KR20210018416A - 기판 취급을 위한 지지 링을 갖는 cvd 반응기 및 cvd 반응기 상의 지지 링 사용 - Google Patents

기판 취급을 위한 지지 링을 갖는 cvd 반응기 및 cvd 반응기 상의 지지 링 사용 Download PDF

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KR20210018416A
KR20210018416A KR1020217000084A KR20217000084A KR20210018416A KR 20210018416 A KR20210018416 A KR 20210018416A KR 1020217000084 A KR1020217000084 A KR 1020217000084A KR 20217000084 A KR20217000084 A KR 20217000084A KR 20210018416 A KR20210018416 A KR 20210018416A
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벤자민 데이비드 라이트
배리 오'나일
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아익스트론 에스이
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Abstract

본 발명은, 반응기 하우징(1)에 위치되고, 프로세스 챔버(2)를 향하고 포켓(17)을 갖는 적어도 하나의 넓은 측 평면(15'), 및 기판(10)을 지지 및 취급하기 위해 적어도 하나의 포켓(17)에 놓인 지지 엘리먼트(20)를 갖는 서셉터 조립체(3)를 갖는 디바이스의 사용에 관한 것이며, 지지 엘리먼트(20)의 넓은 측 평면(15')에 평행하게 연장되는 상부면(26)은, 기판(20)이 배열되는 리세스(11)의 제한면에 인접하고, 실린더 내부 측면을 따라 이어지는 제한면의 섹션(24)은 둥근 에지(25) 또는 챔퍼(25')를 형성하도록 지지 엘리먼트(20)의 상부면(26)으로 병합되어, 하나 이상의 기판들(10) 상에 적층(built up)된 실리콘 및 탄소를 포함하는 가스 시재료들의 분해 산물들의 층들을 증착한다. 링(20)의 내부 에지 상의 기생 증착물들의 성장을 감소시키기 위해, 본 발명은, 실린더 내부 측면을 따라 이어지는 제한면의 섹션(24)이 기판(10)의 재료 두께(d)보다 큰 높이(a)를 갖고, 둥근 에지(25')의 반경(R)이 0.4mm보다 큰 것을 제안한다.

Description

기판 취급을 위한 지지 링을 갖는 CVD 반응기 및 CVD 반응기 상의 지지 링 사용
[0001] 본 발명은 특히, 실리콘 및 탄소를 특히 포함하는 가스 시재료(gaseous starting material)들의 분해 산물(decomposition product)들로 구성된 층들을 하나 또는 여러 개의 기판들 상에 증착하기 위한 디바이스에 관한 것이며, 이 디바이스는, 프로세스 챔버를 향하고 포켓을 갖는 적어도 하나의 넓은 측 평면 및 기판을 지지 및 취급하기 위해 적어도 하나의 포켓에 놓인 지지 링(carrying ring)을 갖고 반응기 하우징에 배열되는 서셉터 조립체를 갖고, 넓은 측 평면에 평행하게 연장되는 지지 링의 상부면은 기판이 배열될 수 있는 리세스의 제한면에 인접하다.
[0002] 또한, 본 발명은 또한 그러한 디바이스 상에서 사용하기 위한 지지 링 또는 특히, 탄소 및 실리콘으로 구성된 층들을 증착하기 위한 방법에 관한 것이다.
[0003] 또한, 본 발명은 그러한 지지 링의 사용에 관한 것이다.
[0004] 특히 SiC를 증착하는데 적합한 일반적인 디바이스는 반응기 하우징에 배열되고 특히, 또한 배기될 수 있는 프로세스 챔버를 갖는다. 프로세스 챔버의 바닥은 서셉터 조립체로 구성된다. 서셉터 조립체는 아래로부터 가열할 수 있다. 서셉터 조립체 위에 배열된 프로세스 챔버는 프로세스 챔버 커버에 의해 상부의 경계가 정해진다. 가스 유입 부재는 프로세스 챔버로 개방되고, 특히 탄소 및 실리콘을 포함하는 가스 시재료들의 유입을 가능하게 하는 역할을 한다. 프로세스 챔버 또는 프로세스 챔버를 향하는 서셉터 조립체의 넓은 측 평면은, 실란 및 메탄 또는 다른 실리콘-수소들 또는 탄소-수소들일 수 있는 시재료들이 분해되어서, 실리콘 카바이드 층들이 서셉터 조립체에 의해 지지되는 기판들 상에 증착될 수 있게 하는 프로세스 온도들로 가열된다. 이는 1000 ℃ 초과, 특히 1300 ℃ 또는 1500 ℃ 초과의 온도에서 발생한다.
[0005] 기판들을 취급하기 위해 서셉터 조립체의 포켓들에 놓이는 지지 링들이 제공되며, 여기서 본질적으로 원형 기판들의 에지들은 적어도 기판을 취급하는 동안 지지 링의 지지 표면들 상에 안착된다. 서로 평행하게 연장되는 2개의 파지 핑거들을 갖는 그리퍼(gripper)는 지지 링의 방사상 외부 섹션 아래에 도달하여 서셉터 조립체의 포켓으로부터 그 지지 링을 들어올리는데 사용될 수 있다. 이를 위해, 서셉터 조립체는 바람직하게는, 파지 핑거들이 맞물릴 수 있는, 에지를 향해 개방되는 채널들을 갖는다.
[0006] 선행 기술은 다음 공보들: DE 102 32 731 A1, DE 10 2016 103 530 A1, DE 10 2005 018 161 A1 및 US 2016/0172165 A1, DE 10 2012 106 796 A1, DE 10 2005 018 161 A1, DE 10 2017 101 648 A1을 포함한다.
[0007] 현재 SiC 증착을 위해 사용되는 종류의 디바이스들에서, 지지 링의 상부면은 본질적으로 날카로운-에지 방식으로 실린더 내부면으로 트랜지션되며, 이는 기판의 에지를 둘러싼다. 지지 링 상에서 기판의 에지를 지지하기 위한 지지 표면과 지지 링의 상부면 사이의 거리는, 본질적으로 기판의 재료 두께에 대응하여서, 기판 표면은 동일한 레벨로 이어지며, 이 레벨에서 지지 링의 상부면이 또한 이어진다.
[0008] 지지 링의 이러한 실시예에서, 지지 링의 주변 에지 상의 입자 형성은 SiC 층들을 증착하기 위한 지지 링의 사용 동안 관찰된다. 이들 "휘스커(whisker)", "덴드라이트(dendrite)" 또는 치아-형상 기생 증착물들은 증착 결과에 부정적인 영향을 미친다.
[0009] 본 발명의 목적은 지지 링의 에지 상의 이러한 증착물들의 형성을 방지하기 위한 조치들을 취하는 것이다.
[0010] 이러한 목적은 청구항들에서 표시되는 발명에 의해 달성되며, 여기서 종속 청구항들은 독립 청구항들의 유리한 추가 개발들일 뿐만 아니라, 목적에 대한 독립적인 솔루션들을 설명한다.
[0011] 초기에 그리고 본질적으로, 지지 링으로 구성된 지지 엘리먼트의 주변 에지는 주변 에지에서의 입자 증착을 감소시키는 방식으로 둥글게 되거나 챔퍼처리(chamfered)되는 것이 제안되었다. 본질적으로 지지 엘리먼트의 하나의 상부면이 날카로운, 가능하게는, 단지 챔퍼처리된 경계부가 형성된 채로 실린더 내부 측면을 따라 연장되는 제한면으로 트랜지션되는 종래 기술과 대조적으로, 본 발명에 따른 에지는 챔퍼로서 설계되거나 둥글게 된다. 지지 엘리먼트의 본질적으로 편평한 상부면은 바람직하게는 어떠한 삐뚤어짐들도 없이 원환면(toroidal face)으로 트랜지션된다. 원환면은 둥근 영역을 표현하며, 어떠한 삐뚤어짐(kink)들도 없이 실린더 내부 측면을 따라 연장되는 제한면으로 같은 높이로 트랜지션되는 것을 의미한다. 라운딩(rounding) 반경은 적어도 0.1mm이다. 바람직한 실시예에서, 라운딩 반경은 0.2mm, 0.3mm, 0.4mm 또는 0.5mm보다 크다. 상부면이 제한면으로 트랜지션되게 하는 둥근 주변 에지는 기판의 에지들이 안착되는 지지 표면에 바로 인접할 수 있다. 그러나, 바람직한 실시예는 둥근 에지가 실린더 내부 측면 영역으로 트랜지션하는 것을 규정한다. 챔퍼가 형성된 채로, 제한면이 링의 상부면으로 트랜지션되는 대안에서, 챔퍼는 바람직하게는, 0.2mm, 0.3mm, 0.4mm 또는 0.5mm의 폭을 갖는다. 기판의 에지는 바람직하게는, 실린더 내부 측면을 따라 연장되는 제한면의 영역 맞은편에 놓인다. 지지 엘리먼트의 상부면이 연장되는 평면과 지지 엘리먼트의 지지 표면이 연장되는 제2 평면 사이의 거리는 바람직하게는 기판의 재료 두께보다 크다. 지지 엘리먼트는 폐쇄된 링일 수 있다. 이는 원형 또는 심지어 비원형 윤곽을 가질 수 있다. 그러나 지지 엘리먼트는 또한, 여러 부분들로 구성될 수 있다. 거리는 바람직하게는, 기판의 재료 두께가 약 0.5m이면, 적어도 1mm이다. 지지 표면에 법선인 표면의 방향으로 측정되는, 실린더 내부 측면 상에서 연장되는 제한면의 영역의 높이는 바람직하게는, 기판의 재료 두께보다 더 크다. 그러나, 이는 또한 기판의 재료 두께에 대응하거나 기판의 재료 두께보다 약간 작을 수 있다. 제한면의 이 영역의 높이는 둥근 코너의 반경 또는 챔퍼의 폭보다 크거나 작을 수 있다. 특히, 제한면의 실린더 내부 섹션의 높이는 지지 표면과 지지 링의 상부면 사이의 거리의 절반 미만이라는 것이 규정된다. 제한면의 직경은 특히, 기판의 에지와 제한면, 특히, 제한면의 실린더 내부 영역 사이의 거리가 챔퍼 또는 둥근 코너의 반경보다 작은 방식으로 기판의 직경보다 약간 더 크다. 지지 링은 방사상 내부 영역과 방사상 외부 영역을 가질 수 있다. 지지 링의 방사상 내부 영역은 적어도 국지적으로 기판 홀더의 지지 플랭크 상에 놓인다. 여기서 기판 홀더는 서셉터의 상부면 상에 안착되는 페데스탈-형상, 특히 원형 디스크-형상 물체를 포함한다. 수단, 예컨대, 가스 배출구(outlet opening)들이 서셉터의 상부면 상에 배열될 수 있으며, 이를 통해 기판 홀더는 상부면에 대해 매달린 채로 홀딩된다. 예컨대, 가스 스트림은 가스 배출구들을 빠져나가, 기판 홀더가 안착되는 가스 쿠션을 형성한다. 가스 배출 노즐의 적합한 방향은 그의 피규어 축(figure axis)을 중심으로 기판 홀더에 회전을 부여할 수 있다. 따라서, 기판 홀더 상에 안착되는 지지 링 및 지지 링에 의해 지지되는 기판은 증착 프로세스를 실행하는 동안 회전 구동된다. 기판은 그의 에지가 지지 링 상에 안착될 수 있다. 그러나 기판은 또한 기판 홀더 상에 안착될 수 있다. 특히, 기판 홀더의 상부면은 기판이 안착되는 원호(circular arc) 라인 상에 배열된 지지 돌출부들을 가질 수 있어서, 기판이 특정 지점들에서만 장착되게 한다. 기판 홀더는 서셉터에 놓인 하나 또는 여러 개의 커버 플레이트들에 의해 형성될 수 있는 포켓에 놓인다. 포켓의 내벽은 기판 홀더의 원주 벽으로부터 이격될 수 있다. 2개의 정반대 측들 상에서 지지 링에 접하는 채널들은 바람직하게는 원형 서셉터 조립체의 방사상 외부 에지로부터 진행될 수 있다. 지지 암의 핑거들은 이러한 채널들과 맞물려서 지지 링에 의해 지지되는 기판과 함께 그 지지 링을 들어올리고 이를 프로세스 챔버 밖으로 전달할 수 있다. 본 발명의 추가의 개량예(development)는 포켓의 에지가 챔퍼에 의해 형성된다는 것을 규정한다. 챔퍼는 서셉터 조립체의 넓은 측면에 그리고 실린더 내부 측면으로 구성된 포켓의 내벽에 인접하다. 넓은 측면에 법선인 표면의 방향으로 측정된 챔퍼의 높이는 바람직하게는, 지지 링의 높이 연장부보다 크다.
[0012] 본 발명에 따른 지지 링은 넓은 측 평면으로 연장되는 상부면과 상부면과 평행하게 이어지는 하부면을 가지며, 여기서 상부면은 특히 방사상 외부 영역에 그리고 하부면은 특히 방사상 내부 영역에 할당된다. 방사상 내부 영역은 부가적으로 기판의 에지를 지지하기 위한 지지 표면을 추가로 가지며, 이는 기판의 재료 두께보다 더 많이 지지 링의 상부면으로부터 이격된다. 본 발명에 따르면, 상부면은 둥근 코너 또는 챔퍼가 형성된 채로 제한면으로 트랜지션되며, 이는 기판의 에지 주위에서 원주 방향으로 연장되고 내부 실린더의 실린더 재킷 벽을 따라 확장되는 영역을 가질 수 있다. 특히, 본 발명은 CVD 반응기, 서셉터 조립체, 지지 링 또는 지지 링의 사용에 관한 것이며, 여기서 링의 중앙 축을 통해 이어지는 방사상 단면 표면에서, 둥근 에지는 아크 섹션을 따라 어떠한 삐뚤어짐도 없이 연장되며, 이는 적어도 0.3mm, 0.4mm, 0.5mm 또는 0.6mm 길이이고 평평한 상부면 및 적어도, 실린더 제한면에 인접한 그의 단부 지점들의 영역에서 곡선으로 이어진다. 여기서, 아크 섹션은 그의 단부 지점들에서 어떠한 삐뚤어짐들도 없이 상부면 또는 제한면으로 매끄럽게 이어지는 것이 유리하다.
[0013] 본 발명은 예시적인 실시예들에 기초하여 아래에서 보다 상세히 설명될 것이다.
도 1은 서셉터 조립체의 사시도를 도시한다.
도 2는 CVD 반응기를 통한 개략적인 단면을 도시한다.
도 3은 대략적으로 도 2의 섹션 평면 III-III에 따른 평면도로 서셉터 조립체를 도시한다.
도 4는 도 2의 컷아웃 IV를 도시한다.
도 5는 제1 예시적인 실시예의 도 4에 대한 컷아웃 V의 확대도를 도시한다.
도 6은 제2 예시적인 실시예의 도 4에 따른 예시를 도시한다.
도 7은 제2 예시적인 실시예의 도 5에 따른 예시를 도시한다.
도 8은 종래 기술이지만, 도 5에 따른 예시를 도시한다.
도 9는 도 3의 라인 IX-IX에 따른 섹션이다.
[0014] 도 2는, 스테인리스 강으로 만들어진 하우징을 갖고, 내부에 배열된 프로세스 챔버(2)를 외부에 대해 밀봉하고 배기될 수 있는 CVD 반응기(1)를 도시한다. 프로세스 가스들 예컨대, 실리콘-수소 및 탄소-수소는 캐리어 가스 예컨대, H2와 함께, 가스 유입 부재(5)를 통해 프로세스 챔버 내로 공급될 수 있다. 프로세스 챔버(2)는 프로세스 챔버 커버(4)에 의해 상부에서 뚜껑이 덮여진다. 프로세스 가스들의 송입은 본질적으로 회전 대칭적 프로세스 챔버(2)의 중앙에서 발생한다. 프로세스 챔버(2)의 바닥은 도 1 및 도 3에 도시된 종류의 서셉터 조립체(3)로 구성된다. 서셉터 조립체(3)는 특히, 흑연 또는 코팅된 흑연으로 구성된 서셉터(14)로 구성되며, 이는 기판(10)이 서셉터 조립체(3)의 중심 주위에 원형으로 배열되는 원형 디스크-형상 지지체를 형성한다. 회전 드라이브(9)는 회전축(7)을 중심으로 서셉터 조립체(3)를 회전식으로 구동하도록 제공된다. 서셉터 조립체(3) 아래에는 가열 디바이스(6)가 로케이팅되며, 이 가열 디바이스로, 서셉터 조립체(3)는 프로세스 온도로 가열될 수 있다. 이 프로세스 온도에서, 가스 유입 부재를 통해 프로세스 챔버(2)로 공급된 초기 재료들은 실리콘 카바이드 층이 기판(10) 상에 증착되는 방식으로 분해된다. 반응 산물들은 그 후, 가스 배출구(8)를 통해 캐리어 가스와 함께 프로세스 챔버(2)를 빠져나간다.
[0015] 외부 커버 플레이트들(15) 및 내부 커버 플레이트들(27)은 지지체를 형성하는 서셉터(14)의 상부면 상에 로케이팅된다. 커버 플레이트들(15, 27)의 상부면들은 서셉터 조립체(3)의 넓은 측면(15')을 형성한다. 이 넓은 측면(15')에 여러 개구들이 로케이팅된다. 개구들은 포켓들(17)로 구성된다. 각각의 포켓(17)에는 기판 홀더(12)가 로케이팅되며, 이 기판 홀더(12)는 서셉터(14)의 상부면과 기판 홀더(12)의 하부면 사이의 가스 쿠션(도면들에서 도시되지 않음) 상에 안착된다. 가스 쿠션은 서셉터 상부면에서 가스 배출구들을 빠져나가는 캐리어 가스로 구성되며, 여기서 가스 배출구들은 그의 피규어 축에서 기판 홀더(12)에 회전을 부여하는 방식으로 정렬된다.
[0016] 원형 디스크-형상 기판 홀더(12)의 에지 영역은 지지 링(20)의 방사상 내부 영역(22)이 안착되는 지지 플랭크(13)를 형성한다. 여기서 지지체(20)의 내벽(22')은 지지 플랭크(13)에 인접한 계단식 벽에 접한다. 지지 링(20)의 방사상 내부 영역(22)은 도 6 및 도 7에 도시된 예시적인 실시예에서 기판(10)의 방사상 외부 에지 섹션이 안착되는 지지 표면(23)을 갖는다. 여기서 기판(10)의 하부면은 거리(c)만큼 기판 홀더의 중앙 영역의 상부면으로부터 이격되며, 여기서 거리(c)는 기판(10)의 재료 두께(d)보다 다소 크거나 작을 수 있으며, 이는 1 밀리미터 미만일 수 있다.
[0017] 도 4 및 도 5에서 도시된 예시적인 실시예에서, 기판 홀더(12)는 기판 홀더(12)의 중심 주위의 원호 라인 상에 배열되고 기판(10)을 지지하는 복수의 지지 돌출부들(32)을 가져서, 이 기판(10)이 기판 홀더(12)의 상부면으로부터 거리(c)를 갖게 한다. 여기서 지지 표면(23)은 기판 홀더(12)의 상부면이 이어지는 동일한 평면에서 이어져서, 기판(10)의 하부면은 지지 표면(23)으로부터 약간 이격된다. 도 4 및 도 5에서 도시된 예시적인 실시예에서, 기판(10)의 에지 영역은, 지지 링(20)이 기판(10)을 전달하기 위한 엘리먼트로서 사용되는 경우에만 지지 표면(23)과 접촉하게 된다.
[0018] 지지 표면(23)은 방사상 외부 방향으로 제한면(24)에 인접한다. 지지 표면(23)의 원주 홈은 제한면(24)에 인접한 영역에서 연장된다.
[0019] 지지 표면(23)에 인접한 제한면(24)의 영역은 실린더 내부 측면 상에서 연장되고, 기판(10)의 재료 두께(d)를 초과하는 높이를 갖는다. 높이(a)는 바람직하게는 적어도 0.5mm이다.
[0020] 바람직한 예시적인 실시예인 도 6 및 도 7에서 도시된 예시적인 실시예에서, 넓은 측면(15')에 평행한 평면으로 이어지는 지지 링(20)의 상부면(26), 특히 지지 링(20)의 방사상 외부 영역(21)의 상부면(26)은 원환면이 형성된 채로, 실린더 내부 측면 상에서 연장되는 제한면(24)과 동일 높이로 트랜지션된다. 따라서, 원환면은 둥근 코너(25)를 형성한다. 둥근 코너(25)의 라운딩 반경(R)은 0.4mm보다 크고, 바람직하게는 0.5mm보다 크다. 높이(a) 및 반경(R)의 합은 상부면(26)이 연장되는 제1 평면과 지지 표면(23)이 연장되는 제2 평면의 이격된 거리(b)에 대응한다. 간극(b)은 간극(a)의 두 배 미만이다. 지지 표면(23)과 상부면(26) 사이의 높이 차이는 바람직하게는, 적어도 1mm이다.
[0021] 도 4 및 도 5에 도시된 예시적인 실시예에서, 상부면(26)은 원뿔 표면 상에서 연장되는 챔퍼(25')가 형성된 채로 내벽(24)으로 트랜지션한다. 여기서 챔퍼 폭은 바람직하게는, 0.4mm 보다 크거나 또는 0.5mm 보다 크다. 여기서 챔퍼의 높이는 반경(R)에 대응한다. 이는 간격(a)보다 작다. 여기서 간극(b)은 또한 간극(a)의 두 배 미만이다. 챔퍼(25')는 또한 어떠한 삐뚤어짐들도 없이 내벽(24) 또는 상부면(26)으로 이어질 수 있다. 챔퍼(25')는 또한 인접한 여러 챔퍼들을 가질 수 있어서, 단면이 또한 다각형처럼 이어질 수 있다.
[0022] 지지 링(20)의 방사상 외부 영역(21)은 기판 홀더(12)의 원주 벽(19) 위로 돌출된다. 도면들에서 도시되지 않은 그리퍼는 지지 링(20)의 전체 원주 주위에서 연장되는 결과적으로 형성된 오버행(overhang) 아래에 도달할 수 있다. 이를 위해, 파지 암은 서로 평행하게 이어지는 2개의 파지 핑거들을 가지며, 이는 지지 링의 방사상 오버행 아래에서 직경 방향으로 정반대 섹션들에 미칠 수 있다.
[0023] 커버 플레이트들(15)은 파지 암들의 파지 핑거들이 맞물릴 수 있는 채널들(31)을 형성한다.
[0024] 추가로, 상부면(26)이 연장되는 평면은 넓은 측 평면(15')이 연장되는 평면에 대해 일정 거리를 갖는다는 것이 규정된다. 거리(e)는 둥근 코너(25)의 라운딩 반경(R) 또는 챔퍼(25')의 폭 또는 높이에 대략적으로 대응하지만, 반경(R)보다 작을 수 있다. 특히, 상부면(26)과 서셉터(14)의 상부면 사이의 거리는 넓은 측 평면(15')과 서셉터(14)의 상부면 사이의 거리보다 더 크다는 것이 규정된다. 따라서, 지지 링(20)의 방사상 외부 영역(21)은 넓은 측 평면(15')으로부터의 원형 융기부를 포함하고, 여기서 이 융기부의 내부 주변 에지(25)뿐만 아니라 이 융기부의 외부 주변 에지(29) 둘 모두는 둥글거나 챔퍼처리된다. 둥근 코너들(25, 29)의 2개의 라운딩 반경들은 동일할 수 있다. 그러나 코너들(25, 29)은 또한 둥근 영역들 대신 챔퍼들을 형성할 수 있다.
[0025] 추가로, 실린더 내부 측벽을 따라 연장되는 포켓(17)의 내벽(18)이 실린더 외부 측벽 상에서 연장되는 기판 홀더(12)의 원주 벽(19) 맞은편에 일정 거리를 두고 놓인다는 것이 규정된다. 커버 플레이트(15)의 내벽(18)은 챔퍼(16)에 인접할 수 있다. 챔퍼(16)는 넓은 측 평면(15')에 인접하다. 넓은 측 평면(15')에 법선인 표면 방향으로 측정된 챔퍼(16)의 높이는 지지 링(20)의 재료 두께보다 클 수 있다. 특히, 원주 벽(19)의 높이는 실린더 내부 측벽 상에서 연장되는 내벽(18)의 섹션의 높이보다 더 크다는 것이 규정된다. 지지 링(20)의 재료 두께는 약 3m일 수 있다. 실린더 측벽 상에서 이어지고 지지 링(20)의 외부 경계를 형성하는 외부 표면(30)은 챔퍼(16) 맞은편에 놓일 수 있다.
[0026] 도 8은 도 7에서 도시된 조립체와 유사하지만 종래 기술에 따른 조립체를 도시한다. 넓은 측 평면(15')과 제한면(24) 사이의 트랜지션 코너는 여기서 날카로운-코너이다. 1300 ℃를 초과하는 온도들에서 SiC를 증착할 때, 기생 증착물들(28)이 트랜지션 코너(25')에서 형성되며, 이는 커버 플레이트들(15 및 27) 또는 기판(10)의 표면 위의 프로세스 가스들의 흐름에 영향을 미친다.
[0027] 도 5 또는 도 7에서 도시된 에지 영역의 구성은 그러한 기생 증착물들(32)의 감소된 형성을 야기하며, 여기서 기생 증착물들(28)의 감소된 형성은 도 7에서 도시된 둥근 영역의 경우에 중요하다.
[0028] 본 발명에 따르면, 둥근 영역 또는 둥근 에지 또는 둥근 코너라는 용어는 원환형으로(toroidally)으로 이어지는, 즉 1/4-원호와 같이 성형된 단면을 갖는 내부 실린더 면과 평평한 표면 사이의 트랜지셔널 영역(transitional area)으로서 이해될 뿐만 아니라, 단면이 다각형 라인인 그러한 트랜지셔널 영역들을 또한 포함하며, 여기서 90 °의 각도에 걸쳐 연장되는 다각형 라인의 개별 라인 엘리먼트들은 라운딩된 방식으로 서로 병합되어서, 평평한 표면과 내부 실린더 면 사이의 트랜지셔널 영역은 삐뚤어짐들이 없이 이어진다.
[0029] 위의 언급들은 전체적으로 본 출원에 의해 포함되는 발명들을 설명하는 역할을 하며, 이 발명들 각각은 또한, 적어도 다음의 특징 조합들에 의해 독립적으로 선행 기술을 추가로 발전시키는데, 구체적으로:
[0030] 제한면(24)은 둥근 에지(25) 또는 챔퍼(25')가 형성된 채로링(20)의 상부면(26)으로 트랜지션되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0031] 지지 링(20)의 방사상 내부 영역(22)에 의해 형성된 기판(10)의 에지를 지지하기 위한 지지 표면(23)은 기판(10)의 재료 두께(d)보다 큰 거리(b) 만큼 상부면(26)으로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0032] 본질적으로 실린더 내부 측면을 따라 이어지는 제한면의 섹션(24)은, 기판(10)의 재료 두께(d)보다 크고 그리고/또는 챔퍼(25') 또는 둥근 코너(25)의 반경(R)보다 크고 그리고/또는 지지 표면(23)이 연장되는 평면과 상부면(26)이 연장되는 평면 사이의 거리(b)의 절반 미만인 높이(a)를 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0033] 기판(10)의 에지(10')와 실린더 내부 측면을 따라 이어지는 제한면의 섹션(24) 사이의 거리는 둥근 코너(25)의 반경(R) 또는 챔퍼(25')의 폭 미만인 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0034] 둥근 코너(25)의 반경(R) 또는 챔퍼(25')의 폭은 적어도 0.4mm, 바람직하게는 적어도 0.5mm이고, 그리고/또는 상부면(26)은 제2 둥근 코너(29) 또는 제2 챔퍼가 형성된 채로 원주면(30)으로 트랜지션되고, 제2 둥근 코너(29) 또는 제2 챔퍼의 반경은 적어도 0.4mm, 바람직하게는 적어도 0.5mm인 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0035] 지지 링(20)의 방사상 내부 영역(22)은 기판 홀더(12)의 지지 플랭크(13) 상에 안착되고, 기판 홀더(12)는 서셉터(14)의 상부면 상에 안착되고, 서셉터 조립체(3)가 가열될 수 있게 하는 가열 디바이스(6) 위에 배치되며, 기판 홀더(12)가 지지하는 지지 링(20)과 함께 기판 홀더(12)에 회전을 부여하기 위한 수단이 제공되고, 기판(10)은 기판 홀더(12)의 피규어 축(figure axis)을 중심으로 지지 링(20)에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0036] 기판 홀더(12)의 원주 벽(19) 맞은편에 놓이는 포켓(7)의 내벽(18)은 커버 플레이트(15)로 구성되고, 커버 플레이트(15)는 지지체를 형성하는 서셉터(14) 상에 안착되며, 커버 플레이트(15)의 상부면은 서셉터 조립체(3)의 넓은 측 평면(15')을 포함하고, 특히, 지지 링(20)의 방사상 외부 영역(21)의 상부면(26)은 거리(e) 만큼 넓은 측 평면(15') 위로 돌출하는 것이 규정되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0037] 넓은 측 평면(15')이 특히, 챔퍼(16)가 형성된 채로 실린더 내부 측면을 따라 이어지는 포켓(17)의 내부면(18)으로 트랜지션되고, 특히, 넓은 측 평면에 법선인 표면의 방향으로 연장되는 챔퍼(16)의 높이는, 기판 홀더(12)의 지지 플랭크(13) 상에 안착되는 지지 링(20)의 하부면 특히, 지지 표면 및 지지 링의 상부면(26)의 동일 방향으로 연장되는 거리보다 크다는 것이 규정되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0038] 제한면(24)은 둥근 코너(25) 또는 챔퍼(25')가 형성된 채로 상부면(26)으로 트랜지션되는 것을 특징으로 하는 지지 링.
[0039] 둥근 코너(25)의 반경(R)은 적어도 0.4mm, 바람직하게는 적어도 0.5mm이고 그리고/또는 실린더 내부 측면을 따라 연장되는 제한면의 섹션(24)은 반경 (R)보다 큰, 지지 표면(23)에 법선인 표면의 방향으로 연장되는 높이(a)를 갖는 것을 특징으로 하는 지지 링.
[0040] 모든 개시된 특징들(별개로 또는 서로 결합하여 취해짐)은 본 발명에 필수적이다. 이로써, 본 출원의 개시내용은 또한 본 출원의 청구항들에서, 첨부/부착된 우선권 문서들(예비 출원의 사본)의 특징들을 포함할 목적으로, 이들 우선권 문서들 그 전체의 개시내용 콘텐츠들 전체를 또한 포함한다. 참조된 청구항의 특징들이 없더라도, 종속청구항들은, 특히 이들 청구항들에 기초한 부분 출원들을 개시하기 위해 그의 특징들을 갖는 종래 기술의 독립적인 추가의 발전들을 특징으로 한다. 각각의 청구항에 표시된 본 발명은 위의 명세서에서 표시된 특징들, 특히 참조 번호들이 제공되고 그리고/또는 참조 리스트 상에 포함된 특징들 중 하나 또는 여러 개를 부가적으로 가질 수 있다. 본 발명은 또한, 특히 위의 명세서에서 언급된 개별 특징들이 개개의 의도된 애플리케이션에 대해 명백히 불필요하거나 또는 다른 기술적으로 등가의 수단으로 대체될 수 있는 한, 이들 개별 특징들이 실현되지 않는 실시예들을 지칭한다.
1 CVD 반응기 하우징
2 프로세스 챔버
3 서셉터 조립체
4 프로세스 챔버 커버
5 가스 주입구
6 가열 디바이스
7 온도 제어 유닛
8 가스 배출구
9 회전 드라이브
10 기판
10' 기판의 에지
11 리세스
12 기판 홀더
13 지지 플랭크
14 지지체
15 커버 플레이트 상부면
16 챔퍼
17 포켓
18 내벽
19 원주 벽
20 지지 엘리먼트
21 방사상 외부 영역
22 방사상 내부 영역 내벽
23 지지 표면
24 내벽
25 둥근 코너
25' 챔퍼
26 상부면
27 커버 플레이트
28 증착
29 둥근 에지
30 외부 플랭크
31 채널
32 돌출 조각
a 높이
b 거리
c 거리
d 재료 두께
e 거리
R 반경

Claims (18)

  1. 프로세스 챔버(2)를 향하고 포켓(17)을 갖는 적어도 하나의 넓은 측 평면(15'), 및 기판(10)을 지지 및 취급하기 위해 적어도 하나의 포켓(17)에 놓인 지지 엘리먼트(20)를 갖는, 반응기 하우징(1)에 배열된 서셉터 조립체(3)를 갖는 디바이스의 사용으로서,
    상기 넓은 측 평면(15')에 평행하게 연장되는 상기 지지 엘리먼트(20)의 상부면(26)은 상기 기판(10)이 배열되는 리세스(11)의 제한면에 인접하고, 상기 실린더 내부 측면 상에서 이어지는 상기 제한면의 섹션(24)은, 실리콘 및 탄소를 포함하는 가스 시재료들의 분해 산물들로 구성된 층들을 하나 또는 여러 개의 기판들(10) 상에 증착하도록, 둥근 에지(25) 또는 챔퍼(25')가 형성된 채로 상기 지지 엘리먼트(20)의 상부면(26)으로 트랜지션되고,
    상기 실린더 내부 측면 상에서 이어지는 상기 제한면의 섹션(24)은 상기 기판(10)의 재료 두께(d)보다 큰 높이(a)를 갖고, 상기 둥근 코너(25')의 반경(R)은 0.4mm보다 큰 것을 특징으로 하는,
    반응기 하우징(1)에 배열된 서셉터 조립체(3)를 갖는 디바이스의 사용.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 지지 엘리먼트(20)의 방사상 내부 영역(22)에 의해 형성된 상기 기판(10)의 에지를 지지하기 위한 지지 표면(23)은 상기 기판(10)의 재료 두께(d)보다 큰 거리(b) 만큼 상기 상부면(26)으로부터 이격되는,
    반응기 하우징(1)에 배열된 서셉터 조립체(3)를 갖는 디바이스의 사용.
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 섹션(24)의 높이(a)는 상기 챔퍼(25')의 높이 또는 상기 둥근 코너(25)의 반경(R)보다 큰 것을 특징으로 하는,
    반응기 하우징(1)에 배열된 서셉터 조립체(3)를 갖는 디바이스의 사용.
  4. 제1 항 또는 제3 항에 있어서,
    상기 높이(a)는 상기 지지 표면(23)이 연장되는 평면과 상기 상부면(26)이 연장되는 평면 사이의 거리(b)의 절반 미만인 것을 특징으로 하는,
    반응기 하우징(1)에 배열된 서셉터 조립체(3)를 갖는 디바이스의 사용.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판(10)의 에지(10')와 실린더 내부 측면을 따라 이어지는 상기 제한면의 섹션(24) 사이의 거리는 상기 둥근 코너(25)의 반경(R) 또는 상기 챔퍼(25')의 폭 미만인 것을 특징으로 하는,
    반응기 하우징(1)에 배열된 서셉터 조립체(3)를 갖는 디바이스의 사용.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 둥근 코너(25)의 반경(R) 또는 상기 챔퍼(25')의 폭은 적어도 0.5mm인 것을 특징으로 하는,
    반응기 하우징(1)에 배열된 서셉터 조립체(3)를 갖는 디바이스의 사용.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 링(20)의 방사상 내부 영역(22)은 기판 홀더(12)의 지지 플랭크(13) 상에 안착되고, 상기 기판 홀더(12)는 서셉터(14)의 상부면 상에 안착되고, 상기 서셉터 조립체(3)가 가열될 수 있게 하는 가열 디바이스(6) 위에 배치되며, 상기 기판 홀더(12)가 지지하는 상기 지지 링(20)과 함께 상기 기판 홀더(12)에 회전을 부여하기 위한 수단이 제공되고, 상기 기판(10)은 상기 기판 홀더(12)의 피규어 축(figure axis)을 중심으로 상기 지지 링(20)에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는,
    반응기 하우징(1)에 배열된 서셉터 조립체(3)를 갖는 디바이스의 사용.
  8. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판 홀더(12)의 원주 벽(19) 맞은편에 놓이는 상기 포켓(17)의 내벽(18)은 커버 플레이트(15)로 구성되고, 상기 커버 플레이트(15)는 지지체를 형성하는 서셉터(14) 상에 안착되며, 상기 커버 플레이트(15)의 상부면은 상기 서셉터 조립체(3)의 넓은 측 평면(15')을 포함하고, 특히, 상기 지지 링(20)의 방사상 외부 영역(21)의 상부면(26)은 거리(e) 만큼 상기 넓은 측 평면(15') 위로 돌출하는 것이 규정되는 것을 특징으로 하는,
    반응기 하우징(1)에 배열된 서셉터 조립체(3)를 갖는 디바이스의 사용.
  9. 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 넓은 측 평면에 법선인 표면의 방향으로 연장되는 챔퍼(16)의 높이는, 기판 홀더(12)의 지지 플랭크(13) 상에 안착되는 상기 지지 링(20)의 하부면 특히, 지지 표면 및 상기 지지 링의 상부면(26)의 동일 방향으로 연장되는 거리보다 큰 것을 특징으로 하는,
    반응기 하우징(1)에 배열된 서셉터 조립체(3)를 갖는 디바이스의 사용.
  10. 특히, 실리콘 및 탄소를 포함하는 가스 시재료들의 분해 산물들로 구성된 층들을 하나 또는 여러 개의 기판들(10) 상에 증착하기 위한 디바이스로서,
    상기 디바이스는, 프로세스 챔버(2)를 향하고 포켓(17)을 갖는 적어도 하나의 넓은 측 평면(15'), 및 기판(10)을 지지 및 취급하기 위해 적어도 하나의 포켓(17)에 놓인 지지 엘리먼트(20)를 갖는, 반응기 하우징(1)에 배열되는 서셉터 조립체(3)를 갖고, 상기 넓은 측 평면(15')에 평행하게 연장되는 지지(20)의 상부면(26)은 상기 기판(10)이 배열될 수 있는 리세스(11)의 제한면(24)에 인접하고, 상기 제한면(24)은 둥근 에지(25) 또는 챔퍼(25')가 형성된 채로 상기 링(20)의 상부면(26)으로 트랜지션되고,
    상기 지지 엘리먼트(20)의 방사상 내부 영역(22)에 의해 형성된 상기 기판(10)의 에지를 지지하기 위한 지지 표면(23)은 1mm보다 크거나 상기 기판(10)의 재료 두께(d) 보다 큰 거리(b) 만큼 상기 상부면(26)으로부터 이격되고, 상기 둥근 에지(25)의 반경(R) 또는 상기 챔퍼(25')의 폭은 적어도 0.4mm인 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  11. 제10 항에 있어서,
    본질적으로 실린더 내부 측면을 따라 이어지는 상기 제한면의 섹션(24)은, 상기 기판(10)의 재료 두께(d)보다 크고 그리고/또는 상기 챔퍼(25') 또는 상기 둥근 코너(25)의 반경(R)보다 크고 그리고/또는 상기 지지 표면(23)이 연장되는 평면과 상기 상부면(26)이 연장되는 평면 사이의 거리(b)의 절반 미만인 높이(a)를 갖는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  12. 제10 항 또는 제11 항에 있어서,
    상기 기판(10)의 에지(10')와 실린더 내부 측면을 따라 이어지는 상기 제한면의 섹션(24) 사이의 거리는 상기 둥근 코너(25)의 반경(R) 또는 상기 챔퍼(25')의 폭 미만인 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  13. 제10 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 둥근 에지(25)의 반경(R) 또는 상기 챔퍼(25')의 폭은 적어도 0.5mm이고, 그리고/또는 상기 상부면(26)은 제2 둥근 코너(29) 또는 제2 챔퍼가 형성된 채로 원주면(30)으로 트랜지션되고, 상기 제2 둥근 코너(29) 또는 상기 제2 챔퍼의 반경은 적어도 0.4mm, 바람직하게는 적어도 0.5mm인 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  14. 제10 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 링(20)의 방사상 내부 영역(22)은 기판 홀더(12)의 지지 플랭크(13) 상에 안착되고, 상기 기판 홀더(12)는 서셉터(14)의 상부면 상에 안착되고 상기 서셉터 조립체(3)가 가열될 수 있게 하는 가열 디바이스(6) 위에 배치되며, 상기 기판 홀더(12)가 지지하는 상기 지지 엘리먼트(20)와 함께 상기 기판 홀더(12)에 회전을 부여하기 위한 수단이 제공되고, 상기 기판(10)은 상기 기판 홀더(12)의 피규어 축(figure axis)을 중심으로 상기 지지 엘리먼트(20)에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  15. 제10 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판 홀더(12)의 원주 벽(19) 맞은편에 놓이는 상기 포켓(17)의 내벽(18)은 커버 플레이트(15)로 구성되고, 상기 커버 플레이트(15)는 지지체를 형성하는 서셉터(14) 상에 안착되며, 상기 커버 플레이트(15)의 상부면은 상기 서셉터 조립체(3)의 넓은 측 평면(15')을 포함하고, 특히, 상기 지지 엘리먼트(20)의 방사상 외부 영역(21)의 상부면(26)은 거리(e) 만큼 상기 넓은 측 평면(15') 위로 돌출하는 것이 규정되는 특징으로 하는,
    디바이스.
  16. 제10 항 내지 제15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 넓은 측 평면(15')이 특히, 챔퍼(16)가 형성된 채로 실린더 내부 측면을 따라 이어지는 상기 포켓(17)의 내부면(18)으로 트랜지션되고, 상기 넓은 측 평면에 법선인 표면의 방향으로 연장되는 챔퍼(16)의 높이는, 기판 홀더(12)의 지지 플랭크(13) 상에 안착되는 상기 지지 링(20)의 하부면 특히, 지지 표면 및 상기 지지 링의 상부면(26)의 동일 방향으로연장되는 거리보다 크다는 것이 특히 규정되는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  17. 제10 항 내지 제16 항 중 어느 한 항에 따른 디바이스 상에서 사용하기 위한 그리고/또는 특히, 실리콘 및 탄소를 포함하는 가스 시재료들의 분해 산물들로 특히 구성된 층들을 하나 또는 여러 개의 기판들(10) 상에 증착하기 위한 방법에서 사용하기 위한 지지 엘리먼트(20)로서,
    상기 지지 링(20)은 방사상 외부 영역(21) 및 방사상 내부 영역(22)을 가지며, 상기 방사상 내부 영역(22)은 상기 기판(10)의 에지를 지지하기 위한 지지 표면(23)을 형성하고, 상기 방사상 외부 영역(21)은 상기 기판(10)의 주변 에지(10')를 향하는 제한면(24) 및 상기 지지 표면(23)에 대해 적어도 대략 평행한 평면에서 연장되는 상부면(26)을 갖고,
    상기 제한면(24)은 둥근 코너(25) 또는 챔퍼(25')가 형성된 채로 상기 상부면(26)으로 트랜지션되고, 상기 둥근 코너(25)의 반경(R)은 적어도 0.4mm, 바람직하게는 적어도 0.5mm이고 그리고/또는 실린더 내부 측면을 따라 연장되는 상기 제한면의 섹션(24)은 상기 반경 (R)보다 큰, 상기 지지 표면(23)에 법선인 평면의 방향으로 연장되는 높이(a)를 갖는 것을 특징으로 하는,
    지지 엘리먼트(20).
  18. 제1 항 내지 제17 항 중 어느 한 항의 특징화 특징들 중 하나 또는 여러 개를 특징으로 하는 디바이스 또는 사용.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019114249A1 (de) * 2018-06-19 2019-12-19 Aixtron Se Anordnung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Suszeptors in einem CVD-Reaktor
DE102019105913A1 (de) * 2019-03-08 2020-09-10 Aixtron Se Suszeptoranordnung eines CVD-Reaktors
DE102020110570A1 (de) 2020-04-17 2021-10-21 Aixtron Se CVD-Verfahren und CVD-Reaktor mit austauschbaren mit dem Substrat Wärme austauschenden Körpern
DE102020117645A1 (de) 2020-07-03 2022-01-05 Aixtron Se Transportring für einen CVD-Reaktor
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DE102021126019A1 (de) 2021-10-07 2023-04-13 Aixtron Se CVD-Reaktor mit einem Tragring beziehungsweise Tragring für ein Substrat

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19630932A1 (de) * 1996-07-31 1998-02-05 Wacker Siltronic Halbleitermat Träger für eine Halbleiterscheibe und Verwendung des Trägers
DE19940033A1 (de) * 1999-08-24 2001-05-17 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Schichten auf rotierenden Substraten in einem allseits beheizten Strömungskanal
JP2001270789A (ja) 2000-03-29 2001-10-02 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム上への炭化珪素膜の形成方法、被膜構造体および炭化珪素膜
JP4526683B2 (ja) 2000-10-31 2010-08-18 株式会社山形信越石英 石英ガラス製ウェーハ支持治具及びその製造方法
DE10232731A1 (de) 2002-07-19 2004-02-05 Aixtron Ag Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
DE102005018161A1 (de) 2005-04-19 2006-11-02 Aixtron Ag Halbleiterbehandlungsvorrichtung zur Durchführung eines RTP Verfahrens
DE102005018162A1 (de) * 2005-04-19 2006-10-26 Aixtron Ag Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein CVD-Verfahren
JP2007109771A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置用のトレイ
WO2009060912A1 (ja) 2007-11-08 2009-05-14 Sumco Corporation エピタキシャル膜成長方法、ウェーハ支持構造およびサセプタ
CN105734532B (zh) * 2012-05-18 2019-04-30 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 用于化学气相沉积的具有铁磁流体密封件的转盘反应器
DE102012106796A1 (de) * 2012-07-26 2014-01-30 Aixtron Se Thermische Behandlungsvorrichtung mit einem auf einem Substratträgersockel aufsetzbaren Substratträgerring
US10242848B2 (en) 2014-12-12 2019-03-26 Lam Research Corporation Carrier ring structure and chamber systems including the same
DE102016103530A1 (de) 2016-02-29 2017-08-31 Aixtron Se Substrathaltevorrichtung mit aus einer Ringnut entspringenden Tragvorsprüngen
JP7107949B2 (ja) 2017-01-27 2022-07-27 アイクストロン、エスイー 搬送リング
DE102017101648A1 (de) * 2017-01-27 2018-08-02 Aixtron Se Transportring

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