JP2000349027A - 半導体製造装置 - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造装置において、排気配管の腐食を
防止し、被処理体の汚染を低減する。 【解決手段】 エピタキシャル成長装置１は処理チャン
バ２を備え、この処理チャンバ２には、排ガスを外部の
排ガス処理装置７に排出するためのの排気配管８が連結
されている。この排気配管８における排ガスが接する面
には、ポリイミドまたはポリテトラフルオロエチレン
（テフロン）を被覆した被覆膜部Ｃが設けられている。
これにより、排気配管８の内面等の腐食を防止すること
ができる。
防止し、被処理体の汚染を低減する。 【解決手段】 エピタキシャル成長装置１は処理チャン
バ２を備え、この処理チャンバ２には、排ガスを外部の
排ガス処理装置７に排出するためのの排気配管８が連結
されている。この排気配管８における排ガスが接する面
には、ポリイミドまたはポリテトラフルオロエチレン
（テフロン）を被覆した被覆膜部Ｃが設けられている。
これにより、排気配管８の内面等の腐食を防止すること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エピタキシャル成
長装置等の半導体製造装置に関するものである。
長装置等の半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来におけるエピタキシャル成長装置
は、例えば、ガス供給口及びガス排気口を有する処理チ
ャンバと、この処理チャンバ内に配設され、被処理体で
ある半導体ウェハを支持するサセプタとを備えており、
サセプタ上にウェハを載置して加熱すると共に、反応ガ
スをガス供給口から処理チャンバ内に導入し、ウェハ表
面に薄膜を形成する。
は、例えば、ガス供給口及びガス排気口を有する処理チ
ャンバと、この処理チャンバ内に配設され、被処理体で
ある半導体ウェハを支持するサセプタとを備えており、
サセプタ上にウェハを載置して加熱すると共に、反応ガ
スをガス供給口から処理チャンバ内に導入し、ウェハ表
面に薄膜を形成する。
【０００３】このような成膜処理により生成される排ガ
スは、ガス排気口から排気配管を介して外部に排出され
る。この排気配管としては、腐食防止のために、例えば
内面が電解研磨により加工変質層のない鏡面に仕上げら
れた電解研磨管を使用することが多い。
スは、ガス排気口から排気配管を介して外部に排出され
る。この排気配管としては、腐食防止のために、例えば
内面が電解研磨により加工変質層のない鏡面に仕上げら
れた電解研磨管を使用することが多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電解研
磨管の材質として排ガスに対して耐食性の高い金属を使
用しても、排気配管を溶接すると、溶接焼けが生じ、こ
れが排気配管の内面を腐食させる要因となってしまう。
また、排気配管内に水分が存在していると、この水分が
排ガス中に含まれる副生成物と反応し、排気配管の内面
を腐食させる場合がある。このように排気配管が腐食す
ると、その汚れが処理チャンバ内に逆流し、処理チャン
バ内で処理されたウェハに付着してしまう可能性があ
る。
磨管の材質として排ガスに対して耐食性の高い金属を使
用しても、排気配管を溶接すると、溶接焼けが生じ、こ
れが排気配管の内面を腐食させる要因となってしまう。
また、排気配管内に水分が存在していると、この水分が
排ガス中に含まれる副生成物と反応し、排気配管の内面
を腐食させる場合がある。このように排気配管が腐食す
ると、その汚れが処理チャンバ内に逆流し、処理チャン
バ内で処理されたウェハに付着してしまう可能性があ
る。
【０００５】本発明の目的は、排気配管の腐食を防止
し、被処理体の汚染を低減することができる半導体製造
装置を提供することにある。
し、被処理体の汚染を低減することができる半導体製造
装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、被処理体が配置される処理チャンバと、
処理チャンバに連結され、被処理体の処理により生成さ
れる排ガスを外部に排出するための排気配管とを備えた
半導体製造装置であって、排気配管における少なくとも
排ガスが接する面に、排ガスに対して耐食性及び耐熱性
を有する樹脂が被覆された被覆膜部を備える半導体製造
装置を提供する。例えば、そのような樹脂は、ポリイミ
ドまたはポリテトラフルオロエチレンである。
め、本発明は、被処理体が配置される処理チャンバと、
処理チャンバに連結され、被処理体の処理により生成さ
れる排ガスを外部に排出するための排気配管とを備えた
半導体製造装置であって、排気配管における少なくとも
排ガスが接する面に、排ガスに対して耐食性及び耐熱性
を有する樹脂が被覆された被覆膜部を備える半導体製造
装置を提供する。例えば、そのような樹脂は、ポリイミ
ドまたはポリテトラフルオロエチレンである。
【０００７】以上のように構成した本発明において、排
気配管を溶接する場合は、溶接後、少なくとも排ガスが
接する面に、排ガスに対して耐食性を有する樹脂の被覆
膜部を形成することで、その排ガスが接する面には溶接
焼けに起因する腐食発生が起きにくくなる。また、当該
樹脂は排ガスに対して耐熱性を有するため、排ガス等の
熱で樹脂の被膜が剥がれることはほとんど無く、このた
め、排気配管内の水分と排ガス中に含まれる副生成物と
の反応に起因する排気配管の腐食発生も抑えられる。し
たがって、排気配管の耐食性が向上し、処理チャンバに
配置された被処理体に汚れが付着することが少なくな
る。
気配管を溶接する場合は、溶接後、少なくとも排ガスが
接する面に、排ガスに対して耐食性を有する樹脂の被覆
膜部を形成することで、その排ガスが接する面には溶接
焼けに起因する腐食発生が起きにくくなる。また、当該
樹脂は排ガスに対して耐熱性を有するため、排ガス等の
熱で樹脂の被膜が剥がれることはほとんど無く、このた
め、排気配管内の水分と排ガス中に含まれる副生成物と
の反応に起因する排気配管の腐食発生も抑えられる。し
たがって、排気配管の耐食性が向上し、処理チャンバに
配置された被処理体に汚れが付着することが少なくな
る。
【０００８】上記半導体製造装置において、好ましく
は、排気配管はシール部材を介して処理チャンバに連結
され、被覆膜部は、排気配管における当該シール部材が
接触する部分を避けて設けられている。これにより、シ
ール部材のシール性を損なうことはなく、排気配管の腐
食を防止できる。
は、排気配管はシール部材を介して処理チャンバに連結
され、被覆膜部は、排気配管における当該シール部材が
接触する部分を避けて設けられている。これにより、シ
ール部材のシール性を損なうことはなく、排気配管の腐
食を防止できる。
【０００９】また、好ましくは、排気配管は複数の配管
からなり、各配管同士はシール部材を介して連結され、
被覆膜部は、各配管における当該シール部材が接触する
部分を避けて設けられている。これにより、シール部材
のシール性を損なうことはなく、排気配管の腐食を防止
できる。
からなり、各配管同士はシール部材を介して連結され、
被覆膜部は、各配管における当該シール部材が接触する
部分を避けて設けられている。これにより、シール部材
のシール性を損なうことはなく、排気配管の腐食を防止
できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて図面を参照して説明する。
ついて図面を参照して説明する。
【００１１】図１は、本発明に係る半導体製造装置とし
て、被処理体であるシリコンウェハを１枚ずつ成膜処理
する枚葉式のエピタキシャル成長装置を概略的に示した
ものである。同図において、エピタキシャル成長装置１
は、石英ガラスで構成された処理チャンバ２を備えてお
り、この処理チャンバ２の側壁には、反応ガスを処理チ
ャンバ２内に供給するためのガス供給口３と、処理チャ
ンバ２内で生成された排ガスを排出するためのガス排気
口４とが対向して設けられている。
て、被処理体であるシリコンウェハを１枚ずつ成膜処理
する枚葉式のエピタキシャル成長装置を概略的に示した
ものである。同図において、エピタキシャル成長装置１
は、石英ガラスで構成された処理チャンバ２を備えてお
り、この処理チャンバ２の側壁には、反応ガスを処理チ
ャンバ２内に供給するためのガス供給口３と、処理チャ
ンバ２内で生成された排ガスを排出するためのガス排気
口４とが対向して設けられている。
【００１２】処理チャンバ２内には、炭化シリコンで被
覆されたグラファイト材料から成る円盤状のサセプタ５
が配設されており、このサセプタ５の上面部にはウェハ
Ｗが支持される。サセプタ５は、処理チャンバ２の下部
に立設された石英ガラス製の支持シャフト６により裏面
側から三点で水平に支持されており、この支持シャフト
６は図示しない駆動モータにより回転駆動され、これに
よりサセプタ５が回転できるようになっている。また、
処理チャンバ２の上方及び下方には、サセプタ５上に置
かれたウェハＷを加熱するための図示しない複数本のハ
ロゲンランプが配置されている。
覆されたグラファイト材料から成る円盤状のサセプタ５
が配設されており、このサセプタ５の上面部にはウェハ
Ｗが支持される。サセプタ５は、処理チャンバ２の下部
に立設された石英ガラス製の支持シャフト６により裏面
側から三点で水平に支持されており、この支持シャフト
６は図示しない駆動モータにより回転駆動され、これに
よりサセプタ５が回転できるようになっている。また、
処理チャンバ２の上方及び下方には、サセプタ５上に置
かれたウェハＷを加熱するための図示しない複数本のハ
ロゲンランプが配置されている。
【００１３】処理チャンバ２には、排ガスを外部の排ガ
ス処理装置７に排出するための金属（例えば、電解研磨
されたステンレス鋼）製の排気配管８が連結されてい
る。この排気配管８は、Ｌ字型の第１配管９と、直線状
の第２配管１０と、Ｌ字型の第３配管１１とからなって
おり、第１配管９が処理チャンバ２のガス排気口４に接
続され、第３配管１１が排ガス処理装置７に接続されて
いる。
ス処理装置７に排出するための金属（例えば、電解研磨
されたステンレス鋼）製の排気配管８が連結されてい
る。この排気配管８は、Ｌ字型の第１配管９と、直線状
の第２配管１０と、Ｌ字型の第３配管１１とからなって
おり、第１配管９が処理チャンバ２のガス排気口４に接
続され、第３配管１１が排ガス処理装置７に接続されて
いる。
【００１４】処理チャンバ２と第１配管９との連結部分
の拡大図を図２に示す。同図において、第１配管９は、
箱部１２ａと、この箱部１２ａに溶接接合された円筒状
の管部１２ｂとからなっている。箱部１２ａにおける処
理チャンバ２との連結側端部には、ガス排気口４に嵌入
される嵌入部１３が設けられている。この嵌入部１３に
隣接した位置には、段差を持つ連結用突出部１４が設け
られており、この連結用突出部１４には、シール用のＯ
リング（シール部材）１５を収容するための環状溝１６
が形成されている。また、管部１２ｂにおける箱部１２
ａとの連結側と反対側端部には、リング状の連結用フラ
ンジ部１７が溶接接合されている。そして、環状溝１６
にＯリング１５を収容すると共に、嵌入部１３をガス排
気口４に挿入し、連結用突出部１４を複数のネジ１８で
処理チャンバ２の側壁に固定することによって、第１配
管９を処理チャンバ２に連結している。
の拡大図を図２に示す。同図において、第１配管９は、
箱部１２ａと、この箱部１２ａに溶接接合された円筒状
の管部１２ｂとからなっている。箱部１２ａにおける処
理チャンバ２との連結側端部には、ガス排気口４に嵌入
される嵌入部１３が設けられている。この嵌入部１３に
隣接した位置には、段差を持つ連結用突出部１４が設け
られており、この連結用突出部１４には、シール用のＯ
リング（シール部材）１５を収容するための環状溝１６
が形成されている。また、管部１２ｂにおける箱部１２
ａとの連結側と反対側端部には、リング状の連結用フラ
ンジ部１７が溶接接合されている。そして、環状溝１６
にＯリング１５を収容すると共に、嵌入部１３をガス排
気口４に挿入し、連結用突出部１４を複数のネジ１８で
処理チャンバ２の側壁に固定することによって、第１配
管９を処理チャンバ２に連結している。
【００１５】このような第１配管９には第２配管１０が
連結されている。この第１配管９と第２配管１０との連
結部分の拡大図を図３に示す。同図において、第２配管
１０は、円筒状の管本体１９を有し、この管本体１９の
両端部には、第１配管９の連結用フランジ部１７と同じ
構造の連結用フランジ部２０が溶接接合されている（図
１参照）。そして、第１配管９の連結用フランジ部１７
と第２配管１０の連結用フランジ部２０とを、その間に
シール用のＯリング２１（シール部材）を挟んだ状態で
突き合わせ、各連結用フランジ部１７及び２０を複数の
Ｕ字型のクランプ部材２２で挟み込むことによって、第
１配管９と第２配管１０とを連結している。なお、Ｏリ
ング２１の内側には、断面凸状のセンターリング２３が
配置されており、Ｏリング２１が内側に抜けないように
している。
連結されている。この第１配管９と第２配管１０との連
結部分の拡大図を図３に示す。同図において、第２配管
１０は、円筒状の管本体１９を有し、この管本体１９の
両端部には、第１配管９の連結用フランジ部１７と同じ
構造の連結用フランジ部２０が溶接接合されている（図
１参照）。そして、第１配管９の連結用フランジ部１７
と第２配管１０の連結用フランジ部２０とを、その間に
シール用のＯリング２１（シール部材）を挟んだ状態で
突き合わせ、各連結用フランジ部１７及び２０を複数の
Ｕ字型のクランプ部材２２で挟み込むことによって、第
１配管９と第２配管１０とを連結している。なお、Ｏリ
ング２１の内側には、断面凸状のセンターリング２３が
配置されており、Ｏリング２１が内側に抜けないように
している。
【００１６】図１に戻り、第２配管１０と第３配管１１
との間には、処理チャンバ２内からの排ガスの流れを制
御するバルブ２４が配設されている。このバルブ２４
は、ハウジング２５と、このハウジング２５に対して摺
動可能な球面形状の可動部２６とを備えたボールバルブ
であり、可動部２６には、処理チャンバ２内からの排ガ
スが通るための円柱状の貫通穴２６ａが形成されてい
る。また、可動部２６にはフレーム２７を介して駆動ア
クチュエータ２８の出力軸が結合されており、駆動アク
チュエータ２８を回転駆動することによって、第２配管
１０と第３配管１１とを連通・遮断するようにしてい
る。
との間には、処理チャンバ２内からの排ガスの流れを制
御するバルブ２４が配設されている。このバルブ２４
は、ハウジング２５と、このハウジング２５に対して摺
動可能な球面形状の可動部２６とを備えたボールバルブ
であり、可動部２６には、処理チャンバ２内からの排ガ
スが通るための円柱状の貫通穴２６ａが形成されてい
る。また、可動部２６にはフレーム２７を介して駆動ア
クチュエータ２８の出力軸が結合されており、駆動アク
チュエータ２８を回転駆動することによって、第２配管
１０と第３配管１１とを連通・遮断するようにしてい
る。
【００１７】このようなバルブ２４のハウジング２５の
両端部には、それぞれ円筒状の管部２５ａを介して第１
配管９の連結用フランジ部１７と同じ構造の連結用フラ
ンジ部２５ｂが溶接接合されており、これら連結用フラ
ンジ部２５ｂの一方には第２配管１０の連結用フランジ
部２０が連結されている。また、第３配管１１は、円筒
状のＬ字型の管本体２９と、この管本体２９の一端部に
溶接接合された連結用フランジ部３０とを備えており、
この連結用フランジ部３０が連結用フランジ部２５ｂの
他方に連結されている。これら連結用フランジ部同士の
連結手段は、図３に示したものと同じである。なお、バ
ルブ２４は、上記のボールバルブ以外のもの、例えばゲ
ートバルブ等であってもかまわない。
両端部には、それぞれ円筒状の管部２５ａを介して第１
配管９の連結用フランジ部１７と同じ構造の連結用フラ
ンジ部２５ｂが溶接接合されており、これら連結用フラ
ンジ部２５ｂの一方には第２配管１０の連結用フランジ
部２０が連結されている。また、第３配管１１は、円筒
状のＬ字型の管本体２９と、この管本体２９の一端部に
溶接接合された連結用フランジ部３０とを備えており、
この連結用フランジ部３０が連結用フランジ部２５ｂの
他方に連結されている。これら連結用フランジ部同士の
連結手段は、図３に示したものと同じである。なお、バ
ルブ２４は、上記のボールバルブ以外のもの、例えばゲ
ートバルブ等であってもかまわない。
【００１８】以上のような排気配管８において、処理チ
ャンバ２から排出される排ガスが接する面には、ポリイ
ミドまたはポリテトラフルオロエチレン（テフロン）が
コーティング（被覆）された被覆膜部Ｃが設けられてい
る。この被覆膜部Ｃが形成されている部位は、具体的に
は、第１配管９（箱部１２ａ、管部１２ｂ及び連結用フ
ランジ部１７）の内面９ａ、第２配管１０（管本体１９
及び両連結用フランジ部２０）の内面１０ａ、第３配管
１１（管本体２９及び連結用フランジ部３０）の内面１
１ａ、バルブ２４（ハウジング２５、可動部２６、管部
２５ａ及び連結用フランジ部２５ｂ）の内面２４ａに加
えて、第１配管１０の嵌入部１３における処理チャンバ
２との連結面１３ａ，１３ｂ（図２参照）、センターリ
ング２３の全表面２３ａ（図３参照）等となっている。
ャンバ２から排出される排ガスが接する面には、ポリイ
ミドまたはポリテトラフルオロエチレン（テフロン）が
コーティング（被覆）された被覆膜部Ｃが設けられてい
る。この被覆膜部Ｃが形成されている部位は、具体的に
は、第１配管９（箱部１２ａ、管部１２ｂ及び連結用フ
ランジ部１７）の内面９ａ、第２配管１０（管本体１９
及び両連結用フランジ部２０）の内面１０ａ、第３配管
１１（管本体２９及び連結用フランジ部３０）の内面１
１ａ、バルブ２４（ハウジング２５、可動部２６、管部
２５ａ及び連結用フランジ部２５ｂ）の内面２４ａに加
えて、第１配管１０の嵌入部１３における処理チャンバ
２との連結面１３ａ，１３ｂ（図２参照）、センターリ
ング２３の全表面２３ａ（図３参照）等となっている。
【００１９】ここで、第１配管９の環状溝１６の底面１
６ａ（図２参照）、第１配管９及び第２配管１０の各連
結面つまり連結用フランジ部１７及び２０の各対向面１
７ａ及び２０ａ（図３参照）、第２配管１０及びバルブ
２４の各連結面つまり連結用フランジ部２０及び２５ｂ
の各対向面、バルブ２４及び第３配管１１の各連結面つ
まり連結用フランジ部２５ｂ及び３０の各対向面には、
上記樹脂の被覆膜部Ｃは形成されていない。このように
したのは、これらの面がＯリング１５及び２１の接触す
る部位であり、上記樹脂のコーティングを施すと、Ｏリ
ング１５及び２１のシール性を損なう可能性があるから
である。
６ａ（図２参照）、第１配管９及び第２配管１０の各連
結面つまり連結用フランジ部１７及び２０の各対向面１
７ａ及び２０ａ（図３参照）、第２配管１０及びバルブ
２４の各連結面つまり連結用フランジ部２０及び２５ｂ
の各対向面、バルブ２４及び第３配管１１の各連結面つ
まり連結用フランジ部２５ｂ及び３０の各対向面には、
上記樹脂の被覆膜部Ｃは形成されていない。このように
したのは、これらの面がＯリング１５及び２１の接触す
る部位であり、上記樹脂のコーティングを施すと、Ｏリ
ング１５及び２１のシール性を損なう可能性があるから
である。
【００２０】各配管９〜１１に対する上記被覆膜部Ｃの
形成処理は、溶接等を行って各配管９〜１１を組み上げ
た後、各部材ごとに行う。このように溶接後に被覆膜部
Ｃを形成するのは、溶接焼けによる金属腐食が生じない
ようにするためである。また、バルブ２４に対する上記
被覆膜部Ｃの形成処理は、ハウジング２５と可動部２６
とを分解した状態で行う。これは、被覆膜部Ｃの形成を
簡単に行うためである。なお、上記被覆膜部Ｃは、樹脂
の被覆処理の容易性を考慮して、Ｏリング１５及び２１
の接触する部分を除く各配管９〜１１及びバルブ２４の
外面を含むすべての面に形成してもよい。
形成処理は、溶接等を行って各配管９〜１１を組み上げ
た後、各部材ごとに行う。このように溶接後に被覆膜部
Ｃを形成するのは、溶接焼けによる金属腐食が生じない
ようにするためである。また、バルブ２４に対する上記
被覆膜部Ｃの形成処理は、ハウジング２５と可動部２６
とを分解した状態で行う。これは、被覆膜部Ｃの形成を
簡単に行うためである。なお、上記被覆膜部Ｃは、樹脂
の被覆処理の容易性を考慮して、Ｏリング１５及び２１
の接触する部分を除く各配管９〜１１及びバルブ２４の
外面を含むすべての面に形成してもよい。
【００２１】以上のように構成したエピタキシャル成長
装置１において、処理チャンバ２内を常圧（例えば、７
４０〜７８０Torr程度）に維持した状態で、サセプタ５
上にウェハＷを載置する。そして、図示しないハロゲン
ランプによりウェハＷを加熱した状態で、サセプタ５を
回転させると共に、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ3）
ガス等の反応ガスをガス供給口３から処理チャンバ２内
に供給する。すると、その反応ガスが、所定温度に加熱
されたウェハＷの表面に沿って層流状態で流れ、ウェハ
Ｗ上にシリコンの単結晶がエピタキシャル成長して薄膜
が形成される。このとき、バルブ２４は開いた状態にあ
り、成膜処理により生成された排ガスが、ガス排気口４
から排気配管８を介して外部の排ガス処理装置７に送ら
れる。
装置１において、処理チャンバ２内を常圧（例えば、７
４０〜７８０Torr程度）に維持した状態で、サセプタ５
上にウェハＷを載置する。そして、図示しないハロゲン
ランプによりウェハＷを加熱した状態で、サセプタ５を
回転させると共に、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ3）
ガス等の反応ガスをガス供給口３から処理チャンバ２内
に供給する。すると、その反応ガスが、所定温度に加熱
されたウェハＷの表面に沿って層流状態で流れ、ウェハ
Ｗ上にシリコンの単結晶がエピタキシャル成長して薄膜
が形成される。このとき、バルブ２４は開いた状態にあ
り、成膜処理により生成された排ガスが、ガス排気口４
から排気配管８を介して外部の排ガス処理装置７に送ら
れる。
【００２２】ここで、排ガス中には塩化水素（ＨＣｌ）
等の副生成物が含まれており、この副生成物が排気配管
８内に存在する水分と反応すると、排気配管８の内面が
腐食して金属汚染が発生し、その汚れが処理チャンバ２
内に逆流してウェハＷに付着する恐れがある。
等の副生成物が含まれており、この副生成物が排気配管
８内に存在する水分と反応すると、排気配管８の内面が
腐食して金属汚染が発生し、その汚れが処理チャンバ２
内に逆流してウェハＷに付着する恐れがある。
【００２３】本実施形態では、排気配管８における排ガ
スが接する面に、塩化水素に対して耐食性を有するポリ
イミドやテフロンを被覆した被覆膜部Ｃを設けたので、
排気配管８内に存在する水分と排ガス中に含まれる副生
成物との反応による排気配管８の内面の腐食が抑えられ
る。しかも、ポリイミド及びテフロンは耐熱性に優れて
いる（具体的には、ポリイミドの耐熱温度は３５０度以
上、テフロンの耐熱温度は２８０度以上）ので、排ガス
等の熱で上記樹脂の被覆が剥がれることはほとんど無
い。また、被覆膜部Ｃの形成処理は、各配管１０〜１２
の溶接作業の後で行うので、溶接焼けによる排気配管８
内面の腐食も防止される。さらに、そのようなポリイミ
ドやテフロンのコーティングでは、ピンホールの発生が
少ない。したがって、排気配管８の耐食性が向上し、サ
セプタ５上のウェハＷに汚れが付着することを低減でき
る。
スが接する面に、塩化水素に対して耐食性を有するポリ
イミドやテフロンを被覆した被覆膜部Ｃを設けたので、
排気配管８内に存在する水分と排ガス中に含まれる副生
成物との反応による排気配管８の内面の腐食が抑えられ
る。しかも、ポリイミド及びテフロンは耐熱性に優れて
いる（具体的には、ポリイミドの耐熱温度は３５０度以
上、テフロンの耐熱温度は２８０度以上）ので、排ガス
等の熱で上記樹脂の被覆が剥がれることはほとんど無
い。また、被覆膜部Ｃの形成処理は、各配管１０〜１２
の溶接作業の後で行うので、溶接焼けによる排気配管８
内面の腐食も防止される。さらに、そのようなポリイミ
ドやテフロンのコーティングでは、ピンホールの発生が
少ない。したがって、排気配管８の耐食性が向上し、サ
セプタ５上のウェハＷに汚れが付着することを低減でき
る。
【００２４】また、被覆膜部Ｃは、排気配管８における
Ｏリング１５及び２１が接触する部分を避けて設けられ
ているので、Ｏリング１５及び２１のシール性を損なう
ことなく、排気配管８内面の腐食を防止することができ
る。
Ｏリング１５及び２１が接触する部分を避けて設けられ
ているので、Ｏリング１５及び２１のシール性を損なう
ことなく、排気配管８内面の腐食を防止することができ
る。
【００２５】以上、本発明の好適な実施形態について述
べたが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言
うまでもない。例えば、上記実施形態では、塩素系ガス
に対して耐食性が高いポリイミドやテフロンのコーティ
ングを排気配管８の内面等に施すものとしたが、使用す
る樹脂は特にそれらに限られず、排ガスに対して耐食性
及び耐熱性を有する樹脂であればよい。
べたが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言
うまでもない。例えば、上記実施形態では、塩素系ガス
に対して耐食性が高いポリイミドやテフロンのコーティ
ングを排気配管８の内面等に施すものとしたが、使用す
る樹脂は特にそれらに限られず、排ガスに対して耐食性
及び耐熱性を有する樹脂であればよい。
【００２６】また、上記実施形態の半導体製造装置は、
エピタキシャル成長装置であるが、本発明は、エピタキ
シャル成長装置以外の半導体製造装置、例えばＣＶＤ装
置やドライエッチング装置等にも適用可能である。
エピタキシャル成長装置であるが、本発明は、エピタキ
シャル成長装置以外の半導体製造装置、例えばＣＶＤ装
置やドライエッチング装置等にも適用可能である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、排気配管における少な
くとも排ガスが接する面に、排ガスに対して耐食性及び
耐熱性を有する樹脂を被覆したので、排気配管の腐食を
防止し、被処理体の金属汚染を低減することができる。
くとも排ガスが接する面に、排ガスに対して耐食性及び
耐熱性を有する樹脂を被覆したので、排気配管の腐食を
防止し、被処理体の金属汚染を低減することができる。
【図１】本発明に係わる半導体製造装置であるエピタキ
シャル成長装置を概略的に示す説明図である。
シャル成長装置を概略的に示す説明図である。
【図２】図１に示す処理チャンバと第１配管との連結部
分を示す拡大図である。
分を示す拡大図である。
【図３】図１に示す第１配管と第２配管との連結部分を
示す拡大図である。
示す拡大図である。
１…エピタキシャル成長装置（半導体製造装置）、２…
処理チャンバ、４…ガス排気口、８…排気配管、９…第
１配管、１０…第２配管、１１…第３配管、１５，２１
…Ｏリング（シール部材）、Ｃ…被覆膜部、Ｗ…ウェハ
（被処理体）。
処理チャンバ、４…ガス排気口、８…排気配管、９…第
１配管、１０…第２配管、１１…第３配管、１５，２１
…Ｏリング（シール部材）、Ｃ…被覆膜部、Ｗ…ウェハ
（被処理体）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 和義 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 高木 庸司 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 AB02 AC05 AE29 BB14 DP03 DP28 EB10 EC08 EG01 EG07
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体が配置される処理チャンバと、
前記処理チャンバに連結され、前記被処理体の処理によ
り生成される排ガスを外部に排出するための排気配管と
を備えた半導体製造装置であって、 前記排気配管における少なくとも前記排ガスが接する面
に、前記排ガスに対して耐食性及び耐熱性を有する樹脂
が被覆された被覆膜部を備える半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記排気配管はシール部材を介して前記
処理チャンバに連結され、前記被覆膜部は、前記排気配
管における当該シール部材が接触する部分を避けて設け
られている請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記排気配管は複数の配管からなり、前
記各配管同士はシール部材を介して連結され、前記被覆
膜部は、前記各配管における当該シール部材が接触する
部分を避けて設けられている請求項１または２記載の半
導体製造装置。 - 【請求項４】 前記樹脂はポリイミドまたはポリテトラ
フルオロエチレンである請求項１〜３のいずれか一項記
載の半導体製造装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11148138A JP2000349027A (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 半導体製造装置 |
| TW089110315A TW475197B (en) | 1999-05-27 | 2000-05-26 | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
| KR1020017015205A KR20020010675A (ko) | 1999-05-27 | 2000-05-26 | 반도체 제조 장치 |
| PCT/JP2000/003410 WO2000074125A1 (fr) | 1999-05-27 | 2000-05-26 | Appareil pour la fabrication d'un dispositif a semiconducteur |
| EP00929882A EP1197994A1 (en) | 1999-05-27 | 2000-05-26 | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11148138A JP2000349027A (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349027A true JP2000349027A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15446128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11148138A Withdrawn JP2000349027A (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1197994A1 (ja) |
| JP (1) | JP2000349027A (ja) |
| KR (1) | KR20020010675A (ja) |
| TW (1) | TW475197B (ja) |
| WO (1) | WO2000074125A1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222807A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| WO2003019633A1 (fr) * | 2001-08-24 | 2003-03-06 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement de surface de composants d'un dispositif de traitement sous vide |
| JP2011023563A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Sumco Corp | シリコンウェーハの処理装置 |
| JP2014045102A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 窒化物半導体製造装置用洗浄装置及び洗浄方法 |
| WO2014066067A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate process chamber exhaust |
| JP2017108152A (ja) * | 2011-04-22 | 2017-06-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板上に材料を堆積するための装置 |
| CN109778309A (zh) * | 2017-11-15 | 2019-05-21 | 胜高股份有限公司 | 硅外延晶片制造装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5120913B2 (ja) | 2006-08-28 | 2013-01-16 | 国立大学法人東北大学 | 半導体装置および多層配線基板 |
| US8337619B2 (en) | 2008-09-19 | 2012-12-25 | Applied Materials, Inc. | Polymeric coating of substrate processing system components for contamination control |
| DE102009043848A1 (de) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Aixtron Ag | CVD-Verfahren und CVD-Reaktor |
| JP6544902B2 (ja) * | 2014-09-18 | 2019-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US11530479B2 (en) | 2019-10-18 | 2022-12-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Atomic layer deposition tool and method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0638114Y2 (ja) * | 1988-08-31 | 1994-10-05 | 国際電気株式会社 | 縦形炉の排気ガス・液体処理装置 |
| JPH0599190A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPH07147247A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-06 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JPH10290920A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Hitachi Ltd | 高耐食排気体分解装置および半導体製造装置 |
-
1999
- 1999-05-27 JP JP11148138A patent/JP2000349027A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-05-26 WO PCT/JP2000/003410 patent/WO2000074125A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2000-05-26 EP EP00929882A patent/EP1197994A1/en not_active Withdrawn
- 2000-05-26 KR KR1020017015205A patent/KR20020010675A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-05-26 TW TW089110315A patent/TW475197B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222807A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP4640891B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| WO2003019633A1 (fr) * | 2001-08-24 | 2003-03-06 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement de surface de composants d'un dispositif de traitement sous vide |
| JP2011023563A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Sumco Corp | シリコンウェーハの処理装置 |
| JP2017108152A (ja) * | 2011-04-22 | 2017-06-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板上に材料を堆積するための装置 |
| JP2014045102A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 窒化物半導体製造装置用洗浄装置及び洗浄方法 |
| WO2014066067A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate process chamber exhaust |
| CN109778309A (zh) * | 2017-11-15 | 2019-05-21 | 胜高股份有限公司 | 硅外延晶片制造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1197994A1 (en) | 2002-04-17 |
| WO2000074125A1 (fr) | 2000-12-07 |
| KR20020010675A (ko) | 2002-02-04 |
| TW475197B (en) | 2002-02-01 |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060801 |