JP2003273078A - プラズマ処理装置の洗浄方法、洗浄方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置の洗浄方法、洗浄方法及びプラズマ処理装置Info
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被洗浄部材の表面に形成された陽極酸化膜や
溶射膜等からなる被膜にダメージを与えることなく、被
洗浄部材の表面に堆積した堆積物を良好に洗浄すること
のできるプラズマ処理装置の洗浄方法、洗浄方法及びプ
ラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 まず、有機溶媒（例えばアセトン）１０
１中に浸漬して化学洗浄を行う（ａ）。次に、上記化学
洗浄によってバッフル板１４の表面から剥離した堆積物
を圧縮空気源１０２からの圧縮空気を吹き付けることに
よって取り除く（ｂ）。しかる後、バッフル板１４にＣ
Ｏ2 ブラスト装置１０３による物理洗浄を施し、バッフ
ル板１４のエッジ部に残った堆積物を除去し（ｃ）、最
後に、バッフル板１４を純水１０４中に浸漬し、超音波
発生機１０５から純水１０４中に超音波振動を与えてバ
ッフル板１４の純水超音波洗浄を行う。
溶射膜等からなる被膜にダメージを与えることなく、被
洗浄部材の表面に堆積した堆積物を良好に洗浄すること
のできるプラズマ処理装置の洗浄方法、洗浄方法及びプ
ラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 まず、有機溶媒（例えばアセトン）１０
１中に浸漬して化学洗浄を行う（ａ）。次に、上記化学
洗浄によってバッフル板１４の表面から剥離した堆積物
を圧縮空気源１０２からの圧縮空気を吹き付けることに
よって取り除く（ｂ）。しかる後、バッフル板１４にＣ
Ｏ2 ブラスト装置１０３による物理洗浄を施し、バッフ
ル板１４のエッジ部に残った堆積物を除去し（ｃ）、最
後に、バッフル板１４を純水１０４中に浸漬し、超音波
発生機１０５から純水１０４中に超音波振動を与えてバ
ッフル板１４の純水超音波洗浄を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フッ素を含むガス
からなる処理ガスを使用して処理する際に堆積した堆積
物、例えばＣＦ系ガスを使用してシリコン酸化膜をプラ
ズマエッチング処理する際に堆積した堆積物を洗浄除去
するプラズマ処理装置の洗浄方法、洗浄方法及びプラズ
マ処理装置に関する。
からなる処理ガスを使用して処理する際に堆積した堆積
物、例えばＣＦ系ガスを使用してシリコン酸化膜をプラ
ズマエッチング処理する際に堆積した堆積物を洗浄除去
するプラズマ処理装置の洗浄方法、洗浄方法及びプラズ
マ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の製造分野におい
ては、半導体装置の微細な回路構造を形成する際に、例
えば、所定の処理ガスを使用し、この処理ガスのプラズ
マを発生させ、このプラズマの作用によって、所望部位
のエッチングを行うエッチング装置等のプラズマ処理装
置が多用されている。
ては、半導体装置の微細な回路構造を形成する際に、例
えば、所定の処理ガスを使用し、この処理ガスのプラズ
マを発生させ、このプラズマの作用によって、所望部位
のエッチングを行うエッチング装置等のプラズマ処理装
置が多用されている。
【０００３】上記エッチング装置では、エッチングガス
のプラズマによってエッチング処理を行う際、例えば、
ＣＦ系ガス等のフッ素を含むガスを含むエッチングガス
を使用して、シリコン酸化膜をエッチングする際等に
は、処理室内にエッチングに伴う堆積物が堆積する。こ
のため、この堆積物を除去する洗浄処理が定期的に行わ
れている。
のプラズマによってエッチング処理を行う際、例えば、
ＣＦ系ガス等のフッ素を含むガスを含むエッチングガス
を使用して、シリコン酸化膜をエッチングする際等に
は、処理室内にエッチングに伴う堆積物が堆積する。こ
のため、この堆積物を除去する洗浄処理が定期的に行わ
れている。
【０００４】このようなエッチング装置の洗浄は、従
来、例えば、有機溶媒等の洗浄処理液を用いた所謂化学
洗浄によって行うか、或いは、ウォータージェット、エ
アジェット等の所謂物理洗浄によって行うかのいずれか
の方法で行われている。
来、例えば、有機溶媒等の洗浄処理液を用いた所謂化学
洗浄によって行うか、或いは、ウォータージェット、エ
アジェット等の所謂物理洗浄によって行うかのいずれか
の方法で行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したとおり、従来
では、ＣＦ系ガスを使用してシリコン酸化膜をエッチン
グする際に処理室内に堆積した堆積物等の洗浄は、有機
溶媒等の洗浄処理液を用いた化学洗浄によって行うか、
又は、ウォータージェット、エアジェット等の物理洗浄
によって行われている。
では、ＣＦ系ガスを使用してシリコン酸化膜をエッチン
グする際に処理室内に堆積した堆積物等の洗浄は、有機
溶媒等の洗浄処理液を用いた化学洗浄によって行うか、
又は、ウォータージェット、エアジェット等の物理洗浄
によって行われている。
【０００６】しかしながら、上記従来の洗浄方法のう
ち、有機溶媒等の洗浄処理液を用いた化学洗浄による方
法では、被洗浄部材のエッジ部のような細かい部分に付
着した堆積物を完全に除去することができない可能性が
あった。また、ウォータージェット、エアジェット等の
物理洗浄による方法では、堆積物が付着した被洗浄部材
の表面に例えば陽極酸化膜（アルマイト）や溶射膜等か
らなる被膜が形成されている場合に、この被膜に対しダ
メージを与え、被膜が剥がれてしまう可能性があった。
ち、有機溶媒等の洗浄処理液を用いた化学洗浄による方
法では、被洗浄部材のエッジ部のような細かい部分に付
着した堆積物を完全に除去することができない可能性が
あった。また、ウォータージェット、エアジェット等の
物理洗浄による方法では、堆積物が付着した被洗浄部材
の表面に例えば陽極酸化膜（アルマイト）や溶射膜等か
らなる被膜が形成されている場合に、この被膜に対しダ
メージを与え、被膜が剥がれてしまう可能性があった。
【０００７】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、被洗浄部材の表面に形成された陽極酸化
膜や溶射膜等からなる被膜にダメージを与えることな
く、被洗浄部材の表面に堆積した堆積物を良好に洗浄す
ることのできるプラズマ処理装置の洗浄方法、洗浄方法
及びプラズマ処理装置を提供しようとするものである。
されたもので、被洗浄部材の表面に形成された陽極酸化
膜や溶射膜等からなる被膜にダメージを与えることな
く、被洗浄部材の表面に堆積した堆積物を良好に洗浄す
ることのできるプラズマ処理装置の洗浄方法、洗浄方法
及びプラズマ処理装置を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の発明は、気密な処理室内に少なくともフッ素を含む処
理ガスを導入して被処理基板上の被処理膜にプラズマ処
理を施した際の、前記処理室内に堆積した堆積物を洗浄
除去するプラズマ処理装置の洗浄方法であって、前記堆
積物が堆積した被洗浄部材を洗浄処理液に所定時間接触
させて、前記堆積物を化学的に除去する化学洗浄工程
と、前記化学洗浄工程の後に、前記被洗浄部材に洗浄媒
体を噴射させて、前記堆積物を物理的に除去する物理洗
浄工程とを有することを特徴とする。
の発明は、気密な処理室内に少なくともフッ素を含む処
理ガスを導入して被処理基板上の被処理膜にプラズマ処
理を施した際の、前記処理室内に堆積した堆積物を洗浄
除去するプラズマ処理装置の洗浄方法であって、前記堆
積物が堆積した被洗浄部材を洗浄処理液に所定時間接触
させて、前記堆積物を化学的に除去する化学洗浄工程
と、前記化学洗浄工程の後に、前記被洗浄部材に洗浄媒
体を噴射させて、前記堆積物を物理的に除去する物理洗
浄工程とを有することを特徴とする。
【０００９】請求項２の発明は、請求項１記載のプラズ
マ処理装置の洗浄方法において、前記洗浄処理液が、少
なくとも有機溶媒を含むことを特徴とする。
マ処理装置の洗浄方法において、前記洗浄処理液が、少
なくとも有機溶媒を含むことを特徴とする。
【００１０】請求項３の発明は、請求項２記載のプラズ
マ処理装置の洗浄方法であって、前記有機溶媒は、エタ
ノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトンのうちの
少なくとも一つであることを特徴とする。
マ処理装置の洗浄方法であって、前記有機溶媒は、エタ
ノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトンのうちの
少なくとも一つであることを特徴とする。
【００１１】請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれ
か一項に記載のプラズマ処理装置の洗浄方法において、
前記物理洗浄工程がドライアイスペレットを圧縮空気に
よって噴射するＣＯ2 ブラスト洗浄によって行われるこ
とを特徴とする。
か一項に記載のプラズマ処理装置の洗浄方法において、
前記物理洗浄工程がドライアイスペレットを圧縮空気に
よって噴射するＣＯ2 ブラスト洗浄によって行われるこ
とを特徴とする。
【００１２】請求項５の発明は、請求項４記載のプラズ
マ処理装置の洗浄方法において、前記ＣＯ2 ブラスト洗
浄における圧縮空気の圧力が、３．０〜４．２ｋｇ／ｃ
ｍ2であることを特徴とする。
マ処理装置の洗浄方法において、前記ＣＯ2 ブラスト洗
浄における圧縮空気の圧力が、３．０〜４．２ｋｇ／ｃ
ｍ2であることを特徴とする。
【００１３】請求項６の発明は、請求項４又は５記載の
プラズマ処理装置の洗浄方法において、前記ＣＯ2 ブラ
スト洗浄におけるドライアイスペレットの粒径が０．３
ｍｍから０．６ｍｍであることを特徴とする。
プラズマ処理装置の洗浄方法において、前記ＣＯ2 ブラ
スト洗浄におけるドライアイスペレットの粒径が０．３
ｍｍから０．６ｍｍであることを特徴とする。
【００１４】請求項７の発明は、請求項１〜３のいずれ
か一項に記載のプラズマ処理装置の洗浄方法において、
前記物理洗浄工程が圧縮空気に高圧水を混入して噴射す
るエアジェット洗浄によって行われることを特徴とす
る。
か一項に記載のプラズマ処理装置の洗浄方法において、
前記物理洗浄工程が圧縮空気に高圧水を混入して噴射す
るエアジェット洗浄によって行われることを特徴とす
る。
【００１５】請求項８の発明は、請求項７記載のプラズ
マ処理装置の洗浄方法において、前記エアジェット洗浄
における水圧が７〜１４ＭＰａ、空気圧が０．２〜０．
３５ＭＰａであることを特徴とする。
マ処理装置の洗浄方法において、前記エアジェット洗浄
における水圧が７〜１４ＭＰａ、空気圧が０．２〜０．
３５ＭＰａであることを特徴とする。
【００１６】請求項９の発明は、請求項１〜８いずれか
１項記載のプラズマ処理装置の洗浄方法において、前記
被洗浄部材の表面に、陽極酸化膜又は溶射膜からなる被
膜が形成されていることを特徴とする。
１項記載のプラズマ処理装置の洗浄方法において、前記
被洗浄部材の表面に、陽極酸化膜又は溶射膜からなる被
膜が形成されていることを特徴とする。
【００１７】請求項１０の発明は、請求項１〜９いずれ
か１項記載のプラズマ処理装置の洗浄方法において、前
記化学洗浄工程と、前記物理洗浄工程の間に、気体を吹
き付けて前記被洗浄部材から剥離した前記堆積物を除去
するエアパージ工程を有することを特徴とする。
か１項記載のプラズマ処理装置の洗浄方法において、前
記化学洗浄工程と、前記物理洗浄工程の間に、気体を吹
き付けて前記被洗浄部材から剥離した前記堆積物を除去
するエアパージ工程を有することを特徴とする。
【００１８】請求項１１の発明は、請求項１〜１０いず
れか１項記載のプラズマ処理装置の洗浄方法において、
前記物理洗浄工程の後に、前記被洗浄部材を純水中に浸
漬し、当該純水に超音波振動を加える純水超音波洗浄工
程を有することを特徴とする。
れか１項記載のプラズマ処理装置の洗浄方法において、
前記物理洗浄工程の後に、前記被洗浄部材を純水中に浸
漬し、当該純水に超音波振動を加える純水超音波洗浄工
程を有することを特徴とする。
【００１９】請求項１２の発明は、フッ素を含む処理ガ
スによる堆積物を洗浄除去する洗浄方法において、前記
堆積物が堆積した被洗浄部材を洗浄処理液に所定時間接
触させて、前記堆積物を化学的に除去する化学洗浄工程
と、前記化学洗浄工程の後に、前記被洗浄部材に洗浄媒
体を噴射させて、前記堆積物を物理的に除去する物理洗
浄工程とを有することを特徴とする。
スによる堆積物を洗浄除去する洗浄方法において、前記
堆積物が堆積した被洗浄部材を洗浄処理液に所定時間接
触させて、前記堆積物を化学的に除去する化学洗浄工程
と、前記化学洗浄工程の後に、前記被洗浄部材に洗浄媒
体を噴射させて、前記堆積物を物理的に除去する物理洗
浄工程とを有することを特徴とする。
【００２０】請求項１３の発明は、気密な処理室内に少
なくともフッ素を含む処理ガスを導入して被処理基板上
の被処理膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置におい
て、前記プラズマ処理による堆積物が堆積した被洗浄部
材を洗浄処理液に所定時間接触させる、前記堆積物の化
学的な除去と、その後に、前記被洗浄部材に洗浄媒体を
噴射させる、前記堆積物の物理的な除去とが施されたこ
とを特徴とする。
なくともフッ素を含む処理ガスを導入して被処理基板上
の被処理膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置におい
て、前記プラズマ処理による堆積物が堆積した被洗浄部
材を洗浄処理液に所定時間接触させる、前記堆積物の化
学的な除去と、その後に、前記被洗浄部材に洗浄媒体を
噴射させる、前記堆積物の物理的な除去とが施されたこ
とを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を、実施の形
態について図面を参照して説明する。
態について図面を参照して説明する。
【００２２】図２は、エッチング装置の概略構成を模式
的に示すもので、同図において、符号１は、材質が例え
ばアルミニウム等からなり、内部を気密に閉塞可能に構
成され、プラズマ処理室を構成する円筒状の真空チャン
バを示している。
的に示すもので、同図において、符号１は、材質が例え
ばアルミニウム等からなり、内部を気密に閉塞可能に構
成され、プラズマ処理室を構成する円筒状の真空チャン
バを示している。
【００２３】上記真空チャンバ１は、小径の上部１ａと
大径の下部１ｂからなる段付きの円筒形状とされてお
り、接地電位に接続されている。また、真空チャンバ１
の内部には、被処理基板としての半導体ウエハＷを、被
処理面を上側に向けて略水平に支持する支持テーブル
（サセプタ）２が設けられている。
大径の下部１ｂからなる段付きの円筒形状とされてお
り、接地電位に接続されている。また、真空チャンバ１
の内部には、被処理基板としての半導体ウエハＷを、被
処理面を上側に向けて略水平に支持する支持テーブル
（サセプタ）２が設けられている。
【００２４】この支持テーブル２は、例えばアルミニウ
ム等の材質で構成されており、セラミックなどの絶縁板
３を介して導体の支持台４に支持されている。また支持
テーブル２の上方の外周には導電性材料または絶縁性材
料で形成されたフォーカスリング５が設けられている。
ム等の材質で構成されており、セラミックなどの絶縁板
３を介して導体の支持台４に支持されている。また支持
テーブル２の上方の外周には導電性材料または絶縁性材
料で形成されたフォーカスリング５が設けられている。
【００２５】また、支持テーブル２の半導体ウエハＷの
載置面には、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電
チャック６が設けられている。この静電チャック６は、
絶縁体６ｂの間に電極６ａを配置して構成されており、
電極６ａには直流電源１３が接続されている。そして電
極６ａに電源１３から電圧が印加されることにより、ク
ーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるようにな
っている。
載置面には、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電
チャック６が設けられている。この静電チャック６は、
絶縁体６ｂの間に電極６ａを配置して構成されており、
電極６ａには直流電源１３が接続されている。そして電
極６ａに電源１３から電圧が印加されることにより、ク
ーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるようにな
っている。
【００２６】さらに、支持テーブル２には、冷媒を循環
するための冷媒流路（図示せず）と、冷媒からの冷熱を
効率よく半導体ウエハＷに伝達するために半導体ウエハ
Ｗの裏面にＨｅガスを供給するガス導入機構（図示せ
ず）とが設けられ、半導体ウエハＷを所望の温度に温度
制御できるようになっている。
するための冷媒流路（図示せず）と、冷媒からの冷熱を
効率よく半導体ウエハＷに伝達するために半導体ウエハ
Ｗの裏面にＨｅガスを供給するガス導入機構（図示せ
ず）とが設けられ、半導体ウエハＷを所望の温度に温度
制御できるようになっている。
【００２７】上記支持テーブル２と支持台４は、ボール
ねじ７を含むボールねじ機構により昇降可能となってお
り、支持台４の下方の駆動部分は、ステンレス鋼（ＳＵ
Ｓ）製のベローズ８で覆われ、ベローズ８の外側にはベ
ローズカバー９が設けられている。
ねじ７を含むボールねじ機構により昇降可能となってお
り、支持台４の下方の駆動部分は、ステンレス鋼（ＳＵ
Ｓ）製のベローズ８で覆われ、ベローズ８の外側にはベ
ローズカバー９が設けられている。
【００２８】また、支持テーブル２のほぼ中央には、高
周波電力を供給するための給電線１２が接続されてい
る。この給電線１２にはマッチングボックス１１及び高
周波電源１０が接続され、高周波電源１０からは、１
３．５６〜１５０ＭＨｚの範囲の高周波電力が、支持テ
ーブル２に供給されるようになっている。
周波電力を供給するための給電線１２が接続されてい
る。この給電線１２にはマッチングボックス１１及び高
周波電源１０が接続され、高周波電源１０からは、１
３．５６〜１５０ＭＨｚの範囲の高周波電力が、支持テ
ーブル２に供給されるようになっている。
【００２９】さらに、フォーカスリング５の外側には、
環状に構成され、多数のスリットが形成されたバッフル
板１４が設けられており、このバッフル板１４を介し
て、排気ポート１９に接続された排気系２０により、真
空チャンバ１内の処理空間の真空排気が行われるよう構
成されている。
環状に構成され、多数のスリットが形成されたバッフル
板１４が設けられており、このバッフル板１４を介し
て、排気ポート１９に接続された排気系２０により、真
空チャンバ１内の処理空間の真空排気が行われるよう構
成されている。
【００３０】一方、支持テーブル２の上方の真空チャン
バ１の天壁部分には、シャワーヘッド１６が、支持テー
ブル２と平行に対向する如く設けられており、このシャ
ワーヘッド１６は接地されている。したがって、これら
の支持テーブル２およびシャワーヘッド１６は、一対の
電極として機能するようになっている。
バ１の天壁部分には、シャワーヘッド１６が、支持テー
ブル２と平行に対向する如く設けられており、このシャ
ワーヘッド１６は接地されている。したがって、これら
の支持テーブル２およびシャワーヘッド１６は、一対の
電極として機能するようになっている。
【００３１】上記シャワーヘッド１６は、その下面に多
数のガス吐出孔１８が設けられており、且つその上部に
ガス導入部１６ａを有している。そして、その内部には
ガス拡散用空隙１７が形成されている。ガス導入部１６
ａにはガス供給配管１５ａが接続されており、このガス
供給配管１５ａの他端には、エッチング用の処理ガス
（エッチングガス）を供給する処理ガス供給系１５が接
続されている。
数のガス吐出孔１８が設けられており、且つその上部に
ガス導入部１６ａを有している。そして、その内部には
ガス拡散用空隙１７が形成されている。ガス導入部１６
ａにはガス供給配管１５ａが接続されており、このガス
供給配管１５ａの他端には、エッチング用の処理ガス
（エッチングガス）を供給する処理ガス供給系１５が接
続されている。
【００３２】また、真空チャンバ１の下部１ｂの側壁上
側には、半導体ウエハＷの搬入出口を開閉するゲートバ
ルブ２４が設けられている。
側には、半導体ウエハＷの搬入出口を開閉するゲートバ
ルブ２４が設けられている。
【００３３】一方、真空チャンバ１の上部１ａの外側周
囲には、真空チャンバ１と同心状に、環状の磁場形成機
構（リング磁石）２１が配置されており、支持テーブル
２とシャワーヘッド１６との間の処理空間に磁場を形成
するようになっている。この磁場形成機構２１は、回転
機構２５によって、その全体が、真空チャンバ１の回り
を所定の回転速度で回転可能とされている。
囲には、真空チャンバ１と同心状に、環状の磁場形成機
構（リング磁石）２１が配置されており、支持テーブル
２とシャワーヘッド１６との間の処理空間に磁場を形成
するようになっている。この磁場形成機構２１は、回転
機構２５によって、その全体が、真空チャンバ１の回り
を所定の回転速度で回転可能とされている。
【００３４】上記のように構成されたプラズマエッチン
グ装置により、ＣＦ系ガス（例えば、ＣＨ2 Ｆ2 、Ｃ4
Ｆ6 、Ｃ5 Ｆ8 （環状と直鎖）、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｃ
4 Ｆ 8 （環状と直鎖）等の炭素原子とフッ素原子とを含
むガス）を使用したエッチングガスを用いて、半導体ウ
エハＷ上に形成されたシリコン酸化膜のエッチングを行
った。
グ装置により、ＣＦ系ガス（例えば、ＣＨ2 Ｆ2 、Ｃ4
Ｆ6 、Ｃ5 Ｆ8 （環状と直鎖）、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｃ
4 Ｆ 8 （環状と直鎖）等の炭素原子とフッ素原子とを含
むガス）を使用したエッチングガスを用いて、半導体ウ
エハＷ上に形成されたシリコン酸化膜のエッチングを行
った。
【００３５】このエッチング手順について説明すると、
まず、ゲートバルブ２４を開放し、このゲートバルブ２
４に隣接して配置されたロードロック室（図示せず）を
介して、搬送機構（図示せず）により半導体ウエハＷを
真空チャンバ１内に搬入し、予め所定の位置に下降され
ている支持テーブル２上に載置する。そして、直流電源
１３から静電チャック６の電極６ａに所定の電圧を印加
し、半導体ウエハＷをクーロン力により吸着する。
まず、ゲートバルブ２４を開放し、このゲートバルブ２
４に隣接して配置されたロードロック室（図示せず）を
介して、搬送機構（図示せず）により半導体ウエハＷを
真空チャンバ１内に搬入し、予め所定の位置に下降され
ている支持テーブル２上に載置する。そして、直流電源
１３から静電チャック６の電極６ａに所定の電圧を印加
し、半導体ウエハＷをクーロン力により吸着する。
【００３６】この後、搬送機構を真空チャンバ１外へ退
避させた後、ゲートバルブ２４を閉じ、支持テーブル２
を図２に示される位置まで上昇させると共に、排気系２
０の真空ポンプにより排気ポート１９を通じて真空チャ
ンバ１内を排気する。
避させた後、ゲートバルブ２４を閉じ、支持テーブル２
を図２に示される位置まで上昇させると共に、排気系２
０の真空ポンプにより排気ポート１９を通じて真空チャ
ンバ１内を排気する。
【００３７】真空チャンバ１内が所定の真空度になった
後、真空チャンバ１内には、処理ガス供給系１５から、
上述した所定のエッチングガスが、所定流量で導入さ
れ、真空チャンバ１内が所定の圧力、例えば１．３３Ｐ
ａ〜１３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ〜１０００ｍＴｏｒ
ｒ）に保持される。
後、真空チャンバ１内には、処理ガス供給系１５から、
上述した所定のエッチングガスが、所定流量で導入さ
れ、真空チャンバ１内が所定の圧力、例えば１．３３Ｐ
ａ〜１３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ〜１０００ｍＴｏｒ
ｒ）に保持される。
【００３８】そして、この状態で高周波電源１０から、
支持テーブル２に、所定周波数（例えば１３．５６ＭＨ
ｚ）の高周波電力を供給する。
支持テーブル２に、所定周波数（例えば１３．５６ＭＨ
ｚ）の高周波電力を供給する。
【００３９】この場合に、下部電極である支持テーブル
２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であ
るシャワーヘッド１６と下部電極である支持テーブル２
との間の処理空間には高周波電界が形成されるととも
に、磁場形成機構２１による磁場が形成され、この状態
でプラズマによるシリコン酸化膜のエッチングが行われ
る。
２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であ
るシャワーヘッド１６と下部電極である支持テーブル２
との間の処理空間には高周波電界が形成されるととも
に、磁場形成機構２１による磁場が形成され、この状態
でプラズマによるシリコン酸化膜のエッチングが行われ
る。
【００４０】そして、所定のエッチング処理が実行され
ると、高周波電源１０からの高周波電力の供給が停止
し、エッチング処理を停止して、上述した手順とは逆の
手順で、半導体ウエハＷを真空チャンバ１外に搬出す
る。
ると、高周波電源１０からの高周波電力の供給が停止
し、エッチング処理を停止して、上述した手順とは逆の
手順で、半導体ウエハＷを真空チャンバ１外に搬出す
る。
【００４１】上記のようなエッチング処理を繰り返して
行い、このエッチング処理時間が合計５時間になった時
点で、真空チャンバ１内からバッフル板１４を取り出
し、このバッフル板１４の洗浄を行った。
行い、このエッチング処理時間が合計５時間になった時
点で、真空チャンバ１内からバッフル板１４を取り出
し、このバッフル板１４の洗浄を行った。
【００４２】バッフル板１４は、前述したとおり、環状
の板材からなり、この環状の板材に、径方向に沿って多
数のスリットを形成して構成されており、その表面に
は、アルミナの溶射膜からなる被膜が形成されている。
の板材からなり、この環状の板材に、径方向に沿って多
数のスリットを形成して構成されており、その表面に
は、アルミナの溶射膜からなる被膜が形成されている。
【００４３】そして、真空チャンバ１内から取り出した
バッフル板１４には、堆積物が層を成すように大量に付
着していた。
バッフル板１４には、堆積物が層を成すように大量に付
着していた。
【００４４】このように堆積物が付着したバッフル板１
４を、図１に示すように、まず、有機溶媒（本実施形態
ではアセトン）１０１からなる洗浄処理液中に浸漬して
化学洗浄を行った（ａ）。そして、この化学洗浄を所定
時間（例えば１〜１２時間程度）行った後、バッフル板
１４を、有機溶媒１０１中から取り出した。
４を、図１に示すように、まず、有機溶媒（本実施形態
ではアセトン）１０１からなる洗浄処理液中に浸漬して
化学洗浄を行った（ａ）。そして、この化学洗浄を所定
時間（例えば１〜１２時間程度）行った後、バッフル板
１４を、有機溶媒１０１中から取り出した。
【００４５】次に、上記化学洗浄によってバッフル板１
４の表面から剥離した堆積物を、圧縮空気源１０２から
の圧縮空気を吹き付けることによって取り除いた（エア
パージ）（ｂ）。この工程が終了した時点では、バッフ
ル板１４の表面のほとんどの部分の堆積物が除去されて
いるが、スリットの端部等のエッジ部に堆積物が残った
状態となっていた。
４の表面から剥離した堆積物を、圧縮空気源１０２から
の圧縮空気を吹き付けることによって取り除いた（エア
パージ）（ｂ）。この工程が終了した時点では、バッフ
ル板１４の表面のほとんどの部分の堆積物が除去されて
いるが、スリットの端部等のエッジ部に堆積物が残った
状態となっていた。
【００４６】しかる後、バッフル板１４にＣＯ2 ブラス
ト装置１０３を用いて、ＣＯ2 ブラストによる物理洗浄
を施し、上記したバッフル板１４のエッジ部に残った堆
積物を特に除去した（ｃ）。
ト装置１０３を用いて、ＣＯ2 ブラストによる物理洗浄
を施し、上記したバッフル板１４のエッジ部に残った堆
積物を特に除去した（ｃ）。
【００４７】このＣＯ2 ブラスト装置１０３による物理
洗浄は、ドライアイスペレットを、圧縮空気によって送
出し、ノズルから噴出させてバッフル板１４に衝突さ
せ、物理的に堆積物を除去するものであり、サーマルシ
ョックによって堆積物にマイクロクラックを生じさせ、
ドライアイスペレットが昇華する際の膨張エネルギーを
利用して表面に付着した堆積物を除去するものである。
洗浄は、ドライアイスペレットを、圧縮空気によって送
出し、ノズルから噴出させてバッフル板１４に衝突さ
せ、物理的に堆積物を除去するものであり、サーマルシ
ョックによって堆積物にマイクロクラックを生じさせ、
ドライアイスペレットが昇華する際の膨張エネルギーを
利用して表面に付着した堆積物を除去するものである。
【００４８】上記ＣＯ2 ブラスト装置１０３による物理
洗浄の際の圧縮空気の圧力は、例えば３．０〜４．２ｋ
ｇ／ｃｍ2 であり、ドライアイスペレットの粒径は、例
えば０．３ｍｍ〜０．６ｍｍ程度である。また、ＣＯ2
ブラスト装置１０３による物理洗浄に要する時間は、約
１０分程度であった。
洗浄の際の圧縮空気の圧力は、例えば３．０〜４．２ｋ
ｇ／ｃｍ2 であり、ドライアイスペレットの粒径は、例
えば０．３ｍｍ〜０．６ｍｍ程度である。また、ＣＯ2
ブラスト装置１０３による物理洗浄に要する時間は、約
１０分程度であった。
【００４９】このＣＯ2 ブラスト装置１０３による物理
洗浄の際の圧縮空気の圧力が高すぎると、バッフル板１
４の表面に形成された被膜がダメージを受ける可能性が
あり、また、この圧力が低すぎると堆積物の除去に時間
がかかるため、上記の圧力範囲とすることが好ましい。
洗浄の際の圧縮空気の圧力が高すぎると、バッフル板１
４の表面に形成された被膜がダメージを受ける可能性が
あり、また、この圧力が低すぎると堆積物の除去に時間
がかかるため、上記の圧力範囲とすることが好ましい。
【００５０】また、上記の圧力範囲であっても、長時間
ＣＯ2 ブラスト装置１０３による物理洗浄を行うと、被
膜にダメージが与えられると予測されるが、上記のよう
に予め有機溶媒１０１による化学洗浄を行うと、この化
学洗浄によって付着した堆積物の大部分が除去されるた
め、物理洗浄の時間が上記のように１０分程度の短時間
となるため、被膜がダメージを受けることはない。
ＣＯ2 ブラスト装置１０３による物理洗浄を行うと、被
膜にダメージが与えられると予測されるが、上記のよう
に予め有機溶媒１０１による化学洗浄を行うと、この化
学洗浄によって付着した堆積物の大部分が除去されるた
め、物理洗浄の時間が上記のように１０分程度の短時間
となるため、被膜がダメージを受けることはない。
【００５１】さらに、有機溶媒１０１による化学洗浄終
了時の堆積物の付着状態は、洗浄開始前の堆積物の量に
よらず略一定となり、スリットの端部等のエッジ部にの
み堆積物が残った状態となる。したがって、ＣＯ2 ブラ
スト装置１０３による物理洗浄に要する時間は、洗浄開
始前の堆積物の量によらず略一定（約１０分程度）とな
ることから、この物理洗浄によって被膜がダメージを受
けることはない。これは、各装置ごとに堆積物の量が異
なる場合であっても物理洗浄の時間を装置ごとに一定に
かつ短時間に行うことができる点で効果が大きい。
了時の堆積物の付着状態は、洗浄開始前の堆積物の量に
よらず略一定となり、スリットの端部等のエッジ部にの
み堆積物が残った状態となる。したがって、ＣＯ2 ブラ
スト装置１０３による物理洗浄に要する時間は、洗浄開
始前の堆積物の量によらず略一定（約１０分程度）とな
ることから、この物理洗浄によって被膜がダメージを受
けることはない。これは、各装置ごとに堆積物の量が異
なる場合であっても物理洗浄の時間を装置ごとに一定に
かつ短時間に行うことができる点で効果が大きい。
【００５２】上記のＣＯ2 ブラスト装置１０３による物
理洗浄が終了した時点では、バッフル板１４のエッジ部
に残った堆積物も完全に除去され、かつ、バッフル板１
４の表面に形成されたアルミナの溶射膜からなる被膜に
は、何等ダメージが見られなかった。
理洗浄が終了した時点では、バッフル板１４のエッジ部
に残った堆積物も完全に除去され、かつ、バッフル板１
４の表面に形成されたアルミナの溶射膜からなる被膜に
は、何等ダメージが見られなかった。
【００５３】そして最後に、バッフル板１４を純水１０
４中に浸漬し、超音波発生機１０５から純水１０４中に
超音波振動を与えて、バッフル板１４の純水超音波洗浄
（リンス）を行った。
４中に浸漬し、超音波発生機１０５から純水１０４中に
超音波振動を与えて、バッフル板１４の純水超音波洗浄
（リンス）を行った。
【００５４】以上のような洗浄工程によって洗浄を行う
ことにより、バッフル板１４の表面に付着した堆積物を
残らず除去することができ、かつ、バッフル板１４の表
面に形成されたアルミナの溶射膜からなる被膜（膜厚２
００μｍ）にタメージを与えることもなかった。
ことにより、バッフル板１４の表面に付着した堆積物を
残らず除去することができ、かつ、バッフル板１４の表
面に形成されたアルミナの溶射膜からなる被膜（膜厚２
００μｍ）にタメージを与えることもなかった。
【００５５】なお、上述した実施形態においていは、化
学洗浄に使用する洗浄処理液として有機溶媒であるアセ
トンを使用した場合について説明したが、他の洗浄処理
液を使用しても良いことは勿論であり、洗浄処理液とし
ては、各種の有機溶媒を使用することができる。
学洗浄に使用する洗浄処理液として有機溶媒であるアセ
トンを使用した場合について説明したが、他の洗浄処理
液を使用しても良いことは勿論であり、洗浄処理液とし
ては、各種の有機溶媒を使用することができる。
【００５６】例えば、ハイドロフルオロエーテル（ＨＦ
Ｅ−７１００（商品名：住友スリーエム社製））とＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）とを混合した洗浄処理液
を使用して、上述した実施形態と同様に洗浄を行った
が、この場合も、上述した実施形態と同様に良好な洗浄
を行うことができた。
Ｅ−７１００（商品名：住友スリーエム社製））とＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）とを混合した洗浄処理液
を使用して、上述した実施形態と同様に洗浄を行った
が、この場合も、上述した実施形態と同様に良好な洗浄
を行うことができた。
【００５７】また、上記の他、エタノール、イソプロピ
ルアルコール、１−ブタノール等のアルコール類、メチ
ルエチルケトン、メチルブチルケトン等のケトン類も、
洗浄処理液として使用することができる。
ルアルコール、１−ブタノール等のアルコール類、メチ
ルエチルケトン、メチルブチルケトン等のケトン類も、
洗浄処理液として使用することができる。
【００５８】また、上述した実施形態においていは、バ
ッフル板１４の表面にアルミナの溶射膜からなる被膜が
形成されている場合について説明したが、バッフル板１
４の表面に陽極酸化膜（アルマイト）からなる被膜（膜
厚５０μｍ）が形成されている場合についても、上述し
た実施形態と同様の洗浄工程によって洗浄を行うことに
より、陽極酸化膜（アルマイト）からなる被膜にダメー
ジを与えることなく、バッフル板１４の表面に付着した
堆積物を残らず除去することができた。
ッフル板１４の表面にアルミナの溶射膜からなる被膜が
形成されている場合について説明したが、バッフル板１
４の表面に陽極酸化膜（アルマイト）からなる被膜（膜
厚５０μｍ）が形成されている場合についても、上述し
た実施形態と同様の洗浄工程によって洗浄を行うことに
より、陽極酸化膜（アルマイト）からなる被膜にダメー
ジを与えることなく、バッフル板１４の表面に付着した
堆積物を残らず除去することができた。
【００５９】次に、図３を参照して他の実施形態につい
て説明する。この実施形態では、上述した洗浄工程にお
けるＣＯ2 ブラスト装置１０３による物理洗浄工程に換
えて、エアジェット装置１０３ａを用いて、エアジェッ
トによる物理洗浄工程を実施した。なお、他の洗浄工程
については、図１に示した洗浄工程と同様である。
て説明する。この実施形態では、上述した洗浄工程にお
けるＣＯ2 ブラスト装置１０３による物理洗浄工程に換
えて、エアジェット装置１０３ａを用いて、エアジェッ
トによる物理洗浄工程を実施した。なお、他の洗浄工程
については、図１に示した洗浄工程と同様である。
【００６０】上記エアジェット装置１０３ａによる物理
洗浄工程は、圧縮空気に高圧水を混入して、バッフル板
１４に噴射し、バッフル板１４に堆積した堆積物を物理
的に除去するものである。このエアジェット装置１０３
ａによる物理洗浄工程において使用した水圧は、例えば
７〜１４ＭＰａ、空気圧は、例えば０．２〜０．３５Ｍ
Ｐａである。この水圧及び空気圧も、高すぎるとバッフ
ル板１４の被膜がダメージを受ける可能性があり、ま
た、低すぎると堆積物の除去に時間がかかるため、上記
の圧力範囲とすることが好ましい。また、エアジェット
装置１０３ａによる物理洗浄に要する時間は、約８分程
度であった。
洗浄工程は、圧縮空気に高圧水を混入して、バッフル板
１４に噴射し、バッフル板１４に堆積した堆積物を物理
的に除去するものである。このエアジェット装置１０３
ａによる物理洗浄工程において使用した水圧は、例えば
７〜１４ＭＰａ、空気圧は、例えば０．２〜０．３５Ｍ
Ｐａである。この水圧及び空気圧も、高すぎるとバッフ
ル板１４の被膜がダメージを受ける可能性があり、ま
た、低すぎると堆積物の除去に時間がかかるため、上記
の圧力範囲とすることが好ましい。また、エアジェット
装置１０３ａによる物理洗浄に要する時間は、約８分程
度であった。
【００６１】以上のように、ＣＯ2 ブラスト装置１０３
による物理洗浄工程に換えて、エアジェット装置１０３
ａによる物理洗浄工程を行った場合についても、バッフ
ル板１４の表面に形成されたアルミナの溶射膜からなる
被膜や、陽極酸化膜（アルマイト）からなる被膜にダメ
ージを与えることなく、バッフル板１４の表面に付着し
た堆積物を残らず除去することができた。
による物理洗浄工程に換えて、エアジェット装置１０３
ａによる物理洗浄工程を行った場合についても、バッフ
ル板１４の表面に形成されたアルミナの溶射膜からなる
被膜や、陽極酸化膜（アルマイト）からなる被膜にダメ
ージを与えることなく、バッフル板１４の表面に付着し
た堆積物を残らず除去することができた。
【００６２】また、化学洗浄工程に使用する洗浄処理液
は、前述した実施形態と同様に、アセトンを用いた場合
も、ＨＦＥ−７１００（商品名：住友スリーエム社製）
とＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とを混合したもの
を使用した場合のどちらも、良好な洗浄を行うことがで
きた。
は、前述した実施形態と同様に、アセトンを用いた場合
も、ＨＦＥ−７１００（商品名：住友スリーエム社製）
とＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とを混合したもの
を使用した場合のどちらも、良好な洗浄を行うことがで
きた。
【００６３】なお、上記の実施形態では、バッフル板１
４の洗浄について説明したが、他の部材についても、同
様にして洗浄できることは勿論である。
４の洗浄について説明したが、他の部材についても、同
様にして洗浄できることは勿論である。
【００６４】また、上記の実施形態では、エッチングガ
スとしてＣＦ系ガスを用いた例を説明したが、ＮＦ3 や
ＳＦ6 等の炭素を含まずフッ素を含む処理ガスであって
もよい。また、上記の実施形態では、エッチング装置の
洗浄方法を例にあげて説明したが、プラズマ処理を行う
他の装置、例えばプラズマＣＶＤ装置の洗浄方法であっ
てもよい。
スとしてＣＦ系ガスを用いた例を説明したが、ＮＦ3 や
ＳＦ6 等の炭素を含まずフッ素を含む処理ガスであって
もよい。また、上記の実施形態では、エッチング装置の
洗浄方法を例にあげて説明したが、プラズマ処理を行う
他の装置、例えばプラズマＣＶＤ装置の洗浄方法であっ
てもよい。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
被洗浄部材の表面に形成された陽極酸化膜や溶射膜等か
らなる被膜にダメージを与えることなく、被洗浄部材の
表面に堆積した堆積物を良好に洗浄することができる。
被洗浄部材の表面に形成された陽極酸化膜や溶射膜等か
らなる被膜にダメージを与えることなく、被洗浄部材の
表面に堆積した堆積物を良好に洗浄することができる。
【図１】本発明の洗浄方法の一実施形態を説明するため
の図。
の図。
【図２】プラズマエッチング装置の概略構成を示す図。
【図３】本発明の洗浄方法の他の実施形態を説明するた
めの図。
めの図。
１４……バッフル板、１０１……有機溶媒、１０２……
圧縮空気源、１０３……ＣＯ2 ブラスト装置、１０４…
…純水、１０５……超音波発生機。
圧縮空気源、１０３……ＣＯ2 ブラスト装置、１０４…
…純水、１０５……超音波発生機。
フロントページの続き
(72)発明者 三橋 康至
東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放
送センター 東京エレクトロン株式会社内
(72)発明者 中山 博之
東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放
送センター 東京エレクトロン株式会社内
Ｆターム(参考） 4K030 DA06
5F004 AA13 BA04 BA08 BB13 BB18
BB22 BD03 DA01 DA15 DA16
DB03 FA08
Claims (13)
- 【請求項１】 気密な処理室内に少なくともフッ素を含
む処理ガスを導入して被処理基板上の被処理膜にプラズ
マ処理を施した際の、前記処理室内に堆積した堆積物を
洗浄除去するプラズマ処理装置の洗浄方法であって、 前記堆積物が堆積した被洗浄部材を洗浄処理液に所定時
間接触させて、前記堆積物を化学的に除去する化学洗浄
工程と、 前記化学洗浄工程の後に、前記被洗浄部材に洗浄媒体を
噴射させて、前記堆積物を物理的に除去する物理洗浄工
程とを有することを特徴とするプラズマ処理装置の洗浄
方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理装置の洗浄
方法において、 前記洗浄処理液が、少なくとも有機溶媒を含むことを特
徴とするプラズマ処理装置の洗浄方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のプラズマ処理装置の洗浄
方法であって、 前記有機溶媒は、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、ブタノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルブチルケトンのうちの少なくとも一つであることを特
徴とするプラズマ処理装置の洗浄方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか一項に記載のプ
ラズマ処理装置の洗浄方法において、 前記物理洗浄工程がドライアイスペレットを圧縮空気に
よって噴射するＣＯ2ブラスト洗浄によって行われるこ
とを特徴とするプラズマ処理装置の洗浄方法。 - 【請求項５】 請求項４記載のプラズマ処理装置の洗浄
方法において、 前記ＣＯ2 ブラスト洗浄における圧縮空気の圧力が、
３．０〜４．２ｋｇ／ｃｍ2 であることを特徴とするプ
ラズマ処理装置の洗浄方法。 - 【請求項６】 請求項４又は５記載のプラズマ処理装置
の洗浄方法において、 前記ＣＯ2 ブラスト洗浄におけるドライアイスペレット
の粒径が０．３ｍｍから０．６ｍｍであることを特徴と
するプラズマ処理装置の洗浄方法。 - 【請求項７】 請求項１〜３のいずれか一項に記載のプ
ラズマ処理装置の洗浄方法において、 前記物理洗浄工程が圧縮空気に高圧水を混入して噴射す
るエアジェット洗浄によって行われることを特徴とする
プラズマ処理装置の洗浄方法。 - 【請求項８】 請求項７記載のプラズマ処理装置の洗浄
方法において、 前記エアジェット洗浄における水圧が７〜１４ＭＰａ、
空気圧が０．２〜０．３５ＭＰａであることを特徴とす
るプラズマ処理装置の洗浄方法。 - 【請求項９】 請求項１〜８いずれか１項記載のプラズ
マ処理装置の洗浄方法において、 前記被洗浄部材の表面に、陽極酸化膜又は溶射膜からな
る被膜が形成されていることを特徴とするプラズマ処理
装置の洗浄方法。 - 【請求項１０】 請求項１〜９いずれか１項記載のプラ
ズマ処理装置の洗浄方法において、 前記化学洗浄工程と、前記物理洗浄工程の間に、気体を
吹き付けて前記被洗浄部材から剥離した前記堆積物を除
去するエアパージ工程を有することを特徴とするプラズ
マ処理装置の洗浄方法。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０いずれか１項記載のプ
ラズマ処理装置の洗浄方法において、 前記物理洗浄工程の後に、前記被洗浄部材を純水中に浸
漬し、当該純水に超音波振動を加える純水超音波洗浄工
程を有することを特徴とするプラズマ処理装置の洗浄方
法。 - 【請求項１２】 フッ素を含む処理ガスによる堆積物を
洗浄除去する洗浄方法において、 前記堆積物が堆積した被洗浄部材を洗浄処理液に所定時
間接触させて、前記堆積物を化学的に除去する化学洗浄
工程と、 前記化学洗浄工程の後に、前記被洗浄部材に洗浄媒体を
噴射させて、前記堆積物を物理的に除去する物理洗浄工
程とを有することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項１３】 気密な処理室内に少なくともフッ素を
含む処理ガスを導入して被処理基板上の被処理膜をプラ
ズマ処理するプラズマ処理装置において、 前記プラズマ処理による堆積物が堆積した被洗浄部材を
洗浄処理液に所定時間接触させる、前記堆積物の化学的
な除去と、その後に、前記被洗浄部材に洗浄媒体を噴射
させる、前記堆積物の物理的な除去とが施されたことを
特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002073957A JP3958080B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | プラズマ処理装置内の被洗浄部材の洗浄方法 |
| US10/385,571 US6790289B2 (en) | 2002-03-18 | 2003-03-12 | Method of cleaning a plasma processing apparatus |
| CN03119377.3A CN100533673C (zh) | 2002-03-18 | 2003-03-14 | 清洗等离子加工装置的方法 |
| US10/854,181 US20040216769A1 (en) | 2002-03-18 | 2004-05-27 | Method of cleaning a plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002073957A JP3958080B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | プラズマ処理装置内の被洗浄部材の洗浄方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273078A true JP2003273078A (ja) | 2003-09-26 |
| JP2003273078A5 JP2003273078A5 (ja) | 2005-09-08 |
| JP3958080B2 JP3958080B2 (ja) | 2007-08-15 |
Family
ID=28035275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002073957A Expired - Lifetime JP3958080B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | プラズマ処理装置内の被洗浄部材の洗浄方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6790289B2 (ja) |
| JP (1) | JP3958080B2 (ja) |
| CN (1) | CN100533673C (ja) |
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| WO2008121287A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Lam Research Corporation | Methodology for cleaning of surface metal contamination from electrode assemblies |
| KR100883205B1 (ko) | 2007-09-28 | 2009-02-20 | (주)코리아스타텍 | 패턴 공정의 모재 지지용 지그 세정방법과 그 세정장치 |
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|---|---|---|---|---|
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| WO2006076005A1 (en) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Boc, Inc. | System for cleaning a surface using cryogenic aerosol and fluid reactant |
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