JPH05144595A

JPH05144595A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH05144595A
Application number: JP3333922A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Fukada; 武深田; Mitsunori Sakama; 光範坂間; Mitsuhiro Ichijo; 充弘一條; Hisashi Abe; 寿阿部; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1991-11-22
Filing date: 1991-11-22
Publication date: 1993-06-11
Anticipated expiration: 2011-08-07
Also published as: JP2523070B2

Abstract

(57)【要約】【目的】装置専有面積の小さい、多量処理可能なプラズ
マ処理装置において、安定なプラズマ放電を実現した新
規なプラズマ処理装置を提案する。【構成】反応室内の放電領域内が基板およびサセプター
により個別の放電領域に見掛け上区分され、この個別の
放電領域に相当する位置のブラズマ放電電極上に電界集
中を引き起こす部分を設けることにより、均一で安定な
プラズマ放電を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の利用分野】本発明は新規なコンテナまたは基板
支持体（サセプター）構造を持つ陽光柱型プラズマ処理
装置に関する。

【０００２】

【従来技術】プラズマ処理法とは、特定の物質に電磁波
等のエネルギーを加えてプラズマ化して活性の強いラジ
カルとし、当該ラジカルを基体に接触させ基体上へ膜を
形成させたり、基体表面の材料のエッチング、アッシン
グ等のプラズマ処理を行う方法をいい、プラズマ処理装
置とはこの処理を施す装置全般をいう。このようなプラ
ズマ処理装置は、プラズマ生成用の原料ガスの導入手段
と排気手段を備えた真空容器であるプラズマ処理室、当
該プラズマ処理室に導入された原料ガスをプラズマ化す
るための電磁波等のエネルギー供給手段、被プラズマ処
理基体及びその支持手段、そして必要に応じてこの基体
を温めるための加熱手段を備えている。

【０００３】ところで、このようなプラズマ処理はラジ
カルの活性に依存するところが多く当該ラジカルを発生
するプラズマ放電の状態や生成されたラジカルの密度分
布により、被処理基体におけるプラズマ処理の程度が大
きく変化する。大面積にわたって均一なプラズマ処理を
する上で必要なことは、ラジカルを大面積にわたって均
一で且つ多量に生成するようなプラズマ放電の状態を選
択することである。この原料ガスをプラズマ化するため
の電磁波エネルギーとしては１３．５６ＭＨｚの高周
波、マイクロ波、直流あるいは低周波の電磁波エネルギ
ーが使用され通常は高周波によるプラズマ放電がよく使
用される。

【０００４】このようなプラズマ放電において、その形
式として、誘導結合型と容量結合型がある、誘導結合型
はいわゆる無極放電と呼ばれるもので、容量結合型は平
行平板電極型が良く知られている。この平行平板電極型
のプラズマ処理装置の一例としてプラズマＣＶＤ装置の
概略図を図２に示す。このように、一対の平行平板電極
（１００）、（１０１）が反応室（１０６）内に設けら
れ各々は高周波電源（１０２）に接続されている。被処
理基体（１０３）は通常は一方の電極上に載置され、こ
の基体はヒーター等の加熱手段（１０４）によって加熱
されている。

【０００５】反応用のガスはガス導入口（１０５）より
反応室内に導入された後、電極に供給された高周波電力
により分解活性化され、基体（１０３）上に膜形成され
る。この基体上に均一なプラズマ処理（被膜形成）を行
うには均一なプラズマ放電を実現する必要がある。図２
のようにこの均一性を補う為に基体を載置した電極を回
転する場合もあるが装置が複雑化したり、大型化する欠
点がる。また、一般にプラズマ処理の際にはその被処理
基体を平行平板電極の陰極（カソード）または陽極（ア
ノード）上またはこれらの近傍に発生する陰極暗部また
は陽極暗部に配設するのが通常であった。このため、電
極の寸法より被処理面を大きくすることができなかっ
た。

【０００６】ところで、半導体素子や電子機器部品等の
製造技術において、プラズマＣＶＤ、プラズマエッチン
グ等の技術が広く実用化されており、量産化のためのこ
れら装置も多数提案されている。近年、半導体素子の基
板ウエファーの大口径化や基板寸法の大型化が著しくな
ってきている。特に、液晶電気光学装置のスイッチング
素子として、薄膜トランジスタを形成したアクティブマ
トリクス型液晶電気光学装置の場合、その大型化は著し
く、対角で１５〜２０インチのサイズの基板上に薄膜ト
ランジスタ用の半導体被膜を形成したり、エッチング処
理を行う必要が生じてきた。あわせて、製造コストを下
げる目的で処理時間の短縮化が望まれており、処理装置
のスループットの向上や多量の基板処理が可能な装置が
必要とされてきた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような要望に答え
るために、プラズマ処理装置の大型化がはかられている
例えばその一例として、図２に示すような装置の電極の
寸法を拡大することが行われる。すなわち、図２のよう
な装置の場合、基板を直接電極上に設置する為、処理能
力の向上の為には電極の大面積化が最も簡単な手法であ
る。このような平行平板型のプラズマ処理装置の場合、
電極寸法を拡大することはそのまま装置寸法の拡大につ
ながり、少ない床面積の装置で大型基体の処理を望むユ
ーザーにとっては問題となっていた。

【０００８】加えて、電極面積が増加することによっ
て、被処理基体表面に接するプラズマの密度が不均一
（放電の状態が不均一）となってしまい、均一なプラズ
マ処理を施せないという問題が生じていた。このような
問題を解決する一つの手段として、反応室内に複数の平
行平板電極対を設けこの電極上に被処理基体を設ける方
法が提案されているが、装置構造が複雑化する問題が発
生する。さらに、この方法によっても、大面積化された
ことによるプラズマ放電の不均一さが残り、均一なプラ
ズマ処理が行えない状況にあった。

【０００９】また、別の方式として、一対の基板間に基
板を複数枚一定の間隔をおいて設置し、プラズマ処理を
施す方法が提案されている。すなわち、この方法はプラ
ズマグロー放電の陽光柱領域を利用し、この陽光柱領域
内に複数の被処理基体を配置してプラズマ処理を行うこ
とを基本思想としている。この陽光柱を利用したプラズ
マＣＶＤ法としては本出願人の出願による特開昭５９−
５９８３４、５９−５９８３５に記載されている。この
方式を図３に示す。図にあるように一対の電極（１０
０）（１０１）間に複数の基板（１０３）が基板サセプ
ター（１１０）によって載置されている。また、このサ
セプターはコンテナ（１１３）と同体または一体物とし
て設けられ、このコンテナを反応室より出し入れするこ
とにより、基板のハンドリングを行う。この図において
は簡略化の為、プラズマ放電の領域付近のみ記載してい
る。この方式ではプラズマの陽光柱を有効的に利用する
ために電極周辺に電極シールド（１１１）（１１２）を
設け、この電極シールドとコンテナ（１１３）の外周壁
とで反応領域を限定し、この領域外で放電が生じないよ
うにプラズマを閉じ込めている。

【００１０】このような方式の場合、プラズマ処理能力
の向上と装置専有容積の縮小を行うには、基板と基板の
間隔を詰めることや基板サセプターと電極の間隔とを極
力狭くすることが考えられる。しかしながら、従来の方
式の場合、これらの間隔を狭めることにより、プラズマ
放電が不安定になり、放電が消滅あるいは不均一とな
り、均一なプラズマ処理が行えなくなってしまう問題が
あった。

【００１１】即ち、図３に示すような従来の陽光柱型プ
ラズマ処理装置の場合、基板保持間隔および電極とサセ
プター間隔とが狭くなると、電極（１００）から電極
（１０１）の間で、電流が流れる通路として、サセプタ
ーおよび基板表面となる。この様子を図３の波線（１１
５）に示す。このため、放電開始時にプラズマ放電が観
察されていて、電力入射に対して反射がない状態で、プ
ラズマ放電が停止しても、反射電力が観察されない。ま
た、プラズマ放電が上下の電極のごく近傍のみに存在
し、その間は基板サセプター表面を電流が流れて基板付
近ではプラズマ放電が存在しない。そのため、投入され
た電力はほとんど気体に供給されず、プラズマ処理がで
きなかったり、不均一な処理となってしまっていた。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は前述の如き問題
を解決するものであり、大型の被処理基体を短い処理時
間で処理可能であり、かつ均一なプラズマ処理が行える
プラズマ処理装置の新規な構造を提案するものである。
さらに、プラズマ処理を行う領域を限られた電極暗部の
面で行うのではなく陽光柱領域という空間でプラズマ処
理を行ない、この空間中に複数の被処理基体を配設し、
このプラズマ空間を複数の個別のプラズマ処理空間に分
割し、この個別の処理空間でのプラズマの状態を均一に
し、かつ各々の個別空間でプラズマ状態に差が生じない
ようにすることで、多量の処理と大面積の基体の処理を
可能とするものである。

【００１３】すなわち、陽光柱型のプラズマ処理装置で
あって、プラズマ放電領域が見掛け上分割されるように
前記コンテナ中の複数の基板を配置し、前記一対の電極
にはこの分割された放電空間のそれぞれに対応する位置
に電界集中を引き起こす部位を設けることで上記の目的
を達成するものであります。

【００１４】以下に図１の概略図を本発明一例として記
載し、この図に従って説明を行う。図１は概略図であ
り、反応室内のプラズマ放電領域周辺部分のみを記載し
ている。本発明のプラズマ処理装置の放電領域は電極シ
ールド（１）（２）とコンテナ（３）の外周壁とによっ
て囲まれた空間（４）に限定されており、このうち、電
極シールドは電極と他の部分との放電（寄生放電）を防
止するために、電極の直近に設置され且つその電位は接
地されている。

【００１５】このようなプラズマ放電領域（４）はコン
テナのサセプター（５）および基板（６）により複数の
領域（１１）に見掛け上分割されている。さらに、装置
の容積を少なくするために、電極はこのサセプターの直
ぐ近くに設けられる為、ますます個別の反応領域のよう
になり、従来の様な放電方式では安定で、均一な放電を
維持てきない。その為、この図においては、電極（７）
（８）に針状の突起部（１２）を形成し、放電電界を集
中させ、個別の反応領域内に均一で安定な放電が持続で
きるようにしている。特にこの突起部（１２）は電極
（７）（８）上で個別の放電領域に対応する位置に複数
配置されている。

【００１６】この突起部（１２）の配置の様子を図４に
示す。図４（Ａ）はこの図１の電極部に対応する概略図
であり、電極（７）の表面に同じ材質の針上の突起部
（１２）が均等な間隔で配置され、この位置は個別の反
応領域に対応している。また、図４（Ｂ）のように突起
部（１２）の配置を変更し、コンテナ近くになる程その
密度を高めるとより放電が安定し、個別反応領域間での
プラズマの状態の差がなくなり、より均一なプラズマ放
電を実現することができる。

【００１７】この電極上の突起部分としては図４におい
ては、平板の電極（７）上に針状の突起部分（１２）を
間隔をあけて並べている。このようすを図４のＡ−Ａ’
断面に対応する断面図である図５（Ａ）に示す。本発明
においては、このような針状の突起部を平板状にならべ
るのみではなく、図５（Ｂ）のように平板状に孔があい
ており、気体の流れに一様性を持たせてもよい。さらに
図５（Ｃ）（Ｄ）に記載のように、電極を分割し、各々
に針ではなく棒状または山状の突起部を設けた形でもよ
い。さらに、この突起部の先端の形状が丸みをおびてい
たり、山状にとんがっていたり、台形状に成っている場
合で各々電界の集中の様子が異なる。その為、先端の形
状に合わせて、放電電源回路上において、チョークコイ
ル等を付加する等の対策を必要とする。

【００１８】また、電極自身の形状として、平板である
必要はなく、波板状でも可能であるその場合、電界集中
を引き起こせるのであれば、新たな突起部をもうけるひ
つようはない。さらに平板ではなく、メッシュ状または
パンチスルーされたものでもよい。以下に、実施例を示
し本発明を説明する。

【００１９】

【実施例】『実施例１』本実施例では図１に示すような
放電領域の構造を陽光柱型のプラズマＣＶＤ装置に応用
した例を示す。図６にその概略図を示す。図にあるよう
に基板搬入室（２１）、第１の反応室（２２）、第２の
反応室（２３）および基板取り出し室（２４）が各々仕
切り弁（２６）（２７）（２８）を挟んで連続して接続
されている。また、基板搬入室（２１）と基板取り出し
室（２４）には、各々仕切り弁（２５）（２９）が設け
られ外部と遮蔽されている。また、個々の室（２２）
（２３）（２４）（２５）には独立した真空排気系（３
０）（３１）（３２）（３３）が接続されており、各々
の室を真空排気し、所定の圧力および雰囲気に維持する
こが可能である。この排気系は基本構成として排気流量
を調整するためのコンダクタンスバルブ（３４）、スト
ップバルブ（３５）（３６）、オイルフリーの真空排気
が可能なターボ分子ポンプ（３７）および低真空排気用
の水封ポンプ（３８）を含んでいる。その他必要に応じ
て、排気バイパス系の設置や複数の排気系の設置等が行
えるようになっている。

【００２０】さらに、個々の室には独立したガス供給系
（４０）（４１）（４２）（４３）が設けられており、
反応室（２２）（２３）へは反応雰囲気ガスの供給並び
にその他のガスを供給できるように複数の供給系統が設
けられている。これらのガス供給系には基本構成とし
て、流量コントローラー（４４）およびストップバルブ
（４５）が含まれている。加えて、本実施例ではプラズ
マＣＶＤ装置のため、基板搬入室（２１）および反応室
（２２）（２３）に基板加熱の為にハロゲンランプ加熱
手段が設けられている。この基板加熱手段は図６の断面
では記載できない位置、すなわち、図５の平面の手前と
奥の面に設置されており、この面から光が基板面に平行
方向に照射され、基板を加熱するようになっている。こ
の加熱手段の設置位置はこの位置以外にも上下の電極が
設けられている面に設けることも可能で必要に応じて変
更できる。また、加熱手段もハロゲンランプ方式以外に
抵抗加熱方式、誘導加熱方式等様々な態様に変更可能で
ある。

【００２１】このような装置構成のプラズマＣＶＤ装置
に図１の放電領域周辺の電極構造を適用した。本実施例
では基板を６００ｍｍ×８００ｍｍ×１．１ｍｍの表面
が研磨加工されたガラス基板１０枚をサセプター（５）
を挟んで設置した。このサセプター（５）およびサセプ
ターを含むコンテナ（３）の外観形状を図７に示す。こ
のように本実施例ではサセプターに設置された基板
（６）がコンテナの外周面の一対の面を除いて、その他
の面は全てコンテナの外周壁で囲まれる構造となってい
る。

【００２２】本実施例においては電極材料として、ニッ
ケル製の２ｍｍ厚の平板に直径３ｍｍの孔がパンチスル
ーされた平板電極を使用し、この電極の所定の位置に２
〜１０ｍｍの長さのニッケル製の針を鑞付けして、設置
したものを使用した。この針の位置はサセプター（５）
と基板（６）と電極（７）（８）とによって見掛け上分
割された、放電領域のほぼ中央になるように設置した。

【００２３】また、放電用電極（７）および（８）とコ
ンテナ（３）またはサセプター（５）の最小距離は３〜
１０ｍｍ、本実施例では６ｍｍの距離とした。この距離
が１０ｍｍ以上となると装置容積の増大をまねく為、極
力狭い間隔とした。また、狭すぎると、プラズマＣＶＤ
装置の為に基板加熱を行うので、コンテナ、サセプタ
ー、電極等が熱膨張して、接触する問題がある為、装置
寸法にもよるが大体３ｍｍ程度の距離は必要であった。

【００２４】本実施例のプラズマＣＶＤ装置の場合、反
応室内でのコンテナー（３）およびサセプター（５）と
電極（７）（８）および電極シールド（１）（２）との
位置関係は図８のような関係にある。すなわち、図８
（Ａ）は図１と同様の方向から見た位置関係を示す概略
図であり、電極シールド（１）（２）とコンテナ（３）
とは端部で左右の方向に対向して延長されている部分
（１３）（１４）があるこの部分の間隔は２〜５ｍｍ本
実施例では３ｍｍにとられている。このようにすること
で、コンテナ（３）は図面の左右方向に移動することが
可能となる。また、図８（Ｂ）は図１の平面に対して法
線方向の断面を見た概略図を示している。この方向で
は、電極シールド（１）（２）の端部のみが上下方向に
延長された部分（１３）がコンテナ（３）の外周壁と間
隔を２〜５ｍｍ開けて、重なっている。

【００２５】このようなコンテナ（３）と電極シールド
（１）（２）の関係により、コンテナを移動することが
でき、かつプラズマ放電を電極シールド（１）（２）お
よびコンテナ（３）の外周壁にて囲まれた領域のみに閉
じ込めることが可能となる。さらに、図８（Ｂ）のよう
に電極シールドの端部を上下方向に延長することによ
り、装置の容積を縮小することができる特徴がある。

【００２６】基板搬入室（２１）にコンテナ（３）によ
って設置された基板（６）はこの処理室（２１）にて、
到達真空度２×１０^-7Ｔｏｏｒにまで真空排気され、そ
の後加熱手段により、３００度まで加熱保持される。こ
の後、第１の反応室（２２）とほぼ同様の圧力条件で、
仕切り弁（２６）を開け、コンテナを第１の反応室（２
２）へ移動後、仕切り弁（２６）を閉じる。この反応室
にて、所定の条件にて、第１の薄膜を形成後、再び真空
排気を行い第２の反応室と同様の圧力状態で仕切り弁
（２７）を開け、コンテナを第２の反応室に移動し、第
２の薄膜を形成する。この後、再び真空排気を行い、基
板取り出し室（２４）と同様の圧力条件下で仕切り弁
（２８）を開け、コンテナを移動する。この後、この室
にて基板温度が下がるまで、放置あるいは、冷媒や冷却
気体等を取り出し室（２４）へ導入して、基板温度を下
げてから取り出し室（２４）を大気圧に戻し、仕切り弁
（２９）を開けて、取り出す。このような流れにより、
多数の基板上への薄膜形成が行われる。このような装置
構成の場合、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と半導体
層の形成や、太陽電池、ダイオード、等の電子素子の作
製に適用することができる。

【００２７】このような構成により、プラズマ反応領域
内に閉じ込められた、プラズマ放電は、一対の電極
（７）（８）によって引き起こされ、且つ、基板表面お
よびサセプター表面上を入力された放電用電力が通過す
ることがなく、ほほ全ての投入電力が、空間中の気体に
供給され、安定な放電および均一なプラズマ放電を実現
することになる。従って、本実施例の装置では基板上に
形成された、被膜の基板面上での膜厚均一性はよく、６
００×８００ｍｍの基板サイズ内で±５％の膜厚均一性
を達成でき、同一ロット（本実施例では１０枚）内での
膜厚均一性も±１０％を達成することができた。さらに
また、本実施例のように、金属製の材料をコンテナまた
はコンテナとサセプターに利用した場合、特にプラズマ
ＣＶＤ等で基板加熱をする時に均熱性が非常によく、基
板上およびコンテナ内の基板の位置の違いによる基板温
度の分布も殆ど見られないという特徴を有する。したが
って、基板加熱の手段として、従来の抵抗加熱等のよう
に加熱手段の温度分布を均一にした上で基板全体を加熱
しなくとも、本実施例のように基板の一方または両方の
端方向より加熱を行っても基板全体で均一な加熱を実現
でき、加えて加熱速度も早く、プラズマ処理の時間を短
縮することができた。

【００２８】『実施例２』本実施例では、放電領域の構
造はほぼ実施例１と同様であるが、電極上の突起部とし
て、図４（Ｂ）に記載のような針上の突起部（１２）の
分布密度を変更したものを使用した。。すなわち、アル
ミニウム製の平板電極上に、同じくアルミニウム製の長
さ５ｍｍ、直径１ｍｍの針を電極（７）の周辺に近づく
程、密になるように鑞付けして設置した。このように設
置することにより、サセプター表面およびコンテナー外
壁面上のプラズマに接する部分で、電力の漏れが起こっ
てもそれを補充あるいは電界の集中により、その通路を
無くすることができ、より均一な放電を個別の放電領域
内でも実現でき、かつ放置全体においても均一とするこ
とができた。

【００２９】比較の為に本実施例の装置構成と従来の装
置構成（図３）の場合とで表１に記載の製膜条件で珪素
膜を形成した時の膜厚の均一性を測定した結果を表２に
示す。ここで、従来の装置構成の場合は、サセプターは
金属製材料であり電位としてはアースに接続されてお
り、且つ放電の安定性が確保できないため、一回当たり
の基板処理枚数は６枚と本実施例の６０％の状態となる
金属製サセプターを使用した。

【００３０】

【表１】

【００３１】

【表２】

【００３２】このように、本実施例の場合は従来に比較
して、一度に行う基板処理の枚数をふやすことができ、
且つ安定で均一なプラズマ放電を実現することができる
ために基板間の処理の程度のばらつきを少なくできると
いう特徴を持つ。

【００３３】以上の実施例において、放電領域周辺のコ
ンテナおよびサセプターの電位について、特に限定を行
わなかったが、より、放電の安定と放電の均一性を求め
るなら、コンテナまたはサセプターの少なくとも表面に
絶縁膜を形成して、サセプター表面の電位をフローティ
ングな状態とすることがより好ましい。加えて、コンテ
ナの外側を２重構造として、その一部にてコンテナを支
持し、内部のサセプターを外側の反応容器とは絶縁し
て、サセプター表面の電位をフローティングとすること
も可能である。

【００３４】

【発明の効果】本発明の構成により、非常にコンパクト
な装置面積および装置容積にて、大面積基板を多量に処
理することができるプラズマ処理装置を実現することが
できた。さらに、大面積基板内でのプラズマ処理の程度
が均一にでき、液晶ディスプレーのスイッチング素子の
薄膜トランジスタの製造に応用すると製品の製造歩留り
を非常に高くすることが可能となった。くわえて、電界
集中を引き起こす部分の形状、位置、寸法等を変更する
ことにより、基板設置間隔の違いによる放電の安定性を
制御できる。また、電界集中の程度を電極上の突起部の
分布密度を変えるだけで、変更でき、それにより、より
いっそう安定なプラズマ放電を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ処理装置の放電領域付近の概
略図

【図２】従来のプラズマ処理装置の概略図

【図３】従来の陽光柱型プラズマ処理装置の放電領域の
概略図

【図４】本発明の電極の概略図

【図５】本発明の電極上の突起部分の概略図

【図６】本発明の構成をマルチチャンバー方式のプラズ
マＣＶＤ装置の摘要した際の概略図

【図７】本発明のコンテナおよびサセプターの概略図

【図８】本発明のコンテナと電極シールドとの関係を示
す概略断面図

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者阿部寿神奈川県厚木市長谷398番地株式会社半導体エネルギー研究所内 (72)発明者山崎舜平神奈川県厚木市長谷398番地株式会社半導体エネルギー研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】減圧状態に排気可能な手段を備えた少な
くとも一つの反応室と、前記反応室に気体を供給可能な
気体供給手段と、前記反応室内に設置されプラズマ放電
を発生する一対の電極と、前記一対の電極の少なくとも
一部分に近接している電極シールドと、前記一対の電極
間にサセプターに支持された複数の被処理基板を設置す
るためのコンテナとを有するプラズマ処理装置であっ
て、プラズマ放電領域が見掛け上分割されるように前記
コンテナ中の複数の基板を配置し、前記一対の電極には
この分割された放電空間のそれぞれに対応する位置に電
界集中を引き起こす部位を設けたことを特徴とするプラ
ズマ処理装置。
【請求項２】請求項１記載のプラズマ処理装置であっ
て、前記電界集中を引き起こす部位は、平板電極面に対
して針状の凸部を設けた構造であることを特徴とするプ
ラズマ処理装置。
【請求項３】請求項１記載のプラズマ処理装置であっ
て、前記電界集中を引き起こす部位は、平板電極面に対
して平板状の凸部を設けた構造であることを特徴とする
プラズマ処理装置。
【請求項４】請求項１記載のプラズマ処理装置であっ
て、前記コンテナまたはサセプターの表面を電位的にフ
ローティング状態に保持するために前記サセプターまた
はコンテナは、金属製または合金製の材料の上に絶縁物
を被覆した材料を使用して作製されていることを特徴と
するプラズマ処理装置。
【請求項５】請求項１記載のプラズマ処理装置であっ
て、前記コンテナまたはサセプターの表面を電位的にフ
ローティング状態に保持するために前記コンテナは、二
重構造として構成され、基板を支持しているサセプター
と前記二重構造の外枠の何れか一方とは電気的に絶縁さ
れていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】減圧状態に排気可能な手段を備えた少な
くとも一つの反応室と、前記反応室に気体を供給可能な
気体供給手段と、前記反応室内に設置されプラズマ放電
を発生する一対の電極と、前記一対の電極の少なくとも
一部分に近接している電極シールドと、前記一対の電極
間にサセプターに支持された複数の被処理基板を設置す
るためのコンテナとを有するプラズマ処理装置であっ
て、プラズマ放電領域が見掛け上分割されるように前記
コンテナ中の複数の基板を配置し、前記一対の電極には
この分割された放電空間のそれぞれに対応する位置に電
界集中を引き起こす部位が設けられ、前記電界集中の程
度はコンテナ周辺に近づくほど強くなるように設計され
たことを特徴とするプラズマ処理装置。