TW202103842A - 包含樹脂的複合基板的磨削方法和磨削裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供包含樹脂的複合基板的磨削方法和磨削裝置，在包含樹脂的大型的複合基板的磨削中，能夠抑制磨削砂輪的堵塞，且能夠有效且高精度地執行磨削工序。該方法對將半導體器件晶片或電極中的至少一方埋入樹脂基板而形成的複合基板的表面進行磨削，具有：使對複合基板的表面進行磨削的磨削部件的至少一部分與所述表面接觸的工序；向複合基板的表面與所述磨削部件的接觸部分或非接觸部分中的至少一方供給水的工序；以及在供給水的工序的同時，對所述複合基板的所述表面進行磨削的磨削加工工序。

Description

包含樹脂的複合基板的磨削方法和磨削裝置
本發明涉及基於用於同時大量生產半導體器件晶片等的封裝技術的包含樹脂的複合基板的磨削方法和磨削裝置。
為了大量且低成本地生產半導體器件晶片等，開發了一種使用包含樹脂的複合基板的FOPLP（Fan Out Panel Level Package：扇出型面板級封裝）技術。
作為FOPLP技術採用多種方法。作為FOPLP技術的主要工序，首先，將完成的半導體器件晶片分割為半導體器件晶片。之後，將該分割的半導體器件晶片排列在大型樹脂基板上。接著，在該排列有半導體器件晶片的樹脂基板上形成有模制樹脂。由此，半導體器件晶片被埋入所形成的模型內。然後，除去不需要的模制樹脂，露出半導體器件晶片。然後，進行再次佈線等。之後，在模制樹脂部分分割半導體器件晶片。其結果是，完成了封裝在模制樹脂中的半導體器件晶片。
作為半導體器件晶片的封裝方法，除了上述扇出方法以外，還具有扇入的方法。扇入方法在半導體器件晶片內形成全部電極。因此，電極的數量受到限制。
與此相對，在扇出方法中，在形成於半導體器件晶片的外部的樹脂部分也能夠形成電極。因此，扇出方法與扇入方法相比具有能夠使電極的數量大寬度增加的優點。因此，逐漸成為用於對MPU（Microprocessor Unit：微處理器單元）和邏輯器件等的用於I/O的部件個數多的器件進行封裝的主要的封裝技術。
在FOPLP技術中，需要進行模制樹脂加工。此外，有時在封裝的同時也對矽（Si）或銅（Cu）的電極進行加工。作為這種FOPLP的加工方法，使用利用金剛石車刀的飛刀的方法（例如日本專利公開公報特開2015-139829號、日本專利公開公報特開2017-112226號）。該飛刀方法用於加工的成本高。此外，為了得到高平坦度而需要較長時間。此外，存在難以管理基板的厚度的課題。
如日本專利公開公報特開2014-28425號和日本專利公開公報特開2015-32679號所示，開發了一種能夠全部解決飛刀的問題的磨削技術。並且，能夠應用於晶片級的封裝磨削和TSV（Through Silicon Via：矽穿孔）磨削。
本發明提供一種包含樹脂的複合基板的磨削方法，對將半導體器件晶片或電極中的至少一方埋入樹脂基板而形成的複合基板的表面進行磨削，其中，所述磨削複合基板的表面的方法包括：使對所述複合基板的表面進行磨削的磨削部件的至少一部分與所述表面接觸的工序；向所述複合基板的表面與所述磨削部件的接觸部分或非接觸部分中的至少一方供給水的工序；以及在所述供給水的工序的同時，對所述複合基板的所述表面進行磨削的磨削加工工序。
在下面的詳細說明中，出於說明的目的，為了提供對所發明的實施方式的徹底的理解，提出了許多具體的細節。然而，顯然可以在沒有這些具體細節的前提下實施一個或更多的實施方式。在其它的情況下，為了簡化製圖，示意性地示出了公知的結構和裝置。
對作為包含樹脂、金屬和半導體器件晶片的大型基板的FOPLP進行磨削時，該磨削砂輪的適當化變得重要。為了使鋒利度達到最大限度，要求磨削砂輪最佳地選擇金剛石磨粒和黏結材料。
即，對於磨削砂輪的最佳化，從面粗糙度的要求出發，其磨粒粒徑（粒度號）變得重要。此外，由於對樹脂和金屬進行磨削，所以為了使堵塞成為最小限度，黏結材料及其硬度變得重要。
例如，在透過最佳化的磨削砂輪對300mm見方以上的FOPLP基板進行加工的情況下，即使使用#500粒度號左右的低粒度號的砂輪，也會發生堵塞。存在由於該堵塞而無法連續加工多張基板的問題。此外，由於是低粒度號，所以還存在只能以100nm（Ra）左右的表面粗糙度進行磨削加工的問題。此外，在後續的工序中，需要透過研磨技術減小表面粗糙度並高精度地進行加工。其結果是，存在製造成本變高的問題。
本發明是鑒於上述情況而完成的。本發明的目的在於提供一種包含樹脂的複合基板的磨削方法和磨削裝置，在包含樹脂的大型的複合基板的磨削中，能夠防止磨削砂輪的堵塞，並且能夠有效且高精度地執行磨削工序。
本發明的包含樹脂的複合基板的磨削方法，對將半導體器件晶片或電極中的至少一方埋入樹脂基板而形成的複合基板的表面進行磨削，其中，所述包含樹脂的複合基板的磨削方法包括：使對所述複合基板的表面進行磨削的磨削部件的至少一部分與所述表面接觸的工序；向所述複合基板的表面與所述磨削部件的接觸部分或非接觸部分中的至少一方供給水的工序；以及在所述供給水的工序的同時，對所述複合基板的所述表面進行磨削的磨削加工工序。
此外，本發明的包含樹脂的複合基板的磨削裝置，具有：真空吸盤機構，搭載將半導體器件晶片和電極中的至少一方埋入樹脂基板而形成的複合基板並使其旋轉；固定磨粒砂輪機構，一邊旋轉一邊對搭載於所述真空吸盤的所述複合基板進行磨削；磨削水供給機構，向所述複合基板與所述固定磨粒砂輪的接觸部分供給水；以及高壓水供給機構，從高壓水供給噴嘴向所述固定磨粒砂輪與所述複合基板的接觸部分和非接觸部分的雙方供給高壓水。
根據本發明的包含樹脂的複合基板的磨削方法，對將半導體器件晶片或電極中的至少一方埋入樹脂基板而形成的複合基板的表面進行磨削，包括：使對所述複合基板的表面進行磨削的磨削部件的至少一部分與所述表面接觸的工序；向所述複合基板的表面與所述磨削部件的接觸部分或非接觸部分中的至少一方供給水的工序；以及在所述供給水的工序的同時，對所述複合基板的所述表面進行磨削的磨削加工工序。這樣，在本發明的方法中，從多個高壓水供給噴嘴向固定磨粒砂輪與複合基板未接觸的部分噴射高壓水。由此，能夠抑制固定磨粒砂輪的堵塞。因而，能夠連續地對複合基板進行磨削。並且，例如，能夠應用#2000以上的更高粒度號的磨削砂輪。其結果是，能夠實現10nm（Ra）以下的表面粗糙度，還能夠省略應當在磨削工序後進行的研磨工序。因而，能夠實現FOPLP技術的產品加工的大幅度的低成本化。
此外，即便將固定磨粒砂輪的黏結材料設為高硬度化，也能夠抑制堵塞。因此，還具有能夠大幅度提高固定磨粒砂輪的壽命（產品壽命）的效果。因而，能夠實現作為FOPLP技術的本來目的的低成本化。
此外，根據本發明的包含樹脂的複合基板的磨削裝置，具有：真空吸盤機構，搭載將半導體器件晶片和電極中的至少一方埋入樹脂基板而形成的複合基板並使其旋轉；固定磨粒砂輪機構，一邊旋轉一邊對搭載於所述真空吸盤的所述複合基板進行磨削；磨削水供給機構，向所述複合基板與所述固定磨粒砂輪的接觸部分供給水；以及高壓水供給機構，從高壓水供給噴嘴向所述固定磨粒砂輪與所述複合基板的接觸部分和非接觸部分的雙方供給高壓水。由此，當對大型的FOPLP基板進行磨削時，能夠使固定磨粒砂輪不堵塞，並能夠從多個高壓水供給噴嘴向固定磨粒砂輪噴射高壓水。因此，能夠連續地對FOPLP基板進行磨削。
此外，根據本發明的包含樹脂的複合基板的磨削裝置，也可以為，從所述高壓水供給噴嘴噴出的高壓水的壓力為3MPa～20MPa，且噴出角為5度～20度，所述固定磨粒砂輪與所述高壓水供給噴嘴的間隔為5mm～30mm。透過這種結構，能夠從高壓水供給噴嘴噴出適合於固定磨粒砂輪的清洗的流量和水壓的高壓水。
此外，根據本發明的包含樹脂的複合基板的磨削裝置，也可以為，高壓水供給噴嘴具有以1mm/sec～20mm/sec的速度且以1mm～10mm寬度擺動的機構。由此，能夠大範圍地噴出高壓水。因此，能夠抑制大型的固定磨粒砂輪的堵塞。因此，能夠高效率地對大型的FOPLP基板進行磨削。
此外，根據本發明的包含樹脂的複合基板的磨削裝置，也可以為，真空吸盤具有能夠搭載表面面積為1000cm2 ～7000cm2 的複合基板的吸附面積，且平坦地吸附厚度在0.1mm～2mm的範圍內的複合基板以便能夠進行磨削加工。因此，能夠有效且高精度地對大型的FOPLP基板進行磨削。其結果是，能夠實現基於FOPLP技術的生產性優異的產品製造。
以下，基於附圖對本發明實施方式的包含樹脂的複合基板的磨削方法和磨削裝置進行詳細說明。
圖1是表示本發明的實施方式的對包含樹脂的複合基板20進行磨削的磨削裝置1的簡要結構的剖視圖。磨削裝置1是對作為包含樹脂的大型的FOPLP等的複合基板20進行磨削的裝置。
磨削裝置1具有：搭載加工對象的複合基板20的真空吸盤2、對複合基板20進行磨削的杯形的固定磨粒砂輪5、以及磨削水供給噴嘴8。
真空吸盤2是吸附並保持複合基板20的多孔吸盤。該真空吸盤2呈大致平板狀的形態。並且，安裝在磨削台3的上方。載置真空吸盤2的磨削台3由未圖示的驅動裝置繞旋轉軸旋轉驅動。在磨削加工工序中，在真空吸盤2的上表面載置複合基板20。並且，複合基板20與真空吸盤2和磨削台3一起繞旋轉軸水平旋轉。
固定磨粒砂輪5是杯形的砂輪，從上方對保持於真空吸盤2並旋轉的複合基板20進行磨削。固定磨粒砂輪5具有：大致圓盤狀的磨削頭6，透過未圖示的旋轉機構水平旋轉；以及磨削砂輪7，沿著圓周以大致圓形狀安裝在磨削頭6的下部周緣附近。
此外，磨削裝置1具有使固定磨粒砂輪5沿著上下方向移動的、基於未圖示的滾珠絲杠的上下移動機構。在進行磨削加工工序時，位於水平旋轉的固定磨粒砂輪5的磨削砂輪7的下部的未圖示的刃尖與吸附於真空吸盤2的上表面並水平旋轉的複合基板20的上表面接觸。透過該刃尖對複合基板20的上表面進行磨削。
磨削水供給噴嘴8是向複合基板20與固定磨粒砂輪5的磨削砂輪7的接觸部分的附近供給水的裝置。水可以是純水。具體而言，從未圖示的磨削水供給裝置經由磨削水供給噴嘴8供給純水。然後，從磨削水供給噴嘴8的噴出口向複合基板20的上表面與磨削砂輪7的刃尖的接觸部分的附近噴射純水。
上述是用於磨削加工的優選的結構。但是，僅透過上述結構對包含樹脂的大型的複合基板20進行高精度磨削是極為困難的。本實施方式的磨削裝置1除了上述結構以外，還包括向固定磨粒砂輪5噴射高壓水來進行清洗的高壓水供給機構10。
在高壓水供給機構10中設置有高壓水供給噴嘴11和高壓水壓力控制器13。高壓水供給噴嘴11向固定磨粒砂輪5的未與複合基板20接觸的部分噴出高壓水。高壓水壓力控制器13將向固定磨粒砂輪5噴出的高壓水的壓力和流量調整成所希望的值。然後，該高壓水向高壓水供給噴嘴11供給並朝向固定磨粒砂輪5噴出。
透過上述結構，在磨削加工工序中，由高壓水供給機構10的高壓水壓力控制器13調整了壓力和流量的純水經由高壓水供給噴嘴11向磨削砂輪7的刃尖附近噴射。
此處，在本實施方式的磨削裝置1中，設置有多個高壓水供給機構10的高壓水供給噴嘴11。具體而言，例如，設置有第一高壓水供給噴嘴11a和第二高壓水供給噴嘴11b這兩個高壓水供給噴嘴11。另外，高壓水供給機構10的該高壓水供給噴嘴的數量並不限定於兩個。即，該高壓水供給噴嘴的數量也可以是三個以上。
這樣，透過設置有多個高壓水供給噴嘴11的結構，當對作為大型的FOPLP基板的複合基板20進行磨削時，為了使固定磨粒砂輪5不堵塞，能夠從多個高壓水供給噴嘴11向固定磨粒砂輪5噴射高壓水。由此，能夠連續地對FOPLP基板進行磨削。
圖2是表示磨削裝置1的簡要結構的俯視圖。並且，特別是表示多個高壓水供給噴嘴11的配置的一例的圖。
如圖2所示，第一高壓水供給噴嘴11a和第二高壓水供給噴嘴11b可以以固定磨粒砂輪5的旋轉中心為基準而配置在旋轉圓周方向內的不同的位置。
詳細來說，如圖2所示，第一高壓水供給噴嘴11a的高壓水噴出口12a和第二高壓水供給噴嘴11b的高壓水噴出口12b以固定磨粒砂輪5的旋轉中心為基準在旋轉圓周方向內離開角度θ3。透過這種結構，如圖1所示，能夠向固定磨粒砂輪5的多個磨削砂輪7大範圍地噴出高壓水。其結果是，能夠進行適合於防止固定磨粒砂輪5的堵塞的高壓水的噴出。
圖3是表示本實施方式的磨削裝置1的高壓水供給噴嘴11的高壓水噴出口12的附近的圖。並且，示意性地表示了高壓水噴出口12在上下方向上的位置。
如圖3所示，以從高壓水噴出口12到固定磨粒砂輪5的磨削砂輪7的刃尖的距離L1、L2為5mm～30mm的方式配設高壓水供給噴嘴11。更優選的是，從高壓水噴出口12到磨削砂輪7的刃尖的距離L1、L2為15mm～25mm。透過這種結構，能夠從高壓水供給噴嘴11向固定磨粒砂輪5噴出適合於清洗的高壓水。
此外，第一高壓水供給噴嘴11a和第二高壓水供給噴嘴11b中的任意一方可以配置成接近固定磨粒砂輪5。例如，如圖3所示，第一高壓水供給噴嘴11a可以配置成與第二高壓水供給噴嘴11b相比接近固定磨粒砂輪5。在這種情況下，第一高壓水供給噴嘴11a與第二高壓水供給噴嘴11b相比在上下方向上配置在上方。即，第一高壓水供給噴嘴11a的高壓水噴出口12a與磨削砂輪7的分開距離L1和第二高壓水供給噴嘴11b的高壓水噴出口12b與磨削砂輪7的分開距離L2可以不同。
從高壓水供給噴嘴11噴出的高壓水的壓力優選為3MPa～20MPa。更優選為10MPa～14MPa。並且，從高壓水供給噴嘴11噴出的高壓水的噴出角θ1、θ2優選為5度～20度。更優選為8度～12度。
從第一高壓水供給噴嘴11a的高壓水噴出口12a噴出的高壓水的噴出角θ1與從第二高壓水供給噴嘴11b的高壓水噴出口12b噴出的高壓水的噴出角θ2可以是不同的大小。例如，如圖3所示，可以將從第一高壓水供給噴嘴11a的高壓水噴出孔12a噴出的高壓水的噴出角θ1設定為比從第二高壓水供給噴嘴11b的高壓水噴出口12b噴出的高壓水的噴出角θ2大。
圖4是表示磨削裝置1的高壓水供給噴嘴11的高壓水噴出口12的附近的剖視圖。並且，該圖示意性地表示了高壓水供給噴嘴11擺動的狀態。
如圖4所示，高壓水供給噴嘴11可以具有以1mm/sec～20mm/sec的速度且以1～10mm的擺動寬度L3擺動的機構。由此，能夠大範圍地噴出高壓水，並且能夠防止大型的固定磨粒砂輪5的堵塞。因此，能夠有效地對大型的FOPLP基板等複合基板20進行磨削。
另外，雖然省略了圖示，但是高壓水供給噴嘴11可以配設成其中心軸、即從噴嘴的噴出口噴出高壓水的方向相對於固定磨粒砂輪5的旋轉軸傾斜。並且，高壓水供給噴嘴11也可以旋轉自如地設置成中心軸以上述方式傾斜。
圖5是表示複合基板20的磨削工序的圖。圖5A表示準備了包含樹脂的複合基板20的狀態。圖5B表示該複合基板20載置於真空吸盤的狀態。圖5C表示對該複合基板20進行磨削的狀態。圖5D表示透過磨削完成了薄層化的狀態的複合基板20。
如圖5A所示，複合基板20例如是FOPLP基板。並且，在樹脂基板21中埋入有半導體器件晶片22和電極23。詳細來說，該複合基板20在樹脂基板21中埋入有半導體器件晶片22。並且，在該半導體器件晶片22的外周形成有電極23。複合基板20是大型的安裝基板，表面面積在1000～7000cm2 的範圍內，且厚度在0.1～2mm的範圍內。
例如，樹脂基板21使用環氧樹脂。半導體器件晶片22使用矽（Si）。進而，電極23使用銅（Cu）或鋁（Al）等金屬。另外，樹脂基板21能夠應用聚氨酯樹脂、矽樹脂或聚醯亞胺樹脂等各種密封材料。本實施方式的磨削裝置1對於作為樹脂基板21採用了插入有用於改善電氣特性的二氧化矽填料的各種樹脂的複合基板，也能夠得到優異的磨削結果。
如圖5B所示，包含樹脂基板21的樹脂且埋入有半導體器件晶片22的大型的複合基板20搭載在真空吸盤2上。詳細來說，複合基板20將成為要磨削的面的樹脂基板21側的面作為上表面、將埋入有半導體器件晶片22等的面作為下表面，吸附並保持在真空吸盤2的上表面。
如圖5C所示，在透過橫向進給磨削進行加工的磨削工序中，水平旋轉的固定磨粒砂輪5下降。然後，如上所述，與由真空吸盤2保持並水平旋轉的複合基板20的上表面接觸。由此，執行使複合基板20薄層化的磨削。
即，在磨削工序中，使磨削台3水平旋轉。然後，使形成有磨削砂輪7的固定磨粒砂輪5的磨削頭6旋轉並下降。從磨削水供給噴嘴8向磨削砂輪7噴射高壓純水。即，向磨削砂輪7與應當磨削的基板20的表面接觸的部分噴射純水。此外，從兩個高壓水供給噴嘴（第一高壓水供給噴嘴11a、第二高壓水供給噴嘴11b）向磨削砂輪7噴射高壓純水並噴射純水。即，也向磨削砂輪7與應當磨削的複合基板20的表面未接觸的部分噴射純水。為了抑制砂輪的堵塞，可以僅向接觸的部分或未接觸的部分的一方噴射高壓水。此外，當然也可以向雙方噴射。
在磨削工序中，首先，僅對複合基板20的上部的樹脂基板21進行磨削。接著，伴隨磨削向下方進展，同時對樹脂基板21、半導體器件晶片22和電極23進行磨削。
此處，磨削加工的條件根據複合基板20磨削的面的狀況適當調整，以便在磨削後得到優異的平坦度。例如，作為固定磨粒砂輪5的磨削砂輪7，可以選定陶瓷結合劑SD#4000砂輪。
使固定磨粒砂輪5下降的進給速度優選為10μm/min～30μm/min。此外，20μm/min最適合。固定磨粒砂輪5的旋轉速度優選為1000min-1 ～2000min-1 。此外，1450min-1 最適合。
真空吸盤2的旋轉速度優選為100min-1 ～400min-1 。此外，197min-1 最適合。從磨削水供給噴嘴8噴出的純水的噴出量例如優選為10L/min。
從高壓水供給噴嘴11噴出的高壓水的壓力根據複合基板20適當設定。如上所述為3MPa～20MPa，優選為10MPa～14MPa，例如12Mpa是適合的。從高壓水供給噴嘴11噴出的高壓水的噴出角θ1、θ2（參照圖3）優選為5度～20度。更優選為8度～12度。
即使將兩個高壓水供給噴嘴11的純水的噴出壓力設為相同的條件，也能夠得到適合的磨削結果。此處，可以根據複合基板20的尺寸或樹脂基板21與電極23的面積比例等，將兩個高壓水供給噴嘴11的噴出壓力設定為不同的條件。
例如，可以將第一高壓水供給噴嘴11a設為高壓，並且將第二高壓水供給噴嘴11b設為低壓。即，可以將從第一高壓水供給噴嘴11a噴出的高壓水的壓力設定為比從第二高壓水供給噴嘴11b噴出的高壓水的壓力高。此外，與此相反，可以將從第一高壓水供給噴嘴11a噴出的高壓水的壓力設定為低壓，並且將從第二高壓水供給噴嘴11b噴出的高壓水的壓力設定為高壓。
此外，參照圖3，如上所述，可以將從第一高壓水供給噴嘴11a的高壓水噴出口12a噴出的高壓水的噴出角θ1和從第二高壓水供給噴嘴11b的高壓水噴出口12b噴出的高壓水的噴出角θ2分別設定為適當的角度。
這樣，根據作為加工對象的複合基板20的狀況，透過使高壓水供給噴嘴11的純水的噴出壓力變化，能夠良好地控制複合基板20的表面粗糙度和磨削速度。
參照圖5D，透過上述磨削工序，能夠得到以高精度地薄層化的複合基板20。具體而言，磨削後的複合基板20的樹脂基板21的表面粗糙度為7nm（Ra）～10nm（Ra）。半導體器件晶片22的表面粗糙度為3nm（Ra）～5nm（Ra）。電極23的表面粗糙度為5nm（Ra）～7nm（Ra）。
這樣，透過基於磨削裝置1的磨削加工，得到加工後的複合基板20的良好的面粗糙度。並且，沒有發現因固定磨粒砂輪5的堵塞而產生的電極23的拖曳、變色。
圖6是由本實施方式的磨削裝置1加工的複合基板120的其他例子的圖。圖6A表示埋入有電極24形成在其表面上的半導體器件晶片122的樹脂基板21。此外，在該複合基板120中，在該半導體器件晶片122的外周形成有電極23。圖6B是表示僅埋入有半導體器件晶片22的複合基板220的圖。
如圖6A所示，本實施方式的磨削裝置1也能夠對在樹脂基板21埋入有電極24形成在其表面上的半導體器件晶片122且在該半導體器件晶片122的外周形成有電極23的複合基板120進行磨削。
如圖6B所示，磨削裝置1也能夠對在樹脂基板21中僅埋入有半導體器件晶片22的複合基板220進行磨削。
此外，雖然省略了圖示，但是磨削裝置1也能夠對在樹脂基板21中僅埋入有電極23的複合基板進行磨削加工。
這樣，即使是將多個半導體器件晶片22、122和電極23、24中的至少一方埋入樹脂基板21而形成的複合基板20、120、220，磨削裝置1也能夠高精度且高效率地執行磨削加工。
如上所述，本實施方式的磨削裝置1構成為，從多個高壓水供給噴嘴11不僅對固定磨粒砂輪5與複合基板20的應當磨削的面接觸的部分、也對未接觸的部分噴射高壓水。由此，能夠抑制固定磨粒砂輪5的堵塞。因而，能夠連續地對複合基板20進行磨削。
具體而言，例如能夠連續地應用#2000以上的更高粒度號的磨削砂輪7。其結果是，能夠實現10nm（Ra）以下的表面粗糙度。因此，能夠省略應當在這種磨削工序後進行的研磨工序。並且，能夠實現FOPLP技術的產品加工的大幅度的低成本化。
此外，根據本實施方式的磨削裝置，即使將固定磨粒砂輪5的磨削砂輪7的黏結材料高硬度化，也能夠抑制堵塞。因此，還具有能夠大幅度提高固定磨粒砂輪5的壽命（產品壽命）的效果。其結果是，能夠進一步促進作為FOPLP技術的本來目的的低成本化。
透過使用本實施方式的用於對由樹脂基板21、半導體器件晶片22和電極23構成的複合基板20進行磨削的磨削方法或磨削裝置1，能夠實現與高速化和小型、高密度化對應的用於三維半導體器件的FOPLP基板加工。與此同時，達成作為重大課題的低成本化。並且，能夠對半導體器件產業的發展做出很大貢獻。
另外，本發明並不限定於上述實施方式。例如，作為本發明的磨削裝置的固定磨粒砂輪，可以代替所述杯形的固定磨粒砂輪5轉而使用其他形式的磨削砂輪。此外，例如固定磨粒砂輪可以設置成垂直旋轉。此外，在不脫離本發明的主旨的範圍內能夠實施各種變更。
1:磨削裝置 2:真空吸盤 3:磨削台 5:固定磨粒砂輪 6:磨削頭 7:磨削砂輪 8:磨削水供給噴嘴 10:高壓水供給機構 11:高壓水供給噴嘴 11a:第一高壓水供給噴嘴 11b:第二高壓水供給噴嘴 12:高壓水噴出口 12a:高壓水噴出口 12b:高壓水噴出口 13:高壓水壓力 20:複合基板 21:樹脂基板 22:半導體器件晶片 23:電極 24:電極 120:複合基板 122:半導體器件晶片 220:複合基板
圖1是表示本發明的實施方式的包含樹脂的複合基板的磨削裝置的簡要結構的圖。 圖2是表示本發明的實施方式的包含樹脂的複合基板的磨削裝置的簡要結構的俯視圖。此外，圖2是表示用於供給高壓水的高壓水供給噴嘴的配置的一例的圖。 圖3是表示本發明的實施方式的包含樹脂的複合基板的磨削裝置的高壓水供給噴嘴的附近的圖。此外，圖3是示意性地表示噴出高壓水的高壓水噴出口的位置的圖。 圖4是表示本發明的實施方式的包含樹脂的複合基板的磨削裝置的高壓水供給噴嘴的附近的圖。此外，圖4是示意性地表示高壓水供給噴嘴擺動的狀態的剖視圖。 圖5A至圖5D是表示本發明的實施方式的包含樹脂的複合基板的磨削工序的圖。圖5A表示準備了包含樹脂的複合基板的狀態。圖5B表示該複合基板載置於真空吸盤的狀態。圖5C表示對該複合基板進行磨削的狀態。圖5D表示完成了磨削的複合基板的狀態。 圖6A和圖6B是表示由本發明實施方式的包含樹脂的複合基板的磨削裝置加工的複合基板的其他例的圖。圖6A表示形成有電極的半導體器件晶片埋入樹脂基板內的複合基板。在該基板中，在該半導體器件晶片的外周形成有電極。圖6B是表示僅埋入有半導體器件晶片的複合基板的圖。
1:磨削裝置
2:真空吸盤
3:磨削台
5:固定磨粒砂輪
6:磨削頭
7:磨削砂輪
10:高壓水供給機構
11:高壓水供給噴嘴
11a:第一高壓水供給噴嘴
11b:第二高壓水供給噴嘴
13:高壓水壓力
20:複合基板
21:樹脂基板
22:半導體器件晶片
23:電極

Claims (9)

  1. 一種包含樹脂的複合基板的磨削方法，對將一半導體器件晶片或一電極中的至少一方埋入一樹脂基板而形成的一複合基板的表面進行磨削，其中，所述包含樹脂的複合基板的磨削方法包括：使對所述複合基板的表面進行磨削的一磨削部件的至少一部分與所述表面接觸的工序；向所述複合基板的表面與所述磨削部件的一接觸部分或一非接觸部分中的至少一方供給水的工序；以及在所述供給水的工序的同時，對所述複合基板的所述表面進行磨削的磨削加工工序。
  2. 如請求項1所述的包含樹脂的複合基板的磨削方法，其中，所述磨削部件是一固定磨粒砂輪。
  3. 如請求項1所述的包含樹脂的複合基板的磨削方法，其中，向所述複合基板的表面與所述磨削部件的所述接觸部分和所述非接觸部分的雙方供給水。
  4. 如請求項1所述的包含樹脂的複合基板的磨削方法，其中，向所述複合基板的表面與所述磨削部件的所述非接觸部分供給的水是所供給的流量或壓力中的至少一方能夠調整的高壓水。
  5. 一種包含樹脂的複合基板的磨削裝置，其中，具有：一真空吸盤機構，搭載將一半導體器件晶片和一電極中的至少一方埋入一樹脂基板而形成的一複合基板並使其旋轉；一固定磨粒砂輪機構，一邊旋轉一邊對搭載於所述真空吸盤機構的所述複合基板進行磨削；一磨削水供給機構，向所述複合基板與所述固定磨粒砂輪的一接觸部分供給水；以及一高壓水供給機構，從一高壓水供給噴嘴向所述固定磨粒砂輪與所述複合基板的所述接觸部分和一非接觸部分的雙方供給一高壓水。
  6. 如請求項5所述的包含樹脂的複合基板的磨削裝置，其中，從所述高壓水供給噴嘴噴出的所述高壓水的壓力為3MPa～20MPa，且噴出角為5度～20度，所述固定磨粒砂輪與所述高壓水供給噴嘴的間隔為5mm～30mm。
  7. 如請求項5或6所述的包含樹脂的複合基板的磨削裝置，其中，所述高壓水供給噴嘴具有以1mm/sec～20mm/sec的速度且以1mm～10mm寬度擺動的機構。
  8. 如請求項5或6所述的包含樹脂的複合基板的磨削裝置，其中，所述真空吸盤機構具有能夠搭載表面面積為1000cm2 ～7000cm2 的所述複合基板的一吸附面積，且平坦地吸附厚度在0.1mm～2mm的範圍內的所述複合基板以便能夠進行磨削加工。
  9. 如請求項6所述的包含樹脂的複合基板的磨削裝置，其中，從所述高壓水供給噴嘴噴出的所述高壓水的壓力為10MPa～14MPa，且一噴出角為8度～12度，所述固定磨粒砂輪與所述高壓水供給噴嘴的間隔為15mm～25mm。
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