CN111480216B - 基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质 - Google Patents

基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质 Download PDF

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Abstract

用于处理基板的基板处理系统具有:第1周缘去除部,其具备与所述基板的周缘部抵接的第1磨具,将所述周缘部磨削至第1深度地去除;第2周缘去除部,其具备与所述基板的周缘部抵接的第2磨具,在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部之后,将该周缘部进一步磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除,所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小。

Description

基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质
技术领域
本申请基于2017年12月19日在日本提出申请的日本特愿2017-243303号主张优先权,将其内容引用于此。
本发明涉及用于处理基板的基板处理系统、使用该基板处理系统的基板处理方法以及计算机存储介质。
背景技术
近年来,在半导体器件的制造工序中,针对在表面形成有多个电子电路等器件的半导体晶圆(以下,称为晶圆),进行磨削以及研磨该晶圆的背面来使晶圆薄化的处理。而且,在对该薄化了的晶圆直接进行输送、进行后续的处理时,有可能在晶圆发生翘曲、破裂。因此,为了加强晶圆,例如进行将晶圆粘贴于支承基板的处理。
然而,通常晶圆的周缘部被进行倒角加工,在如上述那样对晶圆进行磨削以及研磨处理时,晶圆的周缘部形成锐利地尖的形状。于是,有可能在晶圆的周缘部产生碎裂,使晶圆受到损伤。因此,在磨削处理前预先进行除去晶圆的周缘部的、所谓的边缘修整。
例如在专利文献1中,作为进行边缘修整的装置,公开有纵轴型的平面磨削装置。在使用该纵轴型的平面磨削装置对晶圆的周缘部进行磨削的情况下,首先,使晶圆固定于工作台,并使工作台绕与铅垂轴线平行的轴线旋转。而且,在使旋转轴旋转而对杯形砂轮施加旋转之后,使旋转轴沿铅垂方向移动,从而使杯形砂轮的磨削面与晶圆抵接,对晶圆的周缘部进行磨削。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平9-216152号公报
发明内容
发明要解决的问题
如上述那样,在专利文献1所记载的平面磨削装置中,使用杯形砂轮对晶圆的周缘部进行磨削。在此,例如若欲加快周缘部的磨削速度,则需要增大杯形砂轮的磨粒的粒径。然而,在该情况下,晶圆的由于周缘部被磨削而暴露的表面(以下,称为暴露面)会变得粗糙,有时无法满足规定的品质。
另一方面,例如若欲提高晶圆的暴露面的表面特性,则需要减小杯形砂轮的磨粒的粒径。然而,在该情况下,周缘部的磨削费时,无法提高晶圆处理整体的生产效率。因而,如以往这样使用杯形砂轮进行边缘修整存在改善的余地。
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于,在通过磨削而去除基板的周缘部时,缩短去除周缘部所花费的时间,并且提高因周缘部被磨削而暴露的基板表面的表面特性。
用于解决问题的方案
用于解決上述问题的本发明的一技术方案的基板处理系统,其用于处理基板,该基板处理系统具有:第1周缘去除部,其具备与所述基板的周缘部抵接的第1磨具,将所述周缘部磨削至第1深度地去除;以及第2周缘去除部,其具备与所述基板的周缘部抵接的第2磨具,在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部之后,将该周缘部进一步磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除,所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小。
根据其他观点的本发明的一技术方案的基板处理方法,其用于处理基板,该基板处理方法具有:第1周缘去除工序,使第1磨具与所述基板的周缘部抵接,将所述周缘部磨削至第1深度地去除;第2周缘去除工序,在所述第1周缘去除工序之后,使第2磨具与所述基板的周缘部抵接,将所述周缘部磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除,所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小。
此外,根据其他观点的本发明的一技术方案的计算机存储介质,该计算机存储介质可读取,存储有程序,该程序用于在控制基板处理系统的控制部的计算机上运行,以利用该基板处理系统执行所述基板处理方法。
发明的效果
根据本发明的一技术方案,在通过磨削而去除基板的周缘部时,能够通过使用第1磨具,来缩短去除周缘部所花费的时间,提高基板处理的生产效率。此外,还能够通过使用第2磨具,来提高因周缘部被磨削而暴露的基板表面的表面特性。
附图说明
图1是示意地表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的俯视图。
图2是表示层叠晶圆的概略结构的侧视图。
图3是表示加工装置的概略结构的俯视图。
图4是表示第1周缘去除部(第2周缘去除部)的概略结构的侧视图。
图5是表示第1周缘去除部(第2周缘去除部)的概略结构的说明图。
图6是表示晶圆处理的主要工序的流程图。
图7是表示在晶圆处理的主要工序中磨削被处理晶圆的样子的说明图。
图8是表示在去除被处理晶圆的第2周缘部时第2周缘部的底面的拐角部弯曲的样子的说明图。
图9是表示利用修整板调整第2砂轮的磨削面的样子的说明图。
图10是示意地表示其他实施方式的基板处理系统的概略结构的俯视图。
具体实施方式
以下,对于本发明的实施方式,一边参照附图一边进行说明。另外,在本说明书以及附图中,对实质上具有相同的功能结构的要素,标记相同的附图标记而省略重复说明。
<基板处理系统>
首先,对本实施方式的基板处理系统的结构进行说明。图1是示意地表示基板处理系统1的概略结构的俯视图。另外,在以下,为了明确位置关系,规定互相正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向,将Z轴正方向设为铅垂向上的方向。
在本实施方式的基板处理系统1中,对如图2所示借助例如粘接剂G将作为基板的被处理晶圆W和支承晶圆S接合而成的层叠晶圆T进行处理,对被处理晶圆W进行薄化。以下,对于被处理晶圆W,将进行加工(磨削)的面(与粘接剂G所粘接的面相反的一侧的面)称为“加工面W1”,将与加工面W1相反的一侧的面称为“非加工面W2”。此外,对于支承晶圆S,将借助粘接剂G与被处理晶圆W接合的面称为“接合面S1”,将与接合面S1相反的一侧的面称为“非接合面S2”。另外,在本实施方式中,被处理晶圆W和支承晶圆S借助粘接剂G接合,但接合方法不限定于此。
被处理晶圆W为例如硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体晶圆,在非加工面W2形成有多个器件。另外,被处理晶圆W的周缘部被进行倒角加工,周缘部的截面朝向其顶端而厚度变薄。
支承晶圆S为支承被处理晶圆W的晶圆。此外,支承晶圆S与粘接剂G一起作为保护被处理晶圆W的非加工面W2的器件的保护件发挥功能。另外,在本实施方式中,对使用晶圆作为支承基板的情况进行说明,但也可以使用例如玻璃基板等其他基板来作为支承基板。
如图1所示,基板处理系统1具有连接送入送出站2和处理站3的结构,该送入送出站2在其与例如外部之间送入送出能够收纳多个层叠晶圆T的盒C,该处理站3具备对层叠晶圆T实施预定的处理的各种处理装置。
在送入送出站2设有盒载置台10。在图示的例中,在盒载置台10,多个例如四个盒C沿X轴方向载置自如地成为一列。
在送入送出站2,与盒载置台10相邻地设有晶圆输送区域20。在晶圆输送区域20设有在沿X轴方向延伸的输送路径21上移动自如的晶圆输送装置22。晶圆输送装置22具有用于保持并输送层叠晶圆T的例如两根输送臂23、23。各输送臂23构成为沿水平方向、沿铅垂方向、绕水平轴线以及绕铅垂轴线移动自如。另外,输送臂23的结构不限定于本实施方式,可以采用任意的结构。
在处理站3设有晶圆输送区域30。在晶圆输送区域30设有在沿Y轴方向延伸的输送路径31上移动自如的晶圆输送装置32。晶圆输送装置32具有保持并输送层叠晶圆T的例如两根输送臂33、33。各输送臂33构成为沿水平方向、沿铅垂方向、绕水平轴线以及绕铅垂轴线移动自如。另外,输送臂33的结构不限定于本实施方式,可以采用任意的结构。
在处理站3中,在晶圆输送区域30的周围设有加工装置40、CMP装置41(CMP:Chemical Mechanical Polishing、化学机械研磨)、第1周缘去除装置42、第2周缘去除装置43、第1清洗装置44以及第2清洗装置45。在晶圆输送区域30的X轴负方向侧,加工装置40和CMP装置41从Y轴正方向朝向负方向地排列配置。在晶圆输送区域30的X轴正方向侧,第1周缘去除装置42和第2周缘去除装置43从Y轴正方向朝向负方向地排列配置。在晶圆输送区域30的上方且Y轴负方向侧,第1清洗装置44和第2清洗装置45从Y轴正方向朝向负方向地排列配置。另外,在第2清洗装置45的下方,设有用于在晶圆输送装置22和晶圆输送装置32之间交接层叠晶圆T的传送装置(未图示)。
在以上的基板处理系统1设有控制部50。控制部50为例如计算机,具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储有用于控制基板处理系统1的对层叠晶圆T的处理的程序。此外,在程序存储部也存储有用于控制上述的各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作来实现基板处理系统1的后述的晶圆处理的程序。另外,也可以是,所述程序被存储在例如计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等计算机可读取的存储介质H,从该存储介质H加载到控制部50。
(加工装置)
如图3所示,加工装置40具有旋转台100、输送单元110、调整单元120、清洗单元130、粗磨削单元140、中磨削单元150以及精磨削单元160。
旋转台100构成为利用旋转机构(未图示)旋转自如。在旋转台100上设有四个用于对层叠晶圆T进行吸附保持的卡盘101。卡盘101均等地即每隔90度地配置在与旋转台100同一圆周上。四个卡盘101利用旋转台100旋转而能够移动到交接位置A0以及加工位置A1~A3。
在本实施方式中,交接位置A0为旋转台100的X轴正方向侧且Y轴负方向侧的位置,调整单元120和清洗单元130配置于交接位置A0的Y轴负方向侧。第1加工位置A1为旋转台100的X轴正方向侧且Y轴正方向侧的位置,粗磨削单元140配置于该第1加工位置A1。第2加工位置A2为旋转台100的X轴负方向侧且Y轴正方向侧的位置,中磨削单元150配置于该第2加工位置A2。第3加工位置A3为旋转台100的X轴负方向侧且Y轴负方向侧的位置,精磨削单元160配置于该第3加工位置A3。
卡盘101被保持于卡盘基座102。卡盘101以及卡盘基座102构成为能够利用旋转机构(未图示)旋转。
输送单元110为具备多个例如三个臂111~113的多关节型的机器人。三个臂111~113利用关节部(未图示)连接起来,利用这些关节部,第1臂111和第2臂112构成为以各自的基端部为中心旋转自如。在三个臂111~113中的顶端的第1臂111安装有用于对层叠晶圆T进行吸附保持的输送盘114。此外,三个臂111~113中的基端的第3臂113安装在用于使臂111~113沿铅垂方向移动的铅垂移动机构115。而且,具备该结构的输送单元110能够针对交接位置A0、调整单元120以及清洗单元130输送层叠晶圆T。
在调整单元120,调节磨削处理前的层叠晶圆T的水平方向的朝向。一边使保持于例如旋转卡盘(未图示)的层叠晶圆T旋转一边利用检测部(未图示)检测层叠晶圆T的凹口部的位置,从而调节该凹口部的位置来调节层叠晶圆T的水平方向的朝向。
在清洗单元130,对磨削处理后的层叠晶圆T保持于输送盘114的状态下的支承晶圆S的非接合面S2进行清洗,并对输送盘114进行清洗。
在粗磨削单元140,对被处理晶圆W的加工面W1进行粗磨削。粗磨削单元140具有粗磨削部141,该粗磨削部141具备环状形状且旋转自如的粗磨削磨具(未图示)。此外,粗磨削部141构成为能够沿着支柱142在铅垂方向以及水平方向上移动。而且,在保持于卡盘101的被处理晶圆W与粗磨削磨具抵接的状态下,使卡盘101和粗磨削磨具均旋转,从而对被处理晶圆W的加工面W1进行粗磨削。
在中磨削单元150,对被处理晶圆W的加工面W1进行中磨削。中磨削单元150具有中磨削部151,该中磨削部151具备环状形状且旋转自如的中磨削磨具(未图示)。此外,中磨削部151构成为能够沿着支柱152在铅垂方向以及水平方向上移动。另外,中磨削磨具的磨粒的粒度比粗磨削磨具的磨粒的粒度小。而且,在保持于卡盘101的被处理晶圆W的加工面W1与中磨削磨具抵接的状态下,使卡盘101和中磨削磨具均旋转,从而对加工面W1进行中磨削。
在精磨削单元160,对被处理晶圆W的加工面W1进行精磨削。精磨削单元160具有精磨削部161,该精磨削部161具备环状形状且旋转自如的精磨削磨具(未图示)。此外,精磨削部161构成为能够沿着支柱162在铅垂方向以及水平方向上移动。另外,精磨削磨具的磨粒的粒度比中磨削磨具的磨粒的粒度小。而且,在保持于卡盘101的被处理晶圆W的加工面W1与精磨削磨具抵接的状态下,使卡盘101和精磨削磨具均旋转,从而对加工面W1进行精磨削。
(CMP装置)
图1所示的CMP装置41具备例如两个用于对被处理晶圆W的加工面W1进行研磨的研磨部(未图示)。第1研磨部所使用的磨粒的粒度比第2研磨部所使用的磨粒的粒度大。而且,在第1研磨部对加工面W1进行粗研磨,在第2研磨部对加工面W1进行精研磨。另外,CMP装置41的结构能够采用进行化学研磨处理的常用结构。例如既可以使被处理晶圆W的加工面W1朝向上方也就是以面朝上的状态进行处理,也可以使加工面W1朝向下方也就是以面朝下的状态进行处理。
(周缘去除装置)
第1周缘去除装置42和第2周缘去除装置43分别用于去除被处理晶圆W的周缘部。即,在基板处理系统1中,被处理晶圆W的周缘部以两个阶段来去除。
第1周缘去除装置42具有保持层叠晶圆T(被处理晶圆W)的作为基板保持部的卡盘200。卡盘200支承于卡盘台201,构成为在沿X轴方向延伸的输送路径202上移动自如。此外,卡盘200构成为能够利用旋转机构(未图示)旋转。另外,在本实施方式中,卡盘台201和输送路径202构成本发明的移动机构。此外,本发明的移动机构只要是使卡盘200和后述的第1砂轮211沿水平方向相对地移动即可,既可以是使第1砂轮211沿水平方向移动,或者也可以是使卡盘200和第1砂轮211两者都沿水平方向移动。
此外,第1周缘去除装置42配置于卡盘200的上方,具有用于去除在卡盘200保持的被处理晶圆W的周缘部的第1周缘去除部210。如图4所示,第1周缘去除部210具有第1砂轮211、支承轮212、旋转轴213以及驱动部214。
固定有第1砂轮211的支承轮212支承于旋转轴213的旋转轴法兰盘213a,在旋转轴213设有驱动部214。驱动部214内置有例如马达(未图示),经由旋转轴213使第1砂轮211和支承轮212旋转。此外,旋转轴213和驱动部214构成为利用升降机构215升降自如。
如图5所示,第1砂轮211和支承轮212在俯视时均具有圆环形状(环形状)。第1砂轮211包含磨粒,与被处理晶圆W的周缘部We抵接,用于磨削而去除该周缘部We。另外,在本实施方式中,第1砂轮211设为圆环形状,但不限定于此,也可以是例如以分割开的方式沿着支承轮212设置。
在第1周缘去除装置42中,首先,使被处理晶圆W沿水平方向移动,将第1砂轮211配置为第1砂轮211与被处理晶圆W抵接的范围同预先设定的预定的宽度一致。
接着,在使第1砂轮211下降并与被处理晶圆W的周缘部We抵接的状态下,使第1砂轮211和层叠晶圆T(被处理晶圆W)均旋转,从而通过磨削而去除周缘部We。此时,从使第1砂轮211与被处理晶圆W的加工面W1抵接的状态起,使该第1砂轮211向铅垂下方移动,从而自上方至下方地磨削而去除周缘部We。
另外,第2周缘去除装置43也具有与第1周缘去除装置42同样的结构。即,如图1以及图4所示,第2周缘去除装置43具有卡盘220、卡盘台221、输送路径222以及第2周缘去除部230(第2砂轮231、支承轮232、旋转轴233、驱动部234以及升降机构235)。不过,第2砂轮231的磨粒的粒度比第1砂轮211的磨粒的粒度小。
(清洗装置)
如图1所示,在第1清洗装置44对被处理晶圆W的加工面W1进行粗清洗,在第2清洗装置45对被处理晶圆W的加工面W1进行精清洗。
第1清洗装置44具有保持层叠晶圆T并使其旋转的旋转卡盘300和具备例如刷的擦洗清洁工具301。而且,一边使保持于旋转卡盘300的层叠晶圆T旋转一边使擦洗清洁工具301与被处理晶圆W的加工面W1抵接,从而清洗加工面W1。
第2清洗装置45具有保持层叠晶圆T并使其旋转的旋转卡盘310和向被处理晶圆W的加工面W1供给清洗液例如纯水的喷嘴311。而且,一边使保持于旋转卡盘310的层叠晶圆T旋转,一边自喷嘴311向被处理晶圆W的加工面W1供给清洗液。于是,被供给的清洗液在加工面W1上扩散,清洗该加工面W1。
<晶圆处理>
接着,对使用以上这样结构的基板处理系统1进行的晶圆处理进行说明。
首先,将收纳了多个层叠晶圆T的盒C载置于送入送出站2的盒载置台10。在盒C中以被处理晶圆W的加工面W1朝向上侧的方式收纳有层叠晶圆T。
接着,利用晶圆输送装置22取出盒C内的层叠晶圆T,而且,将层叠晶圆T借助传送装置(未图示)交接至晶圆输送装置32,向处理站3的第1周缘去除装置42输送。在第1周缘去除装置42,去除被处理晶圆W的周缘部We,在以下的说明中,有时将利用第1周缘去除装置42去除的周缘部We称为第1周缘部We1。
输送到第1周缘去除装置42的层叠晶圆T保持于卡盘200。而且,如图7的(a)所示,使第1砂轮211向铅垂下方移动,一边使该第1砂轮211旋转一边使其与被处理晶圆W的第1周缘部We1抵接。此时,第1砂轮211配置为与被处理晶圆W抵接的范围同预先设定的周向上的第1宽度L1(到被处理晶圆W的端部的距离)一致。
之后,在使第1砂轮211与第1周缘部We1抵接的状态下,使第1砂轮211和层叠晶圆T(被处理晶圆W)分别旋转,如图7的(b)所示,使第1砂轮211进一步向铅垂下方移动。于是,磨削第1周缘部We1。此时,第1砂轮211移动至预先设定的第1深度H1(到被处理晶圆W的加工面W1的距离)。该第1深度H1为第1砂轮211的下表面未到达粘接剂G的深度。
在如此磨削第1周缘部We1时,第1砂轮211的磨粒的粒度较大,因此能够加快该第1砂轮211对第1周缘部We1的磨削速度(下降速度)。其结果,能够以较短的时间进行第1周缘部We1的磨削。
之后,如图7的(c)所示,使第1砂轮211一边旋转一边上升。此时,以从第1砂轮211离开的方式使层叠晶圆T沿水平方向移动。在此,在第1砂轮211从被处理晶圆W离开时,即在第1砂轮211的下端和被处理晶圆W的上端处于相同高度时,若第1砂轮211的下端和被处理晶圆W的上端接触则它们有可能会卡挂,在被处理晶圆W的上端产生裂纹。对此,如本实施方式这样使层叠晶圆T沿水平方向移动,从而能够在第1砂轮211的下端和被处理晶圆W的上端处于相同高度时使它们分离开,能够抑制裂纹的产生。
这样,如图7的(d)所示,在被处理晶圆W中,去除第1宽度L1且第1深度H1的范围的第1周缘部We1,第1次的周缘部去除处理结束(图6的步骤P1)。
接着,层叠晶圆T由晶圆输送装置32向第2周缘去除装置43输送。还利用第2周缘去除装置43去除被处理晶圆W的周缘部We,在以下的说明中,有时将利用第2周缘去除装置43去除的周缘部We称为第2周缘部We2。
输送到第2周缘去除装置43的层叠晶圆T保持于卡盘220。而且,如图7的(e)所示,使第2砂轮231向铅垂下方移动,一边使该第2砂轮231旋转一边使其与被处理晶圆W的第2周缘部We2抵接。此时,第2砂轮231配置为与被处理晶圆W抵接的范围同预先设定的周向上的第2宽度L2(到被处理晶圆W的端部的距离)一致。
之后,在使第2砂轮231与第2周缘部We2抵接的状态下,使第2砂轮231和层叠晶圆T(被处理晶圆W)分别旋转,如图7的(f)所示,使第2砂轮231进一步向铅垂下方移动。于是,磨削第2周缘部We2。此时,第2砂轮231移动至预先设定的第2深度H2(到被处理晶圆W的加工面W1的距离)。该第2深度H2为第2砂轮231的下表面到达支承晶圆S的接合面S1的深度。另外,第2深度H2能够任意地设定。例如,也可以是将第2深度H2设定为粘接剂G的高度,且不磨削支承晶圆S的接合面S1。
在如此磨削第2周缘部We2时,第2砂轮231的磨粒的粒度较小,因此能够减小被磨削的第2周缘部We2的加工面的表面粗糙度,通过磨削第2周缘部We2从而能够提高被处理晶圆W的暴露的表面的表面特性。而且,被处理晶圆W的暴露的侧面We3的加工也较为美观(表面粗糙度较小)。
在此,第2次磨削的第2周缘部We2的第2宽度L2比第1次磨削的第1周缘部We1的第1宽度L1小。即,相对于被处理晶圆W的周缘部We而言,第2砂轮231配置于比第1砂轮211靠外侧的位置。而且,周缘部We在周向外侧仅剩余深度(H2-H1)、宽度(L1-L2)的范围的量。如上述那样,第2砂轮231的磨粒的粒度比第1砂轮211的磨粒的粒度小,因此,由第2砂轮231进行的磨削速度比由第1砂轮211进行的磨削速度慢。因此,对于第1周缘部We1的磨削,与利用第2砂轮231进行磨削相比,利用第1砂轮211进行磨削的效率高。此外,被处理晶圆W的因去除该第1周缘部We1而暴露的侧面(以下,称为暴露侧面)在如后述那样利用加工装置40对加工面W1进行磨削时,一起被去除。因此,即使被处理晶圆W的暴露侧面的表面特性较差,也由于最终会被去除,因此对于被处理晶圆W的质量没有影响。
之后,如图7的(g)所示,使第2砂轮231一边旋转一边上升。此时,以与第2砂轮231分离开的方式使层叠晶圆T沿水平方向移动。其结果,如使用图7的(c)说明了的那样,能够抑制在被处理晶圆W产生裂纹。
这样,如图7的(h)所示,在被处理晶圆W,去除第2宽度L2且第2深度H2的范围的第2周缘部We2,第2次的周缘部去除处理结束(图6的步骤P2)。
接着,层叠晶圆T由晶圆输送装置32向加工装置40输送。输送到加工装置40的层叠晶圆T交接至调整单元120。而且,在调整单元120,调节层叠晶圆T的水平方向的朝向(图6的步骤P3)。
接着,层叠晶圆T由输送单元110自调整单元120向交接位置A0输送,交接至该交接位置A0的卡盘101。之后,使旋转台100逆时针旋转90度,使卡盘101向第1加工位置A1移动。而且,利用粗磨削单元140,粗磨削被处理晶圆W的加工面W1(图6的步骤P4)。
接着,使旋转台100逆时针旋转90度,使卡盘101向第2加工位置A2移动。而且,利用中磨削单元150,中磨削被处理晶圆W的加工面W1(图6的步骤P5)。
接着,使旋转台100逆时针旋转90度,使卡盘101向第3加工位置A3移动。而且,利用精磨削单元160,精磨削被处理晶圆W的加工面W1(图6的步骤P6)。之后,如图7的(i)所示,被处理晶圆W的加工面W1被磨削。另外,图7的(i)所示的虚线的范围为利用这些磨削单元140、150、160磨削被处理晶圆W的加工面W1的范围,与上述的第1周缘部We1相对应的暴露侧面也被包含在内。此外,磨削被处理晶圆W的加工面W1的深度在第1深度H1和第2深度H2之间。
接着,使旋转台100逆时针旋转90度,或使旋转台100顺时针旋转270度,使卡盘101向交接位置A0移动。在此,被处理晶圆W的加工面W1由从清洗液喷嘴(未图示)喷出的清洗液清洗(图6的步骤P7)。
接着,层叠晶圆T由输送单元110自交接位置A0向清洗单元130输送。而且,在清洗单元130,在层叠晶圆T保持于输送盘114的状态下,清洗支承晶圆S的非接合面S2并使其干燥(图6的步骤P8)。
接着,层叠晶圆T由晶圆输送装置32向CMP装置41输送。在CMP装置41,利用第1研磨部(未图示)研磨(粗CMP)被处理晶圆W的加工面W1,之后,利用第2研磨部(未图示)研磨(精CMP)被处理晶圆W的加工面W1(图6的步骤P9)。
接着,层叠晶圆T由晶圆输送装置32向第1清洗装置44输送。输送到第1清洗装置44的层叠晶圆T保持于旋转卡盘300。而且,一边使保持于旋转卡盘300的层叠晶圆T旋转,一边使被处理晶圆W的加工面W1与擦洗清洁工具301抵接,清洗加工面W1(图6的步骤P10)。该步骤P10中的清洗为物理地去除加工面W1上的微粒等的清洗,为粗清洗。
接着,层叠晶圆T由晶圆输送装置32向第2清洗装置45输送。输送到第2清洗装置45的层叠晶圆T保持于旋转卡盘310。而且,一边使保持于旋转卡盘310的层叠晶圆T旋转,一边自喷嘴向被处理晶圆W的加工面W1供给清洗液,清洗加工面W1(图6的步骤P11)。该步骤P11中的清洗为最终的精清洗。
之后,实施了所有的处理的层叠晶圆T自晶圆输送装置32交接至晶圆输送装置22,向盒载置台10的盒C输送。这样,基板处理系统1的一系列的晶圆处理结束。
根据以上的实施方式,以步骤P1和步骤P2这两个阶段去除被处理晶圆W的周缘部We。在步骤P1中,第1砂轮211的磨粒的粒度较大,因此,能够缩短第1周缘部We1的去除时间,能够提高晶圆处理的生产效率。此外,在之后的步骤P2中,第2砂轮231的磨粒的粒度较小,因此,能够减小被去除的第2周缘部We2的加工面的表面粗糙度。如此使用粒度不同的两个砂轮211、231,从而能够缩短去除周缘部We所花费的时间,并且提高被处理晶圆W的因磨削第2周缘部We2而暴露的表面的表面特性。
此外,根据本实施方式,能够在一基板处理系统1中对多个被处理晶圆W连续进行一系列的处理,能够提高生产效率。
<砂轮的修整>
在以上的实施方式的步骤P2中,在使用第2砂轮231去除被处理晶圆W的第2周缘部We2时,如图8所示,有时第2周缘部We2的底面的拐角部N(图中的以虚线围起来的部分)弯曲。在该情况下,在自被处理晶圆W剥离支承晶圆S后,在被处理晶圆W的端面残留有弯曲部分,被处理晶圆W的周缘部We形成锐利地尖的形状,因此,有可能在被处理晶圆W的周缘部We产生碎裂,使被处理晶圆W受到损伤。
关于这一点,在例如步骤P2中,控制第2砂轮231的磨削速度、第2砂轮231的旋转速度等,从而能够在一定程度上抑制图8所示的第2周缘部We2的拐角部N的弯曲。然而,在重复使用第2砂轮231时,该第2砂轮231的磨削面会磨损,第2周缘部We2的拐角部N变得易于弯曲。
因此,优选的是,调整第2砂轮231的磨削面也就是进行修整。在修整第2砂轮231时,如图1以及图9所示,使用作为调整部的修整板400。修整板400在俯视时具有圆形状,在其周缘部具有台阶部401。
修整板400例如设于第2周缘去除装置43的内部且设于第2周缘去除部230的X轴正方向侧。在修整板400的下表面侧设有使该修整板400沿水平方向以及铅垂方向移动且旋转的移动机构410。移动机构410例如具有轴411、两根臂412、413以及驱动部414。轴411设于修整板400的下表面和第1臂412的顶端部之间。在第1臂412的顶端部设有旋转部(未图示),构成为利用该旋转部借助轴411使修整板400旋转自如。第1臂412和第2臂413由关节部(未图示)连接,构成为利用该关节部而第1臂412以基端部为中心旋转自如。第2臂413安装于驱动部414,构成为利用驱动部414而第2臂413以基端部为中心旋转自如并且沿铅垂方向移动自如。而且,利用具备该结构的移动机构410,修整板400能够相对于第2周缘去除部230进退自如地移动。
另外,修整板400不限定于设置在上述的第2周缘去除装置43的内部,能够设置于任意的位置。例如修整板400也可以预先载置于在第2周缘去除装置43的外部设置的、例如搁架等设置位置(未图示),在保持于卡盘200的状态下进行修整。
在该情况下,一边使第2砂轮231和修整板400均旋转,一边使修整板400的台阶部401与第2砂轮231的周缘部抵接。于是,在第2砂轮231的周缘部,分别磨削下表面231a和外侧面231b(第2周缘部We2的磨削面),使其平坦化。即,第2砂轮231的与图8所示的第2周缘部We2的拐角部N抵接的下端形成为直角。而且,在使用如此实施了修整的第2砂轮231来磨削第2周缘部We2时,能够使该第2周缘部We2的拐角部N形成为直角,能够抑制弯曲。
另外,对于第2砂轮231的修整,也可以是,事前使用例如激光位移计来检查第2砂轮231的周缘部中的下表面231a和外侧面231b的表面状态。具体地说,例如测量下表面231a和外侧面231b的高度。而且,检查的结果是在下表面231a和外侧面231b中的任一者或两者发现了磨损、异常突起等的情况下,进行第2砂轮231的修整。
此外,从抑制第2周缘部We2的拐角部N的弯曲的观点来看,也可以是第2砂轮231在侧视时具有锥形形状。使第2砂轮231的下表面的直径比上表面的直径大,即,下表面向外侧鼓出。在该情况下,即使第2砂轮231磨损,该第2砂轮231的下端在侧视时也形成为锐角,第2周缘部We2的拐角部N难以弯曲。
而且,在上述的例中,对第2砂轮231的修整进行了说明,但优选的是对于第1砂轮211也使用同样的修整板400进行修整。
<其他实施方式>
基板处理系统1的结构不限定于上述实施方式。例如在上述实施方式的基板处理系统1中,第2周缘去除部230设于加工装置40的外部的第2周缘去除装置43,但也可以如图10所示设于加工装置40的内部。在该情况下,第2周缘去除部230配置于第1加工位置A1,粗磨削单元140和精磨削单元160分别配置于第2加工位置A2和第3加工位置A3。另外,该情况省略了中磨削单元150。
在第1周缘去除装置42去除被处理晶圆W的第1周缘部We1,去除的范围(第1宽度L1和第1深度H1)通常较大。因此,即使使用粒度较大的第1砂轮211,有时第1周缘部We1的去除也会花费一定程度时间。
另一方面,利用第2周缘去除装置43去除的第2周缘部We2的范围(第2宽度L2和第2深度H2)通常较小。因此,即使将第2周缘去除部230设于加工装置40的内部,也不会使加工装置40内的生产效率降低。因而,如本实施方式这样,将第2周缘去除部230设于加工装置40的内部来提高晶圆处理整体的生产效率也是可能的。
此外,在上述实施方式的基板处理系统1中,加工装置40、CMP装置41、第1周缘去除装置42、第2周缘去除装置43、第1清洗装置44、第2清洗装置45的数量、配置能够任意地设计。
在上述实施方式的基板处理系统1中,分开设置第1周缘去除部210和第2周缘去除部230,但也可以使它们合体。例如在共用的支承轮(未图示)将第1砂轮211和第2砂轮231以同心圆状安装为两层。例如使第1砂轮211的直径较大且使第2砂轮231的直径较小,于是,将第2砂轮231配置于第1砂轮211的内侧。
在该情况下,在一个周缘去除装置的内部,使用第1周缘去除部210和第2周缘去除部230这两者,能够以两个阶段去除被处理晶圆W的周缘部We。因而,能够提高晶圆处理的生产效率。
在上述实施方式的基板处理系统1中,被处理晶圆W和支承晶圆S借助粘接剂G而接合在一起,但也可以代替该粘接剂G,使用例如双面胶带接合被处理晶圆W和支承晶圆S。
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但本发明不限定于该例子。在权利要求书所记载的技术思想的范围内想到各种变更例或修正例,对本领域技术人员而言是显而易见的,这些当然也属于本发明的保护范围。
附图标记的说明
1、基板处理系统;2、送入送出站;3、处理站;40、加工装置;41、CMP装置;42、第1周缘去除装置;43、第2周缘去除装置;50、控制部;140、粗磨削单元;141、粗磨削部;150、中磨削单元;151、中磨削部;160、精磨削单元;161、精磨削部;200、卡盘;201、卡盘台;202、输送路径;210、第1周缘去除部;211、第1砂轮;212、支承轮;213、旋转轴;214、驱动部;215、升降机构;220、卡盘;221、卡盘台;222、输送路径;230、第2周缘去除部;231、第2砂轮;232、支承轮;233、旋转轴;234、驱动部;235、升降机构;400、修整板;G、粘接剂;S、支承晶圆;T、层叠晶圆;W、被处理晶圆;W1、加工面;W2、非加工面;We(We1、We2)、周缘部(第1周缘部、第2周缘部)。

Claims (16)

1.一种基板处理系统,其用于处理基板,其中,
该基板处理系统具有:
第1周缘去除部,其具备与所述基板的周缘部抵接的第1磨具,将所述周缘部磨削至第1深度地去除;
第2周缘去除部,其具备与所述基板的周缘部抵接的第2磨具,在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部之后,将该周缘部进一步磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除,
所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小,
其中,该基板处理系统具有磨削部,该磨削部用于在利用所述第2周缘去除部去除所述周缘部之后、将所述基板的加工面磨削至所述第1深度和所述第2深度之间。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其中,
在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部前的所述基板的非加工面形成有器件,并且设有用于保护该器件的保护件。
3.根据权利要求1所述的基板处理系统,其中,
所述第2周缘去除部对所述周缘部的磨削速度比所述第1周缘去除部对所述周缘部的磨削速度慢。
4.根据权利要求1所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具有:
基板保持部,在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部时,该基板保持部用于保持所述基板;
升降机构,其使所述第1磨具升降;以及
移动机构,其使所述第1磨具和所述基板保持部沿水平方向相对地移动。
5.根据权利要求1所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具有:
基板保持部,在利用所述第2周缘去除部去除所述周缘部时,该基板保持部用于保持所述基板;
升降机构,其使所述第2磨具升降;以及
移动机构,其使所述第2磨具和所述基板保持部沿水平方向相对地移动。
6.根据权利要求1所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具有调整部,该调整部调整所述第1磨具的磨削面或所述第2磨具的磨削面。
7.一种基板处理系统,其用于处理基板,其中,
该基板处理系统具有:
第1周缘去除部,其具备与所述基板的周缘部抵接的第1磨具,将所述周缘部磨削至第1深度地去除;
第2周缘去除部,其具备与所述基板的周缘部抵接的第2磨具,在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部之后,将该周缘部进一步磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除,
所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小,
其中,利用所述第2周缘去除部去除的所述周缘部的周向上的宽度比利用所述第1周缘去除部去除的所述周缘部的周向上的宽度小。
8.一种基板处理方法,其用于处理基板,其中,
该基板处理方法具有:
第1周缘去除工序,使第1磨具与所述基板的周缘部抵接,将所述周缘部磨削至第1深度地去除;
第2周缘去除工序,在所述第1周缘去除工序之后,使第2磨具与所述基板的周缘部抵接,将所述周缘部磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除,
所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小,
其中,该基板处理方法具有磨削工序,在所述第2周缘去除工序之后,将所述基板的加工面磨削至所述第1深度和所述第2深度之间。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法,其中,
在所述第1周缘去除工序前的所述基板的非加工面形成有器件,并且设有用于保护该器件的保护件。
10.根据权利要求8所述的基板处理方法,其中,
所述第2周缘去除工序中对所述周缘部的磨削速度比所述第1周缘去除工序中对所述周缘部的磨削速度慢。
11.根据权利要求8所述的基板处理方法,其中,
在所述第1周缘去除工序中,
在使所述第1磨具与在基板保持部保持的所述基板的周缘部抵接的状态下,使该第1磨具下降而将所述周缘部磨削至所述第1深度,
之后,使所述第1磨具上升,并且使所述第1磨具和所述基板保持部沿水平方向相对地移动而分离开。
12.根据权利要求8所述的基板处理方法,其中,
在所述第2周缘去除工序中,
在使所述第2磨具与在基板保持部保持的所述基板的周缘部抵接状态下,使该第2磨具下降而将所述周缘部磨削至所述第2深度,
之后,使所述第2磨具上升,并且使所述第2磨具和所述基板保持部沿水平方向相对地移动而分离开。
13.根据权利要求8所述的基板处理方法,其中,
该基板处理方法具有调整工序,调整所述第1磨具的磨削面或所述第2磨具的磨削面。
14.一种基板处理方法,其用于处理基板,其中,
该基板处理方法具有:
第1周缘去除工序,使第1磨具与所述基板的周缘部抵接,将所述周缘部磨削至第1深度地去除;
第2周缘去除工序,在所述第1周缘去除工序之后,使第2磨具与所述基板的周缘部抵接,将所述周缘部磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除,
所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小,
其中,利用所述第2周缘去除工序去除的所述周缘部的周向上的宽度比利用所述第1周缘去除工序去除的所述周缘部的周向上的宽度小。
15.一种计算机存储介质,该计算机存储介质可读取,存储有程序,该程序用于在控制基板处理系统的控制部的计算机上运行,以利用该基板处理系统执行用于处理基板的基板处理方法,其中,
所述基板处理方法具有:
第1周缘去除工序,使第1磨具与所述基板的周缘部抵接,将所述周缘部磨削至第1深度地去除;
第2周缘去除工序,在所述第1周缘去除工序之后,使第2磨具与所述基板的周缘部抵接,将所述周缘部磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除,
所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小,
其中,该基板处理方法具有磨削工序,在所述第2周缘去除工序之后,将所述基板的加工面磨削至所述第1深度和所述第2深度之间。
16.一种计算机存储介质,该计算机存储介质可读取,存储有程序,该程序用于在控制基板处理系统的控制部的计算机上运行,以利用该基板处理系统执行用于处理基板的基板处理方法,其中,
所述基板处理方法具有:
第1周缘去除工序,使第1磨具与所述基板的周缘部抵接,将所述周缘部磨削至第1深度地去除;
第2周缘去除工序,在所述第1周缘去除工序之后,使第2磨具与所述基板的周缘部抵接,将所述周缘部磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除,
所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小,
其中,利用所述第2周缘去除工序去除的所述周缘部的周向上的宽度比利用所述第1周缘去除工序去除的所述周缘部的周向上的宽度小。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7237557B2 (ja) * 2018-12-14 2023-03-13 株式会社東京精密 貼り合わせウェーハのエッジトリミング加工方法
JP7262904B2 (ja) * 2019-08-26 2023-04-24 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
JP7262903B2 (ja) * 2019-08-26 2023-04-24 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
CN111673607B (zh) * 2020-04-28 2021-11-26 北京烁科精微电子装备有限公司 一种化学机械平坦化设备
JP2022092769A (ja) * 2020-12-11 2022-06-23 株式会社ディスコ エッジトリミング方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209408A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Mitsubishi Materials Shilicon Corp Soi基板の製造方法
CN101399174A (zh) * 2007-09-28 2009-04-01 东京毅力科创株式会社 基板清洁装置及方法、基板处理装置及方法以及存储介质
JP2009259873A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法
CN101745851A (zh) * 2008-12-03 2010-06-23 株式会社迪思科 磨削装置以及磨削方法
CN102194667A (zh) * 2010-03-02 2011-09-21 S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 使用热机械作用通过修整制造多层结构的过程
JP2014003198A (ja) * 2012-06-20 2014-01-09 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
WO2014199845A1 (ja) * 2013-06-13 2014-12-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
CN105632976A (zh) * 2014-11-26 2016-06-01 东京毅力科创株式会社 测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具
WO2017018219A1 (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09216152A (ja) 1996-02-09 1997-08-19 Okamoto Kosaku Kikai Seisakusho:Kk 端面研削装置及び端面研削方法
JP3515917B2 (ja) * 1998-12-01 2004-04-05 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2001157959A (ja) * 1999-11-30 2001-06-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd 平面加工装置
JP4918229B2 (ja) * 2005-05-31 2012-04-18 信越半導体株式会社 貼り合わせウエーハの製造方法
JP4839818B2 (ja) * 2005-12-16 2011-12-21 信越半導体株式会社 貼り合わせ基板の製造方法
JP5119614B2 (ja) * 2006-06-13 2013-01-16 株式会社東京精密 ウェーハ外周部研削方法
JP5922342B2 (ja) * 2011-05-10 2016-05-24 株式会社ディスコ ウエーハの面取り部除去装置
TWI663025B (zh) * 2012-09-24 2019-06-21 日商荏原製作所股份有限公司 Grinding method and grinding device
JP6100541B2 (ja) * 2013-01-30 2017-03-22 株式会社荏原製作所 研磨方法
JP2016127232A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209408A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Mitsubishi Materials Shilicon Corp Soi基板の製造方法
CN101399174A (zh) * 2007-09-28 2009-04-01 东京毅力科创株式会社 基板清洁装置及方法、基板处理装置及方法以及存储介质
JP2009259873A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法
CN101745851A (zh) * 2008-12-03 2010-06-23 株式会社迪思科 磨削装置以及磨削方法
CN102194667A (zh) * 2010-03-02 2011-09-21 S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 使用热机械作用通过修整制造多层结构的过程
JP2014003198A (ja) * 2012-06-20 2014-01-09 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
WO2014199845A1 (ja) * 2013-06-13 2014-12-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
CN105308725A (zh) * 2013-06-13 2016-02-03 东京毅力科创株式会社 基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质
CN105632976A (zh) * 2014-11-26 2016-06-01 东京毅力科创株式会社 测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具
WO2017018219A1 (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

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