JP2009141043A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板が載置される保持面と、
   前記保持面から凹んだ空間に気体を供給する供給配管と、
   前記凹んだ空間を挟んで前記保持面の反対側に配置されたヒーター部と、
   を備える支持装置。
2. 前記凹んだ空間を真空にするための真空配管を備え、
   前記真空配管と前記供給配管とが共用されていることを特徴とする請求項１に記載の支持装置。
3. 前記保持面は、複数の突起面で形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の支持装置。
4. 前記基板の外周付近に接する前記保持面には、環状の突起面が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の支持装置。
5. 前記環状の突起面は、他の複数の突起面よりも弾性変形しやすいことを特徴とする請求項４に記載の支持装置。
6. さらに、前記凹んだ空間を挟んで前記保持面の反対側に配置された冷却部を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の支持装置。
7. 前記基板は半導体ウエハ又はこの半導体ウエハを保持するウエハホルダであることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の支持装置。
8. 少なくとも２つの基板を加熱し且つ加圧する加熱加圧装置であって、
   請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の支持装置を一対有し、
   前記一対の支持装置で前記少なくとも２つの基板を加圧している最中は、前記供給配管を介して前記気体を供給するとともに、前記ヒーター部により前記基板を加熱することを特徴とする加熱加圧装置。
9. 少なくとも２つの基板を加熱し且つ加圧する加熱加圧装置であって、
   請求項２に記載の支持装置を一対有し、
   前記一対の支持装置で前記少なくとも２つの基板を加圧する前は、前記真空配管を介して前記基板を吸着し、
   前記一対の支持装置で前記少なくとも２つの基板を加圧している最中は、前記供給配管を介して前記気体を供給するとともに、前記ヒーター部により前記基板を加熱することを特徴とする加熱加圧装置。
10. 第１基板と第２基板とを加熱し且つ加圧する加熱加圧方法において、
    前記保持面を介して前記第１基板と前記第２基板とを加圧する加圧工程と、
    この加圧工程後に、前記真空吸着を停止するとともに前記保持面と前記第１基板及び第２基板との間の空間に気体を供給する第１供給工程と、
    前記基板を加熱する加熱工程と、
    を備えることを特徴とする加熱加圧方法。
11. 前記第１基板と前記第２基板とをそれぞれの保持面で真空吸着する第１吸着工程を備える請求項１０に記載の加熱加圧方法。
12. 前記供給工程後に加熱工程は前記基板を加熱することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の加熱加圧方法。
13. 前記加熱工程後に前記第１基板及び第２基板を冷却する冷却工程と、
    冷却工程後に前記気体の供給を停止するとともに前記第１基板及び第２基板とを真空吸着する第２吸着工程と、
    を備えることを特徴とする請求項１０ないし請求項１２のいずれか一項に記載の加熱加圧方法。
14. 前記第２吸着工程後に前記加圧工程を停止することを特徴とする請求項１３に記載の加熱加圧方法。
15. 前記第２吸着工程後に、前記真空吸着を停止するとともに前記保持面と前記第１基板及び第２基板との間の空間に気体を供給する第２供給工程を備えることを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の加熱加圧方法。