CN111480216B - 基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质 - Google Patents

基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质 Download PDF

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Abstract

用于处理基板的基板处理系统具有：第1周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第1磨具，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；第2周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第2磨具，在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部之后，将该周缘部进一步磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除，所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小。

Description

基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质
技术领域
本申请基于2017年12月19日在日本提出申请的日本特愿2017-243303号主张优先权，将其内容引用于此。
本发明涉及用于处理基板的基板处理系统、使用该基板处理系统的基板处理方法以及计算机存储介质。
背景技术
近年来，在半导体器件的制造工序中，针对在表面形成有多个电子电路等器件的半导体晶圆(以下，称为晶圆)，进行磨削以及研磨该晶圆的背面来使晶圆薄化的处理。而且，在对该薄化了的晶圆直接进行输送、进行后续的处理时，有可能在晶圆发生翘曲、破裂。因此，为了加强晶圆，例如进行将晶圆粘贴于支承基板的处理。
然而，通常晶圆的周缘部被进行倒角加工，在如上述那样对晶圆进行磨削以及研磨处理时，晶圆的周缘部形成锐利地尖的形状。于是，有可能在晶圆的周缘部产生碎裂，使晶圆受到损伤。因此，在磨削处理前预先进行除去晶圆的周缘部的、所谓的边缘修整。
例如在专利文献1中，作为进行边缘修整的装置，公开有纵轴型的平面磨削装置。在使用该纵轴型的平面磨削装置对晶圆的周缘部进行磨削的情况下，首先，使晶圆固定于工作台，并使工作台绕与铅垂轴线平行的轴线旋转。而且，在使旋转轴旋转而对杯形砂轮施加旋转之后，使旋转轴沿铅垂方向移动，从而使杯形砂轮的磨削面与晶圆抵接，对晶圆的周缘部进行磨削。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平9-216152号公报
发明内容
发明要解决的问题
如上述那样，在专利文献1所记载的平面磨削装置中，使用杯形砂轮对晶圆的周缘部进行磨削。在此，例如若欲加快周缘部的磨削速度，则需要增大杯形砂轮的磨粒的粒径。然而，在该情况下，晶圆的由于周缘部被磨削而暴露的表面(以下，称为暴露面)会变得粗糙，有时无法满足规定的品质。
另一方面，例如若欲提高晶圆的暴露面的表面特性，则需要减小杯形砂轮的磨粒的粒径。然而，在该情况下，周缘部的磨削费时，无法提高晶圆处理整体的生产效率。因而，如以往这样使用杯形砂轮进行边缘修整存在改善的余地。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，在通过磨削而去除基板的周缘部时，缩短去除周缘部所花费的时间，并且提高因周缘部被磨削而暴露的基板表面的表面特性。
用于解决问题的方案
用于解決上述问题的本发明的一技术方案的基板处理系统，其用于处理基板，该基板处理系统具有：第1周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第1磨具，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；以及第2周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第2磨具，在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部之后，将该周缘部进一步磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除，所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小。
根据其他观点的本发明的一技术方案的基板处理方法，其用于处理基板，该基板处理方法具有：第1周缘去除工序，使第1磨具与所述基板的周缘部抵接，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；第2周缘去除工序，在所述第1周缘去除工序之后，使第2磨具与所述基板的周缘部抵接，将所述周缘部磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除，所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小。
此外，根据其他观点的本发明的一技术方案的计算机存储介质，该计算机存储介质可读取，存储有程序，该程序用于在控制基板处理系统的控制部的计算机上运行，以利用该基板处理系统执行所述基板处理方法。
发明的效果
根据本发明的一技术方案，在通过磨削而去除基板的周缘部时，能够通过使用第1磨具，来缩短去除周缘部所花费的时间，提高基板处理的生产效率。此外，还能够通过使用第2磨具，来提高因周缘部被磨削而暴露的基板表面的表面特性。
附图说明
图1是示意地表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的俯视图。
图2是表示层叠晶圆的概略结构的侧视图。
图3是表示加工装置的概略结构的俯视图。
图4是表示第1周缘去除部(第2周缘去除部)的概略结构的侧视图。
图5是表示第1周缘去除部(第2周缘去除部)的概略结构的说明图。
图6是表示晶圆处理的主要工序的流程图。
图7是表示在晶圆处理的主要工序中磨削被处理晶圆的样子的说明图。
图8是表示在去除被处理晶圆的第2周缘部时第2周缘部的底面的拐角部弯曲的样子的说明图。
图9是表示利用修整板调整第2砂轮的磨削面的样子的说明图。
图10是示意地表示其他实施方式的基板处理系统的概略结构的俯视图。
具体实施方式
以下，对于本发明的实施方式，一边参照附图一边进行说明。另外，在本说明书以及附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素，标记相同的附图标记而省略重复说明。
＜基板处理系统＞
首先，对本实施方式的基板处理系统的结构进行说明。图1是示意地表示基板处理系统1的概略结构的俯视图。另外，在以下，为了明确位置关系，规定互相正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，将Z轴正方向设为铅垂向上的方向。
在本实施方式的基板处理系统1中，对如图2所示借助例如粘接剂G将作为基板的被处理晶圆W和支承晶圆S接合而成的层叠晶圆T进行处理，对被处理晶圆W进行薄化。以下，对于被处理晶圆W，将进行加工(磨削)的面(与粘接剂G所粘接的面相反的一侧的面)称为“加工面W1”，将与加工面W1相反的一侧的面称为“非加工面W2”。此外，对于支承晶圆S，将借助粘接剂G与被处理晶圆W接合的面称为“接合面S1”，将与接合面S1相反的一侧的面称为“非接合面S2”。另外，在本实施方式中，被处理晶圆W和支承晶圆S借助粘接剂G接合，但接合方法不限定于此。
被处理晶圆W为例如硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体晶圆，在非加工面W2形成有多个器件。另外，被处理晶圆W的周缘部被进行倒角加工，周缘部的截面朝向其顶端而厚度变薄。
支承晶圆S为支承被处理晶圆W的晶圆。此外，支承晶圆S与粘接剂G一起作为保护被处理晶圆W的非加工面W2的器件的保护件发挥功能。另外，在本实施方式中，对使用晶圆作为支承基板的情况进行说明，但也可以使用例如玻璃基板等其他基板来作为支承基板。
如图1所示，基板处理系统1具有连接送入送出站2和处理站3的结构，该送入送出站2在其与例如外部之间送入送出能够收纳多个层叠晶圆T的盒C，该处理站3具备对层叠晶圆T实施预定的处理的各种处理装置。
在送入送出站2设有盒载置台10。在图示的例中，在盒载置台10，多个例如四个盒C沿X轴方向载置自如地成为一列。
在送入送出站2，与盒载置台10相邻地设有晶圆输送区域20。在晶圆输送区域20设有在沿X轴方向延伸的输送路径21上移动自如的晶圆输送装置22。晶圆输送装置22具有用于保持并输送层叠晶圆T的例如两根输送臂23、23。各输送臂23构成为沿水平方向、沿铅垂方向、绕水平轴线以及绕铅垂轴线移动自如。另外，输送臂23的结构不限定于本实施方式，可以采用任意的结构。
在处理站3设有晶圆输送区域30。在晶圆输送区域30设有在沿Y轴方向延伸的输送路径31上移动自如的晶圆输送装置32。晶圆输送装置32具有保持并输送层叠晶圆T的例如两根输送臂33、33。各输送臂33构成为沿水平方向、沿铅垂方向、绕水平轴线以及绕铅垂轴线移动自如。另外，输送臂33的结构不限定于本实施方式，可以采用任意的结构。
在处理站3中，在晶圆输送区域30的周围设有加工装置40、CMP装置41(CMP：Chemical Mechanical Polishing、化学机械研磨)、第1周缘去除装置42、第2周缘去除装置43、第1清洗装置44以及第2清洗装置45。在晶圆输送区域30的X轴负方向侧，加工装置40和CMP装置41从Y轴正方向朝向负方向地排列配置。在晶圆输送区域30的X轴正方向侧，第1周缘去除装置42和第2周缘去除装置43从Y轴正方向朝向负方向地排列配置。在晶圆输送区域30的上方且Y轴负方向侧，第1清洗装置44和第2清洗装置45从Y轴正方向朝向负方向地排列配置。另外，在第2清洗装置45的下方，设有用于在晶圆输送装置22和晶圆输送装置32之间交接层叠晶圆T的传送装置(未图示)。
在以上的基板处理系统1设有控制部50。控制部50为例如计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储有用于控制基板处理系统1的对层叠晶圆T的处理的程序。此外，在程序存储部也存储有用于控制上述的各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作来实现基板处理系统1的后述的晶圆处理的程序。另外，也可以是，所述程序被存储在例如计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等计算机可读取的存储介质H，从该存储介质H加载到控制部50。
(加工装置)
如图3所示，加工装置40具有旋转台100、输送单元110、调整单元120、清洗单元130、粗磨削单元140、中磨削单元150以及精磨削单元160。
旋转台100构成为利用旋转机构(未图示)旋转自如。在旋转台100上设有四个用于对层叠晶圆T进行吸附保持的卡盘101。卡盘101均等地即每隔90度地配置在与旋转台100同一圆周上。四个卡盘101利用旋转台100旋转而能够移动到交接位置A0以及加工位置A1～A3。
在本实施方式中，交接位置A0为旋转台100的X轴正方向侧且Y轴负方向侧的位置，调整单元120和清洗单元130配置于交接位置A0的Y轴负方向侧。第1加工位置A1为旋转台100的X轴正方向侧且Y轴正方向侧的位置，粗磨削单元140配置于该第1加工位置A1。第2加工位置A2为旋转台100的X轴负方向侧且Y轴正方向侧的位置，中磨削单元150配置于该第2加工位置A2。第3加工位置A3为旋转台100的X轴负方向侧且Y轴负方向侧的位置，精磨削单元160配置于该第3加工位置A3。
卡盘101被保持于卡盘基座102。卡盘101以及卡盘基座102构成为能够利用旋转机构(未图示)旋转。
输送单元110为具备多个例如三个臂111～113的多关节型的机器人。三个臂111～113利用关节部(未图示)连接起来，利用这些关节部，第1臂111和第2臂112构成为以各自的基端部为中心旋转自如。在三个臂111～113中的顶端的第1臂111安装有用于对层叠晶圆T进行吸附保持的输送盘114。此外，三个臂111～113中的基端的第3臂113安装在用于使臂111～113沿铅垂方向移动的铅垂移动机构115。而且，具备该结构的输送单元110能够针对交接位置A0、调整单元120以及清洗单元130输送层叠晶圆T。
在调整单元120，调节磨削处理前的层叠晶圆T的水平方向的朝向。一边使保持于例如旋转卡盘(未图示)的层叠晶圆T旋转一边利用检测部(未图示)检测层叠晶圆T的凹口部的位置，从而调节该凹口部的位置来调节层叠晶圆T的水平方向的朝向。
在清洗单元130，对磨削处理后的层叠晶圆T保持于输送盘114的状态下的支承晶圆S的非接合面S2进行清洗，并对输送盘114进行清洗。
在粗磨削单元140，对被处理晶圆W的加工面W1进行粗磨削。粗磨削单元140具有粗磨削部141，该粗磨削部141具备环状形状且旋转自如的粗磨削磨具(未图示)。此外，粗磨削部141构成为能够沿着支柱142在铅垂方向以及水平方向上移动。而且，在保持于卡盘101的被处理晶圆W与粗磨削磨具抵接的状态下，使卡盘101和粗磨削磨具均旋转，从而对被处理晶圆W的加工面W1进行粗磨削。
在中磨削单元150，对被处理晶圆W的加工面W1进行中磨削。中磨削单元150具有中磨削部151，该中磨削部151具备环状形状且旋转自如的中磨削磨具(未图示)。此外，中磨削部151构成为能够沿着支柱152在铅垂方向以及水平方向上移动。另外，中磨削磨具的磨粒的粒度比粗磨削磨具的磨粒的粒度小。而且，在保持于卡盘101的被处理晶圆W的加工面W1与中磨削磨具抵接的状态下，使卡盘101和中磨削磨具均旋转，从而对加工面W1进行中磨削。
在精磨削单元160，对被处理晶圆W的加工面W1进行精磨削。精磨削单元160具有精磨削部161，该精磨削部161具备环状形状且旋转自如的精磨削磨具(未图示)。此外，精磨削部161构成为能够沿着支柱162在铅垂方向以及水平方向上移动。另外，精磨削磨具的磨粒的粒度比中磨削磨具的磨粒的粒度小。而且，在保持于卡盘101的被处理晶圆W的加工面W1与精磨削磨具抵接的状态下，使卡盘101和精磨削磨具均旋转，从而对加工面W1进行精磨削。
(CMP装置)
图1所示的CMP装置41具备例如两个用于对被处理晶圆W的加工面W1进行研磨的研磨部(未图示)。第1研磨部所使用的磨粒的粒度比第2研磨部所使用的磨粒的粒度大。而且，在第1研磨部对加工面W1进行粗研磨，在第2研磨部对加工面W1进行精研磨。另外，CMP装置41的结构能够采用进行化学研磨处理的常用结构。例如既可以使被处理晶圆W的加工面W1朝向上方也就是以面朝上的状态进行处理，也可以使加工面W1朝向下方也就是以面朝下的状态进行处理。
(周缘去除装置)
第1周缘去除装置42和第2周缘去除装置43分别用于去除被处理晶圆W的周缘部。即，在基板处理系统1中，被处理晶圆W的周缘部以两个阶段来去除。
第1周缘去除装置42具有保持层叠晶圆T(被处理晶圆W)的作为基板保持部的卡盘200。卡盘200支承于卡盘台201，构成为在沿X轴方向延伸的输送路径202上移动自如。此外，卡盘200构成为能够利用旋转机构(未图示)旋转。另外，在本实施方式中，卡盘台201和输送路径202构成本发明的移动机构。此外，本发明的移动机构只要是使卡盘200和后述的第1砂轮211沿水平方向相对地移动即可，既可以是使第1砂轮211沿水平方向移动，或者也可以是使卡盘200和第1砂轮211两者都沿水平方向移动。
此外，第1周缘去除装置42配置于卡盘200的上方，具有用于去除在卡盘200保持的被处理晶圆W的周缘部的第1周缘去除部210。如图4所示，第1周缘去除部210具有第1砂轮211、支承轮212、旋转轴213以及驱动部214。
固定有第1砂轮211的支承轮212支承于旋转轴213的旋转轴法兰盘213a，在旋转轴213设有驱动部214。驱动部214内置有例如马达(未图示)，经由旋转轴213使第1砂轮211和支承轮212旋转。此外，旋转轴213和驱动部214构成为利用升降机构215升降自如。
如图5所示，第1砂轮211和支承轮212在俯视时均具有圆环形状(环形状)。第1砂轮211包含磨粒，与被处理晶圆W的周缘部We抵接，用于磨削而去除该周缘部We。另外，在本实施方式中，第1砂轮211设为圆环形状，但不限定于此，也可以是例如以分割开的方式沿着支承轮212设置。
在第1周缘去除装置42中，首先，使被处理晶圆W沿水平方向移动，将第1砂轮211配置为第1砂轮211与被处理晶圆W抵接的范围同预先设定的预定的宽度一致。
接着，在使第1砂轮211下降并与被处理晶圆W的周缘部We抵接的状态下，使第1砂轮211和层叠晶圆T(被处理晶圆W)均旋转，从而通过磨削而去除周缘部We。此时，从使第1砂轮211与被处理晶圆W的加工面W1抵接的状态起，使该第1砂轮211向铅垂下方移动，从而自上方至下方地磨削而去除周缘部We。
另外，第2周缘去除装置43也具有与第1周缘去除装置42同样的结构。即，如图1以及图4所示，第2周缘去除装置43具有卡盘220、卡盘台221、输送路径222以及第2周缘去除部230(第2砂轮231、支承轮232、旋转轴233、驱动部234以及升降机构235)。不过，第2砂轮231的磨粒的粒度比第1砂轮211的磨粒的粒度小。
(清洗装置)
如图1所示，在第1清洗装置44对被处理晶圆W的加工面W1进行粗清洗，在第2清洗装置45对被处理晶圆W的加工面W1进行精清洗。
第1清洗装置44具有保持层叠晶圆T并使其旋转的旋转卡盘300和具备例如刷的擦洗清洁工具301。而且，一边使保持于旋转卡盘300的层叠晶圆T旋转一边使擦洗清洁工具301与被处理晶圆W的加工面W1抵接，从而清洗加工面W1。
第2清洗装置45具有保持层叠晶圆T并使其旋转的旋转卡盘310和向被处理晶圆W的加工面W1供给清洗液例如纯水的喷嘴311。而且，一边使保持于旋转卡盘310的层叠晶圆T旋转，一边自喷嘴311向被处理晶圆W的加工面W1供给清洗液。于是，被供给的清洗液在加工面W1上扩散，清洗该加工面W1。
＜晶圆处理＞
接着，对使用以上这样结构的基板处理系统1进行的晶圆处理进行说明。
首先，将收纳了多个层叠晶圆T的盒C载置于送入送出站2的盒载置台10。在盒C中以被处理晶圆W的加工面W1朝向上侧的方式收纳有层叠晶圆T。
接着，利用晶圆输送装置22取出盒C内的层叠晶圆T，而且，将层叠晶圆T借助传送装置(未图示)交接至晶圆输送装置32，向处理站3的第1周缘去除装置42输送。在第1周缘去除装置42，去除被处理晶圆W的周缘部We，在以下的说明中，有时将利用第1周缘去除装置42去除的周缘部We称为第1周缘部We1。
输送到第1周缘去除装置42的层叠晶圆T保持于卡盘200。而且，如图7的(a)所示，使第1砂轮211向铅垂下方移动，一边使该第1砂轮211旋转一边使其与被处理晶圆W的第1周缘部We1抵接。此时，第1砂轮211配置为与被处理晶圆W抵接的范围同预先设定的周向上的第1宽度L1(到被处理晶圆W的端部的距离)一致。
之后，在使第1砂轮211与第1周缘部We1抵接的状态下，使第1砂轮211和层叠晶圆T(被处理晶圆W)分别旋转，如图7的(b)所示，使第1砂轮211进一步向铅垂下方移动。于是，磨削第1周缘部We1。此时，第1砂轮211移动至预先设定的第1深度H1(到被处理晶圆W的加工面W1的距离)。该第1深度H1为第1砂轮211的下表面未到达粘接剂G的深度。
在如此磨削第1周缘部We1时，第1砂轮211的磨粒的粒度较大，因此能够加快该第1砂轮211对第1周缘部We1的磨削速度(下降速度)。其结果，能够以较短的时间进行第1周缘部We1的磨削。
之后，如图7的(c)所示，使第1砂轮211一边旋转一边上升。此时，以从第1砂轮211离开的方式使层叠晶圆T沿水平方向移动。在此，在第1砂轮211从被处理晶圆W离开时，即在第1砂轮211的下端和被处理晶圆W的上端处于相同高度时，若第1砂轮211的下端和被处理晶圆W的上端接触则它们有可能会卡挂，在被处理晶圆W的上端产生裂纹。对此，如本实施方式这样使层叠晶圆T沿水平方向移动，从而能够在第1砂轮211的下端和被处理晶圆W的上端处于相同高度时使它们分离开，能够抑制裂纹的产生。
这样，如图7的(d)所示，在被处理晶圆W中，去除第1宽度L1且第1深度H1的范围的第1周缘部We1，第1次的周缘部去除处理结束(图6的步骤P1)。
接着，层叠晶圆T由晶圆输送装置32向第2周缘去除装置43输送。还利用第2周缘去除装置43去除被处理晶圆W的周缘部We，在以下的说明中，有时将利用第2周缘去除装置43去除的周缘部We称为第2周缘部We2。
输送到第2周缘去除装置43的层叠晶圆T保持于卡盘220。而且，如图7的(e)所示，使第2砂轮231向铅垂下方移动，一边使该第2砂轮231旋转一边使其与被处理晶圆W的第2周缘部We2抵接。此时，第2砂轮231配置为与被处理晶圆W抵接的范围同预先设定的周向上的第2宽度L2(到被处理晶圆W的端部的距离)一致。
之后，在使第2砂轮231与第2周缘部We2抵接的状态下，使第2砂轮231和层叠晶圆T(被处理晶圆W)分别旋转，如图7的(f)所示，使第2砂轮231进一步向铅垂下方移动。于是，磨削第2周缘部We2。此时，第2砂轮231移动至预先设定的第2深度H2(到被处理晶圆W的加工面W1的距离)。该第2深度H2为第2砂轮231的下表面到达支承晶圆S的接合面S1的深度。另外，第2深度H2能够任意地设定。例如，也可以是将第2深度H2设定为粘接剂G的高度，且不磨削支承晶圆S的接合面S1。
在如此磨削第2周缘部We2时，第2砂轮231的磨粒的粒度较小，因此能够减小被磨削的第2周缘部We2的加工面的表面粗糙度，通过磨削第2周缘部We2从而能够提高被处理晶圆W的暴露的表面的表面特性。而且，被处理晶圆W的暴露的侧面We3的加工也较为美观(表面粗糙度较小)。
在此，第2次磨削的第2周缘部We2的第2宽度L2比第1次磨削的第1周缘部We1的第1宽度L1小。即，相对于被处理晶圆W的周缘部We而言，第2砂轮231配置于比第1砂轮211靠外侧的位置。而且，周缘部We在周向外侧仅剩余深度(H2－H1)、宽度(L1－L2)的范围的量。如上述那样，第2砂轮231的磨粒的粒度比第1砂轮211的磨粒的粒度小，因此，由第2砂轮231进行的磨削速度比由第1砂轮211进行的磨削速度慢。因此，对于第1周缘部We1的磨削，与利用第2砂轮231进行磨削相比，利用第1砂轮211进行磨削的效率高。此外，被处理晶圆W的因去除该第1周缘部We1而暴露的侧面(以下，称为暴露侧面)在如后述那样利用加工装置40对加工面W1进行磨削时，一起被去除。因此，即使被处理晶圆W的暴露侧面的表面特性较差，也由于最终会被去除，因此对于被处理晶圆W的质量没有影响。
之后，如图7的(g)所示，使第2砂轮231一边旋转一边上升。此时，以与第2砂轮231分离开的方式使层叠晶圆T沿水平方向移动。其结果，如使用图7的(c)说明了的那样，能够抑制在被处理晶圆W产生裂纹。
这样，如图7的(h)所示，在被处理晶圆W，去除第2宽度L2且第2深度H2的范围的第2周缘部We2，第2次的周缘部去除处理结束(图6的步骤P2)。
接着，层叠晶圆T由晶圆输送装置32向加工装置40输送。输送到加工装置40的层叠晶圆T交接至调整单元120。而且，在调整单元120，调节层叠晶圆T的水平方向的朝向(图6的步骤P3)。
接着，层叠晶圆T由输送单元110自调整单元120向交接位置A0输送，交接至该交接位置A0的卡盘101。之后，使旋转台100逆时针旋转90度，使卡盘101向第1加工位置A1移动。而且，利用粗磨削单元140，粗磨削被处理晶圆W的加工面W1(图6的步骤P4)。
接着，使旋转台100逆时针旋转90度，使卡盘101向第2加工位置A2移动。而且，利用中磨削单元150，中磨削被处理晶圆W的加工面W1(图6的步骤P5)。
接着，使旋转台100逆时针旋转90度，使卡盘101向第3加工位置A3移动。而且，利用精磨削单元160，精磨削被处理晶圆W的加工面W1(图6的步骤P6)。之后，如图7的(i)所示，被处理晶圆W的加工面W1被磨削。另外，图7的(i)所示的虚线的范围为利用这些磨削单元140、150、160磨削被处理晶圆W的加工面W1的范围，与上述的第1周缘部We1相对应的暴露侧面也被包含在内。此外，磨削被处理晶圆W的加工面W1的深度在第1深度H1和第2深度H2之间。
接着，使旋转台100逆时针旋转90度，或使旋转台100顺时针旋转270度，使卡盘101向交接位置A0移动。在此，被处理晶圆W的加工面W1由从清洗液喷嘴(未图示)喷出的清洗液清洗(图6的步骤P7)。
接着，层叠晶圆T由输送单元110自交接位置A0向清洗单元130输送。而且，在清洗单元130，在层叠晶圆T保持于输送盘114的状态下，清洗支承晶圆S的非接合面S2并使其干燥(图6的步骤P8)。
接着，层叠晶圆T由晶圆输送装置32向CMP装置41输送。在CMP装置41，利用第1研磨部(未图示)研磨(粗CMP)被处理晶圆W的加工面W1，之后，利用第2研磨部(未图示)研磨(精CMP)被处理晶圆W的加工面W1(图6的步骤P9)。
接着，层叠晶圆T由晶圆输送装置32向第1清洗装置44输送。输送到第1清洗装置44的层叠晶圆T保持于旋转卡盘300。而且，一边使保持于旋转卡盘300的层叠晶圆T旋转，一边使被处理晶圆W的加工面W1与擦洗清洁工具301抵接，清洗加工面W1(图6的步骤P10)。该步骤P10中的清洗为物理地去除加工面W1上的微粒等的清洗，为粗清洗。
接着，层叠晶圆T由晶圆输送装置32向第2清洗装置45输送。输送到第2清洗装置45的层叠晶圆T保持于旋转卡盘310。而且，一边使保持于旋转卡盘310的层叠晶圆T旋转，一边自喷嘴向被处理晶圆W的加工面W1供给清洗液，清洗加工面W1(图6的步骤P11)。该步骤P11中的清洗为最终的精清洗。
之后，实施了所有的处理的层叠晶圆T自晶圆输送装置32交接至晶圆输送装置22，向盒载置台10的盒C输送。这样，基板处理系统1的一系列的晶圆处理结束。
根据以上的实施方式，以步骤P1和步骤P2这两个阶段去除被处理晶圆W的周缘部We。在步骤P1中，第1砂轮211的磨粒的粒度较大，因此，能够缩短第1周缘部We1的去除时间，能够提高晶圆处理的生产效率。此外，在之后的步骤P2中，第2砂轮231的磨粒的粒度较小，因此，能够减小被去除的第2周缘部We2的加工面的表面粗糙度。如此使用粒度不同的两个砂轮211、231，从而能够缩短去除周缘部We所花费的时间，并且提高被处理晶圆W的因磨削第2周缘部We2而暴露的表面的表面特性。
此外，根据本实施方式，能够在一基板处理系统1中对多个被处理晶圆W连续进行一系列的处理，能够提高生产效率。
＜砂轮的修整＞
在以上的实施方式的步骤P2中，在使用第2砂轮231去除被处理晶圆W的第2周缘部We2时，如图8所示，有时第2周缘部We2的底面的拐角部N(图中的以虚线围起来的部分)弯曲。在该情况下，在自被处理晶圆W剥离支承晶圆S后，在被处理晶圆W的端面残留有弯曲部分，被处理晶圆W的周缘部We形成锐利地尖的形状，因此，有可能在被处理晶圆W的周缘部We产生碎裂，使被处理晶圆W受到损伤。
关于这一点，在例如步骤P2中，控制第2砂轮231的磨削速度、第2砂轮231的旋转速度等，从而能够在一定程度上抑制图8所示的第2周缘部We2的拐角部N的弯曲。然而，在重复使用第2砂轮231时，该第2砂轮231的磨削面会磨损，第2周缘部We2的拐角部N变得易于弯曲。
因此，优选的是，调整第2砂轮231的磨削面也就是进行修整。在修整第2砂轮231时，如图1以及图9所示，使用作为调整部的修整板400。修整板400在俯视时具有圆形状，在其周缘部具有台阶部401。
修整板400例如设于第2周缘去除装置43的内部且设于第2周缘去除部230的X轴正方向侧。在修整板400的下表面侧设有使该修整板400沿水平方向以及铅垂方向移动且旋转的移动机构410。移动机构410例如具有轴411、两根臂412、413以及驱动部414。轴411设于修整板400的下表面和第1臂412的顶端部之间。在第1臂412的顶端部设有旋转部(未图示)，构成为利用该旋转部借助轴411使修整板400旋转自如。第1臂412和第2臂413由关节部(未图示)连接，构成为利用该关节部而第1臂412以基端部为中心旋转自如。第2臂413安装于驱动部414，构成为利用驱动部414而第2臂413以基端部为中心旋转自如并且沿铅垂方向移动自如。而且，利用具备该结构的移动机构410，修整板400能够相对于第2周缘去除部230进退自如地移动。
另外，修整板400不限定于设置在上述的第2周缘去除装置43的内部，能够设置于任意的位置。例如修整板400也可以预先载置于在第2周缘去除装置43的外部设置的、例如搁架等设置位置(未图示)，在保持于卡盘200的状态下进行修整。
在该情况下，一边使第2砂轮231和修整板400均旋转，一边使修整板400的台阶部401与第2砂轮231的周缘部抵接。于是，在第2砂轮231的周缘部，分别磨削下表面231a和外侧面231b(第2周缘部We2的磨削面)，使其平坦化。即，第2砂轮231的与图8所示的第2周缘部We2的拐角部N抵接的下端形成为直角。而且，在使用如此实施了修整的第2砂轮231来磨削第2周缘部We2时，能够使该第2周缘部We2的拐角部N形成为直角，能够抑制弯曲。
另外，对于第2砂轮231的修整，也可以是，事前使用例如激光位移计来检查第2砂轮231的周缘部中的下表面231a和外侧面231b的表面状态。具体地说，例如测量下表面231a和外侧面231b的高度。而且，检查的结果是在下表面231a和外侧面231b中的任一者或两者发现了磨损、异常突起等的情况下，进行第2砂轮231的修整。
此外，从抑制第2周缘部We2的拐角部N的弯曲的观点来看，也可以是第2砂轮231在侧视时具有锥形形状。使第2砂轮231的下表面的直径比上表面的直径大，即，下表面向外侧鼓出。在该情况下，即使第2砂轮231磨损，该第2砂轮231的下端在侧视时也形成为锐角，第2周缘部We2的拐角部N难以弯曲。
而且，在上述的例中，对第2砂轮231的修整进行了说明，但优选的是对于第1砂轮211也使用同样的修整板400进行修整。
＜其他实施方式＞
基板处理系统1的结构不限定于上述实施方式。例如在上述实施方式的基板处理系统1中，第2周缘去除部230设于加工装置40的外部的第2周缘去除装置43，但也可以如图10所示设于加工装置40的内部。在该情况下，第2周缘去除部230配置于第1加工位置A1，粗磨削单元140和精磨削单元160分别配置于第2加工位置A2和第3加工位置A3。另外，该情况省略了中磨削单元150。
在第1周缘去除装置42去除被处理晶圆W的第1周缘部We1，去除的范围(第1宽度L1和第1深度H1)通常较大。因此，即使使用粒度较大的第1砂轮211，有时第1周缘部We1的去除也会花费一定程度时间。
另一方面，利用第2周缘去除装置43去除的第2周缘部We2的范围(第2宽度L2和第2深度H2)通常较小。因此，即使将第2周缘去除部230设于加工装置40的内部，也不会使加工装置40内的生产效率降低。因而，如本实施方式这样，将第2周缘去除部230设于加工装置40的内部来提高晶圆处理整体的生产效率也是可能的。
此外，在上述实施方式的基板处理系统1中，加工装置40、CMP装置41、第1周缘去除装置42、第2周缘去除装置43、第1清洗装置44、第2清洗装置45的数量、配置能够任意地设计。
在上述实施方式的基板处理系统1中，分开设置第1周缘去除部210和第2周缘去除部230，但也可以使它们合体。例如在共用的支承轮(未图示)将第1砂轮211和第2砂轮231以同心圆状安装为两层。例如使第1砂轮211的直径较大且使第2砂轮231的直径较小，于是，将第2砂轮231配置于第1砂轮211的内侧。
在该情况下，在一个周缘去除装置的内部，使用第1周缘去除部210和第2周缘去除部230这两者，能够以两个阶段去除被处理晶圆W的周缘部We。因而，能够提高晶圆处理的生产效率。
在上述实施方式的基板处理系统1中，被处理晶圆W和支承晶圆S借助粘接剂G而接合在一起，但也可以代替该粘接剂G，使用例如双面胶带接合被处理晶圆W和支承晶圆S。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限定于该例子。在权利要求书所记载的技术思想的范围内想到各种变更例或修正例，对本领域技术人员而言是显而易见的，这些当然也属于本发明的保护范围。
附图标记的说明
1、基板处理系统；2、送入送出站；3、处理站；40、加工装置；41、CMP装置；42、第1周缘去除装置；43、第2周缘去除装置；50、控制部；140、粗磨削单元；141、粗磨削部；150、中磨削单元；151、中磨削部；160、精磨削单元；161、精磨削部；200、卡盘；201、卡盘台；202、输送路径；210、第1周缘去除部；211、第1砂轮；212、支承轮；213、旋转轴；214、驱动部；215、升降机构；220、卡盘；221、卡盘台；222、输送路径；230、第2周缘去除部；231、第2砂轮；232、支承轮；233、旋转轴；234、驱动部；235、升降机构；400、修整板；G、粘接剂；S、支承晶圆；T、层叠晶圆；W、被处理晶圆；W1、加工面；W2、非加工面；We(We1、We2)、周缘部(第1周缘部、第2周缘部)。

Claims (16)

1.一种基板处理系统，其用于处理基板，其中，
该基板处理系统具有：
第1周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第1磨具，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；
第2周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第2磨具，在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部之后，将该周缘部进一步磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除，
所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小，
其中，该基板处理系统具有磨削部，该磨削部用于在利用所述第2周缘去除部去除所述周缘部之后、将所述基板的加工面磨削至所述第1深度和所述第2深度之间。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部前的所述基板的非加工面形成有器件，并且设有用于保护该器件的保护件。
3.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
所述第2周缘去除部对所述周缘部的磨削速度比所述第1周缘去除部对所述周缘部的磨削速度慢。
4.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统具有：
基板保持部，在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部时，该基板保持部用于保持所述基板；
升降机构，其使所述第1磨具升降；以及
移动机构，其使所述第1磨具和所述基板保持部沿水平方向相对地移动。
5.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统具有：
基板保持部，在利用所述第2周缘去除部去除所述周缘部时，该基板保持部用于保持所述基板；
升降机构，其使所述第2磨具升降；以及
移动机构，其使所述第2磨具和所述基板保持部沿水平方向相对地移动。
6.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统具有调整部，该调整部调整所述第1磨具的磨削面或所述第2磨具的磨削面。
7.一种基板处理系统，其用于处理基板，其中，
该基板处理系统具有：
第1周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第1磨具，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；
第2周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第2磨具，在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部之后，将该周缘部进一步磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除，
所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小，
其中，利用所述第2周缘去除部去除的所述周缘部的周向上的宽度比利用所述第1周缘去除部去除的所述周缘部的周向上的宽度小。
8.一种基板处理方法，其用于处理基板，其中，
该基板处理方法具有：
第1周缘去除工序，使第1磨具与所述基板的周缘部抵接，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；
第2周缘去除工序，在所述第1周缘去除工序之后，使第2磨具与所述基板的周缘部抵接，将所述周缘部磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除，
所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小，
其中，该基板处理方法具有磨削工序，在所述第2周缘去除工序之后，将所述基板的加工面磨削至所述第1深度和所述第2深度之间。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
在所述第1周缘去除工序前的所述基板的非加工面形成有器件，并且设有用于保护该器件的保护件。
10.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
所述第2周缘去除工序中对所述周缘部的磨削速度比所述第1周缘去除工序中对所述周缘部的磨削速度慢。
11.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
在所述第1周缘去除工序中，
在使所述第1磨具与在基板保持部保持的所述基板的周缘部抵接的状态下，使该第1磨具下降而将所述周缘部磨削至所述第1深度，
之后，使所述第1磨具上升，并且使所述第1磨具和所述基板保持部沿水平方向相对地移动而分离开。
12.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
在所述第2周缘去除工序中，
在使所述第2磨具与在基板保持部保持的所述基板的周缘部抵接状态下，使该第2磨具下降而将所述周缘部磨削至所述第2深度，
之后，使所述第2磨具上升，并且使所述第2磨具和所述基板保持部沿水平方向相对地移动而分离开。
13.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有调整工序，调整所述第1磨具的磨削面或所述第2磨具的磨削面。
14.一种基板处理方法，其用于处理基板，其中，
该基板处理方法具有：
第1周缘去除工序，使第1磨具与所述基板的周缘部抵接，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；
第2周缘去除工序，在所述第1周缘去除工序之后，使第2磨具与所述基板的周缘部抵接，将所述周缘部磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除，
所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小，
其中，利用所述第2周缘去除工序去除的所述周缘部的周向上的宽度比利用所述第1周缘去除工序去除的所述周缘部的周向上的宽度小。
15.一种计算机存储介质，该计算机存储介质可读取，存储有程序，该程序用于在控制基板处理系统的控制部的计算机上运行，以利用该基板处理系统执行用于处理基板的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法具有：
第1周缘去除工序，使第1磨具与所述基板的周缘部抵接，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；
第2周缘去除工序，在所述第1周缘去除工序之后，使第2磨具与所述基板的周缘部抵接，将所述周缘部磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除，
所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小，
其中，该基板处理方法具有磨削工序，在所述第2周缘去除工序之后，将所述基板的加工面磨削至所述第1深度和所述第2深度之间。
16.一种计算机存储介质，该计算机存储介质可读取，存储有程序，该程序用于在控制基板处理系统的控制部的计算机上运行，以利用该基板处理系统执行用于处理基板的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法具有：
第1周缘去除工序，使第1磨具与所述基板的周缘部抵接，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；
第2周缘去除工序，在所述第1周缘去除工序之后，使第2磨具与所述基板的周缘部抵接，将所述周缘部磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除，
所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小，
其中，利用所述第2周缘去除工序去除的所述周缘部的周向上的宽度比利用所述第1周缘去除工序去除的所述周缘部的周向上的宽度小。
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