CN101563560B - 非接触式处理套件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种适用于物理气相沉积处理室的处理套件、以及具有非接触式处理套件的物理气相沉积处理室。在一实施例中，处理套件包括大致柱形的遮蔽件，其具有大致平坦的柱形本体、由该本体向下延伸的至少一个细长柱形环、以及由该本体的上表面向上延伸的安装部。在另一实施例中，处理套件包括大致柱形的沉积环。该沉积环包括大致平坦的柱形本体、向下延伸耦接至该本体外部的至少一个U形通道、由该本体内部区域的上表面向上延伸的内壁、以及由该内壁径向向内延伸的衬底支撑突出部。
Description
技术领域
本发明的实施例一般涉及半导体处理室的处理套件以及具有处理套件的半导体处理室。更明确而言，本发明涉及一种处理套件，其包括适用于物理气相沉积处理室的环及遮蔽件。
背景技术
物理气相沉积(PVD)或溅射为制造电子器件的常用处理之一。物理气相沉积是在真空处理室中进行的等离子体处理，其中在真空处理室中受负偏压的靶材暴露于具有重原子(如，氩(Ar)或包含此种惰性气体的气体混合物)惰性气体的电压中。惰性气体的离子轰击靶材后会将靶材材料原子击射出。击射出的原子则在处理室内的衬底支撑座上的衬底上累积成沉积薄膜。
处理套件可放置于处理室中以便在处理室内相对于衬底的期望区域中定义出处理区域。该处理套件一般包括遮盖环、沉积环及接地遮蔽件。将等离子体及击射出的原子限定在处理区域中有助于维护处理室中的其它组件不受沉积材料的影响，并更有效地利用靶材材料以使较高比例的击射原子沉积在衬底上。遮盖环(cover ring)另外可避免衬底支撑座周围的沉积。该遮盖环也可协助控制衬底边缘处或下方的沉积。
虽然传统环及遮蔽件设计已有扎实的处理历史，但临界尺寸的缩减使得处理室内的污染备受重视。由于衬底支撑座在传送及处理位置间上升及下降使环及遮蔽件彼此有周期性的接触，使传统设计已成为可能的特定污染源。
此外，由于传统遮蔽环设计通常未与温度控制源连接(例如处理室壁或衬底支撑座)，故遮蔽环的温度在处理循环期间可能会变动。加热及冷却遮蔽环会增加遮蔽环上沉积材料中的应力，使得受应力材料有剥落而形 成粒子的倾向。因此，本案发明人认为若处理套件能减少处理室污染将非常有帮助。
因此，业界对于改良的处理套件仍有需求。
发明内容
本发明大致提供一种用于物理气相沉积(PVD)处理室的处理套件，以及一种具有交叉处理套件(interleaving process kit)的物理气相沉积处理室。在一种实施例中，处理套件包括交替(interleaving)沉积环及接地遮蔽件。该沉积环经配置具有大的机座接触面及数个衬底支撑扣状部(buttons)。当装入物理气相沉积处理室时，该交叉沉积环及接地遮蔽件有利地与衬底支撑机座及处理室壁保持接触，以便促进良好且可预测的控制温度，进而将沉积其上的薄膜的处理污染最小化。此外，在物理气相沉积处理室内的使用期间该交叉沉积环及接地遮蔽件有利地设置成不会相互接触，故可排除传统设计中因所产生粒子的潜在污染。
在一个实施例中，本发明的处理套件大致包括具有实质平坦柱形本体的柱形遮蔽件、至少一个由该本体向下延伸的细长柱形环、以及由该本体的上表面向上延伸的安装部。
在另一个实施例中，处理套件包括大致柱形的沉积环。该沉积环包括实质平坦的柱形本体、至少一个向下延伸耦接至该本体的外部的U形通道、由该本体的内部区域的上表面向上延伸的内壁、以及由该内壁径向向内延伸的衬底支撑突出部。
在另一个实施例中，提供一个物理气相沉积处理室，其包括交叉接地遮蔽件及沉积环，其经配置于物理气相沉积处理室使用期间不相互接触。
附图说明
本发明更详细的说明在参照下文实施例及附加图示后将更可清楚领会。然而，应理解的是该附加图示仅绘示本发明一般实施例而不应视为本发明范围的限制，本发明亦涵盖其它同等效果的实施例。
图1是具有处理套件实施例的半导体处理系统的简要截面图；
图2是该处理套件与图1的衬底支撑机座交叉的部分截面图；
图3是与衬底支撑机座交叉的处理套件另一实施例的部分截面图；
图4是与衬底支撑机座交叉的处理套件另一实施例的部分截面图；
图5是与衬底支撑机座交叉的处理套件另一实施例的部分截面图；以及
图6是与衬底支撑机座交叉的处理套件另一实施例的部分截面图。
为便于理解，图中尽可能以相同参考号标示相同组件。应理解的是实施例中所揭示的组件亦可适用于其它实施例而无需特定说明。
具体实施方式
本发明大致提供一种用于物理气相沉积(PVD)处理室的处理套件。该处理套件较佳之处在于不易产生特定污染，进而促进处理均匀性与再现性以及较长处理套件的生命周期。
图1绘示一种具有处理套件114实施例的示例性半导体处理室150。该处理套件114包括交叉沉积环102及接地遮蔽件162。可受惠于本发明之一的处理室范例为加州圣塔克拉拉市应用材料公司所提供的IMPVECTRATM PVD处理室。但是，应理解的是其它制造商所提供的其它处理室也可受惠于本发明。
示例性处理室150包括处理室本体152，其具有底部154、盖组件156及数个侧壁158以界定出可抽空的内部体积160。该处理室本体150大致由不锈钢的焊接板或整体铝块制成。该等侧壁158大致包含可密封的存取埠口(未示出)以提供衬底104到处理室150的入口及出口。设于该等侧壁158中的抽吸埠122耦接至抽吸系统120，以抽空并控制内部体积160的压力。该处理室150的盖组件156大致支撑该环形遮蔽件152，其与沉积环102交叉，以将内部体积160中形成的等离子体限定在衬底104上方的区域。
机座组件100由处理室150的底部154支撑。该机座组件100在处理期间可支撑沉积环102与衬底104。该机座组件100通过升降机构118耦接至处理室150的底部154，该升降机构经配置以将机座组件100在上方 位置(如图所示)及下方位置之间移动。在上方位置处，该沉积环102以间隔关系与遮蔽件162交叉。在下方位置处，该沉积环102则与遮蔽件162分开，以使衬底104能从处理室150通过该沉积环102及遮蔽件162之间侧壁158所设的存取埠移出。此外，在下方位置处，升降销(图2所示)经由机座组件100移动以将衬底104与机座组件100分开，以利用处理室150外所设的晶圆传送机构(如单叶式机械臂，未示出)交换衬底104。波纹管186通常设于机座组件100及处理室底部154之间，以将处理室本体152的内部体积160与机座组件100的外部及处理室外部隔绝开。
该机座组件100大致包括衬底支撑件140，其密封地耦接至平台外壳108。该平台外壳108通常由例如不锈钢或铝的金属材料制成。冷却板124则通常设于该平台外壳108内以便热调节衬底支撑件140。可受惠于本发明的机座组件100描述于1996年4月16日授予Davenport等人的美国专利第5507499号案中。
该衬底支撑件140可由铝或陶瓷材料制成。该衬底支撑件140可为静电吸盘、陶瓷体、加热器或其组合。在一种实施例中，该衬底支撑件140为包括电介质本体106的静电吸盘，该电介质本体中内含有导电层112。该电介质本体106通常由高导热电介质材料制成，例如热解氮化硼、氮化铝、氮化硅、铝或等同材料。
盖组件156大致包括盖130、靶材132、间隔物182及磁电管134。该盖130在处于关闭位置时由数个侧壁158支撑，如图1所示。密封件136置于间隔物182及盖130与侧壁158之间，以避免真空在其间泄漏。
该靶材132耦接至盖130并暴露于处理室150的外部体积160。该靶材132在物理气相沉积处理期间可提供材料沉积于衬底104上。该间隔物182置于靶材132、盖130及处理室本体152之间以将靶材132与盖130及处理室本体152电隔离。
该靶材132及机座组件100藉由电源184相对于彼此偏压。气体(例如氩气)由气体源(未示出)供应至体积160中。等离子体则由气体形成于衬底104及靶材132之间。等离子体内的离子会加速朝向靶材132并促使材料从靶材132脱离，而脱离的靶材材料则沉积在衬底104上。
磁电管134耦接至该处理室150外部的盖130。该磁电管134包括至少一个转动的磁性组件138，以便于物理气相沉积处理期间均匀消耗靶材132。可采用的磁电管描述于1999年9月21日授予Or等人的美国专利第5953827号中。
枢纽组件110将盖组件156耦接至处理室150。安装有马达的致动器116可耦接至枢纽组件110及/或盖130，以便于盖组件156在开启及关闭位置间移动。
图2为处理套件114与衬底支撑机座组件100接合的部分截面图。虽然未示出，但处理套件114的遮蔽件162安装于处理室本体152上相对于盖组件156的固定高度处。图示的沉积环102位于升高或处理位置，其中曲折的间隙250界定在沉积环102及接地遮蔽件162之间，以将等离子体及沉积物限定在衬底104与靶材132之间界定出的区域内。该沉积环102及接地遮蔽件162另外具有阻挡作用，以避免靶材132击射出的材料不慎沉积在处理室的其它部分上。就其本身而论，沉积环102及接地遮蔽件162可有效地将靶材132变成衬底104上沉积的材料层。
接地遮蔽件162具有大致平坦的柱形本体202，且可由导电材料(例如金属)制成或涂覆有导电材料。适用于接地遮蔽件162的金属包括不锈钢及钛。选用作为接地遮蔽件162的材料应与处理室内进行的处理兼容。本体202安装至处理室本体152，以使本体202与机座组件100的中心线大致共中心。图2的实施例中所示本体202的中心线200大致为垂直走向。中心线20的位置仅为说明性质，故其与图标中的其它特征并未按比例绘制。
本体202包括上表面204、下表面206、外壁220及内缘224。在图2所示实施例中，除了上表面204的倾斜面226(往下朝向本体202内缘224倾斜)外，该上表面204及下表面206大致垂直于中心线200。
内环208及外环210从下表面206向下延伸。环208、210为大致细长的柱形状(相较于本体202的大致形状)。在图2所示实施例中，环208、210定向为大致平行间隔的关系。外环210的外径也可与外壁220外径相同。
安装部分212沿着外壁220从上表面204向上延伸。该安装部分212包括内壁214及内锥形部216、外壁222及安装凸缘218。该内壁214从上表面大致垂直于内锥形部向上延伸。该内锥形部216向上及向外延伸，以在遮蔽件162及靶材130间提供空隙(如图1所示)。该外壁222直径通常大于本体202外壁220的外径。
该安装凸缘218从外壁222向外延伸并接合本体152及/或盖组件156以确保遮蔽件162位于适当位置。该安装凸缘218可包括数个孔及/或狭长孔以便于耦接至本体152及/或盖组件156。由于本体152及/或盖组件156(安装有遮蔽件162)可作热调节，故安装凸缘218的温度控制能经由传导方式进行。
接地遮蔽件162的某些部分可作涂覆、纹理化或其它表面处理。在一种实施例中，该接地遮蔽件162在至少某些表面上被粗糙化。粗糙化(例如纹理化)可经由蚀刻、浮雕、磨蚀、喷丸、喷砂(grit blasting)、研磨或用砂纸打磨或及他适合处理获得。在图2所示实施例中，接地遮蔽件162的所有表面都经过喷丸处理。接地遮蔽件的喷丸表面通常有约250或更高微英寸英寸的RA表面粗糙度。
沉积环102具有大致平坦的柱形本体252且可由导体或非导体材料制成。在实施例中，该沉积环102由陶瓷材料制成，例如石英、氧化铝或其它适合材料。
本体252大致包括外部274、内部276、下表面256及上表面254。该上表面254包括凹部258，其在遮蔽件162及沉积环102位置彼此接近时可容纳遮蔽件162的唇部228。下表面256被配置位于机座组件100周围处形成的突出部240上。该下表面256可呈平坦及/或具有平滑表面抛光度，以便于和突出部240有良好热接触。下表面256及突出部240间相当大(在与传统设计相比)的接触面积以及本体252相当细的环截面积可在该环102及机座组件100之间提供良好热传送。就其本身而论，环102温度经由与机座组件100的热传递便可轻易维持在固定温度。
在一个实施例中，一个或多个温度控制件246可设于机座组件100中突出部240正下方，以加强环102的温度控制而不受机座组件100特征 (用以控制衬底104温度)的影响。温度控制件246可包括一个或多个导管(用以于流动热传递流体)、电阻加热器及类似物。温度控制件246的输出由一个或多个适合的温度控制源248所控制，例如电源、热传递流体供应器及类似物。
内壁260由内部276向上延伸至衬底支撑凸缘262。该内壁260具内径，其经选择以维持该壁260及阶梯部242(将该突出部240耦接至机座组件100的顶表面)间的间隙。该内壁260的高度经选择以维持该环102的凸缘262及机座组件100顶表面244间的间隙。
衬底支撑凸缘262由内壁260上端向内延伸，并遮盖机座组件100顶表面244的外缘。在一个实施例中，该凸缘262大致垂直该内壁260并平行下表面256及上表面254。该凸缘262包括数个衬底支撑扣状部264，以将衬底104支撑于该凸缘262上表面上方一距离处。该扣状部264可为圆形、柱形、斜截锥形(truncated conical shape)或其它适合形状。该扣状部264可将衬底104与环102间的接触最小化。扣状部264及衬底104间的最小接触能减少可能形成的粒子，同时最小化环102及衬底104间的热传递。在一种实施例中，三个扣状部264可对称地以环形阵列(polararray)方式安置，并呈约1mm的高度。
面朝上的U形通道266通常形成在本体252外部274处。该U形通道266具有内腿部2686，其藉底部270耦接至外腿部272。该内腿部268由本体252下表面256向下延伸，其并具有内径，其经选择以维持该机座组件100及该环102间的间隙。
腿部268、272大致为细长柱状(与环102本体252相比)。在图2所示实施例中，腿部268、272定向为大致平行间隔关系，并经配置以与接地遮蔽件162的内环208交叉。
腿部268、272及内环208间的间隔可界定出曲折间隙250的外部区。该曲折间隙250的内部区界定在遮蔽件162的唇部228及沉积环102的壁面260与凹部258之间。该唇部228及沉积环102间的间距可作选择，以促进或减少衬底104面对机座组件100侧上的沉积。
由于进入曲折间隙250内部区域的入口部分被衬底204遮盖且背离(face away)内部体积160中溅射靶材材料的轨道，故相较于传统设计不太可能会有在曲折间隙250内形成并成为桥接(bridging)的沉积物，因此可延长处理套件114多次清洗之间的使用寿命。此外，由于处理套件114的沉积环102及接地遮蔽件162并未接触，因此可消除形成粒子污染的可能性。再者，由于处理套件114的沉积环102及接地遮蔽件162与其支撑结构(如机座组件100及处理室本体152/盖组件156)有良好热接触，故可改善套组114的热控制。改善热控制即能对套组114上沉积的薄膜作应力控制，故相较于传统设计会有较少的粒子形成。
图3为处理套件300另一实施例与衬底支撑机座100接合的截面图。该处理套件300大致包括沉积环302及接地遮蔽件304交叉形成曲折间隙350。
接地遮蔽件304大致类似前述接地遮蔽件。在图3所述实施例中，该遮蔽件304包括柱形本体306，其具有上表面308、下表面310、内缘312及外壁314。该上表面308包括斜面316。本体306下表面310包内环208及外环210。在一种实施例中，内缘312大体上倾斜地截短该斜面316。
沉积环302大致类似前述沉积环，但在环302上表面254上另外形成捕捉部(trap)352。该捕捉部352界定在捕捉壁360及环302上表面254之间。
该捕捉壁360包括一环354，其由环302上表面254向上延伸至唇部356。该唇部356向内及向下延伸至内壁260及上壁254的接合处。该唇部356的末端基本上比唇部356临近环354的部分更靠近上表面254，以使捕捉部352的上顶部比唇部356末端更高。这样的几何关系有利于补获沉积材料而不会使沉积物集结，因此避免唇部356及衬底104之间间隙的桥接(bridging of gap)。
在一种实施例中，该环354的上表面包括内斜壁364及外斜壁362，其于顶点366交会。该内斜壁364由顶点366向下延伸至该唇部356。外斜壁362则由顶点366向下延伸至外捕捉壁368。沉积环302的外斜壁362及遮蔽件304的内缘312界定出从内体积160的处理区域通至曲折间隙350的入口。
图3处理套件300藉由曲折间隙350将等离子体隔离特征与经由捕捉部352控制的边缘沉积物解耦。此外，在遮蔽件304的内径及外径间的距离实质缩减时，按此实施例方式可减少制造成本而不致大幅增加组装匹配的沉积环302所需的材料。
图4为处理套件400另一实施例与衬底支撑机座100接合的截面图。该处理套件400大致包括沉积环402及接地遮蔽件404，其交叉形成曲折间隙450。
该接地遮蔽件404大致类似前述图1-2所述接地遮蔽件。在图4所示实施例中，该遮蔽件404包括平坦柱形本体406，其具有上表面408、下表面410、内缘412及外壁414。该上表面408包括斜面416。该本体406的下表面410具有柱形环418。
该柱形环418向下及向外延伸并与沉积环402交叉。在图4所示实施例中，该环418相对于遮蔽件404中心线朝向约5至约35度的方位。
沉积环402大致类似前述沉积环，但加上倾斜的U形通道420。该U形通道420包括内腿部422，藉底部426耦接至外腿部424。腿部422、424相对于环402的中心线朝向约5至约35度的方位。在图4所示实施例中，腿部422、424与遮蔽件404的柱形环418相同的角度定向。
该外腿部424的末端内径大致经选择以不遮住该环418的末端，使得遮蔽件404及沉积环402可在机座组件100下降以衬底交换时能隔开而不会彼此阻碍。当机座组件100升至图4所示处理位置时，腿部422、424及环418可界定出该曲折间隙450的外部部分。
亦可选择的是在外腿部424末端处形成延伸部430(以虚线表示)。该延伸部430可延伸并增加曲折间隙450额外的转折。该延伸部430包括凸缘432，其由外腿部424末端向外延伸至末端环434。该末端环434具内径，其经选择以按间隔关系在机座组件100位于图标升降位置时限定该遮蔽件404的外壁414周围。
图4的处理套件400相较于前述传统设计制造成本较为经济并具有诸多优点。
图5是处理套件500另一实施例与衬底支撑机座100接合时的截面 图。该处理套件500大致包括沉积环502及接地遮蔽件504交叉形成曲折间隙550。
该接地遮蔽件504大致类似于前述图3-4所述的接地遮蔽件。在图5所示实施例中，该遮蔽件504包括柱形本体506，其具有上表面308、下表面310、内缘312及外壁314。该外壁308包括斜面316。该本体306下表面310包括柱形环418。该柱形环418向下并向外延伸且与沉积环502交叉。
沉积环502内部大致类似于前述图3的沉积环302。该环502包括捕捉部352形成在该环502的上表面254上。该捕捉部352界定在捕捉壁360及上表面254之间。该捕捉壁360包括环354、唇部356及数个交会于顶点366的斜壁262、264。
该沉积环502外部大致类似于前述图4所述的沉积环402。该环502包括倾斜U形通道420。该U形通道420包括内腿部422，藉底部426耦接至外腿部424。腿部422、424经配置以按前述与遮蔽件504柱形环418交叉。
图6为处理套件600另一实施例与衬底支撑机座100接合的截面图。该处理套件600大致包括沉积环620及接地遮蔽件662，其交叉形成曲折间隙650。该沉积环620及遮蔽件622大致类似于前述沉积环102及接地遮蔽件162，且为简明起见，其类似特征均标以相同参考号而不另作说明。
在图6所示实施例中，该沉积环620内壁260具有衬底支撑端622。该衬底支撑端622并未径向延伸至内壁260内。该衬底支撑端622具有衬底安置表面，其经配置以将衬底104支撑在机座组件100表面244上方，且在一种实施例中，其大致平坦且垂直该环620的中心线。在一种实施例中，该内壁260高度约0.45英寸。该内壁260及沉积环凸缘262的下表面256的交点进行倒角(chamfered)，如呈45度角，以提供机座组件100额外空间。
在图6所示实施例中，沉积环620也可在其上表面也被纹理化，如虚线624所示。该纹理化表面可提供环620上的沉积材料更佳的黏附性，使 得沉积材料粒子或剥落物不会轻易与环620分离而成为处理过程的处理污染物。前述黏附的沉积材料可利用原位及/或异位清洁处理由环620移除。在一种实施例中，该环可如前述方式进行纹理化。
该接地遮蔽件662包括安装部分212，其在上外径604上具有阶梯部606。该阶梯部606可将外径604耦接至大致水平的上表面602。过渡半径(transition radius)608可连接该接地遮蔽件662的外壁222及上外壁604。
唇部610从上外壁604向下延伸并超过该转换半径608，如图6所示。该唇部610可在处理室及接地遮蔽件662间提供缩减的接触面积。
该接地遮蔽件662的上内表面也可进行纹理化，如虚线654所示。如前文所述，该接地遮蔽件的纹理化表面可提供沉积材料更加的黏附性，使其在之后不会成为处理污染物。
该接地遮蔽件662的唇部228也可包括凹部612，其形成在遮蔽件本体202的唇部228及下表面206之间的转换处。该凹部612可在遮蔽件662及环620间提供额外的空间以容纳大量沉积在环620凹部258中的材料。
如前文所述之处理套件，图6的处理套件600相较于前述传统设计其制造成本较经济并具有诸多优点。
因此，前述用于物理气相沉积处理室之处理套件在处理套件的接地遮蔽件及沉积环操作期间不接触时可有效的减少可能形成的微粒。此外，当处理套件的遮蔽件及环以经温控的表面作接触时处理套件的温度可控制以降低及/或消除热循环应力，藉以控制沉积在处理套件上的材料应力。再者，由于设计简单化，本发明处理套件具有制造上的成本优势且不需要传统处理套件的第三环(third ring)设计。
虽然本发明前述针对较佳实施例，但本发明进一步的实施例亦可在不悖离发明基本精神下提出，且其范围系由下文申请专利范围所界定。
Claims (28)
1.一种处理套件，其至少包括：
大致柱形的遮蔽件，其至少包括：
大致平坦的柱形本体，具有上表面，其向下向内端逐渐变细；
至少一个细长的柱形环，由该本体向下延伸；以及
安装部，由该本体的上表面沿该本体的外壁向上延伸，该安装部具有径向向外延伸超过该本体的外壁的安装凸缘、由该本体上表面延伸的内壁、以及由该内壁沿径向向外且向上张开的内锥形部。
2.如权利要求1所述的处理套件，其中该本体由不锈钢或钛中的至少一者制成。
3.如权利要求1所述的处理套件，其中该本体由导体材料制成或涂覆有导体材料。
4.如权利要求1所述的处理套件，其中该本体的至少一部分经过表面处理。
5.如权利要求1所述的处理套件，其中该本体的至少一部分具有喷丸表面。
6.如权利要求1所述的处理套件，其中该至少一个细长的柱形环相对于该本体的中心线具有平行定向。
7.如权利要求1所述的处理套件，其中该至少一个细长的柱形环相对于该本体的中心线具有约5至约35度的定向。
8.如权利要求1所述的处理套件，其中该至少一个细长的柱形环还至少包括：
内环；以及
外环，其以大致平行关系与该内环间隔一段距离。
9.如权利要求1所述的处理套件，其中该安装部还至少包括：
唇部，由该凸缘的外径向下延伸。
10.如权利要求1所述的处理套件，其中该本体还包括：内缘，该内缘截短该上表面的斜面，且其中该内缘大致平行该本体的中心线。
11.如权利要求1所述的处理套件，其还至少包括：
大致柱形的沉积环，其至少包含：
大致平坦的柱形本体，其具有上表面及下表面，该下表面被设置成支撑在衬底支撑机座的突出部上；
至少一个向下延伸的U形通道，其耦接至该本体的外部；以及
内壁，由该本体的内部区域的上表面向上延伸，且具有衬底支撑表面；
衬底支撑突出部，由该内壁径向向内延伸。
12.如权利要求11所述的处理套件，其中该沉积环还至少包括：
数个扣状部，设于该突出部的上表面上且界定出该衬底支撑表面。
13.如权利要求12所述的处理套件，其中该数个扣状部还至少包括：
三个扣状部，其以环形阵列方式等间隔配置。
14.如权利要求11所述的处理套件，其中该U形通道被配置成与该遮蔽件的至少一个环可交叉。
15.如权利要求11所述的处理套件，其中该U形通道还至少包括：
第一腿部，耦接至该沉积环的本体；
第二腿部，向外与该第一腿部相隔；以及
底部，接合第一和第二腿部。
16.如权利要求15所述的处理套件，其中第一和第二腿部大致平行于该沉积环的中心线。
17.如权利要求15所述的处理套件，其中第一和第二腿部相对于该沉积环的中心线具有约5至约35度的定向。
18.如权利要求11所述的处理套件，其中该沉积环的本体还至少包括：
捕捉壁，由该沉积环的该上表面向上延伸；以及
唇部，由该捕捉壁向内且向下延伸，以突出于该沉积环的该上表面的内部之上。
19.如权利要求18所述的处理套件，其中该捕捉壁的上表面还至少包含：
内斜壁；以及
外斜壁，该外斜壁与该内斜壁交会于顶点。
20.一种处理套件，其至少包括：
大致柱形的沉积环，其至少包括：
大致平坦的柱形本体，其具有上表面以及下表面，该下表面被配置成支撑在衬底支撑机座的突出部上；
至少一个向下延伸的U形通道，耦接至该本体的外部；以及
内壁，由该本体的内部区域的上表面向上延伸且具有衬底支撑表面。
21.如权利要求20所述的处理套件，其中该沉积环还至少包括：
突出部，由该内壁径向向内延伸；以及
数个扣状部，设于该突出部的上表面上且界定出该衬底支撑表面。
22.如权利要求21所述的处理套件，其中该数个扣状部还至少包括：
三个扣状部，其以环形阵列方式等间隔配置。
23.如权利要求20所述的处理套件，其中该U形通道为面朝上。
24.如权利要求20所述的处理套件，其中该U形通道还至少包括：
第一腿部，耦接至该沉积环的本体；
第二腿部，向外与第一腿部相隔；以及
底部，接合第一和第二腿部。
25.如权利要求24所述的处理套件，其中第一和第二腿部大致平行于该沉积环的中心线。
26.如权利要求24所述的处理套件，其中该本体由不锈钢或钛中的至少一者制成。
27.如权利要求20所述的处理套件，其中该沉积环的本体还至少包括：
捕捉壁，由该沉积环的上表面向上延伸；以及
唇部，由该捕捉壁向内且向下延伸，以突出于该沉积环的上表面的内部之上。
28.如权利要求27所述的处理套件，其中该捕捉壁的上表面还至少包含：
内斜壁；以及
外斜壁，该外斜壁与该内斜壁交会于顶点。
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Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
| US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
| US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| JP5194315B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2013-05-08 | 株式会社昭和真空 | スパッタリング装置 |
| US8900471B2 (en) * | 2009-02-27 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | In situ plasma clean for removal of residue from pedestal surface without breaking vacuum |
| JP5395255B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2014-01-22 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電子デバイスの製造方法およびスパッタリング方法 |
| JP2013537719A (ja) * | 2010-08-20 | 2013-10-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 長寿命デポジションリング |
| CN105177519B (zh) * | 2010-10-29 | 2018-03-27 | 应用材料公司 | 用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘 |
| CN102676997A (zh) * | 2012-06-11 | 2012-09-19 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种物理气相沉积设备 |
| DE112013006746B4 (de) * | 2013-02-28 | 2019-03-21 | Canon Anelva Corporation | Sputtergerät |
| CN104746019B (zh) * | 2013-12-26 | 2018-01-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室及等离子体加工设备 |
| CN105097604B (zh) * | 2014-05-05 | 2018-11-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室 |
| JP6357252B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2018-07-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 均一性の改善及びエッジの長寿命化のための平坦なエッジの設計 |
| US10115573B2 (en) * | 2014-10-14 | 2018-10-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for high compressive stress film deposition to improve kit life |
| US10546733B2 (en) * | 2014-12-31 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | One-piece process kit shield |
| KR20170128585A (ko) * | 2015-03-20 | 2017-11-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고온 폴리머 본드를 이용하여 금속 베이스에 본딩 결합된 세라믹 정전 척 |
| TWM534436U (en) * | 2015-07-03 | 2016-12-21 | Applied Materials Inc | Frame, multi-piece under substrate cover frame and processing chamber |
| CN109321890A (zh) * | 2015-07-03 | 2019-02-12 | 应用材料公司 | 具有高沉积环及沉积环夹具的处理配件 |
| US10103012B2 (en) * | 2015-09-11 | 2018-10-16 | Applied Materials, Inc. | One-piece process kit shield for reducing the impact of an electric field near the substrate |
| JP7225599B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2023-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US11961723B2 (en) | 2018-12-17 | 2024-04-16 | Applied Materials, Inc. | Process kit having tall deposition ring for PVD chamber |
| CN110670049A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-01-10 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种气相沉积方法及装置 |
| TW202129045A (zh) * | 2019-12-05 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 多陰極沉積系統與方法 |
| CN111471976A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-07-31 | 中国科学院半导体研究所 | 衬底托 |
| CN114717514B (zh) * | 2021-01-06 | 2023-12-15 | 鑫天虹(厦门)科技有限公司 | 薄膜沉积设备 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6051122A (en) * | 1997-08-21 | 2000-04-18 | Applied Materials, Inc. | Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system |
| CN1342213A (zh) * | 1999-01-04 | 2002-03-27 | 集勒思公司 | 原子层沉积工艺的处理室 |
| CN1412350A (zh) * | 2001-10-11 | 2003-04-23 | 矽统科技股份有限公司 | 沉积制程的工作平台 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030049372A1 (en) * | 1997-08-11 | 2003-03-13 | Cook Robert C. | High rate deposition at low pressures in a small batch reactor |
| JPH11229132A (ja) * | 1998-02-19 | 1999-08-24 | Toshiba Corp | スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法 |
| GB2401375B (en) * | 2002-02-14 | 2005-08-31 | Trikon Technologies Ltd | Plasma processing apparatus |
| US7670436B2 (en) * | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
| US7579067B2 (en) * | 2004-11-24 | 2009-08-25 | Applied Materials, Inc. | Process chamber component with layered coating and method |
-
2007
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6051122A (en) * | 1997-08-21 | 2000-04-18 | Applied Materials, Inc. | Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system |
| CN1342213A (zh) * | 1999-01-04 | 2002-03-27 | 集勒思公司 | 原子层沉积工艺的处理室 |
| CN1412350A (zh) * | 2001-10-11 | 2003-04-23 | 矽统科技股份有限公司 | 沉积制程的工作平台 |
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