DE102009043848A1 - CVD-Verfahren und CVD-Reaktor - Google Patents
CVD-Verfahren und CVD-Reaktor Download PDFInfo
- Publication number
- DE102009043848A1 DE102009043848A1 DE102009043848A DE102009043848A DE102009043848A1 DE 102009043848 A1 DE102009043848 A1 DE 102009043848A1 DE 102009043848 A DE102009043848 A DE 102009043848A DE 102009043848 A DE102009043848 A DE 102009043848A DE 102009043848 A1 DE102009043848 A1 DE 102009043848A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gas outlet
- susceptor
- gas
- outlet member
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 183
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 145
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 7
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 claims 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 101100074836 Caenorhabditis elegans lin-22 gene Proteins 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012821 model calculation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000026676 system process Effects 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden von insbesondere aus mehreren Komponenten bestehenden Halbleiterschichten auf ein oder mehreren Substraten, die auf einem Suszeptor aufliegen, der eine von einer Heizeinrichtung auf eine Prozesstemperatur beheizte Wandung einer Prozesskammer ausbildet, wobei durch Strömungskanäle eines Gaseinlassorganes von einem Gasmischsystem bereitgestellte Prozessgase zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer eingeleitet werden, welches Trägergas die Prozesskammer im Wesentlichen parallel zum Suszeptor durchströmt, wobei sich die Prozessgase zumindest an der Oberfläche des beheizten Substrates pyrolytisch in Zerlegungsprodukten zerlegen und die Zerlegungsprodukte auf der Substratoberfläche und auf der Oberfläche eines stromabwärts mit einem Abstand zum stromabwärtigen Rand des Suszeptors angeordneten Gasauslassorganes zumindest bereichsweise eine Beschichtung bildend aufwachsen, wobei ein erster Prozessschritt bei einer ersten Prozesstemperatur durchgeführt wird und danach ohne zwischenzeitiges Reinigen oder Austauschen des mit aufgewachsenen Zerlegungsprodukten belegten Gaseinlassorganes ein zweiter Prozessschritt bei einer zweiten Prozesstemperatur durchgeführt wird, welche höher ist als die erste Prozesstemperatur.
- Die Erfindung betrifft darüber hinaus auch eine Vorrichtung zum Abscheiden von insbesondere aus mehreren Komponenten bestehenden Halbleiterschichten auf ein oder mehreren Substraten, mit einem Suszeptor, auf dem das Substrat aufliegt und der eine von einer Heizeinrichtung auf eine Prozesstemperatur beheizte Wandung einer Prozesskammer ausbildet, mit einem mittels Gaszuleitungen mit einem Gasmischsystem verbunden Gaseinlassorgan, wobei durch Strömungskanäle des Gaseinlassorganes vom Gasmischsystem bereitgestellte Prozessgase zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer einleitbar sind und die Strömungskanäle derart in der Prozesskammer angeordnet sind, dass das Trägergas die Prozesskammer im Wesentlichen parallel zum Suszeptor durchströmt, wobei der Suszeptor und ein stromabwärts des Suszeptors mit einem Abstand zum stromabwärtigen Rand des Suszeptors angeordnetes Gasauslassorgan von der Heizeinrichtung direkt oder indirekt derart aufheizbar sind, dass sich die Prozessgase zumindest an der Oberfläche des Substrates in Zerlegungsprodukten zerlegen und die Zerlegungsprodukten auf den heißen Oberflächen des Substrates und des Gasauslassorganes pyrolytisch zumindest bereichsweise eine Beschichtung bildend aufwachsen.
- Eine gattungsgemäße Vorrichtung wird in der
DE 100 43 600 A1 , derEP 1 060 301 B1 und derEP 1 240 366 B1 beschrieben. Die Vorrichtungen besitzen ein Reaktorgehäuse, das gegenüber der Umgebung gasdicht geschlossen ist. Innerhalb des Reaktorgehäuses befindet sich eine Prozesskammer. Diese besitzt die Form eines Kreiszylinders. Der kreisscheibenförmige Boden der Prozesskammer wird von einem mehrteiligen, aus Graphit bestehenden Suszeptor ausgebildet, welcher auf seiner zur Prozesskammer hinweisenden Seite eine Vielzahl von um das Zentrum angeordnete Aussparungen aufweist, in denen kreisscheibenförmige Substrathalter einliegen, auf deren Oberfläche jeweils ein zu beschichtendes Substrat aufliegt. Die Substrathalter werden von einem Gasstrom auf einem Gaspolster lagernd drehangetrieben. Der auf einer zentralen Säule ruhende Suszeptor kann ebenfalls um die Symmetrieachse der Prozesskammer gedreht werden. Oberhalb des sich in einer Horizontalebene erstreckenden Suszeptors befindet sich eine Prozesskammerdecke, die ebenfalls aus Graphit gefertigt ist. Im Zentrum der Prozesskammerdecke befindet sich ein Gaseinlassorgan, welches mit Zuleitungen mit einem Gasmischsystem verbunden ist, von welchem Austrittskanäle des Gaseinlassorganes mit einem Trägergas und mit dem Trägergas transportierten Prozessgasen gespeist wird. Bei den Prozessgasen handelt es sich einerseits um ein Metallorganikum, bspw. TMGa, TMIn oder TMA1. Das andere Prozessgas ist ein Hydrid, bspw. Arsin, Phosphin oder Ammoniak. Mit diesen Prozessgasen sollen auf den Substratoberflächen Halbleiterschichten abgeschieden werden, die aus Ga, In, Al, P, As und N bestehen können. Mit der Vorrichtung können nicht nur III-V-Halbleiterschichten, sondern durch geeignete Wahl der Ausgangsstoffe auch II-VI-Halbleiterschichten abgeschieden werden. Ferner ist es möglich, durch Zugabe geeigneter weiterer hochverdünnter Ausgangsstoffe die abgeschiedenen Halbleiterschichten zu dotieren. - Die zusammen mit dem Trägergas in das Zentrum der Prozesskammer eingeleiteten Prozessgase durchströmen die Prozesskammer in horizontaler Richtung parallel zur Prozesskammerdecke und zum Prozesskammerboden. Der Prozesskammerboden und ggf. auch die Prozesskammerdecke werden auf eine Prozesstemperatur geheizt. Dies erfolgt über eine RF-Heizung. Hierzu befinden sich unterhalb des Suszeptors Windungen einer wassergekühlten Heizspirale. Die Prozessgase zerlegen sich an den heißen Oberflächen und insbesondere an der heißen Substratoberfläche pyrolytisch in Zerlegungsprodukte. Der Prozess wird so geführt, dass das Wachstum der Halbleiterschichten auf dem Substrat im kinetisch kontrollierten Temperaturbereich stattfindet, da in diesem Temperaturbereich die höchste Kristallqualität erzielbar ist. Bei dem Prozess ist nicht zu vermeiden, dass sich auch auf den die Substrate umgebenden Oberflächenbereichen des Suszeptors, an der Unterseite der Prozesskammerdecke und an einem die stromabwärtige Prozesskammerwandung bildenden Gasauslassorgan eine parasitäre Beschichtung aufwächst.
- Die thermischen Behandlungsprozesse, die in der in Rede stehenden Vorrichtung stattfinden, erfordern unterschiedlich hohe Prozesstemperaturen. Bei einem gattungsgemäßen Verfahren wird in einem ersten Prozessschritt eine erste Schicht eines ersten Materials auf das Substrat abgeschieden. Dies erfolgt bei einer niedrigen Prozesstemperatur, die bspw. im Bereich von 500°C bis 800°C liegen kann. Nach einem oder mehreren Spülschritten und ggf. auch weiteren Zwischenschritten wird ein zweiter Prozessschritt durchgeführt, bei dem die Prozesstemperatur wesentlich höher ist, bspw. mindestens 1.000°C beträgt. Bei diesem Prozessschritt wird eine Schicht aus einem zweiten Material auf die erste Schicht bzw. auf weitere Zwischenschichten abgeschieden. Das im ersten Prozessschritt teilweise mit Zerlegungsprodukten belegte Gasauslassorgan wurde in der Zwischenzeit zwischen erstem und zweitem Prozessschritt nicht gereinigt oder ausgetauscht. Bei einer anschließenden Analyse der im zweiten Prozessschritt abgeschiedenen Schicht fanden sich Spuren der Zerlegungsprodukte der im ersten Prozessschritt in die Prozesskammer eingeleiteten Prozessgase.
- Mit der gattungsgemäßen Vorrichtung kann darüber hinaus auch ein Abscheideverfahren ausgeübt werden, welches mit einem Prozessschritt beginnt, der mit einer sehr hohen Prozesstemperatur durchgeführt wird, bspw. 1.600°C. Bei diesem Prozessschritt kann es sich um einen Temper-Schritt handeln. Wurde in einem vorherigen Abscheideprozess auf zwischenzeitig ausgetauschten Substraten ein Wachstumsschritt bei einer niedrigeren Temperatur durchgeführt, war es zu einer parasitären Belegung des Gasauslassorganes gekommen. Wurde beim Substratwechsel das Gasauslassorgan nicht ausgetauscht, liegt beim Temper-Prozess beim folgenden Beschichtungsvorgang ein kontaminiertes Gasauslassorgan vor. Auch bei dieser Prozessführung folgt einem ersten Prozessschritt bei einer niedrigen Temperatur, bei dem ein Schichtwachstum stattfindet, ein zweiter Prozessschritt bei einer hohen Prozesstemperatur. Auch hier wurde bei einer nachfolgenden Analyse der abgeschiedenen Schichten festgestellt, dass Zerlegungsprodukte der früheren Prozessschritte in später abgeschiedenen Schichten eingebaut wurden.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Maßnahmen anzugeben, mit denen ohne zwischenzeitigen Austausch oder ohne zwischenzeitiges Reinigen des Gasauslassorganes kontaminationsfreie Schichten in aufeinander abfolgenden Prozessschritten abscheidbar sind.
- Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung. Die Unteransprüche stellen vorteilhafte Weiterbildungen der nebengeordneten Ansprüche 1 und 8 dar. Darüber hinaus bilden die Unteransprüche aber auch eigenständige Lösungen der Aufgabe und sind miteinander beliebig kombinierbar.
- Der Erfindung liegt die im Wege von Experimenten und Modellrechnungen gewonnene Erkenntnis zugrunde, dass die beobachtete Schichtkontamination ihren Ursprung in der Belegung des Gasauslassorganes hat. Hierzu wurden in Untersuchungsreihen die Kontamination unter Verwendung von Testschichten, die extrem hoch dotiert waren, untersucht. Das Maß der Kontamination wurde am Interface zwischen Substrat und einer zweiten Schicht gegenüber einem Interface zwischen Substrat und einer ersten Schicht objektiviert. Bei den Untersuchungen wurde herausgefunden, dass sich die Oberflächentemperatur des Gasauslassorganes signifikant mit ändert. Diese Beobachtung wurde auch an solchen Vorrichtungen gemacht, wie sie von der
EP 1 240 366 B1 beschrieben werden, bei denen das Gasauslassorgan zum Wechseln des Substrates absenkbar ist und hierzu einen Abstand zum Suszeptor aufweist. Einen derartig geringfügigen Abstand zwischen Suszeptor und Gasauslassorgan zeigt auch die1 derEP 1 060 301 B1 . In den in Rede stehenden Strömungsreaktoren wird die Prozesskammer in Horizontalrichtung von den Prozessgasen durchströmt. Zwischen Suszeptor und Gasauslassorgan bildet sich eine Strömungsbarriere. Die Zerlegungsprodukte, die bei der niedrigeren Prozesstemperatur parasitär auf der Oberfläche des Gasauslassorganes aufwachsen, haben die Tendenz, in dem zweiten Prozessschritt, in dem bisher nicht nur der Suszeptor, sondern auch das Gasauslassorgan auf eine deutlich höhere Temperatur aufgeheizt werden, von der Oberfläche des Gasauslassorganes abzudampfen. Die so in die Gasphase gelangten Komponenten diffundieren in alle Richtungen, also auch gegen den Gasstrom. Es wurde erkannt, dass diese Gegenstromdiffusion verantwortlich für die unerwünschte Kontamination der im zweiten Prozessschritt abgeschiedenen Schichten oder später abgeschiedenen Schichten ist. Selbst bei einem lediglich bei einer hohen Temperatur durchgeführten Temper-Schritt kommt es zu einer Kontamination der getemperten Substratoberfläche, da die bei den hohen Prozesstemperaturen vom Gasauslassorgan abdampfenden Zerlegungsprodukte in die Prozesskammer bis hin zum Substrat diffundieren und sich dort an der Oberfläche anlagern. - Die erfindungsgemäße Maßnahme, um diesem Missstand zu begegnen, liegt darin, dass bei der Konstruktion der Vorrichtung der Abstand zwischen dem stromabwärtigen Rand des Suszeptors und dem Gasauslassorgan groß genug ausgelegt wird, um zu verhindern, dass von der Beschichtung des Gasauslassorganes abdampfende Zerlegungsprodukte, Fragmente oder Konglomerate davon durch Gegenstromdiffusion oder Rezirkulation zum Substrat gelangen. Des Weiteren betrifft die erfindungsgemäße Maßnahme eine besondere Temperierung des Gasauslassorganes. Diese erfolgt derart, dass dessen Oberflächentemperaturen bei den Prozessschritten mit verschiedenen Prozesstemperaturen nur unwesentlich verschieden voneinander sind. In entsprechender Weise wird das Verfahren so durchgeführt, dass die Bedingungen in der Gasphase, Temperatur, Druck oder dergleichen so eingestellt sind, dass der Abstand zwischen dem stromabwärtigen Rand des Suszeptors und des Gasauslassorganes ausreichend groß ist, um zu verhindern, dass von der Beschichtung des Gasauslassorganes bei der zweiten Prozesstemperatur abdampfende Zerlegungsprodukte, Fragmente oder Konglomerate davon durch Gegenstromdiffusion oder Rezirkulation zum Substrat zurückgelangen. Dabei kann alternativ oder optional zusätzlich das Gasauslassorgan während der beiden Prozessschritte derart temperiert werden, dass dessen Oberflächentemperaturen bei beiden Prozessschritten nur unwesentlich verschieden voneinander sind. Dieser Temperaturbereich kann durchaus 100°C und mehr betragen. Er hängt von den chemischen bzw. physikalischen Eigenschaften der Belegung des Gasauslassorganes ab. Optimal ist es, wenn die dem Suszeptor nächstliegende Oberfläche einen Abstand vom Suszeptor besitzt, der der dreifachen Diffusionslänge entspricht. Es handelt sich hierbei um die von der Strömungsgeschwindigkeit abhängende Gegenstromdiffusionslänge. Diese Rückdiffusionslänge ist definiert durch die Strecke, innerhalb welcher die Gasphasenkonzentration der abgedampften Zerlegungsprodukte auf 1/e abgesunken ist. Die Temperierung des Gasauslassorganes erfolgt über ein oder mehrere unterhalb des Suszeptors angeordnete Heizspiralen und insbesondere von einer äußeren Heizwindung. Damit wird das Gasauslassorgan separat aktiv beheizt. Hierzu befindet sie sich in unmittelbarer Nachbarschaft des ringförmig die Prozesskammer umgebenden Gasauslassorganes. In einer bevorzugten Ausgestaltung ist vorgesehen, dass das Gasauslassorgan vertikal unterhalb des sich in der Horizontalebene erstreckenden Suszeptors angeordnet ist. Durch die Positionierung und die aktive Beheizung des Gasauslassorganes kann dessen Oberfläche im Wesentlichen unabhängig von der Prozessführung temperiert werden. Die Oberflächentemperatur des Gasauslassorganes schwankt somit deutlich geringer, als die Oberflächentemperatur des Suszeptors. Die Oberflächentemperatur des Suszeptors kann bei verschiedenen Prozessschritten durchaus um mehr als 500°C verschieden sein. Das Gasauslassorgan wird derart aktiv beheizt, dass es bei einer derartigen Temperaturvariation nur zu einer Temperaturvariation von maximal 100°C kommt. In einem Prozess mit einer homogenen Gasphasenreaktion, bei der die Zerlegungsprodukte nicht nur durch pyrolytische Zerlegung an der Oberfläche entstehen, sondern auch Gasphasenreaktionen stattfinden, muss das Gasauslassorgan eine Temperatur besitzen, die oberhalb der Adduktbildungstemperatur liegt. Dies gilt auch für die Prozesskammerdecke, die bei solchen Prozessen aktiv beheizt wird. Bei derartigen Prozessen zerlegen sich insbesondere die metallorganischen Komponenten über mehrere Zwischenschritte in elementares Metall, bspw. Gallium, Indium oder Aluminium. Bei den üblichen Prozesstemperaturen sind diese Metalle wegen ihres niedrigen Dampfdrucks aber nicht flüchtig. Es kommt daher in der Gasphase zu einer Keimbildung. Diese Nukleation ist Ursache für eine Adduktbildung. Letztere soll verhindert werden. Hierzu muss sichergestellt werden, dass es innerhalb der Prozesskammer zu keinen kalten Zonen kommt. Der aus Graphit bestehende Suszeptor lagert auf einer Stützplatte, die aus Quarz besteht. Der Rand dieser Stützplatte lagert auf dem stromabwärtigen Rand des Suszeptors. An den Rand der Stützplatte schließt sich unmittelbar der ebenfalls aus Graphit gefertigte Gasauslassring an. Dieser besitzt etwa auf Höhe der Quarzplatte mündende Öffnungen, durch die das Trägergas in ein Sammelvolumen des Gasauslassorganes einströmen kann. Das Gasauslassvolumen ist mit einem Austrittskanal verbunden, welcher mit einer Vakuumpumpe verbunden ist. Bei dem erfindungsgemäßen CVD-Reaktor können Gaseinlassorgane verwendet werden, wie sie aus dem Stand der Technik grundsätzlich bekannt sind. Beispielsweise kann es sich um ein Gaseinlassorgan handeln, welches im Zentrum einer kreisrunden Prozesskammer angeordnet ist. Dieses Gaseinlassorgan besitzt zumindest zwei voneinander getrennte Strömungskanäle, durch die ein Metallorganikum und ein Hydrid in die Prozesskammer gelangen. Diese Strömungskanäle sind über Zuleitungen, Massenflussregler und Ventile mit Vorratsbehältern verbunden, in denen das Trägergas und die Prozessgase bevorratet werden. Als Trägergas kommt Wasserstoff, Stickstoff oder ein Edelgas in Betracht. Alternativ zu einem zentrischen Gaseinlassorgan kann auch ein Gaseinlassorgan in Form eines Showerheads verwendet werden, wie er bspw. in der
EP 0 687 749 B1 beschrieben wird. Dieser bildet die Prozesskammerdecke aus und besitzt eine Vielzahl von über der gesamten Fläche gleichmäßig verteilter Austrittsöffnungen, aus denen die Prozessgase in die Prozesskammer eintreten können. Die verschiedenen Prozessgase können dabei durch verschiedene Gasaustrittsöffnungen in die Prozesskammer eintreten. Auch hier wird ein Gasstrom erzeugt, der sich im Wesentlichen parallel zur Oberfläche des Suszeptors bewegt. - Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
-
1 einen halben Querschnitt durch ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung, -
2 einen Schnitt gemäß der Linie II-II in1 , -
3 eine Darstellung gemäß1 eines zweiten Ausführungsbeispiels mit einem anders gestalteten Gaseinlassorgan und -
4 ein weiteres Ausführungsbeispiel, in welchem grobschematisch die wesentlichen Bestandteile der Prozesskammer dargestellt sind und zusätzlich ein Gasmischsystem. - Das für die Versorgung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung geeignete Gasmischsystem
22 besitzt einen Vorratsbehälter23 für ein Metallorganikum, einen Vorratsbehälter24 für ein Trägergas und einen Vorratsbehälter25 für ein Hydrid. Bei dem Metallorganikum kann es sich um TMGa, TMIn, TMA1 oder dergleichen handeln. Bei dem Trägergas kann es sich um Wasserstoff, Stickstoff oder ein Edelgas handeln. Bei dem Hydrid kann es sich um AsH3, PH3 oder NH3 handeln. Nicht dargestellt sind optionale weitere Vorratsbehälter zur Bevorratung weiterer Prozessgase und insbesondere von Dotierstoffen. Die Prozessgase und das Trägergas werden über Massenflussregler26 , denen Ventile vorgeschaltet sind, dosiert. Optimal erfolgt die Bereitstellung über ein nicht dargestelltes Vent/Run-System. Die Zuleitungen27 ,28 münden in das Gaseinlassorgan8 . - Bei dem in der
1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist das Gaseinlassorgan8 im Zentrum einer rotationssymmetrischen Prozesskammer1 angeordnet. Der Boden der Prozesskammer1 wird von einem aus Graphit gefertigten Suszeptor2 ausgebildet, der eine Vielzahl von Oberflächenaussparungen aufweist, in denen jeweils ein kreisförmiger Substrathalter6 einliegt. Über eine Gaszuleitung12 wird ein Stützgas über Düsen in die Aussparung eingebracht, so dass der Substrathalter6 auf einem Gaspolster lagernd gedreht wird. Die einzelnen Substrathalter6 umgeben das Zentrum der Prozesskammer1 in einer kreisförmigen Anordnung. - Der Suszeptor
2 ruht auf einer Stützplatte13 aus Quarz. Der stromabwärtige Rand2 wird vom Randabschnitt der Stützplatte13 in Radialrichtung überragt. Der eine Diffusionsbarriere ausbildende Randabschnitt der Quarzplatte13 überragt den Rand2' des Suszeptors2 um einen Abstand D, der eine prozessrelevante Größe darstellt. - Die Quarzplatte
13 lagert auf einer Verteilerplatte14 , mittels welcher die Stützgase dem Suszeptor2 zugeführt werden. Mit der Bezugsziffer15 ist eine Säule dargestellt, die so ausgestaltet sein kann, dass der Suszeptor2 um seine Achse drehangetrieben werden kann. - Unterhalb des Suszeptors
2 und unterhalb der Platten13 ,14 ist eine spiralförmige RF-Heizspule5 angeordnet. Der Spulenkörper ist ein Hohlkörper, der von einem Kühlmedium durchströmt wird. - Die radial äußerste Windung
5' der RF-Heizspirale5 , die ggf. gesondert mit Heizenergie versorgt werden kann, liegt in unmittelbarer Nachbarschaft zu einem Gasauslassorgan7 . - Das Gasauslassorgan
7 besteht aus einem ringförmigen Körper, der aus Molybdän oder bevorzugt aus Graphit gefertigt ist. Das Gasauslassorgan7 schließt sich unmittelbar an den radial äußeren Rand der Quarzplatte13 an. Das Gasauslassorgan7 besitzt nach oben weisende Öffnungen9 , durch welche Gas aus der Prozesskammer1 in ein Sammelvolumen10 einströmen kann. Das Sammelvolumen10 ist über einen Austrittskanal11 mit einer Vakuumpumpe verbunden. Die gesamte vorbeschriebene Vorrichtung befindet sich innerhalb eines Reaktorgehäuses20 , mit welchem die Prozesskammer1 gasdicht gegenüber der der Außenwelt abgeschirmt ist. Die obere Wandung der Prozesskammer1 wird von einer ebenfalls aus Graphit bestehenden Prozesskammerdecke3 ausgebildet. Letztere kann – wie im Stand der Technik, insbesondere derDE 100 43 600 A1 beschrieben – auch separat beheizt werden. Die seitliche Wandung der Prozesskammer1 wird von einer ringförmigen Seitenwand4 ausgebildet. - Das Gasauslassorgan
7 befindet sich stromabwärts beabstandet vom Suszeptor2 . Es ist in horizontaler Richtung beabstandet und liegt in vertikaler Richtung tiefer als der Suszeptor2 . Das Gasauslassorgan7 kann mit einer ihm zugeordneten Heizeinrichtung5' aktiv beheizt werden. - Das in der
3 dargestellte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem in der1 dargestellten Ausführungsbeispiel im Wesentlichen durch die Ausgestaltung des Gaseinlassorganes8 . Das Gaseinlassorgan ist hier als Showerhead ausgebildet und besitzt eine Gestaltung, wie sie dieEP 0 667 749 B1 beschreibt, nämlich eine Vielzahl an der Prozesskammerdecke3 angeordnete Austrittsöffnungen8 zum Eintritt des Prozessgases in die Prozesskammer1 . Oberhalb dieser Gasaustrittsöffnung18 ist mit der Bezugsziffer19 ein Gasverteilvolumen angedeutet. In der3 ist nur ein einziges Gasverteilvolumen dargestellt. In bevorzugten Ausgestaltungen sind jedoch mehrere Gasverteilvolumina vorgesehen, wie sie bspw. von derEP 0 687 749 B1 beschrieben werden. - Bei dem in der
4 dargestellten Ausführungsbeispiel handelt es sich ebenfalls um einen Horizontalreaktor, bei dem die Öffnungen9 des Gasauslassorganes7 unterhalb des horizontalen Niveaus der das Substrat21 tragenden Oberfläche des Suszeptors2 liegen. - Bei dem in den genannten Vorrichtungen durchgeführten Verfahren werden mehrere Prozessschritte hintereinander durchgeführt, ohne dass zwischen den Prozessschritten das Gasauslassorgan gereinigt oder ausgetauscht wird. Es kommt mithin zumindest im ersten Prozessschritt zu einer Belegung des Gasauslassorganes
7 mit Zerlegungsprodukten der Prozessgase. Der erste Prozessschritt wird bei einer niedrigen Temperatur, bspw. bei einer Temperatur zwischen 500°C und 1.000°C durchgeführt. Bei diesem Prozessschritt wird bspw. durch die Einleitung eines Metallorganikums und eines Hydrides eine III-V-Halbleiterschicht auf dem Substrat abgeschieden. Aus solchen Zerlegungsprodukten wird auch eine parasitäre Beschichtung auf den Oberflächen des Gasauslassorganes7 abgeschieden. Durch eine gesonderte Temperaturführung des Gasauslassorganes7 wird dessen Temperatur in einem begrenzten Temperaturbereich gehalten. Der Totaldruck innerhalb der Prozesskammer liegt im Bereich zwischen 1 mbar und 1.000 mbar. Bevorzugt liegt der Totaldruck zwischen 20 mbar und 500 mbar. - Im Anschluss an diesen ersten Prozessschritt können weitere Zwischenschritte durchgeführt werden. Es können bei unterschiedlichen Prozesstemperaturen und unterschiedlichen Totaldrucken und unter der Verwendung von anderen Prozessgasen weitere Schichten auf die erste Schicht abgeschieden werden. Es ist auch möglich, vor einem erfindungsgemäßen zweiten Prozessschritt die bereits beschichteten Substrate aus der Prozesskammer zu entfernen und jungfräuliche Substrate in die Prozesskammer einzubringen. Der erfindungsgemäße zweite Prozessschritt unterscheidet sich vom erfindungsgemäßen ersten Prozessschritt im Wesentlichen durch seine Prozesstemperatur. Diese soll höher sein als die Prozesstemperatur im ersten Prozessschritt. Der zweite Prozessschritt kann bei Temperaturen zwischen 1.000°C und 1.600°C durchgeführt werden, so dass sich die beiden Prozesstemperaturen um mindestens 500°C unterscheiden. So kann der zweite Prozessschritt ein Beschichtungsprozess oder ein lediglicher Temper-Prozess sein.
- Der oben erwähnte Abstand D zwischen dem stromabwärtigen Rand
2' des Suszeptors2 und dem Gasauslassorgan7 ist so gewählt, dass bei den Prozessparametern des zweiten Prozessschrittes, also bei der zweiten Prozesstemperatur, und bei dem Totaldruck beim zweiten Prozessschritt keine Rückdiffusion oder Rückzirkulation von der Beschichtung des Gasauslassorganes abdampfenden Zerlegungsprodukten, Fragmenten davon oder Konglomeraten davon zum Substrat21 gelangen. Hierzu entspricht der Abstand D mindestens der dreifachen Rückdiffusionslänge der in Frage kommenden abgedampften Stoffe. Die Rückdiffusionslänge ist eine charakteristische Größe, die dem exponentiell abfallenden Verlauf der Konzentrationsverarmungskurve entnommen ist. Dabei wird durch den 90%-Punkt und den 10%-Punkt der Verarmungskurve eine Gerade gezogen. Der Schnittpunkt der Geraden mit der X-Achse, auf welcher der Abstand abgetragen wird, definiert die Diffusionslänge. Diese beträgt für das System Magnesium in Wasserstoff bei 400 mbar und einer Wandtemperatur von 600°C 15 mm. Der Minimalwert für den Abstand D liegt in diesem System dann bei 45 mm. Optimal ist es, hier einen Wert von 60 mm anzusetzen. - Mit der aktiven Beheizung des Gasauslassorganes
7 mittels der Heizeinrichtung5' wird dessen Oberflächentemperatur darüber hinaus auf Werten gehalten, die maximal etwa 100°C höher liegen als dessen Oberflächentemperaturen beim ersten Prozessschritt. Zufolge dieser Maßnahme wird die Abdampfrate von Belegungen des Gasauslassorganes7 zumindest minimiert bzw. nicht geändert. - Die Oberfläche der Stützplatte
13 im Abstandsbereich D ist so gewählt, dass sich dort nur eine minimale Abscheidung bildet. - Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 10043600 A1 [0003, 0022]
- EP 1060301 B1 [0003, 0009]
- EP 1240366 B1 [0003, 0009]
- EP 0687749 B1 [0010, 0024]
- EP 0667749 B1 [0024]
Claims (15)
- Verfahren zum Abscheiden von insbesondere aus mehreren Komponenten bestehenden Halbleiterschichten auf ein oder mehreren Substraten (
21 ), die auf einem Suszeptor (2 ) aufliegen, der eine von einer Heizeinrichtung (5 ) auf eine Prozesstemperatur beheizte Wandung einer Prozesskammer (1 ) ausbildet, wobei durch Strömungskanäle (15 ,16 ;18 ) eines Gaseinlassorganes (8 ) von einem Gasmischsystem (22 ) bereitgestellte Prozessgase zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer (1 ) eingeleitet werden, welches Trägergas die Prozesskammer (1 ) im Wesentlichen parallel zum Suszeptor durchströmt und durch ein Gasauslassorgan (7 ) verlässt, wobei sich die Prozessgase zumindest an der Oberfläche des beheizten Substrates (21 ) pyrolytisch in Zerlegungsprodukte zerlegen und die Zerlegungsprodukte auf der Substratoberfläche und auf der Oberfläche des stromabwärts mit einem Abstand (D) zum stromabwärtigen Rand (21 ) des Suszeptors (2 ) angeordneten Gasauslassorganes (7 ) zumindest bereichsweise eine Beschichtung bildend aufwachsen, wobei ein erster Prozessschritt bei einer ersten Prozesstemperatur durchgeführt wird und danach ohne zwischenzeitiges Reinigen oder Austauschen des mit aufgewachsenen Zerlegungsprodukten belegten Gaseinlassorganes (7 ) ein zweiter Prozessschritt bei einer zweiten Prozesstemperatur durchgeführt wird, welche höher ist als die erste Prozesstemperatur, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (D) groß genug ist, um zu verhindern, dass von der Beschichtung des Gasauslassorganes (7 ) bei der zweiten Prozesstemperatur abdampfende Zerlegungsprodukte, Fragmente oder Konglomerate davon durch Gegenstromdiffusion oder Rezirkulation zum Substrat (21 ) gelangen, und/oder dass das Gasauslassorgan (7 ) während der beiden Prozessschritte derart temperiert wird, dass dessen Oberflächentemperaturen bei beiden Prozessschritten nur unwesentlich verschieden voneinander sind. - Verfahren nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Abscheideverfahren ein MOCVD-Verfahren ist und die Prozessgase Elemente der III. und V. Hauptgruppe oder Elemente der II. und VI. Hauptgruppe enthalten.
- Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass in den beiden Prozessschritten unterschiedliche Schichten insbesondere mit einer unterschiedlichen Materialzusammensetzung auf dem Substrat (
21 ) abgeschieden werden. - Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (D) mindestens der dreifachen Diffusionslänge entspricht.
- Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Gasauslassorgan (
7 ) von der Heizeinrichtung (5' ) aktiv beheizt wird und sich die Oberflächentemperatur bei den beiden Prozessschritten nur so weit ändert, dass sie bei beiden Prozessschritten oberhalb einer Adduktbildungstemperatur liegt. - Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Differenz zwischen den beiden Prozesstemperaturen mindestens 500°C ist und sich die Oberflächentemperatur des Gasauslassorganes (
7 ) während der beiden Prozessschritte um maximal 100°C ändert. - Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Prozessschritt ein Abscheidungsprozess ist und der zweite Prozessschritt ein ggf. nach einem Austausch der Substrate durchgeführter Temper-Schritt ist.
- Vorrichtung zum Abscheiden von insbesondere aus mehreren Komponenten bestehenden Halbleiterschichten auf ein oder mehreren Substraten (
21 ), mit einem Suszeptor (2 ), auf dem das Substrat (21 ) aufliegt und der eine von einer Heizeinrichtung (5 ) auf eine Prozesstemperatur beheizte Wandung einer Prozesskammer (1 ) ausbildet, mit einem mittels Gaszuleitungen (27 ,28 ) mit einem Gasmischsystem (22 ) verbunden Gaseinlassorgan (8 ), wobei durch Strömungskanäle (15 ,16 ,18 ) des Gaseinlassorganes (8 ) vom Gasmischsystem (22 ) bereitgestellte Prozessgase zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer (1 ) einleitbar sind und die Strömungskanäle15 ,16 ;18 ) sowie ein Gasauslassorgan (7 ), durch welches die Gase die Prozesskammer (1 ) verlassen, derart in der Prozesskammer (1 ) angeordnet sind, dass das Trägergas die Prozesskammer (1 ) im Wesentlichen parallel zum Suszeptor (2 ) durchströmt, wobei der Suszeptor (2 ) und das stromabwärts des Suszeptors (2 ) mit einem Abstand (D) zum stromabwärtigen Rand (2' ) des Suszeptors angeordnete Gasauslassorgan (7 ) von der Heizeinrichtung (5 ) direkt oder indirekt derart aufheizbar sind, dass sich die Prozessgase zumindest an der Oberfläche des Substrates (21 ) in Zerlegungsprodukten zerlegen und die Zerlegungsprodukten auf den heißen Oberflächen des Substrates (21 ) und des Gasauslassorganes (7 ) pyrolytisch zumindest bereichsweise eine Beschichtung bildend aufwachsen, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (D) groß genug ist, um zu Verhindern, dass von der Beschichtung des Gasauslassorganes (7 ) abdampfende Zerlegungsprodukte, Fragmente oder Konglomerate davon durch Gegenstromdiffusion oder Rezirkulation zum Substrat (21 ) zu gelangen, und/oder dass das Gasauslassorgan (7 ) während der beiden Prozessschritte derart temperierbar ist, dass dessen Oberflächentemperaturen bei Prozessschritten mit verschiedenen Prozesstemperaturen nur unwesentlich verschieden voneinander sind. - Vorrichtung nach Anspruch 8 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Suszeptor (
2 ) auf einer Stützplatte (13 ) aufliegt, deren Randbereich über den stromabwärtigen Rand (2' ) des Suszeptors (2 ) hinaus bis zum Gasauslassorgan sich erstreckt. - Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die eine Diffusionsbarriere ausbildende Stützplatte (
13 ) aus Quarz besteht und der Suszeptor (2 ) aus Graphit besteht. - Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine unterhalb der Stützplatte (
13 ) angeordnete Platte (14 ), die ebenfalls aus Quarz besteht. - Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizeinrichtung (
5 ) von einer oder mehreren unterhalb des Suszeptors (2 ) und insbesondere unterhalb der Platten (13 ,14 ) angeordnete RF-Spirale gebildet ist, wobei eine äußerste Windung (5' ) das Gasauslassorgan (7 ) aktiv beheizt. - Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Gasauslassorgan (
7 ) die kreisförmige Prozesskammer (1 ) umgibt und eine Vielzahl von Öffnungen (9 ) aufweist, durch welche das Trägergas sowie Reaktionsprodukte der Prozessgase in ein Sammelvolumen (10 ) des Gasauslassorganes (7 ) gelangen, welches mit einem Austrittskanal (11 ) mit einer Vakuumpumpe verbunden ist. - Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Zuleitungen (
27 ,28 ) über zwischengeschaltete Massenflussregler (26 ) und Ventile mit Vorratsbehältern (23 ,24 ,25 ) verbunden sind, die ein Trägergas (24 ), ein Metallorganikum (23 ) und ein Hydrid (25 ) beinhalten. - Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Gasauslassorgan (
7 ) vertikal unterhalb des sich in einer Horizontalebene erstreckenden Suszeptors (2 ) angeordnet ist.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009043848A DE102009043848A1 (de) | 2009-08-25 | 2009-08-25 | CVD-Verfahren und CVD-Reaktor |
KR1020127007806A KR101599431B1 (ko) | 2009-08-25 | 2010-08-04 | Cvd 방법 및 cvd 반응기 |
PCT/EP2010/061360 WO2011023512A1 (de) | 2009-08-25 | 2010-08-04 | Cvd-verfahren und cvd-reaktor |
JP2012525972A JP5619164B2 (ja) | 2009-08-25 | 2010-08-04 | Cvd方法およびcvd反応炉 |
CN201080048228.8A CN102597307B (zh) | 2009-08-25 | 2010-08-04 | Cvd方法和cvd反应器 |
EP10740629.0A EP2470684B1 (de) | 2009-08-25 | 2010-08-04 | Cvd-verfahren und cvd-reaktor |
US13/391,609 US9018105B2 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-04 | CVD method and CVD reactor |
TW099126591A TWI503867B (zh) | 2009-08-25 | 2010-08-10 | Cvd製程及cvd反應器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009043848A DE102009043848A1 (de) | 2009-08-25 | 2009-08-25 | CVD-Verfahren und CVD-Reaktor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102009043848A1 true DE102009043848A1 (de) | 2011-03-03 |
Family
ID=42801117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102009043848A Withdrawn DE102009043848A1 (de) | 2009-08-25 | 2009-08-25 | CVD-Verfahren und CVD-Reaktor |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9018105B2 (de) |
EP (1) | EP2470684B1 (de) |
JP (1) | JP5619164B2 (de) |
KR (1) | KR101599431B1 (de) |
CN (1) | CN102597307B (de) |
DE (1) | DE102009043848A1 (de) |
TW (1) | TWI503867B (de) |
WO (1) | WO2011023512A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012108986A1 (de) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Aixtron Se | Substrathalter einer CVD-Vorrichtung |
DE102019127375A1 (de) * | 2019-10-10 | 2021-04-15 | Aixtron Se | Gasauslassorgan eines CVD-Reaktors |
DE102015120329B4 (de) | 2014-12-04 | 2023-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemische Gasphasen-Abscheide-Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenvorrichtung mit derselben |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012209278B4 (de) * | 2012-06-01 | 2018-04-12 | Kgt Graphit Technologie Gmbh | Suszeptor |
US9029809B2 (en) * | 2012-11-30 | 2015-05-12 | Ultratech, Inc. | Movable microchamber system with gas curtain |
CN103074611A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-05-01 | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 | 衬底承载装置及金属有机化学气相沉积设备 |
JP2014175483A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP5800969B1 (ja) | 2014-08-27 | 2015-10-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体 |
KR102438139B1 (ko) * | 2014-12-22 | 2022-08-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 높은 처리량의 프로세싱 챔버를 위한 프로세스 키트 |
US11255606B2 (en) * | 2015-12-30 | 2022-02-22 | Mattson Technology, Inc. | Gas flow control for millisecond anneal system |
DE102016119328A1 (de) | 2016-10-11 | 2018-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Heizvorrichtung, Verfahren und System zur Herstellung von Halbleiterchips im Waferverbund |
EP3574127A1 (de) * | 2017-01-27 | 2019-12-04 | Aixtron SE | Transportring |
KR102369676B1 (ko) | 2017-04-10 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
DE102019104433A1 (de) * | 2019-02-21 | 2020-08-27 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit Mitteln zur lokalen Beeinflussung der Suszeptortemperatur |
US20220084845A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-17 | Applied Materials, Inc. | High conductance process kit |
Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0252667A2 (de) * | 1986-06-30 | 1988-01-13 | Nihon Sinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Verfahren zum Abscheiden aus der Gasphase |
US4976996A (en) * | 1987-02-17 | 1990-12-11 | Lam Research Corporation | Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof |
DE3889735T2 (de) * | 1988-12-21 | 1994-09-08 | Monkowski Rhine Inc | Chemischer dampfniederschlagsreaktor und dessen verwendung. |
JPH0878338A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Fujitsu Ltd | 半導体の製造装置 |
EP0667749B1 (de) | 1992-10-29 | 1998-02-04 | Estillon B.V. | Bodenbelagsystem und unterlage dafür |
EP0687749B1 (de) | 1994-06-14 | 1998-09-16 | Thomas Swan And Co., Ltd. | Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung |
JPH10306375A (ja) * | 1997-05-06 | 1998-11-17 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 成膜装置 |
US5891251A (en) * | 1996-08-07 | 1999-04-06 | Macleish; Joseph H. | CVD reactor having heated process chamber within isolation chamber |
US5951772A (en) * | 1993-08-25 | 1999-09-14 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
US20020000196A1 (en) * | 2000-06-24 | 2002-01-03 | Park Young-Hoon | Reactor for depositing thin film on wafer |
DE10043600A1 (de) | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Aixtron Ag | Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren, insbesondere ebenfalls kristallinen Substraten |
EP1060301B1 (de) | 1998-02-24 | 2003-01-22 | Aixtron AG | Anordnung für die obere wandung eines reaktors für epitaxisches wachstum |
EP1240366B1 (de) | 1999-12-22 | 2003-07-09 | Aixtron AG | Cvd reaktor und prozesskammer dafür |
US20030136365A1 (en) * | 2000-02-14 | 2003-07-24 | Tetsuo Komai | Exhaust pipe with reactive by-product adhesion preventing means and method of preventing the adhesion |
US20050011441A1 (en) * | 2002-04-16 | 2005-01-20 | Hiroshi Kannan | Processing system, processing method and mounting member |
US20060225649A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-12 | Stmicroelectronics S.A. | Deposition reactor and method of determining its diffuser |
US20070095799A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Film deposition apparatus, film deposition method, monitoring program for film deposition apparatus, and recording medium thereof |
US20090044699A1 (en) * | 2006-05-16 | 2009-02-19 | Applied Materials, Inc. | In Situ Cleaning of CVD System Exhaust |
US20090114155A1 (en) * | 1998-04-20 | 2009-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus, exhaust processing process and plasma processing process |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59223294A (ja) | 1983-06-01 | 1984-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
JPS59222922A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気相成長装置 |
JPS6328868A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-06 | Ulvac Corp | Cvd法 |
JP2743351B2 (ja) * | 1986-11-26 | 1998-04-22 | 株式会社デンソー | 気相エピタキシヤル成長方法 |
US5578521A (en) * | 1986-11-20 | 1996-11-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device with vaporphase grown epitaxial |
JPH01100432U (de) * | 1987-12-23 | 1989-07-05 | ||
JPH07211645A (ja) * | 1994-01-12 | 1995-08-11 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH08259385A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャルウェハおよびその製造方法 |
JP3485285B2 (ja) * | 1995-10-04 | 2004-01-13 | シャープ株式会社 | 気相成長方法、及び気相成長装置 |
US5807455A (en) | 1996-07-23 | 1998-09-15 | International Business Machines Corporation | System and method for uniform product compressibility in a high throughput uniaxial lamination press |
JP3729578B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2005-12-21 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体製造方法 |
JP2000058462A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の製造方法 |
JP2000349027A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-15 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
DE10043599A1 (de) * | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Aixtron Ag | Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren insbesondere ebenfalls kristalliner Substraten |
JP2003209063A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-07-25 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
CN100463112C (zh) * | 2003-05-30 | 2009-02-18 | 周星工程股份有限公司 | 一种用于半导体装置的设备 |
WO2006034540A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Gallium Enterprises Pty Ltd | Method and apparatus for growing a group (iii) metal nitride film and a group (iii) metal nitride film |
US7585769B2 (en) * | 2006-05-05 | 2009-09-08 | Applied Materials, Inc. | Parasitic particle suppression in growth of III-V nitride films using MOCVD and HVPE |
WO2008016143A1 (fr) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Appareil de traitement de substrat et procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
US7781016B2 (en) | 2006-08-23 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Method for measuring precursor amounts in bubbler sources |
US20080050889A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Applied Materials, Inc. | Hotwall reactor and method for reducing particle formation in GaN MOCVD |
KR101390425B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2014-05-19 | 소이텍 | 화학기상증착 챔버용 온도제어 퍼지 게이트 밸브 |
US8585820B2 (en) * | 2006-11-22 | 2013-11-19 | Soitec | Abatement of reaction gases from gallium nitride deposition |
JP5100231B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2012-12-19 | 株式会社トクヤマ | Iii族窒化物製造装置 |
JP5196474B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-05-15 | サムコ株式会社 | 薄膜製造装置 |
-
2009
- 2009-08-25 DE DE102009043848A patent/DE102009043848A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-08-04 WO PCT/EP2010/061360 patent/WO2011023512A1/de active Application Filing
- 2010-08-04 KR KR1020127007806A patent/KR101599431B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-04 JP JP2012525972A patent/JP5619164B2/ja active Active
- 2010-08-04 EP EP10740629.0A patent/EP2470684B1/de active Active
- 2010-08-04 CN CN201080048228.8A patent/CN102597307B/zh active Active
- 2010-08-04 US US13/391,609 patent/US9018105B2/en active Active
- 2010-08-10 TW TW099126591A patent/TWI503867B/zh active
Patent Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0252667A2 (de) * | 1986-06-30 | 1988-01-13 | Nihon Sinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Verfahren zum Abscheiden aus der Gasphase |
US4976996A (en) * | 1987-02-17 | 1990-12-11 | Lam Research Corporation | Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof |
DE3889735T2 (de) * | 1988-12-21 | 1994-09-08 | Monkowski Rhine Inc | Chemischer dampfniederschlagsreaktor und dessen verwendung. |
EP0667749B1 (de) | 1992-10-29 | 1998-02-04 | Estillon B.V. | Bodenbelagsystem und unterlage dafür |
US5951772A (en) * | 1993-08-25 | 1999-09-14 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
EP0687749B1 (de) | 1994-06-14 | 1998-09-16 | Thomas Swan And Co., Ltd. | Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung |
JPH0878338A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Fujitsu Ltd | 半導体の製造装置 |
US5891251A (en) * | 1996-08-07 | 1999-04-06 | Macleish; Joseph H. | CVD reactor having heated process chamber within isolation chamber |
JPH10306375A (ja) * | 1997-05-06 | 1998-11-17 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 成膜装置 |
EP1060301B1 (de) | 1998-02-24 | 2003-01-22 | Aixtron AG | Anordnung für die obere wandung eines reaktors für epitaxisches wachstum |
US20090114155A1 (en) * | 1998-04-20 | 2009-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus, exhaust processing process and plasma processing process |
EP1240366B1 (de) | 1999-12-22 | 2003-07-09 | Aixtron AG | Cvd reaktor und prozesskammer dafür |
US20030136365A1 (en) * | 2000-02-14 | 2003-07-24 | Tetsuo Komai | Exhaust pipe with reactive by-product adhesion preventing means and method of preventing the adhesion |
US20020000196A1 (en) * | 2000-06-24 | 2002-01-03 | Park Young-Hoon | Reactor for depositing thin film on wafer |
DE10043600A1 (de) | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Aixtron Ag | Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren, insbesondere ebenfalls kristallinen Substraten |
US20050011441A1 (en) * | 2002-04-16 | 2005-01-20 | Hiroshi Kannan | Processing system, processing method and mounting member |
US20060225649A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-12 | Stmicroelectronics S.A. | Deposition reactor and method of determining its diffuser |
US20070095799A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Film deposition apparatus, film deposition method, monitoring program for film deposition apparatus, and recording medium thereof |
US20090044699A1 (en) * | 2006-05-16 | 2009-02-19 | Applied Materials, Inc. | In Situ Cleaning of CVD System Exhaust |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012108986A1 (de) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Aixtron Se | Substrathalter einer CVD-Vorrichtung |
DE102015120329B4 (de) | 2014-12-04 | 2023-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemische Gasphasen-Abscheide-Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenvorrichtung mit derselben |
DE102019127375A1 (de) * | 2019-10-10 | 2021-04-15 | Aixtron Se | Gasauslassorgan eines CVD-Reaktors |
WO2021069598A3 (de) * | 2019-10-10 | 2021-06-03 | Aixtron Se | Gasauslassorgan eines cvd-reaktors |
CN114555858A (zh) * | 2019-10-10 | 2022-05-27 | 艾克斯特朗欧洲公司 | Cvd反应器的排气机构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011023512A1 (de) | 2011-03-03 |
TW201117266A (en) | 2011-05-16 |
JP2013503464A (ja) | 2013-01-31 |
KR20120066643A (ko) | 2012-06-22 |
CN102597307B (zh) | 2014-12-17 |
EP2470684B1 (de) | 2016-10-19 |
CN102597307A (zh) | 2012-07-18 |
US9018105B2 (en) | 2015-04-28 |
EP2470684A1 (de) | 2012-07-04 |
KR101599431B1 (ko) | 2016-03-03 |
TWI503867B (zh) | 2015-10-11 |
JP5619164B2 (ja) | 2014-11-05 |
US20120149212A1 (en) | 2012-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2470684B1 (de) | Cvd-verfahren und cvd-reaktor | |
DE60318170T2 (de) | Vakuumverdampfer | |
EP2010693B1 (de) | Cvd-reaktor mit absenkbarer prozesskammerdecke | |
DE102008055582A1 (de) | MOCVD-Reaktor mit zylindrischem Gaseinlassorgan | |
DE112006003315T5 (de) | Gaskopf und Dünnfilm-Herstellungsvorrichtung | |
EP1844180B1 (de) | Gasverteiler mit in ebenen angeordneten vorkammern | |
DE112008000169T5 (de) | Gasbehandlungssysteme | |
DE102009043840A1 (de) | CVD-Reaktor mit streifenförmig verlaufenden Gaseintrittszonen sowie Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat in einem derartigen CVD-Reaktor | |
DE102012101717A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Oberflächentemperatur eines Suszeptors einer Substratbeschichtungseinrichtung | |
DE102014104218A1 (de) | CVD-Reaktor mit Vorlaufzonen-Temperaturregelung | |
DE102011002145B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum großflächigen Abscheiden von Halbleiterschichten mit gasgetrennter HCI-Einspeisung | |
DE102011002146B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit HCI-Zugabe zur Unterdrückung parasitären Wachstums | |
EP1194611B1 (de) | Anlage und verfahren zur vakuumbehandlung bzw. zur pulverherstellung | |
EP3209809A1 (de) | Temperierte gaszuleitung mit an mehreren stellen eingespeisten verdünnungsgasströmen | |
EP1127176A1 (de) | Vorrichtung zum herstellen und bearbeiten von halbleitersubstraten | |
EP3475472A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von beschichteten halbleiterscheiben | |
WO2021209578A1 (de) | Cvd-verfahren und cvd-reaktor mit austauschbaren mit dem substrat wärme austauschenden körpern | |
WO2021144161A1 (de) | Cvd-reaktor mit doppelter vorlaufzonenplatte | |
DE102018124957A1 (de) | CVD-Reaktor mit auf Gaspolstern aufliegenden Substrathaltern | |
WO2023099674A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum abscheiden einer ein element der v. hauptgruppe enthaltenen schicht in einer prozesskammer und anschliessendem reinigen der prozesskammer | |
DE102005004311A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von aus mehreren Komponentenhalbleitern bestehende Schichtenfolgen | |
DE102020126844A1 (de) | Verfahren zum Abscheiden von Graphen | |
DE102022114717A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer ein Element der V. Hauptgruppe enthaltenen Schicht in einer Prozesskammer und anschließenden Reinigen der Prozesskammer | |
DE102007024798A1 (de) | Vorrichtung zum Abscheiden von GaN mittels GaCI mit einem molybdänmaskierten Quarzteil, insbesondere Gaseinlassorgan | |
DE102020122677A1 (de) | Verfahren zum Abscheiden einer zweidimensionalen Schicht |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: RIEDER & PARTNER PATENTANWAELTE - RECHTSANWALT, DE Representative=s name: RIEDER & PARTNER PATENTANWAELTE - RECHTSANWALT, 42 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: AIXTRON SE, DE Free format text: FORMER OWNER: AIXTRON AG, 52134 HERZOGENRATH, DE Effective date: 20111104 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: RIEDER & PARTNER PATENTANWAELTE - RECHTSANWALT, DE Effective date: 20111104 Representative=s name: RIEDER & PARTNER MBB PATENTANWAELTE - RECHTSAN, DE Effective date: 20111104 |
|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |