KR20030066118A - 열팽창에 의한 변형을 최소화할 수 있는 샤워헤드형가스공급장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 샤워헤드형 가스공급장치는, 가장자리가 밑으로 돌출된 백킹 플레이트(backing plate, 11); 백킹 플레이트(11)의 가장자리와 결합하여 자신과 백킹 플레이트(11) 사이에 소정의 빈 공간을 형성시키되, 상기 빈 공간과 자신의 아랫부분에 위치하는 공간을 서로 연결하는 복수개의 관통홀을 가지며, 상기 관통홀 형성부위와 상기 결합부위 사이에는 적어도 한개의 오목홈(23)이 형성되어 있는 평판형 샤워헤드(9); 및 평판형 샤워헤드(9)와 백킹 플레이트(11) 사이의 빈 공간에 연통되도록 백킹 플레이트(11)의 가운데 부분에 연결되는 가스 도입관(17); 을 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 오목홈(23)의 존재로 인하여 열팽창 시에 늘어날 수 있는 여분의 공간이 마련되기 때문에 샤워헤드(9)가 열팽창 하더라도 이로 인한 실질적인 변형이 사실상 없게 된다. 따라서, 균일한 성막 특성을 얻을 수 있게 된다.

Description

열팽창에 의한 변형을 최소화할 수 있는 샤워헤드형 가스공급장치 {Showerhead type gas supplier which minimizes thermal expansion-induced deformation}
본 발명은 샤워헤드형 가스공급장치에 관한 것으로서, 특히 열팽창에 의한 변형이 최소화될 수 있는 샤워헤드형 가스공급장치에 관한 것이다.
PECVD 공정은 대면적 기판에 비교적 낮은 온도에서도 빠른 속도로 균일하게 막을 형성시킬 수 있는 장점이 있기 때문에 반도체 소자나 LCD 판넬(panel) 제작시에 많이 사용된다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 샤워헤드형(showerhead type) PECVD 장치를 설명하기 위한 도면들이다. 도 1a 및 도 1b을 참조하면, 반응챔버는 챔버바디(chamber body, 1)와 챔버덮개(chamber lid, 10)를 포함하여 이루어지는데, 챔버바디(1)는 상부가 개방된 형태이며 챔버덮개(10)에 의해 덮혀진다. 챔버바디(1)와 챔버덮개(10) 사이에는 오링(13)이 개재된다. 챔버바디(1) 내에는 기판(3)이 수평안착되어지는 서셉터(2)가 설치되며, 서셉터(20)는 샤프트(shaft, 2-1)에 의해 상하운동 가능하게 된다. 서셉터(2) 내에는 히터(미도시)가 내장되는데 이를 위한 열선 및 온도센서는 샤프트(2-1) 내부를 통해서 밖으로 연결된다. 새도우 프레임(shadow frame, 8)은 기판(3)의 가장자리 부분에 성막이 이루지지 않도록 차단하는 역할을 한다.
챔버바디(1) 저면에는 배기터널(5)이 가장자리를 따라 환형으로 설치되며 배기터널(5)은 배기포트(exhaustion port, 4)를 통해서 진공펌프(미도시)에 연결된다. 배기터널(5) 상부는 배기 플레이트(plate, 6)로 덮혀지는데, 배기 플레이트(6) 주변에는 차폐가 가능한 슬릿(slit, 7)이 설치되어 있다. 슬릿(7)을 통하여 배기터널(5)로 유입된 가스는 배기포트(4)를 통하여 외부로 배출된다. 이 때, 슬릿(7)의 차폐를 적절히 함으로써 가스의 배기를 사면으로 균일하게 꾀할 수 있다.
챔버덮개(10)의 아랫부분에는 안쪽으로 돌출된 부위가 있는데, 이 돌출부위에 백킹 플레이트(backing plate, 11)가 얹혀진다. 백킹 플레이트(11)는 가장자리 부분이 밑으로 돌출되어 있다. 복수개의 관통홀이 뚫려 있는 평판형 샤워헤드(9)의 가장자리는 백킹 플레이트(11)의 상기 가장자리와 나사(12)에 의해 결합된다. 따라서, 백킹 플레이트(11)와 평판형 샤워헤드(9) 사이에는 빈 공간이 형성되며, 평판형 샤워헤드(9)는 기판(3)에 대향하게 된다.
가스도입관(17)은 평판형 샤워헤드(9)와 백킹 플레이트(11) 사이의 빈 공간에 연통되도록 백킹 플레이트(11)의 가운데 부분에 연결된다. 가스도입관(17)을 통하여 공급되는 가스는 바플(baffle, 14)에 부딪혀 평판형 샤워헤드(9)와 백킹 플레이트(11) 사이의 공간에 균일하게 분포된 후에 샤워헤드(9)의 관통홀을 통과하여 기판(3) 상부공간으로 분사된다.
백킹 플레이트(11)와 샤워헤드(9)는 모두 금속재질, 예컨대 알루미늄(Al)으로 이루어지며, 전기적으로 서로 연결된다. 그런데, 백킹 플레이트(11)가 RF 피드라인(RF feed line, 15)에 연결되기 때문에 백킹 플레이트(11) 및 샤워헤드(9)는 사실상 플라즈마 전극으로서의 역할을 하게 된다. RF 발전기(미도시)에서 공급되는 RF(Radio Frequency) 전력은 RF 매칭박스(16)에서 매칭이 이루어진 후에 RF 피드라인(15)을 통하여 백킹 플레이트(11)에 공급된다.
챔버덮개(10)는 접지되는 것이 바람직하므로, 백킹 플레이트(11) 및 샤워헤드(9)가 챔버덮개(10)와 접하는 부위에는 전극 절연체(19, 21)가 개재된다. 그리고, 백킹 플레이트(11)가 얹혀지는 챔버덮개(10) 돌출부위에는 전기적 절연을 위한 테프론 절연체(20)가 개재되며 테프론 절연체(20) 상하에는 오링(13)이 설치된다.
가스도입관(18)의 소정 부위에는 리모트 플라즈마 발생장치(18)가 설치되는데, 반응챔버 내부공간을 클리닝하기 위한 클리닝 가스를 공급할 때에는 작동되어 플라즈마 온(on) 상태를 유지하고, 성막을 위한 가스를 공급할 때에는 작동되지 않아 플라즈마 오프(off) 상태를 유지한다.
균일한 성막 특성을 얻기 위해서는 여러가지 조건, 예컨대 균일한 가스공급, 균일한 온도분포, 그리고 기판과 플라즈마 전극 사이의 거리가 일정할 것 등이 요구되는데, 상술한 종래의 샤워헤드형 PECVD 장치는 기판과 플라즈마 전극 사이의 거리가 일정치 않는 문제가 있다.
구체적으로, 샤워헤드(9)는 서셉터(2)에 내장된 히터(미도시)로 부터 열을 받아 팽창하게 된다. 이 때, 백킹 플레이트(11)는 샤워헤드(9)보다 서셉터(2)에서더 멀리 떨어져 있으므로 샤워헤드(9)가 백킹 플레이트(11)보다 상대적으로 더 많이 팽창한다. 그런데, 샤워헤드(9) 가장자리 부위가 백킹 플레이트(11)에 나사(12)에 의해 고정되어 있기 때문에 열팽창에 의해서 샤워헤드(9) 자체의 변형 및 뒤틀림이 생기게 된다. 이러한 변형은 기판(3)과 플라즈마 전극인 샤워헤드(9) 사이의 간격을 불균일하게 만들기 때문에 플라즈마 밀도가 균일하지 않게 되어 불균일한 성막이 이루어지게 된다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 샤워헤드가 열팽창하여 변형 및 뒤틀림이 생김으로써 성막이 불균일하게 이루어지는 것을 방지할 수 있는 샤워헤드형 가스공급장치를 제공하는 데 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 샤워헤드형(showerhead type) PECVD 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 2는 본 발명에 따른 샤워헤드형 가스공급장치를 설명하기 위한 개략도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 >
1: 챔버바디 2: 서셉터
3: 기판 4: 배기 포트(port)
5: 배기터널 6: 배기 플레이트(plate)
7: 슬릿(slit) 8: 새도우 프레임
9: 샤워헤드 10: 챔버덮개
11: 백킹 플레이트(backing plate)
12: 나사 13: 오링
15: RF 피드 라인(RF feed line)
16: RF 매칭 박스(RF matching box)
17: 바플(baffle) 18: 리모트 플라즈마 발생장치
19, 21: 전극 절연체 20: 테프론 절연체
23: 오목홈
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 샤워헤드형 가스공급장치는, 가장자리가 밑으로 돌출된 백킹 플레이트(backing plate); 상기 백킹 플레이트의 가장자리와 결합하여 자신과 상기 백킹 플레이트 사이에 소정의 빈 공간을 형성시키되, 상기 빈 공간과 자신의 아랫부분에 위치하는 공간을 서로 연결하는 복수개의 관통홀을 가지며, 상기 관통홀 형성부위와 상기 결합부위 사이에는 적어도 한개의 오목홈이 형성되어 있는 평판형 샤워헤드; 및 상기 평판형 샤워헤드와 백킹 플레이트 사이의 빈 공간에 연통되도록 상기 백킹 플레이트의 가운데 부분에 연결되는 가스 도입관; 을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 종래기술과의 반복적인 설명을 피하기 위해 본 발명의 특징부만 도시하였으며, 도 1a와 동일한 참조번호는 동일 기능을 수행하는 구성요소를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 샤워헤드형 가스공급장치를 설명하기 위한 개략도이다. 도 2를 참조하면, 샤워헤드(9)가 열팽창하여 늘어나는 것을 감안하여 나사(12)에 의한 결합부위와 관통홀 형성부위 사이에 한개 이상의 오목홈(23)이 형성된다. 이와 같이 샤워헤드(9)의 가장자리 부위를 주름식 구조로 하게 되면 늘어날 수 있는 여분의 공간이 마련되기 때문에 샤워헤드(9)가 열팽창 하더라도 이로 인한 실질적인 변형이 사실상 없게 된다. 따라서, 플라즈마 전극과 기판 사이의 간격이 일정하게 유지되어 균일한 성막 특성을 얻을 수 있게 된다.
오목홈(23)은 샤워헤드(9)의 밑면이나 윗면에 형성될 수 있는데, 도시된 바와 같이 밑면에 형성된 것과 윗면에 형성된 것이 교번하여 위치하도록 하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 샤워헤드가 열팽창을 하더라도 사실상 그로인한 변형이 최소화되기 때문에 균일한 성막 특성을 얻을 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.

Claims (5)

  1. 가장자리가 밑으로 돌출된 백킹 플레이트(backing plate);
    상기 백킹 플레이트의 가장자리와 결합하여 자신과 상기 백킹 플레이트 사이에 소정의 빈 공간을 형성시키되, 상기 빈 공간과 자신의 아랫부분에 위치하는 공간을 서로 연결하는 복수개의 관통홀을 가지며, 상기 관통홀 형성부위와 상기 결합부위 사이에는 적어도 한개의 오목홈이 형성되어 있는 평판형 샤워헤드; 및
    상기 평판형 샤워헤드와 백킹 플레이트 사이의 빈 공간에 연통되도록 상기 백킹 플레이트의 가운데 부분에 연결되는 가스 도입관; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 샤워헤드형 가스공급장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 오목홈은 상기 평판형 샤워헤드의 밑면에 형성된 것과 윗면에 형성된 것이 교번하여 위치하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드형 가스공급장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 백킹 플레이트와 상기 평판형 샤워헤드는 나사결합되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드형 가스공급장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 백킹 플레이트와 상기 평판형 샤워헤드는 금속재질로 이루어지고, 상기 백킹 플레이트에는 외부로부터 RF 전력이 인가되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드형 가스공급장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 평판형 샤워헤드가 Al로 이루어지는 것을 특징으로 하는 샤워헤드형 가스공급장치.
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