DE102012108986A1

DE102012108986A1 - Substrathalter einer CVD-Vorrichtung

Info

Publication number: DE102012108986A1
Application number: DE201210108986
Authority: DE
Inventors: Jan Mulder
Original assignee: Aixtron SE
Current assignee: Aixtron SE
Priority date: 2012-09-24
Filing date: 2012-09-24
Publication date: 2014-03-27
Also published as: CN103668124B; TWI576952B; TW201421608A; CN103668124A

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Substrathalter (6) zur Verwendung in einer Prozesskammer (4) einer Vorrichtung (1) zum Behandeln von Halbleitersubstraten, mit einer flachen Oberseite (5), in der sich mindestens eine Vertiefung (12) zur Aufnahme eines Substrates befindet, wobei die Vertiefung (12) einen Boden (13) und eine ringsum geschlossene Wand (14) aufweist, mit einer Mehrzahl von der Wand (14) in die Vertiefung abragenden Vorsprüngen (15), die eine Auflagefläche (19) ausbilden zur Auflage eine Randabschnittes des Substrates, wobei alle Auflageflächen (19) einer Vertiefung (12) in einer gemeinsamen Ebene (E) liegen, die oberhalb einer durch die höchste Erhebung des Bodens (13) gehende Ebene (12) verläuft und die unterhalb der Oberseite (5) verläuft. Die Wand (14) soll jeweils im Bereich (16) eines der Vorsprünge (15) in der Draufsicht auf die Oberseite geradlinig verlaufen. Es ist eine Mehrzahl in Umfangsrichtung voneinander beabstandete Distanzmitteln zur Zentrierung des in der Vertiefung (12) einliegenden Substrates (24) vorgesehen. Die Distanzmittel sollen von in der Draufsicht auf die Oberseite (5) geradlinig verlaufenden Bereichen (16) der Wand (14) gebildet sein.

Description

Die Erfindung betrifft einen Substrathalter zur Verwendung in einer Prozesskammer einer Vorrichtung zum Behandeln von Halbleitersubstraten, mit einer flachen Oberseite, in der sich mindestens eine Vertiefung zur Aufnahme eines Substrates befindet, wobei die Vertiefung einen Boden und eine ringsum geschlossene Wand aufweist, mit einer Mehrzahl von der Wand in die Vertiefung abragenden Vorsprüngen, die eine Auflagefläche ausbilden zur Auflage eine Randabschnittes des Substrates, wobei alle Auflageflächen einer Vertiefung in einer gemeinsamen Ebene liegen, die oberhalb einer durch die höchste Erhebung des Bodens gehende Ebene verläuft und die unterhalb der Oberseite verläuft.
Derartige Substrathalter, die üblicherweise auch mit dem Begriff Suszeptor bezeichnet sind, finden in der CVD Anwendung und werden insbesondere in Prozesskammern von MOCVD-Reaktoren verwendet. Die Substrathalter werden von unten mittels einer Heizung auf eine Prozesstemperatur aufgeheizt, die mehrere 100 Grad betragen kann. In der ebenen Oberseite des Substrathalters befinden sich üblicherweise eine Vielzahl von Taschen, die von Vertiefungen ausgebildet sind. Die Vertiefungen besitzen eine Bodenfläche, deren Umfangskontur der Umfangskontur eines Substrates entspricht. Vom Rand der Wandung der Vertiefung ragen in gleichmäßiger Umfangsverteilung Distanzelemente ab, auf die der Rand des Substrates aufgesetzt werden kann. Mit diesen Vorsprüngen wird die Unterseite des Substrates in einem Abstand zur höchsten Erhebung des Boden gehalten, so dass die Substrate hohl liegen. Es sind ferner vom Rand der Vertiefung in Radialrichtung abragende Distanzmittel vorgesehen, mit denen das Substrat in der Vertiefung zentriert wird.
Die Erfindung betrifft darüber hinaus einen Substrathalter zur Verwendung in einer Prozesskammer einer Vorrichtung zum Behandeln von Halbleitersubstraten, mit einer flachen Oberseite, in der sich mindestens eine Vertiefung zur Aufnahme eines Substrates befindet, wobei die Vertiefung einen Boden und eine ringsum geschlossene Wand aufweist. Die Wand umgibt den Rand des Substrates. Das Substrat besitzt im Wesentlichen eine Kreisscheibenform. Die Wand besitzt einen Konturverlauf, der zumindest abschnittweise den Konturverlauf des Randes des Substrates derart folgt, dass zwischen Rand des Substrates und Wand ein geringfügiger Spalt verbleibt. Um das Substrat innerhalb der durchmessergrößeren Vertiefung zu zentrieren, ragt von der Wand der Vertiefung eine Mehrzahl von Distanzmitteln ab. Die Distanzmittel sind in Umfangsrichtung voneinander beabstandet. Diese Distanzmittel bewirken die oben erwähnte Zentrierung des Substrates, so dass dessen Rand in einem gleichbleibenden Abstand zu der überwiegend gekrümmten Wandung der Vertiefung verläuft.
Der diesbezügliche Stand der Technik wird unter anderem von der US 2005/0016466 A1 , US 2009/0007841 A1 , US 2012/0156374 A1 gebildet.
Eine nicht vorveröffentlichte DE 10 2011 055 061 beschreibt einen Substrathalter mit kreisbogenförmigen Distanzelementen, auf denen der Rand eines Substrates aufliegt. Der Prozesskammerboden ist strukturiert. Er besitzt Abschnitte mit unterschiedlicher Tiefe.
Eine Vorrichtung zum Abscheiden von III–V-Schichten wird beschrieben in der DE 10 2010 000 388 A1 , der DE 10 2009 044 276 A1 , der DE 10 2009 043 848 A1 , der DE 10 2009 043 960 A1 und der DE 10 2010 000 554 A1 sowie in weiteren Patentanmeldungen der Anmelderin, von denen die DE 10323085 A1 die Beschichtung der Oberfläche eines Substrathalters mit SiC, BN oder TaC beschreibt.
Bei einem beschichteten Substrathalter besteht das Problem, dass aufgrund thermischer Spannungen im Bereich der Vorsprünge beziehungsweise im Bereich der Distanzmittel Risse entstehen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Maßnahmen anzugeben, mit denen das Entstehen derartiger Risse verhindert wird.
Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung.
Zunächst und im Wesentlichen ist vorgesehen, dass der Abschnitt der Wand der Vertiefung, von dem der Vorsprung abragt, eine in der Draufsicht auf die Oberseite des Substrathalters geradlinigen Verlauf besitzt. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die zur Vertiefung hinweisenden Wandungsabschnitte der Vorsprünge lediglich von Rundungen ausgebildet sind. Insbesondere ist vorgesehen, dass die Seitenwandung des Vorsprungs knickstellenfrei gerundet aus der geradlinigen Wandung hervorgeht. Ausgehend aus einem Abschnitt der geradlinigen Wandung beschreibt die Seitenwandung des Vorsprungs zunächst eine in der Draufsicht konkave Rundung, die in eine konvexe Rundung übergeht. Im Scheitel der konvexen Rundung besitzt der Vorsprung den größten radialen Abstand zum geradlinigen Wandabschnitt. Bezogen auf eine durch diesen Scheitelpunkt gehende, rechtwinklig dem geradlinigen Abschnitt entspringenden gedachten Linie ist der Vorsprung spiegelsymmetrisch. Die geradlinig verlaufenden Abschnitte erstrecken sich bevorzugt in Umfangsrichtung über die Umfangserstreckung der Vorsprünge hinaus. Sie gehen in Form gerundeter Wandungsabschnitte ineinander über.
Die Vorsprünge sind bevorzugt in gleichmäßiger Winkelverteilung um das Zentrum der Vertiefung angeordnet. Sie können jeweils um 60 Grad versetzt zueinander liegen. Die zwischen den geradlinig verlaufenden Abschnitten sich erstreckenden Wandungsabschnitte der Wandung der Vertiefung verlaufen bevorzugt auf einer Kreisbogenlinie. Vorzugsweise verlaufen die gekrümmten Wandungsabschnitte mit demselben Radius um einen gemeinsamen Mittelpunkt. Die Vertiefung besitzt somit eine sie einhüllende Kreisbogenlinie, auf der die gekrümmten Wandungsabschnitte verlaufen. Diese Kreisbogenlinie, auf der die gekrümmten Wandungsabschnitte verlaufen, besitzt einen Radius, der größer ist, als der Radius des Randes des im Wesentlichen kreisförmigen Substrates. Als Folge dessen umgibt der Rand der Vertiefung das Substrat im Bereich zwischen den geradlinigen Wandungsabschnitten mit einem im Wesentlichen konstanten Spaltabstand. Die geradlinigen Wandungsbereiche der Wandung der Vertiefung bilden gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung die Distanzmittel aus, mit denen das Substrat in der Vertiefung zentriert wird. Die geradlinigen Bereiche umgeben einen gedachten Innenkreis, der die geradlinigen Bereiche lediglich tangiert und dessen Radius nur geringfügig größer ist, als der Radius des Substrates, so dass der Rand des Substrates an ein oder mehreren geradlinig verlaufenden Wandbereichen anliegen kann. Die geradlinigen Wandungsabschnitte bilden Sekanten zu einem Umkreis, der den Verlauf der gekrümmten Wandungsabschnitte definiert und Tangenten zu einem Innenkreis, dessen Durchmesser im Wesentlichen dem Durchmesser eines Substrates entspricht. Der Radius der Umfangskreisbogenlinie bildet ein Bezugsmaß für die Länge des geradlinig verlaufenden Abschnitts. Seine in Umfangsrichtung gemessene Länge kann 20 bis 30 Prozent dieses Radius betragen. Die mittlere Erstreckungslänge der Vorsprünge in Umfangsrichtung beträgt etwa 1 bis 5 Prozent dieses Radius. Die radiale Erstreckung der Vorsprünge von Rand der Vertiefung in Richtung auf ihr Zentrum beträgt etwa 2 bis 5 Prozent des Radius der gekrümmten Wandabschnitte. In einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung sind die Vorsprünge von Rinnen flankiert. Die Rinnen verlaufen im Boden der Vertiefung und grenzen mittelbar an die zur Vertiefung weisende Wand des jeweiligen Vorsprungs an. Die Rinne kann sich auch bereichsweise über den geradlinigen Abschnitt erstrecken. Der geradlinige Abschnitt kann sich über die Länge der Rinne hinaus erstrecken. Die Breite der Rinne liegt etwa zwischen 1 und 5 Prozent des Radius der gekrümmten Wandabschnitte. Die Länge der Rinne in Umfangsrichtung beträgt etwa 10 bis 30 Prozent des Radius. Die Vorsprünge erstrecken sich bevorzugt jeweils über einen Umfangswinkel von 1 bis 10 Grad, bevorzugt etwa 2 bis 3 Grad. Die Rinne kann sich über einen Umfangsabschnitt von bis zu 10 Grad erstrecken. Zur Aufnahme eines 4-Zoll-Wafers beträgt der Radius etwa 49 mm. Der Substrathalter bildet den Suszeptor eines MOCVD-Reaktors. Letzterer besitzt eine Prozesskammer, deren Boden der Suszeptor ausbildet. Oberhalb des Bodens befindet sich ein Gaseinlasssystem, durch das die Prozessgase in die Prozesskammer eingeleitet werden. Die Prozessgase zerlegen sich pyrolytisch auf der Oberfläche des Substrates, bei dem es sich um einen Halbleiterwafer handelt. Auf der Substratoberfläche wird eine einkristalline Halbleiterschicht abgeschieden. Diese kann aus Elementen der III- und V-Hauptgruppe bestehen. Der Suszeptor wird von unten mittels einer Heizung beheizt. Hinsichtlich der Einzelheiten der verwendeten Prozessgase und der Prozessführung wird auf den eingangs genannten Stand der Technik verwiesen. Er wird diesbezüglich zum Gegenstand der Offenbarung dieser Patentanmeldung gemacht.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
1 eine schematische Darstellung durch einen Querschnitt eines MOCVD-Reaktors gemäß Stand der Technik,
2 eine Draufsicht auf einen erfindungsgemäßen Substrathalter 6, der insgesamt dreizehn Vertiefungen jeweils zur Aufnahme eine Substrates besitzt,
3 vergrößert eine Vertiefung 12 gemäß 2,
4 den Schnitt gemäß der Linie IV-IV in 3,
5 den Ausschnitt V-V in 3,
6 eine Darstellung gemäß 3, jedoch eine mit einer anderen Bodenprofilierung versehene Vertiefung 12,
7 den Schnitt gemäß der Linie VII-VII in 6,
8 eine Darstellung gemäß 3 mit einem in der Vertiefung einliegenden Substrat 24 und
9 eine Darstellung gemäß 4, jedoch mit in der Vertiefung 12 einliegendem Substrat 24.
Die 1 zeigt den Querschnitt durch ein – bezogen auf eine Mittelachse – rotationssymmetrisches Reaktorgehäuse 1 einen MOCVD-Reaktors. Innerhalb des Reaktorgehäuses 1 befindet sich ein Gaseinlassorgan 2, welches durch eine Gaszuleitung 9 mit Prozessgasen gespeist wird. Unterhalb des Gaseinlassorganes 2 befindet sich die Prozesskammer 4. Die Unterseite des Gaseinlassorgans 2 bildet eine Gasaustrittsfläche 3, in die eine Vielzahl von Gaseinlassöffnungen 10 mündet. Durch diese Gaseinlassöffnungen 10 kann das Prozessgas beziehungsweise eine Mischung von verschiedenen Prozessgasen in die Prozesskammer 4 eingeleitet werden. Um die Gasaustrittsfläche 3 des Gaseinlassorganes 2 zu kühlen oder zu temperieren, sind Kanäle 11 vorgesehen, durch die ein Temperiermittel strömen kann.
Der Boden der Prozesskammer 4 wird von einem Suszeptor 6 ausgebildet, der eine zur Prozesskammer 4 hinweisende flache Oberseite 5 besitzt. Die Oberseite 5 kann von einer Ebene ausgebildet werden. Unterhalb des Suszeptors 6 befindet sich eine Heizung 7. Es kann sich hierbei um eine Widerstandsheizung, eine Strahlungsheizung oder um eine RF-Heizung handeln. Mit dieser Heizung 7 wird der Suszeptor 6 auf eine Prozesstemperatur gebracht. Die Prozesskammer 4 wird von einem Gasauslassring 8 umgeben. Mit einer nicht dargestellten Vakuumeinrichtung kann der Gasdruck innerhalb der Prozesskammer 4 eingestellt werden.
Die 2 zeigt die Draufsicht auf einen erfindungsgemäßen Suszeptor 6. Der Suszeptor ist ein Substrathalter 6. Der Suszeptor 6 besteht aus Quarz oder Graphit. Seine Oberfläche ist beschichtet. Sie kann mit SiC, BN, TaC beschichtet sein. In der flachen Oberseite 5 des Suszeptors 6 sind im Ausführungsbeispiel dreizehn Vertiefungen eingebracht. Die Böden 13 und die Wände 14, 16 sowie von den Wandabschnitten 16 abragende Vorsprünge 15 sind ebenfalls beschichtet.
Die Vertiefungen 12 bilden Taschen, in die jeweils ein Substrat eingelegt werden kann. Die Substrate sind in den 1 bis 8 nicht dargestellt. Die 8 und 9 zeigen jedoch ein in einer Vertiefung 12 einliegendes Substrat 24. Die Ränder der Substrate 24 liegen auf den von der Wandung 14, 16 der Vertiefung 12 abragenden Vorsprüngen 15. Die Vorsprünge 15 besitzen Auflageflächen 19, die in einer Ebene E liegen. Der 2 ist zu entnehmen, dass die Böden 13 Abschnitte 13', 13'' aufweisen, die – bezogen auf die Oberseite 5 des Suszeptors 6 – eine unterschiedliche Tiefe besitzen. Hierdurch wird der Wärmetransport vom Boden der Vertiefung 12 zum Substrat beeinflusst.
Die 3, 6 beziehungsweise 8 zeigen jeweils in einer vergrößerten Darstellung eine der Vertiefungen 12, die sich im Wesentlichen nur durch die Strukturierung der Vertiefungsböden 13, 13', 13'' unterscheiden. Die in den 3 und 4 dargestellte Vertiefung 12 besitzt einen Abschnitt minimaler Tiefe, der im randnahen Bereich verläuft. Der Abschnitt minimaler Tiefe definiert die höchste Erhebung des Bodens 13 und definiert eine Ebene 20.
Bei der in den 6 und 7 dargestellten Vertiefung 12 bildet ein Zentralabschnitt des Bodens 13 den Bereich der höchsten Erhebung des Bodens 13, durch den die Ebene 20 verläuft. Die übrigen Bodenabschnitte 13', 13'' liegen auf einem tieferen Niveau.
Vom Rand 14, der im Wesentlichen auf einer Zylindermantelfläche verläuft, ragen jeweils um 60 Grad versetzt Vorsprünge 15 in Radialeinwärtsrichtung ab. Jeder der insgesamt sechs Vorsprünge 15 bildet eine Auflagefläche 19 aus, auf der sich ein Abschnitt des Randes des Substrates 24 abstützen kann (vergleiche 9). Die Auflageflächen 19 liegen in einer gemeinsamen Ebene E, die von der durch die höchste Bodenerhebung definierten Ebene 20 beabstandet ist, so dass das Substrat hohl liegt. Die Ebene E beziehungsweise die Auflagefläche 19 besitzt darüber hinaus einen Abstand zur Oberseite 5 des Suszeptors 6, der eine derartige Größe besitzt, dass die Oberseite eines Substrates den Rand 17 nicht oder nur geringfügig überragt.
Den 3 und 6 ist zu entnehmen, dass wesentliche Abschnitte der Wandung 14 beziehungsweise des Randes 17 auf einer Kreisbogenlinie verlaufen, deren Mittelpunkt im Zentrum der Vertiefung 12 liegt Die Randkante 17, entlang der die Vertiefung an die Oberseite des Suszeptors 6 angrenzt, folgt der Kontur der Wandung 16, die auf einer Zylindermantelfläche verläuft und die unter Ausbildung einer Konusfläche 21 in den Rand 17 ausläuft.
Der vergrößerten Darstellung in 5 ist zu entnehmen, dass die Wandung 14 Abschnitte 16 aufweisen, die in der Draufsicht geradlinig verlaufen. Die Wandung 16 wird von einer Ebene gebildet. Der geradlinige Abschnitt 16 der Wandung 14 geht in einen gekrümmten Wandabschnitt 14' über, der auf einer Kreisbogenlinie verläuft, die einen Radius R zum Zentrum der Vertiefung 12 besitzt. Es sind insgesamt sechs geradlinige Abschnitte 16 vorgesehen, die jeweils durch gekrümmte Wandungsabschnitte 14' miteinander verbunden sind.
Jeder der sechs geradlinigen Abschnitte 16 besitzt einen mittleren Wandungsabschnitt, dem der oben erwähnte Vorsprung 15 entspringt. Hierzu besitzt der Vorsprung 15 konkav verlaufende Wandungsabschnitte 23. Mit diesen Wandungsabschnitten 23 geht die zur Vertiefung 12 hinweisende Wandung des Vorsprungs 15 knickstellenfrei aus der ebenen Oberfläche des geradlinigen Wandungsabschnitts 16 hervor. Der konkave Wandungsabschnitt 23 geht in einen konvexen Wandungsabschnitt 22 über, der einen Halbkreisbogen beschreibt. In der Mitte des Halbkreisbogens hat der Vorsprung 15 seine größte Entfernung vom geradlinigen Abschnitt 16 der Wandung.
Der geradlinige Abschnitt 16 der Wandung 14 erstreckt sich in beiden Umfangsrichtungen über den Umfangsabschnitt, der vom Vorsprung 15 eingenommen wird, hinaus. Dort schließen sich die geradlinigen Anschlussabschnitte 16' und 16'' an.
Der Vorsprung 15 wird von einer Rinne 18 flankiert. Diese Rinne befindet sich im Boden 13 der Vertiefung 12. Die Rinne 18 folgt der Rundungskontur der Wandungen 22, 23 des Vorsprungs 15. Die Rinne 18 formt somit einen Kreisbogenabschnitt 18'' um den Vorsprung 15. In Umfangsrichtung läuft die Rinne 18 in zwei geradlinige Abschnitte 18' aus, die unmittelbar an die geradlinig verlaufenden Wandungsabschnitte 16' angrenzen.
Der geradlinige Abschnitt 16 der Wandung 14 setzt sich in Umfangsrichtung über die Umfangserstreckung der Rinne 18 fort und bildet dort die oben bereits erwähnten Wandungs-Anschlussabschnitte 16'' aus.
Im Ausführungsbeispiel erstreckt sich der Vorsprung 15 in etwa über 2 bis 3 Winkelgrad in Umfangsrichtung. Die Rinne 18 erstreckt sich etwa um 10 Grad in Umfangsrichtung um das Zentrum der Vertiefung 12. Der geradlinige Abschnitt 16 erstreckt sich etwa um 15 Grad in Umfangsrichtung um das Zentrum der Vertiefung 12. Er kann sich im Bereich zwischen 10 und 30 Grad in Umfangsrichtung erstrecken.
Wie eingangs bereits erwähnt, liegen die gekrümmten Abschnitte der Wandung 14 auf einer Kreisbogenlinie und die geradlinigen Wandungsbereiche 16 auf Sekanten dieses Kreisbogens. Es gibt einen konzentrisch zu diesem Umkreis verlaufenden Innenkreis, zu dem die geradlinigen Bereiche 16 Tangenten bilden. Die 8 zeigt ein Substrat 24, das in einer Vertiefung gemäß 4 einliegt. Die Schnittlinie, entlang welcher der Schnitt gemäß 9 dargestellt ist, verläuft durch die Tangentenpunkte. Diese Tangentenpunkte bilden Distanzmittel, um das Substrat 24 in der Vertiefung 12 derart zu zentrieren, dass der Rand des Substrates 24 mit einem in Umfangsrichtung im Wesentlichen gleichbleibenden Abstand von den gekrümmten Abschnitten 14' der Wandung 14 distanziert ist. Der geradlinige Bereich 16 besitzt somit eine vertikale Höhe, die größer ist, als die Stufenhöhe des Vorsprungs 15, also des Abstandes der Auflagefläche 19 von der Ebene 20.
Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren in ihrer fakultativ nebengeordneten Fassung eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.
Bezugszeichenliste

1: Reaktorgehäuse
2: Gaseinlassorgan
3: Gasaustrittsfläche
4: Prozesskammer
5: Oberseite
6: Suszeptor
7: Heizung
8: Gasauslassring
9: Gaszuleitung
10: Gaseinlassöffnung
11: Kanal
12: Vertiefung
13: Boden
13': Bodenabschnitt
13'': Bodenabschnitt
14: Wand, Wandung
14': gekrümmter Wandungsabschnitt
15: Vorsprung
16: Wandung, geradliniger Abschnitt
16': Wandungs-Anschlussabschnitt
16'': Wandungs-Anschlussabschnitt
17: Rand
18: Rinne
18': Abschnitt
18'': Kreisbogenabschnitt
19: Auflagefläche
20: Ebene
21: Konusfläche
22: Wandung, Wandungsabschnitt
23: Wandung, Wandungsabschnitt
24: Substrat
E: Ebene
R: Radius

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 2005/0016466 A1 [0004]
US 2009/0007841 A1 [0004]
US 2012/0156374 A1 [0004]
DE 102011055061 [0005]
DE 102010000388 A1 [0006]
DE 102009044276 A1 [0006]
DE 102009043848 A1 [0006]
DE 102009043960 A1 [0006]
DE 102010000554 A1 [0006]
DE 10323085 A1 [0006]

Claims

Substrathalter (6) zur Verwendung in einer Prozesskammer (4) einer Vorrichtung (1) zum Behandeln von Halbleitersubstraten, mit einer flachen Oberseite (5), in der sich mindestens eine Vertiefung (12) zur Aufnahme eines Substrates befindet, wobei die Vertiefung (12) einen Boden (13) und eine ringsum geschlossene Wand (14) aufweist, mit einer Mehrzahl von der Wand (14) in die Vertiefung abragenden Vorsprüngen (15), die eine Auflagefläche (19) ausbilden zur Auflage eine Randabschnittes des Substrates, wobei alle Auflageflächen (19) einer Vertiefung (12) in einer gemeinsamen Ebene (E) liegen, die oberhalb einer durch die höchste Erhebung des Bodens (13) gehende Ebene (12) verläuft und die unterhalb der Oberseite (5) verläuft, dadurch gekennzeichnet, dass die Wand (14) jeweils im Bereich (16) eines der Vorsprünge (15) in der Draufsicht auf die Oberseite geradlinig verläuft.
Substrathalter nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorsprünge (15) in gleichmäßiger Winkelverteilung, insbesondere um 60 Grad versetzt in Umfangsrichtung angeordnet sind.
Substrathalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die in Umfangsrichtung gemessene Länge der geradlinigen Abschnitte eine Länge besitzen, die 20 bis 30 Prozent des Krümmungsradius (R) der gekrümmten Wandabschnitte (14') entspricht.
Substrathalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die in Umfangsrichtung gemessene Erstreckung eines Vorsprungs (15) etwa 1 bis 5 Prozent des Radius (R) der gekrümmten Wandabschnitte (14') entspricht.
Substrathalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die zur Vertiefung (12) hinweisende Wandung der Vorsprünge (15) von einer Rinne (18) im Boden (13) flankiert ist.
Substrathalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Rinne (18) in Abschnitte (18') fortsetzt, die sich entlang von Abschnitten (16') der geradlinig verlaufenden Wand (16) erstrecken.
Substrathalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite der Rinne (18) etwa 1 bis 5 Prozent des Radius der gekrümmten Wandabschnitte entspricht.
Substrathalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge der Rinne (18) etwa 10 bis 30 Prozent des Radius des gekrümmten Wandabschnittes entspricht.
Substrathalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Substrathalter (6) aus Graphit, Molybdän oder Quarz besteht und eine Beschichtung aufweist.
Substrathalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung aus SiC, aus BN oder aus TaC besteht oder ein oder mehrere dieser Stoffe enthält.
Substrathalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die zur Vertiefung (12) hinweisenden Flanken der Vorsprünge (15) von knickstellenfrei ineinander übergehenden Rundungen (22, 23) ausgebildet sind und knickstellenfrei in einen geradlinigen Wandabschnitt (16') übergehen.
Substrathalter (6) zur Verwendung in einer Prozesskammer (4) einer Vorrichtung (1) zum Behandeln von Halbleitersubstraten, mit einer flachen Oberseite (5), in der sich mindestens eine Vertiefung (12) zur Aufnahme eines Substrates befindet, wobei die Vertiefung (12) einen Boden (13) und eine ringsum geschlossene Wand (14) aufweist, die den Rand des Substrates (24) umgibt, mit einer Mehrzahl in Umfangsrichtung voneinander beabstandeten Distanzmitteln zur Zentrierung des in der Vertiefung (12) einliegenden Substrates (24), dadurch gekennzeichnet, dass die Distanzmittel von in der Draufsicht auf die Oberseite (5) geradlinig verlaufenden Bereichen (16) der Wand (14) gebildet sind.
Substrathalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die geradlinigen Abschnitte (16) der Wand (14) durch gekrümmte, insbesondere auf einer Kreisbogenlinie verlaufende Wandabschnitte (14') miteinander verbunden sind.