JP2008130576A - ウエーハの搬送方法および加工装置 - Google Patents

Abstract

【課題】加工後のウエーハを次工程へ搬送する際、ウエーハを変形させることなく搬送することによってウエーハの強度を維持する。
【解決手段】加工が終了し着脱位置に戻ってきたウエーハ１の表面に水供給ノズルから純水などの水を供給し、次いで、液体供給ノズルより水溶性レジストなどの液体を滴下する。チャックテーブルを回転させ、ウエーハ１の表面の水と液体を混合、乾燥させ、ウエーハ１の表面に保護膜８を形成する。この保護膜８に吸着パッド７９の吸着面７９ａを押し当て、ウエーハ１を吸着パッド７９に吸着保持する。この後、回収アーム８０を旋回させて、ウエーハ１を搬送先であるスピンナ式洗浄装置に搬送し、スピンナ式洗浄装置内でウエーハ１の表面に形成された保護膜８を洗浄除去する。
【選択図】図５

Description

本発明は、研削あるいは研磨されたウエーハを、搬送先へ移動させる搬送方法とその方法を採用した加工装置に関する。

半導体ウエーハは、近年の各種電子機器の小型化・薄型化に伴い、より一層の薄化が求められている。そのため、半導体ウエーハの厚さが例えば１００μｍ以下と薄くなった場合、チップ化した後の強度の維持が問題になっている。そこで、研削処理を行った後に加工面をポリッシュやエッチングすることで、研削処理による機械的ダメージを除去する技術が用いられている。また、口径の大きな薄いウエーハを安全に次工程に搬送するために、ウエーハと同径の吸着パッドを使用した搬送手段により搬送する技術も知られている。（特許文献１等参照）

特開２０００−０２１９５２公報

上記特許文献１に記載されているように、ウエーハの加工装置に具備されるウエーハの搬送手段としては、材質がセラミックなどからなる多孔質ポーラスの真空吸着パッドが用いられている。ウエーハは吸着パッドの吸着面に空いている多数の孔に吸引されて吸着されるが、その孔（一般に０．１〜０．２ｍｍ程度の孔径）に引き込まれて局部的に弾性変形する場合がある。そうなると、ウエーハに局部的な応力が加えられ、結果的に得られる半導体チップの強度が劣化するおそれがあり、この問題はウエーハが薄ければ薄いほど顕著であった。

よって本発明は、加工を終えたウエーハを次工程へ搬送する際、ウエーハを変形させることなく搬送することによってウエーハの強度を維持することができる搬送方法および搬送手段を設けた加工装置を提供することを目的としている。

本発明のウエーハの搬送方法は、保持手段に保持されたウエーハを加工後に所定の搬送先に搬送する方法であって、保護膜となる液体をウエーハの加工面に供給し固化させて保護膜を形成する保護膜形成工程と、ウエーハの加工面に形成された保護膜の表面に搬送用吸着パッドの吸着面を押し当て、ウエーハを吸着パッドの吸着面に吸着保持するウエーハ吸着工程と、ウエーハを吸着保持した吸着パッドを搬送先に搬送するウエーハ搬送工程と、搬送先で吸着パッドからウエーハを離脱させ、ウエーハの加工面に被覆された保護膜をウエーハから除去する保護膜除去工程とを備えることを特徴としている。

本発明のウエーハの搬送方法によれば、ウエーハの表面に除去可能な保護膜を形成し、保護膜の表面に吸着パッドを押し当て、ウエーハを吸着保持するものであり、保護膜が緩衝材となるので、ウエーハの変形は起こらず、このため、加工されたままの状態のウエーハの強度を維持しながら所定の搬送先まで安全に搬送することができる。この作用は、極めて薄いウエーハ（例えば厚さ１００μｍ以下）を搬送する場合において特に有効である。保護膜はウエーハを搬送先へ搬送した後に除去するので、搬送後のウエーハに保護膜が残存することはない。

次に、本発明のウエーハの加工装置は、上記本発明の搬送方法を好適に実施することができる装置であり、ウエーハを吸着保持する回転可能な保持テーブルと、保持テーブルに保持されたウエーハに所定の加工を施す加工手段と、加工が終了したウエーハを、保持テーブルから所定の搬送先に搬送する搬送手段を備えた加工装置である。そして、この搬送手段は、保持手段に保持されたウエーハの加工面に所定の手段で固化し保護膜となる液体を供給する液体供給手段と、保持手段に保持されたウエーハの加工面に形成された保護膜に押し当てられる吸着面を有する吸着パッドと、吸着パッドを保持手段から搬送先に移動させる移動手段とを備え、さらに加工装置は、搬送先で保護膜を除去する保護膜除去手段を備えることを特徴としている。

本発明の加工とは、ウエーハの少なくとも片面を研削する研削加工、または研磨する研磨加工のことであり、加工手段とは、研削加工手段または研磨加工手段である。

本発明によれば、ウエーハを吸着パッドに吸着させても、ウエーハが変形する恐れがないため、加工されたままの状態で強度を維持しながらウエーハを搬送することができるといった効果を奏する。

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
［１］半導体ウエーハ
図１の符号１は、裏面全面が研削されて目的厚さ（例えば５０〜２００μｍ）に薄化加工される円盤状の半導体ウエーハ（以下ウエーハと略称）を示している。このウエーハ１はシリコンウエーハ等であって、研削前の厚さは例えば８００μｍ程度である。ウエーハ１の表面には、格子状の分割予定ライン３によって複数の矩形状の半導体チップ（デバイス）４が区画されており、これら半導体チップ４の表面には、ＩＣやＬＳＩ等の図示せぬ電子回路が形成されている。ウエーハ１の外周縁は、角をなくして損傷しにくいようにするために断面半円弧状に面取り加工が施されている。

複数の半導体チップ４は、ウエーハ１と同心の概ね円形状のデバイス形成領域５に形成されている。デバイス形成領域５はウエーハ１の大部分を占めており、このデバイス形成領域５の周囲のウエーハ外周部が、半導体チップ４が形成されない環状の外周余剰領域６とされている。また、ウエーハ１の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すＶ字状の切欠き（ノッチ）７が形成されている。このノッチ７は、外周余剰領域６内に形成されている。ウエーハ１は、最終的には分割予定ライン３に沿って切断、分割され、複数の半導体チップ４に個片化される。

ウエーハ１を裏面研削する際には、電子回路を保護するなどの目的で、図１に示すように電子回路が形成された側の表面に保護テープ２が貼着される。保護テープ２は、例えば厚さ７０〜２００μｍ程度のポリオレフィン等の柔らかい樹脂製基材シートの片面に５〜２０μｍ程度の粘着剤を塗布した構成のものが用いられ、その粘着剤を塗布した面とウエーハ１の表面とが相対するように貼り付けられる。

［２］研削加工装置
次に、図１に示したウエーハ１の裏面を研削加工する一実施形態の研削加工装置を説明する。
図２は、その研削加工装置１０の全体を示しており、該装置１０は、上面が水平な直方体状の基台１１を備えている。図２では、基台１１の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれＹ方向、Ｘ方向およびＺ方向で示している。基台１１のＹ方向一端部には、Ｘ方向に並ぶコラム１２が一対の状態で立設されている。基台１１上には、Ｙ方向のコラム１２側にウエーハ１を研削加工する加工エリア１１Ａが設けられ、コラム１２とは反対側には、加工エリア１１Ａに加工前のウエーハ１を供給し、かつ、加工後のウエーハ１を回収する着脱エリア１１Ｂが設けられている。
以下、研削加工エリア１１Ａと着脱エリア１１Ｂについて説明する。

（Ｉ）研削加工エリア
研削加工エリア１１Ａには、回転軸がＺ方向と平行で上面が水平とされた円盤状のターンテーブル１３が回転自在に設けられている。このターンテーブル１３は、図示せぬ回転駆動機構によって矢印Ｒ方向に回転させられる。ターンテーブル１３上の外周部には、回転軸がＺ方向と平行で上面が水平とされた複数（この場合は３つ）の円盤状のチャックテーブル２０が、周方向に等間隔をおいて回転自在に配置されている。

これらチャックテーブル２０は一般周知の真空チャック式であり、上面に載置されるウエーハ１を吸着、保持する。図３（ｂ）に示すように、チャックテーブル２０は、上面に多孔質のセラミックからなる円形の吸着エリア２１を有しており、この吸着エリア２１の上面２１ａにウエーハ１は吸着して保持されるようになっている。吸着エリア２１の周囲には環状の枠体２２が形成されており、この枠体２２の上面２２ａは、吸着エリア２１の上面２１ａと連続して同一平面をなしている。各チャックテーブル２０は、それぞれがターンテーブル１３内に設けられた図示せぬ回転駆動機構によって、一方向、または両方向に独自に回転すなわち自転するようになっており、ターンテーブル１３が回転すると公転の状態になる。

図２に示すように２つのチャックテーブル２０がコラム１２側でＸ方向に並んだ状態において、それらチャックテーブル２０の直上には、研削ユニット３０がそれぞれ配されている。各チャックテーブル２０は、ターンテーブル１３の回転によって、各研削ユニット３０の下方の研削位置と、着脱エリア１１Ｂに最も近付いた着脱位置との３位置にそれぞれ位置付けられるようになっている。研削位置は２箇所あり、これら研削位置ごとに研削ユニット３０が配備されている。この場合、ターンテーブル１３の回転によるチャックテーブル２０の矢印Ｒで示す移送方向上流側（図２で奥側）の研削位置が一次研削位置、下流側の研削位置が二次研削位置とされている。

各研削ユニット３０は、コラム１２に昇降自在に取り付けられたスライダ４０に固定されている。スライダ４０は、Ｚ方向に延びるガイドレール４１に摺動自在に装着されており、サーボモータ４２によって駆動されるボールねじ式の送り機構４３によってＺ方向に移動可能とされている。各研削ユニット３０は、送り機構４３によってＺ方向に昇降し、下降してチャックテーブル２０に接近する送り動作により、チャックテーブル２０に保持されたウエーハ１の露出面を研削する。

研削ユニット３０は、図３に示すように、軸方向がＺ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング３１と、このスピンドルハウジング３１内に同軸的、かつ回転自在に支持されたスピンドルシャフト３２と、スピンドルハウジング３１の上端部に固定されてスピンドルシャフト３２を回転駆動するモータ３３と、スピンドルシャフト３２の下端に同軸的に固定された円盤状のフランジ３４とを具備している。そしてフランジ３４には、カップホイール３５がねじ止め等の取付手段によって着脱自在に取り付けられる。

カップホイール３５は、環状のフレーム３６の下端面に、該下端面の外周部全周にわたって複数の砥石３７が環状に配列されて固着されたものである。一次研削位置の上方に配された一次研削用の研削ユニット３０のフランジ３４には、砥石３７が例えば♯３２０〜♯４００の砥粒を含むカップホイール３５が取り付けられる。また、二次研削位置の上方に配された二次研削用の研削ユニット３０のフランジ３４には、砥石３７が例えば♯２０００〜♯８０００以上の砥粒を含むカップホイール３５が取り付けられる。フランジ３４およびカップホイール３５には、研削面の冷却や潤滑あるいは研削屑の排出のための研削水を供給する研削水供給機構（図示省略）が設けられ、該機構には給水ラインが接続されている。カップホイール３５の研削外径、すなわち複数の砥石３７の外周縁の直径は、少なくともウエーハ１の半径と同等以上で、一般的にはウエーハの直径に等しい大きさに設定されている。

図３の符号５０は、基準側ハイトゲージ５１とウエーハ側ハイトゲージ５２との組み合わせで構成される厚さ測定ゲージである。基準側ハイトゲージ５１は、揺動する基準プローブ５１ａの先端が、ウエーハ１で覆われないチャックテーブル２０の枠体２２の上面２２ａに接触し、該上面２２ａの高さ位置を検出するものである。ウエーハ側ハイトゲージ５２は、揺動する変動プローブ５２ａの先端がチャックテーブル２０に保持されたウエーハ１の上面すなわち被研削面に接触することで、ウエーハ１の上面の高さ位置を検出するものである。厚さ測定ゲージ５０によれば、ウエーハ側ハイトゲージ５２の測定値から基準側ハイトゲージ５１の測定値を引いた値に基づいてウエーハ１の厚さが測定される。

ウエーハ１は、最初に一次研削位置で研削ユニット３０により一次研削された後、ターンテーブル１３が図２に示すＲ方向に回転することにより二次研削位置に移送され、ここで研削ユニット３０により二次研削される。

（II）着脱エリア
図２に示すように、着脱エリア１１Ｂの中央には、上下移動する２節リンク式のピックアップロボット７０が設置されている。そして、このピックアップロボット７０の周囲には、上から見て反時計回りに、供給カセット７１、位置合わせ台７２、供給手段７３、回収手段７６、スピンナ式洗浄装置８１（保護膜除去手段）、回収カセット８２が、それぞれ配置されている。供給手段７３は、多孔質材料で形成され、水平な下面にウエーハ１を真空作用で吸着する吸着パッド７４と、この吸着パッド７４が先端に固定された水平旋回式の供給アーム７５とにより構成されている。カセット７１，８２は、複数のウエーハ１を水平な姿勢で、かつ上下方向に一定間隔をおいて積層状態で収容するもので、基台１１上の所定位置にセットされる。

回収手段７６は、図２および図４に示す水供給ノズル７７および液体供給ノズル７８と、図２および図５（ａ）に示す吸着パッド７９および水平旋回式の回収アーム８０との組み合わせにより構成されている。液体供給ノズル７８は、着脱位置に位置付けられたチャックテーブル２０上のウエーハ１の表面の中央部付近に、水溶性レジストなどの、水溶性で乾燥することにより固化および膜化する液体Lが供給されるようになっている。液体Ｌの具体例としては、例えば、イソプロピルアルコールに純水を加えた水溶性を有するアクリル系の樹脂（特開平１０−３４１０１２公報参照）などが好適に用いられる。なお、本発明の保護膜形成用の液体材料としては、水溶性レジストのような、水溶性で乾燥することにより固化して膜となり、膜化した後には、水洗浄などによって容易に除去可能という条件を満たすものから、適宜に選択される。そして、液体供給ノズル７８は図示しないモータなどによって旋回可能に保持され、適宜、チャックテーブル２０上から退避することができるようになっている。吸着パッド７９は、着脱位置に位置付けられたウエーハ１の表面に水平な下面である吸着面７９ａを押し当て、ウエーハ１を吸着し、回収アーム８０が水平に旋回することにより、ウエーハ１を、その着脱位置からスピンナ式洗浄装置８１まで搬送する。吸着パッド７９は真空チャック式であり、吸着面７９ａは多孔質体８３で形成されている。

以上が本実施形態の研削加工装置１０の構成であり、次に該装置１０の動作を説明する。
研削加工されるウエーハ１は、はじめにピックアップロボット７０によって供給カセット７１内から取り出され、位置合わせ台７２上に載置されて一定の位置に決められる。次いでウエーハ１は、供給アーム７３によって位置合わせ台７２から取り上げられ、着脱位置で待機しているチャックテーブル２０上に被研削面（半導体チップ４が形成されていない裏面）を上に向けて載置される。ウエーハ１はターンテーブル１３のＲ方向への回転によって一次研削位置と二次研削位置にこの順で移送され、これら研削位置で、研削ユニット３０により上記のようにして表面が研削される。ウエーハ１の研削にあたっては、いずれの研削位置においても、厚さ測定ゲージ５０によってウエーハ１の厚さを逐一測定しながら研削量が制御される。二次研削が終了したウエーハ１は、さらにターンテーブル１３がＲ方向に回転することにより着脱位置に戻される。

着脱位置に戻ったチャックテーブル２０上のウエーハ１は、回収手段７６により、次のようにしてスピンナ式洗浄装置８１に搬送される。まず、図４（ｂ）に示すように、水供給ノズル７７から、チャックテーブル２０上のウエーハ１の上面に純水などの水Ｗが一様に供給される。さらに、水Ｗが供給されたウエーハ１の上面の中央部付近に、上記液体Ｌが液体供給ノズル７８から滴下される。次に、ウエーハ１をチャックテーブル２０により回転させ、ウエーハ１の上面に供給された水Ｗと液体Ｌを混合させる。さらに、チャックテーブル２０の回転を続けることにより、混合された液体が乾燥し、ウエーハ１の上面に膜圧が２〜３μｍ程度の保護膜８が形成される（図５参照）。保護膜８は水溶性であるため、再度、純水などを供給することによって、除去することが可能である。また、乾燥時間は毎分１００〜３００回転の速度で１０〜６０秒程度維持することで十分である（保護膜形成工程）。

ウエーハ1の表面に保護膜８が形成された後、液体供給ノズル７８を旋回させ、チャックテーブル２０上から退避させる。この後、図５（ａ）に示すように、保護膜上面８ａに吸着パッド７９の下面７９ａを押し当て、保護膜８を吸引することによりウエーハ１の吸着を行う。吸着パッド７９によりウエーハ１を吸着保持できたら、チャックテーブル２０によるウエーハ１の吸着を終了させる（ウエーハ吸着工程）。そして、吸着パッド７９により吸着保持されたウエーハ１は、回収アーム８０を旋回させることで搬送先であるスピンナ式洗浄装置８１に移動し、吸着パッド７９の吸着を終了させる（ウエーハ搬送工程）。

次に、スピンナ式洗浄装置８１によりウエーハ１の洗浄を行う。ウエーハ１をスピンナ式洗浄装置８１で洗浄することにより、ウエーハ１の上面に純水などが供給され、ウエーハ１の上面に形成された保護膜８が除去される。保護膜８は、スピンナ式洗浄装置８１において３０〜６０秒程度の洗浄によって十分除去される（保護膜除去工程）。

この後、ウエーハ１はスピンナ式洗浄装置８１内で乾燥処理され、次いで、ピックアップロボット７０によって回収カセット８２内に移送、収容される。以上が本実施形態の研削加工装置１０の全体動作であり、この動作が繰り返し行われて多数のウエーハ１が連続的に研削加工される。

本実施形態によれば、図５（ｂ）に示すように、ウエーハ１が吸着パッド７９に吸着されても保護膜８を介しているので、従来のように吸着パッド７９に吸着される際に生じる応力でウエーハ１が変形するといったことがない。このため、ウエーハ１を、加工されたままの状態の強度を維持しながらスピンナ式洗浄装置８１まで安全に搬送することができる。そして、スピンナ式洗浄装置８１でウエーハ１の表面に形成された保護膜８を除去するので、保護膜８がウエーハ１に残存することはない。

図６（ａ）は、従来の搬送手段を示しており、本実施形態と同一構成要素には同一の符合を付してある。従来の搬送手段は、真空チャック式の吸着パッド７９が回収アーム８０に取り付けられ、吸着パッド７９の吸着面７９ａは多孔質体８３で形成されている。その吸着面７９ａにウエーハ１が真空作用で吸着されると、図６（ｂ）に示すようにウエーハ１は多孔質体８３の吸着面７９ａに空いている多数の孔に吸引されて局部的に弾性変形させられる。その結果、ウエーハ１に局部的な応力が加わり、ウエーハの強度が劣化するおそれがあったわけである。

本実施形態では、吸着パッド７９の吸着面７９ａにはウエーハ１を直接吸着させず、ウエーハ１の表面に保護膜８を形成し、保護膜の上面８ａを吸着パッド７９で吸着することでウエーハ１を吸着パッド７９に吸着保持するものである。このため、従来のようにウエーハが多孔質体の孔に吸引されて変形するといったことは生じず、強度の維持が図られるのである。

上記実施形態は、本発明を研削加工装置に適用したものであるが、本発明は図７に示すような研磨加工装置にも適用可能である。なお、図７で図２と同一構成要素には同一の符合を付してあり、それらについては簡略的に説明する。

この研磨加工装置１４は、上記研削加工装置１０で研削加工されたウエーハ１の裏面を研磨して仕上げるものであり、コラム１２は１つ設けられ、このコラム１２に、研磨ユニット６０が昇降可能に装着されている。研磨ユニット６０は、図８に示すように、上記研削ユニット３０と同様のスピンドルハウジング３１、スピンドルシャフト３２、モータ３３およびフランジ３４とを具備しており、フランジ３４に、研磨工具６２が取り付けられる。研磨工具６２は、環状のフレーム６３の下面に、シリカなどの酸化金属砥粒を含浸した研磨布６４が固着されてなるもので、フレーム６３がフランジ３４にねじ止め等の手段によって着脱自在に取り付けられるようになっている。

基台１１の加工エリア１１Ａには、テーブルベース１７がＹ方向に移動自在に設けられおり、このテーブルベース１７上に、回転式のチャックテーブル２０が取り付けられている。テーブルベース１７の移動方向両端部には蛇腹状のカバー１９Ａ，１９Ｂの一端がそれぞれ取り付けられており、これらカバー１９Ａ，１９Ｂの他端は、コラム１２と、コラム１２に対向するピット１８の内壁面に、それぞれ取り付けられている。これら、カバー１９Ａ，１９Ｂは、テーブルベース１７の移動路を覆い、その移動路に研磨屑等が落下することを防ぐもので、テーブルベース１７の移動に伴って伸縮する。

この研磨加工装置１４では、テーブルベース１７のＹ方向の移動により、チャックテーブル２０に保持されたウエーハは、着脱エリア１１Ｂに近接した着脱位置と研磨ユニット６０の下方の加工位置との間を往復移動させられ、加工位置で研磨ユニット６０により裏面が研磨される。そして、研磨加工が終了して着脱位置に位置付けられたウエーハ１は、上記実施形態と同様にして回収手段７６の吸着パッド７９に保護膜８を介して吸着保持され、回収アーム８０が旋回することによりスピンナ式洗浄装置８１内まで搬送され、該洗浄装置８１内で洗浄と同時に保護膜８が除去される。

上記の研削加工装置および研磨加工装置のいずれの実施形態においても、液体Lは液体供給ノズル７８より滴下することでウエーハ１の表面に供給されていたが、図９に示すペイントローラ式液体塗布手段８４のペイントローラ８５に液体Ｌを染み込ませ、該ローラ８５をウエーハ１の表面に押圧し、ペイントローラ８５を移動させ、液体Lをウエーハ１の表面に塗布することで供給することも可能である。なお、図９で図４と同一構成要素には同一の符号を付してあり、それらについては簡略的に説明する。

ペイントローラ式液体塗布手段８４は、ウエーハ１の着脱位置近傍に配設されたスタンド９１を有している。このスタンド９１の上面には、ガイド９０がウエーハ１の着脱位置上やや横側に突き出すように水平に配設されている。ガイド９０内には、送り機構８９によって駆動される送りねじ８８が配されている。送りねじ８８には、ローラ押し付け機構９２が装着されており、ローラ押し付け機構９２は、送り機構８９により水平方向に移動が可能である。ローラ押し付け機構９２の下面にはローラフレーム８６が、ローラ押し付け機構９２の移動方向に対して垂直に配設されており、ローラフレーム８６は両端でローラ軸８７を支持している。そして、ローラ軸８７を回転軸として水平なペイントローラ８５が回転自在に装着されている。ペイントローラ８５は、ローラ押し付け機構９２により昇降することが可能であり、ウエーハ１の表面に液体Lを十分に供給できる幅を備えている。

ペイントローラ式液体塗布手段８４によれば、上記実施形態と同様に水供給ノズル７７から水Wが供給されたウエーハ１の表面に、ローラ押し付け機構９２によりペイントローラ８５を下降させ押し当てる。なお、ペイントローラ８５には液体Lをあらかじめ染み込ませておく。そして、送り機構８９によりペイントローラ８５をウエーハ1の表面に沿って水平方向に移動させる。ペイントローラ８５はローラ軸８７を軸として転がり、ウエーハ１の表面に液体Lが塗布される。ウエーハ１の表面に液体Lが塗布されたら、押し付け機構９２によりペイントローラ８５を上昇させ、液体Lの塗布を完了させる。この後、上記実施形態と同様に、チャックテーブル２０を回転させ、水Wと液体Lを混合し、乾燥、固化させウエーハ1の表面に保護膜８を形成させる。

次に、本発明の搬送方法の効果を実証するために、抗折強度を測定した実施例を示す。
まず、厚さ２００μｍまで研削加工して薄化処理したウエーハを、本発明の搬送方法で搬送した後、それらのウエーハから２０ｍｍ角に切り出したチップの抗折強度を、球抗折測定法によって測定した。一方、図６（ａ）で示したような従来の真空チャック式の吸着パッドにウエーハを吸着、保持して搬送したウエーハと、研削加工後に吸着パッド等に吸着、保持せず、そのままの状態のウエーハに対しても、同様にして抗折強度を測定した。なお、測定サンプル数は、それぞれ６１個とした。これらウエーハの抗折強度の最高値、最低値ならびに平均値を、図１０に示す。

図１０で明らかなように、本発明の搬送方法で搬送させたウエーハは、搬送させなかったウエーハと比較してもあまり抗折強度に大きな変化は見られず、高い強度が維持されていることが判る。一方、従来の搬送方法で搬送させたウエーハは抗折強度が格段に低下しており、最高値でも本発明の搬送方法で搬送されたウエーハの最低値より約１０００ＭＰａ高い値しか示しておらず、本発明の場合は平均値で従来方法の７〜８倍の強度の差が生じている。したがって従来の搬送方法ではかなりの強度を失っていたが、本発明の搬送方法では加工されたままの状態のウエーハの強度を維持することができるということが実証された。

本発明の一実施形態で研削加工されるウエーハの（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。 本発明の一実施形態に係る研削加工装置の斜視図である。 図２の研削加工装置が備える研削ユニットによりウエーハを研削している状態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。 一実施形態の研削加工装置の液体供給ノズルを示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。 （ａ）は本発明の一実施形態の回収手段を示す側面図、（ｂ）は図５（ａ）の手段でウエーハを吸着している部分の拡大側面図である。 （ａ）は従来の回収手段を示す側面図、（ｂ）は図６（ａ）の手段でウエーハを吸着している部分の拡大側面図である。 本発明の他の実施形態を示す研磨加工装置の斜視図である。 図７の研磨加工装置が備える研磨ユニットによりウエーハを研磨している状態を示す側面図である。 本発明の他の実施形態を示すペイントローラ式液体供給手段の（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。 実施例で行った抗折強度試験の測定結果を示す線図である。

符号の説明

１…半導体ウエーハ
８…保護膜
８ａ…保護膜表面
１０…研削加工装置（加工装置）
１４…研磨加工装置（加工装置）
２０…チャックテーブル（保持手段）
７７…水供給ノズル（液体供給手段）
７８…液体供給ノズル（液体供給手段）
７９…吸着パッド
７９ａ…吸着面
８０…回収アーム（移動手段）
８１…スピンナ式洗浄装置（保護膜除去手段）
Ｌ…液体
Ｗ…水

Claims (4)

1. 保持手段に保持されたウエーハを加工後に所定の搬送先に搬送する方法であって、
   保護膜となる液体を前記ウエーハの加工面に供給し固化させて保護膜を形成する保護膜形成工程と、
   前記ウエーハの加工面に形成された前記保護膜の表面に搬送用吸着パッドの吸着面を押し当て、ウエーハを該吸着パッドの吸着面に吸着保持するウエーハ吸着工程と、
   ウエーハを吸着保持した前記吸着パッドを搬送先に搬送するウエーハ搬送工程と、
   搬送先で吸着パッドからウエーハを離脱させ、ウエーハの加工面に被覆された前記保護膜をウエーハから除去する保護膜除去工程と
   を備えることを特徴とするウエーハの搬送方法。
2. 前記加工が、ウエーハの加工面を研削する研削加工、または研磨する研磨加工であることを特徴とする請求項１に記載のウエーハの搬送方法。
3. ウエーハを保持する回転可能な保持手段と、
   該保持手段に保持されたウエーハに所定の加工を施す加工手段と、
   該加工手段により加工が施されたウエーハを、前記保持手段から所定の搬送先に搬送する搬送手段とを備えた加工装置であって、
   前記搬送手段は、
   前記保持手段に保持されたウエーハの加工面に所定の手段で固化し保護膜となる液体を供給する液体供給手段と、
   前記保持手段に保持されたウエーハの加工面に形成された保護膜に押し当てられる吸着面を有する吸着パッドと、
   該吸着パッドを前記保持手段から前記搬送先に移動させる移動手段とを備え、
   さらに該加工装置は、搬送先で前記保護膜を除去する保護膜除去手段を備えることを特徴とするウエーハの加工装置。
4. 前記加工手段は、前記ウエーハの加工面を研削する研削加工手段、または研磨する研磨加工手段であることを特徴とする請求項３に記載のウエーハの加工装置。

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