CN111347304A - 包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置，在包含树脂的大型的复合基板的磨削中，能够抑制磨削砂轮的堵塞，且能够有效且高精度地执行磨削工序。该方法对将半导体器件芯片或电极中的至少一方埋入树脂基板而形成的复合基板的表面进行磨削，具有：使对复合基板的表面进行磨削的磨削部件的至少一部分与所述表面接触的工序；向复合基板的表面与所述磨削部件的接触部分或非接触部分中的至少一方供给水的工序；以及在供给水的工序的同时，对所述复合基板的所述表面进行磨削的磨削加工工序。

Description

包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置
本申请以2018年12月20日向日本专利局提交的日本专利申请2018-238095为基础，享受该申请的优先权。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。
技术领域
本发明涉及基于用于同时大量生产半导体器件芯片等的封装技术的包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置。
背景技术
为了大量且低成本地生产半导体器件芯片等，开发了一种使用包含树脂的复合基板的FOPLP(Fan Out Panel Level Package：扇出型面板级封装)技术。
作为FOPLP技术采用多种方法。作为FOPLP技术的主要工序，首先，将完成的半导体器件晶片分割为半导体器件芯片。之后，将该分割的半导体器件芯片排列在大型树脂基板上。接着，在该排列有半导体器件芯片的树脂基板上形成有模制树脂。由此，半导体器件芯片被埋入所形成的模型内。然后，除去不需要的模制树脂，露出半导体器件芯片。然后，进行再次布线等。之后，在模制树脂部分分割半导体器件芯片。其结果是，完成了封装在模制树脂中的半导体器件芯片。
作为半导体器件芯片的封装方法，除了上述扇出方法以外，还具有扇入的方法。扇入方法在半导体器件芯片内形成全部电极。因此，电极的数量受到限制。
与此相对，在扇出方法中，在形成于半导体器件芯片的外部的树脂部分也能够形成电极。因此，扇出方法与扇入方法相比具有能够使电极的数量大宽度增加的优点。因此，逐渐成为用于对MPU(Microprocessor Unit：微处理器单元)和逻辑器件等的用于I/O的部件个数多的器件进行封装的主要的封装技术。
在FOPLP技术中，需要进行模制树脂加工。此外，有时在封装的同时也对Si或Cu的电极进行加工。作为这种FOPLP的加工方法，使用利用金刚石车刀的飞刀的方法(例如日本专利公开公报特开2015-139829号、日本专利公开公报特开2017-112226号)。该飞刀方法用于加工的成本高。此外，为了得到高平坦度而需要较长时间。此外，存在难以管理基板的厚度的课题。
如日本专利公开公报特开2014-28425号和日本专利公开公报特开2015-32679号所示，开发了一种能够全部解决飞刀的问题的磨削技术。并且，能够应用于晶片级的封装磨削和TSV(Through Silicon Via：硅穿孔)磨削。
发明内容
本发明提供一种包含树脂的复合基板的磨削方法，对将半导体器件芯片或电极中的至少一方埋入树脂基板而形成的复合基板的表面进行磨削，其中，所述磨削复合基板的表面的方法包括：使对所述复合基板的表面进行磨削的磨削部件的至少一部分与所述表面接触的工序；向所述复合基板的表面与所述磨削部件的接触部分或非接触部分中的至少一方供给水的工序；以及在所述供给水的工序的同时，对所述复合基板的所述表面进行磨削的磨削加工工序。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的包含树脂的复合基板的磨削装置的简要结构的图。
图2是表示本发明的实施方式的包含树脂的复合基板的磨削装置的简要结构的俯视图。此外，图2是表示用于供给高压水的高压水供给喷嘴的配置的一例的图。
图3是表示本发明的实施方式的包含树脂的复合基板的磨削装置的高压水供给喷嘴的附近的图。此外，图3是示意性地表示喷出高压水的高压水喷出口的位置的图。
图4是表示本发明的实施方式的包含树脂的复合基板的磨削装置的高压水供给喷嘴的附近的图。此外，图4是示意性地表示高压水供给喷嘴摆动的状态的剖视图。
图5A至图5D是表示本发明的实施方式的包含树脂的复合基板的磨削工序的图。图5A表示准备了包含树脂的复合基板的状态。图5B表示该复合基板载置于真空吸盘的状态。图5C表示对该复合基板进行磨削的状态。图5D表示完成了磨削的复合基板的状态。
图6A和图6B是表示由本发明实施方式的包含树脂的复合基板的磨削装置加工的复合基板的其他例的图。图6A表示形成有电极的半导体器件芯片埋入树脂基板内的复合基板。在该基板中，在该半导体器件芯片的外周形成有电极。图6B是表示仅埋入有半导体器件芯片的复合基板的图。
具体实施方式
在下面的详细说明中，出于说明的目的，为了提供对所发明的实施方式的彻底的理解，提出了许多具体的细节。然而，显然可以在没有这些具体细节的前提下实施一个或更多的实施方式。在其它的情况下，为了简化制图，示意性地示出了公知的结构和装置。
对作为包含树脂、金属和半导体器件芯片的大型基板的FOPLP进行磨削时，该磨削砂轮的适当化变得重要。为了使锋利度达到最大限度，要求磨削砂轮最佳地选择金刚石磨粒和粘结材料。
即，对于磨削砂轮的最佳化，从面粗糙度的要求出发，其磨粒粒径(粒度号)变得重要。此外，由于对树脂和金属进行磨削，所以为了使堵塞成为最小限度，粘结材料及其硬度变得重要。
例如，在通过最佳化的磨削砂轮对300mm见方以上的FOPLP基板进行加工的情况下，即使使用#500粒度号左右的低粒度号的砂轮，也会发生堵塞。存在由于该堵塞而无法连续加工多张基板的问题。此外，由于是低粒度号，所以还存在只能以100nm(Ra)左右的表面粗糙度进行磨削加工的问题。此外，在后续的工序中，需要通过研磨技术减小表面粗糙度并高精度地进行加工。其结果是，存在制造成本变高的问题。
本发明是鉴于上述情况而完成的。本发明的目的在于提供一种包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置，在包含树脂的大型的复合基板的磨削中，能够防止磨削砂轮的堵塞，并且能够有效且高精度地执行磨削工序。
本发明的包含树脂的复合基板的磨削方法，对将半导体器件芯片或电极中的至少一方埋入树脂基板而形成的复合基板的表面进行磨削，其中，所述包含树脂的复合基板的磨削方法包括：使对所述复合基板的表面进行磨削的磨削部件的至少一部分与所述表面接触的工序；向所述复合基板的表面与所述磨削部件的接触部分或非接触部分中的至少一方供给水的工序；以及在所述供给水的工序的同时，对所述复合基板的所述表面进行磨削的磨削加工工序。
此外，本发明的包含树脂的复合基板的磨削装置，具有：真空吸盘机构，搭载将半导体器件芯片和电极中的至少一方埋入树脂基板而形成的复合基板并使其旋转；固定磨粒砂轮机构，一边旋转一边对搭载于所述真空吸盘的所述复合基板进行磨削；磨削水供给机构，向所述复合基板与所述固定磨粒砂轮的接触部分供给水；以及高压水供给机构，从高压水供给喷嘴向所述固定磨粒砂轮与所述复合基板的接触部分和非接触部分的双方供给高压水。
根据本发明的包含树脂的复合基板的磨削方法，对将半导体器件芯片或电极中的至少一方埋入树脂基板而形成的复合基板的表面进行磨削，包括：使对所述复合基板的表面进行磨削的磨削部件的至少一部分与所述表面接触的工序；向所述复合基板的表面与所述磨削部件的接触部分或非接触部分中的至少一方供给水的工序；以及在所述供给水的工序的同时，对所述复合基板的所述表面进行磨削的磨削加工工序。这样，在本发明的方法中，从多个高压水供给喷嘴向固定磨粒砂轮与复合基板未接触的部分喷射高压水。由此，能够抑制固定磨粒砂轮的堵塞。因而，能够连续地对复合基板进行磨削。并且，例如，能够应用#2000以上的更高粒度号的磨削砂轮。其结果是，能够实现10nm(Ra)以下的表面粗糙度，还能够省略应当在磨削工序后进行的研磨工序。因而，能够实现FOPLP技术的产品加工的大幅度的低成本化。
此外，即便将固定磨粒砂轮的粘结材料设为高硬度化，也能够抑制堵塞。因此，还具有能够大幅度提高固定磨粒砂轮的寿命(产品寿命)的效果。因而，能够实现作为FOPLP技术的本来目的的低成本化。
此外，根据本发明的包含树脂的复合基板的磨削装置，具有：真空吸盘机构，搭载将半导体器件芯片和电极中的至少一方埋入树脂基板而形成的复合基板并使其旋转；固定磨粒砂轮机构，一边旋转一边对搭载于所述真空吸盘的所述复合基板进行磨削；磨削水供给机构，向所述复合基板与所述固定磨粒砂轮的接触部分供给水；以及高压水供给机构，从高压水供给喷嘴向所述固定磨粒砂轮与所述复合基板的接触部分和非接触部分的双方供给高压水。由此，当对大型的FOPLP基板进行磨削时，能够使固定磨粒砂轮不堵塞，并能够从多个高压水供给喷嘴向固定磨粒砂轮喷射高压水。因此，能够连续地对FOPLP基板进行磨削。
此外，根据本发明的包含树脂的复合基板的磨削装置，也可以为，从所述高压水供给喷嘴喷出的高压水的压力为3～20MPa，且喷出角为5～20度，所述固定磨粒砂轮与所述高压水供给喷嘴的间隔为5～30mm。通过这种结构，能够从高压水供给喷嘴喷出适合于固定磨粒砂轮的清洗的流量和水压的高压水。
此外，根据本发明的包含树脂的复合基板的磨削装置，也可以为，高压水供给喷嘴具有以1～20mm/sec的速度且以1～10mm宽度摆动的机构。由此，能够大范围地喷出高压水。因此，能够抑制大型的固定磨粒砂轮的堵塞。因此，能够高效率地对大型的FOPLP基板进行磨削。
此外，根据本发明的包含树脂的复合基板的磨削装置，也可以为，真空吸盘具有能够搭载表面面积为1000～7000cm2的复合基板的吸附面积，且平坦地吸附厚度在0.1～2mm的范围内的复合基板以便能够进行磨削加工。因此，能够有效且高精度地对大型的FOPLP基板进行磨削。其结果是，能够实现基于FOPLP技术的生产性优异的产品制造。
以下，基于附图对本发明实施方式的包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置进行详细说明。
图1是表示本发明的实施方式的对包含树脂的复合基板20进行磨削的磨削装置1的简要结构的剖视图。磨削装置1是对作为包含树脂的大型的FOPLP等的复合基板20进行磨削的装置。
磨削装置1具有：搭载加工对象的复合基板20的真空吸盘2、对复合基板20进行磨削的杯形的固定磨粒砂轮5、以及磨削水供给喷嘴8。
真空吸盘2是吸附并保持复合基板20的多孔吸盘。该真空吸盘2呈大致平板状的形态。并且，安装在磨削台3的上方。载置真空吸盘2的磨削台3由未图示的驱动装置绕旋转轴旋转驱动。在磨削加工工序中，在真空吸盘2的上表面载置复合基板20。并且，复合基板20与真空吸盘2和磨削台3一起绕旋转轴水平旋转。
固定磨粒砂轮5是杯形的砂轮，从上方对保持于真空吸盘2并旋转的复合基板20进行磨削。固定磨粒砂轮5具有：大致圆盘状的磨削头6，通过未图示的旋转机构水平旋转；以及磨削砂轮7，沿着圆周以大致圆形状安装在磨削头6的下部周缘附近。
此外，磨削装置1具有使固定磨粒砂轮5沿着上下方向移动的、基于未图示的滚珠丝杠的上下移动机构。在进行磨削加工工序时，位于水平旋转的固定磨粒砂轮5的磨削砂轮7的下部的未图示的刃尖与吸附于真空吸盘2的上表面并水平旋转的复合基板20的上表面接触。通过该刃尖对复合基板20的上表面进行磨削。
磨削水供给喷嘴8是向复合基板20与固定磨粒砂轮5的磨削砂轮7的接触部分的附近供给水的装置。水可以是纯水。具体而言，从未图示的磨削水供给装置经由磨削水供给喷嘴8供给纯水。然后，从磨削水供给喷嘴8的喷出口向复合基板20的上表面与磨削砂轮7的刃尖的接触部分的附近喷射纯水。
上述是用于磨削加工的优选的结构。但是，仅通过上述结构对包含树脂的大型的复合基板20进行高精度磨削是极为困难的。本实施方式的磨削装置1除了上述结构以外，还包括向固定磨粒砂轮5喷射高压水来进行清洗的高压水供给机构10。
在高压水供给机构10中设置有高压水供给喷嘴11和高压水压力控制器13。高压水供给喷嘴11向固定磨粒砂轮5的未与复合基板20接触的部分喷出高压水。高压水压力控制器13将向固定磨粒砂轮5喷出的高压水的压力和流量调整成所希望的值。然后，该高压水向高压水供给喷嘴11供给并朝向固定磨粒砂轮5喷出。
通过上述结构，在磨削加工工序中，由高压水供给机构10的高压水压力控制器13调整了压力和流量的纯水经由高压水供给喷嘴11向磨削砂轮7的刃尖附近喷射。
此处，在本实施方式的磨削装置1中，设置有多个高压水供给机构10的高压水供给喷嘴11。具体而言，例如，设置有第一高压水供给喷嘴11a和第二高压水供给喷嘴11b这两个高压水供给喷嘴11。另外，高压水供给机构10的该高压水供给喷嘴的数量并不限定于两个。即，该高压水供给喷嘴的数量也可以是三个以上。
这样，通过设置有多个高压水供给喷嘴11的结构，当对作为大型的FOPLP基板的复合基板20进行磨削时，为了使固定磨粒砂轮5不堵塞，能够从多个高压水供给喷嘴11向固定磨粒砂轮5喷射高压水。由此，能够连续地对FOPLP基板进行磨削。
图2是表示磨削装置1的简要结构的俯视图。并且，特别是表示多个高压水供给喷嘴11的配置的一例的图。
如图2所示，第一高压水供给喷嘴11a和第二高压水供给喷嘴11b可以以固定磨粒砂轮5的旋转中心为基准而配置在旋转圆周方向内的不同的位置。
详细来说，如图2所示，第一高压水供给喷嘴11a的高压水喷出口12a和第二高压水供给喷嘴11b的高压水喷出口12b以固定磨粒砂轮5的旋转中心为基准在旋转圆周方向内离开角度θ3。通过这种结构，如图1所示，能够向固定磨粒砂轮5的多个磨削砂轮7大范围地喷出高压水。其结果是，能够进行适合于防止固定磨粒砂轮5的堵塞的高压水的喷出。
图3是表示本实施方式的磨削装置1的高压水供给喷嘴11的高压水喷出口12的附近的图。并且，示意性地表示了高压水喷出口12在上下方向上的位置。
如图3所示，以从高压水喷出口12到固定磨粒砂轮5的磨削砂轮7的刃尖的距离L1、L2为5～30mm的方式配设高压水供给喷嘴11。更优选的是，从高压水喷出口12到磨削砂轮7的刃尖的距离L1、L2为15～25mm。通过这种结构，能够从高压水供给喷嘴11向固定磨粒砂轮5喷出适合于清洗的高压水。
此外，第一高压水供给喷嘴11a和第二高压水供给喷嘴11b中的任意一方可以配置成接近固定磨粒砂轮5。例如，如图3所示，第一高压水供给喷嘴11a可以配置成与第二高压水供给喷嘴11b相比接近固定磨粒砂轮5。在这种情况下，第一高压水供给喷嘴11a与第二高压水供给喷嘴11b相比在上下方向上配置在上方。即，第一高压水供给喷嘴11a的高压水喷出口12a与磨削砂轮7的分开距离L1和第二高压水供给喷嘴11b的高压水喷出口12b与磨削砂轮7的分开距离L2可以不同。
从高压水供给喷嘴11喷出的高压水的压力优选为3～20MPa。更优选为10～14MPa。并且，从高压水供给喷嘴11喷出的高压水的喷出角θ1、θ2优选为5～20度。更优选为8～12度。
从第一高压水供给喷嘴11a的高压水喷出口12a喷出的高压水的喷出角θ1与从第二高压水供给喷嘴11b的高压水喷出口12b喷出的高压水的喷出角θ2可以是不同的大小。例如，如图3所示，可以将从第一高压水供给喷嘴11a的高压水喷出孔12a喷出的高压水的喷出角θ1设定为比从第二高压水供给喷嘴11b的高压水喷出口12b喷出的高压水的喷出角θ2大。
图4是表示磨削装置1的高压水供给喷嘴11的高压水喷出口12的附近的剖视图。并且，该图示意性地表示了高压水供给喷嘴11摆动的状态。
如图4所示，高压水供给喷嘴11可以具有以1～20mm/sec的速度且以1～10mm的摆动宽度L3摆动的机构。由此，能够大范围地喷出高压水，并且能够防止大型的固定磨粒砂轮5的堵塞。因此，能够有效地对大型的FOPLP基板等复合基板20进行磨削。
另外，虽然省略了图示，但是高压水供给喷嘴11可以配设成其中心轴、即从喷嘴的喷出口喷出高压水的方向相对于固定磨粒砂轮5的旋转轴倾斜。并且，高压水供给喷嘴11也可以旋转自如地设置成中心轴以上述方式倾斜。
图5是表示复合基板20的磨削工序的图。图5A表示准备了包含树脂的复合基板20的状态。图5B表示该复合基板20载置于真空吸盘的状态。图5C表示对该复合基板20进行磨削的状态。图5D表示通过磨削完成了薄层化的状态的复合基板20。
如图5A所示，复合基板20例如是FOPLP基板。并且，在树脂基板21中埋入有半导体器件芯片22和电极23。详细来说，该复合基板20在树脂基板21中埋入有半导体器件芯片22。并且，在该半导体器件芯片22的外周形成有电极23。复合基板20是大型的安装基板，表面面积在1000～7000cm2的范围内，且厚度在0.1～2mm的范围内。
例如，树脂基板21使用环氧树脂。半导体器件芯片22使用硅(Si)。进而，电极23使用铜(Cu)或铝(Al)等金属。另外，树脂基板21能够应用聚氨酯树脂、硅树脂或聚酰亚胺树脂等各种密封材料。本实施方式的磨削装置1对于作为树脂基板21采用了插入有用于改善电气特性的二氧化硅填料的各种树脂的复合基板，也能够得到优异的磨削结果。
如图5B所示，包含树脂基板21的树脂且埋入有半导体器件芯片22的大型的复合基板20搭载在真空吸盘2上。详细来说，复合基板20将成为要磨削的面的树脂基板21侧的面作为上表面、将埋入有半导体器件芯片22等的面作为下表面，吸附并保持在真空吸盘2的上表面。
如图5C所示，在通过横向进给磨削进行加工的磨削工序中，水平旋转的固定磨粒砂轮5下降。然后，如上所述，与由真空吸盘2保持并水平旋转的复合基板20的上表面接触。由此，执行使复合基板20薄层化的磨削。
即，在磨削工序中，使磨削台3水平旋转。然后，使形成有磨削砂轮7的固定磨粒砂轮5的磨削头6旋转并下降。从磨削水供给喷嘴8向磨削砂轮7喷射高压纯水。即，向磨削砂轮7与应当磨削的基板20的表面接触的部分喷射纯水。此外，从两个高压水供给喷嘴11a、11b向磨削砂轮7喷射高压纯水并喷射纯水。即，也向磨削砂轮7与应当磨削的基板20的表面未接触的部分喷射纯水。为了抑制砂轮的堵塞，可以仅向接触的部分或未接触的部分的一方喷射高压水。此外，当然也可以向双方喷射。
在磨削工序中，首先，仅对复合基板20的上部的树脂基板21进行磨削。接着，伴随磨削向下方进展，同时对树脂基板21、半导体器件芯片22和电极23进行磨削。
此处，磨削加工的条件根据复合基板20磨削的面的状况适当调整，以便在磨削后得到优异的平坦度。例如，作为固定磨粒砂轮5的磨削砂轮7，可以选定陶瓷结合剂SD#4000砂轮。
使固定磨粒砂轮5下降的进给速度优选为10～30μm/min。此外，20μm/min最适合。固定磨粒砂轮5的旋转速度优选为1000～2000min-1。此外，1450min-1最适合。
真空吸盘2的旋转速度优选为100～400min-1。此外，197min-1最适合。从磨削水供给喷嘴8喷出的纯水的喷出量例如优选为10L/min。
从高压水供给喷嘴11喷出的高压水的压力根据复合基板20适当设定。如上所述为3～20MPa，优选为10～14MPa，例如12Mpa是适合的。从高压水供给喷嘴11喷出的高压水的喷出角θ1、θ2(参照图3)优选为5～20度。更优选为8～12度。
即使将两个高压水供给喷嘴11的纯水的喷出压力设为相同的条件，也能够得到适合的磨削结果。此处，可以根据复合基板20的尺寸或树脂基板21与电极23的面积比例等，将两个高压水供给喷嘴11的喷出压力设定为不同的条件。
例如，可以将第一磨削水供给喷嘴11a设为高压，并且将第二磨削水供给喷嘴11b设为低压。即，可以将从第一磨削水供给喷嘴11a喷出的高压水的压力设定为比从第二磨削水供给喷嘴11b喷出的高压水的压力高。此外，与此相反，可以将从第一磨削水供给喷嘴11a喷出的高压水的压力设定为低压，并且将从第二磨削水供给喷嘴11b喷出的高压水的压力设定为高压。
此外，参照图3，如上所述，可以将从第一高压水供给喷嘴11a的高压水喷出口12a喷出的高压水的喷出角θ1和从第二高压水供给喷嘴11b的高压水喷出口12b喷出的高压水的喷出角θ2分别设定为适当的角度。
这样，根据作为加工对象的复合基板20的状况，通过使高压水供给喷嘴11的纯水的喷出压力变化，能够良好地控制复合基板20的表面粗糙度和磨削速度。
参照图5D，通过上述磨削工序，能够得到以高精度地薄层化的复合基板20。具体而言，磨削后的复合基板20的树脂基板21的表面粗糙度为7～10nm(Ra)。半导体器件芯片22的表面粗糙度为3～5nm(Ra)。电极23的表面粗糙度为5～7nm(Ra)。
这样，通过基于磨削装置1的磨削加工，得到加工后的复合基板20的良好的面粗糙度。并且，没有发现因固定磨粒砂轮5的堵塞而产生的电极23的拖曳、变色。
图6是由本实施方式的磨削装置1加工的复合基板120的其他例子的图。图6A表示埋入有电极24形成在其表面上的半导体器件芯片122的树脂基板21。此外，在该复合基板120中，在该半导体器件芯片122的外周形成有电极23。图6B是表示仅埋入有半导体器件芯片22的复合基板220的图。
如图6A所示，本实施方式的磨削装置1也能够对在树脂基板21埋入有电极24形成在其表面上的半导体器件芯片122且在该半导体器件芯片122的外周形成有电极23的复合基板120进行磨削。
如图6B所示，磨削装置1也能够对在树脂基板21中仅埋入有半导体器件芯片22的复合基板220进行磨削。
此外，虽然省略了图示，但是磨削装置1也能够对在树脂基板21中仅埋入有电极23的复合基板进行磨削加工。
这样，即使是将多个半导体器件芯片22、122和电极23、24中的至少一方埋入树脂基板21而形成的复合基板20、120、220，磨削装置1也能够高精度且高效率地执行磨削加工。
如上所述，本实施方式的磨削装置1构成为，从多个高压水供给喷嘴11不仅对固定磨粒砂轮5与复合基板20的应当磨削的面接触的部分、也对未接触的部分喷射高压水。由此，能够抑制固定磨粒砂轮5的堵塞。因而，能够连续地对复合基板20进行磨削。
具体而言，例如能够连续地应用#2000以上的更高粒度号的磨削砂轮7。其结果是，能够实现10nm(Ra)以下的表面粗糙度。因此，能够省略应当在这种磨削工序后进行的研磨工序。并且，能够实现FOPLP技术的产品加工的大幅度的低成本化。
此外，根据本实施方式的磨削装置，即使将固定磨粒砂轮5的磨削砂轮7的粘结材料高硬度化，也能够抑制堵塞。因此，还具有能够大幅度提高固定磨粒砂轮5的寿命(产品寿命)的效果。其结果是，能够进一步促进作为FOPLP技术的本来目的的低成本化。
通过使用本实施方式的用于对由树脂基板21、半导体器件芯片22和电极23构成的复合基板20进行磨削的磨削方法或磨削装置1，能够实现与高速化和小型、高密度化对应的用于三维半导体器件的FOPLP基板加工。与此同时，达成作为重大课题的低成本化。并且，能够对半导体器件产业的发展做出很大贡献。
另外，本发明并不限定于上述实施方式。例如，作为本发明的磨削装置的固定磨粒砂轮，可以代替所述杯形的固定磨粒砂轮5转而使用其他形式的磨削砂轮。此外，例如固定磨粒砂轮可以设置成垂直旋转。此外，在不脱离本发明的主旨的范围内能够实施各种变更。
出于示例和说明的目的已经给出了所述详细的说明。根据上面的教导，许多变形和改变都是可能的。所述的详细说明并非没有遗漏或者旨在限制在这里说明的主题。尽管已经通过文字以特有的结构特征和/或方法过程对所述主题进行了说明，但应当理解的是，权利要求书中所限定的主题不是必须限于所述的具体特征或者具体过程。更确切地说，将所述的具体特征和具体过程作为实施权利要求书的示例进行了说明。

Claims (9)

1.一种包含树脂的复合基板的磨削方法，对将半导体器件芯片或电极中的至少一方埋入树脂基板而形成的复合基板的表面进行磨削，其特征在于，
所述包含树脂的复合基板的磨削方法包括：
使对所述复合基板的表面进行磨削的磨削部件的至少一部分与所述表面接触的工序；
向所述复合基板的表面与所述磨削部件的接触部分或非接触部分中的至少一方供给水的工序；以及
在所述供给水的工序的同时，对所述复合基板的所述表面进行磨削的磨削加工工序。
2.根据权利要求1所述的包含树脂的复合基板的磨削方法，其特征在于，
所述磨削部件是固定磨粒砂轮。
3.根据权利要求1所述的包含树脂的复合基板的磨削方法，其特征在于，
向所述复合基板的表面与所述磨削部件的接触部分和非接触部分的双方供给水。
4.根据权利要求1所述的包含树脂的复合基板的磨削方法，其特征在于，
向所述复合基板的表面与所述磨削部件的非接触部分供给的水是所供给的流量或压力中的至少一方能够调整的高压水。
5.一种包含树脂的复合基板的磨削装置，其特征在于，具有：
真空吸盘机构，搭载将半导体器件芯片和电极中的至少一方埋入树脂基板而形成的复合基板并使其旋转；
固定磨粒砂轮机构，一边旋转一边对搭载于所述真空吸盘的所述复合基板进行磨削；
磨削水供给机构，向所述复合基板与所述固定磨粒砂轮的接触部分供给水；以及
高压水供给机构，从高压水供给喷嘴向所述固定磨粒砂轮与所述复合基板的接触部分和非接触部分的双方供给高压水。
6.根据权利要求5所述的包含树脂的复合基板的磨削装置，其特征在于，
从所述高压水供给喷嘴喷出的高压水的压力为3～20MPa，且喷出角为5～20度，
所述固定磨粒砂轮与所述高压水供给喷嘴的间隔为5～30mm。
7.根据权利要求5或6所述的包含树脂的复合基板的磨削装置，其特征在于，
所述高压水供给喷嘴具有以1～20mm/sec的速度且以1～10mm宽度摆动的机构。
8.根据权利要求5或6所述的包含树脂的复合基板的磨削装置，其特征在于，
所述真空吸盘具有能够搭载表面面积为1000～7000cm2的所述复合基板的吸附面积，且平坦地吸附厚度在0.1～2mm的范围内的所述复合基板以便能够进行磨削加工。
9.根据权利要求6所述的包含树脂的复合基板的磨削装置，其特征在于，
从所述高压水供给喷嘴喷出的高压水的压力为10～14MPa，且喷出角为8～12度，
所述固定磨粒砂轮与所述高压水供给喷嘴的间隔为15～25mm。
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