DE102014100024A1 - Vorrichtung zur Anordnung von Substraten, insbesondere Suszeptor eines CVD-Reaktors - Google Patents

Vorrichtung zur Anordnung von Substraten, insbesondere Suszeptor eines CVD-Reaktors Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit in einer Horizontalfläche angeordneten Lagerplätzen (4) für jeweils ein kreisscheibenförmiges Substrat (3), mit einer Vielzahl zwischen benachbarten Lagerplätzen (4) angeordneten Sockeln (2, 12), die räumlich voneinander getrennt sind und Zentrierflanken (5) aufweisen, die einer in der Horizontalfläche liegenden Bogenlinie folgen, wobei mehrere, jeweils einen Lagerplatz (4) flankierende Zentrierflächen (5) auf einem Lagerkreis (6) angeordnete Anlagestellen (7) ausbilden zur berührenden Anlage eines Abschnittes des Randes (3') des Substrates (3). Zur gebrauchsvorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass die Zentrierflanken (5) den Lagerkreis (6) an den Anlagestellen (7) nur tangieren und sich ihr Abstand vom Zentrum (8) des Lagerkreises (6) mit wachsender Entfernung von der Anlagestelle (7) stetig vergrößert.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit auf einer Horizontalfläche angeordneten Lagerplätzen für jeweils ein kreisscheibenförmiges Substrat, mit einer Vielzahl zwischen benachbarten Lagerplätzen angeordneten Sockeln, die räumlich voneinander getrennt sind und Zentrierflanken aufweisen, die einer in der Horizontalfläche liegenden Bogenlinie folgen, wobei mehrere, jeweils einen Lagerplatz flankierende Zentrierflanken auf einem Lagerkreis angeordnete Anlagestellen ausbilden zur berührenden Anlage eines Abschnittes des Randes des Substrates.
  • Eine Vorrichtung der zuvor beschriebenen Art ist aus der EP 2 160 759 B1 bekannt. Die erfindungsgemäße Vorrichtung hat insbesondere die Gestalt und die Funktionalität eines in einem CVD-Reaktor verwendbaren Suszeptors. Die als Suszeptor ausgebildete Vorrichtung besteht aus einem flachen Graphitkörper, der auf seiner Oberfläche voneinander beabstandete Sockel aufweist. Die Oberfläche des Suszeptors bildet eine horizontale Auflagefläche, die eine Vielzahl insbesondere regelmäßig angeordnete Lagerplätze aufweist. Auf jedem Lagerplatz kann ein kreisscheibenförmiges Substrat angeordnet werden. Die bekannte Vorrichtung besitzt aus der Auflagefläche herausragende Sockel, die jeweils drei Anlageflanken ausbilden. Die Sockel sind räumlich voneinander getrennt. Die Zentrierflanken sind Anlageflanken und verlaufen auf Bogenlinien. Beim Stand der Technik liegen die Bogenlinien auf den kreisförmigen Umrisskonturlinien der Lagerplätze. Die von den Bogenlinien definierten Lagerkreise zweier benachbarter Lagerplätze berühren sich im Abstandsraum zweier benachbarter Sockel. Mit einer hexagonalen Anordnung der Sockel können die Substrate auf der Auflagefläche in einer hexagonalen Anordnung positioniert werden.
  • Träger zur Aufnahme von zu beschichtenden Substraten sind darüber hinaus auch bekannt aus den US 2013/065403 und WO 2012/050117 .
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine gattungsgemäße Vorrichtung gebrauchsvorteilhaft zu verbessern.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung. Erfindungsgemäß weicht der Verlauf der Bogenlinie, entlang derer sich die Zentrierflanke erstreckt, vom Verlauf des Lagerkreises, welcher dem Grundriss des Substrates entspricht, ab.
  • Die Erfindung schlägt zunächst vor, dass die Zentrierflanken den Lagerkreis nur an den Anlagestellen tangieren. In Umfangsrichtung versetzt zur Anlagestelle hat die Zentrierflanke einen Abstand zum Lagerkreis, also auch zum Rand des Substrates. Die Substratberührung findet nur in einem Berührungspunkt statt. In einem Winkelabstand zum Berührungspunkt hat die Zentrierflanke einen geringfügigen Abstand zum Lagerkreis, der mit wachsender Entfernung von der Berührungsstelle stetig anwächst. Dies kann über mehrere Winkelgrade erfolgen. In einer fertigungstechnisch bevorzugten Umsetzung der Erfindung verläuft die Bogenlinie der Zentrierflanke auf einer Kreisbogenlinie, deren Radius größer ist, als der Radius des Lagerkreises. Der Krümmungsradius der Zentrierflanke in der Auflageebene kann 5 bis 10% größer sein, als der Krümmungsradius des Lagerkreises in der Auflageebene. Die erfindungsgemäßen Sockel können drei oder vier Zentrierflanken aufweisen. Die Sockel können eine vierzählige oder eine dreizählige Symmetrie aufweisen. Jede der Zentrierflanken grenzt an einen Lagerplatz. Die Lagerplätze können bspw. in einer hexagonalen Anordnung auf der Horizontalfläche verteilt liegen.
  • Die Zentren der Lagerkreise können auf dem Eckepunkt einer Schachbrettanordnung oder auf den Eckpunkten einer hexagonalen Anordnung liegen. Die Lagerplätze, die jeweils von einem Lagerkreis begrenzt sind, können eine Vertiefung aufweisen. Es kann sich dabei jeweils um eine muldenförmige Vertiefung handeln. Die Vertiefung kann einen glattwandigen Boden aufweisen. Der Boden kann aber auch Stufen aufweisen. Die Stufen können sich in einer Kreisbogenlinie um das Zentrum des Lagerplatzes erstrecken. Am Rande der Auflagefläche angeordnete Lagerstellen können aber auch anders strukturierte Mulden aufweisen. Insbesondere ist hier vorgesehen, dass zumindest die Randbereiche der Mulden nicht rotationssymmetrisch bezogen auf das Zentrum der Lagerstelle verlaufen. Auf der dem Rand der Vorrichtung zugewandten Seite fällt der Muldenboden geringer ab, als auf der dem Rand der Vorrichtung abgewandten Seite der Mulde. Der sich unter einem auf dem Lagerplatz aufliegenden Substrat ausbildende Hohlraum hat somit auf seiner dem Rand der Vorrichtung zugewandten Seite eine geringere Tiefe als auf der dem Randbereich der Vorrichtung wegweisenden Seite. Es ist ferner vorgesehen, dass die auf den Lagerplätzen angeordneten Substrate lediglich lokal, gewissermaßen punktweise randunterstützt sind. Die Stützpunkte werden von kleinen Stützflächen ausgebildet, die Auflagezonen ausbilden. Diese lokalen Auflagezonen liegen bevorzugt an den Berührungsstellen. Sie erstrecken sich im Wesentlichen nur über den Bereich der Zentrierflanke, der mit der Randkante des Substrates in einer berührenden Anlage liegt. Die Auflagezonen erstrecken sich entlang des Lagerkreises um wenige Winkelgrade, bspw. um 3 bis 10°, vorzugsweise um 5°. Die erfindungsgemäße Anordnung wird bevorzugt an einem Suszeptor eines CVD-Reaktors verwirklicht. Auf diesem ist eine Vielzahl von Taschen zur Aufnahme von Substraten vorgesehen. Die Sockel haben die Aufgabe, die Taschen, also die darin einliegenden Substrate, voneinander zu trennen und in den Lagerplätzen zu zentrieren. Die Trennung soll dabei möglichst platzsparend erfolgen. Die Ränder benachbart angeordneter Substrate können sich im Bereich zwischen zwei benachbarten Sockeln berühren. Die Ränder der Substrate berühren erfindungsgemäß die Zentrierflanke nur in einer sehr engen, quasi punktuellen, Umfangszonen. In Umfangsrichtung von der Berührungsstelle beabstandete Randabschnitte des Substrates haben einen Abstand zur Zentrierflanke. Die so gebildete Anlageflanke kann eine Fase aufweisen. Als Folge dieser Schräge im oberen Randbereich lassen sich die Substrate einfacher positionieren. Es findet in der Endphase der Zuordnung gewissermaßen eine Selbstfindung statt. Wegen des erfindungsgemäßen Konturverlaufs der Zentrierflanke kommt es bei der Handhabung weniger oft zu Beschädigungen an den Flanken der Sockel. Mit der erfindungsgemäßen Lösung ist somit die Gefahr einer Beschädigung der Sockelflanken minimiert. Die Substrate können auf der Auflagefläche so positioniert sein, dass sich die Zentren in etwa in einem Abstand des Substratdurchmessers befinden. Der Abstand zweier Zentren ist um einen Sicherheitsabstand größer, als der Substratdurchmesser. Jedes Substrat kann mit sechs Kontaktpunkten an sechs verschiedenen Sockeln anliegen. Die Sockel sind um 60° voneinander versetzt angeordnet. Bezogen auf das Zentrum eines Lagerplatzes kann sich eine Zentrierflanke über einen Bogenwinkel von 20 bis 40°, bevorzugt 30°, erstrecken.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft die Ausgestaltung des Bodens eines Lagerplatzes einer dem Rand der Vorrichtung, also insbesondere dem Rand des Suszeptors nahe liegenden Lagerplatzes. Es handelt sich dabei bevorzugt um den Lagerplatz, der dem Rand der Vorrichtung am nächsten liegt, also einem Lagerplatz, der unmittelbar an einen Randbereich der Vorrichtung angrenzt. Der Lagerplatz besitzt eine Vertiefung, so dass sich unterhalb eines auf dem Lagerplatz aufliegenden Substrates ein Hohlraum ausbildet. Die Auflagezone, auf der der Rand des Substrates aufliegt, kann eine Ringzone sein. Bevorzugt wird die Auflagezone aber auch hier von einzelnen lokalen Auflagezonen ausgebildet, die den Rand des Substrates lediglich lokal, also gewissermaßen punktweise unterstützen. Zwischen der im Wesentlichen eben verlaufenden Unterseite des Substrates und dem Boden des Lagerplatzes bildet sich ein Hohlraum aus. Die Tiefe des Hohlraums wird von Randbereich des Lagerplatzes hin zum Zentrum des Lagerplatzes größer. Dies kann kontinuierlich oder in Stufen erfolgen. Derartige Hohlräume werden u. a. beschrieben in den US 2012/0017832 , US 5,242,501 , US 6,761,771 , US 2006/0180086 , US 7,591,908 und US 2009/0277387 .
  • Zur lokalen Erhöhung des Wärmetransports vom beheizten Boden des Lagerplatzes zum Substrat wird in dem weiteren Aspekt der Erfindung vorgeschlagen, dass der Randbereich des Hohlraumes bzw. des Lagerplatzes oder der Vertiefung einen von einer Rotationssymmetrie abweichenden Verlauf besitzt, wobei im selben Radialabstand zum Zentrum des Lagerplatzes die Vertikalhöhe in dem dem Rand der Vorrichtung zugewandten Randbereich geringer ist, als die Vertikalhöhe in dem vom Rand der Vorrichtung wegweisenden Randbereich. Die Wärmeübertragung vom Boden des Lagerplatzes zum Substrat erfolgt im Wesentlichen durch Wärmestrahlung oder, sofern ein Gas mit ausreichender Wärmeleitfähigkeit zwischen Substrat und Boden des Lagerplatzes vorhanden ist, durch Wärmeleitung. Durch die lokale Verminderung der Vertikalhöhe des Hohlraumes in dem zum Rand der Vorrichtung weisenden Abschnitt des Lagerplatzes erfolgt hier ein vergrößerter Wärmetransport vom Boden des Lagerplatzes zum Substrat. Der Boden des Lagerplatzes kann von seinem Rand treppenartig abfallen. Die Anzahl der Treppenstufen kann in dem zum Rand der Vorrichtung weisenden Randbereich des Lagerplatzes größer sein, als die Anzahl der Treppenstufen im diametral gegenüberliegenden Randbereich. Die Treppenstufen können Kanten aufweisen, die zumindest überwiegend auf einer Kreisbogenlinie verlaufen. In dem zum Rand der Vorrichtung hin weisenden Abschnitt des Randbereichs können die Treppenstufen sekantenförmig bezogen auf den kreisförmigen Lagerplatz verlaufen. Die Stufenflächen der sekantenförmig verlaufenden Treppenstufen können bündig in die Stufenflächen der auf einer Kreisbogenlinie verlaufenden Stufen übergehen. Die Stufenhöhe liegt im Bereich von 10–30 μm.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
  • 1 perspektivisch die Draufsicht auf einen kreisförmigen Suszeptor 1 mit einer Vielzahl von Lagerplätzen 4, die voneinander durch Sockel 2, 12 getrennt sind,
  • 2 eine Draufsicht auf einen Suszeptor, gemäß 1,
  • 3 den Ausschnitt III-III in einer vergrößerten Darstellung,
  • 4 den Schnitt gemäß der Linie IV-IV in 3, mit übertrieben groß dargestellter Höhe der Stufen 13, 14, sowie der Auflagezone 10,
  • 5 den Schnitt gemäß der Linie V-V in 2, ebenfalls mit übertrieben dargestellten Stufenhöhen,
  • 6 zur Verdeutlichung einen von drei Sockeln 2 gefassten Lagerplatz mit einem darin einliegenden Substrat 3,
  • 7 vergrößert eine randseitig liegenden Lagerplatz 4,
  • 8 den Schnitt gemäß der Linie VIII-VIII in 7 mit darauf aufliegendem Substrat, wobei auch hier die Höhen der Stufen 13, 14, 15, 16 übertrieben dargestellt sind, und
  • 9 eine perspektivische Darstellung eines randseitigen Lagerplatzes 4.
  • Die 2 zeigt die Draufsicht auf einen Suszeptor 1. Es handelt sich um eine flache, aus beschichtetem Graphit gefertigte Scheibe, die in einer horizontalen Lage in einem CVD-Reaktor Aufnahme findet. Der Suszeptor 1 wird von unten mittels einer Heizeinrichtung beheizt, so dass seine in der 1 dargestellte Oberseite eine Prozesstemperatur erreicht. Oberhalb des Suszeptors 1 befindet sich die Prozesskammer, die eine Höhe von wenigen Zentimetern aufweist. Die Decke der Prozesskammer wird von einem Gaseinlassorgan ausgebildet, welches die Form eines Showerheads aufweisen kann. Durch eine Vielzahl von gleichmäßig über eine Austrittsfläche verteilte Gasaustrittsöffnungen tritt ein aus mehreren reaktiven Gasen besehendes Prozessgas in die Prozesskammer ein. Der Suszeptor 1 trägt eine Vielzahl von Substraten 3, die pyrolytisch beschichtet werden, wobei die Prozessgase insbesondere an der Oberfläche der Substrate reagieren.
  • Der in den 1 und 2 dargestellte Suszeptor 1 hat einen kreisförmigen Grundriss 1 und besitzt eine horizontal verlaufende Auflagefläche, die durch eine Vielzahl von Sockeln 2, 12, in eine Vielzahl von Lagerplätzen 4 strukturiert wird. Ein Lagerplatz 4 ist jeweils von mehreren Sockeln 2, 12 umgeben. Die am Rand 1 des Suszeptors 1 angeordneten Lagerplätze 4 besitzen darüber hinaus bogenförmig angeordnete Anlagezonen 18.
  • Jeder der Sockel 2, 12 bildet drei bzw. vier Zentrierflanken 5 aus. Zwischen den Zentrierflanken 5 benachbarter Sockel 2 erstreckt sich der Lagerplatz 4. Der Rand des Lagerplatzes 4 verläuft auf einem Lagerkreis 6 mit einem Radius R. Der Radius Rw des Lagerkreises 6 entspricht dem halben Durchmesser eines Substrates 3, so dass die Kante des Randes 3' des Substrates auf dem Lagerkreis 6 liegen kann. Die 1 bis 5 zeigen die Vorrichtung ohne auf den Lagerplätzen 4 aufliegenden Substrate 3. Die 6 zeigt eine idealisierte Darstellung eines auf einem Lagerplatz 4 positionierten Substrates 3.
  • Aus der 3 ist zu entnehmen, dass der Lagerkreis 6 mehrere Zentrierflanken 5 von voneinander verschiedenen Sockeln 2, 12' berührt. Die Sockel 2, 12 bilden zum Zentrum 8 des Lagerkreises 6 weisende Zentrierflanken 5, die entlang von Bogenlinien verlaufen. Die Bogenlinien verlaufen in derselben Ebene, in der auch der Lagerkreis 6 verläuft, nämlich in der Horizontalfläche.
  • Der Radius Rp der Zentrierflanken 5 ist größer, als der Radius Rw des Lagerkreises 6. Das Zentrum 9 des Krümmungsradius der Zentrierflanke 5 ist derart positioniert, dass sich eine Berührungsstelle 7 ausbildet, in der die Lagerflanke 5 den Lagerkreis 6 berührt. In Umfangsrichtung entfernt von der Berührungsstelle 7 besitzt die Zentrierflanke 5 einen radialen Abstand zum Lagerkreis 6. In der Anlagestelle 7 liegen die beiden Richtungspfeile der Radien Rw und Rp übereinander. Die nicht dargestellten Zentren 9 sämtlicher Zentrierflanken 5 liegen auf einem Kreisbogen mit einem Abstand d um das Zentrum 8.
  • Aus den 3 und 4 ist zu entnehmen, dass unmittelbar im Bereich der Berührungsstelle 7 aus einer Ebene der Horizontalfläche 1 ein Vorsprung herausragt. Dieser Vorsprung bildet eine lokale Auflagezone 10 für den Rand 3' des Substrates 3. Die Auflagezone 10 liegt innerhalb des Lagerkreises 6 und grenzt an die Zentrierflanke 5 an. Die Auflagezone 10 erstreckt sich nur über den Bereich der Anlageflanke 5, an den der Rand 3' des Substrates 3 anliegt. Die Zentrierflanken 5 erstrecken sich über einen Bogenwinkel von etwa 30° bezogen auf das Zentrum des Lagerkreises 6. Die Auflagezonen 10, die etwa in Bogenmitte liegen, erstrecken sich nur über einen Bogenwinkel von etwa 5° bezogen auf das Zentrum des Lagerkreises 6.
  • Den 3 und 4 ist darüber hinaus zu entnehmen, dass der Zentralbereich eines vom Rand des Suszeptors entfernten Lagerplatzes 4 eine kreisförmige Mulde 11 besitzt. Diese Vertiefung wird von zwei Stufen 13, 14 ausgebildet, die sich kreisförmig um das Zentrum 8 des Lagerkreises erstrecken.
  • Den 1 und 2 ist ferner zu entnehmen, dass eine Vielzahl von Lagerplätzen 4 eine hexagonale Anordnung zueinander besitzen. Im Bereich der hexagonalen Anordnung der Lagerplätze 4 haben die Sockel 2 eine dreiteilige Symmetrie. Die Sockel 2 sind voneinander beabstandet, so dass sich die Ränder 3' benachbarter Substrate 3 im Bereich zwischen benachbarten Sockeln 2, 12 berühren können.
  • Die mit der Bezugsziffer 12 bezeichneten Sockel haben vier Zentrierflanken 5. Die Zentren der Lagerplätze 4 können sich auf den Eckpunkten von Quadraten befinden.
  • Die 6 zeigt, dass sich die Anlagestelle 7, der Mittelpunkt 8 des Lagerkreises 6 und das Zentrum 9 der Zentrierflanke 5 auf einer gedachten Linie befinden. Die Berührungsstelle 7 befindet sich in der Spiegelachse des spiegelsymmetrischen Sockels 2. Auf dieser gedachten Symmetrieachse ist der Abstand des Zentrums 9 der Zentrierflanke 5 um das Maß d weiter von der Berührungsstelle 7 entfernt, als der Mittelpunkt 8 des Lagerkreises 6.
  • Es sind eine Mehrzahl von Berührungsstellen 7 verwirklicht. Die Anzahl der einem Lagerplatz 4 zugeordneten Berührungsstellen 7 bzw. Zentrierflanken 5 beträgt mindestens drei.
  • Der Durchmesser eines Lagerplatzes 4 beträgt etwa 50 cm, so dass jeder Lagerplatz einen 2-Zoll-Wafer aufnehmen kann. Die Sockel 2, 12 entspringen einer in einer horizontalen Ebene verlaufenden Grundfläche 15', von der in Vertikalrichtung die Auflagezonen 10 abragen. Die vertikale Höhe einer Auflagezone 10 entspricht etwa 5 bis 30 μm. Jeder Lagerplatz besitzt eine Vertiefung 11, die eine Tiefe im Bereich zwischen 20 und 60 μm besitzt.
  • Die innenliegenden Lagerplätze 4 besitzen rotationssymmetrische Vertiefungen 11.
  • Die radial außen liegenden Lagerplätze 4, die entweder unmittelbar an den Rand 1' des Suszeptors 1 angrenzen, oder die in Radialrichtung dem Rand 1' des Suszeptors 1 am nächsten liegen, besitzen eine Vertiefung, die eine nicht rotationssymmetrische Gestalt aufweist. Der Suszeptor 1 besitzt einen Rand 1', dessen äußerste Randkante auf einer Kreisbogenlinie um ein Zentrum des Suszeptors 1 verläuft.
  • Die Vertiefung 11 besitzt einen Randbereich, der auf der zum Zentrum des Suszeptors 1 weisenden Seite auf Kreisbogenlinien verlaufende Stufen 13, 14 aufweist, mit denen die Vertiefung von ihrem Rand zu ihrer Mitte hin abfällt. Der Randbereich der Vertiefung 11, der zum Rand 1' des Suszeptors 1 weist, bildet Treppenstufen 13, 14 aus, deren Kanten auf parallel zueinander verlaufenden Sekantenlinien verläufen. Der Rand 1' des Suszeptors 1 kann gewölbt sein. Einige Lagerplätze 4 können sich bis in den gewölbten Rand 1' des Suszeptors 1 erstrecken.
  • Die 8 zeigt den Schnitt durch eine randseitige Vertiefung 11. Auf dem zugehörigen Lagerplatz liegt ein Substrat 3 auf. Die Enden der Pfeile R1 und R2 deuten zwei Punkte innerhalb der Vertiefung 11 an, die einen gleichen Radialabstand zum Zentrum 8 des Lagerplatzes besitzen. Die Höhe H in der Vertiefung 17, also des Abstandes des Bodens des Lagerplatzes von der Unterseite des Substrates 3 ist am Ende des Pfeiles R2 geringer als am Ende des Pfeiles R1. Der Pfeil R2 zeigt in Radialrichtung bezogen auf den Suszeptor 1 nach außen. Der Pfeil R1 zeigt bezogen auf die Radialrichtung des Suszeptors 1 zum Zentrum.
  • Die vertikale Höhe des Hohlraums 17, der sich unterhalb eines auf einem Lagerplatz 4 aufliegenden Substrates 3 bildet, ist in dem Randbereich der Vertiefung, der dem Rand 1' des Suszeptors 1 benachbart ist, geringer als auf der diametral gegenüberliegenden Seite der Lagertasche. Der dem Suszeptorrand 1' benachbarte Randbereich der Vertiefung 11 kann weniger stark zum Zentrum der Vertiefung abfallen, als der gegenüberliegende, zum Zentrum des kreisrunden Suszeptors 1 weisende Randbereich der Vertiefung 11.
  • Der zum Suszeptorrand 11 weisende Randbereich der den Lagerplatz 4 ausbildenden Lagertasche kann zusätzliche, oberhalb der Grundebene 15' liegende Stufen 15, 16 aufweisen, deren Höhe aber geringer sind, als die Auflagezonen 10, auf denen der Rand des Substrates 3 aufliegt. Die Stufen 15, 16 haben parallel zu den Stufen 13, 14 verlaufende Randkanten. Die Stufenflächen 16', 14', 13' verlaufen in Parallelebenen zur Grundfläche 15'. Es handelt sich um Horizontalebenen.
  • Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils eigenständig weiterbilden, nämlich:
    Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Zentrierflanken 5 den Lagerkreis 6 an den Anlagestellen 7 nur tangieren und sich ihr Abstand vom Zentrum 8 des Lagerkreises 6 mit wachsender Entfernung von der Anlagestelle 7 stetig vergrößert.
  • Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Bogenlinie, entlang derer sich die Zentrierflanke 5 erstreckt, eine Kreisbogenlinie ist, mit einem Radius Rp, der größer ist, als der Radius Rw des Lagerkreises 6, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass der Radius Rp der Zentrierflanke 5 5 bis 10% größer ist, als der Radius Rw des Lagerkreises 6 und/oder dass die Zentrierflanke 5 sich über einen Bogenwinkel von 20 bis 40° um das Zentrum des Lagerkreises 6 erstreckt.
  • Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Lagerplatz (4) eine Vertiefung (11) aufweist, deren maximale Tiefe insbesondere zwischen 20 und 60 μm beträgt.
  • Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet durch an den Anlagestellen 7 innerhalb des Lagerkreises 4 angeordnete lokale Auflagezonen 10 zur punktuellen Randunterstützung des Substrates 3, welche insbesondere unmittelbar am Rand des Lagerkreises 6 angeordnet sind und sich insbesondere über einen Bogenwinkel von 3° bis 10° um das Zentrum des Lagerkreises 6 erstrecken.
  • Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Vertiefung 11 zumindest einen kreisförmigen Rand 13 aufweist, der auf einer Kreisbogenlinie um das Zentrum des Lagerkreises 6 verläuft, und/oder mehrere Stufen besitzt.
  • Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Sockel 2, 12 drei oder vier Anlageflanken 5 aufweist und insbesondere eine dreizählige oder eine vierzählige Symmetrie aufweist.
  • Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Randbereich des Hohlraumes 17 einen von einer Rotationssymmetrie abweichenden Verlauf besitzt, wobei im selben Radialabstand R1, R2 zum Zentrum 8 des Lagerplatzes 4 die Vertikalhöhe H in den dem Rand 1' der Vorrichtung zugewandten Randbereich R2 geringer ist, als die Vertikalhöhe H in dem vom Rand 1' der Vorrichtung wegweisenden Randbereich R1.
  • Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Boden des Lagerplatzes (4) von seinemem Rand treppenartig abfällt.
  • Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Boden des Lagerplatzes (4) von ihrem Rand treppenartig abfällt.
  • Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Boden des Lagerplatzes 4 in dem vom Rand 1' der Vorrichtung wegweisenden Randbereich 13, 14 von Stufen gebildet ist, deren Randkanten auf Kreisbogenlinien um das Zentrum 8 des Lagerplatzes 4 verlaufen und deren Stufenflächen 13', 14', 15' bündig in Stufenflächen 13', 14', 15' in Stufen 13, 14 übergehen, die dem zum Rand 1' der Vorrichtung zugewandten Randbereich zugeordnet sind und deren Kanten auf Sekantenlinien verlaufen.
  • Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Horizontalfläche eine Grundebene 15' aufweist, von der sich die Auflagezonen 10 vertikal nach oben und die Vertiefungen 11 vertikal nach unten erstrecken, wobei zumindest ein nahe dem Rand 1' der Vorrichtung liegender Lagerplatz 4 auf seiner zum Rand 1' der Vorrichtung hin weisenden Seite eine Stufe 15, 16 ausbildet, die vertikal oberhalb der Grundfläche 15' aber vertikal unterhalb der Auflagezone 10 liegt.
  • Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Suszeptor
    2
    Sockel
    3
    Substrat
    4
    Lagerplatz
    5
    Zentrierflanke
    6
    Lagerkreis
    7
    Anlage-/Berührungsstelle
    8
    Zenrum/Mittelpunkt
    9
    Zentrum
    10
    Auflagezonen
    11
    Vertiefung
    12
    Sockel
    13
    Rand/Stufe
    14
    Stufe
    15
    Stufe
    16
    Stufe
    17
    Hohlraum
    18
    Anlageraum
    1'
    Rand
    3'
    Rand (des Substrates)
    d
    Abstand
    H
    Höhe
    R1
    Pfeil
    R2
    Pfeil
    Rp
    Radius
    Rw
    Radius
    13'
    Stufenfläche
    14'
    Stufenfläche
    15'
    Grundfläche
    14'
    Stufenfläche
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
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    • US 2006/0180086 [0008]
    • US 7591908 [0008]
    • US 2009/0277387 [0008]

Claims (11)

  1. Vorrichtung mit in einer Horizontalfläche angeordneten Lagerplätzen (4) für jeweils ein kreisscheibenförmiges Substrat (3), mit einer Vielzahl zwischen benachbarten Lagerplätzen (4) angeordneten Sockeln (2, 12), die räumlich voneinander getrennt sind und Zentrierflanken (5) aufweisen, die einer in der Horizontalfläche liegenden Bogenlinie folgen, wobei mehrere, jeweils einen Lagerplatz (4) flankierende Zentrierflächen (5) auf einem Lagerkreis (6) angeordnete Anlagestellen (7) ausbilden zur berührenden Anlage eines Abschnittes des Randes (3') des Substrates (3), dadurch gekennzeichnet, dass die Zentrierflanken (5) den Lagerkreis (6) an den Anlagestellen (7) nur tangieren und sich ihr Abstand vom Zentrum (8) des Lagerkreises (6) mit wachsender Entfernung von der Anlagestelle (7) stetig vergrößert.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bogenlinie, entlang derer sich die Zentrierflanke (5) erstreckt, eine Kreisbogenlinie ist, mit einem Radius (Rp), der größer ist, als der Radius (Rw) des Lagerkreises (6), wobei insbesondere vorgesehen ist, dass der Radius (Rp) der Zentrierflanke (5) 5 bis 10% größer ist, als der Radius (Rw) des Lagerkreises (6) und/oder dass die Zentrierflanke (5) sich über einen Bogenwinkel von 20 bis 40° um das Zentrum des Lagerkreises (6) erstreckt.
  3. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dass der Lagerplatz (4) eine Vertiefung (11) aufweist, deren maximale Tiefe insbesondere zwischen 20 und 60 μm beträgt.
  4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch an den Anlagestellen (7) innerhalb des Lagerkreises (4) angeordnete lokale Auflagezonen (10) zur punktuellen Randunterstützung des Substrates (3), welche insbesondere unmittelbar am Rand des Lagerkreises (6) angeordnet sind und sich insbesondere über einen Bogenwinkel von 3° bis 10° um das Zentrum des Lagerkreises (6) erstrecken.
  5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertiefung (11) zumindest einen kreisförmigen Rand (13) aufweist, der auf einer Kreisbogenlinie um das Zentrum des Lagerkreises (6) verläuft, und/oder mehrere Stufen besitzt.
  6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Sockel (2, 12) drei oder vier Anlageflanken (5) aufweist und insbesondere eine dreizählige oder eine vierzählige Symmetrie aufweist.
  7. Vorrichtung mit in einer Horizontalfläche angeordneten Lagerplätzen (4) für jeweils ein kreisscheibenförmiges Substrat (3), wobei zumindest ein nahe dem Rand der Vorrichtung liegender Lagerplatz (4) so ausgestaltet ist und insbesondere eine Vertiefung (11) besitzt, dass sich unterhalb eines auf dem Lagerplatz (4) liegenden Substrates (3) ein Hohlraum (17) ausbildet, mit einem Randbereich, dessen vertiakele Tiefe zum Zentrum des Lagerplatzes größer wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Randbereich des Hohlraumes (17) einen von einer Rotationssymmetrie abweichenden Verlauf besitzt, wobei im selben Radialabstand (R1, R2) zum Zentrum (8) des Lagerplatzes (4) die Vertikalhöhe (H) in den dem Rand (1') der Vorrichtung zugewandten Randbereich (R2) geringer ist, als die Vertikalhöhe (H) in dem vom Rand (1') der Vorrichtung wegweisenden Randbereich (R1).
  8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Boden des Lagerplatzes (4) von seinem Rand treppenartig abfällt.
  9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Boden des Lagerplatzes (4) in dem vom Rand (1') der Vorrichtung wegweisenden Randbereich (13, 14) von Stufen gebildet ist, deren Randkanten auf Kreisbogenlinien um das Zentrum (8) des Lagerplatzes (4) verlaufen und deren Stufenflächen (13', 14', 15') bündig in Stufenflächen (13', 14', 15') in Stufen (13, 14) übergehen, die dem zum Rand (1') der Vorrichtung zugewandten Randbereich zugeordnet sind und deren Kanten auf Sekantenlinien verlaufen.
  10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Horizontalfläche eine Grundebene (15') aufweist, von der sich die Auflagezonen (10) vertikal nach oben und die Vertiefungen (11) vertikal nach unten erstrecken, wobei zumindest ein nahe dem Rand (1') der Vorrichtung liegender Lagerplatz (4) auf seiner zum Rand (1') der Vorrichtung hin weisenden Seite eine Stufe (15, 16) ausbildet, die vertikal oberhalb der Grundfläche (15') aber vertikal unterhalb der Auflagezone (10) liegt.
  11. Vorrichtung oder Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
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