JPS61292922A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体装置全製造する際に利用して有効な技
術に関するものである。

〔背景技術〕

トランジスタやＩＣのごとき半導体装置の製造において
、接散、エツチング、蒸着等の各処理工程にウェハ状態
で自動搬送する際に若干の振動が加わりたｐ、あるいは
ビンセットでウニノ・の治具移し替えをする際にクエへ
周辺が欠け、その欠片がウニ八表面に付着するという問
題があった。この問題を解決するため、従来は特公昭５
３−３８５９４号公報に開示されているように、ウェハ
周辺部に面取りを施すことが行なわれている。そして、
現在のように直径が５インチ、６インチと大口径化が進
んだウェハにおいても前述した面取りを行ない、ウェハ
のチッピングや欠けの発生を防止できると考えられてい
た。

ところで、大口径ウェハは強度を維持するためにその肉
厚ｔ−５００μ〜７００μと従来のウニノーのものより
厚くして、第６図に示すようにウェハ周辺部を面取りし
てチッピングやワレが発生するのを防止している。とこ
ろが、このシェフ１表面に素子全形成したのち、パッケ
ージングし易く、放熱効率を良好にするため研削後の肉
厚＠４００μ程度まで研削して薄くしなければならず、
そのため周辺部面取り済みのウェハ主表面に素子（図示
せず）′ｆ：形成したウェハ１の上部にレジスト膜２を
塗布形成し、十分素子を保護しておき、ウニノ１裏面を
研削している。この結果、第７図に示すようにウェハ１
９の裏面の面取りが、裏面研削によシ完全に崩れてしま
い、ワレやチッピングを発生していた。本発明者は、前
述した裏面研削により、ウェハ強度が低下し、ワレ・チ
ッピングが発生し易くなっていることを認識し、ま九裏
面研削後のウェハのワレ・チッピングに対して何ら防止
対策がとられていないことに気付いた。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、歩留の向上できる半導体装置の製造方
法全提供することである。

本発明の他の目的は、ウェハのチッピングやワレを効果
的に防止できうる技術を提供することである。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
全簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、ウェハの周囲に保護膜を形成して、ウェハ周
辺部が、直接他と接触しないようにすることによシ、さ
らには前記保護膜で補強することにより、ウェハ周辺部
のワレやチッピングの防止を可能にするものである。

〔実施例１〕 第１図は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための概略図、第２図はウェハ側部部分断
面図である。以下、図を用いて説明する。

シリコン単結晶からなる棒状のシリコンインボッ）ｆ、
スライスし面取シしたウェハを鏡面研摩したのち、その
主表面上に素子（図示せず）を形成する。素子が形成さ
れたウニ／Ｓ３は、レジスト塗布処理が行なわれ、その
表面上にレジスト膜４會形成する（第２Ａ図）。そのの
ち、ウニノＳ３を薄くするため例えば機械的に裏面研削
を行ない、ウェハ肉厚’１４００μ程度まで研削する（
第２Ｂ図）。なお、レジスト膜４は裏面研削の際にウェ
ハ表面の素子を保護するために形成している。次に研削
したウェハ３ａの周辺部を覆うように、チッピングやワ
レを防止するための保護膜５を形成する保護膜形成処理
を行なう（第２Ｃ図）。そして、前記保護膜５を付着さ
せたまま搬送し、裏面エツチング、レジスト除去、プロ
ーブ検査等の処理を行なう。

第３図は保護膜形成装置の一実施例である。裏面研削し
たウェハ３ａは、ウェハ載置台６上に搬送されたのち、
真空吸着孔７ｔ−介して吸引され固定される。その後、
図示しない回転機構により、制御された速度で前記載置
台６が回転する。ウェハ周辺部の上方には、保護材供給
ノズル８が配設されておシ適当量の保護材がウェハ周辺
部に滴下できるようになっている。なお、保護材として
例えば高粘度レジストを適用することができる。

〔実施例２〕 第４図は、本発明の他の実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための概略図、第５図はウェハ側部部分
断面図である。以下、図を用いて説明する。なお〔実施
例１〕と同一構成部分は同一符号とし、その説明を省略
する。

素子を形成したのち、レジストが塗布されたウェハ（第
５Ａ図）の周辺部に、第３図に示したよりな保護膜形成
装置を用いて保護材を滴下し、保護膜５を形成する（第
５Ｂ囚）。保護撲形成後ウェハ３の裏面研削全行ない、
ウェハ肉厚を所定の厚さにする（第５Ｃ図）。そして、
裏面エツチング、レジスト除去、プローブ検査等の処理
を行なう。

〔効果〕 （１）裏面研削などの処理によシウエハ肉厚を薄くする
と、研削前の面取シが不完全となり、わずかな衝撃があ
っても簡単にチッピングやワレが発生してしまう。しか
しながらウェハ周辺部を覆うように保護膜を形成するこ
とにより、搬送中あるいは治具移し替え中にウニ八周辺
が直接他と接触することがなくなるので、最も脆いウニ
ノ・周辺にチッピングやワレが発生しなくなり、ウェハ
歩留を飛躍的に向上させることができるという効果が得
られる。

（２）ウェハ周辺部に保護膜を形成することによシ、裏
面研削したのち、薄く脆いウニノ・を再度面取シする困
難な作業を行なわずに、ワレやチッピング全防止するこ
とが可能となる。

（３）少々のチクピング等がおるウェハでも、保護膜で
覆うことにより補強されるので、新九にワレが発生する
のを抑制して次工程に搬送することが可能となる。

以上本発明者によりてなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明し九が、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、保護膜の材
料はウェハを汚染し逢いものであれば有機質、無機質ど
ちらでも良い。

なお、弾力性を有する材料であれば一層好ましい。

また、本実施例のように物理的に保護膜全形成すること
に限定されず、例えば保護膜を形成しない部分にはマス
クをしておき、ＣＶＤのように化学的に、あるいはスパ
ッタリングのように物理的に保ｖｋ膜材をデボジシｌン
し、ウェハ周辺部に保護膜を堆積させ、その後マスクを
剥がすようにしても良い。さらに、本実施例ではクエへ
表面に素子を形成したのちに保護膜を付着するようにし
ているが、ウニへ面取υ後に保護膜を形成し、その状態
で素子形成行程に流すようにしても良い。また、ウェハ
面取り’を行なわずに保護膜を代替として用いるように
しても良い。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば脆性薄板を搬送する場合に適
用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半導体装置のれるウェ
ハ側部部分断面図、 第３図は保＃！膜形成装置の概略構成図、第４図は本発
明の他の実施例である半導体装置れるウェハ側部部分断
面図、 第６図は面取シウエハの側部断面図、 第７図は裏面研削したウェハの側部断面図である。 １．３・・・ウェハ、２，４・・・レジスト膜、５・・
・保護膜、６・・・ウェハ載置台、７・・・真空吸着孔
、８・・・保護材供給ノズル。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ウェハ周辺部にチッピングを防止するための保護膜
   を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 ２、ウェハ主面に素子を形成する工程と、前記ウェハの
   裏面に研削等の処理を施してウェハ厚を薄くする工程と
   、研削後ウェハ周辺部にチッピングを防止するための保
   護膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 ３、ウェハ主面に素子を形成する工程と、素子形成後に
   ウェハ周辺部にチッピングを防止するための保護膜を形
   成する工程と、保護膜形成後ウェハ裏面を研削する工程
   とを有する半導体装置の製造方法。