JP2009260243A5 - 基板処理装置の基板載置台、基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

基板処理装置の基板載置台、基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 Download PDF

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  1. 加熱部が内包されているサセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、前記基板載置面に設けられた均熱部とを有する基板載置台。
  2. 前記複数のサセプタ分体の間に、伝熱部を有する請求項1記載の基板載置台。
  3. 前記伝熱部の下端部は、鉛直方向で、前記加熱部と前記サセプタ分体の下端部の間に設定される請求項２記載の基板載置台。
  4. 前記均熱部の径は、載置される基板の径より大きい請求項１乃至３記載の基板載置台。
  5. 前記均熱部及び前記伝熱部は、同材質である請求項２乃至４記載の基板載置台。
  6. 前記並べられた複数のサセプタ分体は上面が扇形であって、前記サセプタ分体の先端部に加熱部電力供給端子を設ける請求項１乃至５記載の基板載置台。
  7. 処理ガスを供給するガス供給部と、プラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマにより処理される基板を内包する処理室と、前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、前記基板載置部は加熱部が内包されているサセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、前記複数のサセプタ分体の間に設けられた均熱部とを有する基板処理装置。
  8. 前記基板載置面に、伝熱部を有する請求項７記載の基板処理装置。
  9. 前記第一または伝熱部は、SiCである請求項8記載の基板処理装置。
  10. 処理ガスを供給するガス供給部と、基板を加熱処理する処理室と、前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、前記基板載置部は加熱部が内包されているサセプタ分体とを複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、前記複数のサセプタ分体の間に設けられた均熱部とを有する基板処理装置。
  11. 処理ガスを供給するガス供給部と、基板を加熱処理する処理室と、前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、前記基板載置部は加熱部が内包されているサセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、前記複数のサセプタ分体の間に設けられた均熱部とを有する基板処理装置を用いた半導体デバイスの製造方法であり、
    前記処理室に基板を搬入し、前記基板載置部に載置する工程と、前記基板を前記加熱部により加熱する工程と、前記ガス供給部から前記処理室に前記処理ガスを供給し、基板を処理する工程と、前記処理室から基板を搬出する工程とを有する半導体デバイスの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5171584B2 (ja) * 2008-03-26 2013-03-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置の基板載置台、基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
US9018570B2 (en) 2011-12-15 2015-04-28 Intermolecular, Inc. Combinatorial heating of substrates by an inductive process and combinatorial independent heating
JP6668206B2 (ja) * 2016-09-14 2020-03-18 株式会社東芝 成膜装置、および成膜方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5059770A (en) * 1989-09-19 1991-10-22 Watkins-Johnson Company Multi-zone planar heater assembly and method of operation
DE69130205T2 (de) * 1990-12-25 1999-03-25 Ngk Insulators Ltd Heizungsapparat für eine Halbleiterscheibe und Verfahren zum Herstellen desselben
US5294778A (en) * 1991-09-11 1994-03-15 Lam Research Corporation CVD platen heater system utilizing concentric electric heating elements
JP2786571B2 (ja) * 1992-07-07 1998-08-13 日本碍子株式会社 半導体ウエハー加熱装置
US6321680B2 (en) * 1997-08-11 2001-11-27 Torrex Equipment Corporation Vertical plasma enhanced process apparatus and method
US6188044B1 (en) * 1998-04-27 2001-02-13 Cvc Products, Inc. High-performance energy transfer system and method for thermal processing applications
JP4209057B2 (ja) * 1999-12-01 2009-01-14 東京エレクトロン株式会社 セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
JP2002158178A (ja) * 2000-11-21 2002-05-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
EP1391140B1 (en) * 2001-04-30 2012-10-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
JP2003142460A (ja) * 2001-11-05 2003-05-16 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置
US7347901B2 (en) * 2002-11-29 2008-03-25 Tokyo Electron Limited Thermally zoned substrate holder assembly
JP2005018992A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Ibiden Co Ltd プラズマ発生装置用電極埋設部材
KR100534209B1 (ko) * 2003-07-29 2005-12-08 삼성전자주식회사 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비
JP2006210932A (ja) * 2006-02-01 2006-08-10 Kyocera Corp ウエハ加熱装置
JP2007258585A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Tokyo Electron Ltd 基板載置機構および基板処理装置
US7972444B2 (en) * 2007-11-07 2011-07-05 Mattson Technology, Inc. Workpiece support with fluid zones for temperature control
JP4450106B1 (ja) * 2008-03-11 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
JP5171584B2 (ja) * 2008-03-26 2013-03-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置の基板載置台、基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法

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