KR20170000175U - 멀티-피스 기판하 커버 프레임 - Google Patents

멀티-피스 기판하 커버 프레임 Download PDF

Info

Publication number
KR20170000175U
KR20170000175U KR2020150008627U KR20150008627U KR20170000175U KR 20170000175 U KR20170000175 U KR 20170000175U KR 2020150008627 U KR2020150008627 U KR 2020150008627U KR 20150008627 U KR20150008627 U KR 20150008627U KR 20170000175 U KR20170000175 U KR 20170000175U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
segment
edge
segments
frame
Prior art date
Application number
KR2020150008627U
Other languages
English (en)
Other versions
KR200492981Y1 (ko
Inventor
동수 이
로빈 엘. 티너
존 엠. 화이트
윌리엄 노르만 스터링
수영 최
라이 자오
다펭 왕
가쿠 푸루타
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20170000175U publication Critical patent/KR20170000175U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200492981Y1 publication Critical patent/KR200492981Y1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

프로세싱 챔버를 위한 멀티-피스 기판하 커버 프레임이 본원에서 개시된다. 일 실시예에서, 프레임은 2개의 짧은 바디들 및 직사각형 형상을 형성하도록 짧은 프레임들과 인터페이싱하도록 구성되는 2개의 긴 바디들을 가지며, 2개의 긴 바디들의 각각은 둘 또는 그 초과의 세그먼트들(segments)을 포함하고, 상기 세그먼트들 중 적어도 하나는 적어도 리프트 핀 홀의 부분을 형성하는 릴리프(relief)를 갖는다.

Description

멀티-피스 기판하 커버 프레임{MULTI-PIECE UNDER SUBSTRATE COVER FRAME}
[0001] 본원에서 개시되는 실시예들은 일반적으로, 프로세스 챔버에서 웨이퍼들 또는 기판들 상에 막들을 제조하기 위한 장치에 관한 것이다.
[0002] 컴퓨터, 텔레비젼, 및 다른 모니터들과 같은 액티브 매트릭스 디스플레이들을 위해, 액정 디스플레이들 또는 평판들이 일반적으로 사용된다. 평판 디스플레이를 위해, 투명한 기판 또는 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 박막들을 증착하기 위해 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)이 사용된다. PECVD는 일반적으로, 기판을 포함하는 진공 챔버 내로 전구체 가스 또는 가스 혼합물을 도입함으로써 이루어진다. 전구체 가스 또는 가스 혼합물은 전형적으로, 프로세싱 챔버의 최상부 가까이에 놓인 분배 플레이트를 통해 아래쪽으로 지향된다. 프로세싱 챔버 내의 전구체 가스 또는 가스 혼합물은, 프로세싱 챔버 내의 전극에, 이 전극에 커플링된 하나 또는 그 초과의 전력 소스들로부터 무선 주파수(RF) 전력과 같은 전력을 인가함으로써, 플라즈마로 에너자이징된다(예를 들면, 여기된다). 여기된 가스 또는 가스 혼합물은 기판의 표면 상에 재료의 층을 형성하도록 반응한다. 층은, 예를 들면, 패시베이션 층, 게이트 인슐레이터(gate insulator), 버퍼 층, 및/또는 식각 정지 층일 수 있다. 층은, 예를 들면, 디스플레이 디바이스에서 사용되는 액티브 매트릭스 유기 발광 다이오드들(AMOLED) 또는 박막 트랜지스터(TFT)와 같은 더 큰 구조의 부분일 수 있다.
[0003] PECVD 기술들에 의해 프로세싱되는 평판들은 전형적으로 대형이다. 예를 들면, 평판은 4 제곱미터를 초과할 수 있다. 평판 기판의 크기가 계속 커짐에 따라, 외측 엣지에서의 막 품질이 문제가 된다. 섀도우 프레임들(shadow frames)은 전형적으로, 플라즈마로부터 기판 지지부를 보호하기 위해 PECVD에서 사용된다. 그러나, 섀도우 프레임들은 기판의 가장 바깥쪽 엣지를 덮기 때문에, 섀도우 프레임들은: 1) 3 mm 내지 5mm 만큼 엣지 차단부(EE; edge exclusion)를 증가시키고; 2) 기판의 둘레(perimeter)/엣지 영역들 가까이에서의 막 증착에 악영향을 미친다. 엣지 균일성을 개선하고 기판의 이용가능한 구역을 증가시키기 위한 한가지 방법은 섀도우 프레임을 제거하는 것이다. 그러나 섀도우 프레임을 제거할 때, 기판 지지부 표면의 둘레 영역이 플라즈마에 노출될 수 있다. 노출된 둘레 영역을 남기는 것은 기판의 엣지 영역에서 더 높은 증착 레이트들을 초래할 수 있다. 부가적으로, 리프트 핀들은, 리프트 핀이 기판 표면과 접촉하는 구역에 균일성의 부족 또는 무라(mura)를 야기하여서, 이용가능한 기판 구역을 감소시킨다.
[0004] 따라서, PECVD 기술들에 의해 프로세싱되는 기판들에 대해 기판 활용도를 증가시킬 필요가 있다.
[0005] 프로세싱 챔버용 멀티-피스 기판하 커버 프레임(multi-piece under substrate cover frame)이 본원에서 개시된다. 일 실시예에서, 프레임은 2개의 짧은 바디들, 및 직사각형 형상을 형성하기 위해, 짧은 프레임들과 인터페이싱하도록 구성되는 2개의 긴 바디들을 가지며, 2개의 긴 바디들의 각각은 둘 또는 그 초과의 세그먼트들(segments)을 포함하며, 세그먼트들 중 적어도 하나는 리프트 핀 홀의 적어도 부분을 형성하는 릴리프(relief)를 갖는다.
[0006] 다른 실시예에서, 멀티-피스 기판하 커버 프레임은 직사각형 프레임으로 성형된 바디를 갖는다. 바디는 내측 바디 엣지 및 외측 바디 엣지를 가지며, 내측 바디 엣지는 직사각형 프레임의 개구를 한정한다(bound). 바디는 직사각형 프레임 형상의 바디에 배열되도록 구성되는 복수의 세그먼트들(segments)을 포함한다. 각각의 세그먼트는 내측 세그먼트 엣지를 가지며, 내측 세그먼트 엣지들은 바디의 내측 엣지를 형성한다. 각각의 세그먼트는 또한, 내측 세그먼트 엣지 반대쪽의(oppsite) 외측 세그먼트 엣지, 내측 세그먼트 엣지에 인접한 제 1 단부, 및 제 1 단부 반대쪽의 제 2 단부를 가지며, 제 1 단부는 제 2 단부에 대해 형상이 상보적이며(complementary), 인접한 세그먼트들의 제 1 단부 및 제 2 단부는 팽창 조인트(expansion joint)를 형성한다. 각각의 세그먼트는 부가적으로 장착 엘리먼트(mounting element)를 갖는다. 세그먼트들 중 적어도 4개는 내측 세그먼트 엣지 상에 형성된 릴리프(relief)를 가지며, 릴리프 및 장착 엘리먼트는 내측 세그먼트로부터 수직으로 연장하는 가상선 상에 정렬된다.
[0007] 또 다른 실시예에서, 프로세싱 챔버가, 복수의 벽들, 바닥, 및 리드(lid)를 갖는다. 복수의 벽들, 바닥, 및 리드는 내부 용적을 정의한다. 리프트 핀들을 갖는 기판 지지부가 내부 용적 내에 배치된다. 기판 지지부는 멀티-피스 기판하 커버 프레임을 갖는다. 프레임은 2개의 짧은 바디들, 및 직사각형 형상을 형성하기 위해, 짧은 프레임들과 인터페이싱하도록 구성되는 2개의 긴 바디들을 가지며, 2개의 긴 바디들의 각각은 둘 또는 그 초과의 세그먼트들을 포함하며, 세그먼트들 중 적어도 하나는 리프트 핀 홀의 적어도 부분을 형성하는 릴리프를 갖는다.
[0008] 본 고안의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 고안의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있으며, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 고안의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 고안의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 고안이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 가스 제한기 조립체(gas confiner assembly)를 갖는 프로세스 챔버의 일 실시예의 개략적 단면도이다.
[0010] 도 2는 도 1의 기판 지지부 상에 배치된 기판하 커버 프레임의 평면도이다.
[0011] 도 3은 도 2에 도시된 기판하 커버 프레임의 3-3 단면선을 통해 취한 단면도이다.
[0012] 도 4는 도 2에 도시된 기판하 커버 프레임의 4-4 단면선을 통해 취한 단면도이다.
[0013] 도 5는 기판하 커버 프레임의 다른 실시예의 측단면도이다.
[0014] 도 6은 도 5의 기판하 커버 프레임의 저면도이다.
[0015] 도 7은 도 5의 기판하 커버 프레임의 정면도이다.
[0016] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 공통적인 동일한 엘리먼트들을 지시하기 위해, 가능한 경우, 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가 설명 없이도 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있는 것으로 생각된다.
[0017] 본 개시내용은 일반적으로, 기판들의 엣지 영역들에서의 고 증착 레이트들을 감소시키도록 설계된 기판하 커버 프레임에 관한 것이다. 기판하 커버 프레임은 비-섀도우 프레임 기판 지지부와 사용될 수 있으며, 가스 제한기가 있거나 없이 사용될 수 있다. 기판하 커버 프레임은 베이스 및 커버를 포함한다. 커버는 저 임피던스/캐패시턴스를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 베이스는 저 임피던스/캐패시턴스를 가질 수 있다. 기판하 커버 프레임의 부분은 프로세싱 동안 기판 아래에서 연장할 수 있다. 이론에 의해 제한되지는 않지만, 저 임피던스 커버는 기판 지지부의 엣지에서의 임피던스 미스매치를 감소시킴으로써 막 증착 균일성을 향상시키는 것으로 생각된다.
[0018] 본원의 실시예들은, 캘리포니아 산타클라라의 Applied Materials, Inc.의 사업부인 AKT America, Inc.로부터 입수가능한 PECVD 시스템과 같은, 대면적 기판들을 프로세싱하도록 구성된 PECVD 시스템과 관련하여 하기에서 예시적으로 설명된다. 그러나, 개시된 주제는 다른 시스템 구성들, 이를테면 식각 시스템들, 다른 화학 기상 증착 시스템들, 및 다른 플라즈마 프로세싱 시스템들에서 활용도를 갖는 것으로 이해되어야 한다. 본원에서 개시된 실시예들은 다른 제조업자들에 의해 제공된 프로세스 챔버들을 사용하여 실행될 수 있음이 또한 이해되어야 한다.
[0019] 도 1은 TFT들 및 AMOLED들과 같은 전자 디바이스들을 형성하기 위한 프로세싱 챔버(100)의 일 실시예의 개략적 단면도이다. 프로세싱 챔버(100)는 PECVD 챔버이다. 도시된 바와 같이, 프로세싱 챔버(100)는, 벽들(102), 바닥(104), 확산기(110), 및 기판 지지부(130)를 포함한다. 벽들(102), 바닥(104), 및 확산기(110)는 공동으로, 기판 지지부(130)를 내부에 갖는 프로세스 용적(106)을 정의한다. 프로세스 용적(106)은 벽들(102)을 통해 형성된 밀봉가능한 슬릿 밸브 개구(108)를 통해 접근되며, 그에 따라 프로세싱 챔버(100) 내부로 및 외부로 기판(105)이 이송될 수 있다. 일 실시예에서, 기판(105)은 1850 mm x 1500 mm이다. 다른 실시예들에서, 기판(105)은 다른 치수들을 가질 수 있다.
[0020] 확산기(110)는 커플링(114)에 의해 주변부에서 백킹 플레이트(112)에 결합된다. 확산기(110)는 또한, 확산기(110)의 진직도/곡률을 제어하고 그리고/또는 처짐을 방지하는 것을 돕기 위해, 하나 또는 그 초과의 중심 지지부들(116)에 의해 백킹 플레이트(112)에 결합될 수 있다. 가스 소스(120)가 백킹 플레이트(112)에 커플링된다. 가스 소스(120)는, 확산기(110)에 형성된 복수의 가스 통로들(111)을 통해 프로세스 용적(106)에 하나 또는 그 초과의 가스들을 제공할 수 있다. 적합한 가스들은, 실리콘-함유 가스, 질소-함유 가스, 산소-함유 가스, 불활성 가스, 또는 다른 가스들을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 대표적인 실리콘-함유 가스들은 실란(SiH4)을 포함한다. 대표적인 질소-함유 가스들은, 질소(N2), 아산화질소(N2O) 및 암모니아(NH3)를 포함한다. 대표적인 산소-함유 가스들은 산소(O2)를 포함한다. 대표적인 불활성 가스들은 아르곤(Ar)을 포함한다. 대표적인 다른 가스들은, 예를 들면 수소(H2)를 포함한다.
[0021] 진공 펌프(109)가 프로세싱 챔버(100)에 커플링되어, 프로세스 용적(106) 내의 압력을 제어한다. 확산기(110)에 RF 전력을 제공하기 위해, 백킹 플레이트(112)에 그리고/또는 확산기(110)에 직접적으로 RF 전력 소스(122)가 커플링된다. RF 전력 소스(122)는 확산기(110)와 기판 지지부(130) 사이에 전기장을 생성할 수 있다. 생성된 전기장은 확산기(110)와 기판 지지부(130) 사이에 존재하는 가스들로부터 플라즈마를 형성할 수 있다. 다양한 RF 주파수들이 사용될 수 있다. 예를 들면, 주파수는 약 0.3 MHz 내지 약 200 MHz, 이를테면 약 13.56 MHz일 수 있다.
[0022] 원격 플라즈마 소스(124), 이를테면 유도 결합된 원격 플라즈마 소스가 또한, 가스 소스(120)와 백킹 플레이트(112) 사이에 커플링될 수 있다. 기판들을 프로세싱하는 사이에, 원격 플라즈마 소스(124)에 세정 가스가 제공될 수 있다. 세정 가스는 원격 플라즈마 소스(124) 내에서 플라즈마로 여기되어, 원격 플라즈마를 형성할 수 있다. 원격 플라즈마 소스(124)에 의해 생성된 여기된 종은 프로세싱 챔버(100) 내로 제공되어서, 챔버 컴포넌트들을 세정할 수 있다. 세정 가스는, 해리된(dissociated) 세정 가스 종의 재결합을 감소시키기 위해, RF 전력 소스(122)에 의해 추가로 여기되어, 확산기(110)를 통해 유동하도록 제공될 수 있다. 적합한 세정 가스들은 NF3, F2, 및 SF6를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다.
[0023] 프로세싱 챔버(100)는 임의의 재료, 이를테면 실리콘-함유 재료를 증착하는데 사용될 수 있다. 예를 들면, 프로세싱 챔버(100)는, 비정질 실리콘(a-Si), 실리콘 질화물(SiNx), 및/또는 실리콘 산화물(SiOx)로 된 하나 또는 그 초과의 층들을 증착하는데 사용될 수 있다. 실리콘-함유 층은 TFT의 층으로서 또는 AMOLED의 부분으로서 디스플레이 디바이스에서 사용될 수 있다. 예를 들면, 실리콘-함유 층은 게이트 인슐레이터 막, 버퍼 층, 또는 식각 정지 층으로서 사용될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 실리콘 질화물 층은, 예를 들면, 베이스 실리콘 질화물 층 또는 게이트 실리콘 질화물 층으로서 사용될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 실리콘 산화물 층은, 예를 들면, 베이스 실리콘 산화물 층 또는 게이트 실리콘 산화물 층으로서 사용될 수 있다.
[0024] 일 실시예에서, 기판 지지부(130)는 알루미늄 재료로 제조된다. 예를 들면, 기판 지지부(130)는 알루미늄 산화물 또는 양극산화된(anodized) 알루미늄을 포함할 수 있다. 기판 지지부(130)는 기판(105)을 지지하기 위한 기판 수용 표면(132)을 포함한다. 스템(134)이 일 단부에서, 기판 수용 표면(132)의 반대쪽에 있는 기판 지지부(130)에 커플링된다. 스템(134)은 대향 단부에서 리프트 시스템(136)에 커플링되어, 기판 지지부(130)를 상승시키고 하강시킨다. 기판 지지부(130)는 또한, 기판 지지부(130)의 주변부에 RF 접지를 제공하기 위해, 접지 스트랩들(151)을 포함할 수 있다. 동작중에, 기판 지지부(130)의 기판 수용 표면(132)과 확산기(110)의 바닥 표면(150) 사이의 간격은 약 10 밀리미터(mm) 내지 약 30 mm일 수 있다.
[0025] 일 실시예에서, 가열 및/또는 냉각 엘리먼트들(139)은, 증착 동안 기판 지지부(130) 및 기판 지지부(130) 상에 지지되는 기판(105)의 온도를 유지하는데 사용될 수 있다. 예를 들면, 기판 지지부(130)의 온도는 섭씨 약 400도(℃) 미만으로 유지될 수 있다. 일 실시예에서, 가열 및/또는 냉각 엘리먼트들(139)은 기판 온도를 약 100℃ 미만, 이를테면 약 20℃ 내지 약 90℃로 제어하는데 사용될 수 있다.
[0026] 기판 이송을 용이하게 하도록 기판 수용 표면(132)으로 그리고 기판 수용 표면(132)으로부터 기판(105)을 이동시키기 위해, 리프트 핀들(138)이 기판 지지부(130)의 리프트 핀 홀(도 2의 항목(292))을 통하여 이동가능하게 배치된다. 리프트 핀들(138)은, 기판 수용 표면(132) 상에 배치되는 기판(105)의 외측 엣지(107)에 근접하여 기판 지지부(130) 상에 위치될 수 있다. 이런 방식으로, 기판(105)과 접촉하는 리프트 핀들(138)로부터의 임의의 불규칙성(irregularity)들은, 기판(105) 상의 결함들이 없는 이용가능한 구역을 증가시키기 위해, 기판(105)의 외측 엣지(107)로 귀속된다(relegated).
[0027] 기판 지지부(130)의 주변부 둘레에 가스 제한기 조립체(129)가 배치된다. 일 실시예에서, 가스 제한기 조립체(129)는 기판하 커버 프레임(133) 및 가스 제한기(135)를 포함한다. 도시된 바와 같이, 가스 제한기 조립체(129)는 기판 지지부(130)의 주변부에 형성된 제 1 렛지(140) 및 제 2 렛지(141) 상에 위치된다. 다른 실시예들에서, 가스 제한기 조립체(129)는, 예를 들면, 기판 지지부(130)에 가스 제한기 조립체(129)를 고정하기 위해 파스너가 사용될 수 있는 것과 같이, 대안적인 방식으로 기판 지지부(130)에 인접하여 위치될 수 있다. 가스 제한기 조립체(129)는 기판(105)의 외측 엣지(107) 상에서의 고 증착 레이트들을 감소시키도록 구성된다. 일 실시예에서, 가스 제한기 조립체(129)는, 기판(105)의 넓은 범위의 균일성 프로파일에 영향을 주지 않으면서, 기판(105)의 엣지들에서의 고 증착 레이트들을 감소시킨다.
[0028] 가스 제한기(135)는 기판하 커버 프레임(133) 위에 위치될 수 있다. 도시된 바와 같이, 가스 제한기(135)는 기판하 커버 프레임(133) 바로 위에 그리고 기판하 커버 프레임(133)과 접촉하여 위치된다. 가스 제한기(135)와 기판(105)의 외측 엣지(107) 사이에 갭(137)이 형성될 수 있다. 가스 제한기(135)는 비-금속성의, 세라믹 또는 유리 재료로 제조될 수 있다. 예를 들면, 가스 제한기(135)는 알루미늄 산화물(Al2O3)과 같은 세라믹으로 제조될 수 있다.
[0029] 도시된 바와 같이, 기판하 커버 프레임(133)은 기판 지지부(130)의 기판 수용 표면(132)의 주변부 상에 위치되고 그 둘레에 배치된다. 기판하 커버 프레임(133)은, 바닥 표면(144) 및 최상부 표면(143)을 포함하는 바디(131)를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 바디(131)는 바닥 표면(144)으로부터 최상부 표면(143) 까지 단일 특성들을 갖는 재료로 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판하 커버 프레임(133)은, 알루미늄 산화물, 양극산화된 알루미늄, 또는 다른 적합한 세라믹 재료로 구성될 수 있다. 다른 실시예들에서, 바디(131)는 이를테면, 3D 인쇄 작업에서 다양한 재료들로 형성될 수 있으며, 바닥 표면(144)의 특성들은 최상부 표면(143)의 특성들과 상이할 수 있다. 바디(131)는 비-금속 재료, 이를테면 세라믹 또는 유리 재료로 형성될 수 있다. 대표적인 세라믹 재료들은 알루미늄 산화물, 양극산화된 알루미늄을 포함한다.
[0030] 몇몇 실시예들에서, 기판하 커버 프레임(133)은 프로세싱 동안 중력에 의해 기판 지지부(130)에 대해 유지된다. 몇몇 실시예들에서, 기판하 커버 프레임(133)은, 기판 지지부(130)로부터 돌출하는 하나 또는 그 초과의 포스트들(미도시)과 맞물리는, 기판하 커버 프레임(133)의 바닥 표면에 형성된 하나 또는 그 초과의 노치들(미도시)을 사용하여, 기판 지지부(130)와 정렬될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 기판 지지부(130) 내의 하나 또는 그 초과의 노치들(미도시)은 기판 지지부(130)에 기판하 커버 프레임(133)을 고정시키기 위해, 기판하 커버 프레임(133)의 바닥 표면으로부터 돌출하는 하나 또는 그 초과의 포스트들(미도시)과 정렬될 수 있다. 다른 실시예들에서, 기판하 커버 프레임(133)은 파스너(예를 들면, 도 3에 도시된 파스너(333))에 의해 기판 지지부에 체결된다. 일 실시예에서, 기판하 커버 프레임(133)은 가스 제한기(135)와 정렬시키기 위한 하나 또는 그 초과의 위치결정 핀(locating pin)들(미도시)을 포함한다. 다른 실시예들에서, 기판하 커버 프레임(133)은 대안적인 기술에 의해 기판 지지부에 고정될 수 있다. 기판하 커버 프레임(133)은 기판 프로세싱 동안 기판 지지부(130)의 둘레 엣지들을 커버하도록 구성된다. 부가적으로, 기판하 커버 프레임(133)은, 기판(105)이 기판 지지부(130) 상에 배치되는 경우, 기판(105)의 외측 엣지(107) 아래에 배치되도록 구성된다. 기판하 커버 프레임(133)은, 기판 프로세싱 동안 기판 지지부(130)가 플라즈마에 노출되는 것을 방지한다.
[0031] 도 2는 도 1의 기판 지지부(130) 상에 배치된 기판하 커버 프레임(133)의 평면도이다. 기판하 커버 프레임(133)은 개구(280)를 갖는 직사각형 프레임 형상을 가질 수 있다. 기판하 커버 프레임(133)의 바디(131)는 내측 바디 엣지(247) 및 외측 바디 엣지(249)를 가질 수 있다. 내측 바디 엣지(247)는 직사각형 프레임의 중심 부분을 정의하는 개구(280)를 한정한다. 기판하 커버 프레임(133)의 바디(131)는 외측 바디 엣지(249) 상의 가스 제한기(135)에 의해 부분적으로 커버될 수 있다. 예를 들면, 가스 제한기(135)의 내측 주변부(235)는 외측 바디 엣지(249)의 최상부 표면(143)과 오버랩핑할 수 있다. 부가적으로, 기판하 커버 프레임(133)의 바디(131)에 대한 내측 바디 엣지(247)는 기판(105)에 의해 부분적으로 커버되도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 기판(105)이 기판 지지부(130) 상에 배치되는 경우, 기판(105)의 외측 주변부(205)는 내측 바디 엣지(247)의 최상부 표면(143)과 오버랩핑할 수 있다. 기판 지지부(130)는, 하기에서 더 논의될, 기판하 커버 프레임(133)의 부분들을 나타내기 위해, 가스 제한기(135)가 없는 기판 지지부(130)의 평면도로 도시된다.
[0032] 기판하 커버 프레임(133)은 복수의 세그먼트들(243)로 구성될 수 있다. 세그먼트들(243)은 기판하 커버 프레임(133)의 직사각형 프레임 형상을 형성하게 배열되도록 구성된다. 각각의 세그먼트(243)는, 기판하 커버 프레임(133)의 바디(131)의 내측 세그먼트 엣지(257)의 부분을 형성하는 내측 세그먼트 엣지(257)를 갖는다. 각각의 세그먼트(243)는 부가적으로, 내측 세그먼트 엣지(257) 반대쪽의 외측 세그먼트 엣지(258)를 갖는다.
[0033] 세그먼트들(243)은 유사한 재료, 예를 들면 세라믹 재료로 각각 형성될 수 있다. 세그먼트들(243)은 기판하 커버 프레임(133)을 직사각형 형상으로 완전히 형성할 수 있다. 대안적으로, 기판하 커버 프레임(133)은 기판(105)과 유사하게 성형될 수 있다. 예를 들면, 기판하 커버 프레임(133)은 형상이 원형일 수 있다. 직사각형 형상을 갖는 기판하 커버 프레임(133)에 대해, 둘 또는 그 초과의 세그먼트들(243)이 제 1 측(201)을 함께 형성할 수 있다. 부가적으로, 둘 또는 그 초과의 세그먼트들(243)이 제 2 측(202)을 형성할 수 있다. 제 3 측(203) 및 제 4 측(204)은 또한, 기판하 커버 프레임(133)의 둘 또는 그 초과의 세그먼트들(243)에 의해 형성될 수 있다. 세그먼트들(243)은 각각 폭(237)을 가질 수 있으며, 그에 따라, 인접한 세그먼트들(243)의 폭(237)은 실질적으로 유사할 수 있다. 대안적으로, 폭(237)은 기판하 커버 프레임(133)의 제 2 측(202)과 기판하 커버 프레임(133)의 제 1 측(201)에 대하여 상이할 수 있다.
[0034] 기판하 커버 프레임(133)의 세그먼트들(243)은 길이(244)를 가질 수 있다. 각각의 세그먼트(243)에 대한 길이(244)는 유사할 수 있다. 대안적으로, 세그먼트들(243)의 길이들(244)은 다를 수 있다. 일 실시예에서, 길이(244)는 폭(237)을 초과한다.
[0035] 각각의 세그먼트(243)는, 파스너(예를 들면, 도 3에서 보다 명확히 도시된 파스너(333))를 사용하여 기판 지지부(130)에 세그먼트(243)를 고정하기 위한 장착 엘리먼트(230), 이를테면 스루홀을 가질 수 있다. 장착 엘리먼트(230)는 세그먼트(243)의 표면 아래에 파스너(333)의 헤드를 리세싱하기 위한, 세그먼트(243) 내에 형성된 리세스, 이를테면 스폿 페이스(spot face) 또는 카운터싱크(countersink)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 세그먼트(243)는 스루홀(장착 엘리먼트(230))을 가지며, 파스너(333), 이를테면 기계 나사 또는 다른 적합한 파스너가 이러한 스루홀을 통과하며, 기판 지지부(130)에 형성된 나사가공된 홀과 맞물리며, 그에 따라 세그먼트(243)를 기판 지지부(130)에 고정한다. 대안적으로, 세그먼트들(243)은 기판 지지부(130)에 부착되거나 핀 고정될(pinned) 수 있다. 다른 실시예에서, 장착 엘리먼트(230)는, 기판 지지부(130) 내의 홀과 맞물림으로써 세그먼트들(243)을 기판 지지부(130) 상에 위치시키도록 구성되는 핀을 가질 수 있다. 유리하게, 기판하 커버 프레임(133)을 상승 및 하강시키기 위해, 이를테면 기판 지지부(130)에 기판하 커버 프레임 리프트 핀(미도시)이 제공될 수 있으며, 이러한 기판하 커버 프레임 리프트 핀은 프로세싱 챔버(100)의 내부로 및 외부로 기판하 커버 프레임(133)의, 로봇에 의한 이송을 용이하게 할 수 있다.
[0036] 세그먼트들(243) 중 하나 또는 그 초과는 내측 세그먼트 엣지(257)에 형성된 릴리프(238)를 가질 수 있다. 다른 세그먼트들(243)은 릴리프(238)를 가지지 않으며, 그에 따라 내측 세그먼트 엣지(257)는 중단(interruption) 없이 직선으로 연장한다. 릴리프(238)는 리프트 핀들(138)에 인접할 수 있으며, 리프트 핀 홀(292)의 부분을 형성할 수 있다. 릴리프(238)는 리프트 핀(138)이 동작하는 공간을 제공할 수 있다. 릴리프(238)는 내측 세그먼트 엣지(257)의 노치 또는 함몰부(depression)를 생성하도록, 내측 세그먼트 엣지(257)로부터 외측 세그먼트 엣지(258) 쪽으로 연장할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 리프트 핀(138)의 부분은 내측 세그먼트 엣지(257)의 내부로 연장할 수 있다. 따라서, 리프트 핀(138)은 기판하 커버 프레임(133)의 내측 세그먼트 엣지(257)의 평면을 중단시킬(break) 수 있다.
[0037] 부가적으로, 릴리프(238)는 리프트 핀들(138)의 간섭 없이, 기판하 커버 프레임(133) 및 기판 지지부(130)의 열팽창을 수용하는 방식으로, 장착 엘리먼트(230)와 정렬될 수 있다. 일 실시예에서, 장착 엘리먼트(230), 릴리프(238) 및 리프트 핀(138)을 통하여 가상선(284)이 도시될 수 있으며, 가상선은 내측 세그먼트 엣지(257)에 대해 실질적으로 수직하다. 가상선(284)을 따르는, 장착 엘리먼트(230), 릴리프(238) 및 리프트 핀(138)의 정렬은, 내측 세그먼트 엣지(257)에 평행한 방향으로의 기판하 커버 프레임(133) 및 기판 지지부(130)의 상대적 팽창으로 인해 세그먼트(243)가 리프트 핀(138)을 바인딩(binding)하는 것(즉, 접촉하는 것)을 방지한다. 다른 실시예에서, 장착 엘리먼트(230), 릴리프(238) 및 리프트 핀(138)은 기판 지지부(130)의 중심(290)과 방사상으로 정렬된다. 또 다른 실시예에서, 릴리프(238) 및 리프트 핀(138)은 장착 엘리먼트(230)와 정렬되지 않는다. 릴리프(238)와 장착 엘리먼트(230) 사이의 거리는, 개별적인 세그먼트(243)의 열 팽창이 리프트 핀(138)과 릴리프(238)를 오정렬시키지 않도록 충분히 작을 수 있다.
[0038] 기판하 커버 프레임(133)은, 서로에 대해 이동가능한 개별적인 세그먼트들(243)로 제조되기 때문에, 세그먼트들(243)은 내측 세그먼트 엣지(257)에 대해 평행으로의 기판하 커버 프레임(133)의 압축 또는 휨(bowing)을 방지하며, 이는 또한 리프트 핀들(138)을 바인딩하지 않고 기판하 커버 프레임(133)에 대해 기판 지지부(130)가 팽창하도록 허용한다. 부가적으로, 내측 세그먼트 엣지(257)에 대해 수직한 방향으로의, 기판하 커버 프레임(133) 및 기판 지지부(130)의 상대적 팽창은, 리프트 핀(138)의 외부에서 세그먼트(243)를 핀 결합시키는(pinning) 장착 엘리먼트(230)의 위치에 의해 수용되어서, 기판 지지부(130)의 팽창 계수보다 더 작은 팽창 계수를 갖는 세그먼트(243)로 인해, 기판 지지부(130)가 기판하 커버 프레임(133)에 대해 팽창함에 따라, 릴리프(238)와 리프트 핀(138) 사이의 간극(clearance)은 실제로 커지며, 그에 따라, 사용중인 경우, 리프트 핀(138)의 바인딩을 방지한다. 세그먼트(243)에 형성된 릴리프(238)는 종래의 디자인들에 비해, 리프트 핀들(138)이 내측 세그먼트 엣지(257)에 더 가까이 배치되도록 허용하며, 기판하 커버 프레임(133)이 리프트 핀들(138)과 접촉하는 것 그리고 낮은 온도들에서 리프트 핀들의 동작을 방해하는 것을 방지한다. 리프트 핀들(138)이 기판(105)의 외측 주변부(205)에 더 가까울수록, 더 많은 이용가능한 기판 구역이 실현되는데, 이는 리프트 핀들(138) 위의 기판 상에서의 열 차이들로부터 이끌어지는(prevent) 임의의 무라(mura)가 기판(105)의 최외측 엣지에 놓여지기(consigned) 때문이다.
[0039] 도 3은 도 2에 도시된 기판하 커버 프레임(133)의 3-3 단면선을 통하여 취한 단면도이다. 가스 제한기(135)가 기판하 커버 프레임(133)의 최상부 표면(143) 상에 배치된 상태로 도시된다. 기판하 커버 프레임(133)은 장착 엘리먼트(230)에서 기판 지지부(130)에 부착된다. 도 3에 도시된 실시예에서, 파스너(333)는 장착 엘리먼트(230)를 통과하며, 기판하 커버 프레임(133)을 기판 지지부(130)에 나사결합방식으로(threadingly) 부착한다. 기판(105)은 기판 지지부(130)의 기판 수용 표면(132) 상에 배치된다.
[0040] 기판(105)은 길이(330)만큼, 예를 들면, 몇 밀리미터만큼 기판하 커버 프레임(133)과 오버랩핑할 수 있다. 기판하 커버 프레임(133)과의 오버랩의 길이(330)는 기판 지지부(130)의 열 팽창에 따라 달라질 수 있다. 기판하 커버 프레임(133)은 장착 엘리먼트(230)에서 파스너(333)에 의해 기판 지지부(130)에 고정되며, 그에 따라, 기판 지지부(130)가 가열되고 냉각될 때, 리프트 핀(138)과의 정렬을 유지한다.
[0041] 리프트 핀(138)은 기판(105)을 상승 및 하강시키도록 동작가능하다. 리프트 핀은 기판(105)의 하면(306)과 접촉한다. 기판(105)의 하면(306)은 리프트 핀(138)의 구역(305)에서 프로세싱 레이트의 불규칙성을 겪을 수 있는데, 이는 리프트 핀(138)에서의 기판 지지부(130) 내에 온도 차(temperature differential)가 있기 때문이다. 불규칙성은 결함을 초래할 수 있다. 구역(305)은 리프트 핀(138)에서의 온도 차에 의해 생성된 불규칙성으로 인해 사용할 수 없게 될 수 있다. 기판(105)의 이용가능한 결함 없는 구역을 증가시키기 위해, 결함들을 갖는 구역(305)은 기판(105)의 외측 주변부(205)에 가능한 가까이에서 리프트 핀(138)을 기판(105)과 접촉시킴으로써 감소될 수 있다.
[0042] 리프트 핀(138)은, 기판하 커버 프레임(133)에 릴리프(238)를 제공함으로써, 기판(105)의 외측 주변부(205)에 더 가까이 위치될 수 있다. 예를 들면, 릴리프(238)는, 기판하 커버 프레임(133)이 리프트 핀(138)의 동작을 방해하지 않으면서, 리프트 핀이 기판하 커버 프레임(133)의 내측 세그먼트 엣지(257)와 오버랩핑하도록 허용할 수 있다. 일 실시예에서, 릴리프(238)는 몇 밀리미터, 예를 들면, 리프트 핀(138)의 헤드의 직경의 약 절반을 약간 초과하는 깊이(342)를 갖는다. 리프트 핀(138)을 바인딩하지 않으면서 기판하 커버 프레임(133)이 열적으로 팽창하도록 허용하기 위해, 리프트 핀(138)과 릴리프(238) 사이에 갭(344)이 정의된다.
[0043] 도 4는, 기판하 커버 프레임(133)의 부분을 형성하는 다수의 세그먼트들(243)을 예시하는 도 2에 도시된 기판하 커버 프레임(133)의 4-4 단면선을 통해 취한 단면도이다. 세그먼트들(243)은 기판 지지부(130) 상에 배치된 상태로 도시된다. 각각의 세그먼트는 제 1 단부(401) 및 제 2 단부(402)를 갖는다. 세그먼트(243)의 각각의 단부(401, 402)는, 인접한 세그먼트(243)의 반대쪽 단부(401, 402)와 팽창 조인트(450)를 형성하기 위한 상보적인 기하형상을 갖는다. 예를 들면, 세그먼트(243)의 제 1 단부(401)는 팽창 조인트(450)의 제 1 측을 형성하는 한편, 제 2 단부(402)는 제 1 단부(401)의 기하형상과 상보적인 기하형상을 가지며, 따라서 팽창 조인트(450)의 제 2 측을 형성한다. 팽창 조인트들(450)은 내측 세그먼트 엣지들(257)의 각각에 대해 평행한 방향으로 기판하 커버 프레임(133)의 열 팽창을 허용하면서, 기판하 커버 프레임(133) 위에 정의된 프로세스 용적(106)의 영역(460)으로부터 기판 지지부(130)로의 가시선(line of sight)을 차단, 즉 직접적인 노출을 방지한다. 따라서, 영역(460) 내의 화학 물질들, 가스들, 플라즈마 또는 다른 환경적 엘리먼트들이 기판 지지부(130)와 접촉하지 않는다.
[0044] 팽창 조인트(450)는, 기판하 커버 프레임(133)의 인접한 세그먼트(243)에 대한 기판하 커버 프레임(133)의 하나의 세그먼트의 이동을 허용한다. 인접한 세그먼트들(243) 사이에 형성된 팽창 조인트들(450)은 기판하 커버 프레임(133)이 기판 지지부(130)의 팽창 및 온도의 변화들에 따라 팽창 또는 수축하도록 허용한다. 팽창 조인트(450)는, 각각의 인접한 세그먼트(243)에 대한 기판하 커버 프레임(133)의 개별적인 세그먼트들(243)의 이동을 허용하면서, 프로세싱 영역(460)과 기판 지지부(130) 사이에 가시선을 차단하는, 랩 조인트(lap joint), 스카프(scarf) 조인트, 핑거 조인트, 또는 다른 적합한 조인트일 수 있다.
[0045] 일 실시예에서, 팽창 조인트(450)는 랩 조인트이다. 세그먼트들(243)의 단부들(401, 402)은, 체크(check)(448) 및 숄더(shoulder)(452) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 단부(401)는 체크(448)를 가질 수 있는 반면, 제 2 단부(402)는 제 2 단부(402)에 숄더(452)를 가질 수 있다. 대안적으로, 단부들(401, 402)은 도 7에 도시된 실시예에 나타낸 바와 같이, 양자 모두 체크들(448)을 가질 수 있으며, 이는 대면하는(facing) 단부에 숄더(452)를 갖는 인접하는 접경(abutting) 세그먼트(243)와 양 측에서(on either side) 정합하도록(mate) 구성된다.
[0046] 도 4를 계속 참조하면, 체크(448)는 기판 지지부(130)의 팽창을 수용하기 적합한 길이(426)를 가질 수 있다. 숄더(452)는 체크(448)의 길이(426)에 상응하는(commensurate) 길이(424)를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 길이들(424, 426)은 실질적으로 유사하다. 체크(448)는, 세그먼트들(243)이 기판 지지부(130) 상에서 기판하 커버 프레임(133)을 형성하도록 접경될(abutted) 때, 숄더(452) 아래에서 슬라이딩하도록 구성된다. 기판하 커버 프레임(133)을 형성하는 세그먼트들(243)의, 체크(448)에 대한 길이(426) 및 숄더(452)에 대한 길이(424)는, 아킹(arcing) 또는 플라즈마 통과(plasma passage)를 방지하기 위해, 높은 온도들에서 세그먼트들(243) 사이의 갭(420)을 유지하도록 선택된다. 부가적으로, 인접한 세그먼트들(243) 사이의 팽창 조인트(450)는, 제 1 및 제 2 단부들(401, 402)이 맞물릴 때, 세그먼트들(243)의, 바닥 표면(144)뿐만 아니라 최상부 표면(143)이 동일 평면에 유지되도록 허용한다.
[0047] 각각의 세그먼트(243)는 장착 엘리먼트(230)에서 기판 지지부(130)에 고정된다. 따라서, 열 팽창으로 인해 기판 지지부(130)가 커질 때, 릴리프(238)가 리프트 핀들(138)과의 정렬을 유지하면서, 세그먼트들(243)은 제 1 단부(401) 및 제 2 단부(402)의 양쪽 방향으로 동등하게 커진다. 세그먼트들(243)은 하나의 세그먼트(243)의 제 1 면(446)과 인접한 세그먼트들(243)의 제 2 면(443) 사이에 갭(420)을 유지하도록, 인접한 세그먼트들(243)로부터 이격될 수 있다. 갭(420)은, 기판하 커버 프레임(133)에 대한 프로세싱에 적합한 온도 범위에 걸쳐서 체크(448)의 길이(424) 미만이되도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 갭(420)은 섭씨 약 0도 내지 섭씨 약 500도에서 체크(448)의 길이(424) 미만이되도록 구성될 수 있다. 가열될 때, 기판 지지부(130)는 체크(448)의 길이 미만만큼 세그먼트들(243)을 분리시키도록 열적으로 팽창할 수 있다. 따라서, 갭(420)은, 기판하 커버 프레임(133)의 각각의 세그먼트(243)가 떨어져 분리되고 제 1 면(446)이 제 2 면(443)과 접촉하지 않을 때 더 작게 만들어지며, 이는 기판하 커버 프레임(133)에 대한 휨(bowing) 또는 다른 손상을 방지한다.
[0048] 전술된 바와 같이, 세그먼트들(243)은 멀티-피스 기판하 커버 프레임(133)을 형성한다. 유리하게, 기판하 커버 프레임의 열 팽창이 고려될 수 있으며, 리프트 핀들과 기판하 커버 프레임의 간섭이 방지될 수 있다. 리프트 핀들은 유리하게, 기판의 엣지에 더 가까이 배치되어서 기판의 더 많은 이용가능한 구역을 허용할 수 있다. 부가적으로, 멀티-피스 기판하 커버 프레임은, 레거시 리프트 핀(legacy lift pin) 위치들 및 내부(inward)에 대한 기판하 커버 프레임의 사용을 허용한다. 멀티-피스 기판하 커버 프레임 내의 릴리프는 리프트 핀들과 멀티-피스 기판하 커버 프레임 사이의 오버랩을 허용하며, 높은 온도에서 열 팽창으로 인한 오정렬을 최소화한다. 유리하게, 리프트 핀 위치에서 움직임으로써 그리고 기판 상의 무라(mura)로부터의 결함들에 대한 전체 구역을 최소화함으로써, 기판 활용도가 증가할 것이다.
[0049] 도 5, 6 및 7은 기판하 커버 프레임(133)의 다른 실시예의 측단면도, 저면도, 및 정면도이다. 도 5의 기판하 커버 프레임(133)은, 릴리프(238)를 포함하는 세그먼트(243)의 바디(131)의 바닥 표면(144)이 보스(boss)(500)를 포함하는 것을 제외하면, 도 1-4에 관하여 전술된 기판하 커버 프레임과 실질적으로 동일하다. 보스(500)는 세그먼트(243)의 바디(131)의 바닥 표면(144)으로부터 연장하며, 기판 지지부(130)의 제 2 렛지(141)에 형성된 리세스(504)에 맞물린다. 장착 엘리먼트(230)를 통해 연장하는 파스너(333)와 함께, 보스(500)는 기판 지지부(130)와 세그먼트(243) 사이에 2개의 연동하는 위치결정 피쳐들(interlocking locating features)을 제공하며, 이는 릴리프(238)가 리프트 핀(138)과 접촉할 수 있는 위치로 세그먼트(243)가 회전하는 것을 방지한다.
[0050] 도 5-7에 도시된 실시예에서, 보스(500)는 내측 세그먼트 엣지(257)와 같은 높이이며(flush), 릴리프(238)는 보스(500) 내로 연장한다. 보스(500)는 또한, 단부들(401, 402) 및 외측 세그먼트 엣지(258)로부터 이격되어 있다.
[0051] 상기에서 설명된 예시적인 실시예들에 부가하여, 부가적인 비-제한적 예가 설명될 수 있으며, 기판하 커버 프레임(133)을 사용하여 기판을 프로세싱하기 위한 방법은 다음과 같다.
예 1. 기판을 프로세싱하기 위한 방법으로서, 이 방법은:
8개 또는 그 초과의 세그먼트들을 포함하는 멀티-피스 기판하 커버 프레임을 갖는 기판 지지부 상에 기판을 배치하는 단계 ― 각각의 세그먼트는 기판 지지부에 세그먼트를 고정하기 위한 장착 엘리먼트를 갖고, 세그먼트들 중 적어도 4개의 세그먼트들은 내측 세그먼트 엣지 상에 형성된 릴리프를 가지며, 릴리프 및 장착 엘리먼트는 내측 세그먼트로부터 수직으로 연장하는 가상선 상에 정렬됨 ―;
프로세싱 챔버 내에서 플라즈마를 생성하는 단계; 및
플라즈마의 존재 하에 기판 지지부 상에서 기판을 프로세싱하는 단계를 포함한다.
[0052] 전술한 내용은 본 고안의 실시예들에 관한 것이며, 본 고안의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 본 고안의 다른 그리고 추가의 실시예들이 안출될 수 있으며, 본 고안의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.
100 챔버
102 벽들
105 기판
106 프로세스 용적
107 외측 엣지
108 밀봉가능한 슬릿 밸브 개구
109 진공 펌프
110 확산기
111 가스 통로들
112 백킹 플레이트
116 중심 지지부들
120 가스 소스
122 RF 전력 소스
124 원격 플라즈마 소스
129 가스 제한기 조립체
130 기판 지지부
131 바디
132 기판 수용 표면
133 멀티-피스 기판하 커버 프레임
134 스템
135 가스 제한기
136 리프트 시스템
137 갭
138 리프트 핀
139 냉각 엘리먼트들
140 렛지
141 렛지
143 최상부 표면
144 바닥 표면
150 바닥 표면
151 접지 스트랩들
205 외측 주변부
235 내측 주변부
237 폭
238 릴리프
243 세그먼트들
244 길이들
247 내측 엣지
249 외측 엣지
271 제 1 세그먼트
272 제 2 세그먼트
290 중심
292 리프트 핀 홀
305 구역
306 하면
330 길이
333 나사 타입 파스너
342 깊이
344 갭
401 제 1 단부
402 제 2 단부
420 갭
424 길이들
426 길이들
443 제 2 면
446 제 1 면
448 체크
450 조인트
452 숄더
460 영역

Claims (15)

  1. 진공 프로세싱 챔버의 기판 지지부 상에서 사용하기 위한 프레임으로서,
    상기 기판 지지부는 리프트 핀들을 수용하기 위한 리프트 핀 홀들을 가지며, 상기 프레임은:
    2개의 짧은 바디들; 및
    직사각형 형상을 형성하기 위해, 짧은 프레임들과 인터페이싱하도록 구성되는 2개의 긴 바디들을 포함하며, 상기 2개의 긴 바디들의 각각은 둘 또는 그 초과의 세그먼트들을 포함하며, 상기 세그먼트들 중 적어도 하나의 세그먼트는 리프트 핀 홀의 적어도 부분을 형성하는 릴리프(relief)를 갖는
    진공 프로세싱 챔버의 기판 지지부 상에서 사용하기 위한 프레임.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 세그먼트들은:
    내측 세그먼트 엣지 ― 내측 세그먼트 엣지들은, 상기 짧은 바디들 및 긴 바디들의 내측 엣지를 형성함 ―;
    상기 내측 세그먼트 엣지 반대쪽의 외측 세그먼트 엣지;
    상기 내측 세그먼트 엣지에 인접한 제 1 단부;
    상기 제 1 단부 반대쪽의 제 2 단부를 더 포함하며,
    상기 제 1 단부는 상기 제 2 단부에 대해 형상이 상보적이며, 인접한 세그먼트들의 상기 제 1 단부 및 상기 제 2 단부는 팽창 조인트를 형성하는
    진공 프로세싱 챔버의 기판 지지부 상에서 사용하기 위한 프레임.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 팽창 조인트는 랩 조인트이며, 상기 제 2 단부의 상기 랩 조인트의 숄더(shoulder)는 상기 제 1 단부의 상기 랩 조인트의 체크(check)와 오버랩핑하도록 구성되는
    진공 프로세싱 챔버의 기판 지지부 상에서 사용하기 위한 프레임.
  4. 제 2 항에 있어서,
    각각의 세그먼트는 장착 엘리먼트(mounting element)를 더 포함하며,
    각각의 장착 엘리먼트는, 상기 세그먼트의 최상부 표면 아래에 파스너의 헤드를 리세싱하기 위한, 상기 세그먼트 내에 형성된 카운터싱크 또는 스폿 페이스를 포함할 수 있는
    진공 프로세싱 챔버의 기판 지지부 상에서 사용하기 위한 프레임.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 장착 엘리먼트는 상기 릴리프, 및 상기 프레임의 중심과 정렬되거나, 상기 내측 세그먼트 엣지에 대해 수직한
    진공 프로세싱 챔버의 기판 지지부 상에서 사용하기 위한 프레임.
  6. 멀티-피스 기판하 커버 프레임(multi-piece under substrate cover frame)으로서:
    내측 바디 엣지 및 외측 바디 엣지를 갖는 직사각형 프레임으로 성형된 바디 ― 상기 내측 바디 엣지는 상기 직사각형 프레임의 개구를 한정함(bound) ― 를 포함하며, 상기 바디는:
    상기 직사각형 프레임 형상의 상기 바디에 배열되도록 구성된 복수의 세그먼트들을 포함하고, 각각의 세그먼트는:
    내측 세그먼트 엣지 ― 내측 세그먼트 엣지들은 상기 바디의 내측 엣지를 형성함 ―;
    상기 내측 세그먼트 엣지 반대쪽의 외측 세그먼트 엣지;
    상기 내측 세그먼트 엣지에 인접한 제 1 단부;
    상기 제 1 단부 반대쪽의 제 2 단부 ― 상기 제 1 단부는 상기 제 2 단부에 대해 형상이 상보적이며, 인접한 세그먼트들의 상기 제 1 단부 및 상기 제 2 단부는 팽창 조인트를 형성함 ―; 및
    장착 엘리먼트;를 포함하며, 상기 세그먼트들 중 적어도 4개의 세그먼트는 각각:
    상기 내측 세그먼트 엣지 상에 형성된 릴리프를 더 포함하는
    멀티-피스 기판하 커버 프레임.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 릴리프 및 상기 장착 엘리먼트는 내측 세그먼트로부터 수직으로 연장하는 가상선 상에 정렬되는
    멀티-피스 기판하 커버 프레임.
  8. 프로세싱 챔버로서:
    복수의 벽들;
    바닥;
    리드(lid) ― 상기 복수의 벽들, 상기 바닥 및 상기 리드는 내측 용적을 정의함 ―; 및
    상기 내측 용적 내에 배치되는 기판 지지부를 포함하며, 상기 기판 지지부는 리프트 핀들 및 멀티-피스 기판하 커버 프레임을 가지며, 상기 멀티-피스 기판하 커버 프레임은:
    2개의 짧은 바디들; 및
    직사각형 형상을 형성하기 위해, 짧은 프레임들과 인터페이싱하도록 구성된 2개의 긴 바디들;을 포함하며,
    상기 2개의 긴 바디들의 각각은 둘 또는 그 초과의 세그먼트들을 포함하고, 상기 세그먼트들 중 적어도 하나의 세그먼트는 리프트 핀 홀의 적어도 부분을 형성하는 릴리프를 가지는
    프로세싱 챔버.
  9. 제 8 항에 있어서,
    리프트 핀의 부분은 2개의 긴 바디들과 오버랩핑하지 않는
    프로세싱 챔버.
  10. 제 8 항 및 제 1 항에 있어서,
    상기 2개의 긴 바디들은 보스(boss)를 더 포함하며,
    상기 릴리프는 상기 보스보다 상기 2개의 긴 바디들 내로 더 연장하는
    프로세싱 챔버 및 프레임.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 세그먼트들은:
    내측 세그먼트 엣지 ― 내측 세그먼트 엣지들은, 상기 짧은 바디들 및 긴 바디들의 내측 엣지를 형성함 ―;
    상기 내측 세그먼트 엣지 반대쪽의 외측 세그먼트 엣지;
    상기 내측 세그먼트 엣지에 인접한 제 1 단부;
    상기 제 1 단부 반대쪽의 제 2 단부를 더 포함하며, 상기 제 1 단부는 상기 제 2 단부에 대해 형상이 상보적이며, 인접한 세그먼트들의 상기 제 1 단부 및 상기 제 2 단부는 팽창 조인트를 형성하는
    프로세싱 챔버.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 팽창 조인트는 랩 조인트이며, 상기 제 2 단부의 상기 랩 조인트의 숄더는 상기 제 1 단부의 상기 랩 조인트의 체크와 오버랩핑하도록 구성되는
    프로세싱 챔버.
  13. 제 11 항에 있어서,
    각각의 세그먼트는 장착 엘리먼트를 더 포함하고,
    각각의 장착 엘리먼트는, 상기 세그먼트의 최상부 표면 아래에 파스너의 헤드를 리세싱하기 위한, 상기 세그먼트 내에 형성된 카운터싱크 또는 스폿 페이스를 포함할 수 있는
    프로세싱 챔버.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 장착 엘리먼트는 상기 릴리프, 및 상기 프레임의 중심과 정렬되거나, 상기 내측 세그먼트 엣지에 대해 수직한
    프로세싱 챔버.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 세그먼트들 중 둘 또는 그 초과의 세그먼트는 상기 2개의 짧은 바디들의 각각을 형성하는
    프로세싱 챔버.
KR2020150008627U 2015-07-03 2015-12-30 멀티-피스형 기판아래 커버 프레임 KR200492981Y1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562188568P 2015-07-03 2015-07-03
US62/188,568 2015-07-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170000175U true KR20170000175U (ko) 2017-01-11
KR200492981Y1 KR200492981Y1 (ko) 2021-01-11

Family

ID=56855925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020150008627U KR200492981Y1 (ko) 2015-07-03 2015-12-30 멀티-피스형 기판아래 커버 프레임

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP3206236U (ko)
KR (1) KR200492981Y1 (ko)
CN (1) CN205710904U (ko)
TW (1) TWM534436U (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070115564A (ko) * 2006-05-30 2007-12-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 프로세싱 챔버용 링 조립체
KR100792461B1 (ko) * 2004-06-01 2008-01-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 처리 중 아크를 감소시키기 위한 방법 및 장치
KR20090094144A (ko) * 2006-12-19 2009-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 비접촉 프로세스 키트
KR20120007717U (ko) * 2010-01-27 2012-11-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 제조 챔버들에서의 링 어셈블리의 수명 향상

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100792461B1 (ko) * 2004-06-01 2008-01-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 처리 중 아크를 감소시키기 위한 방법 및 장치
KR20070115564A (ko) * 2006-05-30 2007-12-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 프로세싱 챔버용 링 조립체
KR20090094144A (ko) * 2006-12-19 2009-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 비접촉 프로세스 키트
KR20120007717U (ko) * 2010-01-27 2012-11-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 제조 챔버들에서의 링 어셈블리의 수명 향상

Also Published As

Publication number Publication date
CN205710904U (zh) 2016-11-23
JP3206236U (ja) 2016-09-08
TWM534436U (en) 2016-12-21
KR200492981Y1 (ko) 2021-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6915002B2 (ja) シャドーフレームを除去するためのガス閉じ込め装置アセンブリ
US20170178758A1 (en) Uniform wafer temperature achievement in unsymmetric chamber environment
US20170081757A1 (en) Shadow frame with non-uniform gas flow clearance for improved cleaning
KR20190001394U (ko) 에지 균일성을 개선하기 위한 가스 확산기 홀 설계
KR20210148406A (ko) 접지 스트랩 조립체들
JP6514706B2 (ja) プロファイル均一性を改善するためのコーナースポイラー
KR200492981Y1 (ko) 멀티-피스형 기판아래 커버 프레임
KR200490979Y1 (ko) 비-쉐도우-프레임 서셉터 설계를 위한 더 우수한 플라즈마 커플링을 갖는 저-임피던스 유전체 커버 프레임
US20230122134A1 (en) Deposition chamber system diffuser with increased power efficiency
WO2023070648A1 (en) Notched susceptor design for stable shadow frame
KR20190083375A (ko) 기판 이송 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment