JPH0878338A

JPH0878338A - 半導体の製造装置

Info

Publication number: JPH0878338A
Application number: JP21153294A
Authority: JP
Inventors: Atsuhiro Tsukune; 敦弘筑根
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-09-05
Filing date: 1994-09-05
Publication date: 1996-03-22

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、半導体の製造装置に係り、ＣＶＤ
装置の成膜工程で、基板の上下面に均一な膜を成膜して
半導体の製造装置で製造される半導体装置の歩留り、及
び信頼性を上げる。【構成】ＣＶＤ装置２０の反応室の内部で基板の両面
にヒーター１３ａ、１３ｂを配設し、基板１１面内、基
板両面１１ａ、１１ｂ共に温度を均一にする。また、基
板の下面１１ｂにも反応ガス１７が供給されるように基
板１１を浮かせた状態で固定する。更に固定した基板１
１を３ｒｐｍ以上の速度で回転させて基板１１の温度、
及び反応ガス１７の供給量を均一にすることによって均
一な膜厚の膜を成膜する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造装置に係
り、特にＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｕｒｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による成膜を行う半導体の製造
装置に関する。

【０００２】近年、半導体装置製造のランニングコスト
を低減するために、半導体装置を形成するウェハーの大
口径化が推められている。従って半導体装置における成
膜プロセスにも、より広い面積に均一な厚さの膜を成膜
する技術が必要となる。

【０００３】ＣＶＤ法によって成膜する膜の厚さは、温
度に強く依存することより、上記要請を満たすためには
成膜面内の温度を均一にすることが必要である。

【０００４】また、成膜に続くエッチング等の処理をウ
ェット処理で行うとウェハーの裏表両面が処理液に晒さ
れることにより膜の付いていない裏面が浸食されて、処
理液を汚染するパーテイクルを発生する。これを回避す
るためにはウェハーの両面同時に成膜を行うプロセスの
開発も重要な技術である。

【０００５】

【従来の技術】ＣＶＤ法によって成膜される膜の堆積速
度は温度に強く影響され、ＣＶＤ法で使用する温度の範
囲では一般に成膜環境が高温である方が堆積速度が大き
くなる。よって、被処理基板となるウェハーの近傍にヒ
ーターを設けてウェハーを加熱しながらの成膜は工程の
スループットを上げ、所望の膜質を得る堆積速度が得ら
れる様に成膜プロセスを制御する技術である。

【０００６】従来のヒーターを有するＣＶＤ式成膜装置
（以降ＣＶＤ装置と略記する）の要部を成す成膜部の概
略構成を図７に示す。従来のＣＶＤ装置の成膜を行う成
膜部１０は、成膜環境を封止する反応室６と、反応室６
の内部に配置されるヒーター３と反応室６の外部に置か
れてヒーター３に電力を供給する電源４とにより構成さ
れる加熱部８と、基板１を支持する支持部２等を設けた
構成とされている。

【０００７】反応室６には反応ガス７を反応室６内に導
入するガス導入口６ａと排気口６ｂが設けてある。また
導入口６ａの先端は反応ガスが基板１の面に対して一様
に供給されるようにノズル５となり、更にノズル５には
反応ガス７の噴出口５ａが多数開孔されている。

【０００８】一方、支持部２は基板１をヒーター３に接
触させないように基板１を支持している。このため基板
１の裏面１ｂの面にも反応ガス７が供給され、膜の生成
が行われる。

【０００９】加熱部８の基板１を加熱する方法は種々あ
るが、反応性の高いガス（例えばＳｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ
₆等）を用いて成膜を行う場合は、反応室６の内壁を加
熱すると反応室６の内壁に反応ガス７を材料にした膜が
堆積し、ＣＶＤ装置の性能を変動させる原因となる（こ
の現象をウォ−ルデポジッションと言う）。従って特に
反応性の高いガスを反応ガスとする場合には、例えばラ
ンプ加熱のように加熱源を反応室外部にもった構造のも
のよりも、図７のようにヒーター３が反応室６の内部に
配設できる構造とすることが望ましい。

【００１０】この成膜部１０において、反応ガス７によ
る成膜が行われるプロセスを以下に述べる。

【００１１】導入口６ａを通ってノズル５を介し、噴出
口５ａより基板１に向かって噴出れた反応ガスは、基板
１の１ａ面に供給されると共に、ヒーター３との間に間
隔を開けて支持された基板１の１ｂ面にも供給され反応
ガス７の供給量と、反応を起こす基板１の面１ａ、及び
１ｂの温度に応じた堆積速度で堆積し膜を形成する。

【００１２】尚、この基板１の両面１ａ、１ｂの温度は
ヒーター３によって制御される。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図７に示した
ＣＶＤ装置の成膜部１０においては基板１を加熱するヒ
ーター３が基板１の裏面１ｂ側にのみついた構造になっ
ている。よって、ヒーター３と、ヒーター３に近接した
１ｂ面との間を通過した反応ガス７は他の領域に在る反
応ガス７よりも高温になり、高温の反応ガス７は裏面１
ｂ側から１ａ面側に基板１の外周辺部より回り込む。

【００１４】従って１ａ面側に回り込んだ高温の反応ガ
ス７は１ａ面の周辺部分により多く供給されるから１ａ
面に成膜される膜は周辺部分が中央部分より厚くなると
いう面内での厚さの分布を生じる。

【００１５】この現象は、将来的にますます基板の大口
径化が進むであろう半導体の工程において問題である。

【００１６】更に半導体の製造工程には、微細かつ高性
能化する半導体装置に製造過程で加わる高温によって特
性の変動が生じることを避けるためプロセスの低温化へ
の要求がある。しかしＣＶＤによって成膜される膜の堆
積速度は、高温（６００℃以上）よりも低温（６００℃
以下）で温度により強く依存するという性質がある。

【００１７】従って、今後この温度の分布による膜厚の
不均一性は、ますます顕著になるであろうことが予測さ
れる。

【００１８】半導体装置を製造する基板の面内で成膜さ
れる膜の膜厚が不均一であることは、そのまま基板面上
に製造される半導体装置の特性に反映されて半導体装置
の特性のバラツキ、及び歩留りの低下となる。

【００１９】本発明は以上の点を鑑み、基板の表裏面に
均一な膜厚の膜を成膜することが可能な半導体の製造装
置を提供することを目的とするものである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の半導体の製造装置では、反応気体を
導入する導入口、及び排気する排気口を有する反応室
と、反応室内で被処理基板を支持する支持部と、電源よ
り電力の供給を受けて被処理基板を加熱するヒーターと
よりなり、ヒーターが、反応室内に設けられ、かつ被処
理基板を挟んで、対向する位置に配置されることを特徴
とするものである。

【００２１】請求項２記載の半導体の製造装置では、電
源を、ヒーターの全て、或いは一部において共通とする
ことを特徴とするものである。

【００２２】請求項３記載の半導体の製造装置では、電
源が、ヒーター毎に個々に設けられることを特徴とする
ものである。

【００２３】請求項４記載の半導体の製造装置では、ヒ
ーターがグラファイトを母材とすることを特徴とするも
のである。

【００２４】請求項５記載の半導体の製造装置では、支
持部が、被処理基板を載置して回転することを特徴とす
るものである。

【００２５】請求項６記載の半導体の製造装置では、支
持部が回転する速度を３ｒｐｍ以上とすることを特徴と
するものである。

【００２６】

【作用】請求項１の発明によれば、ヒーターが、反応室
内に被処理基板と共に配置されたことによってウォール
デポジッションを防ぎ、半導体の製造装置の特性が変動
することが無くなる。また、ヒーターが互いに対向する
位置に配置されることにより基板面内の温度が均一にな
ることにより、温度に依存する膜の堆積速度を一様にし
て成膜される膜の厚さを均一にする。

【００２７】請求項２の発明によれば、電源を、ヒータ
ーの全て、或いは一部で共通とすることにより半導体の
製造装置に具備するヒーターの数が抑えられ、装置の軽
量小型化、製造コストの低減が可能である。

【００２８】請求項３の発明によれば、電源を、ヒータ
ーで個々に設けることにより、各ヒーターの温度制御が
必要に応じて個別にできる。よって基板上の温度を均一
にするための更に細かいヒーターの調整が可能となり、
更に成膜される膜の膜厚を均一化することができる。

【００２９】請求項４の発明によれば、ヒーターの母材
をグラファイトとしたことにより、電源で加えた電力を
効率良く熱に変換でき、電源の負担が低減できる。

【００３０】請求項５の半導体の製造装置では、支持部
が、被処理基板を載置して回転することによって、基板
面内での温度分布、及び基板面に供給される反応ガス量
を均一にして、さらに膜厚を均一にするものである。

【００３１】請求項６の半導体の製造装置では、支持部
が回転する速度を３ｒｐｍ以上とすることにより、短時
間の成膜においても膜厚を均一にすることができる。

【００３２】

【実施例】本発明の第１実施例の半導体の製造装置２０
の概略構成を図１に示す。

【００３３】本実施例の半導体の製造装置２０はロード
ロック式の枚葉式ＣＶＤ装置２０（以下ＣＶＤ装置２０
と言う）である。

【００３４】図１中、１０２で示す架台には電源１４、
モーター１５及びＣＶＤ装置２０の操作を行う制御系等
が内蔵されて、反応ガスのボンベと真空ポンプ１００
ａ、１００ｂはＣＶＤ装置２０とは別に配置されてい
る。

【００３５】架台１０２の上には基板搬入のための搬入
口１０３ａを有する基板搬入チャンバー１０３と、本実
施例の要部を成す成膜部２０ａが載置されている。

【００３６】成膜部２０ａを図２に拡大して示す。ま
た、図５に図２の成膜部２０ａの平面図を、図６に成膜
部２０ａを図２中矢印Ａの方向から見た図を示す。

【００３７】以下に図２、図５、図６を用いて成膜部２
０ａの構成を説明する。

【００３８】図２及び図６で示すように、成膜部２０ａ
は内部に装着された基板１１に対して基板１１を支持す
る支持部１２と、支持部１２を取り付けた支持軸１２ａ
と、基板１１の温度をモニターする熱電対によるセンサ
ー１９ａを具備した温度計１９と、基板１１を上面から
加熱するヒーター１３ａと、基板１１を下面から加熱す
るヒーター１３ｂと、ヒーター１３ａ及び１３ｂに電力
を供給する電源１４等により構成される。

【００３９】支持部１２はウェハーを１２ｂ、１２ｃ、
１２ｄの３点で支持する構成になっており、支持部１２
の形状及び構造は、平面図５を参照すると理解しやす
い。搬入口１０３ａから搬入された基板１１は、搬送系
１１ａにより一旦基板搬入チャンバー１０３に搬入され
る。基板搬入チャンバー１０３内は、基板１１を取り込
んで搬入口１０３ａを閉じた後に、真空ポンプ１００ａ
により内部を真空に引かれる。反応室１６は、予め排気
口１６ｂと真空ポンプ１００ｂの間のゲート１６ｄを開
けて、真空ポンプ１００ｂを作動させることによって真
空にされている。基板１１は真空の状態の基板搬入チャ
ンバー１０３から、真空の状態の反応室１６へ搬送系１
１ａによって搬入される。

【００４０】反応室１６での基板１１の処理について
は、後述の成膜部２０ａの説明において述べるものとし
て、処理の終わった基板１１は再び搬送系１１ａによっ
て搬送され、搬入されたのと逆に真空状態の基板搬入チ
ャンバー１０３を通って搬入口１０３ａからＣＶＤ装置
２０の外部へと出る。

【００４１】次に、図２に図１で示したＣＶＤ装置２０
の要部を成す成膜部２０ａの構成の詳細を示す。

【００４２】１６で示す反応室はステンレス製の略直方
体の形状を有する容器である。反応室１６内は、反応ガ
ス導入口１６ａから反応ガス１７を流入させつつ、反応
ガス排気口１６ｂから反応ガス１７を排気し、両者の流
量、或いは排気量を制御して、反応室１６内の圧力を一
定に保つよう構成されている。

【００４３】反応室１６の内部にはヒーター１３ａ、１
３ｂが配置されて、ヒーター１３ａ、１３ｂに電力を供
給する電源１４は反応容器１６の外部に設置されてい
る。

【００４４】本実施例では、二つのヒーター１３ａ、１
３ｂを設け、基板１１を上下方向から挟むように、かつ
基板１１の面に平行に配置したことを特徴としている。

【００４５】また、基板１１とヒーター１３は間隔を持
って配設されており、接触はしていない。

【００４６】第１のヒーター１３ａは、基板１１の上面
１１ａに向けて対向するように配設された。また同様に
第２のヒーター１３ｂは基板１１の下面１１ｂと対向す
るように配設されている。従って、第１のヒーター１３
ａは基板１１の上面１１ａを加熱し、また第２のヒータ
ー１３ｂは基板１１の下面１１ｂを加熱する。

【００４７】ヒーター１３ａ、１３ｂはグラファイト製
である。グラファイトは熱導電性にれ、高温に耐えるヒ
ーターに適する部材であるが、反応ガス１７や、反応生
成物を吸着して、かつその離脱が困難であるという欠点
がある。このために、ヒーター１３ａ、１３ｂの反応ガ
ス１７に晒される表面にはＳｉＣをコーテイングして反
応ガス１７及び反応生成物がグラファイトに吸着される
のを防いでいる。

【００４８】支持部１２は反応室１６内で基板１１を載
置するもにであり、支持軸１２ａの先端に取付けられる
と共に、３点の支点１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが形成され
ている。基板１１はこの支点１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに
より基板１１の下面にも反応ガスが供給される様に浮か
した状態で支持される。

【００４９】支持軸１２ａの下端部分はモーター１５に
接続されており、このモーター１５により回転される構
成となっている。また、１５の回転速度は成膜時間が短
くても、膜厚を均一にすることが可能な回転速度である
３ｒｐｍに設定してある。更に支持部１２の第１のヒー
ター３ａ及び第２のヒーター１３ｂに対する位置を調整
できるように反応室１６の下部は蛇腹１６ｃの構造を有
している。

【００５０】温度計１９は、基板１１の温度を測定する
ために反応室１６に取り付けられている。温度計１９の
センサー１９ａはヒーター１３ａに開孔された５ｍｍφ
の穴を通って基板１１の上面１１ａの極近傍まで延長さ
れている。

【００５１】次に、第１実施例のＣＶＤ装置２０の効果
を確認するため行った成膜実験について述べる。

【００５２】尚成膜処理に際しては、反応ガスに特に反
応性の高いＳｉ₂Ｈ₆を用いてＳｉ膜の成膜を行った。
また、比較のために基板１の片面のみを加熱する構成の
ヒーター３が設けられた成膜部１０を有する従来のＣＶ
Ｄ装置（図７参照）でも同一の条件によって成膜を行っ
た。

【００５３】成膜実験を行うに際し、最初に基板１１と
する６インチウェハーを用意する。

【００５４】続いてこの基板１１を、図１に示すゲート
１６ｃより反応室内の支持部１２上載置してゲート１６
ｃを閉める。

【００５５】次いで反応ガス排気口１６ｂより反応室１
６内の大気を排気すると共に、反応ガスのＳｉ₂Ｈ₆を
１０ｃｃ／ｍｉｎとＮ₂１リットル／ｍｉｎを反応ガス
導入口１６ａからして、反応室１６を１０Ｔｏｒｒに保
つ。

【００５６】この状態下で基板１１を挟むように配置さ
れた第１のヒーター１３ａ、及び第２のヒーター１３ｂ
に電源１４で電力供給して所望の温度（例えば５００
℃）に設定し、基板１１を加熱する。その後、基板両面
１１ａ、１１ｂの温度が所望の温度に到達し、かつ定常
状態になったことを温度計１９で確認してから、支持軸
１２ａを３ｒｐｍの速度で回転させつつＳｉ膜１０００
Åを成膜した。

【００５７】本実施例のＣＶＤ装置２０で成膜したＳｉ
膜と、従来のＣＶＤ装置で成膜したＳｉ膜を比較した結
果を図３に示す。

【００５８】本実施例のＣＶＤ装置２０で１０００Åに
成膜されたＳｉ膜の面内分布は、６インチウェハーの全
領域に亘って±２％（｜１０００−各測定点においての
膜厚測定値｜／１０００ ×１００％）以内であった。

【００５９】これに対して基板の片面のみを加熱する構
成の従来のＣＶＤ装置を用いて、同一の条件で成膜した
Ｓｉ膜は、６インチウェハーの中心から５ｃｍ以内の領
域で±１０％の面内分布を生じ、５ｃｍ以上離れたウェ
ハー外周部では３０％近くも厚膜化している。

【００６０】この様な膜質の違いは、従来のＣＶＤ装置
の成膜部１０のヒーター３が基板１の下部にのみ配置さ
れていたのに対して、本実施例のＣＶＤ装置２０が、第
一のヒーター１３ａ及び第２のヒーター１３ｂを有し、
基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂを共に加熱するこ
とによって生じるものである。

【００６１】つまり、本実施例に係るＣＶＤ装置２０に
より、基板１１上に成膜されるＳｉ膜の膜厚が均一化で
きるのは第１として、基板１１の両面の温度の差異を無
くすことによって基板１１の下面の反応ガスが特に周囲
と比べて高温になることが無くなり、基板１１の下面１
１ｂより上面１１ａへ基板の外周部から回り込むことが
無くなったこと、また、第２に基板１１が支持軸１２
ａ、及び支持部１２の回転によって成膜中に回転するこ
とで基板１１に供給される反応ガス量、及び温度が一様
になることによるものである。

【００６２】以上の結果から、本実施例の半導体の製造
装置２０を用いることによって、基１１全体の温度を均
一化でき、Ｓｉ₂Ｈ₆のように反応性の高いガスを用い
ても６インチウェハーの全領域に亘って均一な膜を成膜
することが可能であるとが確認された。

【００６３】次に本発明の第２実施例の構成を図４に示
す。尚、同図では本実施例の特徴が現れたＣＶＤ装置の
成膜部３０のみを拡大して示すものとする。

【００６４】第２実施例のＣＶＤ装置の成膜部３０は、
ステンレス製の反応室２６内に第１のヒーター２３ａ
と、第２のヒーター２３ｂが、基板２１を上下方向から
挟むように配置されること、基板１１は支持部２２によ
って下面２２ｂも反応ガスに晒されるよう浮かせて固定
されること、更に基板２１は成膜中に支持軸２２ａの回
転に合わせて回転すること等の点で第１実施例のＣＶＤ
装置２０と同じ構成である。

【００６５】但し、本実施例のＣＶＤ装置の成膜部３０
では、第１のヒーター２３ａ、第２のヒーター２３ｂで
それぞれ別個に電源２４ａ、２４ｂを持つことが特徴と
なる。

【００６６】図４中、第１のヒーター２３ａに電力を供
給する第１の電源を２４ａ、第２のヒーター２３ｂに電
力を供給する第２の電源を２４ｂとして示している。

【００６７】この構成により、第１のヒーター２３ａと
第２のヒーター２３ｂの温度を別個に設定することが可
能となる。

【００６８】本実施例のＣＶＤ装置でも、ＣＶＤ装置２
０で行ったＳｉ₂Ｈ₆ガスによるＳｉ膜の成膜を同様の
条件で行った。この結果、本実施例のＣＶＤ装置で成膜
した膜の膜厚分布は、図３に示したＳｉ膜と等価の膜が
得られた。

【００６９】また、ＣＶＤ装置の反応室２６内において
は、反応ガス２７の流れ、反応室２６の構造等により、
第１のヒーター２３ａと第２のヒーター２３ｂが同じパ
ワーで基板２１を加熱しても上下面の膜厚が均一となら
ないことがある。そのような場合でも、本実施例のＣＶ
Ｄ装置の成膜部３０は、第１のヒーター２３ａと第２の
ヒーター２３ｂの温度を第１及び第２の電源２４ａ及び
２４ｂを制御することにより別々に設定することが可能
であるために、均一な膜厚の膜を成膜するのに有効であ
る。

【００７０】尚、本実施例では対向するヒーターをいず
れも一組設けたが、プロセスの要求によって複数組のヒ
ーターを設けることも可能である。この場合にはヒータ
ーの電源は必要に応じて一部のヒーターのみを共通の電
源で電力の供給を行うことも可能である。

【００７１】また、第１、及び第２実施例ともに基板に
対して平行にヒーターを配設したが、基板に対して垂直
方向にヒーターを設置して、かつ基板を挟んで対向させ
る構成も考えられる。

【００７２】更に、第１、第２実施例共に、半導体の製
造装置を、いずれもＣＶＤ装置として述べたが、本発明
の半導体の製造装置はＣＶＤ装置に限定されるものでは
無い、他にもエピタキシャル気相成長装置、アニール装
置、露光のプリベーク炉等への応用が考えられる。

【００７３】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体の製
造装置は、請求項１の発明により、ウォールデポジッシ
ョンによる、半導体の製造装置の動作特性の変動が無い
ために、成膜条件と成膜される膜の膜厚の関係が安定し
て半導体の製造装置の信頼性を高めることができる。

【００７４】また、ヒーターが互いに対向する位置に配
置され、基板面内の温度を均一にすることによって均一
な膜厚の膜を成膜することが可能となる。基板面内で、
半導体装置を構成する膜が均一であることは、半導体装
置によって製造される半導体装置の特性を均一にして、
製品の歩留りを上げることができる。

【００７５】請求項２の発明によれば、ヒーターの数が
抑えられることにより操作、保守、設置が簡単に行える
ようになる上、価格も低く抑えることができる。よって
半導体の製造装置で製造する半導体装置を低価格で提供
できる。

【００７６】請求項３の発明によれば、各ヒーターの温
度制御が必要に応じて個別にできるために、より成膜の
条件を細かく設定できる。よって、より高品質な膜の成
膜が可能である。

【００７７】請求項４の発明によれば、電源で加えた電
力を効率良く熱に変換できるために加熱に係る電力が少
なくて済み、半導体装置の製造コストを低くすることが
できる。

【００７８】請求項５の発明によれば、さらに成膜中に
基板を回転させることによって、成膜される膜の厚さを
均一にすることができる。このため、製造される半導体
装置の歩留り、及び信頼性を向上させることができる。

【００７９】請求項６の半導体の製造装置では、成長速
度が早く、しかも成膜する膜の厚さが薄い場合において
も厚さが均一な膜を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例のＣＶＤ装置の概略構成図
である。

【図２】本発明の第１実施例の要部を成すヒーターを含
む成膜部の概略構成図である。

【図３】本発明の第１実施例のＣＶＤ装置で成膜したＳ
ｉ膜と、従来のＣＶＤ装置で成したＳｉ膜の膜厚分布を
比較した結果を示す図である。

【図４】本発明の第２実施例の要部を成すヒーターを含
む成膜部の概略構成図である。

【図５】図２の平面図である。

【図６】図２を図２中Ａで示す方向から見た図である。

【図７】従来のＣＶＤ装置の要部を成すヒーターを含む
成膜部の概略構成図である。

【符号の説明】

１１ａ、２１ａ基板上面１１ｂ、２１ｂ基板下面１２、２２支持部１３ａ、２３ａ第１のヒーター１３ｂ、２３ｂ第２のヒーター１４電源２４ａ第１の電極２４ｂ第２の電極１６、２６反応室１７、２７反応ガス３０ＣＶＤ装置野成膜部２０ＣＶＤ装置２０ａＣＶＤ装置の成膜部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応気体を導入する導入口、及び排気す
る排気口を有する反応室と、該反応室内で被処理基板を
支持する支持部と、電源より電力の供給を受けて該被処理基板を加熱するヒ
ーターとよりなり、該ヒーターが、該反応室内に設けられ、かつ該被処理基
板を挟んで、対向する位置に配置されることを特徴とす
る半導体の製造装置。
【請求項２】該電源を、該ヒーターの全て、或いは一
部において共通とすることを特徴とする請求項１記載の
半導体の製造装置。
【請求項３】該電源が、該ヒーター毎に個々に設けら
れることを特徴とする請求項１記載の半導体の製造装
置。
【請求項４】該ヒーターがグラファイトを母材とする
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半
導体の製造装置。
【請求項５】該支持部が、該被処理基板を載置して回
転することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記
載の半導体の製造装置。
【請求項６】該支持部が回転する速度を３ｒｐｍ以上
とすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記
載の半導体の製造装置。