JP6545511B2 - 処理装置 - Google Patents

処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6545511B2
JP6545511B2 JP2015080861A JP2015080861A JP6545511B2 JP 6545511 B2 JP6545511 B2 JP 6545511B2 JP 2015080861 A JP2015080861 A JP 2015080861A JP 2015080861 A JP2015080861 A JP 2015080861A JP 6545511 B2 JP6545511 B2 JP 6545511B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
sample
stage
particles
metal film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015080861A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016198854A (ja
Inventor
正宗 鷹野
正宗 鷹野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Devices and Storage Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2015080861A priority Critical patent/JP6545511B2/ja
Priority to CN201510555732.1A priority patent/CN106057703A/zh
Priority to TW104128928A priority patent/TW201637110A/zh
Priority to US14/927,326 priority patent/US10332759B2/en
Publication of JP2016198854A publication Critical patent/JP2016198854A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6545511B2 publication Critical patent/JP6545511B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B24C1/003—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods using material which dissolves or changes phase after the treatment, e.g. ice, CO2
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
    • B24C3/02—Abrasive blasting machines or devices; Plants characterised by the arrangement of the component assemblies with respect to each other
    • B24C3/06—Abrasive blasting machines or devices; Plants characterised by the arrangement of the component assemblies with respect to each other movable; portable
    • B24C3/065—Abrasive blasting machines or devices; Plants characterised by the arrangement of the component assemblies with respect to each other movable; portable with suction means for the abrasive and the waste material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
    • B24C3/18—Abrasive blasting machines or devices; Plants essentially provided with means for moving workpieces into different working positions
    • B24C3/20—Abrasive blasting machines or devices; Plants essentially provided with means for moving workpieces into different working positions the work being supported by turntables
    • B24C3/22—Apparatus using nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
    • B24C3/32—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks
    • B24C3/322—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks for electrical components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明の実施形態は、処理装置に関する。
ウェハ等の半導体基板上に形成された複数の半導体素子は、半導体基板に設けられたダイシング領域に沿ってダイシングすることによって、複数の半導体チップに分割される。半導体基板の一方の面に、半導体素子の電極となる金属膜や、ダイボンディングフィルム等の樹脂膜が形成されている場合、ダイシングの際にダイシング領域の金属膜や樹脂膜も除去する必要がある。
金属膜や樹脂膜を除去する方法として、例えば、半導体基板と、金属膜又は樹脂膜を同時にブレードダイシングにより除去する方法がある。この場合、金属膜又は樹脂膜に突起（バリ）等の形状異常が生じやすい。金属膜や樹脂膜の形状異常が生ずると、半導体チップの外観検査不良と判定されたり、ベッドと半導体チップの接合不良が生じたりすることで製品歩留りが低下するため問題となる。
特開２００８−１４１１３５号公報
本発明が解決しようとする課題は、金属膜又は樹脂膜を処理する際の形状異常の抑制を可能にする処理装置を提供することにある。
実施形態の処理装置は、試料を載置可能なステージと、前記ステージを回転させる回転機構と、前記試料に、前記試料に意図的に形成された金属膜又は樹脂膜を除去可能な二酸化炭素を含有する粒子を含む気体を噴射する第１のノズルと、前記試料に対し前記第１のノズルと同じ側に設けられ、前記粒子の噴射の前に前記試料の回転中心に水を供給し、前記試料の表面全面に水の被膜を形成する第２のノズルと、を備え、前記第１のノズルから噴射される前記粒子を含む前記気体の勢いにより、前記水の被膜に間隙を形成し、前記金属膜又は前記樹脂膜を露出させる。
第１の実施形態の処理装置の模式図。 第１の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。 第１の実施形態の処理装置の作用の説明図。 第２の実施形態の処理装置の模式図。 第３の実施形態の処理装置の模式図。 第３の実施形態の変形例の処理装置の模式図。 第４の実施形態の処理装置の模式図。 第５の実施形態の処理装置の模式図。 第６の実施形態の処理装置の模式図。 第７の実施形態の処理装置の模式図。 第８の実施形態の処理装置の模式図。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。
（第１の実施形態）
本実施形態の処理装置は、試料を載置可能なステージと、ステージを回転させる回転機構と、試料に物質を噴射する第１のノズルと、試料の回転中心に液体を供給する第２のノズルと、を備える。そして、ステージと第１のノズルをステージの回転軸に垂直な方向に相対移動させる移動機構と、移動機構を制御する制御部と、を更に備える。
本実施形態の処理装置は、例えば、半導体基板のダイシングに用いられる半導体製造装置である。例えば、半導体基板の一方の面に設けられ、半導体素子の電極等となる金属膜をダイシング時に除去する場合に用いられる。
また、本実施形態では、金属膜に噴射する物質が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。なお、二酸化炭素を含有する粒子（以下、単に二酸化炭素粒子とも記述する）とは、二酸化炭素を主成分とする粒子である。二酸化炭素に加え、例えば、不可避的な不純物が含有されていても構わない。
図１は、本実施形態の処理装置の模式図である。図１（ａ）は、装置の断面構造を含む模式図、図１（ｂ）はステージ部分の上面図である。
本実施形態の半導体製造装置は、ステージ１０、支持軸１２、回転機構１４、第１のノズル１６、移動機構（第１の移動機構）１８、制御部２０、処理室２２、第２のノズル２６を備える。
ステージ１０は、処理する試料Ｗを載置可能に構成されている。ステージ１０は、例えば、ダイシングフレームに固定されたダイシングシートに接着された半導体ウェハを載置する。
ステージ１０は、支持軸１２に固定される。回転機構１４は、ステージ１０を回転させる。回転機構１４は、例えば、モータと、支持軸１２を回転可能に保持するベアリングを備える。回転機構１４により、ステージ１０は、回転軸Ｃを中心に回転する。
第１のノズル１６からは、金属膜を除去する二酸化炭素粒子が噴射される。二酸化炭素粒子が噴射して金属膜を除去することにより、例えば、試料Ｗが分離される。二酸化炭素粒子は、固体状態の二酸化炭素である。二酸化炭素粒子は、いわゆるドライアイスである。二酸化炭素粒子の形状は、例えば、ペレット状、粉末状、球状、又は、不定形状である。
第１のノズル１６は、例えば、図示しない液化炭酸ガスのボンベに接続される。ボンベ内の液化炭酸ガスを断熱膨張により固体化して、二酸化炭素粒子が生成される。第１のノズル１６は、例えば、図示しない窒素ガス又は圧縮空気の供給源に接続される。生成された二酸化炭素粒子を、例えば、窒素ガス又は圧縮空気と共にステージ１０に載置された試料Ｗに向けて第１のノズル１６から噴射する。
第１のノズル１６の径は、例えば、φ１ｍｍ以上φ３ｍｍ以下である。また、第１のノズル１６と試料Ｗの表面との距離は、例えば、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定される。
第１のノズル１６の二酸化炭素粒子の噴射方向は、例えば、ステージ１０の表面に対し略垂直である。
移動機構１８は、図１に矢印で示すように、ステージ１０と第１のノズル１６をステージ１０の回転軸Ｃに垂直な方向に直線的に相対移動させる。例えば、ステージ１０の回転軸Ｃと試料Ｗの端部との間を繰り返し走査するように第１のノズル１６を移動させる。図１では、移動機構１８によりステージ１０ではなく、第１のノズル１６を移動させる場合を示す。
移動機構１８は、第１のノズル１６をステージ１０に対して直線的に往復移動できる機構であれば、特に限定されるものではない。例えば、ベルト、プーリ、及びプーリを回転させるモータを組み合わせたベルト駆動シャトル機構を用いる。また、例えば、ラックピニオン機構とモータとの組み合わせを用いる。また、例えば、リニアモータを用いる。
なお、移動機構１８は、第１のノズル１６ではなく、固定された第１のノズル１６に対し、ステージ１０を移動させる機構であっても構わない。
制御部２０は、移動機構１８を制御する。例えば、ステージ１０に対する第１のノズル１６の走査範囲、ステージ１０に対する第１のノズル１６の相対速度等を所望の値に制御する。制御部２０は、例えば、回路基板等のハードウェアであっても、ハードウェアとメモリに記憶される制御プログラム等のソフトウェアとの組み合わせであっても構わない。制御部２０は、回転機構１４と同期させて移動機構１８を制御する構成であっても構わない。また、例えば、制御部２０は、ステージ１０と第１のノズル１６をステージ１０の表面と平行方向に相対移動させる。
第２のノズル２６は、液体を試料Ｗの少なくとも回転中心を含む領域に供給する。液体は、例えば、水である。水を回転する試料Ｗの回転中心に供給することで、試料Ｗの表面全面に水の被膜が形成される。
筐体２２は、ステージ１０、第１のノズル１６、移動機構１８、第２のノズル２６等を内蔵する。筐体２２は、ステージ１０、第１のノズル１６、移動機構１８、第２のノズル２６等を保護するとともに、試料Ｗへの処理が外部環境からの影響を受けることを防止する。
次に、本実施形態の半導体製造装置を用いた半導体デバイスの製造方法の一例を示す。以下、製造する半導体デバイスが、半導体デバイスの両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である場合を例に説明する。
図２は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（半導体基板）３０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、最上層に保護膜を形成する。保護膜は、例えば、ポリイミド等の樹脂膜、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の無機絶縁膜である。表面側に設けられたダイシング領域の表面には、シリコン基板３０が露出していることが望ましい。
次に、シリコン基板３０の表面側に支持基板３２を貼りあわせる（図２（ａ））。支持基板３２は、例えば、石英ガラスである。
次に、シリコン基板３０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板３０を薄膜化する。その後、シリコン基板３０の裏面側に金属膜３４を形成する（図２（ｂ））。
金属膜３４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜３４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜３４は、例えば、シリコン基板３０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜３４は、例えば、スパッタ法により形成される。
次に、シリコン基板３０の裏面側に樹脂シート３６を貼りつける。樹脂シート３６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート３６は、例えば、金属のフレーム３８に固定されている。樹脂シート３６は、金属膜３４の表面に接着される。その後、シリコン基板３０から支持基板３２を剥離する（図２（ｃ））。
次に、シリコン基板３０の表面側に設けられたダイシング領域に沿って、表面側から裏面側の金属膜３４が露出するようにシリコン基板３０に溝４０を形成する（図２（ｄ））。ここで、ダイシング領域とは、半導体チップをダイシングにより分割するための所定の幅を備える予定領域であり、シリコン基板３０の表面側に設けられる。ダイシング領域には、半導体素子のパターンは形成されない。ダイシング領域は、例えば、シリコン基板３０表面側に、格子状に設けられる。
溝４０は、例えば、プラズマエッチングにより形成する。プロズマエッチングは、例えば、Ｆ系ラジカルを用いた等方性エッチングステップ、ＣＦ４系ラジカル用いた保護膜形成ステップ、Ｆ系イオンを用いた異方性エッチングを繰り返す、いわゆるボッシュプロセスである。
溝４０は、シリコン基板３０の表面側の保護膜をマスクに、全面エッチングにより形成することが望ましい。この方法によれば、リソグラフィーを用いないため、製造工程の簡略化及び低コスト化が可能である。
次に、シリコン基板３０の表面側に樹脂シート４２を貼りつける。樹脂シート４２は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート４２は、例えば、金属のフレーム４４に固定されている。樹脂シート４２は、表面側の保護膜や金属電極の表面に接着される。その後、裏面側の樹脂シート３６を剥離する（図２（ｅ））。
次に、図１の半導体製造装置を用いて、シリコン基板３０の裏面側から金属膜３４に二酸化炭素粒子を吹き付ける（図２（ｆ））。まず、樹脂シート４２がステージ１０（図１）の表面にくるように、フレーム４４をステージ１０上に載置する。そして、回転駆動機構１４によりステージ１０を回転させる。
第２のノズル２６から、水を試料Ｗの回転中心に供給する。水を回転する試料Ｗの回転中心に供給することで、試料Ｗの表面全面に水の被膜が形成される。次に、第１のノズル１６を移動機構１８により、ステージ１０の回転軸に垂直な方向に直線往復運動させながら、第１のノズル１６から二酸化炭素粒子を噴射する。
二酸化炭素粒子を吹き付けることにより、溝４０の裏面側の金属膜３４を除去する。この際、第１のノズル１６から噴射される二酸化炭素粒子を含む気体の勢いにより、試料Ｗの表面の水の被膜に間隙が形成され、金属膜３４の除去が可能となる。間隙を安定して形成する観点から、第１のノズル１６の二酸化炭素粒子の噴射方向は、ステージ１０の表面に対し略垂直であることが望ましい。
金属膜３４が除去されることで、シリコン基板３０が複数のＭＯＳＦＥＴに分離される。金属膜３４は二酸化炭素粒子により溝４０内に削ぎ落とされることで除去される（図２（ｇ））。
二酸化炭素粒子は、固体状態の二酸化炭素である。二酸化炭素粒子は、いわゆるドライアイスである。二酸化炭素粒子の形状は、例えば、ペレット状、粉末状、球状、又は、不定形状である。
二酸化炭素粒子は、窒素ガス又は圧縮空気とともにノズルから噴射され、金属膜３４に吹き付けられる。二酸化炭素粒子の平均粒径が１０μｍ以上２００μｍ以下であることが望ましい。また、二酸化炭素粒子が金属膜３４に吹き付けられる際の金属膜３４表面でのスポット径は、例えば、φ３ｍｍ以上φ１０ｍｍ以下であることが望ましい。
二酸化炭素粒子を吹き付けて、金属膜３４を除去する際に、図２（ｆ）に示すように、樹脂シート４２の領域をマスク４６で覆うことが望ましい。樹脂シート４２の領域をマスク４６で覆うことで、例えば、樹脂シート４２が、二酸化炭素粒子による衝撃でフレーム４４から剥がれることを抑制できる。マスク４６は、例えば、金属である。
その後、シリコン基板３０の表面側の樹脂シート４２を剥離することにより、分割された複数のＭＯＳＦＥＴが得られる。
以下、本実施形態の処理装置の作用及び効果について説明する。
縦型のＭＯＳＦＥＴのように、シリコン基板３０の裏面側にも金属膜３４が形成される場合、ダイシングの際にダイシング領域の裏面側の金属膜３４も除去する必要がある。例えば、ブレードダイシングにより半導体基板３０と、金属膜３４とを表面側から同時に除去する場合、ダイシング領域の溝４０端部の金属膜３４が裏面側に捲れあがり、いわゆるバリが発生する。
金属膜３４のバリが発生すると、例えば、半導体チップが外観検査不良となり製品化できない恐れがある。また、例えば、半導体チップとベッドとをはんだ等の接合材により接合する際に、バリの部分で密着性が悪くなることで、接合不良が生じる恐れがある。
本実施形態の半導体製造装置を用いたダイシングでは、シリコン基板３０のダイシング領域に沿って溝４０を形成した後、金属膜３４に裏面側から二酸化炭素粒子を吹き付け、溝部４０内に跨っている部分の金属膜３４を除去する。除去された金属膜３４は、溝部４０に削ぎ落とされるため、バリの発生が抑制される。また、溝部４０の金属膜３４のみを自己整合的に除去することが可能である。
溝部４０に跨っている部分の金属膜３４の除去は、主に二酸化炭素粒子の物理的衝撃により生じているものと考えられる。加えて、金属膜３４が低温の二酸化炭素粒子により急冷されること、及び、金属膜３４に衝突した二酸化炭素が気化膨張する力が加わることにより、物理衝撃による金属膜３４の除去効果を促進するものと考えられる。
さらに、本実施形態の半導体製造装置では、回転するステージ１０上の試料に二酸化炭素粒子を噴射する。したがって、固定されたステージ上の試料に二酸化炭素粒子を噴射する場合に比べて、試料表面にむらなく二酸化炭素粒子を噴射することが可能となる。したがって、金属膜３４を均一性良く除去することが可能となる。
また、回転する試料に二酸化炭素粒子を噴射するため、二酸化炭素粒子の衝突速度に試料の速度が加算される。したがって、二酸化炭素粒子が金属膜３４に衝突する際の速度が大きくなる。よって、金属膜３４を効率良く除去することが可能となる。
図３は、本実施形態の作用の説明図である。試料Ｗの、二酸化炭素粒子が噴射されている領域の拡大模式図である。
第２のノズル２６から水が試料Ｗの回転中心に供給されることにより、試料Ｗの表面全面に水の被膜６０が形成される。第１のノズル１６から噴射される二酸化炭素粒子を含む気体の勢いにより、試料Ｗの表面の水の被膜６０に間隙６２が形成される。
間隙６２では、試料Ｗ表面の金属膜が露出し、二酸化炭素粒子が金属膜に衝突することで、金属膜が除去される。この際、試料Ｗ表面からパーティクル６４が飛散する恐れがある。パーティクル６４は、例えば、除去された金属膜の破片である。また、パーティクル６４は、例えば、金属膜表面に付着していた異物である。
飛散したパーティクル６４が、試料Ｗ表面に落下して付着したり、ダイシングの溝内に入り込み残渣となったりする恐れがある。そうすると、例えば、半導体チップとベッドとをはんだ等の接合材により接合する際に、パーティクル６４が存在する部分でボイド等が生じ、接合不良が生じる恐れがある。
本実施形態によれば、飛散したパーティクル６４は、試料Ｗの表面の水の被膜６０上に付着する。したがって、パーティクル６４は、試料Ｗの回転によりステージ１０外周に向けて流れる水と共に除去される。このため、パーティクル６４が試料Ｗの表面に直接付着することが防止される。よって、接合不良が生じることを抑制できる。
以上、本実施形態の処理装置によれば、ダイシングの際の金属膜の形状異常の抑制が可能になる。また、ダイシングの際の金属膜の除去を均一且つ効率良く行うことが可能となる。更に、パーティクルの付着が防止され、接合不良が生じることを抑制できる。
なお、シリコン基板３０の裏面側に金属膜にかえて、樹脂膜を備える半導体デバイスを製造する場合にも、本実施形態の半導体製造装置を用いることが可能である。この場合には、二酸化炭素粒子を吹き付けることにより、金属膜にかえて樹脂膜を除去する。
（第２の実施形態）
本実施形態の処理装置は、ステージを囲む整流板と、ステージと整流板との間に気流を生成する吸引機構と、を更に備えること以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図４は、本実施形態の処理装置の模式図である。図４は、装置の断面構造を含む模式図である。
本実施形態の半導体製造装置は、吸気口４８、排気口５０、整流板５２、吸引ポンプ５４を備える。
吸気口４８と排気口５０は、筐体２２に設けられる。吸気口４８は、例えば、筐体２２の上部に設けられ、排気口５０は、例えば、筐体２２の下部に設けられる。
吸引ポンプ５４は排気口５０に接続される。吸引ポンプ５４は、例えば、真空ポンプである。排気口５０と吸引ポンプ５４は、吸引機構の一例である。
整流板５２は、ステージ１０を囲んで設けられる。整流板５２は、例えば、上端がステージ１０の上面に覆いかぶさるように設けられる。整流板５２は、例えば、金属又は樹脂で形成される。
空気や窒素ガス等の気体が、吸気口４８から筐体２２内に供給され、吸気ポンプ５４で吸引されることにより、排気口５０から排出される。気体は、筐体２２内を上部から下部へ向かって流れる。筐体２２内にいわゆるダウンフローを形成できる。
更に、図４中に点線矢印で示すように、ステージ１０と整流板５２との間に、筐体２２の上部から下部へ向かって流れる気流が形成される。したがって、試料Ｗ表面の金属膜を除去する際に飛散するパーティクル、或いは、パーティクルを含むミストを、効果的に試料Ｗ上面の空間から排除できる。よって、パーティクルの試料Ｗ表面への付着が一層抑制される。
本実施形態によれば、二酸化炭素粒子により金属膜を除去する際に生じるパーティクル、或いは、パーティクルを含むミストが、筐体２２内の気体の流れで排気口５０から排出される。したがって、除去された金属膜が試料Ｗに付着することを抑制できる。よって、更に、接合不良が生じることを抑制できる。
（第３の実施形態）
本実施形態の処理装置は、試料に気体を噴射する第３のノズルを、更に備えること以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図５は、本実施形態の処理装置の模式図である。図５（ａ）は、装置の断面構造を含む模式図、図５（ｂ）は第１及び第３のノズルの模式断面図である。
本実施形態の半導体製造装置は、第３のノズル２８を備える。第３のノズル２８は、試料Ｗの表面に気体を噴射する。気体は、例えば、空気又は窒素ガスである。
第３のノズル２８は、例えば、第１のノズル１６の外周に設けられる。第３のノズル２８を設け、試料Ｗの表面に気体を噴射することにより、試料Ｗの表面の水の被膜に間隙を形成することが促進される。
（変形例）
図６は、本実施形態の半導体製造装置の変形例の模式図である。図６は、本変形例のステージ部分の上面図である。第３のノズル２８は、第１のノズル１６と分離して設けられる点で実施形態と異なる。
第３のノズル２８は、第１のノズル１６に対し、ステージ１０の回転方向とは逆方向の位置に設けられることが望ましい。本変形例においても、試料Ｗの表面の水の被膜に間隙を形成することが促進される。
（第４の実施形態）
本実施形態の処理装置は、試料に液体を供給する第４のノズルを、更に備えること以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図７は、本実施形態の半導体製造装置の模式図である。図７は、本実施形態のステージ部分の上面図である。
本実施形態の処理装置は、液体を試料Ｗの回転中心に供給する第２のノズル２６に加えて、試料Ｗに液体を供給する第４のノズル２９を、更に備える。液体は、例えば、水である。
第４のノズル２９から、水を試料Ｗの表面に供給することで、金属膜の二酸化炭素粒子による除去後に、試料Ｗの表面の水の被膜に生じた間隙が閉ざされるまでの時間を短縮することが可能となる。したがって、パーティクルが、間隙の部分で露出している試料Ｗ表面に付着することが抑制される。
第４のノズル２９は、間隙が閉ざされるまでの時間を短縮する観点から、第１のノズル１６に対し、ステージ１０の回転方向の位置に設けられることが望ましい。
（第５の実施形態）
本実施形態の処理装置は、第１のノズルのステージの表面に対する傾斜角を変化させる傾斜機構を、更に備える以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図８は、本実施形態の処理装置の模式図である。図８（ａ）は、装置の断面構造を含む模式図、図８（ｂ）は、図８（ａ）に垂直な方向の断面構造を含む模式図である。
本実施形態の半導体製造装置は、傾斜機構２４を備える。傾斜機構２４は、第１のノズル１６のステージ１０の表面に対する傾斜角を変化させる。傾斜機構２４の傾斜角は、例えば、制御部２０により制御される。
傾斜機構２４は、例えば、回転軸とステッピングモータを組み合わせた回転傾斜機構である。第１のノズル１６の傾斜角が、回転する試料Ｗ表面への二酸化炭素粒子の衝突速度が、傾斜角が９０度の場合に比較して、増大する方向に制御されることが望ましい。具体的には、噴出する二酸化炭素粒子の試料Ｗ表面における向きが、試料Ｗ表面の回転移動の向きと逆向きになるよう第１のノズル１６の傾斜角を設定することが望ましい。
本実施形態の半導体製造装置を用いた製造方法では、第１のノズル１６のステージ１０の表面に対する傾斜角を９０度未満にした状態、例えば、１５度以上４５度以下の状態で、試料Ｗに二酸化炭素粒子を吹き付ける。
本実施形態によれば、二酸化炭素粒子の噴射が、試料Ｗ表面に対し、水平方向成分を備える。このため、二酸化炭素粒子により除去された金属膜や樹脂膜が、ダイシングの溝内に入り込みにくくなる。したがって、除去された金属膜や樹脂膜が溝内の残渣となることを抑制できる。また、二酸化炭素粒子の試料Ｗへの衝突速度を増大させることができるため、更に、金属膜３４を効率良く除去することが可能となる。また、傾斜角を所望の値に設定することが可能となり、試料Ｗに応じた最適な処理条件を設定できる。
なお、第１のノズル１６がステージ１０の表面に対し、９０度未満の傾斜角を有するよう固定された構成とすることも可能である。この構成によっても、二酸化炭素粒子により除去された金属膜や樹脂膜が、ダイシングの溝内に入り込み残渣となることを抑制できる。また、二酸化炭素粒子の試料Ｗへの衝突速度を増大させることができるため、更に、金属膜を効率良く除去することが可能となる。
（第６の実施形態）
本実施形態の処理装置は、ステージと第２のノズルをステージの回転軸に垂直な方向に相対移動させる移動機構を、更に備えること以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図９は、本実施形態の処理装置の模式図である。図９（ａ）は、装置の断面構造を含む模式図、図９（ｂ）はステージ部分の上面図である。
本実施形態の半導体製造装置は、移動機構（第２の移動機構）６２を備える。
移動機構６２は、第２のノズル２６をステージ１０に対して直線的に往復移動できる機構であれば、特に限定されるものではない。例えば、ベルト、プーリ、及びプーリを回転させるモータを組み合わせたベルト駆動シャトル機構を用いる。また、例えば、ラックピニオン機構とモータとの組み合わせを用いる。また、例えば、リニアモータを用いる。
移動機構６２は、例えば、制御部２０により制御される。制御部２０は、例えば、ステージ１０に対する第２のノズル２６の走査範囲、ステージ１０に対する第２のノズル２６の相対速度等を所望の値に制御する。
第２のノズル２６を移動させることにより、試料Ｗの表面に、水の被膜を均一に形成することが可能となる。
（第７の実施形態）
本実施形態の処理装置は、第１のノズルを複数備える以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図１０は、本実施形態の処理装置の模式図である。図１０は、装置の断面構造を含む模式図である。
図１０に示すように、本実施形態の半導体製造装置は、３本の第１のノズル１６を備えている。第１のノズル１６は２本以上であれば、３本に限られるものではない。
本実施形態によれば、複数の第１のノズル１６を備えることにより、処理の生産性を向上させることが可能となる。
（第８の実施形態）
本実施形態の処理装置は、第１のノズルの物質の噴射方向がステージの外周部に向かう方向に傾斜する以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図１１は、本実施形態の処理装置の模式図である。図１１は、装置の断面構造を含む模式図である。
図１１に示すように、本実施形態の半導体製造装置は、第１のノズル１６の物質の噴射方向がステージ１０の外周部に向かう方向に傾斜する。
本実施形態によれば、試料Ｗ表面から飛散するパーティクルやパーティクルを含むミストを、効果的に試料Ｗ上面の空間から排除できる。よって、パーティクルの試料Ｗ表面への付着が一層抑制される。
以上、実施形態では、半導体素子が、縦型のＭＯＳＦＥＴである場合を例に説明したが、半導体素子は縦型のＭＯＳＦＥＴに限定されるものではない。
また、実施形態では、ダイシングの際の金属膜又は樹脂膜の除去を例に説明したが、実施形態の処理装置を、例えば、半導体基板表面の洗浄に適用することも可能である。
また、実施形態では、噴射する物質が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明したが、噴射する物質は、例えば、加圧された水、砥粒を含む加圧された水、二酸化炭素粒子以外の粒子等、その他の物質であってもかまわない。例えば、ノズルからの噴射時には固体で、常温等の基板が置かれた雰囲気中では気化するその他の粒子を適用することも可能である。例えば、窒素粒子やアルゴン粒子を適用することも可能である。
また、実施形態では、半導体製造装置を例に説明したが、本発明をＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）製造装置に適用することも可能である。
また、実施形態では、ノズルが試料の一部の領域に物質を噴射し、ステージとノズルとを相対移動させることで試料の全域を処理する場合を例に説明した。しかしながら、例えば、試料全域にノズルから物質を同時に噴射可能に構成し、試料全域を一括して処理することもできる。例えば、ノズル径を試料のサイズと同等以上としたり、多数のノズルを組み合わせたりすることで、試料全域を一括して処理するノズルが構成できる。
本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換え又は変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０ ステージ
１４ 回転機構
１６ 第１のノズル
１８ 移動機構（第１の移動機構）
２０ 制御部
２２ 筐体
２６ 第２のノズル
２８ 第３のノズル
４８ 吸気口
５０ 排気口
５２ 整流板

Claims (6)

  1. 試料を載置可能なステージと、
    前記ステージを回転させる回転機構と、
    前記試料に、前記試料に意図的に形成された金属膜又は樹脂膜を除去可能な二酸化炭素を含有する粒子を含む気体を噴射する第１のノズルと、
    前記試料に対し前記第１のノズルと同じ側に設けられ、前記粒子の噴射の前に前記試料の回転中心に水を供給し、前記試料の表面全面に水の被膜を形成する第２のノズルと、
    を備え、
    前記第１のノズルから噴射される前記粒子を含む前記気体の勢いにより、前記水の被膜に間隙を形成し、前記金属膜又は前記樹脂膜を露出させる処理装置。
  2. 前記ステージと前記第１のノズルを前記ステージの回転軸に垂直な方向に相対移動させる移動機構と、
    前記移動機構を制御する制御部と、
    を更に備える請求項１記載の処理装置。
  3. 前記ステージを囲む整流板と、
    前記ステージと前記整流板との間に気流を生成する吸引機構と、
    を更に備える請求項１又は請求項２記載の処理装置。
  4. 前記試料に対し前記第１のノズルと同じ側に設けられ、前記粒子を含む前記気体の噴射と同時に前記試料に気体を噴射する第３のノズルを、更に備える請求項１乃至請求項３いずれか一項記載の処理装置。
  5. 前記第１のノズルの前記粒子を含む前記気体の噴射方向が前記ステージの表面に対し、略垂直である請求項１乃至請求項４いずれか一項記載の処理装置。
  6. 前記粒子の平均粒径が１０μｍ以上２００μｍ以下であり、前記粒子を含む前記気体が前記金属膜又は前記樹脂膜に吹き付けられる際の前記金属膜の表面又は前記樹脂膜の表面でのスポット径がφ３ｍｍ以上φ１０ｍｍ以下である請求項１乃至請求項５いずれか一項記載の処理装置。
JP2015080861A 2015-04-10 2015-04-10 処理装置 Active JP6545511B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015080861A JP6545511B2 (ja) 2015-04-10 2015-04-10 処理装置
CN201510555732.1A CN106057703A (zh) 2015-04-10 2015-09-02 处理装置
TW104128928A TW201637110A (zh) 2015-04-10 2015-09-02 處理裝置
US14/927,326 US10332759B2 (en) 2015-04-10 2015-10-29 Processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015080861A JP6545511B2 (ja) 2015-04-10 2015-04-10 処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016198854A JP2016198854A (ja) 2016-12-01
JP6545511B2 true JP6545511B2 (ja) 2019-07-17

Family

ID=57112831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015080861A Active JP6545511B2 (ja) 2015-04-10 2015-04-10 処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10332759B2 (ja)
JP (1) JP6545511B2 (ja)
CN (1) CN106057703A (ja)
TW (1) TW201637110A (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10395930B2 (en) * 2016-12-30 2019-08-27 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
US10751902B2 (en) * 2017-11-28 2020-08-25 John Bean Technologies Corporation Portioner mist management assembly
JP7169061B2 (ja) * 2017-11-29 2022-11-10 株式会社ディスコ 切削方法
CN112222096B (zh) * 2019-07-15 2023-10-10 长鑫存储技术有限公司 清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5215269B2 (ja) 1972-01-14 1977-04-27
JPS5215269A (en) * 1975-07-26 1977-02-04 Fuji Electric Co Ltd Method of manufacturing semiconductor pellets
GB2264659B (en) * 1992-02-29 1995-05-24 Rolls Royce Plc Abrasive fluid jet machining
US5364474A (en) * 1993-07-23 1994-11-15 Williford Jr John F Method for removing particulate matter
US5931721A (en) 1994-11-07 1999-08-03 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Aerosol surface processing
US5709587A (en) * 1996-03-25 1998-01-20 Kennametal Inc. Method and apparatus for honing an elongate rotary tool
JP3636835B2 (ja) 1996-08-07 2005-04-06 ローム株式会社 基板分割方法およびその基板分割を用いた発光素子製造方法
TW357406B (en) * 1996-10-07 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning and drying a substrate
US6247479B1 (en) * 1997-05-27 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Washing/drying process apparatus and washing/drying process method
JPH1140520A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
US6012968A (en) * 1998-07-31 2000-01-11 International Business Machines Corporation Apparatus for and method of conditioning chemical mechanical polishing pad during workpiece polishing cycle
JP2000058546A (ja) * 1998-08-06 2000-02-25 Sony Corp リフトオフ方法及び有機膜除去装置
JP2000117201A (ja) * 1998-10-12 2000-04-25 Sony Corp 洗浄装置及び洗浄方法
ATE196747T1 (de) * 1999-04-06 2000-10-15 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Einrichtung zum austrag von zwei oder mehreren medien mit mediendüsen
JP2001044143A (ja) * 1999-07-30 2001-02-16 Sony Corp 基体の切断方法及び半導体装置の製造方法
US6419566B1 (en) 2000-02-11 2002-07-16 International Business Machines Corporation System for cleaning contamination from magnetic recording media rows
US7121925B2 (en) 2000-03-31 2006-10-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for dicing semiconductor wafer into chips
US6565920B1 (en) 2000-06-08 2003-05-20 Honeywell International Inc. Edge bead removal for spin-on materials containing low volatility solvents fusing carbon dioxide cleaning
US6500758B1 (en) 2000-09-12 2002-12-31 Eco-Snow Systems, Inc. Method for selective metal film layer removal using carbon dioxide jet spray
KR100701013B1 (ko) 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
JP3958080B2 (ja) * 2002-03-18 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置内の被洗浄部材の洗浄方法
JP2004223542A (ja) 2003-01-21 2004-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法およびレーザー加工装置
US6864458B2 (en) 2003-01-21 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Iced film substrate cleaning
US6972544B2 (en) * 2003-10-14 2005-12-06 Black & Decker Inc. Apparatus for interconnecting battery cells in a battery pack and method thereof
JP4471632B2 (ja) 2003-11-18 2010-06-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US7927429B2 (en) * 2003-11-18 2011-04-19 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and computer readable recording medium
US6960119B1 (en) 2004-05-13 2005-11-01 Texas Instruments Incorporated Method and system for deflashing mold compound
EP1763072A4 (en) * 2004-06-04 2010-02-24 Tokyo Electron Ltd SUBSTRATE PURIFICATION METHOD AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM
JP4464763B2 (ja) * 2004-08-20 2010-05-19 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像方法
JP4324527B2 (ja) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び現像装置
US20070114488A1 (en) 2004-12-13 2007-05-24 Cool Clean Technologies, Inc. Cryogenic fluid composition
JP2006191022A (ja) 2004-12-31 2006-07-20 Kc Tech Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006245022A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TWI267133B (en) 2005-06-03 2006-11-21 Touch Micro System Tech Method of segmenting a wafer
JP2007142277A (ja) 2005-11-21 2007-06-07 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子の製造方法
JP2007250620A (ja) 2006-03-14 2007-09-27 Seiko Epson Corp 基板の割断方法、および電気光学装置の製造方法
JP4862132B2 (ja) 2006-03-27 2012-01-25 株式会社Ｊｖｃケンウッド 半導体レーザ素子の製造方法
JP2008016660A (ja) 2006-07-06 2008-01-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5143498B2 (ja) * 2006-10-06 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体
US20080213978A1 (en) 2007-03-03 2008-09-04 Dynatex Debris management for wafer singulation
JP5011981B2 (ja) 2006-11-30 2012-08-29 富士通株式会社 デバイス素子製造方法およびダイシング方法
JP4867627B2 (ja) * 2006-12-05 2012-02-01 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP5238927B2 (ja) 2007-03-14 2013-07-17 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 半導体装置の製造方法
JP2008264926A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Rix Corp バリ取り洗浄装置およびバリ取り洗浄方法
US8603351B2 (en) 2007-05-25 2013-12-10 Hamamatsu Photonics K.K. Working method for cutting
JP5242242B2 (ja) * 2007-10-17 2013-07-24 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
EP2051285B1 (en) * 2007-10-17 2011-08-24 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus
JP5215269B2 (ja) 2009-09-15 2013-06-19 株式会社クボタ 多気筒ディーゼルエンジン
JP2011230084A (ja) 2010-04-28 2011-11-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレートの洗浄方法
US20120247504A1 (en) 2010-10-01 2012-10-04 Waleed Nasr System and Method for Sub-micron Level Cleaning of Surfaces
WO2012139270A1 (en) * 2011-04-11 2012-10-18 Intel Corporation Face recognition control and social networking
US9827756B2 (en) 2011-04-12 2017-11-28 Tokyo Electron Limited Separation apparatus, separation system, and separation method
US9029242B2 (en) 2011-06-15 2015-05-12 Applied Materials, Inc. Damage isolation by shaped beam delivery in laser scribing process
US8883565B2 (en) 2011-10-04 2014-11-11 Infineon Technologies Ag Separation of semiconductor devices from a wafer carrier
US9099547B2 (en) 2011-10-04 2015-08-04 Infineon Technologies Ag Testing process for semiconductor devices
JP5913955B2 (ja) 2011-12-19 2016-05-11 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
JP5932330B2 (ja) 2011-12-28 2016-06-08 株式会社荏原製作所 液飛散防止カップ及び該カップを備えた基板処理装置
KR20130090209A (ko) * 2012-02-03 2013-08-13 삼성전자주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
US20130217228A1 (en) * 2012-02-21 2013-08-22 Masako Kodera Method for fabricating semiconductor device
US8652940B2 (en) 2012-04-10 2014-02-18 Applied Materials, Inc. Wafer dicing used hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch
KR101336730B1 (ko) 2012-04-13 2013-12-04 주식회사 케이씨텍 기판 건조 장치
JP6001910B2 (ja) 2012-04-17 2016-10-05 株式会社ディスコ 分割方法
JP6048043B2 (ja) 2012-09-28 2016-12-21 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理システム
JP2014090127A (ja) 2012-10-31 2014-05-15 Disco Abrasive Syst Ltd チップ形成方法
JP6093569B2 (ja) 2012-12-28 2017-03-08 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
JP6245811B2 (ja) 2013-02-19 2017-12-13 ローム株式会社 チップ部品およびその製造方法
JP6223839B2 (ja) * 2013-03-15 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体
TWI563560B (en) 2013-07-16 2016-12-21 Screen Holdings Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6221954B2 (ja) * 2013-08-05 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体
US9460966B2 (en) 2013-10-10 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dicing wafers having thick passivation polymer layer
US9627259B2 (en) 2014-11-14 2017-04-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Device manufacturing method and device
KR20160057966A (ko) 2014-11-14 2016-05-24 가부시끼가이샤 도시바 처리 장치, 노즐 및 다이싱 장치
JP6305355B2 (ja) 2015-01-28 2018-04-04 株式会社東芝 デバイスの製造方法
JP6541492B2 (ja) * 2015-07-29 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 液処理方法および液処理装置
JP6552931B2 (ja) * 2015-09-18 2019-07-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201637110A (zh) 2016-10-16
US10332759B2 (en) 2019-06-25
US20160300736A1 (en) 2016-10-13
CN106057703A (zh) 2016-10-26
JP2016198854A (ja) 2016-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201617137A (zh) 處理裝置、噴嘴及切割裝置
JP6545511B2 (ja) 処理装置
JP6305355B2 (ja) デバイスの製造方法
JP4767138B2 (ja) 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法
JP2016134433A (ja) ダイシング装置
JP6677459B2 (ja) 半導体素子の製造方法及び基板処理方法
JP5650896B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN108701639B (zh) 基板吸附台、基板处理装置、基板处理方法
JP6218343B2 (ja) ウェハ研削装置
JP6784546B2 (ja) 基板処理装置
JP2009071272A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2013184189A (ja) レーザー加工装置
JP2016093871A (ja) 処理装置およびノズル
JP4442911B2 (ja) 基板処理装置
JP2009021409A (ja) 凍結処理装置、凍結処理方法および基板処理装置
JP5798828B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2016093870A (ja) 処理装置
JP2012019156A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2015109348A (ja) ウエーハの加工方法
JP2016096265A (ja) デバイスの製造方法
JP6370720B2 (ja) デバイスの製造方法
JP2010003816A (ja) ウェーハ洗浄装置
JP5224876B2 (ja) 基板の処理装置
JP6325421B2 (ja) デバイスの製造方法
JP2010227867A (ja) 樹脂塗布装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170831

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20170914

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20170915

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180626

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180803

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181030

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181211

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190521

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190619

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6545511

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150