JP2002222807A

JP2002222807A - 熱処理装置

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Publication number: JP2002222807A
Application number: JP2001019341A
Authority: JP
Inventors: Yukimasa Saito; 幸正齋藤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-01-29
Filing date: 2001-01-29
Publication date: 2002-08-09
Anticipated expiration: 2021-01-29
Also published as: JP4640891B2

Abstract

(57)【要約】【課題】金属製部材の腐食および金属製部材からの被
処理体の金属汚染を抑制する。【解決手段】処理炉１内に被処理体ｗを収容し、処理
ガスを供給して所定の処理温度で熱処理する装置におい
て、前記処理炉１は処理ガスを導入する処理ガス導入管
部１０および排気系１４に通じる排気管部１３を備え、
前記処理炉１の炉内環境に晒される金属製部材３の接ガ
ス面に、金属製部材３の腐食および金属製部材３からの
被処理体ｗの金属汚染を抑制するためのクロム酸化物被
膜をコーティングした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体ウエハを処理する装置と
して、酸化処理工程を行う酸化処理装置やＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition）処理工程を行うＣＶＤ装置が
ある。従来、酸化処理装置では主にテフロン（登録商
標）系配管よりなる常圧および減圧排気系が設けられて
おり、また、ＣＶＤ装置では主にステンレス系配管より
なる減圧排気系が設けられていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、酸化
処理とＣＶＤ処理とを同一の装置で連続して行いたいと
いう要求が出てきた。しかし、テフロン系配管を排気系
に用いた酸化処理装置でＣＶＤ処理までを行おうとした
場合、コスト面などから配管の口径が制限されること
で、排気コンダクタンスが足りなくなったり、ガス透過
性の面から真空排気が不適当になったりするため、その
ままでは適用できないという問題があった。また、ステ
ンレス系配管を排気系に用いたＣＶＤ装置で酸化処理ま
でを行おうとすると、処理ガスによる配管内面の腐食と
いう問題が出てきた。特に、酸化処理とＣＶＤ処理の連
続処理等においては、塩素系の腐食ガスと水分による強
い腐食環境にされられるため、同様にＣＶＤ処理におけ
る反応管内面の副生成物の付着に対する確実な対策が望
まれていた。

【０００４】また、これらの熱処理装置では、処理炉自
体は石英で構成されているものの、加工の困難な炉蓋や
マニホールド等には金属が使われているため、ウエハの
金属汚染（メタルコンタミネーション）を防止する目的
で、それらの部分を石英のカバーで覆ったり、その上で
更に不活性ガスを局部的に供給したりして、金属部分が
炉内ガスに接触しないような対策を講じている場合があ
るが、その場合、石英カバーを設けたり不活性ガスを供
給したりする分だけ、構成が複雑になり、コストアップ
になっていた。

【０００５】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、過酷な腐食環境であっても腐食の心配がなく、ま
た、副生成物の付着の抑制を図ることができ、しかも、
金属汚染の問題を解消することができて、何時でも安定
したプロセスを行うことができる熱処理装置を提供する
ことを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
に係る発明は、処理炉内に被処理体を収容し、処理ガス
を供給して所定の処理温度で熱処理する装置において、
前記処理炉は処理ガスを導入する処理ガス導入管部およ
び排気系に通じる排気管部を備え、前記処理炉の炉内環
境に晒される金属製部材の接ガス面に、金属製部材の腐
食および金属製部材からの被処理体の金属汚染を抑制す
るためのクロム酸化物被膜をコーティングしたことを特
徴とする。

【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１記載の熱
処理装置において、配管およびバルブを少なくとも含む
前記排気系の金属製部材の接ガス面に金属部材の腐食お
よび副生成物の付着を抑制するためのフッ素樹脂被膜を
コーティングしたことを特徴とする。

【０００８】請求項３に係る発明は、請求項１記載の熱
処理装置において、前記排気管部の内面に副生成物の付
着を抑制するためのコーティングを施したことを特徴と
する。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は、本発明を主として酸
化処理工程を行う酸化処理装置に適用した第１実施の形
態の構成図である。

【００１０】本実施の形態の酸化処理装置（熱処理装
置）は、常圧処理および減圧処理可能型として構成され
ている。図１において、１は半導体ウエハ（被処理体）
Ｗを収容し、処理ガスとして水蒸気を供給して例えば８
５０℃程度の高温下で熱処理する縦型でバッチ式の処理
炉で、この処理炉１は上端が閉塞され下端が開放した縦
長円筒状の耐熱性を有する例えば石英製の反応管（処理
容器）２を備えている。

【００１１】この反応管２は、炉口として開放した下端
開口部が蓋体３で気密に閉塞されることにより、気密性
の高い処理炉１を構成するようになっている。前記蓋体
３上には、多数枚例えば１５０枚程度の半導体ウエハＷ
を水平状態で上下方向に間隔をおいて多段に支持する基
板支持具である例えば石英製のウエハボート４が保温筒
６を介して載置されている。

【００１２】蓋体３は、図示しない昇降機構により、処
理炉１内へのウエハボート４のロード（搬入）ならびに
アンロード（搬出）および炉口の開閉を行うように構成
されている。また、前記反応管２の周囲には、炉内を所
定の温度例えば３００〜１０００℃に加熱制御可能な抵
抗発熱体からなるヒーター８が設けられている。ヒータ
ー８の周囲は冷却ジャケット９で覆われている。

【００１３】反応管２の下側部には、ガス導入管部１０
が適宜個数設けられており、その一つには、処理ガス供
給手段（水蒸気供給手段）として、水素ガスＨ₂と酸素
ガスＯ₂の燃焼反応により水蒸気を発生させて供給する
燃焼装置（外部燃焼装置）１１が接続されている。な
お、他のガス導入管部には、その他の処理ガス例えば一
酸化窒素ガスＮＯや一酸化二窒素ガスＮ₂Ｏ、塩化水素
ＨＣｌあるいは不活性ガス例えばＮ₂等を供給するガス
供給源が接続されている（図示省略）。

【００１４】また、前記石英製の反応管２の下側壁に
は、反応管２内を排気するための排気管部１３が一体に
設けられており、この排気管部１３には、減圧排気系１
４を構成する排気管１５が接続されている。なお、蓋体
３は金属製（主にステンレス製）のものであるが、高温
の炉内環境および処理ガスに晒される箇所であるから、
その接ガス面には、金属製部材の腐食および金属製部材
からの被処理体の金属汚染を抑制するためのコーティン
グが施されている。ここでは、セラミックの一種である
クロム酸化物被膜がコーティングされている。また、排
気管部１３の内面には、炉内副生成物が冷却されること
によって付着するのを抑制するためのコーティングが施
されている。ここでは、耐熱性の高いクロム酸化物被膜
もしくはフッ素樹脂被膜がコーティングされている。

【００１５】前記排気管１５は、高真空度での減圧排気
が可能な大口径例えば内径が３インチ程度の配管からな
っている。また、排気管１５は、耐食性配管からなり、
例えば金属製好ましくはステンレス製の配管の内周面
に、耐食性樹脂であるフッ素樹脂の被膜をコーティング
してなるものである。前記排気管１５の下流端は、処理
炉１内を例えば最大−１Ｐａ程度に減圧可能な減圧ポン
プ（真空ポンプ）１６に接続され、この減圧ポンプ１６
の下流には除害装置１７が接続されている。除害装置１
７への配管の内面にもフッ素樹脂の被膜がコーティング
されている。減圧ポンプ１６としては、例えばドライポ
ンプが好ましい。

【００１６】前記排気管１５の途中には、図示しない除
害装置や排気ブロワを備えた工場排気系の排気ダクトに
通じる常圧排気系１８を構成する常圧排気管１９が分岐
接続されており、常圧ないし微陰圧での処理が可能にな
っている。常圧排気管１９も前記排気管１５と同様に、
金属製好ましくはステンレス製の配管の内周面に耐食性
樹脂であるフッ素樹脂被膜をコーティングしてなるもの
である。排気管１５および常圧排気管１９の外周には、
腐食の原因となる配管内の水分を飛ばす（蒸発させる）
べく加熱するための加熱手段例えば抵抗発熱体が設けら
れていることが好ましい。

【００１７】そして、前記常圧排気系１８および減圧排
気系１４には、それぞれ開閉および圧力調節の可能なコ
ンビネーションバルブ２０，２１が設けられている。減
圧排気系１４においては、排気管１５における常圧排気
管１９の分岐接続部よりも下流位置にコンビネーション
バルブ２１が取付けられている。これらのコンビネーシ
ョンバルブ２０，２１は、例えば電気信号を空気圧に変
換して弁体の位置制御を行うようになっていると共に、
弁体の着座部にＯリングを有しシャットオフができるよ
うになっている。これらのコンビネーションバルブ２
０，２１は、排気と接する部品が耐食性を有する材料例
えばフッ素樹脂により形成されているか、あるいは、金
属で構成した場合には、排気と接する接ガス面がフッ素
樹脂の被膜でコーティングされている。

【００１８】前記排気管１５における減圧処理用コンビ
ネーションバルブ２１よりも上流位置には、常圧処理時
の排気圧力を検出するための圧力センサ２２と、減圧処
理時（減圧排気時）の排気圧力を検出する圧力センサ２
３とが、空気圧制御式の弁２４，２５を介して設けられ
ている。前記圧力センサ２２，２３は、水分Ｈ_２Ｏと腐
食性ガス例えばＨＣｌが存在する過酷な腐食環境下での
使用を可能とするために、排気と接する接ガス面がフッ
素樹脂により形成されている。

【００１９】前記常圧排気系１８および減圧排気系１４
にそれぞれ設けられたコンビネーションバルブ２０，２
１は、前記圧力センサ２２，２３の検出圧力を基に共通
の制御部（コントローラ）３２により制御されるように
なっている。すなわち、この制御部３２は、常圧処理時
には常圧排気系１８のコンビネーションバルブ２０に切
換えてこれを常圧処理時用の圧力センサ２２の検出圧力
を基に制御し、減圧処理時には減圧排気系１４のコンビ
ネーションバルブ２１に切換えてこれを減圧処理時用の
圧力センサ２３の検出圧力を基に制御するというよう
に、二系統の制御が可能になっている。

【００２０】以上の構成からなる酸化処理装置は、処理
炉１の排気系の各接続部にシール手段である例えばＯリ
ングを設けるなど、高減圧排気が可能なリークタイトな
高気密構造とされている。また、酸化処理装置は、予め
所望の熱処理方法のプログラムレシピがインプットされ
た制御装置（図示省略）により燃焼装置１１、ヒーター
８、コンビネーションバルブ２０，２１の制御部３２等
が制御されて所望の熱処理方法を自動で実施するように
構成されている。

【００２１】前記クロム酸化物被膜のコーティング方法
としては、例えば特開昭６３−３１７６８０号公報に記
載されているクロム酸化物被膜の形成方法等が利用でき
る。この方法は、無水酸化水溶液にＳｉＯ_２とＡｌ_２Ｏ
_３粉末を加えて調整したスラリーを金属表面に塗布した
後、これを加熱して多孔質膜を形成し、これにクロム酸
アンモンまたは重クロム酸アンモンを１０重量％以下添
加した無水クロム酸水溶液を含浸させ、加熱処理する。
このクロム酸含浸と加熱処理を繰り返すことにより耐熱
性および耐食性に富むクロム酸化物被膜が得られる。

【００２２】前記排気管１５、１９やバルブ２０、２１
にコーティングするフッ素樹脂としては、例えば、ＰＴ
ＦＥ＝ポリテトラフルオロエチレン（四フッ化エチレン
樹脂）、ＰＦＡ＝テトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロアルキルビニルエーテル共重合体（パーフルオロアル
コキシ樹脂）、ＥＴＦＥ＝テトラフルオロエチレン−エ
チレン共重合体（四フッ化エチレン−エチレン共重合樹
脂）等が利用できる。排気系の接ガス面に対するフッ素
樹脂のコーティング方法としては、吹き付け、どぶづ
け、刷毛塗り、ライニングなどがある。前記フッ素樹脂
のコーティングにより、排気系の腐食防止と、その表面
平滑性による反応副生成物の付着防止が可能となる。

【００２３】次に、前記酸化処理装置の作用および熱処
理方法について説明する。まず、処理炉１内は、大気に
開放されていると共にヒーター８により予め所定の温度
例えば３００℃に加熱制御されており、この状態で多数
枚の半導体ウエハＷが保持されたウエハボート４を処理
炉１内にロードして処理炉１の炉口を蓋体３で密閉し、
処理炉１内を減圧排気系１４による真空引きにより減圧
する。この減圧ないし真空引きは、サイクルパージを含
むことが好ましい。前記ロードおよびサイクルパージの
際には、半導体ウエハＷの表面に自然酸化膜が形成され
ないように処理炉内に不活性ガス例えばＮ₂が供給され
ており、また、Ｎ₂が１００％であると、半導体ウエハ
Ｗの表面が窒化してしまい、この後の酸化工程にて半導
体ウエハＷの表面が酸化されにくくなるため、これを防
止すべくＯ₂が少量例えば１％程度供給されている。

【００２４】前記サイクルパージは、処理炉１内を真空
引きしながら不活性ガス例えばＮ2の供給と停止を交互
に繰り返すことにより行われる。この場合、排気系をコ
ンビネーションバルブ２１により減圧排気系１４に切換
え、減圧ポンプ１６の作動状態で圧力センサ２３により
圧力を検知しつつコンビネーションバルブ２１の制御に
より処理炉１内を所定の圧力例えば−１Ｐａ程度に減圧
排気する。この減圧排気状態で、所定流量に制御された
不活性ガス例えばＮ₂を不活性ガス供給弁の開閉の繰り
返しにより間欠的に供給することにより、サイクルパー
ジが行われ、処理炉１内を迅速に減圧して不活性ガスで
十分に置換することができる。すなわち、このサイクル
パージによって急速な減圧（真空到達時間の短縮）と置
換が可能となる。

【００２５】次に、前記減圧排気状態でヒーター８の制
御により処理炉１内を所定の処理温度例えば８５０℃ま
で昇温させ、排気系をコンビネーションバルブ２０にて
常圧排気系１８に切換えることにより処理炉１内を常圧
ないし微減圧に制御し、この状態でリカバリー（半導体
ウエハの温度を安定させる）をしてから、所望の熱処理
例えばＨＣｌ酸化を行う。この熱処理は、酸素ガスＯ₂
と水素ガスＨ₂を燃焼装置１１に供給して燃焼させ、発
生する水蒸気を塩化水素ガスＨＣｌおよび不活性ガス例
えばＮ2と共に処理炉１内に供給することにより、微減
圧状態で行われる。

【００２６】熱処理工程を終了したなら、排気系を減圧
排気系１４に切換えて、処理炉１内を再度真空引きによ
り減圧してから、ヒーター８の制御により処理炉１内の
温度を所定の温度例えば３００℃程度に降温させ、これ
と並行して処理炉１内を常圧に戻し、処理炉１内からウ
エハボート４をアンロードし、クーリング（半導体ウエ
ハを搬送可能な温度に冷却すること）を行えばよい。前
記熱処理工程終了後の減圧ないし真空引きも、サイクル
パージを含むことが好ましい。

【００２７】このように予め所定の温度に加熱された処
理炉１内に半導体ウエハＷを収容し、処理炉１内を所定
の処理温度まで昇温させ、処理ガスである水蒸気を供給
して半導体ウエハＷを熱処理するに際して、前記昇温の
工程を減圧下で行うようにしたので、酸化種を排除した
状態で半導体ウエハＷを所定の処理温度まで昇温させる
ことができ、昇温工程での自然酸化膜の形成を抑制する
ことができ、品質の優れた極薄酸化膜を形成することが
できる。また、所望の熱処理の工程前だけでなく工程後
にも処理炉１内を真空引きにより減圧するようにしたの
で、所望の熱処理工程以外の部分での余計な酸化種を十
分に排除して自然酸化膜の形成を十分に抑制することが
でき、膜質および膜厚が均一で品質の優れた極薄酸化膜
を形成することができる。因みに、膜厚が２ｎｍ程度の
ＳｉＯ₂膜を形成することが可能である。

【００２８】前記処理炉１を減圧ないし真空引きする工
程では、いわゆるサイクルパージを含んでいるため、迅
速な減圧と置換が可能となり、スループットの向上が図
れる。また、前記酸化処理装置においては、処理炉１内
に水蒸気を供給する水蒸気供給手段である燃焼装置１１
と、熱処理の工程で処理炉１内を常圧ないし微減圧で排
気する常圧排気系１８と、熱処理工程の前後に処理炉１
内を真空引き可能な減圧排気系１４とを備え、前記常圧
排気系１８と減圧排気系１４の切換えをコンビネーショ
ンバルブ２０，２１により行うようにしているため、前
述した熱処理方法を確実かつ容易に実施することでき
る。

【００２９】このように減圧処理可能な酸化処理装置
（熱処理装置）によれば、処理炉１内に半導体ウエハＷ
を収容し、処理ガスを供給して所定の処理温度で熱処理
する装置において、前記処理炉１内を所定の排気圧力で
排気する常圧排気系１８と、前記処理炉１内を常圧排気
系１８よりも低い圧力で減圧排気する減圧排気系１４
と、常圧排気系１８および減圧排気系１４のそれぞれに
設けられた開閉および圧力調節の可能なコンビネーショ
ンバルブ２０，２１と、前記排気圧力を検出する絶対圧
型の圧力センサ２２，２３と、この圧力センサ２２，２
３の検出圧力を基に前記コンビネーションバルブ２０，
２１を制御する制御部３２とを備えているため、常圧排
気系１８を用いた常圧ないし微減圧酸化処理および減圧
排気系１４を用いたサイクルパージや減圧ＣＶＤ処理等
の連続処理が可能となる。常圧排気系１８では、大気導
入や不活性ガス導入を必要とすることなく安定な制御が
可能になると共に、排気系の構造が簡素化され、不活性
ガス例えばＮ₂のランニングコストを無くすことがで
き、コストの低減が図れる。

【００３０】特に、常圧排気系１８の圧力センサおよび
減圧排気系１４の圧力センサとして、絶対圧型の圧力セ
ンサ２２，２３を用いているため、低気圧等の大気圧の
変動に左右されることなく例えば大気圧付近での安定し
た絶対圧制御および減圧下での安定した絶対圧制御が可
能となり、何時でも均一な膜厚の酸化膜を形成すること
が可能となると共に薄膜の形成が可能となる。

【００３１】また、金属製の蓋体３の接ガス面には蓋体
３の腐食および蓋体３からのウエハｗの金属汚染を抑制
するためのクロム酸化物被膜がコーティングされている
ので、高温の炉内環境に晒される金属部分を石英カバー
で覆ったり、不活性ガスを局部的に供給して金属部分に
炉内ガスが接触しないようにする等の、コストのかかる
対策を講じなくてよく、安価に耐食性の改善と金属汚染
の防止を図ることができる。

【００３２】また、反応炉２の出口である排気管部１３
の内面や、排気管１５、１９およびコンビネーションバ
ルブ２０、２１の接ガス面にもフッ素樹脂被膜をコーテ
ィングしたので、炉内副生成物の付着を抑制することが
できると共に、安定した耐食性を確保することができ
る。従って、メンテナンスの負荷を軽減することができ
る。

【００３３】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態で
は、処理炉として、縦型炉が例示されているが、横型炉
であってもよく、また、バッチ式が例示されているが、
枚葉式であってもよい。被処理体としては、半導体ウエ
ハ以外に、例えばＬＣＤ基板やガラス基板等であっても
よい。上記水蒸気供給手段としては、燃焼式に限定され
ず、例えば気化器式、触媒式、沸騰式等であってもよ
い。

【００３４】また、前記実施の形態では、本発明を酸化
処理装置に適用した場合が示されているが、本発明は、
酸化処理装置以外に、例えば、拡散処理装置、ＣＶＤ処
理装置、アニール処理装置等、あるいはこれらの複合型
装置にも適用可能である。

【００３５】図２はＣＶＤ処理装置に適用した場合の実
施の形態を示す図である。このＣＶＤ処理装置の処理炉
５１においては、内管５２Ａと外管５２Ｂよりなる反応
管５２の下部に金属製のマニホールド５３が設けられて
おり、そのマニホールド５３にガス導入管部５４および
排気管部５５が設けられている。処理ガスは、内管５２
Ａの内部下方から供給されて上昇し、上端で折り返し
て、内管５２Ａと外管５２Ｂの隙間を下降した後、排気
管部５５から減圧排気系１４へと排気される。

【００３６】この処理炉５１においては、高温の炉内ガ
スに晒される金属製部材の接ガス面として、蓋体３とマ
ニホールド５３の内面（接ガス面）、内管５２Ａの受け
部材５６や保温筒５７を受けるベース５８の表面、およ
び、ガス導入管部５４や排気管部５５の接ガス面が、ク
ロム酸化物被膜でコーティングされている。また、減圧
排気系１４を構成するステンレス製の排気管１５の内面
やコンビネーションバルブ２１の金属部品の接ガス面
が、フッ素樹脂被膜でコーティングされている。これに
より、炉内ガスに晒される金属部材（蓋体３およびマニ
ホールド５３など）の腐食防止を図ることができると共
に、それら金属製部材による金属汚染を防止することが
できる。また、排気管部５５にクロム酸化物被膜をコー
ティングすると共に、減圧排気系１４の金属の接ガス面
にフッ素樹脂被膜をコーティングしたので、腐食防止を
図ることができると共に、ガスの冷却による副生成物の
付着を抑制することができ、メンテナンスの負荷を軽減
できる。なお、図１の装置とほぼ同じ機能を果たす部分
には同一符号を付して説明を省略する。

【００３７】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。

【００３８】（１）請求項１に係る発明によれば、処理
炉内に被処理体を収容し、処理ガスを供給して所定の処
理温度で熱処理する装置において、前記処理炉は処理ガ
スを導入する処理ガス導入管部および排気系に通じる排
気管部を備え、前記処理炉の炉内環境に晒される金属製
部材の接ガス面に、金属製部材の腐食および金属製部材
からの被処理体の金属汚染を抑制するためのクロム酸化
物被膜をコーティングしたので、炉内環境に晒される金
属製部材の耐食性を向上させることができると共に、そ
れら金属製部材からの被処理体の金属汚染を防止するこ
とができる。

【００３９】（２）請求項２に係る発明によれば、配管
およびバルブを少なくとも含む排気系の金属製部材の接
ガス面に金属部材の腐食および副生成物の付着を抑制す
るためのフッ素樹脂被膜をコーティングしたので、排気
系の耐食性を向上させることができると共に、副生成物
の付着を抑制することができ、メンテナンス時のクリー
ニング負荷を軽減することができる。

【００４０】（３）請求項３に係る発明によれば、処理
炉の排気管部の内面に副生成物の付着を抑制するための
コーティングを施したので、処理炉の排気管部の内面に
おける副生成物の付着を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を酸化処理装置に適用した実施の形態の
構成を示す図である。

【図２】本発明をＣＶＤ処理装置に適用した実施の形態
の構成を示す図である。

【符号の説明】

Ｗ半導体ウエハ（被処理体）１処理炉３蓋体（金属製部材）１３排気管部１４減圧排気系１５排気管１８常圧排気系１９排気管２０，２１コンビネーションバルブ５１処理炉５３マニホールド（金属製部材）５５排気管部（金属製部材）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理炉内に被処理体を収容し、処理ガス
を供給して所定の処理温度で熱処理する装置において、
前記処理炉は処理ガスを導入する処理ガス導入管部およ
び排気系に通じる排気管部を備え、前記処理炉の炉内環
境に晒される金属製部材の接ガス面に、金属製部材の腐
食および金属製部材からの被処理体の金属汚染を抑制す
るためのクロム酸化物被膜をコーティングしたことを特
徴とする熱処理装置。
【請求項２】配管およびバルブを少なくとも含む前記
排気系の金属製部材の接ガス面に金属部材の腐食および
副生成物の付着を抑制するためのフッ素樹脂被膜をコー
ティングしたことを特徴とする請求項１記載の熱処理装
置。
【請求項３】前記排気管部の内面に副生成物の付着を
抑制するためのコーティングを施したことを特徴とする
請求項１記載の熱処理装置。