CN110900313B - 基板磨削装置以及基板磨削方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板磨削装置以及基板磨削方法。基板磨削装置具备：工作台，在吸附并保持基板的状态下旋转；杯形的第一磨削砂轮，一边旋转一边磨削保持于所述工作台并旋转的所述基板；以及杯形的第二磨削砂轮，与所述第一磨削砂轮同时接近所述基板而一边旋转一边磨削所述基板。

Description

基板磨削装置以及基板磨削方法
本申请以2018年09月13日向日本专利局提交的日本专利申请2018-171475为基础，享受该申请的优先权。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及基板磨削装置以及基板磨削方法。
背景技术
以往，作为基板磨削方法，通过将旋转的杯形的磨削砂轮向下切入到保持于工作台而旋转的加工对象物的基板的上表面来磨削基板已被公众所知。例如，在日本专利发明公报特开2017-103441号中发明了通过杯形磨削砂轮对固定在吸附卡盘上的硅基板进行向下切入磨削加工。
此外，例如在日本专利发明公报特开2009-4406号中发明了具备由粗磨削用的磨削单元和精磨削用的磨削单元构成的两台磨削单元的半导体晶片的磨削装置。根据该文献所发明的磨削装置，通过转台向R方向旋转规定角度，将保持于卡盘工作台的晶片送入粗磨削用磨削单元的下方的一次加工位置。晶片在该位置处由粗磨削用的磨削单元粗磨削。接着，通过转台再次向R方向旋转规定角度，将晶片送入精磨削用的磨削单元的下方的二次加工位置。晶片在该位置处由精磨削用的磨削单元精磨削。
此外，例如在日本专利发明公报特开2014－65082号中发明了保持在保持工作台上的蓝宝石、SiC或者GaN等基板用的磨削装置。在该磨削装置中，设定有用于粗磨削基板的粗磨削位置、用于中磨削基板的中磨削位置以及用于精磨削基板的精磨削位置。在粗磨削位置、中磨削位置和精磨削位置分别设置有磨削装置。进而，这些磨削装置呈直线状配置。按照粗磨削、中磨削和精磨削的顺序对基板进行串联处理。
发明内容
一种基板磨削装置，具备：工作台，在吸附并保持基板的状态下旋转；杯形的第一磨削砂轮，一边旋转一边磨削保持于所述工作台并旋转的所述基板；以及杯形的第二磨削砂轮，与所述第一磨削砂轮同时接近所述基板而一边旋转一边磨削所述基板，所述第一磨削砂轮的粒度大于所述第二磨削砂轮的粒度，所述第一磨削砂轮构成为其磨削范围具有大于所述工作台的半径的直径，并且设置在所述磨削范围包括所述基板的旋转中心的位置，所述第二磨削砂轮构成为其磨削范围具有大于所述工作台的半径的直径，并且设置在接近所述基板的旋转中心且不与所述第一磨削砂轮接触的位置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的基板磨削装置的概要的俯视图。
图2是表示本发明的实施方式的基板磨削装置的磨削台附近的俯视图。
图3是示意性地表示本发明的实施方式的基板磨削装置的磨削台附近的纵截面图。
图4是示意性地表示本发明的实施方式的基板磨削装置的粗磨削工序中的基板的旋转中心附近的纵截面图。
图5是示意性地表示本发明的实施方式的基板磨削装置的精磨削工序中的基板的旋转中心附近的纵截面图。
图6是示意性地表示本发明的实施方式的基板磨削装置的精磨削工序中的基板的旋转中心附近的纵截面图。
附图标记说明：
10：基板磨削装置；11：精磨削砂轮；12：砂轮刃尖；14：精磨削立柱；15：粗磨削砂轮；16：砂轮刃尖；18：粗磨削立柱；20：工作台；21：旋转中心；22：粘贴壳体；23：待机台；24：磨削台；25：控制盘；26：尺寸确定装置；30：基板；31：上表面；32：凸部。
具体实施方式
在下面的详细说明中，出于说明的目的，为了提供对所发明的实施方式的彻底的理解，提出了许多具体的细节。然而，显然可以在没有这些具体细节的前提下实施一个或更多的实施方式。在其它的情况下，为了简化制图，示意性地示出了公知的结构和装置。
但是，在上述现有技术的基板磨削装置和基板磨削方法中，存在为了实现高效的磨削加工而需要改善的地方。具体而言，例如，谋求高效且高精度地磨削近年来不断大型化的WLP(Wafer Level Package)以及将WLP进一步大型化的大型安装基板PLP(Panel LevelPackage)等的技术。
例如，如日本专利发明公报特开2017-103441号所公开的现有技术那样，在通过旋转的杯形的磨削砂轮磨削旋转的基板的向下切入型的基板磨削装置中，如果通过1个种类的磨削砂轮磨削存在翘曲的大型安装基板，则加工时间会变长。
详细来说，在PLP等的大型安装基板中，除了基板尺寸大之外，基板的翘曲也大。这种基板即使在被真空吸附于工作台的吸盘机构的状态下，也成为与中央部分相比外周部隆起的形状。一般情况下，与基板的中央部分相比，外周部分先出100～200μm左右与磨削砂轮接触。由于对该100～200μm的厚度的部分也以精磨削的进给速度进行磨削，所以加工时间变长。
此外，在大型安装基板的磨削中，要求高精度地完成树脂的磨削面，并且也高精度地磨削铜电极来精加工。因此，使用磨损量变多的磨削砂轮。如上所述，在大型安装基板的磨削中，由于基板的翘曲大、磨削加工时间长，所以需要大量的磨削砂轮。
此外，在日本专利公开公报特开2009-4406号以及日本专利公开公报特开2014-65082号所公开的现有技术中，使用粗磨削用的砂轮以及精磨削用的砂轮等多种磨削砂轮，对通过转台等移动的基板依次执行磨削。在该方法中，为了应对大型安装基板，基板磨削装置变大。即，PLP等的大型安装基板与硅晶片等相比具有较大的面积。因此，要求具备与粗磨削工序和精磨削工序的两个工序对应的工作台的移动位置的大型基板磨削装置。但是，难以使基板磨削装置大型化。
此外，在PLP等的大型安装基板存在特有的翘曲。在这样的基板存在如下的特性，即，在通过磨削卡夹在工作台上的基板消除基板的翘曲后，从工作台卸下基板，当将基板再次卡夹在工作台上时，会产生另外的翘曲。因此，在设置粗磨削用的设备和精磨削用的设备，在将基板卡夹在粗磨削用的设备的工作台上进行粗磨削后，从工作台卸下基板，将基板输送至精磨削用的设备，将基板卡夹在该设备的工作台上进行精磨削的方法中，难以执行高精度的精磨削。
本发明的一个目的在于提供一种能够高效且高精度地磨削大型的基板的基板磨削装置以及基板磨削方法。
本发明的一个方式的基板磨削装置(本基板磨削装置)，具备：工作台，在吸附并保持基板的状态下旋转；杯形的第一磨削砂轮，一边旋转一边磨削保持于所述工作台并旋转的所述基板；以及杯形的第二磨削砂轮，与所述第一磨削砂轮同时接近所述基板而一边旋转一边磨削所述基板。
此外，本发明的一个方式的基板磨削方法(本基板磨削方法)，包括如下工序：卡夹工序，使基板吸附于旋转自如的工作台；以及磨削工序，通过使所述工作台旋转而使保持于所述工作台的所述基板旋转，并且使杯形的第一磨削砂轮和第二磨削砂轮一边旋转一边同时接近所述基板，磨削所述基板。
根据本基板磨削装置，具备一边旋转一边磨削保持于工作台并旋转的基板的杯形的第一磨削砂轮、以及与第一磨削砂轮同时接近基板并一边旋转一边磨削基板的杯形的第二磨削砂轮。由此，无需变更基板的位置，就能够通过第一磨削砂轮和第二磨削砂轮同时磨削基板。其结果是，能够抑制基板磨削装置的大型化，并且能够高效地磨削大型的基板。
例如，无需通过转台等输送翘曲大的PLP等的大型安装基板，能够通过第一磨削砂轮和第二磨削砂轮同时进行磨削。因而，能够实现短时间且高精度的磨削工序。
此外，根据本基板磨削装置，也可以为，第一磨削砂轮构成为其磨削范围具有大于工作台的半径的直径，并且设置在磨削范围包括基板的旋转中心的位置。进而，也可以为，第二磨削砂轮构成为其磨削范围具有大于工作台的半径的直径，并且设置在接近基板的旋转中心且不与第一磨削砂轮接触的位置。由此，能够通过第二磨削砂轮进行从基板的外周部到旋转中心附近的磨削，并且通过第一磨削砂轮高精度地磨削包括旋转中心在内的基板的被加工面的全部。
此外，根据本发明的基板磨削装置，也可以为，第一磨削砂轮的粒度大于第二磨削砂轮的粒度。即，第一磨削砂轮的磨粒直径小于第二磨削砂轮的磨粒直径。进而，也可以为，第一磨削砂轮和第二磨削砂轮构成为，在第二磨削砂轮比第一磨削砂轮更接近基板的状态下，第一磨削砂轮和第二磨削砂轮接近基板而磨削基板，之后，在第二磨削砂轮从基板离开的状态下，第一磨削砂轮接近基板而磨削基板。由此，能够通过第二磨削砂轮进行基板的粗磨削，之后，通过第一磨削砂轮进行基板的精磨削。由此，能够高效地执行从粗磨削到精磨削的工序。此外，能够使精磨削用的第一磨削砂轮的加工余量极少。由此，能够减少第一磨削砂轮的磨损量。
具体而言，根据本基板磨削装置，与通过1种磨削砂轮执行从粗磨削到精磨削为止的全部的磨削工序的现有技术的磨削方法相比，能够将磨削时间抑制在约1/2，并且能够将磨削砂轮的运行成本抑制在约1/3。
此外，本基板磨削方法包括如下工序：卡夹工序，使基板吸附于旋转自如的工作台；以及磨削工序，通过使工作台旋转而使保持于工作台的基板旋转，并且使杯形的第一磨削砂轮和第二磨削砂轮一边旋转一边同时接近基板，磨削基板。由此，在抑制基板磨削装置的大型化的同时，进行工作台的输送次数少的高效的基板磨削。
此外，根据本基板磨削方法，也可以为，第一磨削砂轮构成为其磨削范围具有大于工作台的半径的直径，并且，在磨削工序中进给至磨削范围包括基板的旋转中心的位置。进而，也可以为，第二磨削砂轮构成为其磨削范围具有大于工作台的半径的直径，并且，在磨削工序中进给至接近基板的旋转中心且不第一磨削砂轮接触的位置。由此，能够通过第二磨削砂轮进行从基板的外周部到旋转中心附近的磨削，并且通过第一磨削砂轮高效且高精度地磨削包括旋转中心在内的基板的被加工面的整体。
此外，根据本基板磨削方法，也可以为，第一磨削砂轮的粒度大于所述第二磨削砂轮的粒度。进而，也可以为，磨削工序包括如下工序：粗磨削工序，在第二磨削砂轮比第一磨削砂轮更接近基板的状态下，第一磨削砂轮和第二磨削砂轮接近基板而磨削基板；以及精磨削工序，在执行粗磨削工序后执行，在第二磨削砂轮从基板离开的状态下，第一磨削砂轮接近基板而磨削基板。由此，能够通过第二磨削砂轮进行基板的粗磨削，之后，通过第一磨削砂轮进行基板的精磨削。因此，能够在抑制第一磨削砂轮的磨削量的同时，高效且高精度地磨削大型安装基板等。
以下，基于附图对本发明的实施方式的基板磨削装置进行详细说明。图1是表示本发明的实施方式的基板磨削装置10的概要的俯视图。参照图1，基板磨削装置10是磨削或研磨基板30的装置。
作为基板磨削装置10的加工对象物的基板30，例如也可以是PLP等的大面积的安装基板、封装基板、其他的层叠基板、半导体基板或者电容器等元件用的基板。基板磨削装置10从基板30的主面高精度地磨削或研磨构成基板30的树脂层、铜电极以及半导体元件等。即便是具有翘曲的大面积的基板30，基板磨削装置10也能够高效地进行加工。
基板磨削装置10具有：用于设置作为加工对象物的基板30的待机台23；用于执行基板30的磨削的磨削台24；保持基板30的工作台20；作为第一磨削砂轮的精磨削砂轮11；以及作为第二磨削砂轮的粗磨削砂轮15。
待机台23是为了在磨削加工前将加工对象的基板30固定于工作台20以及为了在磨削加工后从工作台20卸下基板30的卡盘的载台。
在待机台23的上方设置有用于使基板30吸附在工作台20的真空吸盘的粘贴壳体22。在待机台23中，载置于工作台20的上表面的基板30被夹持在从上方下降的粘贴壳体22与下方的工作台20之间，通过真空吸附固定于工作台20。在将基板30固定于工作台20后，粘贴壳体22从基板30离开而上升。
工作台20是在磨削工序中在保持基板30的状态下旋转的工作台。工作台20设置成，能够在待机台23与磨削台24之间大致水平地移动而输送基板30。
具体而言，在待机台23中，基板30被吸附在工作台20的上表面。之后，工作台20移动到磨削台24的规定的位置，在支承基板30的状态下旋转。在基板30的磨削结束后，工作台20移动到待机台23的规定的位置。
磨削台24是用于执行基板30的磨削工序的位置。被吸附在工作台20的上表面的基板30与工作台20一起被输送到磨削台24。在磨削台24中，通过精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15进行基板30的磨削工序。
精磨削砂轮11是一边旋转一边磨削基板30的杯形的磨削砂轮。精磨削砂轮11由精磨削立柱14支承为能够沿着上下方向移动。精磨削砂轮11设置在被输送到磨削台24的工作台20和基板30的上方。
粗磨削砂轮15是一边旋转一边磨削基板30的杯形的磨削砂轮。粗磨削砂轮15由粗磨削立柱18支承为能够沿着上下方向移动。粗磨削砂轮15设置在被输送到磨削台24的工作台20和基板30的上方。
精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15能够一边同时旋转，一边同时接近保持于工作台20并旋转的基板30，磨削基板30。
此外，在磨削台24设置有尺寸确定装置26。尺寸确定装置26是为了高精度地磨削基板30而通过准确地检测基板30的上表面位置来测量基板30的加工尺寸的装置。
在基板磨削装置10设置有控制盘25。控制盘25具有用于输入各种信息的输入部、显示各种信息的监视器以及进行各种运算等的运算部等。控制盘25基于所输入的信息执行各种运算，进行与基板磨削装置10整体相关的加工的监视和控制等。
此外，在基板磨削装置10也可以设置用于清洗精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15的未图示的清洗液喷射装置。清洗液喷射装置具有用于向精磨削砂轮11吹喷清洗液的喷嘴以及用于向粗磨削砂轮15吹喷清洗液的喷嘴。
从喷嘴例如以3MPa至17MPa的压力向精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15的远离基板30的砂轮刃尖12、16(参照图3)附近喷射清洗液。由此，能够洗掉在磨削工序中附着于精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15的切屑，因此能够高精度地磨削基板30。
图2是表示基板磨削装置10的磨削台24附近的俯视图。图3是示意性地表示磨削台24附近的纵截面图。参照图2以及图3，在磨削台24，在基板30的上方并列设置有磨削基板30的精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15。
精磨削砂轮11主要是进行基板30的精磨削的砂轮。粗磨削砂轮15是进行基板30的粗磨削的砂轮。因此，精磨削砂轮11的粒度大于粗磨削砂轮15的粒度。此外，精磨削砂轮11的直径与粗磨削砂轮15的直径相等或者大于粗磨削砂轮15的直径。
精磨削砂轮11构成为磨削范围具有大于工作台20的半径的直径，并且设置在该磨削范围包括基板30的旋转中心21的位置。例如，精磨削砂轮11设置在通过基板30的旋转中心21的位置。由此，精磨削砂轮11能够高精度地精磨削基板30的被加工面即上表面31的整体。
粗磨削砂轮15构成为磨削范围具有大于工作台20的半径的直径，并且设置在接近基板30的旋转中心21且不与精磨削砂轮11接触的位置。由此，粗磨削砂轮15能够对上表面31中的从基板30的外周部到旋转中心21附近的范围进行粗磨削。
即，基板磨削装置10能够在磨削台24中，通过粗磨削砂轮15进行从基板30的外周部到旋转中心21附近的磨削，并通过精磨削砂轮11高精度地磨削包括旋转中心21在内的基板30的被加工面的全部。
这样，无需变更基板30的位置，就能够通过精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15同时磨削基板30。因此，无需分开设置粗磨削用的工作台设置设备和精磨削用的工作台设置设备。因此，能够抑制基板磨削装置10的大型化，并且能够高效地磨削大型的基板30。
例如，即使在加工对象的基板30为翘曲大的PLP等的大型安装基板等的情况下，也无需设置转台等来输送工作台20，能够通过精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15同时高效地磨削基板30。这样，根据基板磨削装置10，能够实现短时间且高精度的磨削工序。
接下来，对基于基板磨削装置10的基板制造方法进行详细说明。参照图1，首先，执行使基板30吸附于旋转自如的工作台20的卡夹工序。
在卡夹工序中，通过机器人等将作为加工对象物的基板30载置于位于待机台23的工作台20的上表面。然后，粘贴壳体22从基板30的上方下降，将基板30真空吸附于工作台20。然后，将保持基板30的工作台20从待机台23向磨削台24移动。
在磨削台24中，执行磨削基板30的磨削工序。在磨削工序中，首先，通过尺寸确定装置26测定基板30的厚度。粗磨削砂轮15定位在比基板30的上表面31(参照图3)高出空气切割量的位置。
在磨削工序中，通过精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15对保持于工作台20的基板30进行磨削。精磨削砂轮11以及粗磨削砂轮15与工作台20一起旋转，一边旋转一边下降，与基板30接触。另外，关于磨削工序的详细情况将在后面叙述。
通过磨削工序进行了磨削的基板30与工作台20一起从磨削台24移动到待机台23。然后，在磨削加工后，切断工作台20的真空吸附，将基板30从工作台20卸下。
接下来，参照图4至图6详细说明通过基板磨削装置10对基板30进行磨削的磨削工序。图4是示意性地表示粗磨削工序中的基板30的旋转中心21附近的纵截面图。在磨削工序中，首先，执行粗磨削工序。参照图4，在粗磨削工序中，精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15以粗磨削砂轮15比精磨削砂轮11更接近基板30的上表面31的状态接近基板30来磨削基板30。
从精磨削砂轮11的砂轮刃尖12到下方的粗磨削砂轮15的砂轮刃尖16的距离例如为1～50μm，优选为1～30μm。这样，在粗磨削工序中，在粗磨削砂轮15更接近基板30的状态下进行磨削。由此，通过粒度小且磨损少的磨削砂轮15，高效地进行基板30的除了旋转中心21附近的大范围的磨削。
如上所述，能够磨削基板30的包括旋转中心21的整体的精磨削砂轮11与粗磨削砂轮15同时一边旋转一边下降。由此，能够通过精磨削砂轮11对不接触粗磨削砂轮15而未被磨削的基板30的旋转中心21附近的凸部32进行粗磨削。粗磨削工序中的精磨削砂轮11的磨削范围是旋转中心21附近的狭窄范围。因此，能够抑制精磨削砂轮11的磨损。
在磨削工序中，精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15在维持彼此的位置关系不变的状态下以相同切入速度进给。粗磨削工序中的精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15的切入速度例如优选为10～300μm/分钟，更优选为30～300μm/分钟。由此，能够抑制精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15的磨损，并且能够进行高效且高精度的磨削。
图5是示意性地表示刚刚开始精磨削工序后的基板30的旋转中心21附近的纵截面图。在执行粗磨削工序后，如图5所示，粗磨削砂轮15移动到相比精磨削砂轮11靠上方的位置。即，粗磨削砂轮15的砂轮刃尖16配置在相比精磨削砂轮11的砂轮刃尖12靠上方的位置，成为从基板30的上表面31离开的状态。
在精磨削工序中，在粗磨削砂轮15不接触基板30的上表面的状态下，精磨削砂轮11一边旋转一边与基板30接触，对基板30进行磨削。由此，在粗磨削工序中，通过精磨削砂轮11对不接触粗磨削砂轮15的刃尖而未被粗磨削砂轮15磨削的基板30的旋转中心21附近的凸部32进行磨削。
精磨削工序中的精磨削砂轮11的切入速度例如优选为10～300μm/分钟，更优选为10～100μm/分钟。由此，能够抑制精磨削砂轮11的磨损，并且能够进行高效且高精度的磨削。
图6是示意性地表示精磨削工序中的基板30的旋转中心21附近的纵截面图。在开始精磨削工序后，通过精磨削砂轮11对基板30的图5所示的凸部32进行磨削。之后，如图6所示，继续执行精磨削砂轮11对基板30的磨削。由此，通过精磨削砂轮11的砂轮刃尖12，基板30的上表面31整体被高精度地精磨削而平坦化。
然后，通过精磨削砂轮11的精磨削，当由尺寸确定装置26测定的基板30的厚度成为指定的厚度时，停止精磨削砂轮11的下降。之后，执行在停止精磨削砂轮11的下降的状态下，使基板30和精磨削砂轮11的旋转持续规定时间的无火花磨削。之后，使精磨削砂轮11上升，停止基板30和精磨削砂轮11的旋转。由此，结束精磨削工序。
如上所述，在粗磨削工序中，通过粗磨削砂轮15对基板30的上表面31的大范围进行粗磨削。因此，精磨削工序中的精磨削砂轮11的加工余量极小。其结果是，精磨削砂轮11的磨损量减少。
具体而言，根据基板磨削装置10，与通过1种磨削砂轮执行从粗磨削到精磨削为止的全部的磨削工序的现有技术的磨削方法相比，能够将磨削时间抑制在约1/2以下，并且能够将磨削砂轮的运行成本抑制在约1/3以下。
另外，通过精磨削砂轮11和粗磨削砂轮15同时磨削基板30是指，例如精磨削砂轮11对基板30的磨削期间和粗磨削砂轮15对基板30的磨削期间一部分重叠。
如上所述，在本实施方式中，在抑制装置的大型化的同时，进行工作台20的输送次数少的高效的磨削加工。此外，能够在抑制精磨削砂轮11的磨削量的同时，高效且高精度地磨削大型安装基板等。
另外，本发明的实施方式并不限定于上述实施方式，能够在不脱离本发明的主旨的范围内实施各种变更。
出于示例和说明的目的已经给出了所述详细的说明。根据上面的教导，许多变形和改变都是可能的。所述的详细说明并非没有遗漏或者旨在限制在这里说明的主题。尽管已经通过文字以特有的结构特征和/或方法过程对所述主题进行了说明，但应当理解的是，权利要求书中所限定的主题不是必须限于所述的具体特征或者具体过程。更确切地说，将所述的具体特征和具体过程作为实施权利要求书的示例进行了说明。

Claims (4)

1.一种基板磨削装置，其特征在于，具备：
工作台，在吸附并保持基板的状态下旋转；
杯形的第一磨削砂轮，一边旋转地接近保持于所述工作台并旋转的所述基板的上表面，一边磨削所述基板的所述上表面；以及
杯形的第二磨削砂轮，与所述第一磨削砂轮同时一边旋转地接近所述基板的所述上表面，一边磨削所述基板的所述上表面，
所述第一磨削砂轮的粒度大于所述第二磨削砂轮的粒度，
所述第一磨削砂轮的磨削范围的直径大于从所述基板的旋转中心到所述基板的最外周的距离，并且砂轮刃尖设置在经过所述基板的旋转中心的位置，
所述第一磨削砂轮和所述第二磨削砂轮以所述第二磨削砂轮比所述第一磨削砂轮更接近所述基板的状态同时接近所述基板并磨削所述基板，之后，在所述第二磨削砂轮从所述基板离开的状态下，所述第一磨削砂轮接近所述基板并仅以所述第一磨削砂轮磨削所述基板。
2.根据权利要求1所述的基板磨削装置，其特征在于，
所述第一磨削砂轮的磨削范围的直径大于所述工作台的半径，
所述第二磨削砂轮的磨削范围的直径大于所述工作台的半径，并且所述第二磨削砂轮设置在接近所述基板的旋转中心且不与所述第一磨削砂轮接触的位置。
3.一种基板磨削方法，其特征在于，包括如下工序：
卡夹工序，使基板吸附于旋转自如的工作台；以及
磨削工序，通过使所述工作台旋转而使保持于所述工作台的所述基板旋转，并且使杯形的第一磨削砂轮和第二磨削砂轮旋转地接近所述基板的上表面，磨削所述基板的所述上表面，
所述第一磨削砂轮的粒度大于所述第二磨削砂轮的粒度，
所述第一磨削砂轮的磨削范围的直径大于从所述基板的旋转中心到所述基板的最外周的距离，并且，在所述磨削工序中将砂轮刃尖进给至经过所述基板的旋转中心的位置，
在所述磨削工序中，在所述第二磨削砂轮比所述第一磨削砂轮更接近所述基板的状态下，执行所述第一磨削砂轮和所述第二磨削砂轮同时接近所述基板并磨削所述基板的粗磨削工序，之后，在所述第二磨削砂轮从所述基板离开的状态下，执行所述第一磨削砂轮接近所述基板并仅以所述第一磨削砂轮磨削所述基板的精磨削工序。
4.根据权利要求3所述基板磨削方法，其特征在于，
所述第一磨削砂轮的磨削范围的直径大于所述工作台的半径，
所述第二磨削砂轮的磨削范围的直径大于所述工作台的半径，并且所述第二磨削砂轮在所述磨削工序中进给至接近所述基板的旋转中心且不与所述第一磨削砂轮接触的位置。
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