KR20060001166A - 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버 및 플라즈마화학기상 증착장비 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버 및 플라즈마 화학기상 증착장비에 관한 것으로, 본 발명은 센터 수직바를 리드 커버의 높이보다 낮게 설치하고, 상기 리드 커버의 중앙부에 연결 고리용 홀을 천공하여 이 연결 고리용 홀을 통해 크레인의 연결 고리부와 센터 수직바의 연결 고리부를 연결시켜 챔버를 이동시킨다. 따라서, 본 발명에서는 주변 장비 간의 간섭없이 챔버의 운반 및 작업 능률을 향상시킬 수 있다.
플라즈마 화학기상 증착장비, 리드 커버, 센터 수직바, 사이드 수직바, 연결 고리부, 연결 고리용 홀
Description
도 1은 종래기술에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비의 사시도이다.
도 3은 도 2의 사시도를 'A-A' 절단선을 따라 절단한 단면을 나타내는 단면도이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10, 110 : 리드 커버 12, 112 : 사이드 수직바
14, 114 : 센터 수직바 16, 116 : 연결 고리부
18, 20, 118, 120 : 수납부 22, 122 : 챔버
124 : 연결 고리용 홀 126 : 서셉터
128 : 평판전극
본 발명은 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버 및 플라즈마 화학기상 증착장비에 관한 것으로, 특히 플라즈마 화학기상 증착장비의 운반 및 작업을 개선시킬 수 있는 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버 및 플라즈마 화학기상 증착장비에 관한 것이다.
일반적으로, TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display) 장치의 구동회로에 적용되는 박막 트랜지스터는 통상의 벌크(bulk) 트랜지스터의 경우보다 훨씬 더 큰 기판 상에 형성된다. 따라서, 균일한 박막을 형성시키는 것이 벌크 트랜지스터의 경우보다 매우 어렵다. 이때, 박막을 균일하게 증착시키기 위해서는 플라즈마(plasma)의 밀도를 균일하게 형성시키는 것이 중요하다. 이를 위해 샤워 헤드(shower head)형 평판전극을 이용하는 플라즈마 화학기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD) 장비가 보편적으로 널리 사용되고 있는 추세에 있다.
이러한 플라즈마 화학기상 증착장비는 진공실을 이루는 챔버(chamber) 내부로 증착에 필요한 소오스 가스(source gas)가 주입되어 원하는 압력과 온도가 설정되면 고주파(Radio Frequency; RF)를 이용하여 주입된 가스를 플라즈마 상태로 분해하여 기판 상에 증착시킨다. 여기서, 증착에 필요한 조건으로는 진공상태, 고주파, 기판온도, 반응가스 및 반응압력 등이 있으며, 이러한 증착조건에 따라 증착되 는 물질의 상태가 달라지게 된다. 보편적으로, 플라즈마 화학기상 증착장비로 증착되는 물질로는 절연막과 반도체 막이 있다. 절연막으로는 게이트 절연막, 보호막 및 에치 스토퍼(etch stopper)막 등이 있으며, 반도체 막으로는 활성층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si)과 접촉 저항층을 이루는 도프트(doped) 비정질 실리콘 등이 있다.
도 1은 종래기술에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비를 설명하기 위하여 도시된 사시도이다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비는 진공실을 이루는 챔버(22)와, 챔버(22)의 상부와 체결되어 소오스 가스, 반응 가스(reaction gas) 또는 퍼지 가스(purge gas) 등을 공급하는 가스 발생장치(미도시)와 고주파(Radio Frequency, RF)를 제공하는 고주파 발생장치(미도시) 등과 같이 플라즈마 화학기상 증착공정시 사용되는 주변장치들이 수납되는 리드 커버(lid cover, 10)로 구성된다.
챔버(22)는 상호 착탈이 가능하도록 체결되는 상하부 챔버(22a, 22b)로 분리된다. 상부 챔버(22a)의 상부는 리드 커버(10)와 체결되고, 가스 발생장치로부터 공급되는 소오스 가스를 챔버(22) 내부로 공급하기 위하여 샤워 헤드형 평판전극(미도시)이 설치된다. 평판전극은 플라즈마를 발생시키기 위하여 상부전극으로 이용된다. 그리고, 하부 챔버(22b)에는 증착물질이 증착되는 기판이 안착되는 서셉터(susceptor, 미도시)가 설치된다. 이러한 서셉터의 내부에는 기판을 소정 온도로 가열하는 열선(미도시)이 설치된다. 그리고, 서셉터는 플라즈마를 발생시키기 위하여 하부전극으로 이용된다.
리드 커버(10)는 센터 수직바(center vertical bar, 14)에 의해 좌우로 분할되고, 각 모서리 부위에 설치된 사이드 수직바(side vertical bar, 12)에 의해 지지된다. 리드 커버(10)에는 센터 수직바(14)에 좌우로 분할된 두개의 수납부(18, 20)가 마련되는데, 이 수납부(18, 20)에는 가스 발생장치와 고주파 발생장치가 수납된다.
센터 수직바(14)는 좌우에 각각 하나씩 설치된 리드 커버(10) 사이에 설치되며, 보통 사이드 수직바(12)보다 높게 설치된다. 이에 따라 상단부는 리드 커버(10)보다 높게 돌출되게 된다. 그리고, 장비 운반시 센터 수직바(14)의 중앙부에는 크레인(crane)의 연결 고리부(미도시)와 연결되기 위한 연결 고리부(16)가 형성된다.
이러한 구조를 갖는 종래기술에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비는 크레인 에 의해 운반되는데, 이 경우 크레인에 형성된 연결 고리부를 센터 수직바(14)에 설치된 연결 고리부(16)와 체결시켜 운반하게 된다. 그러나, 종래기술에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비의 경우에는 센터 수직바(14)가 리드 커버(10)보다 높게 설치되어 있어 운반시 크레인과의 공간 마진(margin)을 충분히 확보하기가 어렵고, 이에 따라 증착장비 주변에 시설된 주변 장비 간에 간섭이 발생하여 증착장비의 운반 및 작업이 어렵다. 또한, 센터 수직바(14)를 중심으로 리드 커버(10)가 양측으로 분리되어 분리작업이 번거로운 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 플라즈마 화학기상 증착장비의 운반 및 작업을 개선시킬 수 있는 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버 및 플라즈마 화학기상 증착장비를 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버는 하단부가 챔버에 수직으로 체결된 센터 수직바 및 다수의 사이드 수직바와; 상기 센서 수직바에 고정되는 크레인 연결고리와; 상기 다수의 수직바들의 상단에 수평으로 체결되며 상기 크레인 연결고리가 돌출 가능하도록 천공된 홀을 구비한다.
상기 센터 수직바와 상기 사이드 수직바들에 의해 마련된 공간에는 상기 챔버에 가스를 주입하기 위한 가스 발생장치와 상기 챔버에 고주파신호를 공급하기 위한 고주파 발생장치가 설치된다.
상기 리드 커버는 상기 크레인 연결고리 주변에 형성된 수평의 철망을 더 구비한다.
상기 다수의 사이드 수직바의 높이는 상기 센터 수직바보다 높다.
본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비는 상하부로 분리 가능한 챔버와; 하단부가 챔버에 수직으로 체결된 센터 수직바 및 다수의 사이드 수직바와; 상기 센서 수직바에 고정되는 크레인 연결고리와; 상기 다수의 수직바들의 상단에 수평으로 체결되며 상기 크레인 연결고리가 돌출 가능하도록 천공된 홀을 가지는 리드 커버를 구비한다.
상기 리드 커버는 상기 사이드 수직바들 사이에서 일체형으로 형성된다.
상기 리드 커버는 상기 센터 수직바의 위에 위치한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 이하에서 설명되는 동일한 참조번호는 동일한 기능을 수행하는 동일 요소이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비를 설명하기 위하여 도시된 사시도이고, 도 3은 도 2의 사시도를 'A-A' 절단선을 따라 절단한 면을 나타내는 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버(110)는 일체형으로 높게 센터 수직바(114)의 상부를 가로질러 설치되며, 중앙부의 상면부에는 센터 수직바(114)의 연결 고리부(116)가 돌출되어 크레인의 연결 고리부(미도시)와 체결되도록 제공하는 연결 고리용 홀(124)이 천공된다. 또한, 리드 커버(110)는 각 모서리부에 설치된 4개의 사이드 수직바(112)에 의해 지지된다. 이러한 리드 커버(110)은 챔버(122)의 형태에 따라 원형, 정방형 등과 같이 다양하게 변형될 수 있다. 즉, 챔버(122)가 원형인 경우 원형으 로 제작될 수 있다.
이 리드 커버(110) 내에 마련된 공간(118, 120) 내에는 가스 발생장치(미도시)와 고주파(Radio Frequency, RF)를 제공하는 고주파 발생장치(미도시)가 설치된다.
그리고, 연결 고리용 홀(124)이 천공된 리드 커버(110)의 상면부는 철망 구조로 이루어질 수 있으며, 이 경우 철망은 다수의 크로스 바(cross bar, 미도시)에 의해 지지된다. 또한, 상면부를 제외한 다른 면부들인 전면부, 후면부, 좌면부 및 우면부는 상호 관통되도록 구성될 수 있으며, 이는 소오스 가스 등을 공급하는 가스 발생장치(미도시)와 고주파를 제공하는 고주파 발생장치(미도시) 등과 같이 플라즈마 화학기상 증착시 필요한 장치들을 편리하게 수납하기 위함이다. 가스 발생장치와 고주파 발생장치는 리드 커버(110)에 마련된 수납부(118, 120)에 각각 수납된다.
센터 수직바(116)의 상단부는 리드 커버(110)의 하부에 위치되고 하단부는 챔버(122)와 체결된다. 즉, 센터 수직바(114)의 높이(H2)는 사이드 수직바(112)의 높이(H1)보다 낮다. 이로써, 사이드 수직바(112)에 의해 지지되는 리드 커버(110)의 상면부가 센터 수직바(114)를 가로질러 상부에 설치되게 된다. 그리고, 센터 수직바(114)의 상단면의 중앙부에 설치된 연결 고리부(116)는 이에 대응하는 부위에 마련된 리드 커버(110)의 연결 고리용 홀(124)을 통해 크레인의 연결 고리부와 체결되게 된다.
한편, 도 3에 표현된 '126'은 서셉터이고, '128'은 평판전극이며, 'W'는 웨 이퍼 또는 글래스(glass)이다. 물론, 서셉터(126)에는 열선(미도시)이 설치되어 있다. 그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버(122) 내에는 서셉터(126), 평판전극(128) 이외에 플라즈마 기상증착 공정이 가능하도록 다양한 구성요소들이 구성된다.
이하에서는 상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버(110)의 작용에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
우선, 장비의 운반을 위해 챔버(122)를 이동시키거나, 상부 챔버(122a)와 하부 챔버(122b)를 분리시키기 위해 크레인을 이용하여 챔버(122)를 운반하고자 하는 경우 크레인의 연결 고리부를 리드 커버(110)의 연결 고리용 홀(124)을 통해 센터 수직바(114)의 연결 고리부(116)와 연결시킨다. 그런 다음, 크레인을 통해 챔버(122)를 리프트(lift)시켜 운반하게 된다. 이때, 센터 수직바(114)의 연결 고리부(116)가 리드 커버(110)에 마련된 연결 고리용 홀(124)을 통해 크레인의 연결 고리부와 연결되기 때문에 증착장비 운반시 리드 커버(110)를 분리할 필요가 없다. 특히, 센터 수직바(114)의 높이가 리드 커버(110)의 높이보다 낮아지기 때문에 증착장비를 리프트시키는 경우 크레인과 리드 커버(110) 간에 충분한 여유 공간(space)이 마련되어 그 만큼 운반 작업이 용이하다. 또한, 인접한 다른 장비와의 간섭을 방지할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버 및 플라즈마 화학기상 증착장비에 의하면, 센터 수직바를 리드 커버의 높이보다 낮게 설치하고, 상기 리드 커버의 중앙부에 연결 고리용 홀을 천공하여 이 연결 고리용 홀을 통해 크레인의 연결 고리부와 센터 수직바의 연결 고리부를 연결시켜 증착장비를 이동시킴으로써 주변 장비 간의 간섭없이 챔버의 운반 및 작업을 개선시킬 수 있다.
이상에서 설명한 내용을 통해 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라, 특허청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.
Claims (9)
- 하단부가 챔버에 수직으로 체결된 센터 수직바 및 다수의 사이드 수직바와;상기 센서 수직바에 고정되는 크레인 연결고리와;상기 다수의 수직바들의 상단에 수평으로 체결되며 상기 크레인 연결고리가 돌출 가능하도록 천공된 홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버.
- 제 1 항에 있어서,상기 센터 수직바와 상기 사이드 수직바들에 의해 마련된 공간에는 상기 챔버에 가스를 주입하기 위한 가스 발생장치와 상기 챔버에 고주파신호를 공급하기 위한 고주파 발생장치가 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버.
- 제 1 항에 있어서,상기 크레인 연결고리 주변에 형성된 수평의 철망을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수의 사이드 수직바의 높이는 상기 센터 수직바보다 높은 것을 특징 으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비의 리드 커버.
- 상하부로 분리 가능한 챔버와;하단부가 챔버에 수직으로 체결된 센터 수직바 및 다수의 사이드 수직바와;상기 센터 수직바에 고정되는 크레인 연결고리와;상기 다수의 수직바들의 상단에 수평으로 체결되며 상기 크레인 연결고리가 돌출 가능하도록 천공된 홀을 가지는 리드 커버를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
- 제 5 항에 있어서,상기 리드 커버는 상기 사이드 수직바들 사이에서 일체형으로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
- 제 5 항에 있어서,상기 리드 커버는 상기 센터 수직바의 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
- 제 5 항에 있어서,상기 리드 커버는,상기 홀 주변에 수평으로 형성된 철망을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라 즈마 화학기상 증착장비.
- 제 5 항에 있어서,상기 다수의 사이드 수직바의 높이는 상기 센터 수직바보다 높은 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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Payment date: 20150109 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170116 Year of fee payment: 6 |
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