TW202000979A - 具有用於基板搬運之支承環的ｃｖｄ反應器以及支承環在ｃｖｄ反應器上的應用 - Google Patents

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Abstract

本發明係有關於一種裝置之應用，裝置具有佈置在反應器殼體(1)中之基板座裝置(3)，基板座裝置具有至少一個朝向製程室(2)且具有凹槽(17)之寬面區(15')以及具有嵌入至少一個凹槽(17)之用於支承及搬運基板(10)之支承元件(20)，其中，支承元件(20)之與寬面區(15')平行之頂側(26)鄰接凹口(11)之界面，將基板(20)佈置在凹口中，其中，界面之在內圓柱側面上延伸的區段(24)以形成經過倒圓的邊緣(25)或斜面(25')的方式過渡至支承元件(20)之頂側(26)，以便將由含有矽及碳的氣態起始材料之分解產物形成之層沈積在一或數個基板(10)上。為防止寄生沈積在環(20)之內邊上增長，本發明提出：界面(24)之在內圓柱側面上延伸的區段具有高度(a)，高度大於基板(10)之材料厚度(d)，且經過倒圓的邊緣(25)之半徑(R)大於0.4mm。

Description

具有用於基板搬運之支承環的CVD反應器以及支承環在CVD反應器上的應用
本發明係有關於一種用於將特別是由特別是含有矽及碳的氣態起始材料之分解產物形成之層沈積在一或數個基板上之裝置，該裝置具有佈置在反應器殼體中之基板座裝置，該基板座裝置具有至少一個朝向製程室且具有凹槽之寬邊平面以及具有嵌入該至少一個凹槽之用於支承及搬運基板之支承環，其中，該支承環之與該寬邊平面平行之頂側鄰接凹口之界面，可將該基板佈置在該凹口中。
本發明亦有關於一種應用於此種裝置上或應用於沈積層之方法的支承環，該等層特別是由碳及矽構成。
本發明還有關於此種支承環之應用。
特別是適於沈積SiC之同類型的裝置具有製程室，此製程室佈置在反應器殼體中且特別是亦可被抽真空。此製程室之底部由基板座裝置構成。可自下方加熱此基板座裝置。佈置在此基板座裝置上方之製程室在頂側受製程室頂部限制。供特別是含有碳及矽的氣態起始材料進入之氣體入口構件與此製程室連通。將製程室或基板座裝置之朝向此製程室之寬邊平面加熱至製程溫度，在此製程溫度中，可為矽烷及甲烷或者其他矽-氫或碳-氫之起始材料分 解，從而將碳化矽層沈積在由基板座裝置支承之基板上。上述方案在1000攝氏度以上，特別是在1300攝氏度或1500攝氏度以上實施。
為搬運基板，設有嵌在基板座裝置之凹槽中的支承環，其中，大致渾圓的基板之邊緣至少在搬運基板期間支承在支承環之支承面上。可藉由具有兩個相互平行的抓持指之抓持器來自下方抓住支承環之徑向外區段，以便將此支承環自基板座裝置之凹槽抬起。為此，此基板座裝置具有朝邊緣曝露之可供抓持指卡入的通道。
先前技術包括如下公開案：DE 102 32 731 A1、DE 10 2016 103 530 A1、DE 10 2005 018 161 A1及US 2016/0172165 A1、DE 10 2012106 796 A1、DE 10 2005 018 161 A1、DE 10 2017101 648 A1。
在目前應用於沈積SiC之裝置中，支承環之頂側大致以尖銳的邊過渡至內圓柱面，此內圓柱面包圍基板之邊緣。用於將基板之邊緣支承在支承環上之支承面與支承環之頂側的距離在該處大致相當於基板之材料厚度，使得基板表面在同一水平面上延伸，支承環之頂側同樣在此水平面上延伸。
在支承環之此種技術方案中，在應用此支承環沈積SiC層時，對支承環之邊緣上的粒子形成進行觀察。此等「晶須」、「枝晶」或齒形的寄生沈積會對沈積效果產生不利影響。
本發明之目的在於，採取措施以防止在支承環之邊緣上產生此類沈積。
該目的透過申請專利範圍所給予之發明而達成，其中 附屬項不僅為並列請求項之有益改良方案，亦為該目的之獨立解決方案。
本發明首先且實質上提出：以某種方式將由支承環構成之支承元件的該邊緣倒圓角或對其進行處理，從而防止在該處產生粒子沈積。在先前技術中，支承元件之頂側以形成尖銳的(視情況僅為裂開的)邊的方式過渡至沿內圓柱側面延伸的界面，與先前技術不同，根據本發明，該邊緣經過倒圓或建構為斜面。支承元件之大致平整的頂側較佳平滑地過渡至環面。顯示出倒圓的環面齊平地，即平滑地過渡至沿內圓柱側面延伸的界面。倒圓半徑應為至少0.1mm。根據一種較佳技術方案，該倒圓半徑大於0.2mm、0.3mm、0.4mm或0.5mm。用來供頂側過渡至界面之經過倒圓的邊緣可直接鄰接支承面，基板之邊緣支承在該支承面上。但根據一種較佳技術方案，該經過倒圓的邊緣過渡至內圓柱側面區域。在界面以形成斜面的方式過渡至環之頂側的替代方案中，斜面之寬度為0.2mm、0.3mm、0.4mm或0.5mm。基板之邊緣較佳與界面之沿內圓柱側面延伸的區域相對佈置。供支承元件之頂側延伸的平面與供支承元件之支承面延伸的第二平面的距離較佳大於基板之材料厚度。支承元件可為閉環。該環可具有呈圓環狀的或非圓形的輪廓。但該支承元件亦可由數個部分組成。在基板之材料厚度為約0.5mm的情況下，該距離較佳為至少1mm。該界面之在內圓柱側面上延伸的區域的沿該支承面之表面法線方向測得之高度較佳大於基板之材料厚度。但該高度亦可相當於基板之材料厚度或略小於基板之材料厚度。界面之該區域的高度可大於或小於經過倒圓的邊緣之半徑或斜面之寬度。界面之內圓柱區段的高度特別是小於支承面與支承環之頂側的 距離的一半。界面之直徑略大於基板之直徑，確切而言，使得基板之邊緣與界面且特別是與界面之內圓柱區域的距離小於經過倒圓的邊緣或斜面的半徑。支承環可具有徑向內區域及徑向外區域。支承環之徑向內區域至少分段地處於基板架之支撐凸緣上。其中，基板架構成支座狀的特別是圓盤形的物體，該物體支承在基板座之頂側上。在基板座之頂側中可佈置有構件，例如排氣口，該等排氣口用來使得基板架相對頂側保持懸浮。例如自排氣口排出氣流，該氣流形成氣墊，基板架支承在該氣墊上。可透過排氣噴嘴之適宜方向使得基板架圍繞其圖形軸旋轉。因此，在實施沈積工藝時，旋轉驅動支承在基板架上之支承環及支承環所支承的基板。基板可以其邊緣支承在支承環上。但該基板亦可支承在基板架上。基板架之頂側特別是可具有佈置在圓弧線上之支撐突起，基板支撐在該等支撐突起上，使得基板僅受到點狀支承。基板架嵌入凹槽，該凹槽可由一或數個支承在基板座上之蓋板形成。凹槽之內壁可與基板架之周壁隔開。通道可自較佳呈圓形的基板座裝置之徑向外邊緣出發，該等通道在兩個沿直徑對置之側上與支承環相切。支承臂之指部可卡入該等通道，以便自下方抓住支承環之伸出基板架的徑向外邊緣，從而將支承環連同由其支承的基板抬起並且自製程室送出。在本發明之一種改良方案中，由斜面形成該凹槽之邊緣。斜面鄰接基板座裝置之寬面區且鄰接凹槽之由內圓柱側面形成的內壁。斜面之沿該寬面區之表面法線方向測得之高度較佳大於支承環之高度延伸。
本發明之支承環具有沿寬邊平面延伸之頂側及與該頂側平行之底側，其中，該頂側特別是對應於徑向外區域且該底側特別是對應於徑向內區域。此外，該徑向內區域具有用於支承基板 之邊緣的支承面，該支承面以超過基板之材料厚度的程度與支承環之頂側隔開。根據本發明，該頂側以形成經過倒圓的邊緣或斜面的方式過渡至該界面，該界面沿周向環繞該基板之邊緣並且具有一區域，該區域沿內圓柱之柱面壁延伸。本發明特別是有關於CVD反應器、基板架裝置、支承環或支承環之應用，其中，該經過倒圓的邊緣在穿過該環之中心軸延伸的徑向橫截面內特別是平滑地沿至少在其鄰接平整的頂側及圓柱形的界面之端點的區域內彎曲地延伸的至少0.3mm、0.4mm、0.5mm或0.6mm長的弧段延伸。其中，該弧段有利地平滑地在其端點上平穩地通向頂側或界面。
1‧‧‧CVD反應器殼體
2‧‧‧製程室
3‧‧‧基板座裝置
4‧‧‧製程室頂部
5‧‧‧澆鑄入口
6‧‧‧加熱裝置
7‧‧‧調溫裝置
8‧‧‧澆鑄出口
9‧‧‧旋轉驅動裝置
10‧‧‧基板
10'‧‧‧基板之邊緣
11‧‧‧凹口
12‧‧‧基板架
13‧‧‧支撐凸緣
14‧‧‧基板座
15‧‧‧蓋板
15'‧‧‧寬面區
16‧‧‧斜面
17‧‧‧凹槽
18‧‧‧內壁
19‧‧‧周壁
20‧‧‧支承元件
21‧‧‧徑向外區域
22‧‧‧徑向內區域
23‧‧‧支承面
24‧‧‧內壁
25‧‧‧經過倒圓的邊緣
25'‧‧‧斜面
26‧‧‧頂側
27‧‧‧蓋板
28‧‧‧沈積物
29‧‧‧經過倒圓的邊緣
30‧‧‧外邊
31‧‧‧通道
32‧‧‧部件突出部
a‧‧‧高度
b‧‧‧距離
c‧‧‧距離
d‧‧‧材料厚度
e‧‧‧距離
R‧‧‧半徑
下面結合實施例對本發明進行詳細說明。其中：圖1為基板座裝置之立體圖，圖2為CVD反應器之示意性的橫截面，圖3為該基板座裝置之例如沿圖2中之剖面III-III的俯視圖，圖4為圖2中之局部IV，圖5為第一實施例之在圖4中的局部V的放大圖，圖6為第二實施例之對應於圖4的視圖，圖7為第二實施例之對應於圖5的視圖，圖8為對應於圖5之視圖，但所示係先前技術，圖9為沿圖3中之線IX-IX的剖面。
圖2示出CVD反應器1，其具有由優質鋼構成之殼體，該殼體將佈置在其中之製程室2氣密地對外封閉且該殼體可被抽真空。可透過氣體入口構件5將製程氣體，例如矽-氫及碳-氫連同載氣 (例如H2)一起饋入該製程室。製程室2在頂側受製程室頂部4限制。在大致旋轉對稱的製程室2之中心饋入製程氣體。如圖1及圖3所示，基板座裝置3構成製程室2之底部。特別是由石墨或包覆石墨構成之基板座14構成基板座裝置3，該基板座構成圓盤形的支承體，基板10呈圓環狀地圍繞基板座裝置3之中心佈置在該支承體上。設有旋轉驅動9，以便圍繞旋轉軸7對基板座裝置3進行旋轉驅動。在基板座裝置3下方設有加熱裝置6，其可用來將基板座裝置3加熱至製程溫度。在該製程溫度下，透過氣體入口構件饋入製程室2之起始材料以某種方式分解，使得碳化矽層沈積在基板10上。隨後，反應產物透過氣體出口8連同載氣一起離開製程室2。
在構成支承體之基板座14的頂側上設有外蓋板15及內蓋板27。蓋板15、27之頂側構成基板座裝置3之寬面區15'。在該寬面區15'內設有數個開口。開口由凹槽17構成。在每個凹槽17中皆設有一基板架12，該基板架支承在基板座14之頂側與基板架12之底側之間的圖中未示出的氣墊上。該氣墊由自基板座頂側中之排氣口排出之載氣形成，其中，排氣口如此地定向，從而使得基板架12轉入其圖形軸中。
圓盤形的基板架12之邊緣區域形成支撐凸緣13，在該支撐凸緣上支承有支承環20之徑向內區域22。其中，支承體20之內壁22'抵靠在鄰接支撐凸緣13之階梯形壁部上。支承環20之徑向內區域22具有支承面23，在圖6及圖7所示實施例中，在該支承面上支承有基板10之徑向外邊緣區段。在此過程中，基板10之底側以距離c與基板架之中心區域的頂側隔開，其中，距離c可略大於或略小於基板10之材料厚度d，該材料厚度可小於一毫米。
在圖4及圖5所示實施例中，基板架12具有數個在圓弧線上圍繞基板架12之中心佈置的支撐突起32，基板10支撐在該等支撐突起上，使得基板與基板架12之頂側具有距離c。支承面23在此在與供基板架12之頂側延伸的同一平面內延伸，使得基板10之底側與支承面23小幅地隔開。在圖4及圖5所示實施例中，基板10之邊緣區域唯有在將支承環20用作用於運輸基板10之元件的情況下方與支承面23接觸。
支承面23沿徑向的外部方向鄰接界面24。在鄰接界面24之區域內，周向槽在支承面23內延伸。
界面24之鄰接支承面23的區域在內圓柱側面上延伸且具有高度a，該高度大於基板10之材料厚度d。高度a較佳為至少0.5mm。
支承環20之在與寬面區15'的平行平面內延伸的頂側26且特別是支承環20之徑向外區域21的頂側26在圖6及圖7所示實施例中(該實施例為較佳實施例)，以形成環面的方式齊平地過渡至在內圓柱側面上延伸的界面24。因此，環面形成經過倒圓的邊緣25。經過倒圓的邊緣25的倒圓半徑R大於0.4mm，較佳大於0.5mm。高度a與半徑R之和相當於供頂側26延伸之第一平面與供支承面23延伸之第二平面之間距b。距離尺度b小於距離尺度a的兩倍。支承面23與頂側26之間的高度差較佳為至少1mm。
在圖4及圖5所示實施例中，頂側26以形成在錐面上延伸的斜面25'的方式過渡至內壁24。其中，斜面寬度較佳大於0.4mm或大於0.5mm。斜面之高度在此相當於半徑R。該高度小於距離尺度a。距離尺度b在此同樣小於距離尺度a的兩倍。斜面25'亦可平滑 地通向內壁24或頂側26。斜面25'亦可與數個斜面相鄰，使得橫截面可呈多邊形。
支承環20之徑向外區域21伸出基板架12之周壁19。以上述方式形成的環繞支承環20之整個周邊的突出部可被圖中未示出的抓持器自下方抓住。為此，抓臂具有兩個相互平行的抓持指，其可在沿直徑對置的區段上自下方抓住支承環之徑向突出部。
蓋板15形成通道31，抓臂之抓持指可卡入該等通道。
此外，供頂側26延伸之平面與供寬面區15'延伸之平面存在一定距離。距離e約相當於經過倒圓的邊緣25的倒圓半徑R或者斜面25'之寬度或高度，但亦可小於半徑R。頂側26與基板座14之頂側的距離特別是大於寬面區15'與基板座14之頂側的距離。因此，支承環20之徑向外區域21形成寬面區15'中之圓環形突起，其中，該突起之內邊緣25以及該突起之外邊緣29皆經過倒圓或切斜。經過倒圓的邊緣25、29之該二倒圓半徑可相同。但作為倒圓的替代方案，邊緣25、29亦可形成斜面。
此外，凹槽17之沿柱面內壁延伸之內壁18與基板架12之在柱面外壁延伸的周壁19以一定的距離相對佈置。蓋板15之內壁18可鄰接斜面16。斜面16鄰接寬面區15'。斜面16之沿寬面區15'的表面法線方向測得的高度可大於支承環20之材料厚度。周壁19之高度特別是大於內壁18之在柱面內壁上延伸的區段的高度。支承環20之材料厚度可為約3mm。斜面16可與在柱面壁上延伸的外表面30相對佈置，該外表面形成支承環20之外邊界。
圖8示出類似於圖7所示佈置方案之佈置方案，但所示係先前技術。寬面區15'與界面24之間的過渡邊在此具有尖銳的邊 緣。在超過1300攝氏度的溫度下沈積SiC時，在過渡邊25'上形成寄生沈積28，該等沈積會影響製程氣體在基板10或者蓋板15及27上之流動。
藉由邊緣區域之圖5或圖7所示技術方案減少此類寄生沈積32之形成，其中，藉由圖7所示倒圓會大幅減少寄生沈積28之形成。
根據本發明，倒圓或經過倒圓的邊緣或經過倒圓的邊緣的概念不僅指平整的表面與圓柱內面之間的環形過渡區域，即具有形式為四分之一圓弧的橫截面，亦指某類過渡區域，其橫截面為多邊形的線條，其中，在90°之角度範圍內延伸之多邊形線條的各線條元件經過倒圓後過渡至彼此，使得平整的表面與圓柱內面之間的過渡區域平滑地延伸。
前述實施方案係用於說明本申請整體所包含之發明，該等發明至少透過以下特徵組合分別獨立構成相對於先前技術之進一步方案：一種裝置，其特徵在於：該界面24以形成經過倒圓的邊緣25或斜面25'的方式過渡至該環20之頂側26。
一種裝置，其特徵在於：由該支承環20之徑向內區域22形成之用於支承該基板10之邊緣的支承面23以距離b與該頂側26隔開，該距離大於該基板10之材料厚度d。
一種裝置，其特徵在於：該界面之大致沿內圓柱側面延伸的區段24具有高度a，該高度大於該基板10之材料厚度d，以及/或者大於經過倒圓的邊緣25或斜面25'之半徑R，以及/或者小於供該支承面23延伸之平面與供該頂側26延伸之平面的距離b的一半。
一種裝置，其特徵在於：該基板10之邊緣10'與該界面之沿內圓柱側面延伸的區段24之距離小於該經過倒圓的邊緣25之半徑R或該斜面25'之寬度。
一種裝置，其特徵在於：該經過倒圓的邊緣25之半徑R或該斜面25'之寬度為至少0.4mm，較佳為至少0.5mm，以及/或者，該頂側26以形成第二經過倒圓的邊緣29或第二斜面的方式過渡至周面30，其中，該第二經過倒圓的邊緣29或該第二斜面之半徑為至少0.4mm，較佳為至少0.5mm。
一種裝置，其特徵在於：該支承環20以其徑向內區域22支承在基板架12之支撐凸緣13上，其中，該基板架12支承在基板座14之頂側上且佈置在加熱裝置6上方，該加熱裝置可用來加熱該基板座裝置3，其中，設有構件來使得該基板架12連同由其支承的支承環20及由該支承環20支承的基板10圍繞該基板架12之圖形軸旋轉。
一種裝置，其特徵在於：該凹槽17之與該基板架12之周壁19相對佈置的內壁18由蓋板15構成，該蓋板支承在構成支承體之基板座14上，且該蓋板之頂側構成該基板座裝置3之寬面區15'，其中，該寬面區15'特別是以距離e伸出支承環20之徑向外區域21的頂側26。
一種裝置，其特徵在於：該寬面區15'以形成斜面16之方式過渡至該凹槽17之特別是沿內圓柱側面延伸的內側18，其中，該斜面16之沿該寬邊平面之表面法線方向延伸的高度大於該支承環20之底側，特別是支承在該基板架12之支撐凸緣13上的支撐面，與該支承環之頂側26的沿同一方向延伸的距離。
一種支承環，其特徵在於：該界面24以形成經過倒圓的邊緣25或斜面25'的方式過渡至該頂側26。
一種支承環，其特徵在於：該經過倒圓的邊緣25之半徑R為至少0.4mm，較佳為至少0.5mm，以及/或者，該界面之沿內圓柱側面延伸的區段24具有沿該支承面23之表面法線方向延伸之高度a，該高度大於該半徑R。
所有已揭露特徵(作為單項特徵或特徵組合)皆為發明本質所在。故本申請之揭露內容亦包含相關/所附優先權檔案(在先申請副本)所揭露之全部內容，該等檔案所述特徵亦一併納入本申請之申請專利範圍。附屬項以其特徵對本發明針對先前技術之改良方案的特徵予以說明(亦無相關請求項之特徵)，其目的主要在於在該等請求項基礎上進行分案申請。每個請求項中所給予的發明可進一步具有前述說明中給予的、特別是以符號標示且/或在符號說明中給予的特徵中之一或數項。本發明亦有關於如下設計形式：前述說明中所述及之個別特徵不實現，特別是對於具體用途而言為非必需的或者可被技術上具有相同功效的其他構件所替代之特徵。
10‧‧‧基板
10'‧‧‧基板之邊緣
11‧‧‧凹口
20‧‧‧支承元件
21‧‧‧徑向外區域
22‧‧‧徑向內區域
23‧‧‧支承面
24‧‧‧內壁
25‧‧‧經過倒圓的邊緣
26‧‧‧頂側
a‧‧‧高度
b‧‧‧距離
d‧‧‧材料厚度
R‧‧‧半徑

Claims (17)

  1. 一種裝置之應用，該裝置具有佈置在反應器殼體(1)中之基板座裝置(3)，該基板座裝置具有至少一個朝向製程室(2)且具有凹槽(17)之寬面區(15')以及具有嵌入該至少一個凹槽(17)之用於支承及搬運該基板(10)之支承元件(20)，其中，該支承元件(20)之與該寬面區(15')平行之頂側(26)鄰接凹口(11)之界面，將該基板(10)佈置在該凹口中，其中，該界面之在內圓柱側面上延伸的區段(24)以形成經過倒圓的邊緣(25)或斜面(25')的方式過渡至該支承元件(20)之頂側(26)，以便將由含有矽及碳的氣態起始材料之分解產物形成之層沈積在一或數個基板(10)上，其特徵在於：該界面(24)之在該內圓柱側面上延伸的區段具有高度(a)，該高度大於該基板(10)之材料厚度(d)，且該經過倒圓的邊緣(25)之半徑(R)大於0.4mm。
  2. 如請求項1之應用，其中，由該支承元件(20)之徑向內區域(22)形成之用於支承該基板(10)之邊緣的支承面(23)以距離(b)與該頂側(26)隔開，該距離大於該基板(10)之材料厚度(d)。
  3. 如請求項1之應用，其中，該區段(24)之高度(a)大於該經過倒圓的邊緣(25)或該斜面(25')之半徑(R)。
  4. 如請求項1之應用，其中，該高度(a)小於供該支承面(23)延伸之平面與供該頂側(26)延伸之平面的距離(b)的一半。
  5. 如請求項1之應用，其中，該基板(10)之邊緣(10')與該界面之沿內圓柱側面延伸的區段(24)之距離小於該經過倒圓的邊緣(25)之半徑(R)或該斜面(25')之寬度。
  6. 如請求項1之應用，其中，該經過倒圓的邊緣(25)之半徑(R)或該斜面(25')之寬度為至少0.5mm。
  7. 如請求項1之應用，其中，該支承元件(20)以其徑向內區域(22)支承在基板架(12)之支撐凸緣(13)上，其中，該基板架(12)支承在基板座(14)之頂側上且佈置在加熱裝置(6)上方，該加熱裝置可用來加熱該基板座裝置(3)，其中，設有構件來使得該基板架(12)連同由其支承的支承元件(20)及由該支承元件(20)支承的基板(10)圍繞該基板架(12)之圖形軸旋轉。
  8. 如請求項1之應用，其中，該凹槽(17)之與該基板架(12)之周壁(19)相對佈置的內壁(18)由蓋板(15)構成，該蓋板支承在構成支承體之基板座(14)上，且該蓋板之頂側構成該基板座裝置(3)之寬面區(15')，其中，該寬面區(15')特別是以距離(e)伸出該支承元件(20)之徑向外區域(21)的頂側(26)。
  9. 如請求項1之應用，其中，該斜面(16)之沿該寬邊平面之表面法線方向延伸的高度大於該支承元件(20)之底側，特別是支承在該基板架(12)之支撐凸緣(13)上的支撐面，與該支承元件之頂側(26)的沿同一方向延伸的距離。
  10. 一種用於將由特別是含有矽及碳的氣態起始材料之分解產物形成之層沈積在一或數個基板(10)上之裝置，該裝置具有佈置在反應器殼體(1)中之基板座裝置(3)，該基板座裝置具有至少一個朝向製程室(2)且具有凹槽(17)之寬面區(15')以及具有嵌入該至少一個凹槽(17)之用於支承及搬運該基板(10)之支承元件(20)，其中，該支承元件(20)之與該寬面區(15')平行之頂側(26)鄰接凹口(11)之界面(24)，可將該基板(10)佈置在該凹口中，其中，該界面(24)以形成經過倒圓的邊緣(25)或斜面(25')的方式過渡至該環(20)之頂側(26)，其特徵在於：由該支承元件(20)之徑向內區域(22)形成之用於支承該 基板(10)之邊緣的支承面(23)以距離(b)與該頂側(26)隔開，該距離大於1mm或大於該基板(10)之材料厚度(d)，以及，該經過倒圓的邊緣(25)之半徑(R)或該斜面(25')之寬度為至少0.4mm。
  11. 如請求項10之裝置，其中，該界面之沿內圓柱側面延伸的區段(24)具有高度(a)，該高度大於該基板(10)之材料厚度(d)，以及/或者大於該經過倒圓的邊緣(25)或該斜面(25')之半徑(R)，以及/或者小於供該支承面(23)延伸之平面與供該頂側(26)延伸之平面的距離(b)的一半。
  12. 如請求項10之裝置，其中，該基板(10)之邊緣(10')與該界面之沿內圓柱側面延伸的區段(24)之距離小於該經過倒圓的邊緣(25)之半徑(R)或該斜面(25')之寬度。
  13. 如請求項10之裝置，其中，該經過倒圓的邊緣(25)之半徑(R)或該斜面(25')之寬度為至少0.5mm，以及/或者，該頂側(26)以形成第二經過倒圓的邊緣(29)或第二斜面的方式過渡至周面(30)，其中，該第二經過倒圓的邊緣(29)或該第二斜面之半徑為至少0.4mm，較佳為至少0.5mm。
  14. 如請求項10之裝置，其中，該支承元件(20)以其徑向內區域(22)支承在基板架(12)之支撐凸緣(13)上，其中，該基板架(12)支承在基板座(14)之頂側上且佈置在加熱裝置(6)上方，該加熱裝置可用來加熱該基板座裝置(3)，其中，設有構件來使得該基板架(12)連同由其支承的該支承元件(20)及由該支承元件(20)支承的基板(10)圍繞該基板架(12)之圖形軸旋轉。
  15. 如請求項10之裝置，其中，該凹槽(17)之與該基板架(12)之周壁(19)相對佈置的內壁(18)由蓋板(15)構成，該蓋板支承在構成支承 體之該基板座(14)上，且該蓋板之頂側構成該基板座裝置(3)之該寬面區(15')。
  16. 如請求項10之裝置，其中，該寬面區(15')以形成斜面(16)之方式過渡至該凹槽(17)之特別是沿內圓柱側面延伸的內側(18)，其中，該斜面(16)之沿該寬邊平面之表面法線方向延伸的高度大於該支承元件(20)之底側，特別是支承在該基板架(12)之支撐凸緣(13)上的支撐面，與該支承環之頂側(26)的沿同一方向延伸的距離。
  17. 一種支承元件(20)，其應用在如請求項10之裝置上及/或應用在將由含有碳及矽的氣態起始材料之分解產物形成之層沈積在一或數個基板(10)上之方法中，其中，該支承元件(20)具有徑向外區域(21)及徑向內區域(22)，其中，該徑向內區域(22)形成用於支承該基板(10)之邊緣的支承面(23)，且該徑向外區域(21)具有朝向該基板(10)之邊緣(10')的界面(24)及至少大致在與該支承面(23)平行之平行平面內延伸的頂側(26)，其特徵在於：該界面(24)以形成經過倒圓的邊緣(25)或斜面(25')的方式過渡至該頂側(26)，且該經過倒圓的邊緣(25)之半徑(R)為至少0.4mm，以及/或者，該界面之沿內圓柱側面延伸的區段(24)具有沿該支承面(23)之表面法線方向延伸之高度(a)，該高度大於該半徑(R)。
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