을 담당하는 부분이다. 이러한 가스분배판(42)에는 미세하게 가공된 다수의 오리피스(미도시)가 두께 방향으로 관통 형성되어 있다. 따라서 증착 공정 시 서셉터(30)가 상승하여 가스분배판(42)과 대략 수십 밀리미터(mm) 정도로 근접 배치되면, 이어서 증착 물질인 플라즈마화된 공정 가스가 다수의 오리피스를 따라 방출되어 유리기판(G)의 상면에 증착된다.
후방 플레이트(44)의 중앙 영역에는, 가스공급부(15)로부터 공정 가스가 공급될 수 있도록 그 중앙 영역이 관통 형성된 가스유입관(18)이 결합되어 있다. 후방 플레이트(44) 및 후방 플레이트(44)와 결합된 가스분배판(42)은 가스공급부(15)로부터 공급되는 공정 가스가 플라즈마화될 수 있도록 고주파 전원부(12)와 연결라인(11)에 의해 전기적으로 연결되어 있다.
또한 가스분배판(42)과 후방 플레이트(44) 사이에는 현가지지부재(46)가 마련되어 있다. 현가지지부재(46)는 버퍼공간(B) 내의 플라즈마화된 공정 가스가 외부로 누출되지 않도록 할 뿐만 아니라 수백 킬로그램 정도의 무거운 중량을 갖는 가스분배판(42)을 후방 플레이트(44)에 대해 현가 지지한다. 뿐만 아니라 현가지지부재(46)에는 증착 공정 시 수백도 가령 200℃ 정도로 가열되는 가스분배판(42)이 X축, Y축 및 Z축 중 적어도 어느 한 방향으로 열팽창하는 것을 보상하는 역할도 겸한다.
또한 가스분배판(42) 및 후방 플레이트(44)와, 상부 챔버(10)의 벽 간을 전기적 절전 상태로 유지시키기 위하여, 도 1 및 도 2에 자세히 도시된 바와 같이, 가스분배판(42)과 상부 챔버(10)의 벽 사이, 그리고 후방 플레이트(44)와 상부 챔버(10)의 벽 사이에 테프론(Tefron) 재질의 인슐레이터(17, Insulator)가 마련된다.
그리고 상부 챔버(10)의 상단에는 상판부(13)가 구비되어 있다. 상판부(13)는 상부 챔버(10)의 상부를 덮는 역할을 할 뿐만 아니라 후술할 지지 플레이트(50)가 지지 및 결합되는 부분이 된다. 그리고 상부 챔버(10)의 외벽 일측에는 하부 챔버(20)의 측벽 두께와 상부 챔버(10)의 측벽 두께 차이를 보강하는 보강벽부(16)가 더 마련되어 있다.
지지 플레이트(50)는, 그 상부에 플라즈마화된 공정 가스를 공급시키기 위한 가스공급부(15)와, 상부 챔버(10) 내에 결합되어 있는 후방 플레이트(44)와 연결라인(11)에 의해 전기적으로 연결되어 있는 고주파 전원부(12)와, 가스공급부(15)와 가스유입관(18)이 연결되도록 가스공급부(15) 및 고주파 전원부(12) 사이에 마련되어 가스공급부(15)로부터 유입되는 공정 가스의 이동 경로가 되는 가스이동관(14)과, 가스이동관(14) 및 그 주변 영역을 차폐하는 차폐박스(19) 등이 장착되어 있다. 이러한 구성에 의해 가스공급부(15)로부터 공급되는 공정 가스가 가스유입관(18)을 통해 버퍼공간(B)으로 공급될 수 있고, 후방 플레이트(44)가 고주파 전원부(12)에 의해 공급되는 고주파 전력에 의해 전극을 띠게 됨으로써 버퍼공간(B)으로 유입된 공정 가스를 플라즈마화할 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이, 종래의 지지 플레이트(미도시)는 상부 챔버(미도시)의 상판부(미도시)와 일체로 되어 있거나 또는 견고히 결합되어 증착 공정 시 상부 챔버의 상판부의 열팽창에 의해 그 결합 부분이 파손되거나 열변형되는 문제점이 발생될 수 있었다.
따라서, 본 실시 예의 지지 플레이트(50)와 상판부(13) 사이에 비구속 결합 유닛(60)이 지지 플레이트(50)의 하면에 마련되도록 함으로써 상판부(13)가 열팽창되더라도 지지 플레이트(50)가 이와 함께 열변형되는 것을 저지할 수 있으며, 나아가 조립 시 또는 유지 보수 시 상부 챔버(10)가 뒤집어진 경우에도 상판부(13)와 지지 플레이트(50)의 결합이 유지될 수 있도록 하고 있다.
이에 대해 자세히 설명하면, 도 4 및 도 5에 자세히 도시된 바와 같이, 지지 플레이트(50)에는 그 양단부 하면에 대칭되는 한 쌍의 비구속 결합 유닛(60)이 마련된다.
이러한 한 쌍의 비구속 결합 유닛(60)은 각각, 상부 챔버(10)의 상판부(13)에 대해 지지 플레이트(50)의 양단부 영역이 비구속되도록 함으로써 상판부(13)에 열변형이 발생되더라도 지지 플레이트(50)가 이와 함께 열변형되는 것을 저지하는 부분으로서, 지지 플레이트(50)의 길이 방향을 따라 지지 플레이트(50)의 하면에 결합되는 한 쌍의 지지 플레이트 브라켓(61)과, 일단부는 지지 플레이트 브라켓(61)의 위치에 대응되도록 상판부(13)에 고정 결합되고 타단부는 지지 플레이트 브라켓(61)에 결합되되 지지 플레이트 브라켓(61)의 길이 방향을 따라 지지 플레이트 브라켓(61)에 대해 상대 이동 가능하도록 결합되는 챔버 결합 브라켓(71)을 구비한다.
도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 지지 플레이트 브라켓(61) 각 각은, 강도를 위해 알루미늄(Aluminium) 등과 같은 금속 재질로 제작되며, 지지 플레이트(50)의 양단부 하면에서 지지 플레이트(50)의 길이 방향을 따라 기립되게 결합되는 수직벽(62)과, 수직벽(62)의 하단부에서 실질적으로 수직되게 절곡되는 지지벽(63)을 구비한다. 즉, 'ㄴ'자의 지지 플레이트 브라켓(61)이 상호 대향되게 지지 플레이트(50)의 양단부 하면에 각각 결합됨으로써 챔버 결합 브라켓(71)의 타단부가 지지 플레이트 브라켓(61)에 대해 슬라이딩 이동할 수 있도록 한다. 이 때 지지 플레이트 브라켓(61)은 지지 플레이트(50)와 스크루(50s)에 의해 결합될 수 있다.
이러한 지지 플레이트 브라켓(61)의 구조에 의해, 상판부(13)가 지지 플레이트(50)의 양단부 영역에서 상대 이동할 수 있으며, 또한 유지 보수 등을 위해 상부 챔버(10)를 거꾸로 위치시키는 경우에도 지지 플레이트(50)의 지지벽(63)이 전술한 챔버 결합 브라켓(71)에 지지되어 지지 플레이트(50)와 상판부(13)의 결합이 해제되지 않고 결합 상태를 유지할 수 있다. 이에 대해서는 지지 플레이트 브라켓(61)에 대해 상대 이동하는 챔버 결합 브라켓(71)의 설명 시 다시 한 번 자세히 설명하기로 한다.
한편, 챔버 결합 브라켓(71)은, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 지지 플레이트 브라켓(61)의 위치에 대응되도록 지지 플레이트(50)의 길이 방향의 가로 방향으로 길게 마련되어 상부 챔버(10)의 상판부(13)에 고정 결합되는 고정벽부(72)와, 일단부는 고정벽부(72)의 상면에 고정 결합되고 타단부는 지지 플레이트 브라켓(61)의 길이 방향을 따라 슬라이딩 이동 가능하도록 결합되는 가동걸림부재(75) 를 구비한다.
이 중, 고정벽부(72)는, 'ㄴ'자 단면을 갖도록, 상판부(13)의 상면과 나란하게 접촉 배치되는 하부벽(73)과, 하부벽(73)의 일단에서 상방으로 연장 절곡되어 마련되는 연장벽(74)을 구비한다. 하부벽(73)에는 스크루(73s)가 관통되는 관통공(73h)이 복수 개 형성되어 있으며, 이로 인해 챔버 결합 브라켓(71)과 상판부(13)의 결합이 견고히 이루어질 수 있다.
또한 연장벽(74)의 편평한 상면에는 지지 플레이트 브라켓(61)의 지지벽(63)을 따라 슬라이딩 이동 가능한 한 쌍의 가동걸림부재(75)가 고정 결합된다. 가동걸림부재(75)에는, 지지 플레이트 브라켓(61)의 지지벽(63)을 따라 길이 방향으로 이동 시 챔버 결합 브라켓(71)이 지지 플레이트 브라켓(61)으로부터 이탈되지 않도록 그 상부 영역이 반경 방향으로 돌출된 걸림턱(76)이 마련되어 있다.
이러한 걸림턱(76)과 전술한 지지 플레이트 브라켓(61)의 지지벽(63)이 상호 지지되는 구조에 의해, 가령 증착 공정 등에 의해 상부 챔버(10)의 상판부(13)가 열팽창하더라도 챔버 결합 브라켓(71)의 가동걸림부재(75)는 지지 플레이트 브라켓(61)의 길이 방향을 따라 슬라이딩 이동함으로써 즉, 열팽창이 큰 상판부(13)의 양단부 영역에 결합되는 지지 플레이트 브라켓(61)의 영역이 상부 챔버(10)에 대해 비구속됨으로써 지지 플레이트(50)가 열팽창되거나 또는 지지 플레이트(50)와 상판부(13)를 연결시키는 비구속 결합 유닛(60)이 파손되는 경우를 방지할 수 있다.
또한, 상부 챔버(10)를 유지 보수하기 위해 상부 챔버(10)를 하부 챔버(20)로부터 분리한 후 회전지그(미도시) 등에 의해 상부 챔버(10)의 상하가 역전되도록 위치를 변환하는 경우에, 지지 플레이트 브라켓(61)의 지지벽(63)이 가동걸림부재(75)의 걸림턱(76)에 걸림되게 지지됨으로써 지지 플레이트(50)와 상판부(13)의 결합이 해제되는 것을 저지할 수 있다.
이러한 가동걸림부재(75)는 고정벽부(72)와 일체가 되도록 제작될 수도 있지만, 본 실시 예의 가동걸림부재(75)는 가동걸림부재(75)의 축 방향을 따라 관통 형성된 관통공(75h)과 고정벽부(72)의 연장벽(74) 상면에 형성된 관통홈(74h)에 체결되는 스크루(75s)에 의해서 연장벽(74)의 상단부에 체결될 수 있다. 단, 본 실시 예에서는 가동걸림부재(75)와 고정벽부(72) 간이 스크루 결합되지만, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것이 아니며 따라서 다른 결합 방법에 의해 결합되어도 무방하다 할 것이다.
한편, 지지 플레이트(50)의 중앙 영역의 하면에는 지지 플레이트(50)와 상판부(13) 간을 견고히 결합시키는 구속 결합 유닛(80)이 마련되어 있다. 구속 결합 유닛(80)은 공정 가스를 공급하는 가스공급부(15)와 연통되는 가스유입관(18) 등을 둘러싸도록 마련되되, 비구속 결합 유닛(60)과는 달리 상판부(13)의 상면 및 지지 플레이트(50)의 하면에 고정 결합되는 구조를 갖는다.
다시 말해, 도 5에 도시된 바와 같이, 지지 플레이트(50)의 중앙 영역에서 'ㄴ'자 형상의 구속 결합 유닛(80) 4개가 상호 인접하게 마련되어 일단부 즉 하부벽(81)은 상부 챔버(10)의 상판부(13)에 고정 결합되고 타단부 즉 하부벽(81)에 대해 절곡 형성되는 연장벽(82)은 지지 플레이트(50)의 하면에 고정 결합되는 것이다. 이러한 구속 결합 유닛(80)에 의해 지지 플레이트(50)는 일차적으로 상판 부(13)와 고정 결합되어, 가령 유지 보수 등의 작업으로 인해 상부 챔버(10)의 상하 위치가 역전되는 경우에도 지지 플레이트(50)가 상부 챔버(10)에 대해 원래의 상태를 유지할 수 있도록 한다.
한편, 구속 결합 유닛(80)에 의해 상부 챔버(10)의 상판부(13)와 지지 플레이트(50)가 고정 결합됨으로써 상판부(13)의 열팽창 시 구속 결합 유닛(80)이 열팽창될 수 있으나, 구속 결합 유닛(80)이 상판부(13)의 열팽창이 최소로 일어나는 부분인 상판부(13)의 중앙 영역 즉, 지지 플레이트(50)의 하면 중앙 영역에 마련됨으로써 상판부(13)의 열팽창이 발생하더라도 구속 결합 유닛(80)의 열팽창은 실질적으로 거의 발생되지 않거나 미미하게 발생된다.
다만, 상판부(13)의 열팽창에 의해 지지 플레이트(50)가 미세하게라도 열팽창되는 것을 저지하기 위해 구속 결합 유닛(80) 또한, 비구속 결합 유닛(60)과 실질적으로 동일한 구조로 마련되어도 무방하다 할 것이다. 또는 하부벽(81)에 스크루(81s)가 결합되는 관통공(81h)을 열팽창 방향으로 약간 길게 형성시킴으로써 상판부(13)의 열팽창에 따른 구속 결합 유닛(80)의 열변형을 최소화할 수도 있을 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 지지 플레이트(50)의 중앙 영역을 기준으로 지지 플레이트(50)의 양단부의 하면 영역에 마련되는 비구속 결합 유닛(60)에 의해, 상부 챔버(10)의 상판부(13)가 열팽창하게 되더라도 지지 플레이트(50)의 양단부 영역은 이와 함께 열팽창되지 않아 지지 플레이트(50)의 형상이 변하거나 지지 플레이트(50)와 상판부(13)의 결합 부위가 파손되지 않을 뿐만 아니라, 상부 챔버(10)에 유지 보수 등의 작업을 하기 위해 상부 챔버(10)의 상하 위치를 역전시키는 경우에도 지지 플레이트 브라켓(61)이 챔버 결합 브라켓(71)에 의해 지지되어 지지 플레이트(50)와 상판부(13)의 결합이 해제되지 않게 된다.
이하에서는, 이러한 구성을 갖는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)의 작용에 대해서 설명하기로 한다.
우선, 승강 모듈(90)에 의해 서셉터(30)가 하부 챔버(20)의 하부 영역으로 하강된 상태에서 로봇아암(미도시)에 의해 이송된 유리기판(G)이 기판출입부(21)를 통해 유입되어 상부에 배치된다.
이 때, 리프트 핀(31)의 상단은 서셉터(30)의 상면으로 소정 높이 돌출된 상태이므로, 로봇아암은 리프트 핀(31)들에 유리기판(G)을 올려둔 후, 취출된다. 이후, 기판출입부(24)는 닫히고, 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)의 내부는 진공 분위기로 유지됨과 동시에 증착에 필요한 공정 가스가 충전된다.
이어서, 증착 공정을 진행하기 위해, 승강 모듈(90)을 동작시켜 서셉터(30)를 부상시킨다. 그러면 리프트 핀(31)은 자중에 의해 하강되고, 이를 통해 유리기판(G)은 서셉터(30)의 상면에 밀착되어 로딩된다. 정해진 거리만큼 서셉터(30)가 부상하면 승강 모듈(70)의 동작이 정지되고 유리기판(G)은 가스분배판(42)의 직하방에 위치하게 된다.
이후, 지지 플레이트(50)에 지지되어 상부 챔버(10)의 외측에 위치하는 가스공급부(15) 및 고주파 전원부(12)에 의해 생성되는 플라즈마화된 공정 가스가 가스유입관(18)을 통해 후방 플레이트(44) 및 가스분배판(42)에 의해 형성되는 버퍼공 간(B)으로 유입된 후, 가스분배판(42)의 오리피스(미도시)를 따라 서셉터(30)의 상면에 로딩된 유리기판(G)으로 고르게 증착된다.
이러한 증착 공정이 제대로 이루어지기 위해서는 증착공간(S)의 온도가 수백도로 유지되어야 하며, 이로 인해 증착공간(S)을 둘러싸는 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)의 온도 또한 수백도로 상승한다. 이 때 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)를 형성하는 재질의 특성상 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)는 챔버(3) 내의 온도 상승으로 인해 열팽창하게 되며, 아울러 상부 챔버(10)와 고정 결합된 다른 구성 요소들 예를 들면 상판부(13) 등도 챔버(3)의 열팽창에 연계되어 열팽창하게 된다.
그런데, 상부 챔버(10)의 상판부(13)에 결합되어 있는 지지 플레이트(50)는 이러한 상부 챔버(10)의 상판부(13)의 열팽창에도 불구하고 원래의 위치 상태를 거의 유지할 수 있다. 이는, 지지 플레이트(50)와 상판부(13) 사이에 한 쌍의 비구속 결합 유닛(60)이 마련되어 상판부(13)가 열팽창되더라도 상판부(13)의 양단부는 지지 플레이트(50)에 상대 이동함으로써 지지 플레이트(50)를 함께 열변형시키지 않기 때문이다.
보다 상세히 설명하면, 전술한 바와 같이, 비구속 결합 유닛(60) 중 상부 챔버(10)에 결합되는 챔버 결합 브라켓(71)과 지지 플레이트(50)에 결합되는 지지 플레이트 브라켓(61)이 상대적으로 슬라이딩 이동할 수 있다. 즉, 지지 플레이트 브라켓(61)의 지지벽(63)을 따라 챔버 결합 브라켓(71)의 가동걸림부재(75)가 상대 이동함으로써 상판부(13)가 열팽창하더라도 지지 플레이트(50)가 함께 변형되지 않는 것이다.
한편, 상부 챔버(10)에 유지 보수 등의 작업을 하기 위해 도 2와 같이 상부 챔버(10)를 하부 챔버(20)로부터 분리한 후 회전 지그(미도시) 등에 옮겨 상부 챔버(10)의 상하 위치를 역전시키는 경우에도, 지지 플레이트(50)는 중앙 영역에 마련된 구속 결합 유닛(80)에 의해 상부 챔버(10)의 상판부(13)와 결합될 수 있으며, 또한 지지 플레이트(50)의 양단부 하면에 한 쌍 마련된 비구속 결합 유닛(60)에 의해 일측으로 처지지 않고 편평한 상태로 유지될 수 있다. 보다 상세히 설명하면, 지지 플레이트 브라켓(61)의 지지벽(63)이 챔버 결합 브라켓(71)의 가동걸림부재(75)의 걸림턱(76)에 걸림되어 양단부 영역이 일측으로 처지지 않고 편평한 상태를 유지할 수 있는 것이다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 그 상부에 여러 구성요소들을 지지하는 지지 플레이트(50)가, 증착 공정 등에 의해 상부 챔버(10)의 상판부(13)가 열팽창하더라도 열팽창되지 않고 원래의 상태를 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 유지 보수 등을 위해 상부 챔버(10)의 상하 위치가 역전되는 경우에도 지지 플레이트(50)와 상판부(13)의 결합이 해제되는 것을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라, 지지 플레이트(50)와 상판부(13) 사이에 구속 결합 유닛(80)을 더 마련함으로써 상부 챔버(10)와 지지 플레이트(50) 간의 결합을 보다 견고히 유지할 수 있다.
전술한 실시 예에서는, 지지 플레이트 브라켓의 지지벽에 대해 챔버 결합 브라켓의 가동걸림부재가 상대적으로 슬라이딩 이동한다고 설명하였으나, 제조가 용이하다면 챔버 결합 브라켓에 지지벽을 마련하고 지지 플레이트 브라켓에 가동걸림부재를 마련하여 지지벽에 가동걸림부재가 상대적으로 슬라이딩 이동되도록 구성하 여도 무방할 것이다.
또한, 전술한 실시 예에서는, 비구속 결합 유닛이 지지 플레이트의 양단부의 하면에 한 쌍 마련된다고 설명하였으나, 지지 플레이트의 모서리부에 하나씩 즉, 두 쌍 마련되어도 무방하다 할 것이다.
이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 증착 공정 등으로 인해 상부 챔버가 열팽창하는 경우가 발생하더라도 가스공급부 등을 지지하는 지지 플레이트의 양단이 상부 챔버의 열변형에 비구속되어 상부 챔버의 열변형 시 함께 열변형되는 것을 차단할 수 있으며, 따라서 지지 플레이트가 그 상부에 가스공급부와 같은 여러 요소들을 안정적으로 지지할 수 있다.

Claims (11)

  1. 평면디스플레이용 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되며, 상부 챔버 및 하부 챔버를 구비하는 챔버;
    상기 상부 챔버의 상판부에 결합되어 상기 챔버 내로 공정 가스를 제공하는 가스공급부를 지지하는 지지 플레이트: 및
    상기 상부 챔버 및 상기 지지 플레이트 사이에서 상기 지지 플레이트의 중앙 영역을 기준으로 상기 지지 플레이트의 양단부에 배치되며, 상기 상부 챔버의 상판부가 열변형하는 경우 상기 지지 플레이트의 양단부가 상기 상판부의 열변형에 비구속되도록 상기 상판부와 상기 지지 플레이트를 결합시키는 비구속 결합 유닛을 포함하며,
    상기 비구속 결합 유닛은,
    상기 지지 플레이트의 하면에 고정 결합되는 한 쌍의 지지 플레이트 브라켓; 및
    일단부는 상기 상부 챔버의 상판부에 고정 결합되고, 타단부는 상기 한 쌍의 지지 플레이트 브라켓에 대해 상대 이동 가능하되 상기 상부 챔버가 뒤집어진 경우에도 상기 한 쌍의 지지 플레이트 브라켓을 걸림 지지할 수 있도록 상기 한 쌍의 지지 플레이트 브라켓에 결합되는 챔버 결합 브라켓을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 한 쌍의 지지 플레이트 브라켓 각각은,
    상기 지지 플레이트의 양단부 하면에서 상기 지지 플레이트의 길이 방향을 따라 기립되게 결합되는 수직벽; 및
    상기 수직벽의 하단에서 일측으로 절곡된 지지벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 챔버 결합 브라켓은,
    상기 지지 플레이트의 길이 방향의 가로 방향으로 마련되어 상기 상부 챔버의 상판부에 고정 결합되는 고정벽부; 및
    일단부는 고정벽부에 고정 결합되고, 타단부는 상기 지지 플레이트 브라켓의 상기 지지벽을 따라 슬라이딩 이동 가능하되 상기 상부 챔버가 뒤집어진 경우에도 상기 지지 플레이트 브라켓을 지지할 수 있도록 상기 지지 플레이트 브라켓에 결합되는 가동걸림부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 고정벽부는,
    상기 상판부와 나란하게 접촉배치되는 하부벽; 및
    상기 하부벽의 일단에서 상방으로 연장 절곡되어 마련되는 연장벽을 포함하며,
    상기 가동걸림부재와 상기 연장벽은 스크루 결합되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 챔버 결합 브라켓의 가동걸림부재에는, 상기 지지 플레이트 브라켓의 지지벽의 상면을 따라 슬라이딩 이동 가능하도록 반경 방향으로 돌출된 걸림턱이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 지지 플레이트 브라켓 및 상기 챔버 결합 브라켓은 상기 지지 플레이트 및 상기 상부 챔버의 상판부에 각각 스크루 결합되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 한 쌍의 상기 비구속 결합 유닛 사이에는 상기 지지 플레이트를 상기 상부 챔버의 상판부에 고정 결합시키는 구속 결합 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 평면디스플레이용 유리기판은 엘씨디(LCD, Liquid Crystal Display)용 유리기판인 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08311654A (ja) * 1995-05-10 1996-11-26 Ulvac Japan Ltd プラズマｃｖｄ装置、およびプラズマｃｖｄによる薄膜形成方法
KR20030066118A (ko) * 2002-02-04 2003-08-09 주성엔지니어링(주) 열팽창에 의한 변형을 최소화할 수 있는 샤워헤드형가스공급장치
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08311654A (ja) * 1995-05-10 1996-11-26 Ulvac Japan Ltd プラズマｃｖｄ装置、およびプラズマｃｖｄによる薄膜形成方法
KR20030066118A (ko) * 2002-02-04 2003-08-09 주성엔지니어링(주) 열팽창에 의한 변형을 최소화할 수 있는 샤워헤드형가스공급장치
KR100711184B1 (ko) 2006-03-27 2007-04-24 주식회사 마이크로텍 샤워헤드 브래킷

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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