JP3206236U - マルチピース基板下カバーフレーム - Google Patents
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Abstract
【課題】処理チャンバ用のマルチピース基板下カバーフレームを提供する。【解決手段】フレーム133は、2つの短い本体と、矩形形状を形成するために短い本体と相互接続するように構成された2つの長い本体を有し、2つの長い本体の各々は、2以上のセグメント243を含み、セグメント243のうちの少なくとも1つは、リフトピン138の少なくとも一部を形成するレリーフ238を有する。【選択図】図2
Description
(分野)
本明細書で開示される実施形態は、概して、処理チャンバ内で基板又はウェハ上に膜を製造するための装置に関する。
本明細書で開示される実施形態は、概して、処理チャンバ内で基板又はウェハ上に膜を製造するための装置に関する。
(関連技術の説明)
液晶ディスプレイ又はフラットパネルは、一般的に、アクティブマトリックスディスプレイ(例えば、コンピュータ、テレビ、及び他のモニター)に使用されている。プラズマ強化化学蒸着(PECVD)は、基板(例えば、半導体ウェハ又はフラットパネルディスプレイ用透明基板)上に薄膜を堆積するために使用される。PECVDは、一般的に、基板を含む真空チャンバ内に前駆体ガス又はガス混合物を導入することによって達成される。前駆体ガス又はガス混合物は、典型的には、処理チャンバの頂部付近に位置する分配プレートを通って下方に導かれる。処理チャンバ内の前駆体ガス又はガス混合物は、電極に結合された1以上の電力源から処理チャンバ内の電極に電力(例えば、高周波(RF)電力)を印加することによりエネルギー化(例えば、励起)されプラズマになる。励起されたガス又はガス混合物は、基板の表面上に材料の層を形成するように反応する。層は、例えば、保護(パッシベーション)層、ゲート絶縁層、バッファ層、及び/又はエッチストップ層とすることができる。層は、より大きな構造(例えば、ディスプレイ装置に用いられる薄膜トランジスタ(TFT)又はアクティブマトリクス有機発光ダイオード(AMOLED)など)の一部であってもよい。
液晶ディスプレイ又はフラットパネルは、一般的に、アクティブマトリックスディスプレイ(例えば、コンピュータ、テレビ、及び他のモニター)に使用されている。プラズマ強化化学蒸着(PECVD)は、基板(例えば、半導体ウェハ又はフラットパネルディスプレイ用透明基板)上に薄膜を堆積するために使用される。PECVDは、一般的に、基板を含む真空チャンバ内に前駆体ガス又はガス混合物を導入することによって達成される。前駆体ガス又はガス混合物は、典型的には、処理チャンバの頂部付近に位置する分配プレートを通って下方に導かれる。処理チャンバ内の前駆体ガス又はガス混合物は、電極に結合された1以上の電力源から処理チャンバ内の電極に電力(例えば、高周波(RF)電力)を印加することによりエネルギー化(例えば、励起)されプラズマになる。励起されたガス又はガス混合物は、基板の表面上に材料の層を形成するように反応する。層は、例えば、保護(パッシベーション)層、ゲート絶縁層、バッファ層、及び/又はエッチストップ層とすることができる。層は、より大きな構造(例えば、ディスプレイ装置に用いられる薄膜トランジスタ(TFT)又はアクティブマトリクス有機発光ダイオード(AMOLED)など)の一部であってもよい。
PECVD技術により処理されるフラットパネルは、一般的に大型である。例えば、フラットパネルは、4平方メートルを超える可能性がある。フラットパネル基板のサイズが成長し続けるにつれて、外縁部の膜品質が問題となる。プラズマから基板支持体を保護するために、典型的には、シャドーフレームがPECVDで使用される。しかしながら、シャドーフレームは、基板の最も外側の端部を覆うので、シャドーフレームは、1)エッジエクスクルージョン(EE)を3mm〜5mm増加させ、2)基板の周辺/縁部領域近くの成膜に悪影響を与える。縁部の均一性を向上させ、基板の利用可能な面積を増加させる1つの方法は、シャドーフレームを除去することである。しかしながら、シャドーフレームを除去すると、基板支持面の周辺領域は、プラズマに曝露される可能性がある。周辺領域を露出させたままにしておくことは、基板の縁部領域でのより高い堆積速度をもたらす可能性がある。更に、リフトピンは、リフトピンが基板表面に接触する領域内にムラ又は均一性の欠如を発生させ、使用可能な基板面積を減少させる。
したがって、PECVD技術によって処理される基板に対して、基板利用を増加させるための必要性がある。
処理チャンバ用のマルチピース基板下カバーフレームが、本明細書に開示される。一実施形態では、フレームは、2つの短い本体と、矩形形状を形成するために短い本体と相互接続するように構成された2つの長い本体を有し、2つの長い本体の各々は、2以上のセグメントを含み、セグメントのうちの少なくとも1つは、リフトピン穴の少なくとも一部を形成するレリーフを有する。
別の一実施形態では、マルチピース基板下カバーフレームは、矩形フレーム状に形成された本体を有する。本体は、内側本体エッジと外側本体エッジを有し、内側本体エッジは、矩形フレームの開口部を境界付ける。本体は、本体の矩形フレーム形状に配置されるように構成された複数のセグメントを含む。各々のセグメントは、内側セグメントエッジを有し、内側セグメントエッジは、本体の内側エッジを形成する。各々のセグメントはまた、内側セグメントエッジの反対側の外側セグメントエッジと、内側セグメントエッジに隣接する第1端部と、第1端部の反対側の第2端部を有し、第1端部は、形状が第2端部と相補的であり、隣接するセグメントの第1端部と第2端部は、伸縮継手を形成する。各々のセグメントは更に、取り付け要素を有する。セグメントのうちの少なくとも4つは、内側セグメントエッジ上に形成されたレリーフを有し、取り付け要素は、内側セグメントから垂直に延びる仮想線上に位置合わせされる。
更に別の一実施形態では、処理チャンバは、複数の壁と、底部と、蓋部を有する。複数の壁、底部、及び蓋部は、内部容積を画定する。リフトピンを有する基板支持体は、マルチピース基板下カバーフレームを有する。フレームは、2つの短い本体と、矩形形状を形成するために短い本体と相互接続するように構成された2つの長い本体を有し、2つの長い本体の各々は、2以上のセグメントを含み、セグメントのうちの少なくとも1つは、リフトピン穴の少なくとも一部を形成するレリーフを有する。
本考案の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本考案のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本考案の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本考案は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
ガス閉じ込め器アセンブリを有する処理チャンバの一実施形態の概略断面図である。
図1の基板支持体上に配置された基板下カバーフレームの上面平面図である。
図2に示される基板下カバーフレームの切断線3−3を通して見た断面図である。
図2に示される基板下カバーフレームの切断線4−4を通して見た断面図である。
基板下カバーフレームの別の一実施形態の断面側面図である。
図5の基板下カバーフレームの底面図である。
図5の基板下カバーフレームの正面図である。
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込んでもよいと理解される。
本開示は、概して、基板のエッジ領域上で高い堆積速度を減少させるように設計された基板下カバーフレームに関する。基板下カバーフレームは、非シャドーフレーム基板支持体と共に使用することができ、ガス閉じ込め器と共に、又はガス閉じ込め器無しで使用することができる。基板下カバーフレームは、ベース及びカバーを含む。カバーは、低インピーダンス/静電容量を有することができる。いくつかの実施形態では、ベースは、低インピーダンス/静電容量を有することができる。基板下カバーフレームの一部は、処理中に基板の下に延びていてもよい。理論によって限定されるものではないが、低インピーダンスのカバーは、基板支持体のエッジでのインピーダンス不整合を減少させることによって、成膜の均一性を改善すると考えられている。
本明細書の実施形態は、大面積基板を処理するように構成されたPECVDシステム(例えば、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社(Applied Materials Inc.)の一部門であるAKTアメリカ社(AKT America Inc.)から入手できるPECVDシステム)を参照して例示的に以下に説明される。しかしながら、開示される主題は、他のシステム構成(例えば、エッチングシステム)、他の化学気相堆積システム、及び他のプラズマ処理システム内において有用であることが理解されるべきである。更に、本明細書に開示される実施形態は、他の製造業者によって提供される処理チャンバを用いて実施されてもよいことが理解されるべきである。
図1は、電子デバイス(例えば、TFT及びAMOLED)を形成するための処理チャンバ100の一実施形態の概略断面図である。処理チャンバ100は、PECVDチャンバである。図示されるように、処理チャンバ100は、壁102、底部104、拡散器(ディフューザー)110、及び基板支持体130を含む。壁102、底部104、及び拡散板110は、集合的に、内部に基板支持体130を有する処理容積106を画定する。処理容積106は、壁102を貫通して形成されたシール可能なスリットバルブ開口部108を介してアクセスされ、これによって基板105は、処理チャンバ100の内外に搬送することができる。一実施形態では、基板105は、1850mm×1500mmである。他の実施形態では、基板105は、異なる寸法を有することができる。
拡散器110は、カップリング114によって周辺部でバッキングプレート112に接合される。拡散器110はまた、1以上の中央支持体116によってバッキングプレート112に接合されてもよく、これによって垂下を防止し、及び/又は拡散器110の真直度/曲率を制御するのを助長する。ガス源120は、バッキングプレート112に結合されている。ガス源120は、拡散器110内に形成された複数のガス通路111を通して1以上のガスを処理容積106へ提供することができる。適切なガスは、ケイ素含有ガス、窒素含有ガス、酸素含有ガス、不活性ガス、又は他のガスを含むが、これらに限定されない。代表的なケイ素含有ガスは、シラン(SiH4)を含む。代表的な窒素含有ガスは、窒素(N2)、亜酸化窒素(N2O)、及びアンモニア(NH3)を含む。代表的な酸素含有ガスは、酸素(O2)を含む。代表的な不活性ガスは、アルゴン(Ar)を含む。代表的な他のガスは、例えば、水素(H2)を含む。
真空ポンプ109は、処理容積106内の圧力を制御するために、処理チャンバ100に結合される。RF電源122は、RF電力を拡散器110に供給するために、バッキングプレート112に、及び/又は直接拡散器110に結合される。RF電源122は、拡散器110と基板支持体130との間に電界を生成することができる。生成された電界は、拡散器110と基板支持体130との間に存在するガスからプラズマを形成することができる。種々のRF周波数を使用することができる。例えば、周波数は、約0.3MHz〜約200MHzの間(例えば、約13.56MHz)とすることができる。
リモートプラズマ源134(例えば、誘導結合リモートプラズマ源)もまた、ガス源120とバッキングプレート112との間に結合されてもよい。基板を処理する間に、洗浄ガスをリモートプラズマ源124に供給してもよい。洗浄ガスは、リモートプラズマを形成するリモートプラズマ源124内でプラズマに励起することができる。リモートプラズマ源124によって生成された励起種は、チャンバコンポーネントを洗浄するために、処理チャンバ100内に供給することができる。洗浄ガスは、解離洗浄ガス種の再結合を減少させるために、拡散器110を通って流れるように供給されるRF電源122によって更に励起することができる。適切な洗浄ガスは、NF3、F2、及びSF6を含むが、これらに限定されない。
処理チャンバ100は、ケイ素含有材料などの任意の材料を堆積させるために使用することができる。例えば、処理チャンバ100は、アモルファスシリコン(a−Si)、窒化ケイ素(SiNx)、及び/又は酸化ケイ素(SiOx)の1以上の層を堆積させるために使用することができる。ケイ素含有層は、TFT内の層として、又はAMOLEDの一部としてディスプレイ装置内で使用することができる。例えば、ケイ素含有層は、ゲート絶縁膜、バッファ層、又はエッチング停止層として使用することができる。いくつかの実施形態では、窒化ケイ素層は、例えば、ベース窒化ケイ素層又はゲート窒化ケイ素層として使用することができる。いくつかの実施形態では、酸化ケイ素層は、例えば、ベース酸化ケイ素層又はゲート酸化ケイ素層として使用することができる。
一実施形態では、基板支持体130は、アルミニウム材料から製造される。例えば、基板支持体130は、酸化アルミニウム又は陽極酸化アルミニウムを含むことができる。基板支持体130は、基板105を支持するための基板受け面132を含む。ステム134は、基板受け面132とは反対側にある基板支持体130への一方の端部上に結合される。ステム134は、リフトシステム136に反対側の端部で結合され、これによって基板支持体130を昇降させる。基板支持体130はまた、基板支持体130の周辺部にRF接地を提供するために、接地ストラップ151を含むことができる。動作中、基板支持体130の基板受け面132と拡散器110の底面150との間の間隔は、約10ミリメートル(mm)〜約30mmの間とすることができる。
一実施形態では、加熱及び/又は冷却要素139は、堆積中に基板支持体130及びその上で支持された基板105の温度を維持するために使用することができる。例えば、基板支持体130の温度は、摂氏約400度(℃)未満で維持することができる。一実施形態では、加熱及び/又は冷却要素139は、約100℃未満(例えば、約20℃〜約90℃の間)に基板温度を制御するために使用することができる。
リフトピン138は、基板支持体130のリフトピン穴(図2の項目292)を通して移動自在に配置され、これによって、基板受け面132へ、及び基板受け面132から、基板105を移動し、基板搬送を促進する。リフトピン138は、基板受け面132上に配置された基板105の外側エッジ107に隣接して基板支持体130上に配置することができる。このように、基板105に接触するリフトピン138に起因するいかなるムラも、基板105上の欠陥の無い使用可能な面積を増加させるために、基板105の外側エッジ107に追いやられる。
ガス閉じ込め器アセンブリ129は、基板支持体130の周囲に配置される。一実施形態では、ガス閉じ込め器アセンブリ129は、基板下カバーフレーム133とガス閉じ込め器135を含む。図示されるように、ガス閉じ込め器アセンブリ129は、基板支持体130の周縁部に形成された第1棚部140及び第2棚部141上に位置する。他の実施形態では、ガス閉じ込め器アセンブリ129は、例えば、締結具がガス閉じ込め器アセンブリ129を基板支持体130へ固定するために使用することができるなどの代替の方法で、基板支持体130に隣接して配置してもよい。ガス閉じ込め器アセンブリ129は、基板105の外側エッジ107上の高い堆積速度を減少させるように構成される。一実施形態では、ガス閉じ込め器アセンブリ129は、基板105の大きな範囲の均一性プロファイルに影響を与えることなく、基板105の端部における高い堆積速度を低減させる。
ガス閉じ込め器135は、基板下カバーフレーム133の上方に位置することができる。図示されるように、ガス閉じ込め器135は、基板下カバーフレーム133のすぐ上に接触して位置する。ギャップ137は、基板105の外側エッジ107とガス閉じ込め器135との間に形成することができる。ガス閉じ込め器135は、非金属、セラミックス、又はガラス材料から製造することができる。例えば、ガス閉じ込め器135は、酸化アルミニウム(Al2O3)などのセラミックスから製造することができる。
図示されるように、基板下カバーフレーム133は、基板支持体130の基板受け面132の周縁部に接触して周囲に配置される。基板下カバーフレーム133は、底面144と上面143を含む本体131を有することができる。いくつかの実施形態では、本体131は、底面144から上面143まで単一の特性を有する材料で形成することができる。例えば、基板下カバーフレーム133は、酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム、又は他の適切なセラミックス材料から構成されることができる。他の実施形態では、本体131は、(例えば、三次元プリンティング操作において)様々な材料から形成することができ、底面144での特性が上面143での特性と異なっていてもよい。本体131は、非金属材料(例えば、セラミックス又はガラス材料)から形成することができる。代表的なセラミックス材料は、酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウムを含む。
いくつかの実施形態では、基板下カバーフレーム133は、処理中に重力によって基板支持体130に保持される。いくつかの実施形態では、基板下カバーフレーム133は、基板支持体130から突出する1以上のポスト(図示せず)と係合する、基板下カバーフレーム133の底面に形成された1以上のノッチ(図示せず)を使用して、基板支持体130と位置合わせすることができる。その代わりに又はそれに加えて、基板支持体130内のノッチ(図示せず)は、基板下カバーフレーム133の底面から突出する1以上のポスト(図示せず)と位置合わせされ、これによって基板下カバーフレーム133を基板支持体130に固定することができる。他の実施形態では、基板下カバーフレーム133は、締結具(例えば、図3に示される締結具333)によって基板支持体に固定される。一実施形態では、基板下カバーフレーム133は、ガス閉じ込め器135と位置合わせするための1以上の位置決めピン(図示せず)を含む。他の実施形態では、基板下カバーフレーム133は、代替技術により基板支持体に固定してもよい。基板下カバーフレーム133は、基板処理中に基板支持体130の外周エッジを覆うように構成される。また、基板下カバーフレーム133は、基板105が基板支持体130上に配置されるとき、基板105の外側エッジ107の下に配置されるように構成される。基板下カバーフレーム133は、基板の処理中に、基板支持体130がプラズマに曝露されるのを防止する。
図2は、図1の基板支持体130上に配置された基板下カバーフレーム133の上面平面図である。基板下カバーフレーム133は、開口部280を有する矩形フレーム形状を有することができる。基板下カバーフレーム133の本体131は、内側本体エッジ247と外側本体エッジ249を有することができる。内側本体エッジ247は、矩形フレームの中心部分を画定する開口部280を境界付ける。基板下カバーフレーム133の本体131は、外側本体エッジ249上でガス閉じ込め器135によって部分的に覆われることができる。例えば、ガス閉じ込め器135の内周部235は、外側本体エッジ249の上面143に重なることができる。また、基板下カバーフレーム133の本体131のための内側本体エッジ247は、基板105によって部分的に覆われるように構成することができる。例えば、基板105が基板支持体131上に配置されるとき、基板105の外周部205は、内側本体エッジ247の上面143に重なることができる。基板支持体130は、更に議論される基板下カバーフレーム133の部分を明らかにするために、ガス閉じ込め器135無しの基板支持体130の上面平面図内に示される。
基板下カバーフレーム133は、複数のセグメント243から構成されることができる。セグメント243は、基板下カバーフレーム133の矩形フレーム形状を形成するように配置されるように構成される。各々のセグメント243は、基板下カバーフレーム133の本体131の内側セグメントエッジ257の一部を形成する内側セグメントエッジ257を有する。各々のセグメント243はまた、内側セグメントエッジ257と反対側の外側セグメントエッジ258を有する。
セグメント243はそれぞれ、同様の材料(例えば、セラミックス材料)から形成することができる。セグメント243は、全体で基板下カバーフレーム133を矩形状に形成することができる。あるいはまた、基板下カバーフレーム133は、基板105と同様に形作ることができる。例えば、基板下カバーフレーム133は、形状を円形にしてもよい。矩形形状を有する基板下カバーフレーム133に対して、2以上のセグメント243は、共に第1辺201を形成することができる。また、2以上のセグメント243は、第2辺202を形成することができる。第3辺203及び第4辺204もまた、基板下カバーフレーム133の2以上のセグメント243によって形成することができる。セグメント243はそれぞれ、隣接するセグメント243の幅237が実質的に同様となることができるように、幅237を有することができる。あるいはまた、幅237は、基板下カバーフレーム133の第1辺201において、基板下カバーフレーム133の第2辺202と異なっていてもよい。
基板下カバーフレーム133のセグメント243は、長さ244を有することができる。各々のセグメント243に対する長さ244は、同様にすることができる。あるいはまた、セグメント243の長さ244は、異なっていてもよい。一実施形態では、長さ244は、幅237よりも大きい。
各々のセグメント243は、締結具(例えば、図3により明瞭に図示される締結具333)を使用して、セグメント243を基板支持体130に固定するための取り付け要素230(例えば、貫通穴)を有することができる。取り付け要素230は、締結具333の頭部をセグメント243の表面の下に隠すためにセグメント243内に形成された凹部(例えば、座ぐり又は皿穴)を含むことができる。一実施形態では、各々のセグメント243は、締結具333(例えば、機械ねじ又は他の適切な締結具)が貫通し、基板支持体130内に形成されたねじ穴に係合する貫通穴(取り付け要素230)を有し、これによってセグメント243を基板支持体130に固定する。あるいはまた、セグメント243は、基板支持体130にピン留め又は接着されてもよい。別の一実施形態では、取り付け要素230は、基板支持体130内の穴に係合するように構成されたピンを有し、これによって基板支持体130上でセグメント243を位置決めしてもよい。有利には、基板下カバーフレーム133を昇降させ、基板下カバーフレーム133の処理チャンバ100内外へのロボット搬送を促進するために基板下カバーフレームリフトピン(図示せず)を(例えば、基板支持体130内に)提供してもよい。
セグメント243のうちの1以上は、内側セグメントエッジ257内に形成されたレリーフ238を有することができる。他のセグメント243は、レリーフ238を有さず、これによって内側セグメントエッジ257は途切れることなく直線状に延在する。レリーフ238は、リフトピン138が動作するための空間を提供することができる。レリーフ238は、内側セグメントエッジ257から外側セグメントエッジ258へ向かって延び、これによって内側セグメントエッジ257内に窪み又はノッチを作ることができる。いくつかの実施形態では、リフトピン138の一部は、内側セグメントエッジ257から内側に延びていてもよい。こうして、リフトピン138は、基板下カバーフレーム133の内側セグメントエッジ257の平面を破ることができる。
また、レリーフ238は、リフトピン138の干渉無しに基板支持体130と基板下カバーフレーム133の熱膨張を調整するように取り付け要素230と位置合わせすることができる。一実施形態では、取り付け要素230、レリーフ238、及び内側セグメントエッジ257に実質的に垂直であるリフトピン138を通って、仮想線284を描くことができる。取り付け要素230、レリーフ238、及びリフトピン138の仮想線284に沿った位置合わせは、セグメント243が内側セグメントエッジ257に平行な方向への基板支持体130と基板下カバーフレーム133の相対的な伸びに起因してリフトピン138に固着(すなわち接触)するのを防止する。別の一実施形態では、取り付け要素230、レリーフ238、及びリフトピン138は、基板支持体130の中心290に半径方向に位置合わせされる。更に別の一実施形態では、レリーフ238とリフトピン138は、取り付け要素230と位置合わせされない。レリーフ238と取り付け要素230との間の距離は、個々のセグメント243の熱膨張がレリーフ238をリフトピン138と位置ずれさせないように十分に小さくすることができる。
基板下カバーフレーム133は、互いに対して移動可能である個々のセグメント243から製造されているので、セグメント243は、湾曲(ボーイング)、又は内側セグメントエッジ257と平行に基板下カバーフレーム133の圧縮を防止し、これは基板支持体130が、リフトピン138に固着することなく、基板下カバーフレーム133に対して伸びることを更に可能にする。また、内側セグメントエッジ257に垂直な方向への基板支持体130と基板下カバーフレーム133の相対的な伸びは、リフトピン138の外側にセグメント243を固定する取り付け要素230の位置によって調整され、これによって基板支持体130は、基板支持体130の膨張係数よりも小さい膨張係数を有するセグメント243に起因する基板下カバーフレーム133に対して伸び、レリーフ238とリフトピン138との間のクリアランスは実際には大きくなり、これによって使用時にリフトピン138の固着を防止する。セグメント243内に形成されたレリーフ238は、リフトピン138が従来の設計と比べて内側セグメントエッジ257により近くに配置されることを許容し、基板下カバーフレーム133が低温時にリフトピン138に接触してその動作に干渉するのを防止する。リフトピン138が、基板105の外周部205により近いほど、基板105の最も外側の縁部に追いやられたリフトピン138の上方の基板の熱的な差異に起因するムラを防止するので、より大きな使用可能な基板面積が実現される。
図3は、図2に示される基板下カバーフレーム133の切断線3−3を通して見た断面図である。ガス閉じ込め器135は、基板下カバーフレーム133の上面143上に配置されて図示されている。基板下カバーフレーム133は、取り付け要素230で基板支持体130に取り付けられている。図3に示される実施形態では、締結具333が、取り付け要素230を貫通しており、基板下カバーフレーム133を基板支持体130にねじ留めしている。基板105は、基板支持体130の基板受け面132上に配置されている。
基板105は、基板下カバーフレーム133と長さ330(例えば、数ミリメートル)重なることができる。基板下カバーフレーム133との重なりの長さ330は、基板支持体130の熱膨張に伴って変化することができる。基板下カバーフレーム133は、基板支持体130に締結具333によって取り付け要素230で固定され、こうして基板支持体130が加熱・冷却されるとき、リフトピン138との位置決めを維持する。
リフトピン138は、基板105を昇降するように動作可能である。リフトピンは、基板105の下面306に接触する。基板105の下面306は、リフトピン138での基板支持体130の温度差に起因してリフトピン138の領域305での処理速度のばらつきが発生する可能性がある。ばらつきは、欠陥をもたらす可能性がある。領域305は、リフトピン138での温度差によって生成されたばらつきに起因して使用不能となる可能性がある。基板105の使用可能な欠陥の無い面積を増加させるために、欠陥を有する領域305は、できる限り基板105の外周部205に近くで基板105に接触するリフトピン138を有することによって低減することができる。
リフトピン138は、基板下カバーフレーム133内にレリーフ238を提供することにより、基板105の外周部205のより近くに配置することができる。例えば、レリーフ238は、基板下カバーフレーム133がリフトピン138の動作に干渉すること無く、リフトピンが基板下カバーフレーム133の内側セグメントエッジ257と重なるのを許容することができる。一実施形態では、レリーフ238は、数ミリメートルの(例えば、リフトピン138の頭部の直径の約半分よりも若干大きな)深さ342を有する。ギャップ344は、リフトピン138とレリーフ238との間に画定され、これによって基板下カバーフレーム133がリフトピン138と固着せずに熱膨張することを許容する。
図4は、基板下カバーフレーム133の一部から多くのセグメント243を示す図2に示される基板下カバーフレーム133の切断線4−4を通して見た断面図である。セグメント243は、基板支持体130上に配置されて図示されている。各々のセグメントは、第1端部401と第2端部402を有する。セグメント243の各々の端部401、402は、隣接するセグメント243の反対側の端部401、402と伸縮継手450を形成するための相補的な幾何学形状を有する。例えば、セグメント243の第1端部401は、伸縮継手450の第1辺を形成し、一方、第2端部402は、第1端部401の幾何学形状と相補的である幾何学形状を有する。伸縮継手450は、内側セグメントエッジ257の各々に平行な方向への基板下カバーフレーム133の熱膨張を可能にし、同時に視線を阻止する、すなわち基板下カバーフレーム133の上方に画定される処理容積106の領域460から基板支持体130への直接曝露を防止する。こうして、化学薬品、ガス、プラズマ、又は領域460内の他の環境要素は、基板支持体130に接触しない。
伸縮継手450は、基板下カバーフレーム133のうちの1つのセグメント243の基板下カバーフレーム133の隣接するセグメント243に対する移動を可能にする。隣接するセグメント243間に形成された伸縮継手450は、基板下カバーフレーム133が温度の変化及び基板支持体130の伸びによって伸縮するのを可能にする。伸縮継手450は、重ね継手、スカーフジョイント、フィンガージョイント、又は処理領域460と基板支持体130との間の視線(直進性)を遮断しながら、各々の隣接するセグメント243に対する基板下カバーフレーム133の個々のセグメント243の移動を可能にする適切な他の継手とすることができる。
一実施形態では、伸縮継手450は、重ね継手である。セグメント243の端部401、402は、チェック448及び肩部(ショルダー)452のうちの少なくとも1つを含むことができる。例えば、図4に示されるように、第1端部401は、チェック448を有することができ、一方、第2端部402は、肩部452を有することができる。あるいはまた、端部401、402は、図7に示される実施形態に示されるように、両方共チェック448を有してもよく、対向する端部に肩部452を有する隣接する当接セグメント243といずれかの側で嵌合するように構成される。
引き続き図4を参照すると、チェック448は、基板支持体130の拡張に対応するのに適した長さ426を有することができる。肩部452は、チェック448の長さ426と同等の長さ424を有することができる。一実施形態では、長さ424、426は、実質的に同様である。チェック448は、基板支持体130上に基板下カバーフレーム133を形成するためにセグメント243が当接するとき、肩部452の下にスライドするように構成される。基板下カバーフレーム133を形成するセグメント243の肩部452及びチェック448に対する長さ424、426は、アーク放電又はプラズマ通路を回避するために、高温でのセグメント243間のギャップ420を維持するように選択される。また、隣接するセグメント243間の伸縮継手450は、第1端部及び第2端部401、402が係合されたとき、セグメント243の上面143並びに底面144が同一平面上を維持するのを可能にする。
各々のセグメント243は、取り付け要素230で基板支持体130に固定される。こうして、基板支持体130が、熱膨張に起因して伸びるにつれて、レリーフ238は、リフトピン138とアライメントを維持しながら、セグメント243は、第1端部401と第2端部の402の両方向に均等に伸びる。セグメント243は、隣接するセグメント243から離間し、これによって1つのセグメント243の第1面446と隣接するセグメント243の第2面443との間にギャップ420を維持することができる。ギャップ420は、基板下カバーフレーム133と共に処理するのに適した温度範囲全域に亘ってチェック448の長さ424よりも小さくなるように構成することができる。例えば、ギャップ420は、約0℃から約500℃までチェック448の長さ424よりも小さくなるように構成することができる。加熱時に、基板支持体130は、チェック448の長さ未満だけセグメント243を分離させるように熱膨張することができる。こうして、基板下カバーフレーム133の各々のセグメント243が分離して離れ、第1面446が第2面443に接触しないように、ギャップ420はより小さくされ、これは湾曲又は基板下カバーフレーム133への他の損傷を防止する。
上述したように、セグメント243は、マルチピース基板下カバーフレーム133を形成する。有利には、基板下カバーフレームの熱膨張は考慮されることができ、基板下カバーフレームのリフトピンとの干渉を防止することができる。リフトピンは、有利には、基板のエッジのより近くに配置することができ、基板のより大きな使用可能面積を可能にする。また、マルチピース基板下カバーフレームは、従来のリフトピン位置及び内側での基板下カバーフレームの使用を可能にする。マルチピース基板下カバーフレーム内のレリーフは、リフトピンとマルチピース基板下カバーフレームとの間の重なりを許容し、熱膨張による高温でのずれを最小限に抑える。有利には、基板利用は、リフトピンの位置を移動し、基板上のムラに起因する欠陥の合計面積を最小化することにより増加する。
図5、図6、及び図7は、基板下カバーフレーム133の別の一実施形態の断面側面図、底面図、及び正面図である。図5の基板下カバーフレーム133は、レリーフ238を含むセグメント243の本体131の底面144がボス500を含むことを除いて、図1〜4を参照して上述した基板下カバーフレームと実質的に同じである。ボス500は、セグメント243の本体131の底面144から延び、基板支持体130のボス500の第2棚部141内に形成された凹部504に係合する。ボス500は、取り付け要素230を貫通して延びる締結具333と共に、セグメント243と基板支持体130との間の連結(インターロック)配置機能を提供し、これは、レリーフ238がリフトピン138に接触可能な位置にセグメント243が回転するのを防止する。
図5〜図7に示される実施形態では、ボス500は、内側セグメントエッジ257と同一平面であり、レリーフ238はボス500内に延びている。ボス500はまた、端部401、402及び外側セグメントエッジ258から離れている。
上記の例の実施形態に加えて、追加の非限定的な例は、次のように基板下カバーフレーム133を用いて基板を処理するための方法を説明することができる。
例1. 基板を処理するための方法であって、
8個以上のセグメントを含むマルチピース基板下カバーを有する基板支持体上に基板を配置する工程であって、各々のセグメントは、セグメントを基板支持体に固定するための取り付け要素を有し、セグメントのうちの少なくとも4つは、内側セグメントエッジ上に形成されたレリーフを有し、レリーフと取り付け要素は、内側セグメントから垂直に延びる仮想線上に位置合わせされる工程と、
処理チャンバ内でプラズマを発生させる工程と、
プラズマの存在下において基板支持体上で基板を処理する工程を含む方法。
例1. 基板を処理するための方法であって、
8個以上のセグメントを含むマルチピース基板下カバーを有する基板支持体上に基板を配置する工程であって、各々のセグメントは、セグメントを基板支持体に固定するための取り付け要素を有し、セグメントのうちの少なくとも4つは、内側セグメントエッジ上に形成されたレリーフを有し、レリーフと取り付け要素は、内側セグメントから垂直に延びる仮想線上に位置合わせされる工程と、
処理チャンバ内でプラズマを発生させる工程と、
プラズマの存在下において基板支持体上で基板を処理する工程を含む方法。
上記は本考案の実施形態を対象としているが、本考案の他の及び更なる実施形態は本考案の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の実用新案登録請求の範囲に基づいて定められる。
Claims (15)
- 真空処理チャンバの基板支持体上で使用するためのフレームであって、基板支持体はリフトピンを受け入れるためのリフトピン穴を有し、フレームは、
2つの短い本体と、
矩形形状を形成するために短い本体と相互接続するように構成された2つの長い本体を含み、2つの長い本体の各々は、2以上のセグメントを含み、セグメントのうちの少なくとも1つは、リフトピン穴の少なくとも一部を形成するレリーフを有するフレーム。 - セグメントは、
長い本体と短い本体の内側エッジを形成する内側セグメントエッジと、
内側セグメントエッジと反対側の外側セグメントエッジと、
内側セグメントエッジに隣接する第1端部と、
第1端部と反対側の第2端部とを含み、第1端部は、形状が第2端部と相補的であり、隣接するセグメントの第1端部と第2端部は、伸縮継手を形成する、請求項1記載のフレーム。 - 伸縮継手は、重ね継手であり、第2端部における重ね継手の肩部は、第1端部における重ね継手のチェックに重なるように構成される、請求項2記載のフレーム。
- 各々のセグメントは、
取り付け要素であって、各々の取り付け要素は、セグメントの上面の下に、締結具の頭部を隠すためにセグメント内に形成された座ぐり又は皿穴を含むことができる取り付け要素を含む、請求項2記載のフレーム。 - 取り付け要素は、レリーフ及びフレームの中心又は内側セグメントエッジの垂直面に位置合わせされる、請求項4記載のフレーム。
- マルチピース基板下カバーフレームであって、
内側本体エッジと外側本体エッジを有する矩形フレーム状に形成された本体であって、内側本体エッジは、矩形フレームの開口部を境界付け、本体は、
本体の矩形フレーム形状に配置されるように構成された複数のセグメントであって、各々のセグメントは、
本体の内側エッジを形成する内側セグメントエッジと、
内側セグメントエッジの反対側の外側セグメントエッジと、
内側セグメントエッジに隣接する第1端部と、
第1端部の反対側の第2端部をであって、第1端部は、形状が第2端部と相補的であり、隣接するセグメントの第1端部と第2端部は、伸縮継手を形成する第2端部と、
取り付け要素であって、セグメントのうちの少なくとも4つは、各々内側セグメントエッジ上に形成されたレリーフを更に含む取り付け要素とを含む複数のセグメントを含む本体を含むマルチピース基板下カバーフレーム。 - レリーフと取り付け要素は、内側セグメントから垂直に延びる仮想線上に位置合わせされる、請求項6記載のマルチピース基板下カバーフレーム。
- 処理チャンバであって、
複数の壁と、
底部と、
蓋部であって、複数の壁、底部、及び蓋部は、内部容積を画定する蓋部と、
内部容積内に配置された基板支持体であって、基板支持体は、リフトピン及びマルチピース基板下カバーフレームを有し、マルチピース基板下カバーフレームは、
2つの短い本体と、
矩形形状を形成するために短い本体と相互接続するように構成された2つの長い本体を含み、2つの長い本体の各々は、2以上のセグメントを含み、セグメントのうちの少なくとも1つは、リフトピン穴の少なくとも一部を形成するレリーフを有する基板支持体とを含む処理チャンバ。 - リフトピンの一部は、2つの長い本体に重ならない、請求項8記載の処理チャンバ。
- 2つの長い本体は、
ボスであって、レリーフがボスよりも2つの長い本体内へ更に延びるボスを含む、請求項8記載の処理チャンバ及び請求項1記載のフレーム。 - セグメントは、
長い本体と短い本体の内側エッジを形成する内側セグメントエッジと、
内側セグメントエッジと反対側の外側セグメントエッジと、
内側セグメントエッジに隣接する第1端部と、
第1端部と反対側の第2端部とを含み、第1端部は、形状が第2端部と相補的であり、隣接するセグメントの第1端部と第2端部は、伸縮継手を形成する、請求項8記載の処理チャンバ。 - 伸縮継手は、重ね継手であり、第2端部における重ね継手の肩部は、第1端部における重ね継手のチェックに重なるように構成される、請求項11記載の処理チャンバ。
- 各々のセグメントは、
取り付け要素であって、各々の取り付け要素は、セグメントの上面の下に、締結具の頭部を隠すためにセグメント内に形成された座ぐり又は皿穴を含むことができる取り付け要素を含む、請求項11記載の処理チャンバ。 - 取り付け要素は、レリーフ及びフレームの中心又は内側セグメントエッジの垂直面に位置合わせされる、請求項13記載の処理チャンバ。
- セグメントのうちの2以上は、2つの短い本体の各々を形成する、請求項8記載の処理チャンバ。
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