JP2015099937A - 基板洗浄方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
基板を、表面が下を向くように保持部に保持する工程と、
基板の表面に酸化用のガスを供給して基板の表面を酸化する工程と、
前記保持部に保持された基板の下向きの表面にエッチングガスを供給して、前記工程により酸化された酸化膜をエッチングすることにより、基板の表面に付着している異物を酸化膜ごと除去する除去工程と、を含み、
この除去工程は、重力の作用に加えて、熱泳動力及び静電斥力の少なくとも一方を異物に作用させるために、基板を加熱する工程及び基板を帯電させる工程の少なくとも一方を併用して行われることを特徴とする。
エッチングマスクを用いて、真空雰囲気にてエッチングガスによりエッチングした後の基板の表面に付着している異物を除去する方法において、
前記エッチング後に真空を破らずに、前記基板を表面が下を向くように保持部に保持する工程と、
前記保持部に保持された基板の下向きの表面にエッチングガスを供給して、当該基板の表層部をエッチングすることにより、基板の表面に付着している異物を表層部ごと除去する除去工程と、を含み、
この除去工程は、重力の作用に加えて、熱泳動力及び静電斥力の少なくとも一方を異物に作用させるために、基板を加熱する工程及び基板を帯電させる工程の少なくとも一方を併用して行われることを特徴とする。
基板を、表面が下を向くように保持する保持部を内部に有する処理容器と、
前記保持部に保持された基板の表面を酸化するために酸化用のガスを供給する酸化用のガス供給部と、
前記酸化用のガスにより酸化された基板の表面を下向きのままエッチングして、基板の表面に付着している異物を酸化膜ごと除去するためにエッチングガスを基板の表面に供給するエッチングガス供給部と、
基板上の異物に熱泳動力を作用させるために基板を加熱する加熱機構及び基板上の異物に静電斥力を作用させるために基板を帯電させる帯電機構のうちの少なくとも一方と、を備えたことを特徴とする。
エッチング用の処理容器を有し、エッチングマスクを用いてエッチングガスにより基板の表面をエッチングするエッチングモジュールと、
前記エッチング用の処理容器に気密に接続され、基板を搬送する基板搬送機構を有する真空搬送室と、
この真空搬送室に気密に接続され、基板を、表面が下を向くように保持するための保持部を内部に有する洗浄用の処理容器と、
前記保持部に保持された基板の表面に付着している異物を表層部ごと除去するためにエッチングガスを基板の表面に供給するエッチングガス供給部と、
基板上の異物に熱泳動力を作用させるために基板を加熱する加熱機構及び基板上の異物に静電斥力を作用させるために基板を帯電させる帯電機構のうちの少なくとも一方と、を備えたことを特徴とする。
(1) 図10は、単結晶シリコン層81、シリコン酸化膜82、ポリシリコン層83をこの順に積層した積層構造体をシリコン窒化膜(SiN膜と略す)84をハードマスクとし、エッチングモジュール17にてエッチングして、積層構造体に凹部85を形成したウエハWの表面構造を示している。ポリシリコン層83及び単結晶シリコン層81をエッチングするガスとしては、例えば臭化水素と酸素の混合ガスを処理ガスとして用いている。また、シリコン酸化膜82をエッチングするガスとしては、例えばCF4、C2F4などのCF系ガスを用いている。洗浄処理前の時点で、凹部85の側壁には、エッチング時の副生成物としてシリコン酸化物の残渣物86及びフッ化炭素化合物87が図10のように積層して付着している。洗浄モジュール2では、既述のように表面(被処理面)が下向きとなるようにウエハWが保持反転機構6に保持され、フッ化水素ガスをウエハWの表面に供給することにより、前記副生成物であるシリコン酸化物86が除去され、このときに凹部85の側壁に付着しているパーティクルPやシリコン酸化物86の上に積層されているフッ化炭素化合物87も一緒に除去される。
(1)〜(3)について述べた各ウエハWに対して洗浄処理を行う場合においても、先の実施形態と同様に熱泳動や静電斥力を利用してもよいことは勿論である。
W 半導体ウエハ
P パーティクル
1 基板処理装置
10 制御部
11 大気搬送室
12 搬入出ステージ
13 アライメントモジュール
14 大気搬送室の搬送機構
15 ロードロック室
16 真空搬送室
17 エッチングモジュール
18 真空搬送室の搬送機構
2 洗浄モジュール
3 処理容器
31 搬入口
4 加熱機構
44 電極
45 給電線
5 真空ポンプ
51 排気口
52 排気管
6 保持反転機構
62 クランプ部材
63 回転軸
64 ガイド部材
67 回転機構
7 ガス供給部
71 ガス吹き付け孔
72 ガス供給管
76 フッ化水素ガス供給系
78 オゾンガス供給系
8 半導体ウエハに形成された酸化膜
真空雰囲気中にて基板を、表面が下を向くようにクランプ部材からなる保持部により周縁側から挟んで保持する工程と、
基板の表面に酸化用のガスを供給して基板の表面を酸化する工程と、
前記保持部に保持された基板の下向きの表面にエッチングガスを供給して、前記工程により酸化された酸化膜をエッチングすることにより、基板の表面に付着しているパーティクルを酸化膜ごと除去する除去工程と、を含み、
この除去工程は、真空雰囲気中で重力の作用に加えて、熱泳動力をパーティクルに作用させるために、基板を加熱する工程を併用して行われ、前記基板を加熱する工程は、ブラウン運動によるパーティクルの移動速度よりも熱泳動力によるパーティクルの移動速度を大きくするために基板を加熱する工程であることを特徴とする。
エッチングマスクを用いて、真空雰囲気にてエッチングガスによりエッチングした後の基板の表面に付着しているパーティクルを除去する方法において、
前記エッチング後に真空を破らずに、前記基板を表面が下を向くようにクランプ部材からなる保持部により周縁側から挟んで保持する工程と、
前記保持部に保持された基板の下向きの表面にエッチングガスを供給して、当該基板の表層部をエッチングすることにより、基板の表面に付着しているパーティクルを表層部ごと除去する除去工程と、を含み、
この除去工程は、真空雰囲気中で重力の作用に加えて、熱泳動力をパーティクルに作用させるために、基板を加熱する工程を併用して行われ、前記基板を加熱する工程は、ブラウン運動によるパーティクルの移動速度よりも熱泳動力によるパーティクルの移動速度を大きくするために基板を加熱する工程であることを特徴とする。
基板を、表面が下を向くように周縁側から挟んで保持するクランプ部材からなる保持部を内部に有し、その内部が真空雰囲気とされる処理容器と、
前記保持部に保持された基板の表面を酸化するために酸化用のガスを供給する酸化用のガス供給部と、
前記酸化用のガスにより酸化された基板の表面を下向きのままエッチングして、基板の表面に付着しているパーティクルを酸化膜ごと除去するためにエッチングガスを基板の表面に供給するエッチングガス供給部と、
基板上のパーティクルに熱泳動力を作用させて、ブラウン運動によるパーティクルの移動速度よりも熱泳動力によるパーティクルの移動速度を大きくするために基板を加熱する加熱機構と、を備えたことを特徴とする。
エッチング用の処理容器を有し、エッチングマスクを用いてエッチングガスにより基板の表面をエッチングするエッチングモジュールと、
前記エッチング用の処理容器に気密に接続され、基板を搬送する基板搬送機構を有する真空搬送室と、
この真空搬送室に気密に接続され、基板を、表面が下を向くように周縁側から挟んで保持するためのクランプ部材からなる保持部を内部に有し、その内部が真空雰囲気とされる洗浄用の処理容器と、
前記保持部に保持された基板の表面に付着しているパーティクルを表層部ごと除去するためにエッチングガスを基板の表面に供給するエッチングガス供給部と、
基板上のパーティクルに熱泳動力を作用させて、ブラウン運動によるパーティクルの移動速度よりも熱泳動力によるパーティクルの移動速度を大きくするために基板を加熱する加熱機構と、を備えたことを特徴とする。
(1) 図7は、単結晶シリコン層81、シリコン酸化膜82、ポリシリコン層83をこの順に積層した積層構造体をシリコン窒化膜(SiN膜と略す)84をハードマスクとし、エッチングモジュール17にてエッチングして、積層構造体に凹部85を形成したウエハWの表面構造を示している。ポリシリコン層83及び単結晶シリコン層81をエッチングするガスとしては、例えば臭化水素と酸素の混合ガスを処理ガスとして用いている。また、シリコン酸化膜82をエッチングするガスとしては、例えばCF4、C2F4などのCF系ガスを用いている。洗浄処理前の時点で、凹部85の側壁には、エッチング時の副生成物としてシリコン酸化物の残渣物86及びフッ化炭素化合物87が図7のように積層して付着している。洗浄モジュール2では、既述のように表面(被処理面)が下向きとなるようにウエハWが保持反転機構6に保持され、フッ化水素ガスをウエハWの表面に供給することにより、前記副生成物であるシリコン酸化物86が除去され、このときに凹部85の側壁に付着しているパーティクルPやシリコン酸化物86の上に積層されているフッ化炭素化合物87も一緒に除去される。
Claims (4)
- 真空雰囲気中にて基板を、表面が下を向くようにクランプ部材からなる保持部により周縁側から挟んで保持する工程と、
基板の表面に酸化用のガスを供給して基板の表面を酸化する工程と、
前記保持部に保持された基板の下向きの表面にエッチングガスを供給して、前記工程により酸化された酸化膜をエッチングすることにより、基板の表面に付着しているパーティクルを酸化膜ごと除去する除去工程と、を含み、
この除去工程は、真空雰囲気中で重力の作用に加えて、熱泳動力をパーティクルに作用させるために、基板を加熱する工程を併用して行われ、前記基板を加熱する工程は、ブラウン運動によるパーティクルの移動速度よりも熱泳動力によるパーティクルの移動速度を大きくするために基板を加熱する工程であることを特徴とする基板洗浄方法。 - エッチングマスクを用いて、真空雰囲気にてエッチングガスによりエッチングした後の基板の表面に付着しているパーティクルを除去する方法において、
前記エッチング後に真空を破らずに、前記基板を表面が下を向くようにクランプ部材からなる保持部により周縁側から挟んで保持する工程と、
前記保持部に保持された基板の下向きの表面にエッチングガスを供給して、当該基板の表層部をエッチングすることにより、基板の表面に付着しているパーティクルを表層部ごと除去する除去工程と、を含み、
この除去工程は、真空雰囲気中で重力の作用に加えて、熱泳動力をパーティクルに作用させるために、基板を加熱する工程を併用して行われ、前記基板を加熱する工程は、ブラウン運動によるパーティクルの移動速度よりも熱泳動力によるパーティクルの移動速度を大きくするために基板を加熱する工程であることを特徴とする基板洗浄方法。 - 基板を、表面が下を向くように周縁側から挟んで保持するクランプ部材からなる保持部を内部に有し、その内部が真空雰囲気とされた処理容器と、
前記保持部に保持された基板の表面を酸化するために酸化用のガスを供給する酸化用のガス供給部と、
前記酸化用のガスにより酸化された基板の表面を下向きのままエッチングして、基板の表面に付着しているパーティクルを酸化膜ごと除去するためにエッチングガスを基板の表面に供給するエッチングガス供給部と、
基板上のパーティクルに熱泳動力を作用させて、ブラウン運動によるパーティクルの移動速度よりも熱泳動力によるパーティクルの移動速度を大きくするために基板を加熱する加熱機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - エッチング用の処理容器を有し、エッチングマスクを用いてエッチングガスにより基板の表面をエッチングするエッチングモジュールと、
前記エッチング用の処理容器に気密に接続され、基板を搬送する基板搬送機構を有する真空搬送室と、
この真空搬送室に気密に接続され、基板を、表面が下を向くように周縁側から挟んで保持するためのクランプ部材からなる保持部を内部に有し、その内部が真空雰囲気とされた洗浄用の処理容器と、
前記保持部に保持された基板の表面に付着しているパーティクルを表層部ごと除去するためにエッチングガスを基板の表面に供給するエッチングガス供給部と、
基板上のパーティクルに熱泳動力を作用させて、ブラウン運動によるパーティクルの移動速度よりも熱泳動力によるパーティクルの移動速度を大きくするために基板を加熱する加熱機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
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JP2015030555A JP2015099937A (ja) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | 基板洗浄方法及び基板処理装置 |
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JP2015030555A JP2015099937A (ja) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | 基板洗浄方法及び基板処理装置 |
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CN110993528A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-04-10 | 复旦大学 | 一种湿法刻蚀单面基板的装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005166970A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Canon Inc | 処理システム、当該処理システムを有する露光装置 |
JP2007235065A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2010103444A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法及び装置 |
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2015
- 2015-02-19 JP JP2015030555A patent/JP2015099937A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005166970A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Canon Inc | 処理システム、当該処理システムを有する露光装置 |
JP2007235065A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2010103444A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法及び装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110993528A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-04-10 | 复旦大学 | 一种湿法刻蚀单面基板的装置 |
CN110993528B (zh) * | 2019-11-07 | 2023-05-02 | 复旦大学 | 一种湿法刻蚀单面基板的装置 |
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