KR100853248B1 - 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 - Google Patents
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Abstract
평면디스플레이용 화학 기상 증착장치가 개시된다. 본 발명의 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 평면디스플레이용 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되며, 상부 챔버 및 하부 챔버를 구비하는 챔버; 상부 챔버의 상판부의 중앙 영역에 결합되어 챔버 내로 공정 가스를 제공하는 가스공급부를 지지하는 지지 플레이트; 및 가스공급부에 대한 접근이 가능하도록 상부 챔버의 상판부의 상부에서 지지 플레이트와 이격 배치되되 상판부와의 사이에 에어갭(Air Gap)이 형성되도록 상판부에 결합되는 작업 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 무게를 절감시킬 수 있으며 또한 단순한 구조를 가지면서도 상부 챔버의 열변형에 대해 자유로울 수 있고 쉽게 가열되지 않는 작업 플레이트를 상부 챔버의 상부에 마련할 수 있어 상부 챔버의 상부에서 작업자가 안정적이면서도 용이하게 유지 보수 등의 작업을 할 수 있다.
화학 기상 증착장치, CVD, 평면디스플레이, LCD, 작업 플레이트, 플레이트
Description
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 구조도이다.
도 2는 도 1에 도시된 구조도를 상부 챔버와 하부 챔버로 분해한 분해 구조도이다.
도 3은 도 2에 도시된 상부 챔버에 체크 플레이트가 결합된 상태를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 도 3의 분해 사시도이다.
도 5는 도 2의 정면도로서 단위 체크 플레이트와 상부 챔버간의 부분적인 스크루 결합을 설명하기 위한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
3 : 챔버 10 : 상부 챔버
12 : 고주파 전원부 13 : 상판부
15 : 가스공급부 17 : 인슐레이터
18 : 가스유입관 19 : 제2 통공
20 : 하부 챔버 30 : 서셉터
31 : 리프트 핀 32 : 컬럼
33 : 서셉터 지지부 40 : 전극
42 : 가스분배판 44 : 후방 플레이트
45 : 가스유입관 50 : 지지 플레이트
60 : 작업 플레이트 61 : 단위 체크 플레이트
62 : 플레이트본체 63 : 이격부재
65 : 브래킷부재 67 : 제1 통공
68 : 스크루 70 : 승강 모듈
B : 버퍼공간 G : 유리기판
S : 증착공간
본 발명은, 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 상부 챔버에 열변형에 강한 작업 플레이트를 마련함으로써 상부챔버의 상부에 장착된 여러 구성요소들에 대한 유지 보수 등의 작업을 용이하게 할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것이다.
평면디스플레이는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 채용된다.
이러한 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 그 종류가 다양하다.
이들 중에서, 특히 LCD(Liquid Crystal Display)는 2장의 얇은 상하 유리기판 사이에 고체와 액체의 중간물질인 액정을 주입하고, 상하 유리기판의 전극 전압차로 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 일종의 광스위치 현상을 이용한 소자이다.
LCD는 현재, 전자시계를 비롯하여, 전자계산기, TV, 노트북 PC 등 전자제품에서 자동차, 항공기의 속도표시판 및 운행시스템 등에 이르기까지 폭넓게 사용되고 있다.
종전만 하더라도 LCD TV는 20인치 내지 30인치 정도의 크기를 가지며, 모니터는 17인치 이하의 크기를 갖는 것이 대부분이었다. 하지만, 근래에 들어서는 40인치 이상의 대형 TV와 20인치 이상의 대형 모니터가 출시되어 판매되고 있으며 이에 대한 선호도가 나날이 높아지고 있는 실정이다.
따라서 LCD를 제조하는 제조사의 경우, 보다 넓은 유리기판을 제작하고자 연구 중에 있으며, 현재에는 가로/세로의 폭이 2미터 내외에 이르는 소위, 8세대라 불리는 유리기판의 양산을 목전에 두고 있다.
LCD는 증착(Deposition), 사진식각(Photo Lithography), 식각(Etching), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT 공정, 상하 유리기판을 합착하는 Cell 공정, 그리고 기구물을 완성하는 모듈(Module) 공정을 통해 제품으로 출시된다.
한편, 수많은 공정 중의 하나인 화학 기상 증착 공정(Chemical Vapor Deposition Process)은, 외부의 고주파 전원부에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 이온(ion)이 전극의 가스분배판으로부터 분출되어 유리기판 상에 증착되는 공정이다.
이러한 공정은, 화학 기상 증착 공정을 수행하는 챔버 내에서 이루어진다. 그리고 챔버는 통상적으로 상부 챔버와 하부 챔버를 구비하며, 상부 챔버는 하부 챔버에 착탈 가능하게 결합되도록 마련된다. 따라서, 유지 보수 등의 작업을 하는 경우 상부 챔버는 하부 챔버로부터 분리되었다가 유지 보수 등의 작업이 마쳐진 후 다시 하부 챔버에 결합되어진다.
이 중 상부 챔버의 구성에 대해 개략적으로 설명하면, 상부 챔버는 플라즈마 증착 공정 시 챔버의 증착공간으로 플라즈마화된 공정 가스를 공급할수 있도록, 후방 플레이트 및 가스분배판을 구비하는 전극과, 전극에 의해 형성되는 버퍼공간으로 공정 가스를 공급하는 가스공급부와, 전극과 전기적으로 연결되어 가스공급부를 통해 공급되는 공정 가스가 플라즈마화되도록 하는 고주파 전원부와, 가스공급부와 고주파 전원부를 그 상부에서 지지하는 지지 플레이트를 구비한다. 이 중 지지 플레이트는 상부 챔버의 상판부와 일체로 되어 있으며, 그 중앙 영역에 전술한 가스공급부 및 고주파 전원부가 장착되어 있다.
이러한 구성에 의해, 가스분배판을 통해 플라즈마화된 공정 가스가 증착공간 내로 확산될 수 있고, 이로 인해 하부 챔버의 서셉터에 안착되어 있는 유리기판의 상면은 플라즈마화된 공정 가스에 의해 증착되어질 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이, 하부 챔버에 구비되는 구성요소들 예를 들면 서셉터 등을 유지 보수하기 위해서는 하부 챔버로부터 상부 챔버를 분리하여야 하지만, 가령 상부 챔버의 상판부에 결합된 지지 플레이트나 지지 플레이트에 장착되는 구성요소들을 유지 보수하여야 할 필요가 있는 경우에는 하부 챔버로부터 상부 챔버를 분리하지 않고 작업자가 직접 상부 챔버에 올라가 작업을 하는 것이 작업의 효율성에 있어서 바람직할 것이다.
그런데, 종래의 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 있어서는, 증착 공정 시 챔버 내부의 열이 상승함에 따라 상부 챔버 및 하부 챔버의 외벽들이 가열되며, 상부 챔버와 일체로 결합된 지지 플레이트 또한 가열되는데, 뜨겁게 가열된 상부 챔버 및 지지 플레이트는 재질의 특성상 원래의 온도로 복귀하는데 적어도 하루 이상의 시간이 소요되며, 따라서 상부 챔버의 상부에 결합되어 있는 요소들, 가령 가스공급부 및 고주파 전원부 등으로의 접근이 용이하지 않아 가스공급부 및 고주파 전원부 등의 유지 보수가 요구되는 경우이더라도 일정한 시간을 기다려야 하는 불편함 및 비효율적인 측면이 있었다.
또한, 증착 대상물인 기판에 대한 증착 공정 시 챔버는 급격한 열변화에 의해 열팽창하게 되며, 이에 따라 상부 챔버와 일체로 결합되어 있는 지지 플레이트 또한 열팽창하게 된다. 이러한 열팽창으로 인해 상부 챔버와 지지 플레이트 간의 결합 부분이 파손될 수 있으며, 반복적인 열팽창에 의해 지지 플레이트의 형상이 영구적으로 변형되어 가스공급부, 고주파 전원부 등과의 결합부위가 파손될 우려가 있으며 이로 인해 이들을 견고히 지지하지 못하는 경우가 발생될 수 있는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 무게를 절감시킬 수 있으며 또한 단순한 구조를 가지면서도 상부 챔버의 열변형에 대해 자유로울 수 있고 쉽게 가열되지 않는 작업 플레이트를 상부 챔버의 상부에 마련할 수 있어 상부 챔버의 상부에서 작업자가 안정적이면서도 용이하게 유지 보수 등의 작업을 할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 평면디스플레이용 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되며, 상부 챔버 및 하부 챔버를 구비하는 챔버; 상기 상부 챔버의 상판부의 중앙 영역에 결합되어 상기 챔버 내로 공정 가스를 제공하는 가스공급부를 지지하는 지지 플레이트; 및 상기 가스공급부에 대한 접근이 가능하도록 상기 상부 챔버의 상판부의 상부에서 상기 지지 플레이트와 이격 배치되되 상기 상판부와의 사이에 에어갭(Air Gap)이 형성되도록 상기 상판부에 결합되는 작업 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 의해서 달성된다.
여기서, 상기 작업 플레이트는, 상기 지지 플레이트의 둘레 방향을 따라 적어도 일부 구간에 마련되는 적어도 하나의 단위 체크 플레이트를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 단위 체크 플레이트는, 상기 상판부와 나란하게 마련되는 플레이트본 체; 및 상기 플레이트본체로부터 상기 상판부를 향해 연장되어 상기 플레이트본체와 상기 상판부 간을 이격시키는 복수의 이격부재를 포함할 수 있다.
상기 단위 체크 플레이트는, 상기 복수의 이격부재의 단부에서 상기 복수의 이격부재의 길이 방향에 가로로 각각 마련되며, 상기 상판부에 형성된 제2 통공과 대응되는 제1 통공이 형성되어 상기 단위 체크 플레이트와 상기 상판부 간을 결합시키는 스크루가 체결 가능한 복수의 브래킷부재를 더 포함하되, 상기 복수의 브래킷부재 중 적어도 어느 하나는 상기 상판부에 구속되지 않는 것이 바람직하다.
상기 복수의 이격부재와 상기 브래킷부재는 상기 플레이트본체의 둘레를 따라 마련되며, 상기 스크루는, 상기 상판부의 코너 영역에 대응되는 브래킷부재와, 상기 상판부의 코너 영역에 대응되는 브래킷부재와 인접된 브래킷부재에 형성된 제1 통공 중 적어도 어느 하나의 제1 통공에 체결되는 것이 바람직하다.
상기 플레이트본체는 체크 패턴이 형성되며, 상기 플레이트본체에 형성된 체크 패턴은, 상기 플레이트본체의 전면에 형성되되 상기 플레이트본체의 마찰계수가 커지도록 요철 패턴 및 규칙적인 공(空)이 형성된 패턴 중 어느 하나의 패턴으로 형성될 수 있다.
상기 적어도 어느 하나의 단위 체크 플레이트는 복수의 단위 체크 플레이트이며, 상기 복수의 단위 체크 플레이트는 상기 지지 플레이트를 사이에 두고 상기 지지 플레이트를 둘러싸도록 배치될 수 있다.
상기 복수의 단위 체크 플레이트는 상호 분할된 4개이며, 상기 4개의 단위 체크 플레이트 각각은 "ㄱ"자 형상으로 제작되며, 상기 4개의 단위 체크 플레이트 각각이 상기 상판부에 결합되어 형성된 상기 작업 플레이트는 실질적으로 "ㅁ"자 형상을 가질 수 있다.
상기 단위 체크 플레이트는 알루미늄(Aluminium) 재질로 제작되는 것이 바람직하다.
상기 평면디스플레이용 유리기판은 엘씨디(LCD, Liquid Crystal Display)용 유리기판일 수 있다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 구조도이고, 도 2는 도 1에 도시된 구조도를 상부 챔버와 하부 챔버로 분해한 분해 구조도이고, 도 3은 도 2에 도시된 상부 챔버에 작업 플레이트가 결합된 상태를 설명하기 위한 사시도이며, 도 4는 도 3의 분해 사시도이고, 도 5는 도 2의 정면도로서 단위 체크 플레이트와 상부 챔버간의 부분적인 스크루 결합을 설명하기 위한 도면이다.
설명에 앞서, 평면디스플레이(Flat Display)란, 전술한 바와 같이 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 중 어떠한 것이 적용되어도 좋다.
다만, 본 실시 예에서는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판을 평면디스플레이용 유리기판으로 간주하여 설명하기로 한다. 여기서 대형이란, 앞서도 기술한 바와 같이, 8세대에 적용되는 수준의 크기를 가리킨다. 이하, 평면디스플레이용 유리기판을 유리기판(G)이라 명칭하여 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)는, 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)를 구비하며 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버(3)와, 하부 챔버(20) 내에 마련되어 증착 대상물인 유리기판(G)이 로딩되는 서셉터(30)와, 상부 챔버(10) 내에 마련되어 증착 대상물인 유리기판(G)을 향해 소정의 실리콘계 화합물 이온인 증착물질 즉 플라즈마화(Plasma)된 공정 가스를 방출하는 전극(40)과, 상부 챔버(10)의 상판부(13) 중앙 영역에 결합되어 가스공급부(15) 및 고주파 전원부(12)를 지지하는 지지 플레이트(50)와, 상부 챔버(10)의 상판부(13)에서 지지 플레이트(50)의 둘레 방향을 따라 마련되는 작업 플레이트(60)를 포함한다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 증착 대상물인 유리기판(G)에 대해 증착 공정이 진행될 때 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)는 상호 결합 상태를 유지하며, 경우에 따라서는, 가령 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)를 유지 보수하는 등의 경우에는 하부 챔버(20)로부터 상부 챔버(10)를 분리할 수 있다. 즉, 증착 공정을 수행하기 위해 별도의 크레인(미도시)에 의해 상부 챔버(10)가 하부 챔버(20)의 상부에 결합되어 한 몸체를 이룰 수 있으며, 마찬가지로 유지 보수 등을 위해 별도의 크레인에 의해 하부 챔버(20)로부터 상부 챔버(10)를 분리할 수 있다.
이와 같이, 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)가 한 몸체를 이루어 그 내부의 증착공간(S)에서 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 진행될 때는 증착공간(S)이 진공 분위기로 유지되어야 하며, 이를 위해 증착공간(S)은 증착 공정 시 외부로부터 차폐되어야 한다.
먼저, 하부 챔버(20)에 대해서 살펴보면, 하부 챔버(20)는, 실질적으로 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 진행되는 부분으로서, 전술한 증착공간(S)이 하부 챔버(20) 내에 형성된다. 이러한 하부 챔버(20)의 외벽에는 소정의 작업 로봇(미도시)에 의해 유리기판(G)이 증착공간(S) 내외로 출입할 수 있도록 기판출입부(21)가 형성되어 있다. 이러한 기판출입부(21)는 그 주변에 결합된 도어(24)에 의해 선택적으로 개폐된다.
도시하지는 않았지만, 하부 챔버(20) 내의 바닥면 영역에는 증착공간(S)에 존재하는 공정 가스를 다시 증착공간(S)으로 확산시키는 가스확산판(미도시)이 마련되어 있다.
서셉터(30, Susceptor)는 하부 챔버(20) 내의 증착공간(S)에서 횡 방향으로 배치되어 로딩(loading)되는 유리기판(G)을 지지한다. 보통은 증착 대상물인 유리기판(G)의 면적보다 큰 구조물로 형성되며, 서셉터(30)의 상면은 유리기판(G)이 정밀하게 수평 상태로 로딩될 수 있도록 거의 정반(Surface plate)으로 제조된다.
서셉터(30)의 상면으로 유리기판(G)이 얹혀지면서 로딩되거나 취출되기 위해 서셉터(30)에는 로딩되거나 취출되는 유리기판(G)의 하면을 안정적으로 지지하는 복수의 리프트 핀(31, Lift Pin)이 더 구비되어 있다. 리프트 핀(31)들은 서셉터(30)를 관통하도록 서셉터(30)에 설치되어 있다.
이러한 리프트 핀(31)들은 서셉터(30)가 하강할 때, 그 하단이 하부 챔버(20)의 바닥면에 가압되어 상단이 서셉터(30)의 상단으로 돌출된다. 리프트 핀(31)의 돌출된 상단은 유리기판(G)을 상부로 들어올리게 되고 따라서 유리기판(G)은 서셉터(30)로부터 이격되게 된다. 반대로, 서셉터(30)가 부상하면, 리프트 핀(31)이 서셉터(30)의 상면에 대해 하방으로 이동하여 유리기판(G)이 서셉터(30)의 상면에 밀착된다. 즉, 리프트 핀(31)들은 로봇아암이 서셉터(30)에 로딩된 유리기판(G)을 파지할 수 있도록 유리기판(G)과 서셉터(30) 사이의 공간을 형성하는 역할을 겸한다.
이러한 서셉터(30)에는, 그 상단이 배면 중앙 영역에 고정되고 하단이 하부 챔버(20)를 통해 하방으로 노출되어 서셉터(30)를 승강 가능하게 지지하는 컬럼(32)이 더 결합되어 있다.
전술한 바와 같이, 8세대 하에서의 서셉터(30)는 무겁고 사이즈 또한 크기 때문에 처짐 등이 발생될 수 있는데, 이는 서셉터(30)의 상면에 로딩되는 유리기판(G)의 처짐 등으로 연계될 수 있다. 이에, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 컬럼(32)의 상부 영역에는 서셉터 지지부(33)가 마련되어 서셉터(30)를 안정적으로 떠받치고 있다.
서셉터(30)는 하부 챔버(20) 내의 증착공간(S)에서 상하로 승강한다. 즉, 유리기판(G)이 로딩될 때는 하부 챔버(20) 내의 바닥면 영역에 배치되어 있다가 유리 기판(G)이 서셉터(30)의 상면에 밀착되고 증착 공정이 진행될 때에는 유리기판(G)이 후술할 가스분배판(42)에 인접할 수 있도록 부상한다. 이를 위해, 서셉터(30)에 결합된 컬럼(32)에는 서셉터(30)를 승강시키는 승강 모듈(70)이 더 마련되어 있다.
승강 모듈(70)에 의해 서셉터(30)가 승강하는 과정에서 컬럼(32)과 하부 챔버(20) 사이에 공간이 발생되면 안 된다. 따라서 컬럼(32)이 통과하는 하부 챔버(20)의 해당 영역에는 컬럼(32)의 외부를 감싸도록 벨로우즈관(71)이 마련되어 있다. 벨로우즈관(71)은 서셉터(30)가 하강할 때 팽창되고, 서셉터(30)가 부상할 때 압착된다.
이어서 상부 챔버(10)에 대해 살펴보면, 상부 챔버(10)의 내부에는, 도 1 및 도 2에 자세히 도시된 바와 같이, 횡 방향을 따라 전극(40)이 구비되어 있다. 전극(40)은, 하부 챔버(20)를 향한 전면에 배치되는 가스분배판(42)과, 버퍼공간(B)을 사이에 두고 가스분배판(42)의 배후에 배치되는 후방 플레이트(44)를 구비한다.
가스분배판(42)은, 챔버(3) 내에 형성되는 증착공간(S)에 플라즈마화된 공정 가스를 고르게 분배(확산)하는 역할을 담당하는 부분이다. 이러한 가스분배판(42)에는 미세하게 가공된 다수의 오리피스(미도시)가 두께 방향으로 관통 형성되어 있다. 따라서 증착 공정 시 서셉터(30)가 상승하여 가스분배판(42)과 대략 수십 밀리미터(mm) 정도로 근접 배치되면, 이어서 증착 물질인 플라즈마화된 공정 가스가 다수의 오리피스를 따라 방출되어 유리기판(G)의 상면에 증착된다.
후방 플레이트(44)의 중앙 영역에는, 가스공급부(15)로부터 공정 가스가 공급될 수 있도록 그 중앙 영역이 관통 형성된 가스유입관(18)이 결합되어 있다. 후 방 플레이트(44) 및 후방 플레이트(44)와 결합된 가스분배판(42)은 가스공급부(15)로부터 공급되는 공정 가스가 플라즈마화될 수 있도록 고주파 전원부(12)와 연결라인(14)에 의해 전기적으로 연결되어 있다.
또한 가스분배판(42)과 후방 플레이트(44) 사이에는 현가지지부재(46)가 마련되어 있다. 현가지지부재(46)는 버퍼공간(B) 내의 플라즈마화된 공정 가스가 외부로 누출되지 않도록 할 뿐만 아니라 수백 킬로그램 정도의 무거운 중량을 갖는 가스분배판(42)을 후방 플레이트(44)에 대해 현가 지지한다. 뿐만 아니라 현가지지부재(46)에는 증착 공정 시 수백도 가령 200℃ 정도로 가열되는 가스분배판(42)이 X축, Y축 및 Z축 중 적어도 어느 한 방향으로 열팽창하는 것을 보상하는 역할도 겸한다.
또한 가스분배판(42) 및 후방 플레이트(44)와, 상부 챔버(10)의 벽 간을 전기적 절전 상태로 유지시키기 위하여, 도 1 및 도 2에 자세히 도시된 바와 같이, 가스분배판(42)과 상부 챔버(10)의 벽 사이, 그리고 후방 플레이트(44)와 상부 챔버(10)의 벽 사이에 테프론(Tefron) 재질의 인슐레이터(17, Insulator)가 마련된다.
그리고 상부 챔버(10)의 상단에는 상판부(13)가 구비되어 있다. 상판부(13)는 상부 챔버(10)의 상부를 덮는 역할을 할 뿐만 아니라 후술할 지지 플레이트(50) 및 작업 플레이트(60)가 지지 및 결합되는 부분이 된다. 그리고 상부 챔버(10)의 외벽 일측에는 하부 챔버(20)의 측벽 두께와 상부 챔버(10)의 측벽 두께 차이를 보강하는 보강벽부(16)가 더 마련되어 있다.
지지 플레이트(50)는, 그 상부에 플라즈마화된 공정 가스를 공급시키기 위한 가스공급부(15)와 상부 챔버(10) 내에 결합되어 있는 후방 플레이트(44)와 연결라인(14)에 의해 전기적으로 연결되어 있는 고주파 전원부(12) 등이 장착되어 있다. 이러한 구성에 의해 가스공급부(15)로부터 공급되는 공정 가스가 가스유입관(18)을 통해 버퍼공간(B)으로 공급될 수 있고, 후방 플레이트(44)가 고주파 전원부(12)에 의해 공급되는 고주파 전력에 의해 전극을 띠게 됨으로써 버퍼공간(B)으로 유입된 공정 가스를 플라즈마화할 수 있다.
또한 지지 플레이트(50)는, 그 상부에 설치되어 있는 가스공급부(15), 고주파 전원부(12) 등이 열변형되는 것을 저지하기 위해 상판부(13)와 이격되게 결합된다. 챔버(3) 내에서 증착 공정 시 챔버(3) 내부의 온도는 수백도로 올라가게 되고 이로 인해 상부 챔버(10)의 상판부(13) 또한 수백도로 올라가게 되는데, 본 실시 예의 지지 플레이트(50)는 상판부(13)와 이격 공간 즉, 에어갭(Air Gap)이 형성되게 상판부(13)와 결합됨으로써 챔버(3) 내에서 증착 공정이 진행되어 상부 챔버(10)의 온도가 전체적으로 상승될 때에도 지지 플레이트(50) 및 그 상면에 장착된 여러 요소들이 열팽창되는 것을 저지할 수 있다.
한편, 지지 플레이트(50)에 인접한 상부 챔버(10)의 상판부(13)에는 지지 플레이트(50)로의 접근을 용이하게 하는 작업 플레이트(60)가 결합되어 있다.
본 실시 예의 작업 플레이트(60)는, 도 3 및 도 4에 자세히 도시된 바와 같이, 각각 "ㄱ"자 형상을 갖는 네 개의 단위 체크 플레이트(61)로 이루어지며, 이러한 단위 체크 플레이트(61)들이 지지 플레이트(50)의 둘레 방향을 따라 상판부(13) 에 결합됨으로써 "ㅁ"자 형상의 작업 플레이트(60)가 형성된다. 이때 단위 체크 플레이트(61)들은 상호 인접하도록 상부 챔버(10)에 결합되되 단위 체크 플레이트(61)끼리는 연결되지 않는다. 즉, 각각의 단위 체크 플레이트(61)는 독립적으로 상부 챔버(10)에 결합된다.
이는, 전술한 바와 같이, 증착 공정에 의해 챔버(3)의 온도가 수백도로 상승하고 이로 인해 상부 챔버(10)의 상판부(13)가 열팽창하게 되는 경우, 단위 체크 플레이트(61)끼리 상호 연결되어 있으면 단위 체크 플레이트(61) 또한 상부 챔버(10)의 상판부(13)의 열팽창에 의하여 열팽창하게 되고 이로 인해 형상이 변형되거나 파손될 우려가 있기 때문이다.
각각의 단위 체크 플레이트(61)는, 도 3 내지 도 5에 자세히 도시된 바와 같이, 판 형상의 플레이트본체(62)와, 플레이트본체(62)의 연부를 따라 배치되어 플레이트본체(62)와 상부 챔버(10)의 상판부(13) 간을 이격시키는 복수 개의 이격부재(63)와, 복수 개의 이격부재(63)의 단부에서 이격부재(63)의 길이 방향에 가로로 마련되며 단위 체크 플레이트(61)와 상판부(13) 간을 결합시키는 스크루(68, Screw)가 체결되기 위한 제1 통공(67)이 형성되어 있는 브래킷부재(65)를 구비한다.
플레이트본체(62)는, 가벼우면서도 연성이 있어 박판으로 만들 수 있고 또한 강도를 지닌 알루미늄(Aluminium) 재질을 사용하여 "ㄱ"자 형상으로 제작된다. 이때 작업자가 작업 플레이트(60)에 올라가 작업을 하는 경우 미끄러지는 것을 방지하기 위해 플레이트본체(62)의 상면에는 요철 패턴의 요철부(미도시)가 형성될 수 있으며, 경우에 따라서는 강도를 강화시키기 위해 길이 방향을 갖는 알루미늄을 지그재그로 포개어 체크 패턴(62a)의 플레이트본체(62)를 제작할 수도 있을 것이다.
복수 개의 이격부재(63)는, 도 3 내지 도 5에 자세히 도시된 바와 같이, 플레이트본체(62)와 상부 챔버(10)의 상판부(13) 사이를 이격시키면서도 플레이트본체(62)를 지지하는 역할을 하는 부분이다. 또한 이격부재(63)에 의해, 플레이트본체(62)와 상부 챔버(10) 사이에 이격 공간, 즉 에어갭(G, Air Gap, 도 5 참조)이 형성되어 상부 챔버(10)가 가열되는 경우에도 에어갭(G)에 의해 열전달률을 현저히 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 단위 체크 플레이트(61)의 전체 무게를 경감시킬 수 있는 효과가 있다.
또한 복수 개의 이격부재(63)는, 작업자가 단위 체크 플레이트(61)의 상면에 올라가 유지 보수 등의 작업을 하는 경우 작업자의 하중에 의해, 또는 그 위에 올려지는 작업물에 의해 일측으로 처지는 것을 저지하기 위해, 플레이트본체(62)의 각 연부를 따라 플레이트본체(62)의 하면에 적절히 배치되어야 한다.
따라서 이격부재(63)는, 상판부(13)의 외측 연부에 대응되는 플레이트본체(62)의 각 코너 영역과, 그 각 코너 영역 사이의 플레이트본체(62)의 연부 중앙 영역에 배치 결합된다. 또한 이격부재(63)는 단위 체크 플레이트(61)의 내측 연부의 코너 영역의 적어도 일 영역에 배치 결합된다. 이러한 구조로 이격부재(63)가 배치 결합됨으로써 작업자는 작업 플레이트(60)에 올라가 유지 보수 등의 작업을 안정적으로 할 수 있다.
한편, 복수의 브래킷부재(65)는 각각의 이격부재(63)의 단부에서 이격부 재(63)의 가로 방향으로 마련된다. 브래킷부재(65)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 스크루(68)가 체결될 수 있도록 관통 형성된 적어도 하나의 제1 통공(67)이 형성되어 있다. 스크루(68)는 브래킷부재(65)의 제1 통공(67)을 통과한 후 상부 챔버(10)의 상판부(13)에 형성된 제2 통공(19)에 결합됨으로써 단위 체크 플레이트(61)가 상부 챔버(10)에 견고히 결합될 수 있도록 한다.
이 때, 각각의 이격부재(63)의 단부에는 모두 브래킷부재(65)가 마련되고 브래킷부재(65)에는 적어도 하나의 제1 통공(67)이 형성되지만 모든 제1 통공(67) 및 그에 대응되는 제2 통공(19)에 스크루(68)가 체결되지는 않는다. 모든 제1 통공(67) 및 제2 통공(19)에 스크루(68)가 체결되어 단위 체크 플레이트(61)와 상부 챔버(10)의 상판부(13) 사이를 강하게 결속시킬 수도 있지만, 증착 공정에 의해 챔버(3)의 온도가 수백도로 상승되는 경우 상부 챔버(10)의 상판부(13)가 열팽창하게 되는데, 이때 단위 체크 플레이트(61)와 상부 챔버(10)의 상판부(13)가 강하게 결속되어 있으면 상판부(13)의 열팽창에 의해 단위 체크 플레이트(61) 또한 열팽창될 수 있고, 이로 인해 스크루 결합된 부위가 파손되어 상판부(13) 및 단위 체크 플레이트(61)가 파손될 수 있기 때문이다.
따라서, 도 5에 도시된 바와 같이, 브래킷부재(65)의 제1 통공(67)에 대해 스크루(68)는 선택적으로 체결된다. 다시 말해, 도 5에 자세히 도시된 바와 같이, 상판부(13)의 코너 영역에 대응되는 브래킷부재(65a) 및 이 브래킷부재(65a)에 인접하게 배치되는 브래킷부재(65b)에 스크루(68)가 체결된다. 이로써 상부 챔버(10)의 상판부(13)가 열팽창되더라도 단위 체크 플레이트(61)와 상판부(13)가 스크루 결합되지 않은 브래킷부재(65c), 즉 상판부에 대해 자유로운 이동이 가능한 브래킷부재(65c)에 의해 단위 체크 플레이트(61)의 열팽창을 최소로 줄일 수 있으며, 또한 과도한 열팽창에 의해 스크루 결합된 부위가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
이러한 구성을 갖는 작업 플레이트(60)에 의해, 작업자는 지지 플레이트(50)로 용이하게 이동할 수 있어 지지 플레이트(50)에 설치된 여러 요소들에 대한 유지 보수 등의 작업을 안정적으로 할 수 있을 뿐만 아니라 상부 챔버(10)의 전체 무게를 줄임으로써 상판부(13)에 설치된 여러 요소들에 의해 상판부(13)가 처지는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하에서는, 이러한 구성을 갖는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)의 작용에 대해서 설명하기로 한다.
우선, 승강 모듈(70)에 의해 서셉터(30)가 하부 챔버(20)의 하부 영역으로 하강된 상태에서 로봇아암(미도시)에 의해 이송된 유리기판(G)이 기판출입부(21)를 통해 유입되어 상부에 배치된다.
이 때, 리프트 핀(31)의 상단은 서셉터(30)의 상면으로 소정 높이 돌출된 상태이므로, 로봇아암은 리프트 핀(31)들에 유리기판(G)을 올려둔 후, 취출된다. 이후, 기판출입부(24)는 닫히고, 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)의 내부는 진공 분위기로 유지됨과 동시에 증착에 필요한 공정 가스가 충전된다.
이어서, 증착 공정을 진행하기 위해, 승강 모듈(70)을 동작시켜 서셉터(30)를 부상시킨다. 그러면 리프트 핀(31)은 자중에 의해 하강되고, 이를 통해 유리기판(G)은 서셉터(30)의 상면에 밀착되어 로딩된다. 정해진 거리만큼 서셉터(30)가 부상하면 승강 모듈(70)이 동작이 정지되고 유리기판(G)은 가스분배판(42)의 직하방에 위치하게 된다.
이후, 지지 플레이트(50)에 지지되어 상부 챔버(10)의 외측에 위치하는 가스공급부(15) 및 고주파 전원부(12)에 의해 생성되는 플라즈마화된 공정 가스가 가스유입관(18)을 통해 후방 플레이트(44) 및 가스분배판(42)에 의해 형성되는 버퍼공간(B)으로 유입된 후, 가스분배판(42)의 오리피스(미도시)를 따라 서셉터(30)의 상면에 로딩된 유리기판(G)으로 고르게 증착된다.
이러한 증착 공정이 제대로 이루어지기 위해서는 증착공간(S)의 온도가 수백도로 유지되어야 하며, 이로 인해 증착공간(S)을 둘러싸는 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)의 온도 또한 수백도로 상승한다. 이 때 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)를 형성하는 재질의 특성상 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)는 챔버(3) 내의 온도 상승으로 인해 열팽창하게 되며, 아울러 상부 챔버(10)와 고정 결합된 다른 구성 요소들 예를 들면 상판부(13) 등도 챔버(3)의 열팽창에 연계되어 열팽창하게 된다.
그런데, 상부 챔버(10)의 상판부(13)에 결합되어 있는 작업 플레이트(60)는 이러한 상부 챔버(10)의 상판부(13)의 열팽창에도 불구하고 그 상태를 거의 유지할 수 있다. 이는, 작업 플레이트(60)가 서로 독립된 복수의 단위 체크 플레이트(61)로 각각 상부 챔버(10)의 상판부(13)와 결합되는 구조를 가짐으로써 상판부(13)의 열팽창이 발생하더라도 단위 체크 플레이트(61)의 열팽창 길이를 축소시킬 수 있고, 또한 전술한 바와 같이, 단위 체크 플레이트(61)에 구비되는 브래킷부재(65)에 스크루(68)를 선택적으로 체결함으로써 스크루(68)가 체결되지 않는 단위 체크 플 레이트(61)의 일측이 상판부(13)에 대해 자유롭게 이동할 수 있음으로 인해 상판부(13)가 열팽창하더라도 단위 체크 플레이트(61)는 원래의 상태를 거의 유지할 수 있기 때문이다.
또한, 상부 챔버(10)와 단위 체크 플레이트(61)의 플레이트본체(62) 사이에 이격 공간 즉 에에갭(G)이 형성됨으로써 상부 챔버(10)의 열이 주위 공기에 위해 식혀질 수 있을 뿐만 아니라 단위 체크 플레이트(61)가 상부 챔버(10)에 의해 가열되는 정도를 현저히 감소시킬 수 있으며, 이로 인해 작업자는 적정한 온도의 작업 플레이트(60)에 올라가 유지 보수 등의 작업을 작업 시간에 구애받지 않고 할 수 있다는 장점이 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 간단한 구조를 가지면서도 가볍고 또한 상부 챔버(10)의 열팽창에도 거의 열팽창되지 않는 복수의 단위 체크 플레이트(61) 즉 작업 플레이트(60)를 상부 챔버(10)에 결합시킴으로써, 작업자는 상부 챔버(10)의 상부에 올라가 유지 보수 등의 작업을 안정적으로 할 수 있고, 이로 인해 작업의 효율성이 향상될 수 있는 장점을 지닌다.
전술한 실시 예에서는, "ㄱ"자 형상을 갖는 네 개의 단위 체크 플레이트가 상부 챔버의 상판부에 결합되어 작업 플레이트를 형성한다고 설명하였지만, 상부 챔버의 상부에서 작업자가 소정의 행동을 취할 수 있는 안정적인 구조를 마련할 수 있다면 다른 형상의 단위 체크 플레이트에 의해서 작업 플레이트가 형성되어도 무방하다 할 것이다.
이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사 상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 무게를 절감시킬 수 있으며 또한 단순한 구조를 가지면서도 상부 챔버의 열변형에 대해 자유로울 수 있고 쉽게 가열되지 않는 작업 플레이트를 상부 챔버의 상부에 마련할 수 있어 상부 챔버의 상부에서 작업자가 안정적이면서도 용이하게 유지 보수 등의 작업을 할 수 있다.
Claims (10)
- 평면디스플레이용 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되며, 상부 챔버 및 하부 챔버를 구비하는 챔버;상기 상부 챔버의 상판부의 중앙 영역에 결합되어 상기 챔버 내로 공정 가스를 제공하는 가스공급부를 지지하는 지지 플레이트; 및상기 가스공급부에 대한 접근이 가능하도록 상기 상부 챔버의 상판부의 상부에서 상기 지지 플레이트와 이격 배치되되 상기 상판부와의 사이에 에어갭(Air Gap)이 형성되도록 상기 상판부에 결합되는 작업 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
- 제1항에 있어서,상기 작업 플레이트는, 상기 지지 플레이트의 둘레 방향을 따라 적어도 일부 구간에 마련되는 적어도 하나의 단위 체크 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
- 제2항에 있어서,상기 단위 체크 플레이트는,상기 상판부와 나란하게 마련되는 플레이트본체; 및상기 플레이트본체로부터 상기 상판부를 향해 연장되어 상기 플레이트본체와 상기 상판부 간을 이격시키는 복수의 이격부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
- 제3항에 있어서,상기 단위 체크 플레이트는,상기 복수의 이격부재의 단부에서 상기 복수의 이격부재의 길이 방향에 가로로 각각 마련되며, 상기 상판부에 형성된 제2 통공과 대응되는 제1 통공이 형성되어 상기 단위 체크 플레이트와 상기 상판부 간을 결합시키는 스크루가 체결 가능한 복수의 브래킷부재를 더 포함하되,상기 복수의 브래킷부재 중 적어도 어느 하나는 상기 상판부에 구속되지 않는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
- 제4항에 있어서,상기 복수의 이격부재와 상기 브래킷부재는 상기 플레이트본체의 둘레를 따라 마련되며,상기 스크루는, 상기 상판부의 코너 영역에 대응되는 브래킷부재와, 상기 상판부의 코너 영역에 대응되는 브래킷부재와 인접된 브래킷부재에 형성된 제1 통공 중 적어도 어느 하나의 제1 통공에 체결되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
- 제3항에 있어서,상기 플레이트본체는 체크 패턴이 형성되며,상기 플레이트본체에 형성된 체크 패턴은, 상기 플레이트본체의 전면에 형성되되 상기 플레이트본체의 마찰계수가 커지도록 요철 패턴 및 규칙적인 공(空)이 형성된 패턴 중 어느 하나의 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
- 제2항에 있어서,상기 적어도 어느 하나의 단위 체크 플레이트는 복수의 단위 체크 플레이트이며,상기 복수의 단위 체크 플레이트는 상기 지지 플레이트를 사이에 두고 상기 지지 플레이트를 둘러싸도록 배치되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
- 제7항에 있어서,상기 복수의 단위 체크 플레이트는 상호 분할된 4개이며,상기 4개의 단위 체크 플레이트 각각은 "ㄱ"자 형상으로 제작되며,상기 4개의 단위 체크 플레이트 각각이 상기 상판부에 결합되어 형성된 상기 작업 플레이트는 실질적으로 "ㅁ"자 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
- 제2항에 있어서,상기 단위 체크 플레이트는 알루미늄(Aluminium) 재질로 제작되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
- 제1항에 있어서,상기 평면디스플레이용 유리기판은 엘씨디(LCD, Liquid Crystal Display)용 유리기판인 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
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| KR1020070043180A KR100853248B1 (ko) | 2007-05-03 | 2007-05-03 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 |
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| KR100853248B1 true KR100853248B1 (ko) | 2008-08-21 |
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ID=39878277
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| KR20060001166A (ko) * | 2004-06-30 | 2006-01-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버 및 플라즈마화학기상 증착장비 |
| KR100564044B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2006-03-29 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 진공처리장치 |
| US7217326B2 (en) | 2003-04-14 | 2007-05-15 | Samsung Electronics Co., Ltd | Chemical vapor deposition apparatus |
-
2007
- 2007-05-03 KR KR1020070043180A patent/KR100853248B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| US7217326B2 (en) | 2003-04-14 | 2007-05-15 | Samsung Electronics Co., Ltd | Chemical vapor deposition apparatus |
| KR20060001166A (ko) * | 2004-06-30 | 2006-01-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버 및 플라즈마화학기상 증착장비 |
| KR100564044B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2006-03-29 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 진공처리장치 |
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