JP2743351B2 - 気相エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
気相エピタキシヤル成長方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、例えばシリコン等の半導体基板上に、こ
の基板とは異なる格子定数を有する例えばGaAsを成長さ
せるようにする気相エピタキシャル成長方法に関する。 ［従来の技術］ 半導体装置を構成する場合、半導体基板上にこの基板
半導体とは格子定数の異なる半導体物質を気相成長さ
せ、エピタキシャル層を形成することが行われている。
例えば、シリコンからなる半導体基板上に、GaAs、InP
等のIII−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させ
るようにするものである。 このようにシリコン基板上に例えばGaAs、InPをエピ
タキシャル成長させるようにする場合、格子の不整合率
がGaAsで4.1％、InPで8.1％存在するものであり、この
ため単にシリコン基板上にGaAs層の成長形成するように
しただけでは、欠陥の多い表面形状の悪いエピタキシャ
ル層の膜が形成されるようになる。 このような問題点を解決するために、例えば特開昭61
−91098号公報に示されるように、シリコン基板とGaAs
層との間に、超格子を構成要素とする中間層を形成し、
この中間層によってシリコンとGaAsとの間の格子不整合
を吸収させるようにすることが考えられている。しか
し、この中間層を形成する手段を用いても、混晶と極薄
膜の繰返しの制御が必要となるものであり、複雑な工程
制御が要求されるようになる。 また、シリコン基板上に直接GaAsを成長させるように
する手段として、２段階成長法が知られている。しかも
この方法で成長されたGaAs層は、例えば応用電子物性分
科会研究報告のNo.415、あるいは第33回応物関係連合講
演会4P−Ｗ−７に示されているように、転位等の欠陥が
多数存在するようになるものである。 ［発明が解決しようとする問題点］ この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、特
に半導体基板上に２段階成長法によって例えばGaAsを成
長させるようにした場合において、転位の少ない充分に
品位の高いエピタキシャル層が成長形成されるようにす
る気相エピタキシャル成長方法を提案しようとするもの
である。 ［問題点を解決するための手段］ すなわち、この発明に係る気相エピタキシャル成長方
法にあっては、第１の工程にて、所定の格子定数の結晶
構造を有する半導体基板上に、所定の有機金属ガスを含
む第１の混合ガスを用いて、アモルファス、多結晶、双
晶が形成されるような低温度で、この基板と格子定数の
異なる半導体物質を薄膜上に成長させる。第２の工程に
て、上記第１の工程で形成された薄膜状の成長層を上記
第１の工程の際の成長温度より高く、上記薄膜状の成長
層が単結晶化可能な所定温度まで昇温させる。第３の工
程にて、上記所定の有機金属ガスの供給を停止した第２
の混合ガス雰囲気中で、上記第２の工程における上記所
定温度を所定時間維持させて熱処理することで、上記半
導体物質の薄膜成長層を島状の単結晶にする。第４の工
程にて、この第３の工程で上記半導体物質の島状単結晶
の形成された上記半導体基板に、上記所定の有機金属ガ
スを含む上記第１の混合ガスを用いて、上記第１の工程
の際の成長温度よりも高く、上記基板と格子定数の異な
る半導体物質が単結晶化可能な温度で、さらに上記半導
体物質を成長させるようにするものである。 ［作用］ 上記のようにしてまず半導体基板上に低温成長によっ
て半導体物質の層が形成され、この成長層が単結晶化可
能な所定温度まで昇温し、続いて有機金属ガスの供給を
停止した第２の混合ガス雰囲気中で、上記所定温度を所
定時間維持させてこの成長層を熱処理することで結晶性
の良い島状の単結晶が形成される。そして、このように
島状の単結晶が形成された状態でさらに高温で半導体物
質の層を形成することによって転位の少ない高品位のエ
ピタキシャル成長層が形成されるようになるものであ
る。すなわち、成長層が単結晶化可能な所定温度で所定
時間熱処理して結晶性の良い島状の単結晶を形成し、そ
の後に所定のエピタキシャル層を形成することによって
高品位のエピタキシャル成長層が得られるようになるも
のである。 ［発明の実施例］ 以下、図面を参照しながらこの発明の一実施例を説明
する。第１図はエピタキシャル成長層を形成するための
装置の概略を示しているもので、石英によって構成され
た反応容器11内で気相成長が行われるようにされる。 そして、エピタキシャル層を形成するシリコン等の半
導体基板12は、石英トレイ13に乗せて、予備室（ロード
ロック室）から自動もしくは手動の搬送機構によって、
上記反応容器11内に搬入され、グラファイト製のサセプ
タ14に設定されるようになる。このサセプタ14はワーク
コイル15に支えられているもので、このワークコイル15
によってサセプタ14、すなわち半導体基板12が反応容器
11内の所定の位置に設定されるようにしている。 上記反応容器11の周囲には、高周波誘導コイル16が設
けられている。このコイル16には選択的に高周波電力が
供給されるもので、上記半導体基板12を誘導加熱するた
めに用いられる。この場合、詳細は図示していないがワ
ークコイル15には適宜熱電対等による温度検出手段、お
よび温度調節装置が設定されているもので、半導体基板
12が所望の成長温度に設定されるように制御されるよう
にしている。 そして、上記反応容器11の内部には、原料ガス容器17
からの原料ガス（AsH3）が、流量調整器18（マスフロー
コントローラ＝MFC）を介して、精密に流量調節してノ
ズル19から供給されるようになっている。またH2なるキ
ャリアガスが、流量調整器20を介して反応容器11に供給
されるようになっているものであり、さらにこの反応容
器11には上記H2ガスが流量調整器21からキャリアガスと
して容器22に供給され、トリメチルガリウム（TMG）が
選択的に上記ノズル19に供給されるようになっている。 上記反応容器11には排気口23が形成されている。そし
て成長時にあっては、上記反応容器11は常圧（大気圧）
に設定されているもので、減圧成長する場合には上記排
気口23から油回転ポンプ等によって排気し、反応容器11
内が所望の圧力状態に設定されるようにしている。ここ
で、半導体基板12に形成される成長層の厚さを均一にす
るため、ワークコイル15によってサセプタ14を回転さ
せ、基板12が回転されるようにすることがある。 このように設定される反応容器11内で半導体基板11の
表面に例えばGaAsの膜を成長形成するものであるが、そ
の成長方法の過程を第２図に示した温度プログラムに基
づいて以下説明する。 まず、シリコンからなる半導体基板12はトレイ13上に
載置設定し、図示されない予備室から反応容器11内のサ
セプタ14上に搬送される。そして、ワークコイル15によ
って反応容器11内の所定の位置に上記半導体基板12を設
置し、この状態で高周波誘導コイル16に付属される高周
波電源から高周波電流を供給し、半導体基板12の温度が
上昇制御されるようにする。 具体的には、第２図で示されるようにまず室温から45
0℃まで温度を上昇させるものであり、この450℃に設定
された状態で反応容器11内に、トリメチルガリウム（TM
G）とアルシン（AsH3）とキャリアガス（H2）とを、ノ
ズル19を介して反応容器11内に所定量流し込む。そし
て、半導体基板12の表面にGaAsの薄膜を低温成長させ
る。 このときのGaAs膜の厚みは約100Å程度が良いもので
あり、また、その結晶性はアモルファス、多結晶または
双晶がよいものである。第３図はこの低温成長されたGa
As層のRHEED像を示しているもので、双晶となっている
ことが理解できる。 このように低温成長によるGaAs層が形成された後は、
トリメチルガリウムの供給を停止させ、AsH3とH2とのガ
ス雰囲気中で750℃まで基板12の温度を上昇させ、この
温度状態に安定したならば同じく上記同様のガス雰囲気
中で５分程度熱処理する。このような750℃までの昇温
過程と上記750℃の熱処理とによって、前記低温成長さ
れたGaAs層は島状の単結晶の状態とされるようになる。
第４図はこの750℃の熱処理をされた後のRHEED像を示し
ているもので、島状単結晶の状態が明確に判断できる。 このようにして島状単結晶が形成されたならば、さら
にこの単結晶GaAsを成長させるために反応容器11内にト
リメチルガリウムを供給し、所望の厚みのGaAs膜を成長
形成させるようにする。 このような手段によって成長されたGaAs膜は、フォト
ルミネッセンスの発光効率の高いものとされるものであ
り、結晶性の良いGaAsヘテロエピタキシャル成長層とな
っているものである。 尚、前記低温成長GaAs層が約1000Å程度となるように
厚すぎて、750℃の熱処理によって島状単結晶が形成さ
れないような状態となった場合は、その後にトリメチル
ガリウムを流し750℃でGaAs層を成長させるようにして
も、その成長層の表面モフォロジーが悪く、結晶性の悪
い膜となるものである。また、上記低温成長膜の膜厚は
200Å以下となることが好ましい。 第５図はエピタキシャル成長方法の他の例を説明する
ための成長温度プログラムを示しているもので、この例
にあっては750℃で熱処理した後に成長温度を650℃まで
低下させている。 すなわち、450℃で低温成長させたGaAs層の薄膜を、7
50℃で熱処理することによって島状の単結晶GaAsを形成
した後に、650℃の温度状態でトリメチルガリウムを流
し、GaAs層を所望の厚さまで成長させるようにする。こ
のようにすると、前記実施例と同様に表面モフォロジー
が良く、結晶性の優れた単結晶GaAs成長層が形成される
ものである。 ここで、第５図に破線Ａで示すように島状の単結晶に
する熱処理工程を行なわないようにすると、形成された
GaAs成長層は表面モフォロジーが悪く、しかも結晶性の
悪いものとなる。 これまでの実施例にあっては、シリコン基板上にGaAs
層を成長させる場合を示しているものであるが、GaAsに
限らず、AlGaAs、InP、SiC等の半導体物質を成長させる
場合でも、上記同様の成長方法が実施できるものであ
る。 さらに実施例では低温成長GaAs層の成長温度を450
℃、熱処理温度を750℃として示しているものである
が、この温度は成長させる装置によって適宜設定される
ようになるものであり、要するにアモルファス、多結晶
もしくは双晶のGaAs薄膜を成長させた後、島状の単結晶
を成長させる熱処理工程を入れることによって、表面モ
フォロジーおよび結晶性の優れたGaAs層が成長されるよ
うになるものである。 ［発明の効果］ 以上のようにこの発明に係る気相エピタキシャル成長
方法によれば、低温成長によって形成された半導体物質
が熱処理によって島状単結晶状態とされるものであり、
そしてその後高温状態での成長によって単結晶による半
導体物質成長層が形成されるようになる。この場合、こ
の成長形成された半導体物質層は、結晶性の優れた転位
が少なく且つ品位の高いエピタキシャル層とされるもの
である。
の基板とは異なる格子定数を有する例えばGaAsを成長さ
せるようにする気相エピタキシャル成長方法に関する。 ［従来の技術］ 半導体装置を構成する場合、半導体基板上にこの基板
半導体とは格子定数の異なる半導体物質を気相成長さ
せ、エピタキシャル層を形成することが行われている。
例えば、シリコンからなる半導体基板上に、GaAs、InP
等のIII−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させ
るようにするものである。 このようにシリコン基板上に例えばGaAs、InPをエピ
タキシャル成長させるようにする場合、格子の不整合率
がGaAsで4.1％、InPで8.1％存在するものであり、この
ため単にシリコン基板上にGaAs層の成長形成するように
しただけでは、欠陥の多い表面形状の悪いエピタキシャ
ル層の膜が形成されるようになる。 このような問題点を解決するために、例えば特開昭61
−91098号公報に示されるように、シリコン基板とGaAs
層との間に、超格子を構成要素とする中間層を形成し、
この中間層によってシリコンとGaAsとの間の格子不整合
を吸収させるようにすることが考えられている。しか
し、この中間層を形成する手段を用いても、混晶と極薄
膜の繰返しの制御が必要となるものであり、複雑な工程
制御が要求されるようになる。 また、シリコン基板上に直接GaAsを成長させるように
する手段として、２段階成長法が知られている。しかも
この方法で成長されたGaAs層は、例えば応用電子物性分
科会研究報告のNo.415、あるいは第33回応物関係連合講
演会4P−Ｗ−７に示されているように、転位等の欠陥が
多数存在するようになるものである。 ［発明が解決しようとする問題点］ この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、特
に半導体基板上に２段階成長法によって例えばGaAsを成
長させるようにした場合において、転位の少ない充分に
品位の高いエピタキシャル層が成長形成されるようにす
る気相エピタキシャル成長方法を提案しようとするもの
である。 ［問題点を解決するための手段］ すなわち、この発明に係る気相エピタキシャル成長方
法にあっては、第１の工程にて、所定の格子定数の結晶
構造を有する半導体基板上に、所定の有機金属ガスを含
む第１の混合ガスを用いて、アモルファス、多結晶、双
晶が形成されるような低温度で、この基板と格子定数の
異なる半導体物質を薄膜上に成長させる。第２の工程に
て、上記第１の工程で形成された薄膜状の成長層を上記
第１の工程の際の成長温度より高く、上記薄膜状の成長
層が単結晶化可能な所定温度まで昇温させる。第３の工
程にて、上記所定の有機金属ガスの供給を停止した第２
の混合ガス雰囲気中で、上記第２の工程における上記所
定温度を所定時間維持させて熱処理することで、上記半
導体物質の薄膜成長層を島状の単結晶にする。第４の工
程にて、この第３の工程で上記半導体物質の島状単結晶
の形成された上記半導体基板に、上記所定の有機金属ガ
スを含む上記第１の混合ガスを用いて、上記第１の工程
の際の成長温度よりも高く、上記基板と格子定数の異な
る半導体物質が単結晶化可能な温度で、さらに上記半導
体物質を成長させるようにするものである。 ［作用］ 上記のようにしてまず半導体基板上に低温成長によっ
て半導体物質の層が形成され、この成長層が単結晶化可
能な所定温度まで昇温し、続いて有機金属ガスの供給を
停止した第２の混合ガス雰囲気中で、上記所定温度を所
定時間維持させてこの成長層を熱処理することで結晶性
の良い島状の単結晶が形成される。そして、このように
島状の単結晶が形成された状態でさらに高温で半導体物
質の層を形成することによって転位の少ない高品位のエ
ピタキシャル成長層が形成されるようになるものであ
る。すなわち、成長層が単結晶化可能な所定温度で所定
時間熱処理して結晶性の良い島状の単結晶を形成し、そ
の後に所定のエピタキシャル層を形成することによって
高品位のエピタキシャル成長層が得られるようになるも
のである。 ［発明の実施例］ 以下、図面を参照しながらこの発明の一実施例を説明
する。第１図はエピタキシャル成長層を形成するための
装置の概略を示しているもので、石英によって構成され
た反応容器11内で気相成長が行われるようにされる。 そして、エピタキシャル層を形成するシリコン等の半
導体基板12は、石英トレイ13に乗せて、予備室（ロード
ロック室）から自動もしくは手動の搬送機構によって、
上記反応容器11内に搬入され、グラファイト製のサセプ
タ14に設定されるようになる。このサセプタ14はワーク
コイル15に支えられているもので、このワークコイル15
によってサセプタ14、すなわち半導体基板12が反応容器
11内の所定の位置に設定されるようにしている。 上記反応容器11の周囲には、高周波誘導コイル16が設
けられている。このコイル16には選択的に高周波電力が
供給されるもので、上記半導体基板12を誘導加熱するた
めに用いられる。この場合、詳細は図示していないがワ
ークコイル15には適宜熱電対等による温度検出手段、お
よび温度調節装置が設定されているもので、半導体基板
12が所望の成長温度に設定されるように制御されるよう
にしている。 そして、上記反応容器11の内部には、原料ガス容器17
からの原料ガス（AsH3）が、流量調整器18（マスフロー
コントローラ＝MFC）を介して、精密に流量調節してノ
ズル19から供給されるようになっている。またH2なるキ
ャリアガスが、流量調整器20を介して反応容器11に供給
されるようになっているものであり、さらにこの反応容
器11には上記H2ガスが流量調整器21からキャリアガスと
して容器22に供給され、トリメチルガリウム（TMG）が
選択的に上記ノズル19に供給されるようになっている。 上記反応容器11には排気口23が形成されている。そし
て成長時にあっては、上記反応容器11は常圧（大気圧）
に設定されているもので、減圧成長する場合には上記排
気口23から油回転ポンプ等によって排気し、反応容器11
内が所望の圧力状態に設定されるようにしている。ここ
で、半導体基板12に形成される成長層の厚さを均一にす
るため、ワークコイル15によってサセプタ14を回転さ
せ、基板12が回転されるようにすることがある。 このように設定される反応容器11内で半導体基板11の
表面に例えばGaAsの膜を成長形成するものであるが、そ
の成長方法の過程を第２図に示した温度プログラムに基
づいて以下説明する。 まず、シリコンからなる半導体基板12はトレイ13上に
載置設定し、図示されない予備室から反応容器11内のサ
セプタ14上に搬送される。そして、ワークコイル15によ
って反応容器11内の所定の位置に上記半導体基板12を設
置し、この状態で高周波誘導コイル16に付属される高周
波電源から高周波電流を供給し、半導体基板12の温度が
上昇制御されるようにする。 具体的には、第２図で示されるようにまず室温から45
0℃まで温度を上昇させるものであり、この450℃に設定
された状態で反応容器11内に、トリメチルガリウム（TM
G）とアルシン（AsH3）とキャリアガス（H2）とを、ノ
ズル19を介して反応容器11内に所定量流し込む。そし
て、半導体基板12の表面にGaAsの薄膜を低温成長させ
る。 このときのGaAs膜の厚みは約100Å程度が良いもので
あり、また、その結晶性はアモルファス、多結晶または
双晶がよいものである。第３図はこの低温成長されたGa
As層のRHEED像を示しているもので、双晶となっている
ことが理解できる。 このように低温成長によるGaAs層が形成された後は、
トリメチルガリウムの供給を停止させ、AsH3とH2とのガ
ス雰囲気中で750℃まで基板12の温度を上昇させ、この
温度状態に安定したならば同じく上記同様のガス雰囲気
中で５分程度熱処理する。このような750℃までの昇温
過程と上記750℃の熱処理とによって、前記低温成長さ
れたGaAs層は島状の単結晶の状態とされるようになる。
第４図はこの750℃の熱処理をされた後のRHEED像を示し
ているもので、島状単結晶の状態が明確に判断できる。 このようにして島状単結晶が形成されたならば、さら
にこの単結晶GaAsを成長させるために反応容器11内にト
リメチルガリウムを供給し、所望の厚みのGaAs膜を成長
形成させるようにする。 このような手段によって成長されたGaAs膜は、フォト
ルミネッセンスの発光効率の高いものとされるものであ
り、結晶性の良いGaAsヘテロエピタキシャル成長層とな
っているものである。 尚、前記低温成長GaAs層が約1000Å程度となるように
厚すぎて、750℃の熱処理によって島状単結晶が形成さ
れないような状態となった場合は、その後にトリメチル
ガリウムを流し750℃でGaAs層を成長させるようにして
も、その成長層の表面モフォロジーが悪く、結晶性の悪
い膜となるものである。また、上記低温成長膜の膜厚は
200Å以下となることが好ましい。 第５図はエピタキシャル成長方法の他の例を説明する
ための成長温度プログラムを示しているもので、この例
にあっては750℃で熱処理した後に成長温度を650℃まで
低下させている。 すなわち、450℃で低温成長させたGaAs層の薄膜を、7
50℃で熱処理することによって島状の単結晶GaAsを形成
した後に、650℃の温度状態でトリメチルガリウムを流
し、GaAs層を所望の厚さまで成長させるようにする。こ
のようにすると、前記実施例と同様に表面モフォロジー
が良く、結晶性の優れた単結晶GaAs成長層が形成される
ものである。 ここで、第５図に破線Ａで示すように島状の単結晶に
する熱処理工程を行なわないようにすると、形成された
GaAs成長層は表面モフォロジーが悪く、しかも結晶性の
悪いものとなる。 これまでの実施例にあっては、シリコン基板上にGaAs
層を成長させる場合を示しているものであるが、GaAsに
限らず、AlGaAs、InP、SiC等の半導体物質を成長させる
場合でも、上記同様の成長方法が実施できるものであ
る。 さらに実施例では低温成長GaAs層の成長温度を450
℃、熱処理温度を750℃として示しているものである
が、この温度は成長させる装置によって適宜設定される
ようになるものであり、要するにアモルファス、多結晶
もしくは双晶のGaAs薄膜を成長させた後、島状の単結晶
を成長させる熱処理工程を入れることによって、表面モ
フォロジーおよび結晶性の優れたGaAs層が成長されるよ
うになるものである。 ［発明の効果］ 以上のようにこの発明に係る気相エピタキシャル成長
方法によれば、低温成長によって形成された半導体物質
が熱処理によって島状単結晶状態とされるものであり、
そしてその後高温状態での成長によって単結晶による半
導体物質成長層が形成されるようになる。この場合、こ
の成長形成された半導体物質層は、結晶性の優れた転位
が少なく且つ品位の高いエピタキシャル層とされるもの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例に係る気相エピタキシャル
成長を実施するための装置の概略を示す構成図、第２図
は上記装置を用いてエピタキシャル層を形成する場合の
温度プログラムの状態を示す図、第３図および第４図は
それぞれ上記エピタキシャル成長過程における成長層部
分の結晶構造の写真を示す図、第５図はこの発明の他の
実施例を説明するための成長温度プログラムの状態を示
す図である。 11……反応容器、12……半導体基板、13……トレイ、14
……サセプタ、15……ワークコイル、16……高周波誘導
コイル。
成長を実施するための装置の概略を示す構成図、第２図
は上記装置を用いてエピタキシャル層を形成する場合の
温度プログラムの状態を示す図、第３図および第４図は
それぞれ上記エピタキシャル成長過程における成長層部
分の結晶構造の写真を示す図、第５図はこの発明の他の
実施例を説明するための成長温度プログラムの状態を示
す図である。 11……反応容器、12……半導体基板、13……トレイ、14
……サセプタ、15……ワークコイル、16……高周波誘導
コイル。
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フロントページの続き
(72)発明者 粟野 直美
刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電装株
式会社内
(72)発明者 鈴木 孝昌
刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電装株
式会社内
(72)発明者 星野 浩一
刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電装株
式会社内
(72)発明者 原 邦彦
刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電装株
式会社内
(56)参考文献 特開 昭61−26216（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−2028（ＪＰ，Ａ)
実開 昭56−155442（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．所定の格子定数の結晶構造を有する半導体基板上
に、所定の有機金属ガスを含む第１の混合ガスを用い
て、アモルファス、多結晶、双晶が形成されるような低
温度で、この基板と格子定数の異なる半導体物質を薄膜
上に成長させる第１の工程と、 上記第１の工程で形成された薄膜状の成長層を上記第１
の工程の際の成長温度よりも高く、上記薄膜状の成長層
が単結晶化可能な所定温度まで昇温させる第２の工程
と、 上記所定の有機金属ガスの供給を停止した第２の混合ガ
ス雰囲気中で、上記第２の工程における上記所定温度を
所定時間維持させて熱処理することで、上記半導体物質
の薄膜成長層を島状の単結晶にする第３の工程と、 この第３の工程で上記半導体物質の島状単結晶の形成さ
れた上記半導体基板に、上記所定の有機金属ガスを含む
上記第１の混合ガスを用いて、上記第１の工程の際の成
長温度よりも高く、上記基板と格子定数の異なる半導体
物質が単結晶化可能な温度で、さらに上記半導体物質を
成長させる第４の工程と、 を具備したことを特徴とする気相エピタキシャル成長方
法。 ２．上記半導体基板はシリコンによって構成され、上記
成長される半導体物質はIII−Ｖ族化合物半導体でなる
ようにした特許請求の範囲第１項記載の気相エピタキシ
ャル成長方法。 ３．上記III−Ｖ族化合物半導体はGaAsでなる特許請求
の範囲第２項記載の気相エピタキシャル成長方法。 ４．上記III−Ｖ族化合物半導体はInPでなる特許請求の
範囲第２項記載の気相エピタキシャル成長方法。 ５．上記第１の工程、上記第２の工程における上記所定
温度は750℃であり、上記第２の工程における上記所定
時間は略５分間である特許請求の範囲第３項記載の気相
エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281252A JP2743351B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 気相エピタキシヤル成長方法 |
| US08/432,637 US5578521A (en) | 1986-11-20 | 1995-05-03 | Semiconductor device with vaporphase grown epitaxial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281252A JP2743351B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 気相エピタキシヤル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133616A JPS63133616A (ja) | 1988-06-06 |
| JP2743351B2 true JP2743351B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=17636478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61281252A Expired - Lifetime JP2743351B2 (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-26 | 気相エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2743351B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289108A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Fujitsu Ltd | ヘテロエピタキシャル成長方法 |
| DE102009043848A1 (de) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Aixtron Ag | CVD-Verfahren und CVD-Reaktor |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155442U (ja) * | 1980-04-21 | 1981-11-20 | ||
| JPH0236059B2 (ja) * | 1984-07-16 | 1990-08-15 | Kogyo Gijutsuin | Kagobutsuhandotainoseichohoho |
| JPH0686355B2 (ja) * | 1986-02-28 | 1994-11-02 | 京セラ株式会社 | 第▲ｉｉｉ▼・ｖ族化合物半導体の気相成長法 |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP61281252A patent/JP2743351B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63133616A (ja) | 1988-06-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |