JP2009099957A - 表示用基板の製造方法および真空処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】静電チャックの吸着面に付着した異物を簡便な手法でかつ短時間で除去する。
【解決手段】表示用基板の製造方法は、吸着面の上に基板と異なるダミーの基板を載置する載置工程と、ダミーの基板を吸着面に密着させるために、真空排気装置によって空間の内部を真空排気する真空排気工程と、吸着面に付着した異物を吸着面から除去しやすくするために、ヒータによって基材を加熱する加熱工程と、吸着面に付着した異物を、吸着面から、吸着面に密着した状態になっているダミーの基板に転写する転写工程と、転写工程により異物が転写されたダミーの基板を、吸着面から取り除く除去工程と、を有する。
【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ等の表示用基板の製造方法および真空処理装置に関する。

半導体製造装置やフラットパネルディスプレイ製造装置などの基板処理装置において処理を施す基板の固定手段として、静電チャックが用いられている。そのような基板処理装置では、静電チャックに静電吸着力を発揮させて静電チャック上に基板を固定した状態の下でプロセス処理を実施し、プロセス処理の終了後に静電吸着力を除去して静電チャックから基板を離脱させる。このように、静電チャックを有する基板処理装置では、静電チャックに対する基板の吸着と離脱とが繰り返し行われる。

基板が直接接触する静電チャックの吸着面は、基板との接触を繰り返すことにより、本来の初期清浄状態と比較して次第に汚染が進行する。この傾向は、装置の生産能力が向上して基板の処理数が増加することと比例して、より顕著になる。

静電チャックの吸着面に汚染物が付着すると吸着性能が低下することが知られており、静電チャックの吸着面を清浄化させることで静電チャックの吸着力を復帰させることが可能である。そのための一手段として、静電チャックを基板処理装置から取り外し、静電チャックの製造工程で実施されるものと同様の洗浄処理を静電チャックに施すことが考えられる。

しかしながら、完成した基板処理装置から静電チャックを取り外すには莫大な作業規模を要するため現実的でない。さらに、近年では処理する基板サイズの増大傾向に伴って静電チャックも大型化しているため、静電チャックの取り外し作業に関するデメリットはより大きくなる。

また、基板処理装置による基板処理速度向上及びプロセスのクリーン化が求められる傾向の中で、作業者が関与することなく無人かつ自動で静電チャックの表面の清浄化を図ることが求められている。その実現のために、特許文献１には、静電チャックの静電吸着表面に特殊なコーティングを実施することにより異物付着を防ぐという手段が提案されている。

図３は、特許文献１に開示された従来技術による静電チャックの概略構成図である。図３は静電チャックの基体を示している。この静電チャックは、絶縁体層１００１と導電層１００２とで構成される基板保持面上に基板を把持することが可能な構成となっている。この構成は、吸着面に複数の導電層１００２を分散して積層させることにより、形成される導電性異物が被吸着体である基板に付着することを大幅に低下でき、また異物の存在による吸着力低下を抑制、防止することを企図したものである。

また、特許文献２には、静電チャックの残留電荷を除去する目的から静電チャックの表面状態を一定に保つ保守手段として、静電チャックに電磁波（熱輻射）を照射することによりその吸着面を高温にする手段が開示されている。

図４は、特許文献２に開示された従来技術による静電チャックの概略構成図である。図４に示すように、静電チャック２００１は、ワークピース（基板）２００２を吸着保持する。図４に示す静電チャック２００１は、静電チャック２０１の吸着面に対向する位置に設置されているランプ２００３，２００４により静電チャック２００１に放射線を照射する構成を備えている。静電チャック２００１に残留電荷が存在すると、静電チャック２００１からワークピース（基板）２００２を離脱する際に残留電荷が抵抗となり、ワークピース（基板）２００２を静電チャック２００１から速やかに除去することができない。これに対し、図４に示す静電チャック２００１は、ランプ２００３，２００４から静電チャック２００１に放射線を照射することによって、静電チャック２００１の残留電荷を除去することができる。そのため、ワークピース（基板）２００２を静電チャック２００１から速やかに除去することが可能である。
特開平１１−２５１４１７号公報 特開２００２−２６１１５号公報

しかしながら、図３に示した構成の静電チャックでは、静電チャックの構成にコーティングなどの追加機能を設ける必要があるため、装置コストが増大してしまう。上述したように、近年では処理する基板サイズの増大傾向に伴って静電チャックも大型化しているため、コーティングなどを施す費用もそれに伴って著しく増大してしまう。

また、図４に示したように静電チャックの表面に電磁波を照射して高温にする手段は、静電チャックの残留電荷を除去する効果は得ることができるが、静電チャックの吸着面に付着した異物を除去する効果はほとんど期待することができない。その理由は、図４に示した静電チャックには、高温処理後の電荷移動経路に相当する付着異物の除去経路が設けられていないためである。すなわち、静電チャックの吸着面に外部エネルギーを付与することにより静電チャックの吸着面に付着した異物は除去しやすい状態にはなるが、異物は静電チャックの吸着面から離脱せずに表面上に存在したままである。そのため、静電チャックの吸着面への外部エネルギーの付与を停止すると、異物は再び静電チャックの吸着面に付着する可能性がある。

本発明は、フラットパネルディスプレイ等の表示用基板等の製造工程において、静電チャックの吸着面に付着した異物を簡便な手法でかつ短時間で除去することを可能とする表示用基板の製造方法および真空処理装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成する本発明にかかる表示用基板の製造方法は、絶縁性材料で構成された吸着面を有する基材と、前記基材の内部に設けられ、前記吸着面の上に載置された基板を吸着するための静電吸着力を発生させる電極と、前記基材の内部に設けられ、前記基材を加熱する加熱手段と、前記吸着面の上に載置された前記基板と前記吸着面との間に形成された空間の内部を真空排気する真空排気手段と、を有する表示用基板製造装置における表示用基板の製造方法であって、当該表示用基板の製造方法が、
前記吸着面の上に前記基板と異なるダミーの基板を載置する載置工程と、
前記ダミーの基板を前記吸着面に密着させるために、前記真空排気手段によって前記空間の内部を真空排気する真空排気工程と、
前記吸着面に付着した異物を前記吸着面から除去しやすくするために、前記加熱手段によって前記基材を加熱する加熱工程と、
前記吸着面に付着した異物を、前記吸着面から、前記吸着面に密着した状態になっている前記ダミーの基板に転写する転写工程と、
前記転写工程により前記異物が転写された前記ダミーの基板を、前記吸着面から取り除く除去工程と、を有することを特徴とする。

あるいは、上記の目的を達成する本発明にかかる真空処理装置は、
絶縁性材料で構成された吸着面を有する基材と、前記基材の内部に設けられ前記吸着面の上に載置された基板を吸着するための静電吸着力を発生させる電極と、前記基材の内部に設けられ前記基材を加熱する加熱手段と、前記吸着面に連通するように前記基材を貫通して形成された真空排気用貫通口とを、有する静電チャック部材を同一平面内に複数配置して構成される静電チャックと、
複数の静電チャック部材の各々に設けられた前記電極に電圧を印加する吸着電源と、
前記複数の静電チャック部材の各々に設けられた前記加熱手段に電圧を印加するヒータ用電源と、
前記複数の静電チャック部材の各々に設けられた前記真空排気用貫通口に接続された真空ポンプと、を有することを特徴とする。

本発明によれば、表示用基板の製造方法において、静電チャックの吸着面に付着した異物を簡便な手法でかつ短時間で除去することができる。

本発明の実施形態について図面を参照して説明する。

図１Ａは、本発明の実施形態に係る表示用基板製造装置を構成する静電チャックの概略構成を示す断面図である。

表示用基板製造装置を構成する静電チャック１００の基材１０の内部には、吸着面１２０に静電吸着力を発揮させる吸着用電極１０１と、静電チャック１００を加熱する加熱手段である内蔵ヒータ１０２とが設けられている。吸着用電極１０１は吸着電源１５０と電気的に接続されており、内蔵ヒータ１０２は、内蔵ヒータ用電源１６０に電気的に接続されており、それらの電源から電力が供給されるようになっている。吸着用電極１０１と吸着電源１５０とは、静電チャック１００の吸着面の上に載置された基板を吸着するための静電吸着力を発生させる静電吸着力発生手段として機能する。また、静電チャック１００には、吸着面１２０に連通するように吸着面１２０とその反対側の面との間を貫通した真空排気用貫通口１１１が形成されている。静電チャック１００の吸着面１２０とは反対側の面の開口部には真空排気用貫通口１１１の配管が接続され、その配管の他端には真空ポンプ１７０が接続されており、これらによって真空排気手段が構成されている。

静電チャック１００は、通常、ガラス基板２００に処理を施す際にガラス基板２００を固定するために用いられる。ガラス基板２００の処理は、静電チャック１００の吸着面１２０と接触するガラス基板２００の面とは反対側の面に対して施される。静電チャック１００の基材１０は絶縁性材料からなり、本例では焼結型セラミックスで構成されている。ただし、本実施形態に適用できる静電チャック１００の基材１０の材質及び構成はこれに限られず、例えば静電チャック１００の吸着面１２０のみが絶縁性材料で構成されていてもよい。

吸着用電極１０１は、吸着電源１５０から電圧が印加されることによって吸着面１２０に静電吸着力を発揮させる静電気を発生させ、これにより、静電チャック１００の吸着面１２０上に載置されたガラス基板２００が吸着面１２０に固定される。

また、ガラス基板２００は昇温することによって体積抵抗率が下がるため、ガラス基板２００を加熱することで、静電チャック１００による静電吸着の際により強い静電吸着力を発揮させることができる。そのため、内蔵ヒータ１０２は、静電チャック１００の吸着面１２０上に載置されたガラス基板２００を加熱することに用いられる。

さらに、真空排気用貫通口１１１は、静電チャック１００の吸着面１２０とその上に載置されたガラス基板２００との間に形成された微少な空間、例えば、冷却効果を高めるためのヘリウムガス等を流すための溝などを真空排気して、ガラス基板２００を吸着面１２０上に真空吸着させるために用いられる。このような真空吸着は、通常は、静電チャック１００による静電吸着を行う前にガラス基板２００を吸着面１２０上に仮固定するために行われる。

これらの吸着用電極１０１、内蔵ヒータ１０２、真空排気用貫通口１１１および真空ポンプ１７０は、静電チャックに一般的に備えられている構成である。本実施形態に係る静電チャックの清浄化方法は、静電チャックが一般的に備えているこれらの構成を用いて、静電チャックの吸着面１２０に付着した異物を簡便な手法でかつ短時間で除去することにある。本実施形態に係る静電チャックの清浄化方法は、例えば、表示用基板製造装置の全体的な動作と、静電チャック１００の動作と、を司る制御部（不図示）により実行される。

静電チャックの清浄化方法の流れを図１Ｂのフローチャートを参照して説明する。静電チャックの清浄化方法は、表示用基板の製造方法の一部を構成する処理として実行される。

半導体製造装置やフラットパネルディスプレイ製造装置などの基板処理装置において静電チャック１００を繰り返し使用すると、基板処理に伴って発生する異物が静電チャック１００の吸着面１２０等に付着する。異物が吸着面１２０に付着するとガラス基板２００の吸着力が低下し、基板処理中にガラス基板２００が動いて不具合が生じるおそれがある。そのため、吸着面１２０に付着した異物は取り除く必要がある。静電チャック１００によってガラス基板２００を吸着する際には吸着力確認シーケンスが行われ、静電チャック１００の清浄化は、そのときに所定の吸着力が得られていないことが検出された場合に行われる。

ステップＳ１０１において、制御部は、吸着力確認シーケンスを実行して、静電チャック１００の吸着力が所定の吸着力であるか否かを判定する。所定の吸着力が得られていない場合、処理はステップＳ１０２に進められる。一方、ステップＳ１０１の判定で、所定の吸着力が得られている場合、静電チャックの清浄化方法を実行せずに図１Ｂの処理は終了する。

静電チャック１００の清浄化を行う場合には（Ｓ１０１−Ｎｏ）、まず、清浄な素ガラスであるダミーのガラス基板を、静電チャック１００の吸着面１２０の上に載置する（Ｓ１０２）。そして、載置されたダミーのガラス基板を吸着面１２０に吸着させるために、吸着用電極１０１に吸着電源１５０が発生させた電圧を印加する。静電吸着力を発生させることによってダミーのガラス基板は吸着面１２０に吸着される（Ｓ１０２）。

次に、真空ポンプ１７０を作動させて、吸着面１２０とダミーのガラス基板との間の微少空間の内部を、真空排気用貫通口１１１を介して真空排気する（Ｓ１０３）。このときの排気圧力は、たとえば１Ｐａ以下とする。真空排気により、ダミーのガラス基板は吸着面１２０に密着した状態になる。

次に、上記のように真空排気を行ったままの状態で、内蔵ヒータ用電源１６０から内蔵ヒータ１０２に電圧を印加し、静電チャック１００の基材１０を所定温度、例えば、１２０℃に加熱し、その所定温度の加熱状態を所定の時間維持する（本例では、例えば、１２０分間）（Ｓ１０４）。加熱により、吸着面１２０に付着していた異物を吸着面１２０から除去しやすくなる。

ステップＳ１０５において、吸着面１２０に付着していた異物を、吸着面１２０から、吸着面１２０に密着した状態になっているダミーのガラス基板に転写する。

その後、真空ポンプ１７０を停止させて吸着面１２０とダミーのガラス基板との間に形成される微少空間の真空状態を大気圧の状態に戻すとともに（Ｓ１０６）、内蔵ヒータ用電源１６０からの電圧印加を停止して静電チャック１００の基材１０の温度を低下させる（Ｓ１０７）。そして、ダミーのガラス基板を不図示のロボットアームにより把持して、静電チャック１００の上方に静かに持ち上げ、静電チャック１００の吸着面１２０からダミーのガラス基板を取り除く（Ｓ１０８）。ダミーのガラス基板を吸着面１２０から取り除くことにより、ダミーのガラス基板に転写された異物は吸着面１２０から除去され、吸着面１２０の表面は清浄化される。

以上により、静電チャック１００の清浄化方法が完了する。

本実施形態の静電チャック１００の清浄化方法によれば、内蔵ヒータ１０２により静電チャック１００の基材１０を加熱することにより、静電チャック１００の吸着面１２０に付着した異物を吸着面１２０から除去しやすくなる。そして、その状態で吸着面１２０とガラス基板２００との間の微少空間を真空排気してガラス基板２００を吸着面１２０に密着させることにより、吸着面１２０に付着している異物はガラス基板２００に転写される。

このとき、その異物の一部は真空雰囲気中に蒸散して吸着面１２０から除去されることもある。静電チャック１００の吸着面１２０に付着していた異物は、このようにしてガラス基板２００に転写させることによって、吸着面１２０から取り除くことができる。そのため、静電チャック１００の吸着面１２０を清浄化するために静電チャック１００を基板処理装置から分解して取り外す必要がないので、静電チャック１００の清浄化作業を簡単かつ短時間で行うことができる。

上記の例では、静電チャック１００の基材１０を加熱する工程（Ｓ１０４）を、吸着面１２０とガラス基板２００との間に形成される微少空間の内部を真空排気する工程（Ｓ１０３）に続いて行う場合を説明した。しかしこの両者の順序はこれに限られず、静電チャック１００の基材１０を加熱する工程（Ｓ１０４）を、吸着面１２０とダミーのガラス基板２００との間に形成される微少空間の内部を真空排気する工程（Ｓ１０３）に先立って行ってもよい。

また、上述した例では、ステップＳ１０１において、表示用基板の製造方法の一部を構成する処理として、静電チャック１００の吸着力が所定の吸着力であるか否かの判定結果に基づいて、静電チャック１００の清浄化処理が実行される構成を説明した。しかしながら、本発明の趣旨は、この例に限定されず、例えば、静電チャック１００の清浄化処理は、累積の基板の処理枚数が基準となる所定枚数を超えた場合に実行されるようにしてもよい。静電チャック１００の清浄化処理は、表示用基板製造装置の停止時に実行可能であるが、その実行タイミングは、通常の基板処理の合間でもよいし、表示用基板製造装置の定期的な保守期間中であってもよい。すなわち、本実施形態の静電チャック１００の清浄化処理は、表示用基板製造装置が停止しているいずれの時においても実行可能である。

なお、基板処理装置内にプラズマを発生させて静電チャック１００の吸着面１２０に付着した異物を分解除去する手法も考えられる。しかし、この場合には分解除去された異物が基板処理装置内に飛散して内壁等に付着してしまうため、基板処理装置の内部を清浄化する必要が新たに生じてしまう。これに対し、本実施形態の清浄化方法によればガラス基板２００に異物を転写させて除去できるので、異物が飛散することはほとんどなく、清浄化のプロセスをクリーンな状態で行うことができる。また、異物を転写させたガラス基板２００は、その異物を洗い落とすことで何度でも利用することができる。本例では、異物を転写させる部材として素ガラスであるガラス基板２００を用いる場合を例示したが、上記の昇温温度に対する耐久性を有し、清浄かつ平滑な板状の部材であれば、より安価な他の材料からなる部材を適用することができる。

また、上記の清浄化工程では、真空ポンプ１７０による真空排気のみによってガラス基板２００を静電チャック１００の吸着面１２０に密着させる場合について説明した。より強い密着力を生じさせるために、真空排気による吸着に加えて、吸着用電極１０１に電圧を印加して発生させた静電吸着力によってガラス基板２００を吸着面１２０に吸着させてもよい。

図１Ａには双極型の吸着用電極１０１を備えた構成が示されているが、静電チャック１００の構成はこれに限られず、単極型の吸着用電極を備えた構成であってもよい。

なお、上記の清浄化工程によって静電チャック１００の吸着面１２０を十分に清浄化できなかった場合には、真空排気及び加熱状態を維持する時間を２４０分に設定して上記と同じ工程を行う。それでもなお十分に清浄化できなかった場合には、真空排気及び加熱状態を維持する時間を７２０分に設定して上記と同じ工程を行う。このように清浄化工程を繰り返すことにより、静電チャック１００の吸着面１２０を十分に清浄化することができる。

図２は、本発明を適用できる真空処理装置の一例であるフラットパネルディスプレイ用成膜装置の概略構成を示す斜視図である。

図２に示す装置では、同一サイズの複数の静電チャック部材１００ａが静電チャック配置用基台１３０上の同一平面内で縦横方向に分割され配置されている。複数の静電チャック部材１００ａが静電チャック配置用基台１３０上の同一平面内に複数配置されることによって静電チャック２１００が構成されている。真空処理装置は、少なくともこの静電チャック２１００を収容した真空チャンバ（不図示）を備えている。

図２に示す静電チャック２１００は、吸着面１２０が全体として拡大するため、大型化した基板を吸着支持することが可能である。各々の静電チャック部材１００ａは図１Ａに示した静電チャックと同じ構成を有している。また、各々の静電チャック部材１００ａは全て同一の大きさであってもよい。ただし、吸着電源１５０、内蔵ヒータ用電源１６０、および真空ポンプ１７０はそれぞれ１つのものを複数の静電チャック部材１００ａに共通化されている。具体的には、１つの吸着電源１５０が、吸着電源供給用分配端子１５１を介して、複数の静電チャック部材１００ａの各々に設けられた複数の吸着用電極（不図示）に接続されている。また、１つの内蔵ヒータ用電源１６０が、ヒータ電源供給用分配端子１６１を介して、複数の静電チャック部材１００ａの各々に設けられた複数の内蔵ヒータ（不図示）に接続されている。また、１つの真空ポンプ１７０が、真空排気配管の分配分岐用マニホールド１７１を介して、複数の静電チャック部材１００ａの各々に設けられた複数の前記真空排気用貫通口１１１に接続されている。

このような大型化した装置においても、静電チャック２１００の吸着面１２０の清浄化工程は、図１Ａを参照して説明した清浄化工程と同じ工程で行うことができる。したがって、静電チャック２１００の吸着面１２０に付着していた異物は、静電チャック２１００の吸着面１２０上に載置されたガラス基板に転写させることによって吸着面１２０から取り除くことができる。静電チャック２１００の吸着面１２０を清浄化するために静電チャック２１００を基板処理装置から分解して取り外す必要がないという本実施形態の清浄化方法の利点は、このように大型化した装置内に設置された静電チャックを清浄化する際には一層有利に働く。

本発明の実施形態に係る表示用基板製造装置を構成する静電チャックの概略構成を示す断面図である。 本発明の実施形態にかかる表示用基板の製造方法の流れを説明するフローチャートである。 本発明を適用できる真空処理装置の一例であるフラットパネルディスプレイ用成膜装置（真空処理装置）の概略構成を示す斜視図である。 従来技術による静電チャックの概略構成図である。 従来技術による他の静電チャックの概略構成図である。

符号の説明

１００ 静電チャック
１０１ 吸着用電極
１０２ 内蔵ヒータ
１１１ 真空排気用貫通口
２００ ガラス基板

Claims (12)

1. 絶縁性材料で構成された吸着面を有する基材と、前記基材の内部に設けられ、前記吸着面の上に載置された基板を吸着するための静電吸着力を発生させる電極と、前記基材の内部に設けられ、前記基材を加熱する加熱手段と、前記吸着面の上に載置された前記基板と前記吸着面との間に形成された空間の内部を真空排気する真空排気手段と、を有する表示用基板製造装置における表示用基板の製造方法であって、当該表示用基板の製造方法が、
   前記吸着面の上に前記基板と異なるダミーの基板を載置する載置工程と、
   前記ダミーの基板を前記吸着面に密着させるために、前記真空排気手段によって前記空間の内部を真空排気する真空排気工程と、
   前記吸着面に付着した異物を前記吸着面から除去しやすくするために、前記加熱手段によって前記基材を加熱する加熱工程と、
   前記吸着面に付着した異物を、前記吸着面から、前記吸着面に密着した状態になっている前記ダミーの基板に転写する転写工程と、
   前記転写工程により前記異物が転写された前記ダミーの基板を、前記吸着面から取り除く除去工程と、
   を有することを特徴とする表示用基板の製造方法。
2. 前記空間は冷却効果を高めるためのヘリウムガスを流すためのものであることを特徴とする請求項1に記載の表示用基板の製造方法。
3. 絶縁性材料で構成された吸着面を有する基材と、前記基材の内部に設けられ、前記吸着面の上に載置された基板を吸着するための静電吸着力を発生させる電極と、前記基材の内部に設けられ、前記基材を加熱する加熱手段と、前記吸着面の上に載置された前記基板と前記吸着面との間に形成された空間の内部を真空排気する真空排気手段と、を有する表示用基板製造装置における表示用基板の製造方法であって、当該表示用基板の製造方法が、
   前記吸着面の上に前記基板と異なるダミーの基板を載置する載置工程と、
   前記吸着面に付着した異物を前記吸着面から除去しやすくするために、前記加熱手段によって前記基材を加熱する加熱工程と、
   前記ダミーの基板を前記吸着面に密着させるために、前記真空排気手段によって前記空間の内部を真空排気する真空排気工程と、
   前記吸着面に付着した異物を、前記吸着面から、前記吸着面に密着した状態になっている前記ダミーの基板に転写する転写工程と、
   前記転写工程により前記異物が転写された前記ダミーの基板を、前記吸着面から取り除く除去工程と、
   を有することを特徴とする表示用基板の製造方法。
4. 前記空間は冷却効果を高めるためのヘリウムガスを流すためのものであることを特徴とする請求項３に記載の表示用基板の製造方法。
5. 前記加熱工程では、前記ダミーの基板を加熱する状態を所定の時間維持することを特徴とする請求項１に記載の表示用基板の製造方法。
6. 前記加熱工程では、前記ダミーの基板を加熱する状態を所定の時間維持することを特徴とする請求項３に記載の表示用基板の製造方法。
7. 前記載置工程では、載置された前記ダミーの基板を前記吸着面に吸着させるために、前記電極に電圧を印加して発生させた静電吸着力によって前記ダミーの基板を前記吸着面に吸着させる工程を有することを特徴とする請求項１に記載の表示用基板の製造方法。
8. 前記載置工程では、載置された前記ダミーの基板を前記吸着面に吸着させるために、前記電極に電圧を印加して発生させた静電吸着力によって前記ダミーの基板を前記吸着面に吸着させる工程を有することを特徴とする請求項３に記載の表示用基板の製造方法。
9. 累積の基板の処理枚数が基準となる所定枚数を超えた場合に実行されることを特徴とする請求項１に記載の表示用基板の製造方法。
10. 累積の基板の処理枚数が基準となる所定枚数を超えた場合に実行されることを特徴とする請求項３に記載の表示用基板の製造方法。
11. 真空処理装置であって、
    絶縁性材料で構成された吸着面を有する基材と、前記基材の内部に設けられ前記吸着面の上に載置された基板を吸着するための静電吸着力を発生させる電極と、前記基材の内部に設けられ前記基材を加熱する加熱手段と、前記吸着面に連通するように前記基材を貫通して形成された真空排気用貫通口とを、有する静電チャック部材を同一平面内に複数配置して構成される静電チャックと、
    複数の静電チャック部材の各々に設けられた前記電極に電圧を印加する吸着電源と、
    前記複数の静電チャック部材の各々に設けられた前記加熱手段に電圧を印加するヒータ用電源と、
    前記複数の静電チャック部材の各々に設けられた前記真空排気用貫通口に接続された真空ポンプと、
    を有することを特徴とする真空処理装置。
12. 前記静電チャック部材の各々は、等分割されていることを特徴とする請求項１１に記載の真空処理装置。

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