JP6218343B2 - ウェハ研削装置 - Google Patents

ウェハ研削装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6218343B2
JP6218343B2 JP2016563763A JP2016563763A JP6218343B2 JP 6218343 B2 JP6218343 B2 JP 6218343B2 JP 2016563763 A JP2016563763 A JP 2016563763A JP 2016563763 A JP2016563763 A JP 2016563763A JP 6218343 B2 JP6218343 B2 JP 6218343B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
grinding wheel
grinding
cooling
point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016563763A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017501899A (ja
Inventor
チャン、ジュン−ヨン
Original Assignee
エスケー シルトロン カンパニー リミテッド
エスケー シルトロン カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エスケー シルトロン カンパニー リミテッド, エスケー シルトロン カンパニー リミテッド filed Critical エスケー シルトロン カンパニー リミテッド
Publication of JP2017501899A publication Critical patent/JP2017501899A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6218343B2 publication Critical patent/JP6218343B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/02Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D13/00Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor
    • B24D13/18Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor with cooling provisions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D7/00Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
    • B24D7/10Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with cooling provisions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Description

本発明は、ウェハ研削装置に関し、より詳しくは、ウェハの表面を研磨する際にウェハの表面に接触する研削ホイールの回転によって生じるウェハの変形を防止できるウェハ研削装置に関する。
一般的に、半導体素子などの電子部品を生産するために使用されるシリコンウェハ(wafer)は、棒状の単結晶シリコンインゴット(ingot)を薄く切断するスライシング工程(slicing)、切断されたウェハの厚さと平坦度を維持するラッピング工程(lapping process)、不純物や欠陥などの除去するエッチング工程(etching)、表面の損傷や平坦度を向上させるポリシング工程(polishing)、及びその後の洗浄工程(cleaning)などの工程段階を経て製造される。
他にも、シリコンウェハを製造する工程のうち、ラッピング工程またはポリシング工程の前段階で、スライシングされたシリコンウェハの表面を研削してシリコンウェハの厚さと平坦度を制御する研削工程(grinding)がさらに行われる。
このような研削工程は、半導体デバイスが高集積化するにつれて求められる高い平坦度を満たすために追加される工程である。即ち、ウェハの平坦度とは、ウェハの厚さの最大値と最小値の差を示すTTV(total thickness variation)と、局所の厚さの差を示すLTV(local thickness variation)であるSBIR(site backside ideal range)に定義される。半導体デバイスの線幅が微細化するにつれて、既存のラッピング工程とポリシング工程だけではTTVとSBIRに対する要求を満たすことができる高品質ウェハの開発が難しいため、ウェハの平坦度を満たすことができる研削工程がさらに行われる。
図1は、研削工程で使用されるシリコンウェハ研削装置を説明するための図である。図示したように、従来のウェハ研削装置は、スピンドル10と、スピンドル10の下部に付着して回転する研削ホイール11と、ウェハが吸着されるチャックテーブル(chuck table)15と、で構成される。
ウェハWがチャックテーブル15にローディングされると、チャックテーブル15は、真空圧を利用して移送されたウェハWを吸着し、吸着されたウェハWを一定速度で回転させる。そして、前記チャックテーブル15の上部に所定間隔で離隔するように設置されたスピンドル10が、回転しながら下降してウェハと接触した後に、ウェハの研磨が行われる。
研削ホイール11は、回転する研削本体12と、研削本体12の下部縁に配置された研削砥石13と、で構成される。従来の研削ホイール11は、ダイヤモンド材質からなる多数個の研削砥石13が、一定間隔で接着剤により接着されて突出形成される。したがって、従来の研削ホイール11は、チャックテーブル15にシリコンウェハが固定されると、スピンドル10が高速で回転し、研削砥石13がウェハの表面で回転して研削することになる。
しかし、このような研削ホイール11によるウェハの研磨時、研削ホイール11とウェハWには回転による高熱が発生して研削ホイール11に蓄積されることにより、研磨時に加工負荷(Load)が上昇し、ウェハのバーニング(burning)などの問題が発生することになる。
また、研磨時に発生した研磨副産物が、研削砥石13の加工表面に存在する微細ホールに付着して研削砥石13の研磨力を低下させる、いわゆる目詰まり現象が発生する。そして、結果的にウェハを目標厚さに研磨するための研磨時間が長くなる。これは、ウェハの製造歩留まりを低下させるだけではなく、ウェハの平坦度及びナノ品質を悪化させる原因となる。
本発明は、上述した問題点を解決するためのものであって、ウェハの表面を研削する際に研削ホイールの回転によって発生する熱を効果的に冷却させることで、ウェハに加わる衝撃または熱を防止できるウェハ研削装置を提供することを目的とする。
本発明は、ウェハの表面を研削する際に研削ホイールに蓄積される研磨副産物を、効果的にウェハの外部に排出することで、研削ホイールの加工表面の研磨力を一定に維持することができるウェハ研削装置を提供することを目的とする。
本発明の実施例は、ウェハがローディングされると、ウェハを吸着して、前記吸着されたウェハを一定速度で回転させるチャックテーブルと、前記チャックテーブルの上部に所定間隔離隔して配置され、回転及び下降して前記チャックテーブルに吸着されたウェハを研削するスピンドルと、を含み、前記スピンドルは、所定の速度で回転しながら前記ウェハに接触するように一定距離下降させる駆動ユニットと、前記駆動ユニットの下端に形成され、ウェハを所定の厚さ研削する研削ホイールとを備え、前記研削ホイールは、研削本体と、前記研削本体下部の円周に沿ってセグメント状に形成された研削砥石とを備え、前記研削砥石が回転することにより前記ウェハを離脱する地点から前記ウェハと再接触する地点の間には、前記研削砥石の回転経路に沿って冷却ユニットが設けられる。
前記冷却ユニットは、回転する研削砥石に対して冷却水または冷却気体を噴射して前記研削ホイールの温度を減少させることを特徴とする。
前記冷却ユニットは、前記研削ホイールの回転方向に沿って前記研削砥石が前記ウェハを離脱する地点から前記研削ホイールの中心を基準に120度の円弧の領域に形成される。
前記冷却ユニットは、前記研削ホイールの中心を基準に前記研削砥石の曲率と一致する円弧状に形成された本体部と、前記本体部の内部に前記研削砥石が通過するための通路を提供する溝部とからなる。
前記溝部の下面及び側面には、回転する研削砥石の側面に対して冷却水または冷却気体を噴射する複数個の側面噴射ホールと、回転する研削砥石の下面に対して冷却水または冷却気体を噴射する複数個の下面噴射ホールとが形成される。
また、前記冷却ユニットとウェハとの間には、前記研削砥石に噴射された冷却水を乾燥させるための乾燥ユニットが設けられる。
本発明の実施例によれば、ウェハに対する研削をするとき、回転する研削ホイールがウェハを離脱すると同時に冷却ユニットの内部を通過することで、研削ホイールの温度を一定レベルに維持させてウェハに変形が生じることを防止することができる。
また、前記冷却ユニットを通過した研削ホイールに付着した研磨副産物が、回転力によって冷却水と共に離脱することで、研削ホイールの研磨力を一定に維持することができ、ウェハの研磨の品質を向上させることができる。
従来のウェハ研削装置を示した斜視図である。 実施例に係るウェハ研削装置を示した斜視図である。 実施例に係る図3のウェハ研削装置を上からみた平面図である。 図3のA−A’に沿って切断された断面を示した図である。 実施例に係るウェハ研削装置を示した平面図である。 従来のウェハ研削装置によるウェハのTTVを示したグラフである。 実施例に係るウェハのTTVを示したグラフである。
以下では、本実施例について添付された図面を参照して詳しく説明する。但し、本実施例が開示する事項により本実施例が有する発明の思想の範囲を限定する意図ではなく、本実施例が有する発明の思想は、提案される実施例に対して構成要素の追加、削除、変更などの実施変形を含む。
図2は、実施例に係るウェハ研削装置を示した斜視図である。図2を参照すると、実施例に係るウェハ研削装置は、ウェハがローディングされると、ウェハを吸着して、前記吸着されたウェハを一定速度で回転させるチャックテーブル(Chuck Table)25と、前記チャックテーブル25の上部に所定間隔離隔して配置され、回転及び下降して前記チャックテーブル25に吸着されたウェハWを研削するスピンドル23と、を含む。
前記スピンドル23は、所定の速度で回転しながら前記ウェハに接触するように一定距離下降させる駆動ユニットと、前記駆動ユニットの下端に形成され、ウェハを所定の厚さ研削する研削ホイール20と、を含む。
チャックテーブル25は、ウェハが安着できるようにウェハよりやや広い領域を有する円盤状に形成され、内部の一側には別途の真空ラインが連結されて、安着されたウェハを真空吸着することができる。
前記研削ホイール20は、研削本体21と、前記研削本体21の下部の円周に沿ってセグメント状に形成された研削砥石22と、からなる。前記研削砥石22が回転することにより、前記研削砥石22が前記ウェハを離脱する地点からウェハと再接触する地点の間には、前記研削砥石22を通過させながら冷却水または冷却気体により、研削砥石22の冷却を行う冷却ユニット30が含まれる。
図示したように、冷却ユニット30は、研削ホイール20の回転経路に沿って形成される。具体的には、研削砥石22が回転することにより研削砥石22が通過する経路に沿って形成され、研削砥石22が回転することにより研削砥石22がウェハを離脱する地点からウェハと再接触する地点の間で、研削ホイール20の中心を基準に所定の角度を有する円弧状に形成される。
冷却ユニット30は、研削砥石22の回転経路に設けられ、回転経路に対応し、研削砥石22の曲率と一致する円弧状に形成された本体部31と、前記本体部31の内部に前記研削砥石22が通過できる通路を提供する所定の深さに凹んだ溝部32と、からなる。したがって、スピンドル23の駆動装置により研削ホイール20が下降すると、研削砥石22の一部はウェハと接触し、一部は前記溝部32に挿入される。そして、前記本体部31は、前記研削砥石22と直接接触しないように、一定の距離を維持しながら前記研削砥石22を取り囲むように配置される。
即ち、前記研削ホイール20が回転すると、研削砥石22はウェハへの研磨を行い、ウェハから離脱した研削砥石22は、冷却ユニット30の本体部31に形成された溝部32を通過することになる。
図3は、実施例に係る図3のウェハ研削装置を上からみた平面図である。図3を参照すると、チャックテーブル25に安着されたウェハWは、真空圧によって吸着され、駆動装置により研削ホイール20が下降してウェハの中心を含む領域に接触することになる。吸着されたウェハは、真空圧によって表面が下方に数μmだけ傾いた状態であり、研削ホイール20は、実際にBの領域を研削することになり、チャックテーブル25の回転により扇形に研磨が行われる。
実施例に係るウェハ研削装置に備えられる冷却ユニット30は、研削ホイール20の回転方向沿って、研削ホイール20がウェハを離脱する地点から研削ホイールの中心を基準に所定の角度(θ)を有する円弧に対応する領域に、所定の厚さを有するように形成される。好ましくは、研削ホイール20がウェハを離脱した地点から前記研削ホイールの中心を基準に120度を有する円弧状に冷却ユニット30が形成される。
後述するが、冷却ユニット30では、研削ホイール20を冷却するための冷却水が噴射されるため、冷却ユニット30を通過した研削ホイール20には研磨副産物によって汚染された冷却水が残存することになる。汚染された冷却水が再び研磨されるウェハの接触面に流入しないように、研削ホイール20の回転力によって除去される空間が必要である。したがって、冷却及び洗浄効果を考慮して、冷却ユニット30は上記のように研削砥石がウェハを離脱する地点から研削ホイール20の中心を基準に120度程度に形成されることが好ましい。
図4は、図3のA―A’に沿って切断された断面を示す図である。図4を参照すると、実施例に係るウェハ研削装置は、回転する研削ホイール20に蓄積される熱を下げるために冷却ユニット30を備え、前記冷却ユニット30の構造は、次のようである。
冷却ユニット30は、前述したように研削砥石22の移動経路に対応するように研削砥石22の一部分を取り囲む円弧状からなる本体部31と、前記本体部31の内部に研削砥石22が回転しながら通過できる所定の溝部32が設けられる。
そして、前記溝部32の側面及び下面には、回転する研削砥石22の温度を下げるために冷却水を噴射する複数個の噴射ホール33、34が設けられる。前記噴射ホールは、研削砥石22の側面に冷却水を噴射する側面噴射ホール33と、研削砥石22の下面に冷却水を噴射する下面噴射ホール34とで構成される。前記噴射ホール33、34は、所定の大きさの開口部を有し、冷却ユニット30の溝部32の内部で移動する研削砥石22の側面及び下面に対して、所定の圧力で冷却水及び冷却気体を噴射することができる。前記噴射ホール33、34の離隔距離、個数、大きさなどは、ウェハの直径または研削工程の種類に応じて異なって形成される。
前記側面噴射ホール33及び下面噴射ホール34は、前記溝部の延長方向に沿って所定の大きさに形成された開口部を有し、各噴射ホールは、所定の離隔距離を有するように形成される。例えば、前記側面噴射ホール及び下面噴射ホールは、研削砥石の回転方向に沿って開口部の大きさが漸次小さくなるように形成され、噴射ホール間の離隔距離が漸次大きくなるように形成される。これにより、研削砥石がウェハを離脱した初期地点では、冷却水または冷却気体を相対的に多く噴射して温度を下げ、研削砥石の全体的な温度を精密に制御することができる。
そして、側面噴射ホール33は、冷却ユニット30の内部に形成された溝部32の側面に研削砥石の移動方向に沿って複数個に形成される。
例えば、前記側面噴射ホール33は、冷却ユニット3の延長方向に沿って互いに異なる高さに形成される。したがって、溝部32を通過する研削砥石22の側面に対して、冷却水または冷却気体の噴射が全体的に行われる。
上記のような冷却水または冷却気体の噴射により、ウェハとの接触面で研磨を行った研削砥石22に残存する研磨副産物は、冷却ユニット30を通過することにより除去される洗浄効果を有することができる。また、ウェハと研削砥石の接触後に行われる研磨によって、上昇する研削ホイールの温度を一定レベルに維持させてウェハに変形が生じることを防止することができる。
前記噴射ホール33、34は、冷却ユニット30の内部で互いに連結される。冷却ユニット30の下部には、前記噴射ホール33、34に冷却水を供給するための供給管及び供給タンクがさらに備えられる。前記供給管は、冷却ユニット30の一端に連結され、研削砥石22がウェハに接触して回転する際に、所定量の冷却水または冷却気体を供給するように制御することができる。即ち、前記噴射ホールが所定の圧力で冷却水または冷却気体を噴射するように制御することで、研削砥石22を含む研削ホイール20に対する冷却を行うことができる。
そして、前記冷却ユニット30の溝部32は、研削砥石22が回転するため研削砥石22とは直接に接触しないように所定距離だけ離隔しなければならないので、下部に延長される固定台によって固定される。
図2を再参照すると、所定の速度で回転するスピンドル23の内部には、スピンドルそのものの熱を下げるために、スピンドル23の内部を循環する循環水が供給される。そして、前記スピンドルを通過して研削ホイール20に研削水を供給する供給路が備えられ、供給路を介して研削ホイール20とウェハの接触位置に研削水が噴射されて、研磨部位の熱を下げる。
研削水としては通常は超純水を使用し、20〜25度の温度に維持されて、研削ホイール及び内部装置の温度を一定に維持し、研磨部位の温度を研削ホイール20の初期温度に下げる役割をする。
一方、ウェハの研磨が行われる接触面に噴射される研削水の温度と、冷却ユニット30により研削ホイール20に噴射される冷却水の温度と、の差が一定レベルの範囲を外れると、ウェハの研磨時にウェハに変形が発生しうる。したがって、実施例の冷却ユニット30に設けられた噴射ホール33、34を介して噴射される冷却水の温度は、研削水の温度と同一に設定することが好ましい。
図5は、実施例に係るウェハ研削装置を示す平面図である。図5を参照すると、実施例のウェハ研削装置は、冷却ユニット30の一側に乾燥ユニット40を備える。前記乾燥ユニット40は、研削ホイール20に噴射された冷却水を乾燥させものであり、研削砥石が冷却ユニット30を通過した地点とウェハの研磨面の間の領域に配置される。
具体的には、冷却ユニット30は、研削砥石22がウェハを離脱する地点から研削ホイール20の中心を基準に120度の円弧の領域に形成され、乾燥ユニット40は、研削砥石22が前記冷却ユニット30を通過した地点から前記ウェハと再接触する地点の間に形成される。
前記乾燥ユニットは、前記研削ホイールの外周面の曲率に対応する円弧状に形成され、前記研削ホイールの外周面と所定距離だけ離隔して形成される。そして、前記乾燥ユニットは、前記研削ホイールの中心を基準に所定の角度で形成され、例えば、研削ホイール20の中心を基準に120度の円弧の領域に形成される。
乾燥ユニット40には、所定個数の貫通ホールが形成され、前記貫通ホールから所定の圧力で乾燥空気が噴射される。乾燥空気が研削砥石22に噴射されることで、研削砥石22に付着している冷却水は速やかに乾燥され、研削砥石22に残存する研磨副産物もさらに簡単に研削砥石22から離脱される。離脱する研磨副産物のため乾燥ユニット40は研削砥石22よりやや上部に配置され、研削砥石22に対して下方向に乾燥空気を噴射することが好ましい。
したがって、研削砥石22が冷却ユニット30を通過する間、冷却水の噴射により研削砥石に残存する研磨副産物の洗浄及び冷却が行われ、乾燥ユニット40を通過する間、噴射される乾燥空気により、研削砥石22に残存する冷却水の乾燥が行われる。
図6は、従来のウェハ研削装置によるウェハのTTVを示したグラフであり、図7は、実施例に係るウェハのTTVを示したグラフである。
ウェハのTTV(total thickness variation)は、ウェハの研削工程を行う際にウェハの厚さの最大値と最小値との差を示したものであり、TTV値が小さいほど、ウェハ毎にその差が少なく制御され、ウェハの研削装置で行われる加工品質が高いと評価することができる。
まず、従来に係る図6を参照すると、複数個のウェハにおいてTTV値が1μm以上を示しており、各ウェハに対するTTV値の偏差も1μm以上を示した。しかし、実施例に係る図7を参照すると、複数個のウェハに対するTTV値は1μm以下を示しており、各ウェハに対するTTV値の偏差は0.5μm以下と測定された。
このような結果により、実施例に係るウェハ研削装置を使用することで、ウェハの平坦度の品質が改善されたと評価することができる。
即ち、実施例は、ウェハに対する研削を実施するときに、回転する研削ホイールがウェハを離脱すると同時に冷却ユニットの内部を通過して冷却され、研削ホイールの温度を一定レベルに維持させてウェハに変形が生じることを防止することで、ウェハの平坦度の品質を改善させることができる。
また、実施例は、冷却ユニットを通過した研削ホイールに付着した研磨副産物が、回転力によって冷却水と共に除去されるので、研削ホイールの研磨力を一定に維持することができ、ウェハの研磨の品質を向上させることができる。
以上より、本発明に対して、その好ましい実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で以上に例示されていない多様な変形と応用が可能であることが分かる。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施できるものである。そして、このような変形と応用に係る差異点は、添付された特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解析されるべきである。
[付記1]
ウェハがローディングされると、ウェハを吸着して、前記吸着されたウェハを一定速度で回転させるチャックテーブルと、
前記チャックテーブルの上部に所定間隔離隔して配置され、回転及び下降して前記チャックテーブルに吸着されたウェハを研削するスピンドルと、を含み、
前記スピンドルは、所定の速度で回転しながら前記ウェハに接触するように一定距離下降させる駆動ユニットと、前記駆動ユニットの下端に形成され、ウェハを所定の厚さ研削する研削ホイールとを備え、
前記研削ホイールは、研削本体と、前記研削本体下部の円周に沿って分割されてセグメント状に形成された研削砥石とを備え、
前記研削砥石が回転することにより前記ウェハを離脱する地点から前記ウェハと再接触する地点の間には、前記研削砥石の回転経路に沿って冷却ユニットが設けられる、ウェハ研削装置。
[付記2]
前記冷却ユニットは、回転する前記研削砥石に冷却水または冷却気体を噴射する、付記1に記載のウェハ研削装置。
[付記3]
前記冷却ユニットは、前記研削ホイールの回転方向に沿って前記研削砥石が前記ウェハを離脱する地点から前記研削ホイールの中心を基準に120度に該当する円弧状に形成される、付記1に記載のウェハ研削装置。
[付記4]
前記冷却ユニットは、前記研削ホイールの中心を基準に前記研削砥石の曲率と一致する円弧状に形成された本体部と、前記本体部の内部に前記研削砥石が通過するための通路を提供する溝部とを備える、付記1に記載のウェハ研削装置。
[付記5]
前記研削ホイールが下降することにより研削砥石の一定部分が前記溝部に挿入され、前記溝部は、前記研削砥石の側面及び下面と一定距離を維持しながら前記研削砥石を取り囲む、付記4に記載のウェハ研削装置。
[付記6]
前記溝部の下面及び側面には、回転する研削砥石の側面に対して冷却水または冷却気体を噴射する複数個の側面噴射ホールと、回転する研削砥石の下面に対して冷却水または冷却気体を噴射する複数個の下面噴射ホールとが形成される、付記5に記載のウェハ研削装置。
[付記7]
前記側面噴射ホール及び下面噴射ホールは、前記溝部の延長方向に沿って所定の大きさに形成された開口部を有し、各噴射ホールは所定の離隔距離を有するように形成される、付記6に記載のウェハ研削装置。
[付記8]
前記側面噴射ホール及び下面噴射ホールは、研削砥石の回転方向に沿って開口部の大きさが漸次小さくなるように形成され、噴射ホール間の離隔距離が漸次大きくなるように形成される、付記7に記載のウェハ研削装置。
[付記9]
前記側面噴射ホールは、前記溝部の側面で互いに異なる高さを有するように形成される、付記6に記載のウェハ研削装置。
[付記10]
前記噴射ホールは、前記冷却ユニットの内部で互いに連結され、いずれかの噴射ホールと連結される供給管をさらに含む、付記6に記載のウェハ研削装置。
[付記11]
前記供給管と連結される供給タンクをさらに含み、
前記供給タンクに貯蔵される冷却水または冷却気体は既設定された温度に維持される、付記10に記載のウェハ研削装置。
[付記12]
前記研削砥石が前記冷却ユニットを通過する地点から前記ウェハと再接触する地点の間には、前記研削砥石に噴射された冷却水を乾燥させるための乾燥ユニットが設けられる、付記1に記載のウェハ研削装置。
[付記13]
前記乾燥ユニットは、前記研削ホイールの外周面の曲率に対応する円弧状に形成され、前記研削ホイールの中心を基準に所定の角度で形成される、付記12に記載のウェハ研削装置。
[付記14]
前記乾燥ユニットは、前記研削ホイールの外周面と所定の距離だけ離隔し、前記乾燥ユニットには、前記研削ホイールの中心方向に複数個の貫通ホールが形成され、冷却ユニットを通過した研削砥石に乾燥空気を噴射する、付記13に記載のウェハ研削装置。
[付記15]
前記スピンドルの内部には、前記研削ホイールとウェハが接触する地点に研削水を供給するための供給路が設けられ、前記研削砥石に噴射される冷却水の温度は、前記研削水の温度と同一に設定される、付記1に記載のウェハ研削装置。
本実施例は、ウェハを製作するためのウェハ研削装置で実施可能であり、その産業上の利用可能性がある。

Claims (14)

  1. ウェハがローディングされると、ウェハを吸着して、前記吸着されたウェハを一定速度で回転させるチャックテーブルと、
    前記チャックテーブルの上部に所定間隔離隔して配置され、回転及び下降して前記チャックテーブルに吸着されたウェハを研削するスピンドルと、を含み、
    前記スピンドルは、所定の速度で回転しながら前記ウェハに接触するように一定距離下降させる駆動ユニットと、前記駆動ユニットの下端に形成され、ウェハを所定の厚さ研削する研削ホイールとを備え、
    前記研削ホイールは、研削本体と、前記研削本体下部の円周に沿って分割されてセグメント状に形成された研削砥石とを備え、
    前記研削砥石が回転することにより前記ウェハを離脱する地点から前記ウェハと再接触する地点の間には、前記研削砥石の回転経路に沿って冷却ユニットが設けられ
    前記冷却ユニットは、前記研削ホイールの中心を基準に前記研削砥石の曲率と一致する円弧状に形成された本体部と、前記本体部の内部に前記研削砥石が通過するための通路を提供する溝部と、を備える、ウェハ研削装置。
  2. 前記冷却ユニットは、回転する前記研削砥石に冷却水または冷却気体を噴射する、請求項1に記載のウェハ研削装置。
  3. 前記冷却ユニットは、前記研削ホイールの回転方向に沿って前記研削砥石が前記ウェハを離脱する地点から前記研削ホイールの中心を基準に120度に該当する円弧状に形成される、請求項1に記載のウェハ研削装置。
  4. 前記研削ホイールが下降することにより研削砥石の一定部分が前記溝部に挿入され、前記溝部は、前記研削砥石の側面及び下面と一定距離を維持しながら前記研削砥石を取り囲む、請求項に記載のウェハ研削装置。
  5. 前記溝部の下面及び側面には、回転する研削砥石の側面に対して冷却水または冷却気体を噴射する複数個の側面噴射ホールと、回転する研削砥石の下面に対して冷却水または冷却気体を噴射する複数個の下面噴射ホールとが形成される、請求項に記載のウェハ研削装置。
  6. 前記側面噴射ホール及び下面噴射ホールは、前記溝部の延長方向に沿って所定の大きさに形成された開口部を有し、前記側面噴射ホール及び下面噴射ホールは所定の離隔距離を有するように形成される、請求項に記載のウェハ研削装置。
  7. 前記側面噴射ホール及び下面噴射ホールは、研削砥石の回転方向に沿って開口部の大きさが漸次小さくなるように形成され、噴射ホール間の離隔距離が漸次大きくなるように形成される、請求項に記載のウェハ研削装置。
  8. 前記側面噴射ホールは、前記溝部の側面で互いに異なる高さを有するように形成される、請求項に記載のウェハ研削装置。
  9. 前記側面噴射ホール及び下面噴射ホールは、前記冷却ユニットの内部で互いに連結され、前記冷却ユニットは、前記側面噴射ホール及び下面噴射ホールに冷却水を供給する供給管に連結された、請求項に記載のウェハ研削装置。
  10. 前記供給管と連結される供給タンクをさらに含み、
    前記供給タンクに貯蔵される冷却水または冷却気体は既設定された温度に維持される、請求項に記載のウェハ研削装置。
  11. 前記研削砥石が前記冷却ユニットを通過する地点から前記ウェハと再接触する地点の間には、前記研削砥石に噴射された冷却水を乾燥させるための乾燥ユニットが設けられる、請求項1に記載のウェハ研削装置。
  12. 前記乾燥ユニットは、前記研削ホイールの外周面の曲率に対応する円弧状に形成され、前記研削ホイールの中心を基準に所定の角度で形成される、請求項11に記載のウェハ研削装置。
  13. ウェハがローディングされると、ウェハを吸着して、前記吸着されたウェハを一定速度で回転させるチャックテーブルと、
    前記チャックテーブルの上部に所定間隔離隔して配置され、回転及び下降して前記チャックテーブルに吸着されたウェハを研削するスピンドルと、を含み、
    前記スピンドルは、所定の速度で回転しながら前記ウェハに接触するように一定距離下降させる駆動ユニットと、前記駆動ユニットの下端に形成され、ウェハを所定の厚さ研削する研削ホイールと、を備え、
    前記研削ホイールは、研削本体と、前記研削本体下部の円周に沿って分割されてセグメント状に形成された研削砥石と、を備え、
    前記研削砥石が回転することにより前記ウェハを離脱する地点から前記ウェハと再接触する地点の間には、前記研削砥石の回転経路に沿って冷却ユニットが設けられ、
    前記研削砥石が前記冷却ユニットを通過する地点から前記ウェハと再接触する地点の間には、前記研削砥石に噴射された冷却水を乾燥させるための乾燥ユニットが設けられ、
    前記乾燥ユニットは、前記研削ホイールの外周面の曲率に対応する円弧状に形成され、前記研削ホイールの中心を基準に所定の角度で形成され、
    前記乾燥ユニットは、前記研削ホイールの外周面と所定の距離だけ離隔し、前記乾燥ユニットには、前記研削ホイールの中心方向に複数個の貫通ホールが形成され、冷却ユニットを通過した研削砥石に乾燥空気を噴射する、ウェハ研削装置。
  14. 前記スピンドルの内部には、前記研削ホイールとウェハが接触する地点に研削水を供給するための供給路が設けられ、前記研削砥石に噴射される冷却水の温度は、前記研削水の温度と同一に設定される、請求項1に記載のウェハ研削装置。
JP2016563763A 2014-01-15 2014-06-09 ウェハ研削装置 Active JP6218343B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0004854 2014-01-15
KR1020140004854A KR101530269B1 (ko) 2014-01-15 2014-01-15 웨이퍼 그라인딩 장치
PCT/KR2014/005048 WO2015108252A1 (ko) 2014-01-15 2014-06-09 웨이퍼 그라인딩 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017501899A JP2017501899A (ja) 2017-01-19
JP6218343B2 true JP6218343B2 (ja) 2017-10-25

Family

ID=53519448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016563763A Active JP6218343B2 (ja) 2014-01-15 2014-06-09 ウェハ研削装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10343257B2 (ja)
EP (1) EP3096348B1 (ja)
JP (1) JP6218343B2 (ja)
KR (1) KR101530269B1 (ja)
CN (1) CN105917447B (ja)
WO (1) WO2015108252A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201418175D0 (en) * 2014-10-14 2014-11-26 Pilkington Group Ltd An apparatus and a process for grinding an edge and a glazing having a ground edge
JP5969720B1 (ja) * 2016-02-17 2016-08-17 日本精工株式会社 研削装置
CN106271922B (zh) * 2016-08-30 2018-05-25 重庆凯龙科技有限公司 用于隔热板的加工装置
JP6506797B2 (ja) * 2017-06-09 2019-04-24 Towa株式会社 研削装置および研削方法
JP7045212B2 (ja) * 2018-02-08 2022-03-31 株式会社ディスコ 研削装置
JP2021176661A (ja) * 2020-05-07 2021-11-11 株式会社ディスコ 研削装置
CN115847293A (zh) * 2022-12-15 2023-03-28 西安奕斯伟材料科技有限公司 研磨清洗设备

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2012195A (en) * 1932-11-25 1935-08-20 Harry H Newton Slide
US3978625A (en) * 1975-02-18 1976-09-07 Teer, Wickwire & Company Grinding wheel coolant nozzle
SE416025B (sv) * 1978-01-10 1980-11-24 Lidkoepings Mekaniska Verkstad Forfarande och anordning for kylning av slipskivor
JPH0632885B2 (ja) * 1987-05-19 1994-05-02 日清工業株式会社 セラミックスの研削方法および装置
JPH02150148U (ja) * 1989-05-19 1990-12-25
SG70097A1 (en) * 1997-08-15 2000-01-25 Disio Corp Apparatus and method for machining workpieces by flushing working liquid to the tool-and-workpiece interface
KR100286980B1 (ko) * 1998-02-11 2001-04-16 윤종용 웨이퍼 연마 설비 및 웨이퍼 연마 방법
JP2897010B1 (ja) * 1998-04-17 1999-05-31 株式会社シギヤ精機製作所 冷風研削用砥石装置
KR100303396B1 (ko) 1998-05-26 2001-11-30 윤종용 반도체장치제조용웨이퍼그라인딩장치
JP2000216122A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウェ―ハの平面研削方法
JP2000288883A (ja) * 1999-03-31 2000-10-17 Seiko Epson Corp 水晶振動子の製造方法及び製造装置
JP2001096461A (ja) * 1999-09-29 2001-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 研削砥石の目立て方法及び目立て装置
US6669118B2 (en) * 2001-08-20 2003-12-30 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Coherent jet nozzles for grinding applications
JP2003197581A (ja) 2001-10-18 2003-07-11 Fujitsu Ltd 板状物支持部材及びその使用方法
US7353560B2 (en) * 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
JP2007237363A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Komatsu Machinery Corp 基板表面加工装置
US20080051013A1 (en) * 2006-04-05 2008-02-28 Burgess Greg M Methods and apparatus for machining a coupling
US8449356B1 (en) * 2007-11-14 2013-05-28 Utac Thai Limited High pressure cooling nozzle for semiconductor package
US11040464B2 (en) * 2009-03-17 2021-06-22 Husqvarna Ab Cutting machine with a liquid lubrication delivery system having a controlled liquid level
US8938713B2 (en) * 2012-02-09 2015-01-20 International Business Machines Corporation Developing a collective operation for execution in a parallel computer
JP2013169610A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Denso Corp 高硬度材料の加工方法及び加工装置
JP5922469B2 (ja) * 2012-04-02 2016-05-24 株式会社ディスコ 研削装置
JP6117030B2 (ja) * 2013-07-08 2017-04-19 Sumco Techxiv株式会社 飛散板、研削ホイール、および、研削装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105917447A (zh) 2016-08-31
JP2017501899A (ja) 2017-01-19
EP3096348B1 (en) 2019-04-17
WO2015108252A1 (ko) 2015-07-23
US10343257B2 (en) 2019-07-09
KR101530269B1 (ko) 2015-06-23
EP3096348A1 (en) 2016-11-23
US20160318152A1 (en) 2016-11-03
EP3096348A4 (en) 2017-10-18
CN105917447B (zh) 2019-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6218343B2 (ja) ウェハ研削装置
KR102182910B1 (ko) 웨이퍼의 엣지 연마 장치 및 방법
KR101798700B1 (ko) 연마 방법 및 연마 장치
JP6030720B2 (ja) 研磨装置および方法
US10279452B2 (en) Processing apparatus
TWI584366B (zh) A substrate processing apparatus and a substrate processing method and a computer-readable recording medium for recording a substrate processing program
JP7204318B2 (ja) 研削ホイール
JP2019186363A (ja) ウェーハの加工方法
JP2008098574A (ja) ウエーハの研磨装置
JP6197752B2 (ja) ウェーハの研磨方法
JP6165020B2 (ja) 加工方法
JP6012239B2 (ja) ウェーハの加工方法
KR101554815B1 (ko) 관통전극 웨이퍼 제조방법
JP7412142B2 (ja) ウェーハの加工方法
TW201517144A (zh) 晶圓的硏磨方法
US11198207B2 (en) Wafer polishing apparatus
TW202103842A (zh) 包含樹脂的複合基板的磨削方法和磨削裝置
KR101125740B1 (ko) 웨이퍼 연마 장치
JP2011040674A (ja) ウエハ研磨装置
JP2016132070A (ja) 研削ホイール及び研削装置
KR101540855B1 (ko) 에지 폴리싱 장치
KR101206922B1 (ko) 웨이퍼 연마 장치
KR101329621B1 (ko) 연삭 척
TWI565557B (zh) 化學機械研磨製程
JP2016154170A (ja) 研削装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170425

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170427

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170711

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170905

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170925

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6218343

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250