EP3802909A1 - Cvd reaktor mit tragring zum substrathandhaben und verwendung eines tragrings an einem cvd reaktor - Google Patents

Cvd reaktor mit tragring zum substrathandhaben und verwendung eines tragrings an einem cvd reaktor

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EP3802909A1
EP3802909A1 EP19729690.8A EP19729690A EP3802909A1 EP 3802909 A1 EP3802909 A1 EP 3802909A1 EP 19729690 A EP19729690 A EP 19729690A EP 3802909 A1 EP3802909 A1 EP 3802909A1
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EP
European Patent Office
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substrate
support
chamfer
support element
plane
Prior art date
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Pending
Application number
EP19729690.8A
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English (en)
French (fr)
Inventor
Benjamin David Wright
Barry O'NEIL
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Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
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Filing date
Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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    • C23C14/505Substrate holders for rotation of the substrates
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    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
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    • C23C16/325Silicon carbide
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    • C23C16/4584Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12Substrate holders or susceptors

Definitions

  • the invention relates to a device for separating in particular from decomposition products of gaseous starting materials, which in particular contain silicon and carbon, built-up layers on one or more substrates, with a susceptor arrangement arranged in a reactor housing with at least one to one Process chamber pointing, a pocket having broad side plane and with a lying in the at least one pocket support ring for carrying and handling of the substrate, wherein a parallel to the broad side plane extending top of the support ring adjacent to a boundary surface of a recess in which the substrate can be arranged net ,
  • the invention also relates to a support ring for use on such a device or in a method for depositing layers, which consist in particular of carbon and silicon.
  • the invention also relates to a use of such a support ring.
  • a genus in modern device which is particularly suitable for the deposition of SiC, has a process chamber which is arranged in a reactor housing and in particular is also evacuated.
  • a bottom of the process chamber is formed by a susceptor assembly.
  • the susceptor arrangement can be heated from below.
  • the process chamber arranged above the susceptor arrangement is delimited at the top by a process chamber ceiling.
  • a gas inlet member opens to the inlet of gaseous starting materials, which in particular contain carbon and silicon.
  • the process chamber or the broad side plane of the susceptor arrangement facing the process chamber are heated to process temperatures at which the starting materials, which may be silane and methane or other silicon hydrogens or hydrocarbons, decompose, so silicon carbide layers are deposited on substrates carried by the susceptor assembly. This takes place at temperatures above 1000 degrees Celsius, in particular above 1300 degrees Celsius or 1500 degrees Celsius.
  • Support rings are provided for handling the substrates, which engage in pockets of the susceptor arrangement, wherein edges of the substantially circular substrates rest on bearing surfaces of the support ring, at least when the substrates are being handled.
  • a gripper which has two gripping fingers extending parallel to one another, a radially outer portion of the support ring can be grasped in order to lift it out of the pocket of the susceptor arrangement.
  • the susceptor arrangement preferably has channels open to the edge, into which the gripping fingers can engage.
  • the top of the support ring is substantially sharp-edged in one Inner cylinder surface over which surrounds the edge of the substrate.
  • the distance between the support surface for supporting the edge of the substrate on the support ring to the top of the support ring corresponds there substantially to the material thickness of the substrate, so that the substrate surface runs at the same level, on which runs the top of the support ring.
  • the object of the invention is to take measures to prevent the formation of such deposits on the edge of the support ring.
  • the peripheral edge of a support element which is formed by a support ring is rounded or touched such that there reduces the particle deposition.
  • a substantially an upper side of the support element merges into a boundary surface extending along an inner cylinder jacket surface, forming a sharp, possibly merely broken edge, according to the invention the edge is rounded or designed as a chamfer.
  • the substantially flat upper side of the support element preferably passes without kinks into a torus surface.
  • the torus surface which represents the rounding, is flush, that is, free of kinks in the extending along an inner cylinder surface boundary surface over.
  • the radius of curvature should be at least 0.1 mm.
  • the radius of curvature is greater than 0.2 mm, 0.3 mm, 0.4 mm or 0.5 mm.
  • the rounded peripheral edge, with which the upper side merges into the boundary surface can directly adjoin a bearing surface on which the edge of the substrate rests. According to a preferred embodiment, however, it is provided that the rounded edge merges into an inner cylinder jacket surface area.
  • the boundary surface merges with the formation of a chamfer in the upper side of the ring
  • the chamfer preferably has a width of 0.2 mm, 0.3 mm, 0.4 mm or 0.5 mm.
  • the edge of the substrate preferably lies opposite the region of the boundary surface extending along an inner cylinder jacket surface.
  • the distance between a plane in which the upper side of the support element extends from a second plane in which the support surface of the support element extends is preferably greater than the material thickness of the substrate.
  • the support element may be a closed ring. It can have a circular or even non-circular outline.
  • the support element can also be composed of several parts.
  • the distance is preferably at least 1 mm with a material thickness of the substrate of about 0.5 mm.
  • the height, measured in the direction of the surface normal of the support surface, of the region of the boundary surface extending on an inner cylinder jacket surface is preferably greater than the material thickness of the substrate. But it may also correspond to the material thickness of the substrate or be slightly smaller than the material thickness of the substrate.
  • the height of this area of the boundary surface may be greater or less than the radius of the rounded edge or the width of the chamfer. It is provided in particular that the height of the inner cylindrical portion of the boundary surface is smaller than half the distance of the support surface from the upper side of the support ring.
  • the average diameter of the boundary surface is slightly larger than the diameter of the substrate in such a way that the distance of an edge of the substrate from the boundary surface and in particular from the inner cylindrical portion of the boundary surface is smaller than the radius of the rounded edge or bevel.
  • the support ring may have a radially inner region and a radially outer region. The radially inner region of the support ring lies at least in sections on a support flank of a substrate holder.
  • the substrate holder forms a cap-shaped, in particular circular disk-shaped object which rests on the upper side of a susceptor.
  • Means for example gas outlet openings, can be arranged in the upper side of the susceptor with which the substrate holder is held in suspension relative to the upper side.
  • a gas stream emerges from the gas outlet openings, forming a gas cushion on which the substrate holder rests.
  • the substrate holder can be set in rotation about its axis.
  • the support ring resting on the substrate holder and the substrate carried by the support ring are thus rotationally driven during the execution of the deposition process.
  • the substrate can rest with its edge on the support ring. But it can also rest on the substrate holder.
  • the upper side of the substrate holder may in particular have support projections arranged on a circular arc line, on which the substrate rests, so that it is only stored at points.
  • the substrate holder is located in a pocket which may be formed by one or more cover plates resting on the susceptor.
  • An inner wall of the pocket may be spaced from a peripheral wall of the substrate holder. From the radially outer edge of the preferably circular susceptor arrangement channels can emerge, which affect the support ring on two diametrically opposite sides. Fingers of a support arm can engage in these channels in order to undercut the radially outer edge of the support ring, which protrudes beyond the substrate holder, in order to lift the support ring with the substrate carried by it and convey it out of the process chamber.
  • the Edge of the bag is formed by bevel.
  • the chamfer adjoins the broad side surface of the susceptor assembly and an inner wall of the pocket, which is formed by an inner cylinder jacket surface. Measured in the direction of the surface normal of the major surface height of the chamfer is preferably greater than the HOE S hener treckung of the support ring.
  • a support ring according to the invention has an upper side extending in a broad side plane and a lower side extending parallel thereto, wherein the upper side is assigned in particular to a radially outer region and the lower side in particular to a radially inner region.
  • the radially inner region furthermore has a support surface for supporting the edge of the substrate, which is spaced from the upper side of the support ring by more than the material thickness of the substrate.
  • the upper side merges into the boundary surface, forming a rounded edge or a chamfer, which extends in the circumferential direction around the edge of the substrate and which can have a region which extends along a cylinder jacket wall of an inner cylinder.
  • the invention relates in particular to a CVD reactor, a susceptor arrangement, a support ring or the use of a support ring, wherein the rounded edge in a running through a central axis of the ring radial cross-sectional area in particular kink-free along at least in the region of their to the flat top and the cylindrical boundary surface extending curved, at least 0.3 mm, 0.4 mm, 0.5 mm or 0.6 mm long arcuate border adjacent endpoints.
  • it is advantageous for the curved section to extend smoothly into its upper side or boundary surface at its end points without kinking.
  • FIG. 6 shows a representation according to FIG. 4 of a second exemplary embodiment
  • FIG. a representation according to Figure 5 of the second embodiment
  • FIG. a representation according to Figure 5, but the state of
  • FIG. 2 shows a CVD reactor 1 with a housing made of stainless steel, which closes a process chamber 2 arranged therein in a gastight manner to the outside and which can be evacuated.
  • a gas inlet element 5 process gases, for example a silicon hydrogen and a carbon hydrogen, together with a carrier gas, for example FF, can be fed into the process chamber.
  • the process chamber 2 is bounded at the top by a process chamber ceiling 4.
  • the feed of the process gases takes place in a center of the essentially rotationally symmetrical process chamber 2.
  • the bottom of the process chamber 2 is formed by a susceptor arrangement 3, as illustrated in FIGS. 1 and 3.
  • the susceptor arrangement 3 is formed by a susceptor 14, in particular consisting of graphite or coated graphite, which forms a circular disk-shaped supporting body on which the substrates 10 are arranged in a circle around the center of the susceptor arrangement 3.
  • a rotary drive 9 is provided in order to drive the susceptor arrangement 3 about an axis of rotation 7.
  • a heater 6, with which the susceptor 3 is heatable to a process temperature At this process temperature, the starting materials fed into the process chamber 2 through the gas inlet element decompose such that a silicon carbide layer is deposited on the substrate 10. Reaction products then leave the process chamber 2 together with the carrier gas through a gas outlet 8.
  • each pocket 17 is a substrate holder 12, which rests on a gas cushion, not shown in the drawings, between the upper side of the susceptor 14 and the underside of the substrate holder 12.
  • the gas cushion is formed by a carrier gas emerging from gas outlet openings in the susceptor top side, wherein the gas outlet openings are directed in such a way that the substrate holder 12 is set in rotation in its figure axis.
  • An edge region of the circular disk-shaped substrate holder 12 forms a supporting flank 13, on which a radially inner region 22 of a supporting ring 20 rests.
  • An inner wall 22 'of the support body 20 bears against a step wall which adjoins the supporting flank 13.
  • the radially inner region 22 of the support ring 20 has a support surface 23, on which in the embodiment shown in Figures 6 and 7, a radially outer edge portion of the substrate 10 rests.
  • the underside of the substrate 10 is at a distance c from the top of a central region of the substrate holder, wherein the distance c may be somewhat greater or slightly smaller than the material thickness d of the substrate 10, which may be below one millimeter ,
  • the substrate holder 12 has a plurality on a circular arc line about the center of the substrate holder before S prünge 32 on which the substrate 10 is supported, so that there is a distance c from the top of the substrate holder 12 has.
  • the support surface 23 extends here in the same plane in which the top of the substrate holder 12 extends, so that the underside of the substrate 10 is slightly spaced from the support surface 23.
  • the edge region of the substrate 10 only comes into contact with the support surface 23 when the support ring 20 is used as an element for transporting the substrate 10.
  • the bearing surface 23 adjoins a boundary surface 24 in the radial outer direction. In the region adjoining the boundary surface 24, a circumferential groove extends in the support surface 23.
  • the area of the boundary surface 24 adjoining the support surface 23 extends on an inner cylinder jacket surface and has a height a which is greater than the material thickness d of the substrate 10.
  • the height a is preferably at least 0.5 mm.
  • the upper side 26 of the support ring 20 extending in a parallel plane to the broad side surface 15 'and in particular the upper side 26 of the radially outer region 21 of the support ring 20 is in the exemplary embodiment illustrated in FIGS. 6 and 7, which is the preferred exemplary embodiment.
  • the torus surface thus forms a rounded edge 25.
  • the radius of curvature R of the rounded edge 25 is greater than 0.4 mm, preferably greater than 0.5 mm.
  • the sum of the height a and the radius R corresponds to a distance b between a first plane in which the upper side 26 extends and a second plane in which the support surface 23 extends.
  • the distance measure b is smaller than twice the distance measure a.
  • the height difference between support surface 23 and top 26 is preferably at least 1 mm.
  • the upper side 26 merges into the inner wall 24, forming a chamfer 25 'extending on a conical surface.
  • the chamfer width is preferably greater than 0.4 mm or greater than 0.5 mm.
  • the height of the chamfer here corresponds to the radius R. It is smaller than the distance measure a.
  • the distance measure b is also smaller than twice the distance measure a.
  • the chamfer 25 'can also kinkstellenok in the inner wall 24 and the top 26 ausfau- fen.
  • the chamfer 25 'can also be adjacent to several chamfers, so that the cross section can also run polygonal.
  • the radially outer region 21 of the support ring 20 projects beyond a peripheral wall 19 of the substrate holder 12.
  • the projection formed in this way which extends around the entire circumference of the support ring 20, can be grasped by a gripper (not shown in the drawings) ,
  • a gripping arm has two gripping fingers running parallel to one another, which can engage under the radial projection of the supporting ring at diametrically opposite sections.
  • the cover plates 15 form channels 31, in which the gripping fingers of the gripper arm can engage.
  • a plane in which the top 26 extends has a distance to a plane in which the broadside plane 15 'extends.
  • the distance e corresponds approximately to the radius of curvature R of the rounded edge 25 or the width or height of the chamfer 25 ', but may also be smaller than the radius R. It is especially provided that the distance of the upper side 26 from the top of the susceptor 14 is greater than the distance of the broad side plane 15 'from the top of the susceptor 14.
  • the radially outer portion 21 of the support ring 20 thus forms an annular elevation of the broad side plane 15', wherein both the inner edge edge 25 of this survey as well as the Outer edge 29 of this survey are rounded or chamfered.
  • the two rounding radii of the rounded edges 25, 29 can be the same. Instead of rounding, the edges 25,
  • an inner wall 18 of the pocket 17 extending along an inner cylinder jacket wall faces a circumferential wall 19 of the substrate holder 12 that extends on a cylinder outer jacket wall at a distance.
  • the inner wall 18 of a cover plate 15 may adjoin a chamfer 16.
  • the chamfer 16 adjoins the broad side plane 15 '.
  • the height of the thread 16 measured in the direction of the surface normal of the broad side plane 15 ' may be greater than the material thickness of the support ring 20.
  • the height of the peripheral wall 19 is greater than the height of the shell on an inner cylinder jacket wall extending portion of the inner wall 18.
  • the material thickness of the support ring 20 may be about 3 mm.
  • the thread 16 may be opposed to an outer surface 30 which runs on a cylinder jacket wall and which forms the outer boundary of the support ring 20.
  • Figure 8 shows an arrangement similar to the arrangement shown in Figure 7, however, of the prior art.
  • the transition edge between broad side plane 15 'and boundary surface 24 is here sharp-edged.
  • parasitic deposits 28, which influence the flow of the process gases over the surface of the substrate 10 or the cover plates 15 and 27, form at the transition edge 25 '.
  • rounding or rounded edge or rounded edge is understood to mean not only a transition region between a flat surface and an inner surface of a cylinder, which is toroidal. is shaped so that it has a cross-section in the form of a quarter circle arc, but also those transition regions whose cross-section is a polygonal line, wherein the individual line elements of the polygonal line extending over an angle of 90 ° merge into one another, so that the Transition region between the flat surface and cylinder inner surface runs kink-free.
  • a device which is characterized in that the boundary surface 24 merges into the upper side 26 of the ring 20, forming a rounded edge 25 or a chamfer 25 '.
  • a device which is characterized in that a support surface 23 formed by a radially inner region 22 of the support ring 20 for supporting an edge of the substrate 10 is spaced from the upper side 26 by a distance b which is greater than the material thickness d of the substrate 10.
  • a device which is characterized in that a section 24 of the boundary surface extending substantially along an inner cylinder jacket surface has a height a which is greater than the material thickness d of the substrate 10 and / or which is greater than that Radius R of the rounded edge 25 or chamfer 25 'and / or is smaller than half of the distance b of a plane in which the support surface 23 extends from a plane in which the top surface 26 extends. [0033] A device characterized in that the distance of an edge 10 'of the substrate 10 from the portion 24 of the boundary surface selling along an inner cylinder jacket surface is smaller than the radius R of the rounded edge 25 or the width of the chamfer 25'. ,
  • a device which is characterized in that the radius R of the rounded edge 25 or the width of the chamfer 25 'at least 0.4 mm, preferably at least 0.5 mm and / or that the top 26 to form a second rounded edge 29 or a second chamfer merges into a peripheral surface 30, wherein the radius of the second rounded edge 29 or the second chamfer is at least 0.4 mm, preferably at least 0.5 mm.
  • a device which is characterized in that the support ring 20 rests with its radially inner region 22 on a support flank 13 of a substrate holder 12, wherein the substrate holder 12 rests on the upper side of a susceptor 14 and above a heating device 6 is arranged, with which the Suszeptoran extract 3 is heated, wherein means are provided to move the substrate holder 12 together with the support ring carried by him 20 and the support ring 20 carried by the substrate 10 in a rotation about a figure axis of the substrate holder 12.
  • a device which is characterized in that the broad side plane 15 'merges, forming a chamfer 16, into an inner side 18 of the pocket 17 extending in particular along an inner cylinder jacket surface, wherein it is provided in particular that the surface the height of the chamfer 16 extending in the same direction is greater than a distance of an underside of the support ring 20, in particular a support surface resting on a support flank 13 of the substrate holder 12, and the upper side 26 of the support ring.
  • a support ring which is characterized in that the boundary surface 24 merges into the upper side 26 to form a rounded edge 25 or a chamfer 25 '.
  • a support ring which is characterized in that the radius R of the rounded edge 25 is at least 0.4 mm, preferably at least 0.5 mm, and / or that a section 24 of the boundary surface extending along an inner cylinder jacket surface is a has in the direction of the surface normal of the support surface 23 extending height a, which is greater than the radius R.

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Abstract

Die Erfindung betrifftdie Verwendung einer Vorrichtung mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten Suszeptoranordnung (3) mit mindestens einer zu einer Prozesskammer (2) weisenden, eine Tasche (17) aufweisenden Breitseitenebene (15') und mit einem in der zumindest einen Tasche (17) einliegenden Tragelements (20) zum Tragen und Handhaben des Substrates (10), wobei eine sich parallel zur Breitseitenebene (15') erstreckende Oberseite (26) des Tragelements (20) an eine Begrenzungsfläche einer Ausnehmung (11) angrenzt, in derdas Substrat (20) angeordnet wird, wobei ein auf eine Innenzylindermantelfläche verlaufende Abschnitt (24) die Begrenzungsfläche unter Ausbildung eines verrundeten Randes (25) oder einer Fase (25') in die Oberseite (26) des Tragelementes (20) übergeht zum Abscheiden von aus Zerlegungsprodukten gasförmiger Ausgangsstoffe, die Silizium und Kohlenstoff enthalten, aufgebauten Schichten auf ein oder mehreren Substraten (10). Um das Wachstum parasitärer Abscheidungen an einer Innenkante des Rings (20) zu vermindern wird vorgeschlagen, dass der auf der Innenzylindermantelfläche verlaufende Abschnitt der Begrenzungsfläche (24) eine Höhe (a) aufweist, die größer ist, als die Materialstärke (d) des Substrates (10) und der Radius (R) der gerundeten Kante (25') größer als 0,4 mm ist.

Description

Beschreibung
CVD Reaktor mit Tragring zum Substrathandhaben und Verwendung eines Tragrings an einem CVD Reaktor
Gebiet der Technik
[0001] Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden von insbeson- dere aus Zerlegungsprodukten gasförmiger Ausgangsstoffe, die insbesondere Silizium und Kohlenstoff enthalten, aufgebauten Schichten auf ein oder mehre- ren Substraten, mit einer in einem Reaktorgehäuse angeordneten Suszeptoran- ordnung mit mindestens einer zu einer Prozesskammer weisenden, eine Tasche aufweisenden Breitseitenebene und mit einem in der zumindest einen Tasche einliegenden Tragring zum Tragen und Handhaben des Substrates, wobei eine sich parallel zur Breitseitenebene erstreckende Oberseite des Tragrings an eine Begrenzungsfläche einer Ausnehmung angrenzt, in der das Substrat angeord- net werden kann.
[0002] Die Erfindung betrifft darüber hinaus auch einen Tragring zur Verwen- dung an einer derartigen Vorrichtung beziehungsweise bei einem Verfahren zum Abscheiden von Schichten, die insbesondere aus Kohlenstoff und Silizium bestehen.
[0003] Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Verwendung eines derartigen Tragringes.
Stand der Technik
[0004] Eine gattungs gemäße Vorrichtung, die insbesondere zum Abscheiden von SiC geeignet ist, besitzt eine Prozesskammer, die in einem Reaktorgehäuse angeordnet ist und die insbesondere auch evakuierbar ist. Ein Boden der Pro- zesskammer wird von einer Suszeptoranordnung ausgebildet. Die Suszeptor- anordnung kann von unten beheizt werden. Die oberhalb der Suszeptoranord- nung angeordnete Prozesskammer wird nach oben hin von einer Prozesskam- merdecke begrenzt. In die Prozesskammer mündet ein Gaseinlassorgan zum Einlass von gasförmigen Ausgangsstoffen, die insbesondere Kohlenstoff und Silizium enthalten. Die Prozesskammer beziehungsweise die zur Prozesskam- mer weisende Breitseitenebene der Suszeptoranordnung werden auf Prozess- temperaturen aufgeheizt, bei denen sich die Ausgangsstoffe, bei denen es sich um Silan und Methan oder andere Silizium- Wasserstoffe oder Kohlen- Wasser- stoffe handeln kann, zerlegen, so dass auf Substraten, die von der Suszeptor- anordnung getragen werden, Silizium-Karbid-Schichten abgeschieden werden. Dies erfolgt bei Temperaturen oberhalb 1000 Grad Celsius, insbesondere ober- halb 1300 Grad Celsius beziehungsweise 1500 Grad Celsius.
[0005] Zur Handhabung der Substrate sind Tragringe vorgesehen, die in Taschen der Suszeptoranordnung einliegen, wobei Ränder der im Wesentlichen kreisrun- den Substrate zumindest beim Handhaben der Substrate auf Auflageflächen des Tragringes aufliegen. Mit einem Greifer, der zwei parallel zueinander sich erstre- ckende Greiffinger aufweist, kann ein radial äußerer Abschnitt des Tragrings Untergriffen werden, um ihn aus der Tasche der Suszeptoranordnung anzuhe- ben. Die Suszeptoranordnung besitzt hierzu bevorzugt zum Rand hin offene Ka- näle, in die die Greiffinger eingreifen können.
[0006] Zum Stand der Technik gehören die folgenden Druckschriften:
DE 10232 731 Al, DE 10 2016 103 530 Al, DE 10 2005 018 161 Al und
US 2016/0172165 Al, DE 10 2012 106 796 Al, DE 10 2005 018 161 Al,
DE 10 2017 101 648 Al.
[0007] Bei Vorrichtungen, wie sie derzeit zum Abscheiden von SiC verwendet werden, geht die Oberseite des Tragrings im Wesentlichen scharfkantig in eine Innenzylinderfläche über, die den Rand des Substrates umgibt. Der Abstand der Auflagefläche zur Auflage des Randes des Substrates auf dem Tragring zur Oberseite des Tragrings entspricht dort im Wesentlichen der Materialstärke des Substrates, so dass die Substratoberfläche auf demselben Niveau verläuft, auf dem auch die Oberseite des Tragrings verläuft.
[0008] Bei einer derartigen Ausgestaltung des Tragrings wird bei dessen Ver- wendung zum Abscheiden von SiC-Schichten eine Partikelbildung an der Randkante des Tragrings beobachtet. Diese„wisker",„dendriten" oder zahn- förmigen parasitären Abscheidungen wirken sich negativ auf das Abschei- dungsergebnis aus.
Zusammenfassung der Erfindung
[0009] Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, Maßnahmen zu ergreifen, die die Bildung derartiger Abscheidungen am Rand des Tragrings zu verhin- dern.
[0010] Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Er- findung, wobei die Unteransprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der nebengeordneten Ansprüche, sondern auch eigenständige Lösungen der Auf- gabe darstellen.
[0011] Zunächst und im Wesentlichen wird vorgeschlagen, dass die Randkante eines Tragelementes, welcher von einem Tragring gebildet ist, derart verrundet oder angefasst wird, dass sich dort die Partikelabscheidung vermindert. Anders als beim Stand der Technik, bei dem eine im Wesentlichen eine Oberseite des Tragelementes unter Ausbildung einer scharfen, gegebenenfalls lediglich gebro- chenen Kante in eine sich entlang einer Innenzylindermantelfläche erstreckende Begrenzungsfläche übergeht, verläuft erfindungsgemäß der Rand verrundet oder als Fase ausgebildet. Die im Wesentlichen ebene Oberseite des Tragelementes geht bevorzugt knickstellenfrei in eine Torusfläche über. Die Torusfläche, die die Verrundung darstellt, geht bündig, das heißt, knickstellenfrei in die sich entlang einer Innenzylindermantelfläche erstreckende Begrenzungsfläche über. Der Rundungsradius soll mindestens 0,1 mm betragen. Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung ist der Rundungsradius größer als 0,2 mm, 0,3 mm, 0,4 mm oder 0,5 mm. Die verrundete Randkante, mit der die Oberseite in die Begrenzungsflä- che übergeht, kann unmittelbar an eine Auflagefläche angrenzen, auf der der Rand des Substrates aufliegt. Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung ist aber vorgesehen, dass der verrundete Rand in einen Innenzylindermantelflächenbe- reich übergeht. In einer Alternative, in der die Begrenzungsfläche unter Ausbil- dung einer Fase in die Oberseite des Ringes übergeht, hat die Fase bevorzugt eine Breite von 0,2 mm, 0,3 mm, 0,4 mm oder 0,5 mm. Der Rand des Substrates liegt bevorzugt dem sich entlang einer Innenzylindermantelfläche erstreckenden Bereich der Begrenzungsfläche gegenüber. Der Abstand einer Ebene, in der sich die Oberseite des Tragelements erstreckt von einer zweiten Ebene, in der sich die Auflagefläche des Tragelements erstreckt, ist bevorzugt größer als die Material- stärke des Substrates. Das Tragelement kann ein geschlossener Ring sein. Er kann einen kreisförmigen oder auch unrunden Umriss aufweisen. Das Tragele- ment kann aber auch aus mehreren Teilen zusammengesetzt sein. Der Abstand beträgt bevorzugt mindestens 1 mm bei einer Materialstärke des Substrates von etwa 0,5 mm. Die in Richtung der Flächennormalen der Auflagefläche gemessene Höhe des auf einer Innenzylindermantelfläche sich erstreckenden Bereichs der Begrenzungsfläche ist bevorzugt größer als die Materialstärke des Substrates. Sie kann aber auch der Materialstärke des Substrates entsprechen oder geringfügig kleiner sein als die Materialstärke des Substrates. Die Höhe dieses Bereichs der Begrenzungsfläche kann größer oder kleiner sein als der Radius der gerundeten Kante oder der Breite der Fase. Es ist insbesondere vorgesehen, dass die Höhe des innenzylindrischen Abschnitts der Begrenzungsfläche kleiner ist als die Hälf- te des Abstandes der Auflagefläche von der Oberseite des Tragrings. Der Durch- messer der Begrenzungsfläche ist geringfügig größer als der Durchmesser des Substrates und zwar derart, dass der Abstand eines Randes des Substrates von der Begrenzungsfläche und insbesondere von dem innenzylindrischen Bereich der Begrenzungsfläche kleiner ist als der Radius der gerundeten Kante oder der Fase. Der Tragring kann einen radial inneren Bereich aufweisen und einen radial äußeren Bereich. Der radial innere Bereich des Tragrings liegt zumindest ab- schnittsweise auf einer Stützflanke eine Substrathalters. Der Substrathalter bildet dabei ein sockelförmiges, insbesondere kreis scheibenförmiges Objekt, das auf der Oberseite eines Suszeptors aufliegt. Es können Mittel, beispielsweise Gasaus- trittsöffnungen in der Oberseite des Suszeptors angeordnet sein, mit denen der Substrathalter gegenüber der Oberseite in einer Schwebe gehalten wird. Bei- spielsweise tritt aus Gasaustrittsöffnungen ein Gasstrom aus, der ein Gaspolster ausbildet, auf dem der Substrathalter aufliegt. Durch eine geeignete Richtung der Gasaustrittsdüsen kann der Substrathalter in eine Drehung um seine Figurenach- se versetzt werden. Der auf den Substrathalter aufliegende Tragring und das vom Tragring getragene Substrat werden somit bei der Durchführung des Ab- scheideverfahrens drehangetrieben. Das Substrat kann mit seinem Rand auf dem Tragring aufliegen. Es kann aber auch auf dem Substrathalter aufliegen. Die Oberseite des Substrathalters kann insbesondere auf einer Kreisbogenlinie ange- ordnete Stützvorsprünge aufweisen, auf denen das Substrat aufliegt, so dass es nur punktuell gelagert ist. Der Substrathalter liegt in einer Tasche ein, die von ein oder mehreren Abdeckplatten ausgebildet sein kann, die auf dem Suszeptor auf- liegen. Eine Innenwandung der Tasche kann von einer Umfangs wandung des Substrathalters beabstandet sein. Vom radial äußeren Rand der bevorzugt kreis- förmigen Suszeptoranordnung können Kanäle ausgehen, die den Tragring auf zwei sich diametral gegenüberliegenden Seiten tangieren. In diese Kanäle kön- nen Finger eines Tragarms eingreifen, um den radial äußeren Rand des Trag- rings, der über den Substrathalter hinausragt, zu unter greifen, um den Tragring mit dem von ihm getragenen Substrat anzuheben und aus der Prozesskammer herauszufördern. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass der Rand der Tasche von Fase gebildet wird. Die Fase grenzt an die Breitseitenfläche der Suszeptoranordnung und an eine Innenwand der Tasche, die von einer In- nenzylindermantelfläche ausgebildet ist. Die in Richtung der Flächennormalen der Breitseitenfläche gemessene Höhe der Fase ist bevorzugt größer als die Hö- hener Streckung des Tragrings.
[0012] Ein erfindungs gemäßer Tragring besitzt eine sich in einer Breitseitenebe- ne erstreckende Oberseite und eine zu dieser parallel verlaufenden Unterseite, wobei die Oberseite insbesondere einem radial äußeren Bereich und die Unter- seite insbesondere einem radial inneren Bereich zugeordnet ist. Der radial inne- re Bereich besitzt darüber hinaus eine Auflagefläche zur Auflage des Randes des Substrates, die von der Oberseite des Tragrings um mehr als die Material- stärke des Substrates beabstandet ist. Erfindungsgemäß geht die Oberseite un ter Ausbildung einer gerundeten Kante oder einer Fase in die Begrenzungsflä- che über, die sich in Umfangsrichtung um den Rand des Substrates erstreckt und die einen Bereich aufweisen kann, der sich entlang einer Zylindermantel- wand eines Innenzylinders erstreckt. Die Erfindung betrifft insbesondere einen CVD-Reaktor, eine Suszeptoranordnung, einen Tragring oder die Verwendung eines Tragrings, wobei der verrundete Rand sich in einer durch eine Mittelachse des Ringes verlaufenden radialen Querschnittsfläche insbesondere knickstellen- frei entlang einer zumindest im Bereich ihrer an die ebene Oberseite und die zylindrische Begrenzungsfläche angrenzenden Endpunkten gekrümmt verlau- fenden, zumindest 0,3 mm, 0,4 mm, 0,5 mm oder 0,6 mm langen Bogenstrecke erstreckt. Dabei ist es von Vorteil, dass die Bogenstrecke knickstellenfrei an ih- ren Endpunkten glatt in die Oberseite beziehungsweise Begrenzungsfläche aus- läuft. Kurze Beschreibung der Zeichnungen
[0013] Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 Perspektivisch eine Suszeptoranordnung,
Fig. 2 schematisch einen Querschnitt durch einen CVD-Reaktor,
Fig. 3 die Suszeptoranordnung in der Draufsicht etwa gemäß der Schnittebene III-III in Figur 2,
Fig. 4 den Ausschnitt IV in Figur 2,
Fig. 5 vergrößert den Ausschnitt V in Figur 4 eines ersten Aus- führungsbeispiels,
Fig. 6 eine Darstellung gemäß Figur 4 eines zweiten Ausfüh- rungsbeispiels,
Fig. eine Darstellung gemäß Figur 5 des zweiten Ausfüh- rungsbeispiels,
Fig. eine Darstellung gemäß Figur 5, jedoch den Stand der
Technik,
Fig. 9 den Schnitt gemäß der Linie IX-IX in Figur 3. Beschreibung der Ausführungsformen
[0014] Die Figur 2 zeigt einen CVD-Reaktor 1 mit einem aus Edelstahl beste- henden Gehäuse, welches eine darin angeordnete Prozesskammer 2 gasdicht nach außen verschließt und welche evakuierbar ist. Durch ein Gaseinlass- organ 5 können Prozessgase, beispielsweise ein Silizium- Wasserstoff und ein Kohlen- Wasserstoff zusammen mit einem Trägergas, beispielsweise FF in die Prozesskammer eingespeist werden. Die Prozesskammer 2 wird nach oben hin durch eine Prozesskammer decke 4 begrenzt. Die Einspeisung der Prozessgase erfolgt in einem Zentrum der im Wesentlichen rotationssymetrischen Prozess- kammer 2. Der Boden der Prozesskammer 2 wird von einer Suszeptoranord- nung 3 ausgebildet, wie sie in den Figuren 1 und 3 dargestellt ist. Die Suszep- toranordnung 3 wird von einem insbesondere aus Graphit oder beschichtetem Graphit bestehenden Suszeptor 14 ausgebildet, der einen kreisscheibenförmi- gen Tragkörper ausbildet, auf dem die Substrate 10 kreisförmig um das Zent- rum der Suszeptoranordnung 3 angeordnet sind. Es ist ein Drehantrieb 9 vor- gesehen, um die Suszeptoranordnung 3 um eine Drehachse 7 drehanzutreiben. Unterhalb der Suszeptoranordnung 3 befindet sich eine Heizeinrichtung 6, mit der die Suszeptoranordnung 3 auf eine Prozesstemperatur aufheizbar ist. Bei dieser Prozesstemperatur zerlegen sich die durch das Gaseinlassorgan in die Prozesskammer 2 eingespeisten Ausgangsstoffe derart, dass eine Siliziumkar- bidschicht auf dem Substrat 10 abgeschieden wird. Reaktionsprodukte verlas- sen dann die Prozesskammer 2 zusammen mit dem Trägergas durch einen Gasauslass 8.
[0015] Auf der Oberseite des einen Tragkörper bildenden Suszeptors 14 befin- den sich äußere Abdeckplatten 15 und innere Abdeckplatten 27. Die Oberseiten der Abdeckplatten 15, 27 bilden eine Breitseitenfläche 15' der Suszeptorord- nung 3. In dieser Breitseitenfläche 15' befinden sich mehrere Öffnungen. Die Öffnungen werden von Taschen 17 ausgebildet. In jeder Tasche 17 befindet sich ein Substrathalter 12, der auf einem in den Zeichnungen nicht dargestellten Gaspolster zwischen Oberseite des Suszeptors 14 und Unterseite des Substrat- halters 12 aufliegt. Das Gaspolster wird von einem aus Gasaustrittsöffnungen in der Suszeptoroberseite austretenden Trägergas gebildet, wobei die Gasaustritts- öffnungen derart gerichtet sind, dass der Substrathalter 12 in eine Drehung in seine Figurenachse versetzt wird.
[0016] Ein Randbereich des kreisscheibenförmigen Substrathalters 12 bildet eine Stützflanke 13 aus, auf der ein radial innerer Bereich 22 eines Tragrings 20 auf- liegt. Eine Innenwand 22' des Tragkörpers 20 liegt dabei an einer Stufenwand an, die an die Stützflanke 13 angrenzt. Der radial innere Bereich 22 des Tragrings 20 besitzt eine Auflagefläche 23, auf der in dem in den Figuren 6 und 7 dargestellten Ausführungsbeispiel ein radial äußerer Randabschnitt des Substrates 10 aufliegt. Die Unterseite des Substrates 10 ist dabei mit einem Abstand c von der Oberseite eines Zentralbereiches des Substrathalters beabstandet, wobei der Abstand c et- was größer oder etwas kleiner sein kann, als die Materialstärke d des Substra- tes 10, die unterhalb eines Millimeters sein kann.
[0017] Bei dem in den Figuren 4 und 5 dargestellten Ausführungsbeispiel be- sitzt der Substrathalter 12 eine Mehrzahl auf einer Kreisbogenlinie um das Zentrum des Substrathalters 12 angeordnete Stütz vor Sprünge 32, auf denen sich das Substrat 10 abstützt, so dass es einen Abstand c von der Oberseite des Substrathalters 12 besitzt. Die Auflagefläche 23 verläuft hier in derselben Ebene, in der die Oberseite des Substrathalters 12 verläuft, so dass die Unterseite des Substrates 10 von der Auflagefläche 23 geringfügig beabstandet wird. Der Randbereich des Substrates 10 tritt bei dem in den Figuren 4 und 5 dargestellten Ausführungsbeispiel nur dann in Berührung zur Auflagefläche 23, wenn der Tragring 20 als Element zum Transport des Substrates 10 verwendet wird. [0018] Die Auflagefläche 23 grenzt in radialer Außenrichtung an eine Begren- zungsfläche 24 an. In dem an die Begrenzungsfläche 24 angrenzenden Bereich erstreckt sich eine Umfangsrille in der Auflagefläche 23.
[0019] Der an die Auflagefläche 23 angrenzende Bereich der Begrenzungsflä- che 24 erstreckt sich auf einer Innenzylindermantelfläche und besitzt eine Hö- he a, die größer ist als die Materialstärke d des Substrates 10. Die Höhe a be- trägt bevorzugt mindestens 0,5 mm.
[0020] Die in einer Parallelebene zur Breitseitenfläche 15' verlaufende Obersei- te 26 des Tragrings 20 und insbesondere die Oberseite 26 des radial äußeren Bereichs 21 des Tragrings 20 geht bei dem in den Figuren 6 und 7 dargestellten Ausführungsbeispiel, welches das bevorzugte Ausführungsbeispiel ist, unter Ausbildung einer Torusfläche bündig in die auf einer Innenzylindermantelflä- che sich erstreckende Begrenzungsfläche 24 über. Die Torusfläche bildet somit eine gerundete Kante 25. Der Rundungsradius R der gerundeten Kante 25 ist größer als 0,4 mm, bevorzugt größer als 0,5 mm. Die Summe der Höhe a und des Radius R entspricht einer Abstandsstrecke b einer ersten Ebene, in der sich die Oberseite 26 erstreckt und einer zweiten Ebene, in der sich die Auflageflä- che 23 erstreckt. Das Abstandsmaß b ist kleiner als das doppelte des Abstands- maßes a. Der Höhenunterschied zwischen Auflagefläche 23 und Oberseite 26 beträgt bevorzugt mindestens 1 mm.
[0021] Bei dem in den Figuren 4 und 5 dargestellten Ausführungsbeispiel geht die Oberseite 26 unter Ausbildung einer auf einer Konusfläche sich erstrecken- den Fase 25' in die Innenwand 24 über. Die Fasenbreite ist hierbei bevorzugt größer als 0,4 mm oder größer als 0,5 mm. Die Höhe der Fase entspricht hier dem Radius R. Sie ist kleiner, als dass Abstandsmaß a. Das Abstandsmaß b ist auch hier kleiner als das doppelte des Abstandsmaßes a. Die Fase 25' kann auch knickstellenfrei in die Innenwand 24 beziehungsweise die Oberseite 26 auslau- fen. Der Fase 25' können auch mehrere Fasen benachbart sein, so dass der Quer- schnitt auch polygonartig verlaufen kann.
[0022] Der radial äußere Bereich 21 des Tragrings 20 überragt eine Umfangs- wand 19 des Substrathalters 12. Der so ausgebildete, sich um den gesamten Um fang des Tragrings 20 erstreckende Über stand kann von einem in den Zeichnun- gen nicht dargestellten Greifer Untergriffen werden. Hierzu besitzt ein Greifarm zwei parallel zueinander verlaufende Greiffinger, die an sich diametral gegen- überliegenden Abschnitten den radialen Überstand des Tragrings untergreifen können.
[0023] Die Abdeckplatten 15 bilden Kanäle 31 aus, in die die Greiffinger des Greifarmes eingreifen können.
[0024] Es ist ferner vorgesehen, dass eine Ebene, in der sich die Oberseite 26 erstreckt, einen Abstand zu einer Ebene besitzt, in der sich die Breitseitenebe- ne 15' erstreckt. Der Abstand e entspricht etwa dem Rundungsradius R der ge- rundeten Kante 25 oder der Breite beziehungsweise Höhe der Fase 25', kann aber auch kleiner sein als der Radius R. Es ist insbesondere vorgesehen, dass der Abstand der Oberseite 26 von der Oberseite des Suszeptors 14 größer ist als der Abstand der Breitseitenebene 15' von der Oberseite des Suszeptors 14. Der radial äußere Bereich 21 des Tragrings 20 bildet somit eine kreisringförmige Erhebung aus der Breitseitenebene 15' aus, wobei sowohl die innere Randkan- te 25 dieser Erhebung als auch die äußere Randkante 29 dieser Erhebung ver- rundet oder gefast sind. Die beiden Rundungsradien der verrundeten Kan- ten 25, 29 können gleich sein. Anstelle von Rundungen können die Kanten 25,
29 aber auch Fasen ausbilden. [0025] Es ist ferner vorgesehen, dass ein sich entlang einer Innenzylindermantel- wand erstreckende Innenwand 18 der Tasche 17 einer sich auf einer Zylinder- außenmantelwand erstreckenden Umfangs wand 19 des Substrathalters 12 mit einem Abstand gegenüberliegt. Die Innenwand 18 einer Abdeckplatte 15 kann an eine Fase 16 angrenzen. Die Fase 16 grenzt an die Breitseitenebene 15'. Die in Richtung der Flächennormalen der Breitseitenebene 15' gemessene Höhe der Fa- se 16 kann größer sein als die Materialstärke des Tragrings 20. Es ist insbesonde- re vorgesehen, dass die Höhe der Umfangswand 19 größer ist, als die Höhe des sich auf einer Innenzylindermantelwand erstreckenden Abschnitts der Innen- wand 18. Die Materialstärke des Tragrings 20 kann etwa 3 mm betragen. Der Fa- se 16 kann eine auf einer Zylindermantelwand verlaufende Außenfläche 30 ge- genüberliegen, die die äußere Begrenzung des Tragrings 20 ausbildet.
[0026] Die Figur 8 zeigt eine Anordnung ähnlich der in Figur 7 dargestellten Anordnung jedoch des Standes der Technik. Die Übergangskante zwischen Breitseitenebene 15' und Begrenzungsfläche 24 erfolgt hier scharfkantig. An der Übergangskante 25' bilden sich beim Abscheiden von SiC bei Temperaturen über 1300 Grad Celsius parasitäre Abscheidungen 28, die die Strömung der Prozessgase über die Oberfläche des Substrates 10 beziehungsweise der Ab- deckplatten 15 und 27 beeinflussen.
[0027] Mit der in der Figuren 5 oder 7 dargestellten Ausgestaltung des Randbe- reiches tritt eine Verminderung der Bildung derartiger parasitärer Abscheidun- gen 32 auf, wobei mit der in der Figur 7 dargestellten Verrundung die Vermin- derung der Bildung der parasitären Abscheidungen 28 signifikant ist.
[0028] Unter dem Begriff Rundung beziehungsweise verrundeter Rand oder gerundete Kante wird erfindungsgemäß nicht nur ein Übergangsbereich zwi- schen einer ebenen Fläche und einer Zylinderinnenfläche verstanden, der torus- förmig verläuft, also einen Querschnitt in Form eines Viertelkreisbogens auf- weist, sondern auch solche Übergangsbereiche, deren Querschnitt eine polygo- nale Linie ist, wobei die einzelnen Linienelemente der sich über einen Winkel von 90° erstreckenden polygonalen Linie verrundet ineinander übergehen, so dass der Übergangsbereich zwischen ebener Fläche und Zylinderinnenfläche knickstellenfrei verläuft.
[0029] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zu- mindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenstän- dig weiterbilden, nämlich:
[0030] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Begrenzungs- fläche 24 unter Ausbildung eines verrundeten Randes 25 oder einer Fase 25' in die Oberseite 26 des Ringes 20 übergeht.
[0031] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass eine von einem radial inneren Bereich 22 des Tragrings 20 ausgebildete Auflagefläche 23 zur Auflage eines Randes des Substrates 10 um einen Abstand b von der Obersei- te 26 beabstandet ist, der größer ist, als die Materialstärke d des Substrates 10.
[0032] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass ein im Wesentli- chen entlang einer Innenzylindermantelfläche verlaufender Abschnitt 24 der Begrenzungsfläche eine Höhe a aufweist, die größer ist, als die Materialstärke d des Substrates 10 und/ oder die größer ist, als der Radius R der gerundeten Kante 25 oder der Fase 25' und/ oder der kleiner ist, als die Hälfte des Abstan- des b einer Ebene, in der sich die Auflagefläche 23 erstreckt von einer Ebene, in der sich die Oberseite 26 erstreckt. [0033] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Abstand ei- nes Randes 10' des Substrates 10 vom entlang einer Innenzylindermantelfläche verkaufenden Abschnitt 24 der Begrenzungsfläche kleiner ist, als der Radius R der gerundeten Kante 25 oder der Breite der Fase 25'.
[0034] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Radius R der gerundeten Kante 25 oder der Breite der Fase 25' mindestens 0,4 mm, bevorzugt mindestens 0,5 mm beträgt und/ oder dass die Oberseite 26 unter Ausbildung einer zweiten gerundeten Kante 29 oder eine zweite Fase in eine Umfangsflä- che 30 übergeht, wobei der Radius der zweiten gerundeten Kante 29 oder der zweiten Fase mindestens 0,4 mm, bevorzugt mindestens 0,5 mm beträgt.
[0035] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Tragring 20 mit seinem radial inneren Bereich 22 auf einer Stützflanke 13 eines Substrathal- ters 12 aufliegt, wobei der Substrathalter 12 auf der Oberseite eines Suszep- tors 14 aufliegt und oberhalb einer Heizeinrichtung 6 angeordnet ist, mit der die Suszeptoranordnung 3 beheizbar ist, wobei Mittel vorgesehen sind, um den Substrathalter 12 mitsamt dem von ihm getragenen Tragring 20 und dem vom Tragring 20 getragenen Substrat 10 in eine Drehung um eine Figurenachse des Substrathalters 12 zu versetzen.
[0036] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass eine Innen- wand 18 der Tasche 7, die einer Umfangswand 19 des Substrathalters 12 gegen- überliegt, von einer Abdeckplatte 15 ausgebildet ist, die auf dem einen Trag- körper ausbildenden Suszeptor 14 aufliegt und deren Oberseite die Breitseiten- ebene 15' der Suszeptoranordnung 3 ausbildet, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Breitseitenebene 15' von der Oberseite 26 des radial äußeren Be- reichs 21 des Tragrings 20 um einen Abstand e überragt wird. [0037] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Breitseiten- ebene 15' unter Ausbildung einer Fase 16 in eine insbesondere entlang einer Innenzylindermantelfläche verlaufenden Innenseite 18 der Tasche 17 übergeht, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die sich in Richtung der Flächennor- malen der Breitseitenebene erstreckende Höhe der Fase 16 größer ist, als der sich in derselben Richtung erstreckende Abstand einer Unterseite des Trag- rings 20, insbesondere einer Stützfläche, die auf einer Stützflanke 13 des Sub- strathalters 12 aufliegt, und der Oberseite 26 des Tragrings.
[0038] Ein Tragring, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die Begrenzungsflä- che 24 unter Ausbildung einer gerundeten Kante 25 oder einer Fase 25' in die Oberseite 26 übergeht.
[0039] Ein Tragring, der dadurch gekennzeichnet ist, dass der Radius R der ge- rundeten Kante 25 mindestens 0,4 mm, bevorzugt mindestens 0,5 mm beträgt und/ oder dass ein sich entlang einer Innenzylindermantelfläche erstreckender Abschnitt 24 der Begrenzungsfläche eine sich in Richtung der Flächennormalen der Auflagefläche 23 erstreckende Höhe a besitzt, die größer ist als der Radius R.
[0040] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination un tereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritäts- Unterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender An- meldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbe- sondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/ oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Er- findung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorste- henden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbeson- dere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden kön- nen.
Liste der Bezugszeichen
1 CVD Reaktorgehäuse 26 Oberseite
2 Prozesskammer 27 Abdeckplatte
3 Suszeptoranordnung 28 Ablagerung
4 Prozesskammerdecke 29 Verrundeter Rand
5 Gusseinlass 30 Außenflanke
6 Heizeinrichtung 31 Kanal
7 Temperiereinrichtung 32 Stückvorsprung
8 Gussauslass
9 Drehantrieb
10 Substrat a Höhe
10' Rand des Substrates b Abstand
11 Ausnehmung c Abstand
12 Substrathalter d Materialstärke
13 Stützflanke e Abstand
14 Tragkörper
15 Abdeckplatte Oberseite R Radius
16 Fase
17 Tasche
18 Innenwand
19 Umfangs wand
20 Tragelement
21 radial äußerer Bereich
22 radial innerer Bereich Innenwand
23 Auflagefläche
24 Innenwand
25 gerundete Kante
25' Fase

Claims

Ansprüche
Verwendung einer Vorrichtung mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten Suszeptoranordnung
(3) mit mindestens einer zu einer Pro- zesskammer (2) weisenden, eine Tasche (17) aufweisenden Breitseitenebe- ne (15') und mit einem in der zumindest einen Tasche (17) einliegenden Tragelements (20) zum Tragen und Handhaben des Substrates (10), wobei eine sich parallel zur Breitseitenebene (15') erstreckende Oberseite (26) des Tragelements (20) an eine Begrenzungsfläche einer Ausnehmung (11) an- grenzt, in der das Substrat (10) angeordnet wird, wobei ein auf eine Innen- zylindermantelfläche verlaufende Abschnitt (24) die Begrenzungsfläche unter Ausbildung eines verrundeten Randes (25) oder einer Fase (25') in die Oberseite (26) des Tragelementes (20) übergeht zum Abscheiden von aus Zerlegungsprodukten gasförmiger Ausgangsstoffe, die Silizium und Kohlenstoff enthalten, aufgebauten Schichten auf ein oder mehreren Sub- straten (10), dadurch gekennzeichnet, dass der auf der Innenzylinderman- telfläche verlaufende Abschnitt der Begrenzungsfläche (24) eine Höhe (a) aufweist, die größer ist, als die Materialstärke (d) des Substrates (10) und der Radius (R) der gerundeten Kante (25') größer als 0,4 mm ist.
Verwendung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine von einem radial inneren Bereich (22) des Tragelements (20) ausgebildete Auf- lagefläche (23) zur Auflage eines Randes des Substrates (10) um einen Ab- stand (b) von der Oberseite (26) beabstandet ist, der größer ist, als die Ma terialstärke (d) des Substrates (10).
Verwendung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekenn- zeichnet, dass die Höhe (a) des Abschnittes (24) größer ist als der Radi- us (R) der gerundeten Kante (25) oder der Fase (25').
4. Verwendung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhe (a) kleiner ist, als die Hälfte des Abstandes (b) einer Ebene, in der sich die Auflagefläche (23) erstreckt, von einer Ebene, in der sich die Oberseite (26) erstreckt.
5. Verwendung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, dass der Abstand eines Randes (10') des Substrates (10) vom entlang einer Innenzylindermantelfläche verkaufenden Abschnitt (24) der Begrenzungsfläche kleiner ist, als der Radius (R) der gerundeten Kan- te (25) oder der Breite der Fase (25').
6. Verwendung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, dass der Radius (R) der gerundeten Kante (25) oder die Breite der Fase (25') mindestens 0,5 mm beträgt.
7. Verwendung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, dass das Tragelement (20) mit seinem radial inneren Be- reich (22) auf einer Stützflanke (13) eines Substrathalters (12) aufliegt, wo bei der Substrathalter (12) auf der Oberseite eines Suszeptors (14) aufliegt und oberhalb einer Heizeinrichtung (6) angeordnet ist, mit der die Suszep- toranordnung (3) beheizbar ist, wobei Mittel vorgesehen sind, um den Substrathalter (12) mitsamt dem von ihm getragene Tragelement (20) und dem vom Tragelement (20) getragene Substrat (10) in eine Drehung um eine Figurenachse des Substrathalters (12) zu versetzen.
8. Verwendung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, dass eine Innenwand (18) der Tasche (17), die einer Um fangswand (19) des Substrathalters (12) gegenüberliegt, von einer Ab- deckplatte (15) ausgebildet ist, die auf dem einen Tragkörper ausbilden- den Suszeptor (14) aufliegt und deren Oberseite die Breitseitenebene (15') der Suszeptoranordnung (3) ausbildet, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Breitseitenebene (15') von der Oberseite (26) des radial äußeren Bereichs (21) des Tragelements (20) um einen Abstand (e) überragt wird.
9. Verwendung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, dass die sich in Richtung der Flächennormalen der Breitsei- tenebene erstreckende Höhe der Fase (16) größer ist, als der sich in dersel- ben Richtung erstreckende Abstand einer Unterseite des Tragelements (20), insbesondere einer Stützfläche, die auf einer Stützflanke (13) des Substrat- halters (12) aufliegt, und der Oberseite (26) des Tragelements.
10. Vorrichtung zum Abscheiden von aus Zerlegungsprodukten gasförmiger Ausgangsstoffe, die insbesondere Silizium und Kohlenstoff enthalten, auf gebauten Schichten auf ein oder mehreren Substraten (10), mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten Suszeptoranordnung (3) mit mindestens einer zu einer Prozesskammer (2) weisenden, eine Tasche (17) aufweisenden Breitseitenebene (15') und mit einem in der zumindest ei- nen Tasche (17) einliegenden Tragelement (20) zum Tragen und Handha- ben des Substrates (10), wobei eine sich parallel zur Breitseitenebene (15') erstreckende Oberseite (26) des Tragelement (20) an eine Begrenzungsflä- che (24) einer Ausnehmung (11) angrenzt, in der das Substrat (10) ange- ordnet werden kann, wobei die Begrenzungsfläche (24) unter Ausbildung eines verrundeten Randes (25) oder einer Fase (25') in die Oberseite (26) des Ringes (20) übergeht, dadurch gekennzeichnet, dass eine von einem radial inneren Bereich (22) des Tragelements (20) ausgebildete Auflageflä- che (23) zur Auflage eines Randes des Substrates (10) um einen Ab- stand (b) von der Oberseite (26) beabstandet ist, der größer ist, als 1 mm oder als die Materialstärke (d) des Substrates (10) und dass der Radius (R) der gerundeten Kante (25) oder die Breite der Fase (25') mindestens 0,4 mm beträgt.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass ein im We sentlichen entlang einer Innenzylindermantelfläche verlaufender Ab- schnitt (24) der Begrenzungsfläche eine Höhe (a) aufweist, die größer ist, als die Materialstärke (d) des Substrates (10) und/ oder die größer ist, als der Radius (R) der gerundeten Kante (25) oder der Fase (25') und/ oder der kleiner ist, als die Hälfte des Abstandes (b) einer Ebene, in der sich die Auflagefläche (23) erstreckt von einer Ebene, in der sich die Oberseite (26) erstreckt.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeich- net, dass der Abstand eines Randes (10') des Substrates (10) vom entlang einer Innenzylindermantelfläche verkaufenden Abschnitt (24) der Begren- zungsfläche kleiner ist, als der Radius (R) der gerundeten Kante (25) oder der Breite der Fase (25').
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeich- net, dass der Radius (R) der gerundeten Kante (25) oder die Breite der Fa- se (25') mindestens 0,5 mm beträgt und/ oder dass die Oberseite (26) unter Ausbildung einer zweiten gerundeten Kante (29) oder eine zweite Fase in eine Umfangsfläche (30) übergeht, wobei der Radius der zweiten gerunde- ten Kante (29) oder der zweiten Fase mindestens 0,4 mm, bevorzugt min- destens 0,5 mm beträgt.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeich- net, dass das Tragelement (20) mit seinem radial inneren Bereich (22) auf einer Stützflanke (13) eines Substrathalters (12) aufliegt, wobei der Sub- strathalter (12) auf der Oberseite eines Suszeptors (14) aufliegt und ober- halb einer Heizeinrichtung (6) angeordnet ist, mit der die Suszeptoran- ordnung (3) beheizbar ist, wobei Mittel vorgesehen sind, um den Sub- strathalter (12) mitsamt dem von ihm getragenen Tragelement (20) und dem vom Tragelement (20) getragenen Substrat (10) in eine Drehung um eine Figurenachse des Substrathalters (12) zu versetzen.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass eine Innenwand (18) der Tasche (17), die einer Umfangswand (19) des Substrathalters (12) gegenüberliegt, von einer Abdeckplatte (15) ausgebildet ist, die auf dem einen Tragkörper ausbildenden Suszeptor (14) aufliegt und deren Oberseite die Breitseitenebene (15') der Suszeptoranordnung (3) aus- bildet, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Breitseitenebene (15') von der Oberseite (26) des radial äußeren Bereichs (21) des Tragele- ments (20) um einen Abstand (e) überragt wird.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeich- net, dass die Breitseitenebene (15') unter Ausbildung einer Fase (16) in ei- ne insbesondere entlang einer Innenzylindermantelfläche verlaufenden Innenseite (18) der Tasche (17) übergeht, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die sich in Richtung der Flächennormalen der Breitseitenebene er- streckende Höhe der Fase (16) größer ist, als der sich in derselben Rich- tung erstreckende Abstand einer Unterseite des Tragelements (20), insbe- sondere einer Stützfläche, die auf einer Stützflanke (13) des Substrathal- ters (12) aufliegt, und der Oberseite (26) des Tragrings.
17. Tragelement (20) zur Verwendung an einer Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 16 und/ oder zur Verwendung bei einem Verfahren zum Abscheiden von aus Zerlegungsprodukten gasförmiger Ausgangsstoffe, die insbesondere Kohlenstoff und Silizium enthalten, aufgebaut in Schichten auf ein oder mehreren Substraten (10), wobei der Tragring (20) einen radial äußeren Bereich (21) und einen radial inneren Bereich (22) aufweist, wobei der radial innere Bereich (22) eine Auflagefläche (23) ausbildet zum Aufle- gen des Randes des Substrates (10) und der radial äußere Bereich (21) eine zur Randkante (10') des Substrates (10) weisende Begrenzungsfläche (24) und eine zumindest in etwa in einer Parallelebene zur Auflagefläche (23) sich erstreckende Oberseite (26) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Begrenzungsfläche (24) unter Ausbildung einer gerundeten Kante (25) oder einer Fase (25') in die Oberseite (26) übergeht und der Radius (R) der ge- rundeten Kante (25) mindestens 0,4 mm, bevorzugt mindestens 0,5 mm be- trägt und/ oder dass ein sich entlang einer Innenzylindermantelfläche er- streckender Abschnitt (24) der Begrenzungsfläche eine sich in Richtung der Flächennormalen der Auflagefläche (23) erstreckende Höhe (a) besitzt, die größer ist als der Radius (R).
18. Vorrichtung oder Verwendung, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019114249A1 (de) * 2018-06-19 2019-12-19 Aixtron Se Anordnung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Suszeptors in einem CVD-Reaktor
DE102019105913A1 (de) * 2019-03-08 2020-09-10 Aixtron Se Suszeptoranordnung eines CVD-Reaktors
DE102020110570A1 (de) 2020-04-17 2021-10-21 Aixtron Se CVD-Verfahren und CVD-Reaktor mit austauschbaren mit dem Substrat Wärme austauschenden Körpern
DE102020117645A1 (de) 2020-07-03 2022-01-05 Aixtron Se Transportring für einen CVD-Reaktor
DE102020122198A1 (de) 2020-08-25 2022-03-03 Aixtron Se Substrathalter für einen CVD-Reaktor
DE102021126019A1 (de) 2021-10-07 2023-04-13 Aixtron Se CVD-Reaktor mit einem Tragring beziehungsweise Tragring für ein Substrat

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19630932A1 (de) * 1996-07-31 1998-02-05 Wacker Siltronic Halbleitermat Träger für eine Halbleiterscheibe und Verwendung des Trägers
DE19940033A1 (de) * 1999-08-24 2001-05-17 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Schichten auf rotierenden Substraten in einem allseits beheizten Strömungskanal
JP2001270789A (ja) 2000-03-29 2001-10-02 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム上への炭化珪素膜の形成方法、被膜構造体および炭化珪素膜
JP4526683B2 (ja) 2000-10-31 2010-08-18 株式会社山形信越石英 石英ガラス製ウェーハ支持治具及びその製造方法
DE10232731A1 (de) 2002-07-19 2004-02-05 Aixtron Ag Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
DE102005018162A1 (de) * 2005-04-19 2006-10-26 Aixtron Ag Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein CVD-Verfahren
DE102005018161A1 (de) 2005-04-19 2006-11-02 Aixtron Ag Halbleiterbehandlungsvorrichtung zur Durchführung eines RTP Verfahrens
JP2007109771A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置用のトレイ
WO2009060912A1 (ja) 2007-11-08 2009-05-14 Sumco Corporation エピタキシャル膜成長方法、ウェーハ支持構造およびサセプタ
CN104302807B (zh) * 2012-05-18 2017-04-05 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 用于化学气相沉积的具有铁磁流体密封件的转盘反应器
DE102012106796A1 (de) * 2012-07-26 2014-01-30 Aixtron Se Thermische Behandlungsvorrichtung mit einem auf einem Substratträgersockel aufsetzbaren Substratträgerring
US10242848B2 (en) 2014-12-12 2019-03-26 Lam Research Corporation Carrier ring structure and chamber systems including the same
DE102016103530A1 (de) * 2016-02-29 2017-08-31 Aixtron Se Substrathaltevorrichtung mit aus einer Ringnut entspringenden Tragvorsprüngen
WO2018138197A1 (de) 2017-01-27 2018-08-02 Aixtron Se Transportring
DE102017101648A1 (de) * 2017-01-27 2018-08-02 Aixtron Se Transportring

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