CN108140607A - 基板托架 - Google Patents

基板托架 Download PDF

Info

Publication number
CN108140607A
CN108140607A CN201680049161.7A CN201680049161A CN108140607A CN 108140607 A CN108140607 A CN 108140607A CN 201680049161 A CN201680049161 A CN 201680049161A CN 108140607 A CN108140607 A CN 108140607A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
substrate carrier
cantilever arm
carrier according
plateau
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680049161.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108140607B (zh
Inventor
S·拉舍克
E·安索奇
M·克尔
C·博姆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meyer Berg (germany) Ltd By Share Ltd
Original Assignee
Meyer Berg (germany) Ltd By Share Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Meyer Berg (germany) Ltd By Share Ltd filed Critical Meyer Berg (germany) Ltd By Share Ltd
Publication of CN108140607A publication Critical patent/CN108140607A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108140607B publication Critical patent/CN108140607B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67333Trays for chips
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4587Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Abstract

本发明涉及一种基板托架,该基板托架具有基板托架板,该基板托架板具有正面的基板托架表面,用于分别容纳基板的至少一个基板容纳区设置在该正面的基板托架表面上。本发明的任务是提出一种基板托架,该基板托架在不影响基板性质或基板加工的情况下尽可能地确保基板的安全支承以及在快速处理时简单且无损坏地从基板托架上取走基板。该任务通过本发明如此完成,即,基板容纳区具有内区和围绕该内区延伸的外区,其中,该外区具有相互间隔的、相对于内区表面突出的、用于支承基板边缘区的高台,其中在高台之间设有通风通道。

Description

基板托架
本发明涉及具有基板托架板的基板托架,该基板托架板具有正面的基板托架表面,在该基板托架表面上设有用于分别容纳基板的至少一个基板容纳区。
被用在尤其是半导体基板(例如硅晶圆)的加工中的基板托架应稳固地保持至少一个基板,并且能够实现其无缺陷加工。通常,此时采用水平取向的基板托架(所谓的托盘或载体),在其表面上放置至少一个平面基板(例如半导体晶圆),并且在此位置上被加工和/或在基板托架上被运送。所述基板此时应稳固地平放在基板托架上。在完成加工后或在完成运送后,所述基板应又能无损地从基板托架上被取走。
例如从出版物DE4026244C2已知前言所述类型的基板托架。这种已知的基板托架具有带有凹部的基板托架板,基板平放在该凹部中。该凹部的侧壁保持基板就位。为了将基板真空固定在基板托架上以及为了在真空处理后可能的通风,根据现有技术,在基板和基板托架之间设有周缘空间以及设有安装在基板下方的一直穿过基板托架的孔。也就是说,基板居中平放在基板托架上的一种基座上,而基板的外部区域不接触基板托架,因为基板托架在这些区域凹陷。另外,可以居中地在基板下方设有另一个空间,其中,基板托架板在此中心区域内具有贯穿孔。该现有技术的缺点是,所述基座尤其在等离子体加工过程中可能被反映在基板上,从而基板性能(例如导电性)可能受到不利影响。另外,基板可能斜掉到周缘凹部中,并因此随后不再平放在基板托架上。由此,例如可能造成基板损坏和/或出现基板加工时的非均匀性,利如不均匀的基板涂层。
因此,本发明的任务是提出一种基板托架,该基本托架在不影响基板性质或基板加工的情况下尽可能地确保基板的安全支承以及在快速处理时简单且无损坏地从基板托架上取走基板。
根据本发明,如此完成该任务,即基板容纳区具有内区和围绕该内区延伸的外区,其中该外区具有彼此间隔开的、相对于内区表面凸起的用于支承基板边缘区的高台,其中在所述高台之间设有通风通道。
在根据本发明的基板托架中,在正面的基板托架表面中设有通过中断相互分开的多个支承部,它们至少部分位于设于基板托架上的基板的下方并且形成用于待搁置在基板托架上的基板的边缘区的支承区。因此,基板边缘侧放置在相对于基板托架板上的基板容纳区的内区升高的水平高度上。在相互间隔开的高台之间以及在基板容纳区的内区中,正面的基板托架表面具有比高台低的水平高度。此时,在高台之间形成通道,这些通道在通风和/或排气时用作通风通道,因此可以将气体引导到基板容纳区的内区中,并因而能够实现基板的后侧通风,这进而能够实现简单且无损地从基板托架上取走基板。
根据本发明的基板托架因此提供以下优点,基板能够以其边缘区平面平行地快速放置在基板容纳区上,并且此时在基板和支承部之间不会形成气垫,从而基本上避免了基板在基板托架上的水平滑移。在这种情况下,基板托架与基板之间的至少一个空间位于基板容纳区的内区中。位于该空间中的气体可以通过位于高台之间的通风通道在基板安放时逸出到外部,使得基板不会在外区上“漂浮”。这有助于基板在基板托架板上安全且快速的放置,因为避免了基板在气垫上滑移。
此外,当从基板托架上取走基板时,通风通道使气体从侧方引导到基板下方,并由此能够轻易且无损地将基板抬离基板托架板。此外,所述高台和通风通道仅设置在基板的边缘区中,使得这些结构在基板上的反映被保持得尽可能小。
在根据本发明的基板托架的优选实施方式中,所述高台形成在与正面的基板托架表面(不算内区的表面)相同的水平高度上。也就是说,仅针对内区和通风通道,规定了相比于针对其余的正面的基板托架表面的不同的(即较低的)水平高度。可以如此形成所述高台,即它们是正面的基板托架表面的在通风通道之间的区域。由此导致根据本发明的基板托架的有利生产。
在根据本发明的基板托架的有利改进方案中,在基板容纳区周围的所有侧面上设置通风通道。由此能够实现基板背面的均匀排气和通风。因此,在基板下方的空气垫或气垫在基板托架支承时被均匀除去或者在基板取出时又均匀建立,使得基板不仅安全地平放在基板托架上,而且又能安全且快速地从基板托架上被取走。
在本发明中,所述高台尤其优选地呈带状。一方面,这导致稳定的支承可能性,而另一方面,带状高台仅形成小的支承面,并因此在基板处理时仅以最微小程度或甚至并未反映在基板背面和/或基板托架正面上。因此,形成支承部的高台优选呈长条形和/或矩形,由此能够实现简单且廉价地制造所述高台和/或通风通道。
根据根据本发明的基板托架的优选实施方式,通风通道被铣制在正面的基板托架表面中。由此可以尤其简单且廉价地制造所述通风通道。类似地,相对于外区具有较低水平高度的内区也可以被铣制在正面的基板托架表面中。
在本发明的另选实施方式中,在内区中设有至少一个支撑结构,基板可以至少部分地放置在所述至少一个支撑结构上。由此可以有效增大基板与基板托架之间的接触面积,从而改善基板托架与基板之间的热传递。但该支撑结构可能导致其结构反映在基板上,尤其也反映在基板正面上,以及在等离子体加工过程中发生对等离子体的不期望的影响。
在根据本发明的基板托架的合适的实施方式中,所述高台和/或支撑结构通过材料涂敷被施加到正面的基板托架表面上。施加这样的高台状支承部以及支撑结构的可能方式例如是3D打印、(照相)平版印刷法、螺纹连接、钎焊、点焊或焊接。另外,通风通道被铣制到正面的基板托架表面中并且高台通过材料涂敷被施加至正面的基板托架表面的本发明的这些实施方式也可以相互组合。
在根据本发明的基板托架的尤其有利的改进方案中,高台的高度和/或通风通道的深度在0.1mm至1mm的范围内,优选在0.2mm至0.5mm的范围内。高台的高度在此是指相对于基板支承区的内区的高度和/或相对于通风通道的最低点的高度。事实证明,在0.1mm至1mm(优选0.2mm至0.5mm)的深度范围和/或高度范围内的通风和排气对于快速处理至少一个基板是令人满意的。另一方面,在基板和基板托架之间应存在良好的热连接,这也通过0.1mm至1mm(优选0.2mm至0.5mm)的深度范围和/或高度范围得到保证。
在根据本发明的基板托架的情况下已经被证明尤其有利的是,高台的相互间距和/或通风通道的宽度在0.1mm至5mm的范围内,优选在0.2mm至1mm的范围内。高台的相互间距在此是指在基板支承区的外区中的一个高台至一个相邻高台的距离,即由两个高台之间的通风通道的宽度造成的距离。在0.1mm至5mm(优选0.2mm至1mm)的距离范围和/或宽度范围的情况下,在排气过程和/或通风过程中的令人满意的气体流动已经被证明。
在根据本发明的基板托架的优选实施方式中,基板托架板由至少一种导电材料形成和/或涂覆有至少一种导电材料。由此,基板托架板可以在基板处理室中例如作为电极构成。这尤其在以下情况下是有用的,所述至少一个待处理基板应该被调节至一定电位。作为导电材料,例如可以考虑金属或合金,尤其是铝、钛或者其中一种所述金属的合金。此外,导电材料也具有良好导热性,这对基板托架板来说是符合期望的特性,以便因此如利用布置在基板托架板的背面上的回火装置加热或冷却布置在基板托架板的正面的基板托架表面上的基板。
根据根据本发明的基板托架的有利改进方案,基板容纳区的外区是设于基板托架上的基板的表面的至多十分之一。由此将因外区的形状在加工过程中在基板上的反映而引起的对基板的可能影响保持尽量小。
尤其优选的是,从正面的基板托架表面伸出的伸出臂设置用于侧向界定基板容纳区上的基板支承面。该伸出臂用作用于基板的侧向定位件。因此基板不会例如在通风状态下水平滑移,并且被固定在其在基板容纳区上的位置中。有利地,在基板容纳区周围设置有多个伸出臂,从而防止基板在所有方向上的滑移。此外,可以在相邻的基板之间分别恰好设有一个伸出臂,使得相邻的基板分别“共享”一个伸出臂。然而,另选地,也可以在相邻的基板之间设置彼此间隔开的伸出臂,使得每个伸出臂分别只与一个基板相邻。
在本发明的另选实施方式中,伸出臂可以在正面的基板托架表面中形成为围绕基板容纳区延伸的至少一个阶梯。所述阶梯具有比外区的高台更高的水平高度,由此形成所谓的基板支座。通风通道延伸穿过所述阶梯,这些通风通道例如可以与外区的通风通道相连通。因此,基板并未完全被所述阶梯紧密贴靠地包围,并且可以保证基板容纳区的有效通风和排气。
在根据本发明的基板托架的有利改进方案中,所述至少一个伸出臂是销。在此情况下,销是指柱形体,其周面垂直于正面的基板托架表面延伸。这种销的流行称呼是“定位销(pin)”。这种柱形体尤其能有利地制造。在另选实施方式中,销也可以形成为多面棱柱体,例如三棱柱体、长方体或八面棱柱体,其中,棱柱体的各周面沿着垂直于正面的基板托架表面的棱柱体纵向延伸方向延伸。
伸出臂优选被插入设于正面的基板托架表面中的盲孔中。盲孔是基板托架表面中的凹口,其未穿透基板托架板。伸出臂被插入盲孔中,因此伸出臂的一部分陷入该孔中并且仅伸出臂的一部分从该孔伸出以防止基板侧向滑移。因此,伸出臂松弛地插装在盲孔内。另选地,伸出臂也可以形状配合地保持在盲孔中,例如通过卡口接合方式或者盲孔和伸出臂的相互呈楔形延伸的表面。由此,伸出臂可以牢固地但可拆卸地与基板托架板连接。在特殊情况下,伸出臂可以被设计成螺钉,而盲孔具有螺纹,从而伸出臂被形成为可被拧入正面的基板托架表面中。
在本发明的一个特殊设计中,伸出臂从基板托架的背面被装入,其中,该伸出臂从正面的基板托架表面的孔伸出,其中,该伸出臂通过该孔的尺寸被保持在该孔内,并且其中,该伸出臂利用固定件从背面被固定在该孔中。因此,在该变型中设有穿过基板托架板的孔,伸出臂可以从基板托架背面穿过该孔。该孔和伸出臂此时可以如此形成,使得在正面的基板托架表面的方向上存在一种止挡,伸出臂因此只能穿过所述孔到达某一点。在基板托架的背面并因此在所述孔的背面,伸出臂通过固定件被固定在基板托架上。这种固定尤其可以设计成是气密的,使得伸出臂的固定密封基板托架内的所述孔。
根据本发明的另一个可选方案,伸出臂布置在平行于正面的基板托架表面在基板托架板内延伸的槽中,其中,该伸出臂的位于槽内的保持件被所述槽的配合保持件套住。因此,所述槽能够在较深的区域中设计成比在靠近正面的基板托架表面的区域中更宽,从而存在槽沿正面的基板托架表面的方向的缩窄。缩窄区可以形成配合保持件。伸出臂本身可以在设于槽内的最低部段中被扩宽,类似于螺钉头。伸出臂的这种扩宽部段可以形成保持件。由此,伸出臂通过形状配合被保持在该槽中。在较长槽的情况下,伸出臂可以像所谓的滑块那样被移动至期望位置并且在一侧或两侧通过至少一个止挡件被防滑动地固定在该期望位置中。
在根据本发明的基板托架的优选实施方式中,伸出臂由至少一种电绝缘体形成。电绝缘体是差的导热体,由此避免了通过作为伸出臂的销的散热。此外,基板托架板可以在基板处理过程中被用作电极。通过将伸出臂设计为电绝缘体避免了在基板托架板上形成电位峰值。如果基板例如在等离子体中被处理,则因此避免了等离子体变形,因为伸出臂被形成为电绝缘体。作为用于伸出臂的材料,例如可以考虑玻璃、石英、陶瓷或塑料,尤其是氧化铝。因此,这样的伸出臂也可以被称为“陶瓷销”。
根据根据本发明的基板托架的有利的改进方案,伸出臂被形成为中空的。该伸出臂因此可以例如是空心柱体。这对于在真空中进行的基板处理过程有利,因为伸出臂在排气时不会因所出现的负压而被拽出盲孔。
此外已经被证明有利的是,伸出臂在其背对基板托架板的一端被形成为尖的或圆锥形的。因此,如果基板在基板容纳区外被错误地安放在正面基板托架表面上,使得基板接触到伸出臂的倾斜表面,则伸出臂的这种倾斜表面将基板导向基板容纳区。由此使得基板布置在伸出臂之间。
以下结合附图来详述本发明的有利实施方式、其结构、功能和优点,其中:
图1示意性地示出了根据本发明的基板托架的正面的基板托架表面的俯视图;
图2示意性地示出了图1的基板托架的正面的基板托架表面连同安放在该基板托架的基板容纳区上的基板的俯视图;
图3示意性地示出了根据本发明的基板托架连同安放在其上的基板沿着基板托架的基板容纳区的高台的横截面图;
图4示意性地示出了图3的根据本发明的基板托架连同安放在其上的基板沿着通风通道的另一横截面图;
图5以横截面图示出了根据本发明的基板托架连同盲孔中的圆柱形或长方体形的伸出臂的细节图;
图6以横截面图示出了根据本发明的基板托架连同盲孔中的金字塔形或圆锥形伸出臂的细节图;
图7以横截面图示出了根据本发明的基板托架连同盲孔中的中空形伸出臂的细节图;
图8以横截面图示出了根据本发明的基板托架连同穿过基板托架的孔的伸出臂的另选实施方式的细节图;
图9以横截面图示出了根据本发明的基板托架连同保持在槽中的伸出臂的另一另选实施方式的细节图;
图10示意性地示出了根据本发明的基板托架的基板容纳区连同布置在内区中的支撑结构的俯视图。
图1以俯视图示出了根据本发明的基板托架的实施方式。该基板托架具有包括正面的基板托架表面2的基板托架板1。在基板托架表面2上,以多行多列相互间隔地布置有许多矩形的基板容纳区3。每个基板容纳区3分别具有一个具有较低水平高度的矩形内区5以及一个围绕该内区5延伸的外区6。另选地,也可以想到,基板容纳区3和内区5具有不同于矩形的形状,例如呈圆形、椭圆形或八角形。
在外区6中设有具有相对于内区5升高的高度水平的高台7以及具有内区5的较低高度水平的通风通道8。在图1的实施方式中,所述通风通道8被形成为相互平行取向或相互垂直取向的沟槽,并且所述高台7被形成为相互平行取向或相互垂直取向的带。在本发明的其它实施方式中,通风通道8也可以相互间以锐角或钝角布置。高台7同样可以相互间形成锐角或钝角。
围绕基板容纳区3设有从基板托架表面2伸出的伸出臂9。在图1的实施方式中,在基板容纳区3的每一侧设有恰好一个伸出臂9,使得矩形的基板容纳区3被四个伸出臂9包围。由此可以防止基板4在各个方向上的滑移。在另选实施方式中,在基板容纳区3的每一侧可以布置多个伸出臂9。在基板容纳区3具有圆形或椭圆形几何形状时有利的是,所述伸出臂9也呈圆形或椭圆形环绕基板容纳区3布置。伸出臂9在图1的实施方式中布置在高台7上。另选地,伸出臂9可以布置在通风通道8中,其中,通风通道8于是被形成为比伸出臂9宽,以便不阻碍气体流过通风通道8。
图2以看向正面的基板托架表面2连同安放在基板托架板1上的基板4的俯视图示出了图1的基板托架。基板4在此安放在基板容纳区3上并遮盖所述基板容纳区。基板4在在此所示的实施方式中被形成为矩形,但另选地,也可以例如具有圆形或其它形状,例如四边形。
与基板4侧向间隔开地布置伸出臂9。在基板4与伸出臂9之间规定一较小距离,使得每个基板4可以布置在包围该基板4的四个伸出臂9之间。另一方面,基板4与伸出臂9之间的该距离被选择为如此小,以使得基板4在略微水平滑移的情况下被其中一个伸出臂9限制。
另外,在基板4侧面且边缘区中布置通风通道8,所述通风通道分别从外区6延伸到内区5中,并因此部分布置在各自基板4下方。在两个通风通道8之间分别布置一个高台7,其中基板4安放在高台7上,其中图2中的高台7仅作为通风通道8之间的区域可被看到。
在图3中示出了根据本发明的基板托架连同安放在其上的基板4的沿图2的线A-A的横截面,即沿高台7的横截面。在基板托架板1的正面的基板托架表面2上安放有基板4。与基板4侧向间隔地分别离各自基板4较近地布置有多个伸出臂9。基板4分别在外区6安放在至少一个高台7上,而在布置在基板4下方的内区5中存在位于基板4和基板托架板1之间的空间或空隙。
在图4中示出了根据本发明的基板托架连同安放在其上的基板4的根据图2的线B-B的横截面,即沿着通风通道8的横截面。不同于图3,在这里在外区6中能看到在基板4下方延伸的通风通道8。所述通风通道8位于与内区5一样的高度水平上并使它们与在基板托架板1上方且围绕基板托架板存在的空间流体连通。因此,如果为了在真空处理过程中对基板托架板1连同安放在其上的基板4进行排气,则处于布置在内区5中且在基板托架板1与基板4之间形成的空隙内的气体可以通过通风通道8对外送出。在真空处理后的通风情况下,气体又可以经通风通道8流入内区5并因此通风至基板4后。
图5以横截面图示意性地示出了根据本发明的基板托架的在盲孔10中的被制成销的伸出臂9的细节图。盲孔10开设到基板托架板1的正面的基板托架表面2中,其中,盲孔10是在正面的基板托架表面2中的凹口,其未穿透基板托架板1。盲孔10可以被形成为圆形凹槽,即呈圆柱体形状,但另选地,其也可以具有角形或椭圆形的基面。
伸出臂9的基面优选被设计成与盲孔10的基面完全相同但较小,从而使得能够无摩擦地将伸出臂9装入盲孔10中。即,在圆形盲孔10的情况下,销状伸出臂9被形成为圆柱形。在根据图5的实施方式中,伸出臂9由块构成并制成笔直物体。
图6以横截面图示意性地示出了代替伸出臂9可被用在根据本发明的基板托架的实施方式中的伸出臂9a的细节图。伸出臂9a被形成为向上逐渐变为尖头的物体,即在圆形基面的情况下呈圆锥形,在角形基面的情况下呈金字塔形。另选地,也可以想到,伸出臂9a的陷在盲孔10中的基座被形成为笔直物体,伸出臂9a的仅高出盲孔的部分被形成为渐变为尖头的物体。在图6的实施方式中,伸出臂9a由块构成。
图7以横截面图示意性地示出了代替伸出臂9或9a可被用在根据本发明的基板托架中的伸出臂9b的另一另选实施方式的细节图。伸出臂9b被形成为中空,即,可以是圆柱形管或中空棱柱体。其在真空处理过程中尤其具有以下优点,在排气时该伸出臂9b因为在正面的基板托架表面2上出现的负压而不会被拽出盲孔10。
图8以横截面图示意性地示出了根据本发明的基板托架的另选实施方式,其中,基板托架板1a具有连贯的孔13。伸出臂9c从基板托架的背面穿过所述孔13伸至正面的基板托架表面2。孔13和伸出臂9c都在朝向正面的基板托架表面2的方向上渐缩形成,其中孔13和伸出臂9c在所示实施方式中在正面的基板托架表面2上具有相同的周长,即在这里存在止挡,由此伸出臂9c无法进一步穿过孔13地伸出。在基板托架的背面12,在伸出臂9c上布置有固定件91,该固定件例如可以通过钎焊与背面12固定气密连接。由此防止伸出臂9c掉出基板托架板1a。
图9以横截面图示意性地示出了具有基板托架板1b根据本发明的基板托架的另一另选实施方式。基板托架板1b在正面的基板托架表面2中具有槽14,该槽在深陷区域内相对于靠近基板托架表面2的区域被扩宽。设于槽14内的伸出臂9d以与槽14形状匹配的方式形成,即在下侧区域具有加宽结构,该加宽结构形成保持件92。保持件92被配合保持件15套住,配合保持件通过基板托架板1b内的槽14构成。由此通过形状配合防止伸出臂9d被竖向拽出槽14。伸出臂9d可以通过至少一个止挡件被固定而防止在槽14中水平移动,该止挡件总是在伸出臂9d旁边被固定在槽14中。
图10以俯视图示出了容纳区3a的另选实施方式。不同于根据图1的实施方式,在内区5a中布置有四个分别呈矩形形式的支撑结构11,所述支撑结构可以形成与高台7一样的水平高度。因此,所述支撑结构11可以接触到可安放在基板容纳区3a上的基板4。由此,一方面避免基板4在内区3a上被压弯。此外,因此相比于根据图1的实施方式还扩大了基板4与基板托架板1之间的接触面,由此增强了基板托架板1与基板4之间的热传递。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种基板托架,该基板托架具有基板托架板(1、1a、1b),所述基板托架板(1、1a、1b)具有正面的基板托架表面(2),用于分别容纳一个基板(4)的至少一个基板容纳区(3、3a)设置在所述正面的基板托架表面(2)上,其中,所述基板容纳区(3、3a)具有内区(5)和围绕所述内区(5)延伸的外区(6),其中,所述外区(6)具有相互间隔的、相对于所述内区(5)的表面突出的、用于支承所述基板(4)的边缘区的高台(7),其中,在所述高台(7)之间设有通风通道(8),
其特征在于,
所述通风通道(8)被形成为相互平行取向或相互垂直取向的沟槽,并且所述高台(7)被形成为相互平行取向或相互垂直取向的带,并且所述通风通道(8)使所述内区(5)与存在于所述基板托架板(1、1a、1b)上方和周围的空间流体连通。
2.根据权利要求1所述的基板托架,其特征在于,所述高台(7)形成在与除所述内区(5)的表面外的所述正面的基板托架表面(2)相同的水平高度上。
3.根据权利要求1或2所述的基板托架,其特征在于,所述通风通道(8)全面围绕所述基板容纳区(3a)设置。
4.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述通风通道(8)被铣制到所述正面的基板托架表面(2)中。
5.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,在所述内区(5)中设有至少一个支撑结构(11),所述基板(4)能够至少部分地安放在所述支撑结构(11)上。
6.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述高台(7)通过材料涂敷被施加到所述正面的基板托架表面(2)上。
7.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述高台(7)的高度和/或所述通风通道(8)的深度在0.1mm至1mm的范围内。
8.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述高台(7)彼此的间距和/或所述通风通道(8)的宽度在0.1mm至5mm的范围内。
9.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述基板托架板(1、1a、1b)由至少一种导电材料形成和/或涂覆有至少一种导电材料。
10.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述基板容纳区(3)的所述外区(6)是设于所述基板托架上的基板(4)的表面的至多十分之一。
11.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,从所述正面的基板托架表面(2)伸出的至少一个伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)被设置用于侧向界定所述基板容纳区(3)上的基板支承面。
12.根据权利要求11所述的基板托架,其特征在于,所述至少一个伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)是销。
13.根据权利要求11或12所述的基板托架,其特征在于,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)被装入到开设于所述正面的基板托架表面(2)中的盲孔(10)中。
14.根据权利要求11或12所述的基板托架,其特征在于,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)从所述基板托架的背面(12)被装入,其中,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)从所述正面的基板托架表面(2)的孔(13)伸出,其中,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)通过所述孔(13)的尺寸被保持在所述孔(13)中,并且其中,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)利用固定件(91)从所述背面(12)被固定在所述孔(13)中。
15.根据权利要求11或12所述的基板托架,其特征在于,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)被布置在平行于所述正面的基板托架表面(2)在所述基板托架板(1)中延伸的槽(14)中,其中,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)的位于所述槽(14)中的保持件(92)被所述槽(14)的配合保持件(15)套住。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)由至少一种电绝缘体形成。
17.根据权利要求11至16中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)被形成为中空。
18.根据权利要求11至17中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)在远离所述基板托架板(1)的一端被形成为尖的或圆锥形的。

Claims (19)

1.一种基板托架,该基板托架具有基板托架板(1、1a、1b),所述基板托架板(1、1a、1b)具有正面的基板托架表面(2),用于分别容纳一个基板(4)的至少一个基板容纳区(3、3a)设置在所述正面的基板托架表面(2)上,
其特征在于,
所述基板容纳区(3、3a)具有内区(5)和围绕所述内区(5)延伸的外区(6),其中,所述外区(6)具有相互间隔的、相对于所述内区(5)的表面突出的、用于支承所述基板(4)的边缘区的高台(7),其中,在所述高台(7)之间设有通风通道(8)。
2.根据权利要求1所述的基板托架,其特征在于,所述高台(7)形成在与除所述内区(5)的表面外的所述正面的基板托架表面(2)相同的水平高度上。
3.根据权利要求1或2所述的基板托架,其特征在于,所述通风通道(8)全面围绕所述基板容纳区(3a)设置。
4.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述高台(7)被形成为带状。
5.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述通风通道(8)被铣制到所述正面的基板托架表面(2)中。
6.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,在所述内区(5)中设有至少一个支撑结构(11),所述基板(4)能够至少部分地安放在所述支撑结构(11)上。
7.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述高台(7)通过材料涂敷被施加到所述正面的基板托架表面(2)上。
8.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述高台(7)的高度和/或所述通风通道(8)的深度在0.1mm至1mm的范围内。
9.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述高台(7)彼此的间距和/或所述通风通道(8)的宽度在0.1mm至5mm的范围内。
10.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述基板托架板(1、1a、1b)由至少一种导电材料形成和/或涂覆有至少一种导电材料。
11.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述基板容纳区(3)的所述外区(6)是设于所述基板托架上的基板(4)的表面的至多十分之一。
12.根据前述权利要求中任一项所述的基板托架,其特征在于,从所述正面的基板托架表面(2)伸出的至少一个伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)被设置用于侧向界定所述基板容纳区(3)上的基板支承面。
13.根据权利要求12所述的基板托架,其特征在于,所述至少一个伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)是销。
14.根据权利要求12或13所述的基板托架,其特征在于,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)被装入到开设于所述正面的基板托架表面(2)中的盲孔(10)中。
15.根据权利要求12或13所述的基板托架,其特征在于,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)从所述基板托架的背面(12)被装入,其中,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)从所述正面的基板托架表面(2)的孔(13)伸出,其中,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)通过所述孔(13)的尺寸被保持在所述孔(13)中,并且其中,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)利用固定件(91)从所述背面(12)被固定在所述孔(13)中。
16.根据权利要求12或13所述的基板托架,其特征在于,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)被布置在平行于所述正面的基板托架表面(2)在所述基板托架板(1)中延伸的槽(14)中,其中,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)的位于所述槽(14)中的保持件(92)被所述槽(14)的配合保持件(15)套住。
17.根据权利要求12至16中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)由至少一种电绝缘体形成。
18.根据权利要求12至17中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)被形成为中空。
19.根据权利要求12至18中任一项所述的基板托架,其特征在于,所述伸出臂(9、9a、9b、9c、9d)在远离所述基板托架板(1)的一端被形成为尖的或圆锥形的。
CN201680049161.7A 2015-08-24 2016-08-02 基板托架 Active CN108140607B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEDE102015113956.1 2015-08-24
DE102015113956.1A DE102015113956B4 (de) 2015-08-24 2015-08-24 Substratträger
PCT/IB2016/054630 WO2017033076A1 (de) 2015-08-24 2016-08-02 Substratträger

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108140607A true CN108140607A (zh) 2018-06-08
CN108140607B CN108140607B (zh) 2022-04-15

Family

ID=56738139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680049161.7A Active CN108140607B (zh) 2015-08-24 2016-08-02 基板托架

Country Status (11)

Country Link
US (1) US10964568B2 (zh)
EP (1) EP3178109B1 (zh)
KR (1) KR20180044375A (zh)
CN (1) CN108140607B (zh)
DE (1) DE102015113956B4 (zh)
EA (1) EA032316B9 (zh)
HU (1) HUE057728T2 (zh)
MY (1) MY194334A (zh)
SG (1) SG11201801454QA (zh)
TW (1) TWI715602B (zh)
WO (1) WO2017033076A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016115614A1 (de) 2016-08-23 2018-03-01 Aixtron Se Suszeptor für einen CVD-Reaktor
GB2559985A (en) * 2017-02-23 2018-08-29 Asm Assembly Systems Singapore Pte Ltd Support for flexible workpieces
CN109112477A (zh) * 2018-11-13 2019-01-01 合肥鑫晟光电科技有限公司 掩膜版、掩膜组件以及蒸镀方法
WO2024059301A1 (en) * 2022-09-15 2024-03-21 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Apparatus for processing of singulated dies and methods for using the same

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4762606A (en) * 1985-04-12 1988-08-09 Hughes Aircraft Company Mini chip carrier slotted array
US5731230A (en) * 1995-03-28 1998-03-24 Micron Technology, Inc. Method for processing and/or shipping integrated circuit devices
US5758776A (en) * 1996-09-12 1998-06-02 Kinetrix, Inc. Integrated circuit tray with flexural bearings
US20050193952A1 (en) * 2004-02-13 2005-09-08 Goodman Matt G. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
US20070026148A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Nuflare Technology, Inc. Vapor phase deposition apparatus and vapor phase deposition method
CN101687229A (zh) * 2007-07-12 2010-03-31 应用材料股份有限公司 将基板置中设置于处理室内的设备及方法
US20140004710A1 (en) * 2011-01-18 2014-01-02 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, substrate supporter and method of manufacturing semiconductor device
CN104620371A (zh) * 2012-08-31 2015-05-13 联达科技设备私人有限公司 用于晶圆和膜片架的单个超平面晶圆台结构
DE102014100024A1 (de) * 2014-01-02 2015-07-02 Aixtron Se Vorrichtung zur Anordnung von Substraten, insbesondere Suszeptor eines CVD-Reaktors
CN104851828A (zh) * 2014-02-13 2015-08-19 苹果公司 通用处理衬底的载体
CN104851833A (zh) * 2014-02-13 2015-08-19 苹果公司 用于处理衬底载体内的衬底的夹紧机构

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4026244C2 (de) 1990-08-18 1996-02-08 Ant Nachrichtentech Substratträger
US6113702A (en) 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
JPH11111707A (ja) 1997-10-07 1999-04-23 Hitachi Electron Eng Co Ltd 気相成長装置
KR20010111058A (ko) 2000-06-09 2001-12-15 조셉 제이. 스위니 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법
JP4441356B2 (ja) 2003-10-16 2010-03-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
TWI331635B (en) * 2005-04-22 2010-10-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Substrate holder
US20100107974A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-06 Asm America, Inc. Substrate holder with varying density
DE102009021563B4 (de) 2009-05-15 2018-08-16 Von Ardenne Gmbh Einrichtung zum Transport von Substraten in und aus Vakuumanlagen
DE102011055061A1 (de) 2011-11-04 2013-05-08 Aixtron Se CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4762606A (en) * 1985-04-12 1988-08-09 Hughes Aircraft Company Mini chip carrier slotted array
US5731230A (en) * 1995-03-28 1998-03-24 Micron Technology, Inc. Method for processing and/or shipping integrated circuit devices
US5758776A (en) * 1996-09-12 1998-06-02 Kinetrix, Inc. Integrated circuit tray with flexural bearings
US20050193952A1 (en) * 2004-02-13 2005-09-08 Goodman Matt G. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
US20100089314A1 (en) * 2004-02-13 2010-04-15 Asm America, Inc. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
US20070026148A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Nuflare Technology, Inc. Vapor phase deposition apparatus and vapor phase deposition method
CN101687229A (zh) * 2007-07-12 2010-03-31 应用材料股份有限公司 将基板置中设置于处理室内的设备及方法
US20140004710A1 (en) * 2011-01-18 2014-01-02 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, substrate supporter and method of manufacturing semiconductor device
CN104620371A (zh) * 2012-08-31 2015-05-13 联达科技设备私人有限公司 用于晶圆和膜片架的单个超平面晶圆台结构
DE102014100024A1 (de) * 2014-01-02 2015-07-02 Aixtron Se Vorrichtung zur Anordnung von Substraten, insbesondere Suszeptor eines CVD-Reaktors
CN104851828A (zh) * 2014-02-13 2015-08-19 苹果公司 通用处理衬底的载体
CN104851833A (zh) * 2014-02-13 2015-08-19 苹果公司 用于处理衬底载体内的衬底的夹紧机构

Also Published As

Publication number Publication date
CN108140607B (zh) 2022-04-15
EP3178109B1 (de) 2021-12-01
EP3178109A1 (de) 2017-06-14
SG11201801454QA (en) 2018-03-28
DE102015113956A1 (de) 2017-03-02
HUE057728T2 (hu) 2022-06-28
TW201719803A (zh) 2017-06-01
TWI715602B (zh) 2021-01-11
EA201890432A1 (ru) 2018-09-28
KR20180044375A (ko) 2018-05-02
EA032316B1 (ru) 2019-05-31
DE102015113956B4 (de) 2024-03-07
WO2017033076A1 (de) 2017-03-02
MY194334A (en) 2022-11-29
US20180247845A1 (en) 2018-08-30
EA032316B9 (ru) 2019-07-31
US10964568B2 (en) 2021-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108140607A (zh) 基板托架
US10683228B2 (en) Apparatus for molding glass substrate
CN103379945B (zh) 翻边式遮蔽框
KR20170126503A (ko) 서셉터 및 에피택셜 성장 장치
USD948463S1 (en) Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
CN107452665A (zh) 基板保持装置
TWI575649B (zh) Wafer tray
KR20130041543A (ko) 분할 엠보싱 구조 정전척
JP2004253795A (ja) 加熱装置
JP6549731B2 (ja) 基板を保持するための方法及び支持体
CN103633005B (zh) 大面积异形晶片匀胶均匀性控制装置
JP6327367B2 (ja) 基板移載システム
JP6808395B2 (ja) 基板処理装置
JP2009260243A5 (ja) 基板処理装置の基板載置台、基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
JP5732188B2 (ja) ウェハボート
KR20160002345A (ko) 기판 이송 아암 및 이를 포함하는 기판 이송 장치
TWI584407B (zh) Wafer support construct
CN206672924U (zh) 加热块基岛凸点装置
JP2006269989A (ja) 基板保持具
KR102567121B1 (ko) 극도로 뒤틀린 웨이퍼를 위한 기판 처리 장치
CN205447657U (zh) 一种防眩灯具底座
CN205474107U (zh) 一种蓝宝石长晶炉支撑体
US20150357162A1 (en) Jig and plasma etching apparatus including the same
CN105575800A (zh) 一种晶圆托环及具有该晶圆托环的反应腔室
US20070029268A1 (en) Wafer cassette used in high temperature baking process

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant