JPH11345772A - 化学気相蒸着装置および半導体装置の汚染防止方法 - Google Patents
化学気相蒸着装置および半導体装置の汚染防止方法Info
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- JPH11345772A JPH11345772A JP15141298A JP15141298A JPH11345772A JP H11345772 A JPH11345772 A JP H11345772A JP 15141298 A JP15141298 A JP 15141298A JP 15141298 A JP15141298 A JP 15141298A JP H11345772 A JPH11345772 A JP H11345772A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体基板上に化学気相蒸着（ＣＶＤ）を行う
際に、装置内の部品、特に金属性材料からなる部品が腐
食されず、半導体装置に金属等の汚染が発生しにくい化
学気相蒸着装置およびこれを用いた半導体装置の汚染防
止方法を提供する。 【解決手段】反応炉８内の部品を構成する金属性材料
（ＳＵＳフランジ）４に、腐食性ガスや還元性ガスに対
して不活性となるような不動態処理５（例えば、酸化ク
ロム膜を形成し、さらに、その上層にコーティング膜を
形成してもよい。）が施されている化学気相蒸着装置お
よびこれを用いた半導体装置の汚染防止方法。
際に、装置内の部品、特に金属性材料からなる部品が腐
食されず、半導体装置に金属等の汚染が発生しにくい化
学気相蒸着装置およびこれを用いた半導体装置の汚染防
止方法を提供する。 【解決手段】反応炉８内の部品を構成する金属性材料
（ＳＵＳフランジ）４に、腐食性ガスや還元性ガスに対
して不活性となるような不動態処理５（例えば、酸化ク
ロム膜を形成し、さらに、その上層にコーティング膜を
形成してもよい。）が施されている化学気相蒸着装置お
よびこれを用いた半導体装置の汚染防止方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学気相蒸着装置
に関し、特に、半導体基板上に化学気相蒸着（ＣＶＤ）
を行う工程において、ＣＶＤ装置の反応炉（チャンバ
ー）内の部品が腐食されず、半導体装置に金属等の汚染
が発生するのを防止することができる化学気相蒸着装置
に関する。
に関し、特に、半導体基板上に化学気相蒸着（ＣＶＤ）
を行う工程において、ＣＶＤ装置の反応炉（チャンバ
ー）内の部品が腐食されず、半導体装置に金属等の汚染
が発生するのを防止することができる化学気相蒸着装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の不良原因の８０〜９０％は
ウェハ上の微粒子や金属などの汚染といわれている。特
に、ウェハ上の微粒子（ダスト）は、歩留り低下の最大
要因となっている。ウェハ上にダストが付着することに
より、ダストがドライエッチングやイオン注入の際のマ
スクとして作用し、ダスト直下にエッチング残りや導電
型反転層が形成されたりする場合がある。あるいは、ダ
スト中に含まれる原子が基板へ拡散し、半導体素子の耐
圧等に影響を及ぼす場合もある。
ウェハ上の微粒子や金属などの汚染といわれている。特
に、ウェハ上の微粒子（ダスト）は、歩留り低下の最大
要因となっている。ウェハ上にダストが付着することに
より、ダストがドライエッチングやイオン注入の際のマ
スクとして作用し、ダスト直下にエッチング残りや導電
型反転層が形成されたりする場合がある。あるいは、ダ
スト中に含まれる原子が基板へ拡散し、半導体素子の耐
圧等に影響を及ぼす場合もある。
【０００３】半導体装置の特性不良の原因となる、ダス
ト等の異物による有害欠陥の最小寸法は、半導体装置の
歩留りと信頼性の両方から、経験的に最小加工寸法の１
／５〜１／１０とされている。したがって、半導体装置
の微細化に伴い、特に、デザインルール０．５μｍプロ
セス以降においては、化学気相蒸着装置のコンタミネー
ションコントロールの必要性が増大してきている。
ト等の異物による有害欠陥の最小寸法は、半導体装置の
歩留りと信頼性の両方から、経験的に最小加工寸法の１
／５〜１／１０とされている。したがって、半導体装置
の微細化に伴い、特に、デザインルール０．５μｍプロ
セス以降においては、化学気相蒸着装置のコンタミネー
ションコントロールの必要性が増大してきている。
【０００４】０．５μｍプロセスにおいてＭＯＳトラン
ジスタのゲート酸化膜は１６〜１８ｎｍの膜厚で形成さ
れる。この場合、ゲート酸化膜の耐圧は、図３に示すよ
うに、鉄（Ｆｅ）によるバルク金属汚染が金属濃度１０
13ａｔｍｓ／ｃｍ3 以上の場合に、ゲート酸化膜の欠陥
密度が１０（１／ｃｍ2 ）以上となり、耐圧不良が増加
する。金属汚染による耐圧の低下は、ゲート酸化膜が薄
膜化された場合にさらに顕著となり、膜厚７．５〜１０
ｎｍのゲート酸化膜が用いられる０．３５μｍ世代にお
いては、５×１０11ａｔｍｓ／ｃｍ3 レベルの金属汚染
で耐圧不良が発生することが知られている（Ｗ．Ｂ．Ｈ
ｅｎｌｅｙ，ｅｔ ａｌ．：Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．
Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．２６２，９９３（１９９７））。
ジスタのゲート酸化膜は１６〜１８ｎｍの膜厚で形成さ
れる。この場合、ゲート酸化膜の耐圧は、図３に示すよ
うに、鉄（Ｆｅ）によるバルク金属汚染が金属濃度１０
13ａｔｍｓ／ｃｍ3 以上の場合に、ゲート酸化膜の欠陥
密度が１０（１／ｃｍ2 ）以上となり、耐圧不良が増加
する。金属汚染による耐圧の低下は、ゲート酸化膜が薄
膜化された場合にさらに顕著となり、膜厚７．５〜１０
ｎｍのゲート酸化膜が用いられる０．３５μｍ世代にお
いては、５×１０11ａｔｍｓ／ｃｍ3 レベルの金属汚染
で耐圧不良が発生することが知られている（Ｗ．Ｂ．Ｈ
ｅｎｌｅｙ，ｅｔ ａｌ．：Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．
Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．２６２，９９３（１９９７））。
【０００５】現在、開発が進んでいる０．２５μｍ世代
では５×１０10ａｔｍｓ／ｃｍ3 レベルの金属汚染で耐
圧不良が発生する。しかし、現状のＣＺウェハでは１０
10〜１０9 ａｔｍｓ／ｃｍ3 のバルクのＦｅ汚染があ
り、また、耐圧や接合リークの少ないエピタキシャルウ
ェハの場合には１０11〜１０10ａｔｍｓ／ｃｍ3 のバル
ク汚染がある。ウェハの汚染を低減するには、プロセス
全体の汚染レベルを低減させる必要がある。
では５×１０10ａｔｍｓ／ｃｍ3 レベルの金属汚染で耐
圧不良が発生する。しかし、現状のＣＺウェハでは１０
10〜１０9 ａｔｍｓ／ｃｍ3 のバルクのＦｅ汚染があ
り、また、耐圧や接合リークの少ないエピタキシャルウ
ェハの場合には１０11〜１０10ａｔｍｓ／ｃｍ3 のバル
ク汚染がある。ウェハの汚染を低減するには、プロセス
全体の汚染レベルを低減させる必要がある。
【０００６】図３に一般的な減圧ＣＶＤ（ＬＰ−ＣＶ
Ｄ）装置の概略図を示す。図３は、垂直方向に延びる反
応炉（石英チューブ）３８内に、ウェハ３９を上下に棚
状に配列して保持させて成膜を行う縦型のＣＶＤ装置を
示す。成膜ガスおよびキャリアガスがガス供給源３１か
ら導入配管３２を通して反応炉内へ供給される。成膜が
ウェハ面上に均一に行われるよう、周囲を磁気シール３
３された回転軸を中心に、ウェハを保持するＳＵＳフラ
ンジ３４を回転させる場合もある。
Ｄ）装置の概略図を示す。図３は、垂直方向に延びる反
応炉（石英チューブ）３８内に、ウェハ３９を上下に棚
状に配列して保持させて成膜を行う縦型のＣＶＤ装置を
示す。成膜ガスおよびキャリアガスがガス供給源３１か
ら導入配管３２を通して反応炉内へ供給される。成膜が
ウェハ面上に均一に行われるよう、周囲を磁気シール３
３された回転軸を中心に、ウェハを保持するＳＵＳフラ
ンジ３４を回転させる場合もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】減圧ＣＶＤ装置の反応
炉には機械的強度が必要とされるため、構成部品の素材
としてステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属材料が用いられ
ている。反応炉を構成する金属材料には、（１）機械的
強度が十分であること、（２）防食性があり、かつ、ウ
ェハに対する金属汚染がないこと、（３）真空シール性
を有すること、（４）反応生成物の微粒子（ダスト）が
付着しないか、あるいは、付着したダストが解離しない
こと、および（５）回転機構がクリーンであることが必
要とされる。
炉には機械的強度が必要とされるため、構成部品の素材
としてステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属材料が用いられ
ている。反応炉を構成する金属材料には、（１）機械的
強度が十分であること、（２）防食性があり、かつ、ウ
ェハに対する金属汚染がないこと、（３）真空シール性
を有すること、（４）反応生成物の微粒子（ダスト）が
付着しないか、あるいは、付着したダストが解離しない
こと、および（５）回転機構がクリーンであることが必
要とされる。
【０００８】現状では、特に（２）および（５）の２点
で材料設計が十分でなく、金属腐食性の高いガスを導入
してＣＶＤを行う場合に、腐食された金属が反応ガスに
混合し、成膜されるＣＶＤ膜に汚染が発生する。そこ
で、ＳＵＳ等からなる反応炉の構成部品にコーティング
を施したり、非反応性の不活性ガスをウェハ表面にパー
ジすることにより、ウェハの金属または重金属汚染の防
止が図られている。また、反応炉を構成する部品の金属
材料表面に、金属の自然酸化物（例えば、自然酸化クロ
ム）が生成することにより、金属の耐腐食性が向上して
ウェハの金属（または重金属）汚染が低減されることも
ある。
で材料設計が十分でなく、金属腐食性の高いガスを導入
してＣＶＤを行う場合に、腐食された金属が反応ガスに
混合し、成膜されるＣＶＤ膜に汚染が発生する。そこ
で、ＳＵＳ等からなる反応炉の構成部品にコーティング
を施したり、非反応性の不活性ガスをウェハ表面にパー
ジすることにより、ウェハの金属または重金属汚染の防
止が図られている。また、反応炉を構成する部品の金属
材料表面に、金属の自然酸化物（例えば、自然酸化クロ
ム）が生成することにより、金属の耐腐食性が向上して
ウェハの金属（または重金属）汚染が低減されることも
ある。
【０００９】ＣＶＤ装置の反応炉に上記のような処置を
施した場合にも、ウェハには定常的に金属汚染がみら
れ、例えば、金属に対する腐食性のガスが高いハロゲン
系ガスを用いてシリコン窒化膜を成膜する場合、１０11
ａｔｍｓ／ｃｍ3 オーダーの金属汚染となる。
施した場合にも、ウェハには定常的に金属汚染がみら
れ、例えば、金属に対する腐食性のガスが高いハロゲン
系ガスを用いてシリコン窒化膜を成膜する場合、１０11
ａｔｍｓ／ｃｍ3 オーダーの金属汚染となる。
【００１０】また、反応炉内へガスを導入する配管をク
リーンにした場合にもウェハの汚染防止には不十分であ
り、排気系の配管からの拡散による汚染も防止する必要
がある。ウェハ上にエピタキシャル成長層を形成させる
製造工程において、反応炉からメインバルブに至るまで
の配管からの金属汚染がウェハに影響することが確認さ
れている。
リーンにした場合にもウェハの汚染防止には不十分であ
り、排気系の配管からの拡散による汚染も防止する必要
がある。ウェハ上にエピタキシャル成長層を形成させる
製造工程において、反応炉からメインバルブに至るまで
の配管からの金属汚染がウェハに影響することが確認さ
れている。
【００１１】従来、このような金属汚染に対しては、配
管のメンテナンスを行うことと、コーティングを最適化
させることにより改善が図られてきた。これらの対策に
より、半導体装置の正常な作動に対して臨界的である５
×１０10ａｔｍｓ／ｃｍ3 レベルの管理が行われてい
る。プロセスマージンを拡大させるためには、管理値よ
り１桁小さい５×１０9 ａｔｍｓ／ｃｍ3 レベルに汚染
を低減させる必要がある。
管のメンテナンスを行うことと、コーティングを最適化
させることにより改善が図られてきた。これらの対策に
より、半導体装置の正常な作動に対して臨界的である５
×１０10ａｔｍｓ／ｃｍ3 レベルの管理が行われてい
る。プロセスマージンを拡大させるためには、管理値よ
り１桁小さい５×１０9 ａｔｍｓ／ｃｍ3 レベルに汚染
を低減させる必要がある。
【００１２】さらに、減圧ＣＶＤ装置の反応炉には、ウ
ェハに吸着している水分がウェハの搬入と同時に取り込
まれたり、ウェハの搬入・搬出のため大気解放した時に
反応炉内外の気圧差により、水分を含有する外気が反応
炉内に巻き込まれるという問題もある。外気が巻き込ま
れることにより、反応炉内に水分が入り金属等の微粒子
のウェハへの付着が促進される場合がある。
ェハに吸着している水分がウェハの搬入と同時に取り込
まれたり、ウェハの搬入・搬出のため大気解放した時に
反応炉内外の気圧差により、水分を含有する外気が反応
炉内に巻き込まれるという問題もある。外気が巻き込ま
れることにより、反応炉内に水分が入り金属等の微粒子
のウェハへの付着が促進される場合がある。
【００１３】ＣＶＤにより形成される膜の金属汚染を低
減させるには、減圧ＣＶＤ装置の反応炉で腐食性のガス
を用いる工程を減らしたり、反応生成物などからなるダ
ストを低減させる必要がある。成膜ガスを用いるＣＶＤ
工程については、従来から金属汚染やダストの問題があ
ったが、半導体装置の微細化に伴い金属汚染の問題はよ
り深刻となっている。
減させるには、減圧ＣＶＤ装置の反応炉で腐食性のガス
を用いる工程を減らしたり、反応生成物などからなるダ
ストを低減させる必要がある。成膜ガスを用いるＣＶＤ
工程については、従来から金属汚染やダストの問題があ
ったが、半導体装置の微細化に伴い金属汚染の問題はよ
り深刻となっている。
【００１４】本発明は上記の問題点を鑑みてなされたも
のであり、本発明は、半導体基板上に化学気相蒸着（Ｃ
ＶＤ）を行う際に、ＣＶＤ装置の反応炉（チャンバー）
内の部品が腐食されて、半導体装置に金属等の汚染が発
生するのを防ぐことが可能である化学気相蒸着装置、お
よびこれを用いた半導体装置の汚染防止方法を提供する
ことを目的とする。
のであり、本発明は、半導体基板上に化学気相蒸着（Ｃ
ＶＤ）を行う際に、ＣＶＤ装置の反応炉（チャンバー）
内の部品が腐食されて、半導体装置に金属等の汚染が発
生するのを防ぐことが可能である化学気相蒸着装置、お
よびこれを用いた半導体装置の汚染防止方法を提供する
ことを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の化学気相蒸着装置は、腐食性ガスおよび還
元性ガスを用いて化学気相蒸着を行う化学気相蒸着装置
において、腐食性ガスおよび還元性ガスと接する部分の
金属性材料に、腐食性ガスや還元性ガスに対して不活性
となるような不動態処理が施されていることを特徴とす
る。本発明の化学気相蒸着装置は、好適には、前記化学
気相蒸着を行う対象は半導体基板または半導体基板上に
形成された物であり、前記金属性材料は、ステンレス鋼
（ＳＵＳ）であることを特徴とする。また、本発明の化
学気相蒸着装置は、好適には、前記不動態処理は、前記
金属性材料表面に酸化クロム膜を形成する処理であるこ
とを特徴とする。
め、本発明の化学気相蒸着装置は、腐食性ガスおよび還
元性ガスを用いて化学気相蒸着を行う化学気相蒸着装置
において、腐食性ガスおよび還元性ガスと接する部分の
金属性材料に、腐食性ガスや還元性ガスに対して不活性
となるような不動態処理が施されていることを特徴とす
る。本発明の化学気相蒸着装置は、好適には、前記化学
気相蒸着を行う対象は半導体基板または半導体基板上に
形成された物であり、前記金属性材料は、ステンレス鋼
（ＳＵＳ）であることを特徴とする。また、本発明の化
学気相蒸着装置は、好適には、前記不動態処理は、前記
金属性材料表面に酸化クロム膜を形成する処理であるこ
とを特徴とする。
【００１６】本発明の化学気相蒸着装置は、好適には、
前記不動態処理が施されている前記金属性材料上に、コ
ーティング膜が成膜されていることを特徴とする。本発
明の化学気相蒸着装置は、好適には、前記コーティング
膜はシリコンカーバイドからなることを特徴とする。あ
るいは、本発明の化学気相蒸着装置は、好適には、前記
コーティング膜は、シリコンからなることを特徴とす
る。あるいは、本発明の化学気相蒸着装置は、好適に
は、前記コーティング膜は、シリコン窒化膜からなるこ
とを特徴とする。
前記不動態処理が施されている前記金属性材料上に、コ
ーティング膜が成膜されていることを特徴とする。本発
明の化学気相蒸着装置は、好適には、前記コーティング
膜はシリコンカーバイドからなることを特徴とする。あ
るいは、本発明の化学気相蒸着装置は、好適には、前記
コーティング膜は、シリコンからなることを特徴とす
る。あるいは、本発明の化学気相蒸着装置は、好適に
は、前記コーティング膜は、シリコン窒化膜からなるこ
とを特徴とする。
【００１７】本発明の化学気相蒸着装置は、好適には、
前記金属性材料と前記コーティング膜との層間に、密着
層を形成することを特徴とする。本発明の化学気相蒸着
装置は、好適には、前記密着層はポリシリコンからなる
ことを特徴とする。また、本発明の化学気相蒸着装置
は、好適には、前記腐食性ガスおよび還元性ガスと接す
る部分に、浮遊微粒子の滞留を防ぐための真空排気手段
または気体供給手段を有することを特徴とする。
前記金属性材料と前記コーティング膜との層間に、密着
層を形成することを特徴とする。本発明の化学気相蒸着
装置は、好適には、前記密着層はポリシリコンからなる
ことを特徴とする。また、本発明の化学気相蒸着装置
は、好適には、前記腐食性ガスおよび還元性ガスと接す
る部分に、浮遊微粒子の滞留を防ぐための真空排気手段
または気体供給手段を有することを特徴とする。
【００１８】上記の本発明の化学気相蒸着装置によれ
ば、金属材料表面にクロムの酸化処理を行い、さらに、
密着層およびバリア層からなるコーティング膜を積層さ
せることにより、ウェハへの重金属汚染を５×１０9 ａ
ｔｍｓ／ｃｍ3 レベルまで低減させることができる。こ
れにより、ＬＯＣＯＳやゲート電極の汚染レベルを低減
させることができ、これらの部分の汚染により問題とな
る、ゲート酸化膜あるいはキャパシタ耐圧の低下や、接
合リークを防止することができる。
ば、金属材料表面にクロムの酸化処理を行い、さらに、
密着層およびバリア層からなるコーティング膜を積層さ
せることにより、ウェハへの重金属汚染を５×１０9 ａ
ｔｍｓ／ｃｍ3 レベルまで低減させることができる。こ
れにより、ＬＯＣＯＳやゲート電極の汚染レベルを低減
させることができ、これらの部分の汚染により問題とな
る、ゲート酸化膜あるいはキャパシタ耐圧の低下や、接
合リークを防止することができる。
【００１９】さらに、上記の目的を達成するため、本発
明の半導体装置の汚染防止方法は、半導体基板上に、腐
食性ガスおよび還元性ガスを用いた化学気相蒸着により
成膜を行う工程において、腐食性ガスおよび還元性ガス
と接する部分の金属性材料に、腐食性ガスや還元性ガス
に対して不活性となるような不動態処理が施されている
化学気相蒸着装置を用いることを特徴とする。本発明の
半導体装置の汚染防止方法は、好適には、前記金属性材
料はステンレス鋼（ＳＵＳ）であることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の汚染防止方法は、好適に
は、前記不動態処理は、前記金属性材料表面に酸化クロ
ム膜を形成することにより行うことを特徴とする。
明の半導体装置の汚染防止方法は、半導体基板上に、腐
食性ガスおよび還元性ガスを用いた化学気相蒸着により
成膜を行う工程において、腐食性ガスおよび還元性ガス
と接する部分の金属性材料に、腐食性ガスや還元性ガス
に対して不活性となるような不動態処理が施されている
化学気相蒸着装置を用いることを特徴とする。本発明の
半導体装置の汚染防止方法は、好適には、前記金属性材
料はステンレス鋼（ＳＵＳ）であることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の汚染防止方法は、好適に
は、前記不動態処理は、前記金属性材料表面に酸化クロ
ム膜を形成することにより行うことを特徴とする。
【００２０】本発明の半導体装置の汚染防止方法は、好
適には、前記不動態処理が施されている前記金属性材料
上に、コーティング膜を成膜することを特徴とする。本
発明の半導体装置の汚染防止方法は、好適には、前記コ
ーティング膜はシリコンカーバイドからなることを特徴
とする。あるいは、本発明の半導体装置の汚染防止方法
は、好適には、前記コーティング膜はシリコンからなる
ことを特徴とする。あるいは、本発明の半導体装置の汚
染防止方法は、好適には、前記コーティング膜はシリコ
ン窒化膜からなることを特徴とする。
適には、前記不動態処理が施されている前記金属性材料
上に、コーティング膜を成膜することを特徴とする。本
発明の半導体装置の汚染防止方法は、好適には、前記コ
ーティング膜はシリコンカーバイドからなることを特徴
とする。あるいは、本発明の半導体装置の汚染防止方法
は、好適には、前記コーティング膜はシリコンからなる
ことを特徴とする。あるいは、本発明の半導体装置の汚
染防止方法は、好適には、前記コーティング膜はシリコ
ン窒化膜からなることを特徴とする。
【００２１】本発明の半導体装置の汚染防止方法は、好
適には、前記金属性材料と前記コーティング膜との層間
に、密着層を形成することを特徴とする。本発明の半導
体装置の汚染防止方法は、好適には、前記密着層はポリ
シリコンからなることを特徴とする。また、本発明の半
導体装置の汚染防止方法は、好適には、前記腐食性ガス
および還元性ガスと接する部分に、浮遊微粒子の滞留を
防ぐための真空排気手段または気体供給手段を設けるこ
とを特徴とする。
適には、前記金属性材料と前記コーティング膜との層間
に、密着層を形成することを特徴とする。本発明の半導
体装置の汚染防止方法は、好適には、前記密着層はポリ
シリコンからなることを特徴とする。また、本発明の半
導体装置の汚染防止方法は、好適には、前記腐食性ガス
および還元性ガスと接する部分に、浮遊微粒子の滞留を
防ぐための真空排気手段または気体供給手段を設けるこ
とを特徴とする。
【００２２】従来、半導体基板への金属汚染を低減する
ためにはコーティング膜を厚く形成する必要があった
が、本発明の半導体装置の汚染防止方法によれば、酸化
クロム層の上層にコーティング膜を形成するため、膜厚
の薄いコーティング膜で十分な汚染防止効果が得られ
る。すなわち、ＣＶＤ装置の反応炉（チャンバー）内の
部品が腐食されて、半導体装置に金属等の汚染が発生す
るのを防ぐことが可能である。
ためにはコーティング膜を厚く形成する必要があった
が、本発明の半導体装置の汚染防止方法によれば、酸化
クロム層の上層にコーティング膜を形成するため、膜厚
の薄いコーティング膜で十分な汚染防止効果が得られ
る。すなわち、ＣＶＤ装置の反応炉（チャンバー）内の
部品が腐食されて、半導体装置に金属等の汚染が発生す
るのを防ぐことが可能である。
【００２３】また、コーティング膜の最表層に、ＣＶＤ
工程で成膜される膜種と類似した組成の膜種を使用する
ため、浮遊ダストの部品に対する親和性を高めることが
できる。これにより、反応炉内のＳＵＳ部品に付着した
反応生成物のダストが、再びＳＵＳ部品から剥離、再浮
遊してウェハに付着するのを防ぐことができる。これに
より、半導体装置の汚染を有効に低減させることができ
る。
工程で成膜される膜種と類似した組成の膜種を使用する
ため、浮遊ダストの部品に対する親和性を高めることが
できる。これにより、反応炉内のＳＵＳ部品に付着した
反応生成物のダストが、再びＳＵＳ部品から剥離、再浮
遊してウェハに付着するのを防ぐことができる。これに
より、半導体装置の汚染を有効に低減させることができ
る。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の化学気相蒸着装
置および半導体装置の汚染防止方法の実施の形態につい
て、図面を参照して下記に説明する。図１に本実施形態
の減圧ＣＶＤ（ＬＰ−ＣＶＤ）装置の概略図を示す。図
１には、垂直方向に延びる反応炉８内に、ウェハ９を上
下に棚状に配列して保持させて成膜を行う縦型のＣＶＤ
装置を示す。反応炉は石英からなる外管６と内管７の２
重構造となっている。
置および半導体装置の汚染防止方法の実施の形態につい
て、図面を参照して下記に説明する。図１に本実施形態
の減圧ＣＶＤ（ＬＰ−ＣＶＤ）装置の概略図を示す。図
１には、垂直方向に延びる反応炉８内に、ウェハ９を上
下に棚状に配列して保持させて成膜を行う縦型のＣＶＤ
装置を示す。反応炉は石英からなる外管６と内管７の２
重構造となっている。
【００２５】１．金属汚染防止処置を施す箇所 金属汚染を防止する処置を施す領域は、ガスの導入口
（図１の導入配管２）から排気のメインバルブ１３ま
で、装置内でガスと金属性部品が接触する部分全体につ
いて行う。具体的には、図１のガス系配管、特に導入配
管２、導入ノズル、磁気シール３、ＳＵＳフランジ４、
排気配管１２、圧力調整器１４およびメインバルブ１３
について処置を施す。これにより、腐食性ガスを用いた
成膜を行い、大気解放の際に外気の巻き込みが起こる場
合にも、半導体基板への金属汚染を防止してクリーン化
することができる。
（図１の導入配管２）から排気のメインバルブ１３ま
で、装置内でガスと金属性部品が接触する部分全体につ
いて行う。具体的には、図１のガス系配管、特に導入配
管２、導入ノズル、磁気シール３、ＳＵＳフランジ４、
排気配管１２、圧力調整器１４およびメインバルブ１３
について処置を施す。これにより、腐食性ガスを用いた
成膜を行い、大気解放の際に外気の巻き込みが起こる場
合にも、半導体基板への金属汚染を防止してクリーン化
することができる。
【００２６】２．ＳＵＳ防食性能の確保 １２％以上のクロム（Ｃｒ）を含有するＳＵＳ合金は、
民生用として十分な防食性能を有する。しかしながら、
ＣＶＤ装置の反応炉のように、腐食性の高い特殊ガスを
用いて、かつ、空気の巻き込みにより水分が存在する場
合には、ＳＵＳでも腐食が進行する。そこで、反応炉の
内側で腐食性や還元性のガスにさらされるＳＵＳ等の金
属材料表面を酸化クロム等の不動態にし、防食処理を施
す。
民生用として十分な防食性能を有する。しかしながら、
ＣＶＤ装置の反応炉のように、腐食性の高い特殊ガスを
用いて、かつ、空気の巻き込みにより水分が存在する場
合には、ＳＵＳでも腐食が進行する。そこで、反応炉の
内側で腐食性や還元性のガスにさらされるＳＵＳ等の金
属材料表面を酸化クロム等の不動態にし、防食処理を施
す。
【００２７】まず、ＳＵＳ部品に電解研磨等を行い表面
を十分に平坦化させる。次に、４０〜１００℃程度に加
熱した純水で、ＳＵＳ部品を２〜６０分程度、洗浄す
る。これにより、ＳＵＳ表面に、１ｎｍ〜数μｍ程度の
クロムの酸化被膜が形成される。
を十分に平坦化させる。次に、４０〜１００℃程度に加
熱した純水で、ＳＵＳ部品を２〜６０分程度、洗浄す
る。これにより、ＳＵＳ表面に、１ｎｍ〜数μｍ程度の
クロムの酸化被膜が形成される。
【００２８】３．コーティング膜の形成 不動態処理を施したＳＵＳ等の金属材料の表面にコーテ
ィング膜を形成する。コーティング膜としてはＳｉ、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、あるいはＳｉＯ2 を成膜することが
できる。ＳＵＳ部品に電解研磨等を行い、表面を平坦化
させた後、アセトン等を用いて脱脂する。続いて、希フ
ッ酸（１００倍希釈程度）を用いて表面をすすぎ洗浄す
る。
ィング膜を形成する。コーティング膜としてはＳｉ、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、あるいはＳｉＯ2 を成膜することが
できる。ＳＵＳ部品に電解研磨等を行い、表面を平坦化
させた後、アセトン等を用いて脱脂する。続いて、希フ
ッ酸（１００倍希釈程度）を用いて表面をすすぎ洗浄す
る。
【００２９】上記の処理を施したＳＵＳ等の金属材料
に、ＬＰ−ＣＶＤ装置の反応炉中で以下のような成膜条
件でコーティングを行う。 （Ａ）ポリシリコンの場合 ６５０℃、２０％ＳｉＨ4 ／Ｎ2 ；５００ｓｃｃｍ、７
０Ｐａ、３０分、１００ｎｍ （Ｂ）シリコン窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）の場合 ８００℃、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ／ＮＨ3 ／Ｎ2 ＝５０／２０
０／３００ｓｃｃｍ、７０Ｐａ、３０分、１００ｎｍ （Ｃ）シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の場合 ８５０℃、ＳｉＨ4 ／ＣＨ4 ／Ｎ2 ＝１００／５０／３
００ｓｃｃｍ、７０Ｐａ、３０分、１００ｎｍ （Ｄ）シリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）の場合 ７５０℃、ＴＥＯＳ／Ｎ2 ＝１００／４００ｓｃｃｍ、
１００Ｐａ、３０分、１００ｎｍ
に、ＬＰ−ＣＶＤ装置の反応炉中で以下のような成膜条
件でコーティングを行う。 （Ａ）ポリシリコンの場合 ６５０℃、２０％ＳｉＨ4 ／Ｎ2 ；５００ｓｃｃｍ、７
０Ｐａ、３０分、１００ｎｍ （Ｂ）シリコン窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）の場合 ８００℃、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ／ＮＨ3 ／Ｎ2 ＝５０／２０
０／３００ｓｃｃｍ、７０Ｐａ、３０分、１００ｎｍ （Ｃ）シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の場合 ８５０℃、ＳｉＨ4 ／ＣＨ4 ／Ｎ2 ＝１００／５０／３
００ｓｃｃｍ、７０Ｐａ、３０分、１００ｎｍ （Ｄ）シリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）の場合 ７５０℃、ＴＥＯＳ／Ｎ2 ＝１００／４００ｓｃｃｍ、
１００Ｐａ、３０分、１００ｎｍ
【００３０】上記の膜種を５０〜１００ｎｍ程度堆積さ
せてコーティング膜とする。これにより、ＣＶＤ工程で
成膜される膜種と類似した組成のコーティング膜がＳＵ
Ｓ部品表面に形成される。したがって、コーティング膜
とダストとの親和性・吸着性が高くなり、ダストがＳＵ
Ｓ部品に付着した後、解離してウェハ表面を汚染するの
を防止することができる。
せてコーティング膜とする。これにより、ＣＶＤ工程で
成膜される膜種と類似した組成のコーティング膜がＳＵ
Ｓ部品表面に形成される。したがって、コーティング膜
とダストとの親和性・吸着性が高くなり、ダストがＳＵ
Ｓ部品に付着した後、解離してウェハ表面を汚染するの
を防止することができる。
【００３１】４．密着層を形成する場合 あるいは、ＳＵＳ等の金属材料と上記のコーティング膜
との間に密着層をはさんでもよい。その場合、密着層上
層のコーティング膜がバリア層として働く。密着層とし
てはポリシリコンを用い、上記のコーティング膜と同様
にＣＶＤにより成膜し、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ等の金属とシ
リサイド化反応をさせる。下層のポリシリコンにより上
層のシリサイド層の応力が緩和される。
との間に密着層をはさんでもよい。その場合、密着層上
層のコーティング膜がバリア層として働く。密着層とし
てはポリシリコンを用い、上記のコーティング膜と同様
にＣＶＤにより成膜し、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ等の金属とシ
リサイド化反応をさせる。下層のポリシリコンにより上
層のシリサイド層の応力が緩和される。
【００３２】また、バリア層としてシリコン窒化膜（Ｓ
ｉ3 Ｎ4 ）またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）を用
い、これらの膜をポリシリコンからなる密着層の上層に
形成し、バリア性を持たせてもよい。コーティング膜を
密着層およびバリア層からなる積層構造とすることによ
り、膜のストレスを調整したり、膜の再生を容易とする
ことができる。Ｓｉ3 Ｎ4 成膜や、ポリシリコン成膜用
の減圧ＣＶＤ装置においては、腐食性あるいは還元性の
ガスが用いられる。したがって、本発明の化学気相蒸着
装置はこれらの用途の化学気相蒸着装置に有効に適用さ
せることができる。
ｉ3 Ｎ4 ）またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）を用
い、これらの膜をポリシリコンからなる密着層の上層に
形成し、バリア性を持たせてもよい。コーティング膜を
密着層およびバリア層からなる積層構造とすることによ
り、膜のストレスを調整したり、膜の再生を容易とする
ことができる。Ｓｉ3 Ｎ4 成膜や、ポリシリコン成膜用
の減圧ＣＶＤ装置においては、腐食性あるいは還元性の
ガスが用いられる。したがって、本発明の化学気相蒸着
装置はこれらの用途の化学気相蒸着装置に有効に適用さ
せることができる。
【００３３】５．パージまたは真空パージを組み合わせ
る場合 上記のようなコーティング膜が形成できず、反応炉に供
給されるガスと、ＳＵＳ表面との完全な遮断が不可能な
箇所については、パージや、真空パージを組み合わせて
行い、ダストの発生やダストの付着を抑制してもよい。
例えば、磁気シール部の回転軸部分においては、回転軸
と磁気シール部の熱膨張係数の違いに起因した剥離が起
こりやすいが、この箇所に上記のようなコーティング膜
を形成することは困難である。そこで、パージまたは真
空パージを行って汚染を防止する。
る場合 上記のようなコーティング膜が形成できず、反応炉に供
給されるガスと、ＳＵＳ表面との完全な遮断が不可能な
箇所については、パージや、真空パージを組み合わせて
行い、ダストの発生やダストの付着を抑制してもよい。
例えば、磁気シール部の回転軸部分においては、回転軸
と磁気シール部の熱膨張係数の違いに起因した剥離が起
こりやすいが、この箇所に上記のようなコーティング膜
を形成することは困難である。そこで、パージまたは真
空パージを行って汚染を防止する。
【００３４】図２に、磁気シール部の回転軸部分の断面
図（中心軸２７について対称構造となっている）を示
す。ＳＵＳフランジからの金属性ダストが発生するのを
防止するため、密着層２２としてポリシリコンコーティ
ング膜を膜厚１００ｎｍ程度、ＣＶＤ法により形成す
る。さらに、バリア層２３としてシリコン窒化膜コーテ
ィング膜を膜厚１００ｎｍ程度形成する。
図（中心軸２７について対称構造となっている）を示
す。ＳＵＳフランジからの金属性ダストが発生するのを
防止するため、密着層２２としてポリシリコンコーティ
ング膜を膜厚１００ｎｍ程度、ＣＶＤ法により形成す
る。さらに、バリア層２３としてシリコン窒化膜コーテ
ィング膜を膜厚１００ｎｍ程度形成する。
【００３５】構造的に、あるいは、非金属性材料からな
るために、コーティング膜を形成することが困難な箇
所、例えば、磁気シール部分２５には窒素ガスパージお
よび真空パージを行い、ダストの滞留を防止する。パー
ジまたは真空パージには、従来公知の方法（例えば、特
開平７−１６９７０６号公報記載の装置）等を用いるこ
とが可能である。
るために、コーティング膜を形成することが困難な箇
所、例えば、磁気シール部分２５には窒素ガスパージお
よび真空パージを行い、ダストの滞留を防止する。パー
ジまたは真空パージには、従来公知の方法（例えば、特
開平７−１６９７０６号公報記載の装置）等を用いるこ
とが可能である。
【００３６】上記の本実施形態の化学気相蒸着装置およ
び半導体装置の汚染防止方法によれば、ウェハへの金属
汚染を５×１０9 ａｔｍｓ／ｃｍ3 以下まで低減させる
ことができる。また、ウェハ上の不純物汚染に起因する
半導体装置の特性不良を防止して、歩留りを向上させる
ことができる。本発明の化学気相蒸着装置は、上記の実
施の形態に限定されない。例えば、ＳＵＳ等の金属材料
表面をコーティングする膜を形成する方法は、減圧ＣＶ
Ｄ法の代わりにＰＥ−ＣＶＤ、スパッタリング法あるい
はＨＤＰ−ＣＶＤ法であってもよい。その他、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
び半導体装置の汚染防止方法によれば、ウェハへの金属
汚染を５×１０9 ａｔｍｓ／ｃｍ3 以下まで低減させる
ことができる。また、ウェハ上の不純物汚染に起因する
半導体装置の特性不良を防止して、歩留りを向上させる
ことができる。本発明の化学気相蒸着装置は、上記の実
施の形態に限定されない。例えば、ＳＵＳ等の金属材料
表面をコーティングする膜を形成する方法は、減圧ＣＶ
Ｄ法の代わりにＰＥ−ＣＶＤ、スパッタリング法あるい
はＨＤＰ−ＣＶＤ法であってもよい。その他、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００３７】
【発明の効果】本発明の化学気相蒸着装置によれば、金
属材料表面にクロムの酸化処理を行い、さらに、密着層
およびバリア層からなるコーティング膜を積層させるこ
とにより、ウェハへの重金属汚染を５×１０9 ａｔｍｓ
／ｃｍ3 以下まで低減させることができる。これによ
り、ＬＯＣＯＳやゲート電極の汚染レベルを低減させる
ことができ、これらの部分の汚染により問題となる、ゲ
ート酸化膜あるいはキャパシタ耐圧の低下や、接合リー
クを防止することができる。
属材料表面にクロムの酸化処理を行い、さらに、密着層
およびバリア層からなるコーティング膜を積層させるこ
とにより、ウェハへの重金属汚染を５×１０9 ａｔｍｓ
／ｃｍ3 以下まで低減させることができる。これによ
り、ＬＯＣＯＳやゲート電極の汚染レベルを低減させる
ことができ、これらの部分の汚染により問題となる、ゲ
ート酸化膜あるいはキャパシタ耐圧の低下や、接合リー
クを防止することができる。
【００３８】また、従来、半導体基板への金属汚染を低
減するためにはコーティング膜を厚く形成する必要があ
ったが、本発明の化学気相蒸着装置によれば、酸化クロ
ム層の上層にコーティング膜を形成するため、コーティ
ング膜の膜厚を低減させることが可能となる。さらに、
本発明の化学気相蒸着装置によれば、ＣＶＤにより成膜
される膜種と、組成が類似した膜種を最表層に使用する
ため、ダストの部品への吸着が高まる。これにより、反
応炉内のＳＵＳ部品に付着した反応生成物のダストが、
再びＳＵＳ部品から剥離して再浮遊し、ウェハに付着す
るのを防ぐことができる。これにより、ウェハ付着ダス
トを低減させることができる。
減するためにはコーティング膜を厚く形成する必要があ
ったが、本発明の化学気相蒸着装置によれば、酸化クロ
ム層の上層にコーティング膜を形成するため、コーティ
ング膜の膜厚を低減させることが可能となる。さらに、
本発明の化学気相蒸着装置によれば、ＣＶＤにより成膜
される膜種と、組成が類似した膜種を最表層に使用する
ため、ダストの部品への吸着が高まる。これにより、反
応炉内のＳＵＳ部品に付着した反応生成物のダストが、
再びＳＵＳ部品から剥離して再浮遊し、ウェハに付着す
るのを防ぐことができる。これにより、ウェハ付着ダス
トを低減させることができる。
【００３９】上記のように、本発明の化学気相蒸着装置
を用いた本発明の半導体装置の汚染防止方法によれば、
半導体基板上に化学気相蒸着（ＣＶＤ）を行う工程にお
いて、ＣＶＤ装置の反応炉（チャンバー）内の部品が腐
食されて、半導体装置に金属等の汚染が発生するのを防
ぐことが可能である。
を用いた本発明の半導体装置の汚染防止方法によれば、
半導体基板上に化学気相蒸着（ＣＶＤ）を行う工程にお
いて、ＣＶＤ装置の反応炉（チャンバー）内の部品が腐
食されて、半導体装置に金属等の汚染が発生するのを防
ぐことが可能である。
【図１】本発明の化学気相蒸着装置である減圧ＣＶＤ装
置の概略図を示す。
置の概略図を示す。
【図２】本発明の化学気相蒸着装置である減圧ＣＶＤ装
置の回転軸および磁気シール部分の拡大図である。
置の回転軸および磁気シール部分の拡大図である。
【図３】酸化膜耐圧不良欠陥密度の基板中鉄濃度依存性
を表すグラフである。
を表すグラフである。
【図４】従来の化学気相蒸着装置である減圧ＣＶＤ装置
の概略図を示す。
の概略図を示す。
１、３１…ガス供給源、２、３２…導入配管および保温
ヒーター、３、２５、３３…磁気シール、４、２１、３
４…ＳＵＳフランジ、５…コーティング膜、６、３６…
外管、７、３７…内管、８、３８…石英チューブ、９、
３９…ウェハ、１０、４０…３分割ヒーター、１１、４
１…圧力計、１２、４２…排気配管および保温ヒータ
ー、１３、４３…メインバルブ、１４、４４…圧力調整
器、１５、４５…トラップ、２２…密着層（ポリシリコ
ンコーティング膜）、２３…バリア層（シリコン窒化膜
コーティング膜）、２４…窒素パージおよび真空パー
ジ、２６…ベアリング部、２７…ＳＵＳフランジ回転
軸。
ヒーター、３、２５、３３…磁気シール、４、２１、３
４…ＳＵＳフランジ、５…コーティング膜、６、３６…
外管、７、３７…内管、８、３８…石英チューブ、９、
３９…ウェハ、１０、４０…３分割ヒーター、１１、４
１…圧力計、１２、４２…排気配管および保温ヒータ
ー、１３、４３…メインバルブ、１４、４４…圧力調整
器、１５、４５…トラップ、２２…密着層（ポリシリコ
ンコーティング膜）、２３…バリア層（シリコン窒化膜
コーティング膜）、２４…窒素パージおよび真空パー
ジ、２６…ベアリング部、２７…ＳＵＳフランジ回転
軸。
Claims (20)
- 【請求項１】腐食性ガスおよび還元性ガスを用いて化学
気相蒸着を行う化学気相蒸着装置において、 腐食性ガスおよび還元性ガスと接する部分の金属性材料
に、腐食性ガスや還元性ガスに対して不活性となるよう
な不動態処理が施されている化学気相蒸着装置。 - 【請求項２】前記化学気相蒸着を行う対象は、半導体基
板または半導体基板上に形成された物であり、前記金属
性材料はステンレス鋼（ＳＵＳ）である請求項１記載の
化学気相蒸着装置。 - 【請求項３】前記不動態処理は、前記金属性材料表面に
酸化クロム膜を形成する処理である請求項２記載の化学
気相蒸着装置。 - 【請求項４】前記不動態処理が施されている前記金属性
材料上に、コーティング膜が成膜されている請求項２記
載の化学気相蒸着装置。 - 【請求項５】前記コーティング膜は、シリコンカーバイ
ドからなる請求項４記載の化学気相蒸着装置。 - 【請求項６】前記コーティング膜は、シリコンからなる
請求項４記載の化学気相蒸着装置。 - 【請求項７】前記コーティング膜は、シリコン窒化膜か
らなる請求項４記載の化学気相蒸着装置。 - 【請求項８】前記金属性材料と前記コーティング膜との
層間に、密着層が形成されている請求項４記載の化学気
相蒸着装置。 - 【請求項９】前記密着層は、ポリシリコンからなる請求
項８記載の化学気相蒸着装置。 - 【請求項１０】前記腐食性ガスおよび還元性ガスと接す
る部分に、浮遊微粒子の滞留を防ぐための真空排気手段
または気体供給手段を有する請求項１記載の化学気相蒸
着装置。 - 【請求項１１】半導体基板上に、腐食性ガスおよび還元
性ガスを用いた化学気相蒸着により成膜を行う工程にお
いて、 腐食性ガスおよび還元性ガスと接する部分の金属性材料
に、腐食性ガスや還元性ガスに対して不活性となるよう
な不動態処理が施されている化学気相蒸着装置を用いる
半導体装置の汚染防止方法。 - 【請求項１２】前記金属性材料はステンレス鋼（ＳＵ
Ｓ）である請求項１１記載の半導体装置の汚染防止方
法。 - 【請求項１３】前記不動態処理は、前記金属性材料表面
に酸化クロム膜を形成することにより行う請求項１２記
載の半導体装置の汚染防止方法。 - 【請求項１４】前記不動態処理が施されている前記金属
性材料上に、コーティング膜を成膜する請求項１２記載
の半導体装置の汚染防止方法。 - 【請求項１５】前記コーティング膜は、シリコンカーバ
イドからなる請求項１４記載の半導体装置の汚染防止方
法。 - 【請求項１６】前記コーティング膜は、シリコンからな
る請求項１４記載の半導体装置の汚染防止方法。 - 【請求項１７】前記コーティング膜は、シリコン窒化膜
からなる請求項１４記載の半導体装置の汚染防止方法。 - 【請求項１８】前記金属性材料と前記コーティング膜と
の層間に、密着層を形成する請求項１４記載の半導体装
置の汚染防止方法。 - 【請求項１９】前記密着層は、ポリシリコンからなる請
求項１８記載の半導体装置の汚染防止方法。 - 【請求項２０】前記腐食性ガスおよび還元性ガスと接す
る部分に、浮遊微粒子の滞留を防ぐための真空排気手段
または気体供給手段を設ける請求項１１記載の半導体装
置の汚染防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15141298A JPH11345772A (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 化学気相蒸着装置および半導体装置の汚染防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15141298A JPH11345772A (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 化学気相蒸着装置および半導体装置の汚染防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345772A true JPH11345772A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15518049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15141298A Abandoned JPH11345772A (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 化学気相蒸着装置および半導体装置の汚染防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11345772A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222807A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| WO2004089822A1 (ja) * | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Ideal Star Inc. | ガス原子内包フラーレンの製造装置及び製造方法並びにガス原子内包フラーレン |
| WO2009069204A1 (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | 誘電体バリア放電装置 |
| US7879400B2 (en) | 2006-10-10 | 2011-02-01 | Hitachi Kokusal Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing a semiconductor device, and method of forming a thin film on metal surface |
-
1998
- 1998-06-01 JP JP15141298A patent/JPH11345772A/ja not_active Abandoned
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222807A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP4640891B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| WO2004089822A1 (ja) * | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Ideal Star Inc. | ガス原子内包フラーレンの製造装置及び製造方法並びにガス原子内包フラーレン |
| US7879400B2 (en) | 2006-10-10 | 2011-02-01 | Hitachi Kokusal Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing a semiconductor device, and method of forming a thin film on metal surface |
| WO2009069204A1 (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | 誘電体バリア放電装置 |
| JP5088375B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2012-12-05 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 誘電体バリア放電装置 |
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|---|---|---|---|
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