JPS6346733A - Ｃｖｄ薄膜形成装置 - Google Patents
Ｃｖｄ薄膜形成装置Info
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- JPS6346733A JPS6346733A JP19144986A JP19144986A JPS6346733A JP S6346733 A JPS6346733 A JP S6346733A JP 19144986 A JP19144986 A JP 19144986A JP 19144986 A JP19144986 A JP 19144986A JP S6346733 A JPS6346733 A JP S6346733A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はＣＶＤ薄膜形成装置に関する。更に詳細には、
本発明は膜付待機中のウェハが空気中の酸素により酸化
されることを防＋Ｌ した構造を有するＣＶＤ薄膜形成
装置に関する。
本発明は膜付待機中のウェハが空気中の酸素により酸化
されることを防＋Ｌ した構造を有するＣＶＤ薄膜形成
装置に関する。
［従来の技術］
薄膜の形成方法として、半導体工業において一般に広く
用いられているものの一つに、気相成長法（ＣＶＤ：Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
１ｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス伏物質を化学反応で
固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
用いられているものの一つに、気相成長法（ＣＶＤ：Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
１ｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス伏物質を化学反応で
固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高り、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜１
−に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広
く半導体表面のパッシベーション膜として利用されてい
る。
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高り、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜１
−に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広
く半導体表面のパッシベーション膜として利用されてい
る。
ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば、５００°Ｃ程度に加
熱したウェハに反応ガス（例えばＳｉＨ４＋０２．また
はＳ ｉＨｑ＋ＰＨＪ ＋０２ ）を供給して行われる
。」−記の反応ガスはＮ２ガスをキャリヤとして反応炉
（ベルジャ）内のウェハに吹きつけられ、該ウェハの表
面に例えば、ＳｉＯ２あるいはフォスフオシリケードガ
ラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する。また、５ｉ０２とＰ
ＳＧとの２相成膜が行われることもある。
熱したウェハに反応ガス（例えばＳｉＨ４＋０２．また
はＳ ｉＨｑ＋ＰＨＪ ＋０２ ）を供給して行われる
。」−記の反応ガスはＮ２ガスをキャリヤとして反応炉
（ベルジャ）内のウェハに吹きつけられ、該ウェハの表
面に例えば、ＳｉＯ２あるいはフォスフオシリケードガ
ラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する。また、５ｉ０２とＰ
ＳＧとの２相成膜が行われることもある。
この上うなＣＶＤによる薄膜形成操作を行うために従来
から用いられている装置は例えば、反応炉（ベルジャ）
の内部に回転駆動可能、または自公転可能な円盤状のウ
ェハ載置台またはサセプタを設置すると共に上記ウェハ
ａ置台の上に被加工物であるウェハを供給し、成膜処理
の済んだウェハを搬出するローダ／アンローダ部を設け
て構成されている。
から用いられている装置は例えば、反応炉（ベルジャ）
の内部に回転駆動可能、または自公転可能な円盤状のウ
ェハ載置台またはサセプタを設置すると共に上記ウェハ
ａ置台の上に被加工物であるウェハを供給し、成膜処理
の済んだウェハを搬出するローダ／アンローダ部を設け
て構成されている。
［発明が解決しようとする問題点コ
ウエハを反応炉内に搬入するためにゲート部を開扉する
と大気中の酸素が反応炉内に侵入する。
と大気中の酸素が反応炉内に侵入する。
反応炉の内部は成膜反応を行うために高温（約５００°
Ｃ）に維持されているので、侵入した人気中の酸素によ
りウェハの表面が不規則に酸化される。
Ｃ）に維持されているので、侵入した人気中の酸素によ
りウェハの表面が不規則に酸化される。
このように、ウェハの表面が不規則に酸化されると正常
な成膜処理がＵｊげられる。例えば、所望の酸化膜が生
成されなかったり、あるいは膜厚が不均一となる。
な成膜処理がＵｊげられる。例えば、所望の酸化膜が生
成されなかったり、あるいは膜厚が不均一となる。
その結果、このウェハから製造された゛１６導体素子の
性能が設計性能から逸脱し、思わぬトラブルを起こす原
因にもなりかねない。
性能が設計性能から逸脱し、思わぬトラブルを起こす原
因にもなりかねない。
従って、ウェハ表面の不規則な酸化は半導体素子の製造
歩留りを著しく低ｆさせる。
歩留りを著しく低ｆさせる。
［発明の目的コ
従って、本発明の目的はウェハ表面が大気中の酸素によ
り不規則な酸化を受けることを防止したＣＶＤ薄膜形成
装置を提供することである。
り不規則な酸化を受けることを防止したＣＶＤ薄膜形成
装置を提供することである。
［問題点を解決するための手段］
前記の問題点を解決し、あわせて本発明の［１的を達成
するための手段として、この発明は、バッファカートリ
ッジを有するローダ部により反応炉内にウェハを供給し
、アンローダ部により搬出することからなるＣＶＤ薄膜
形成装置において、反応炉に密閉構造のＮ２パージ室が
接続されており、このＮ２パージ室内にローダ部および
アンローダ部が配置されており、前記Ｎ２パージ室は、
反応炉との接続部に第１ゲート部を、この第１ゲート部
と反対側に第２ゲート都を有し、史にＮ２ガスの供給お
よび排出機構を有することを特徴とするＣＶＤ薄膜形成
装置を提供する。
するための手段として、この発明は、バッファカートリ
ッジを有するローダ部により反応炉内にウェハを供給し
、アンローダ部により搬出することからなるＣＶＤ薄膜
形成装置において、反応炉に密閉構造のＮ２パージ室が
接続されており、このＮ２パージ室内にローダ部および
アンローダ部が配置されており、前記Ｎ２パージ室は、
反応炉との接続部に第１ゲート部を、この第１ゲート部
と反対側に第２ゲート都を有し、史にＮ２ガスの供給お
よび排出機構を有することを特徴とするＣＶＤ薄膜形成
装置を提供する。
［作用］
前記のように、本発明のＣＶＤ薄膜形成装置においては
、ウェハの酸化を防ぐために反応炉に密閉構造のＮ２パ
ージ室が接続されている。
、ウェハの酸化を防ぐために反応炉に密閉構造のＮ２パ
ージ室が接続されている。
成膜処理前の未処理ウェハをＮ２パージ室に収容したら
、室内にＮ２ガスを送太し、室内の空気をパージする。
、室内にＮ２ガスを送太し、室内の空気をパージする。
室内がほぼ完全にＮ２ガスで置換されたら反応炉のゲー
ト部を開扉する。すると、反応炉内に侵入するのは不活
性なＮ２ガスなので、ウェハの表面が不規則な酸化を受
けることは殆どなくなる。
ト部を開扉する。すると、反応炉内に侵入するのは不活
性なＮ２ガスなので、ウェハの表面が不規則な酸化を受
けることは殆どなくなる。
その結果、ウェハに設計通りのＣＶ Ｄ膜を成膜させる
ことができる。か（して、゛ト導体素子の製造歩留りを
向［−させることができる。
ことができる。か（して、゛ト導体素子の製造歩留りを
向［−させることができる。
［実施例］
以ド、図面を参照しながら本発明の実施例について史に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置の概念的な平
面断面図である。
面断面図である。
第１図に示されるように、本発明のＣＶ Ｉ）薄膜形成
装置１は、反応炉１０と、これに接続された密閉構造の
Ｎ２パージ室２０とを有する。
装置１は、反応炉１０と、これに接続された密閉構造の
Ｎ２パージ室２０とを有する。
反応炉１０とＮ２パージ室２０との接続箇所には第１ゲ
ート部１２が配置されている。この第１ゲート部１２に
正対して、Ｎ２パージ室２０の後部側に第２ゲート部２
２が配設されている。
ート部１２が配置されている。この第１ゲート部１２に
正対して、Ｎ２パージ室２０の後部側に第２ゲート部２
２が配設されている。
ゲート自体の構造および／または開閉機構は当業者に公
知である。第１ゲート部１２と第２ゲート部２２は両方
が同時に開扉されることはない。
知である。第１ゲート部１２と第２ゲート部２２は両方
が同時に開扉されることはない。
第２ゲート部の閉扉に先立って第１ゲート部が開扉され
ることもない。第１ゲート部は常に第２ゲート部が閉扉
され、室内の残留空気がＮ２ガスでパージあるいは置換
された後から開扉される。
ることもない。第１ゲート部は常に第２ゲート部が閉扉
され、室内の残留空気がＮ２ガスでパージあるいは置換
された後から開扉される。
Ｎ２パージ室２０にはＮ２ガス供給手段２４および排気
手段２６が配設されている。供給手段およびｔ、ＩＩ°
気手段の具体的な配設個数は本発明の必須数件ではない
。従って、各手段は各々少なくとも１個配設されていれ
ばよい。Ｎ２ガス供給手段２４はガスの供給を止めるた
めの開閉弁２８を具備している。同様に、排気手段にも
排気を止めるための開閉弁３０を配設できる。
手段２６が配設されている。供給手段およびｔ、ＩＩ°
気手段の具体的な配設個数は本発明の必須数件ではない
。従って、各手段は各々少なくとも１個配設されていれ
ばよい。Ｎ２ガス供給手段２４はガスの供給を止めるた
めの開閉弁２８を具備している。同様に、排気手段にも
排気を止めるための開閉弁３０を配設できる。
Ｎ２パージ室２０の内部にはローダ部３２とアンローダ
部３４が配置されている。また、ローダ部およびアンロ
ーダ部の第２ゲート寄りの位置にバッファカートリッジ
３６ａおよび３８ｂが配置されている。
部３４が配置されている。また、ローダ部およびアンロ
ーダ部の第２ゲート寄りの位置にバッファカートリッジ
３６ａおよび３８ｂが配置されている。
次に、本発明のＣＶＤ薄膜形成装置の反応炉ヘウエハを
搬入し、成膜済みのウェハを搬出する具体的動作につい
て説明する。
搬入し、成膜済みのウェハを搬出する具体的動作につい
て説明する。
所定枚数のウェハ１４を有するローダ側カートリッジ４
０ａを第２ゲート部前に待機させる。第２ゲート部２２
を開扉し、ローダ側カートリッジ４０ａより室内のロー
ダ側バッファカートリッジ３６ａヘウエハを供給する。
０ａを第２ゲート部前に待機させる。第２ゲート部２２
を開扉し、ローダ側カートリッジ４０ａより室内のロー
ダ側バッファカートリッジ３６ａヘウエハを供給する。
ウェハの移送が完了したら第２ゲート部２２を閉扉する
。ついで、Ｎ２ガス供給手段２４の開閉弁２８を開いて
室内にＮ２ガスを送入する。これと同時に、排気手段２
６の開閉弁３０を開き、室内に残留している空気を室外
にパージする。
。ついで、Ｎ２ガス供給手段２４の開閉弁２８を開いて
室内にＮ２ガスを送入する。これと同時に、排気手段２
６の開閉弁３０を開き、室内に残留している空気を室外
にパージする。
室内の雰囲気がほぼＮ２ガスにより置換されたら、第１
ゲート部１２を開扉する。それと同時に、ローダ側バッ
ファカートリッジ３８ａからローダ部３２により反応炉
内ヘウエハを搬入する。
ゲート部１２を開扉する。それと同時に、ローダ側バッ
ファカートリッジ３８ａからローダ部３２により反応炉
内ヘウエハを搬入する。
全てのウェハが反応炉内に搬入されたら第１ゲート部１
２を閉扉する。そして、炉内でウェハ表面への成膜反応
処理を開始させる。
２を閉扉する。そして、炉内でウェハ表面への成膜反応
処理を開始させる。
成膜反応処理が終了したら、第１ゲート部１２を開扉し
、炉内の成膜済みウェハをアンローダ部３４によりアン
ローダ側バッファカートリッジ３６ｂに収納する。
、炉内の成膜済みウェハをアンローダ部３４によりアン
ローダ側バッファカートリッジ３６ｂに収納する。
成膜済みウェハが全てアンローダ側バンファカートリッ
ジ３θｂに収納されたら、第１ゲート部は閉扉され、次
いで第２ゲート部２２が開促し、アンローダ側バッファ
カートリッジ３８ｂから、第２ゲート部前に待機してい
たアンローダ側カートリッジ４０ｂに移し替える。
ジ３θｂに収納されたら、第１ゲート部は閉扉され、次
いで第２ゲート部２２が開促し、アンローダ側バッファ
カートリッジ３８ｂから、第２ゲート部前に待機してい
たアンローダ側カートリッジ４０ｂに移し替える。
以−１−で１バツチの動作が終了する。２バッチ以］一
連続的に成膜処理する場合には、成膜済みウェハをＮ２
パージ室から出す際に、同時に未処理ウェハを室内へ搬
入し、そして、反応炉から成膜済みウェハをアンローダ
部により炉外へ搬出する際に同時に、未処理ウェハをロ
ーダ部により炉内へ搬入する。
連続的に成膜処理する場合には、成膜済みウェハをＮ２
パージ室から出す際に、同時に未処理ウェハを室内へ搬
入し、そして、反応炉から成膜済みウェハをアンローダ
部により炉外へ搬出する際に同時に、未処理ウェハをロ
ーダ部により炉内へ搬入する。
前記のように、第１ゲート部１２が開扉されているとき
は必ず第２ゲート部は閉扉されており、また、その際の
パージ室内の雰囲気は不活性ガスで満たされている。そ
の結果、反応炉内へ人気中の酸素が侵入する可能性は殆
どない。かくして、所望の設計性能を有する１へ導体素
子を高い製造歩留りで製造することができる。
は必ず第２ゲート部は閉扉されており、また、その際の
パージ室内の雰囲気は不活性ガスで満たされている。そ
の結果、反応炉内へ人気中の酸素が侵入する可能性は殆
どない。かくして、所望の設計性能を有する１へ導体素
子を高い製造歩留りで製造することができる。
［発明の効果コ
以に説明したように、本発明のＣＶ ｌ）薄膜形成装置
２！においては、ウェハの酸化を防ぐために反応炉に密
閉構造のＮ２パージ室が接続されている。
２！においては、ウェハの酸化を防ぐために反応炉に密
閉構造のＮ２パージ室が接続されている。
成膜処理前の未処理ウェハをＮ２パージ室に収容したら
、室内にＮ２ガスを送入し、室内の空気をパージする。
、室内にＮ２ガスを送入し、室内の空気をパージする。
室内がほぼ完全にＮ２ガスで置換されたら反応炉のゲー
ト部を開扉する。すると、反応炉内に侵入するのはＮ２
ガスなので、ウェハの表面が不規則な酸化を受けること
は殆どなくなる。
ト部を開扉する。すると、反応炉内に侵入するのはＮ２
ガスなので、ウェハの表面が不規則な酸化を受けること
は殆どなくなる。
その結果、ウェハに設計通りのＣＶＤ膜を成膜させるこ
とができる。かくして、′ヒ導体素子の製造歩留りを向
上させることができる。
とができる。かくして、′ヒ導体素子の製造歩留りを向
上させることができる。
第１図は本発明のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置の概念的な平
面断面図である。 ｌ・・・ＣＶＤ薄膜形成装置、１０・・・反応炉、１２
・・・第１’−）都、１４・・・ウェハ、２０・・・Ｎ
２パージ室、２２・・・第２ゲート部、２４・・・Ｎ２
ガス供給手段、２６・・・υ１気手段、２８および３０
・・・開閉弁。 ３２・・・ローダ部、３４・・・アンローダ部、３６ａ
・・・ｏ−’／側バッファカートリッジ、３６ｂ・・・
アンロー４（１１１バツフｒカートリツジ、４０ａ・・
・ロータ側カートリッジ、４０ｂ・・・アンローダ側カ
ートリッジ
面断面図である。 ｌ・・・ＣＶＤ薄膜形成装置、１０・・・反応炉、１２
・・・第１’−）都、１４・・・ウェハ、２０・・・Ｎ
２パージ室、２２・・・第２ゲート部、２４・・・Ｎ２
ガス供給手段、２６・・・υ１気手段、２８および３０
・・・開閉弁。 ３２・・・ローダ部、３４・・・アンローダ部、３６ａ
・・・ｏ−’／側バッファカートリッジ、３６ｂ・・・
アンロー４（１１１バツフｒカートリツジ、４０ａ・・
・ロータ側カートリッジ、４０ｂ・・・アンローダ側カ
ートリッジ
Claims (3)
- （１）バッファカートリッジを有するローダ部により反
応炉内にウェハを供給し、アンローダ部により搬出する
ことからなるＣＶＤ薄膜形成装置において、反応炉に密
閉構造のＮ＿２パージ室が接続されており、このＮ＿２
パージ室内にローダ部およびアンローダ部が配置されて
おり、前記Ｎ＿２パージ室は、反応炉との接続部に第１
ゲート部を、この第１ゲート部と反対側に第２ゲート部
を有し、更にＮ＿２ガスの供給および排出機構を有する
ことを特徴とするＣＶＤ薄膜形成装置。 - （２）第１ゲート部と第２ゲート部とが同時に開扉され
ることはない特許請求の範囲第１項に記載のＣＶＤ薄膜
形成装置。 - （３）反応炉は自公転方式の常圧型ＣＶＤ反応炉である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＣＶＤ
薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19144986A JPS6346733A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19144986A JPS6346733A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6346733A true JPS6346733A (ja) | 1988-02-27 |
Family
ID=16274811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19144986A Pending JPS6346733A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6346733A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173334A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-15 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
-
1986
- 1986-08-15 JP JP19144986A patent/JPS6346733A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173334A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-15 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
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