KR102172620B1 - 기판의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판, 특히 합성 석영 유리 기판의 가공에 있어서, 킬러 결함이 될 수 있는 기판 표면의 결함을 억제하고, 또한 대규모의 장치나 고정밀도의 정반을 사용하지 않고, 기존의 설비를 사용한 가공에 있어서의 불량률을 줄여, 수율을 향상시킬 수 있는 기판의 제조 방법을 제공한다.
하부 정반 상에 설치된 캐리어에 형성된 워크 홀 중에 기판을 보유 지지하고, 해당 기판 표면에 충격 흡수액이 도포된 상태에서 하부 정반을 회전시키면서 상부 정반을 상기 기판 표면에 착반시키고, 계속해서 상기 기판 표면에 연마 슬러리를 동반하면서 상하 정반을 회전시켜 상기 기판을 연마 가공하는 공정을 포함하는 기판의 제조 방법을 제공한다.

Description

기판의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATES}
본 발명은 기판, 특히 포토마스크, 광학 센서, 시퀀서 칩용 등, 최첨단 기술에 사용되는 합성 석영 유리 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 회로 등의 정밀 기기에 도입되는 장치를 제조할 때, 그 제조 공정에서 광 리소그래피나 나노 임프린트 등의 방법이 채용되고 있다. 이와 같은 방법을 사용할 때, 기판 표면에 있어서의 결함수의 적음이 중요시된다. 예를 들어, 포토리소그래피의 노광용 원판으로서 사용되는 마스크용 기판에 결함이 있으면, 그 결함이 그대로 전사되어 패터닝 결함을 일으키는 문제가 염려된다.
한편, CMOS 센서나 광 도파로 센서, 시퀀서 칩 등의 용도에서는, 판 두께가 0.1 내지 1.0㎜ 정도인 얇은 기판이 채용되는 경우가 종종 있다. 예를 들어, DNA 시퀀서 칩에 사용되는 유리는, 지금까지는 두꺼운 기판 상에 패턴을 형성해 두고, 패턴과 반대측을 백그라인딩함으로써 기판을 얇게 하여 사용되고 있었다. 그러나, 세대가 진행함에 따라서 패턴도 복잡화되고, 패턴 형성 후에 백그라인딩하는 방법에서는, 기판이 깨지는 문제가 있었으므로, 처음부터 얇은 기판에 패턴을 그리는 방법이 확립되어 오고 있다.
포토마스크나 광학 센서 등에 사용되는 기판은 고평탄도, 저결함성을 추구하기 때문에, 그의 표면 조정에, 랩핑 공정, 폴리싱 공정 등, 몇 단계의 공정을 거쳐서 제품이 제조된다.
예를 들어, 합성 석영 유리를 폴리싱 등의 연마 천을 사용하여 가공할 때는, 연마 천이 합성 석영 유리 기판보다도 부드럽기 때문에, 착반(着盤) 시의 충격이 비교적 작지만, 주철 등의 정반을 사용하여 가공이 행해지는 경우가 많은 랩핑 공정은 합성 석영 유리 기판보다도 단단한 정반과 착반 시에 직접 접촉하기 때문에, 합성 석영 유리 기판에 전해지는 충격의 크기는 폴리싱에 비해 현저히 크다.
이 충격에 의해 발생하는 기판 표면에의 결함을 억제하기 위해, 랩핑 공정에 있어서의 기판으로의 착반 방법이 몇 가지 제안되어 있다.
예를 들어, 일본 특허 공개 제2012-192486호 공보(특허문헌 1)에서는, 정반에 가하는 압력을 통상의 공기 압력식으로부터 수압식으로 함으로써, 기류 특유의 불규칙한 압력 변동을 방지하여, 착반 및 가공 시에 기판에 대해 편압력을 발생시키지 않는 방법이 제안되어 있다. 이 방법을 사용함으로써, 두께가 얇은 가공물에 대해서도, 파손시키지 않고 가공할 수 있는 것이 개시되어 있다.
또한, 일본 특허 공개 (평)9-109021호 공보(특허문헌 2)에서는, 흡착반에 의해 기판의 연마면이 휘어져 있는 부분을 교정하고, 휨이 적은 강성이 높은 정반을 사용하여, 연마면압의 면내 불균일성을 억제하는 방법이 제안되어 있다. 이 방법을 사용함으로써, 착반 시 및 가공 시의 기판 상에 있어서의 편압을 회피할 수 있다.
일본 특허 공개 제2012-192486호 공보 일본 특허 공개 (평)9-109021호 공보
그러나, 특허문헌 1은 수류라는 유동성이 있는 것을 사용하여 압력 제어를 행하므로, 착반, 가공 시에 있어서의 불규칙한 압력 변동을 완전히 방지하는 방법이라고 하기는 어렵다.
또한, 특허문헌 2에서는, 흡착에 의해 기판의 형상을 교정하고 있으므로, 특히 두께가 얇은 기판 등은 교정 시에 깨지는 것이 생각된다. 또한, 휨이 적은 정반을 사용하여도, 연마면압의 면내의 불균일성을 제로로 하는 것은 비현실적이고, 기판 표면에 킬러 결함을 부여할 가능성이 있다. 또한, 그와 같은 고정밀도의 정반을 준비하기 위해, 많은 시간과 비용이 드는 것이 염려된다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판, 특히 합성 석영 유리 기판의 가공에 있어서, 킬러 결함이 될 수 있는 기판 표면의 결함을 억제하고, 또한 대규모의 장치나 고정밀도의 정반을 사용하지 않고, 기존의 설비를 사용한 가공에 있어서의 불량률을 줄여, 수율을 향상시킬 수 있는 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해, 기판을 가공할 때의 정반의 착반 공정에 착안하여 예의 검토하였다. 그 결과, 특히, 상부 정반을 기판 표면에 착반시킬 때, 충격 흡수액이 도포되어 있는 기판이 보유 지지되어 있는 하부 정반을 회전시키면서 착반시키는 것이 유용하다는 것을 발견하였다. 이 방법을 사용함으로써, 모든 기판 크기, 특히 기판의 두께가 얇은 것에 대해 착반 시에 생기는 기판 표면에의 결함을 없앨 수 있다.
즉, 본 발명은 이하의 기판의 제조 방법을 제공한다.
[1] 하부 정반 상에 설치된 캐리어에 형성된 워크 홀 중에 기판을 보유 지지하고, 해당 기판 표면에 충격 흡수액이 도포된 상태에서 하부 정반을 회전시키면서 상부 정반을 상기 기판 표면에 착반시키고, 계속해서 상기 기판 표면에 연마 슬러리를 동반하면서 상하 정반을 회전시켜 상기 기판을 연마 가공하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법.
[2] 상부 정반을 기판 표면에 착반할 때의 하부 정반의 회전수가 1 내지 4rpm인 것을 특징으로 하는 [1]에 기재된 기판의 제조 방법.
[3] 상기 충격 흡수액이 글리콜류, 폴리아크릴산 및 그의 유도체, 폴리(메트)아크릴산 및 그의 유도체, 디에탄올아민 및 트리에탄올아민 중에서 선택되는 적어도 1종의 수용액인 것을 특징으로 하는 [1] 또는 [2]에 기재된 기판의 제조 방법.
[4] 상기 충격 흡수액의 20℃에서의 점도가 10 내지 100mPaㆍs인 것을 특징으로 하는 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 기판의 제조 방법.
[5] 상기 상부 정반을 기판 표면에 착반시킬 때의 하강 속도가 5 내지 20㎜/초의 범위인 것을 특징으로 하는 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 기판의 제조 방법.
[6] 상기 연마 슬러리가 알루미나계 지립, 탄화규소계 지립 및 산화지르코늄계 지립 중에서 선택되는 적어도 1종의 지립을 포함하는 수분산액인 것을 특징으로 하는 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 기판의 제조 방법.
[7] 가공 전의 기판 두께가 0.1 내지 7㎜인 것을 특징으로 하는 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 기판의 제조 방법.
[8] 상기 기판이 합성 석영 유리 기판인 것을 특징으로 하는 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 기판의 제조 방법.
[9] 상기 가공 공정이 랩핑 공정인 [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 기판의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 종래의 가공 방법과 비교하여 상부 정반을 기판 표면에 착반할 때에 있어서의 기판 표면에서의 크랙과 같은 흠집을 저감시키는 것이 가능해진다. 또한, 본 방법 이외에 착반 시에 있어서의 기판의 깨짐 등에 대한 대책을 특별히 실시할 필요는 없고, 수율 향상에 의한 생산성 향상뿐만 아니라, 많은 투자를 하지 않고 현상 설비를 유용하게 이용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시에 사용하는 양면 연마 장치의 일례를 도시하는 개략도이다.
이하, 본 발명에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
본 발명에 있어서의 기판의 제조 방법은 하부 정반 상에 설치된 캐리어에 형성된 워크 홀 중에 기판을 보유 지지하고, 워크 홀 내의 기판 표면에 충격 흡수액이 도포된 상태에서 하부 정반을 회전시키면서 상부 정반을 착반함으로써, 착반 시에 있어서의 기판에 가해지는 힘을 저감시키고, 이에 의해 소프트한 착반 조건을 부여하는 것이다.
본 발명의 기판의 제조 방법에 있어서는, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같은 양면 연마 장치를 사용할 수 있다. 이 연마 장치(1)는 수직 방향으로 승강 가능한 상부 정반(2)과, 이것과 대항하여 배치된 하부 정반(3)과, 하부 정반의 회전축(4) 주위에 서로 등간격으로 설치된 복수개의 캐리어(5)를 구비한다. 각 캐리어에는 기판(워크)(6)을 보유 지지하기 위한 워크 홀(7)이 복수개 형성되어 있고, 각 워크 홀에는 기판이 1매씩 보유 지지되어 있다. 캐리어의 두께는 기판의 두께보다도 얇아지도록 형성되어 있고, 상부 정반(2)을 강하시켜 상부 정반(2)과 하부 정반(3)에 기판(6)을 끼운 상태에서, 상하 정반과 기판 사이에 연마 슬러리(도시하지 않음)를 공급하면서 상부 정반(2)을 상부 정반의 회전축(8)에 의해 소정의 회전 속도로 화살표 a방향으로 회전시키고, 하부 정반(3)을 하부 정반의 회전축(4)에 의해 화살표 b방향으로 회전시킴과 함께, 캐리어(5)를 각각 화살표 c 또는 d방향으로 회전시킴으로써 기판(6)이 연마되는 것이다.
여기서, 상부 정반을 정지 상태의 하부 정반에 대해 수직 방향으로 하강시키고, 상부 정반이 하부 정반 상에 설치된 캐리어에 형성된 워크 홀에 삽입되어 있는 기판에 착반할 때, 기판에는 수직 방향의 1성분만 포함하는 힘이 가해진다. 이 수직 방향의 힘이 지나치게 크면, 착반 시에 기판 표면에 큰 흠집을 내는 주된 요인이 된다.
그러나, 착반 시에 하부 정반이 회전하고 있는 경우, 하부 정반 상에 형성된 워크 홀에 삽입되어 있는 기판은 상부 정반의 하강에 의한 수직 방향의 힘과, 하부 정반의 회전에 의한 수평 방향의 힘의 2성분의 합력이 가해진다. 즉, 착반 시에 기판에 가해지는 힘의 합성 벡터는 기판에 대해 수직 방향으로부터 수평 방향으로 기울어져 있고, 기판에 큰 흠집을 내는 주된 요인이라고 생각되는 수직 방향의 힘을 경감시킬 수 있다.
또한, 기판 표면에 미리 충격 흡수액을 도포해 둠으로써, 착반 시의 충격에 의한 기판에 대한 수직 방향의 힘을 억제할 수 있다. 충격 흡수액은 기판을 충격 흡수액이 들어 있는 조 등에 침지함으로써 기판 표면에 액을 부착시킬 수도 있지만, 기판이 워크 캐리어에 삽입된 후에 분무기 등으로 기판 표면에 도포하는 방법이 보다 바람직하다.
충격 흡수액에 의해 착반 시에 워크에 가해지는 힘이 저감됨으로써, 일본 공업 규격 JIS H 0614에서 정의되는 클로트 크랙, 마크로스 클러치를 비롯한 다양한 결함이 기판 표면에 발생하는 것을 저감시키는 것이 가능해진다.
충격 흡수액은 기판 표면 상에 도포한 채로 방치해 두면, 표면 장력에 의해 액막의 균일성이 무너지지만, 하부 정반을 회전시켜 기판 상의 액막에 대해 수평 방향의 힘을 부여함으로써 액막을 균일하게 하는 것이 가능해지고, 착반 시에 기판에 대해 상부 정반으로부터의 편압이 가해지지 않는 효과도 예상할 수 있다.
충격 흡수액으로서는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜류, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산나트륨 등의 폴리아크릴산 및 그의 유도체, 폴리(메트)아크릴산, 폴리(메트)아크릴산나트륨 등의 폴리(메트)아크릴산 및 그의 유도체, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 중에서 선택되는 적어도 1종의 수용액인 것이 바람직하다.
충격 흡수액 점도는, 충격 흡수액이 기판 표면으로부터 흘러나오거나, 또는 충격 흡수액이 기판 표면에서 균일하게 퍼져 상부 정반으로부터의 힘에 의한 편압을 받기 어렵게 하는 효과를 얻기 쉽게 하는 것을 고려하면, 20℃에서의 점도가 바람직하게는 10 내지 100mPaㆍs, 보다 바람직하게는 10 내지 70mPaㆍs, 더욱 바람직하게는 20 내지 50mPaㆍs이다. 또한, 본 발명에 있어서, 충격 흡수액의 점도는, 예를 들어 도키 산교(주)제 TVC-7형 점도계에 의해 측정할 수 있다.
여기서, 상부 정반을 착반시킬 때의 하부 정반의 회전 속도는, 기판의 흠집 내기의 용이함의 관점에서, 바람직하게는 1 내지 4rpm, 더욱 바람직하게는 2 내지 4rpm이다. 회전 방향은 특별히 제한되지 않지만, 기판과 상부 정반의 수평 방향의 상대 속도를 크게 하고, 상부 정반으로부터 가해지는 수직 방향의 힘과의 합성 벡터를 보다 수평 방향으로 할 수 있는 것을 고려하면, 연마 시의 상부 정반의 회전 방향과 역방향인 것이 바람직하다.
상부 정반의 하강 속도는 충격 흡수액의 증발 등과, 기판의 대미지를 고려하면, 바람직하게는 5 내지 20㎜/초, 보다 바람직하게는 5 내지 15㎜/초, 더욱 바람직하게는 5 내지 10㎜/초이다.
상부 정반의 착반 후, 연마할 때의 상부 정반 또는 하부 정반의 회전 속도, 연마압 등의 그 밖의 연마 조건은 통상의 조건을 채용할 수 있다.
기판 표면의 가공에 동반시키는 연마 슬러리의 지립은 알루미나계 지립, 탄화규소계 지립, 산화지르코늄계 지립을 주성분으로 하는 것에서 선택되는 것이 바람직하다. 이들 지립의 1차 입자 직경은 가공 레이트 및 가공 유래의 기판 표면에의 흠집 내기의 용이함을 고려하면, 바람직하게는 0.5 내지 50㎛, 보다 바람직하게는 0.5 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 10㎛이다. 또한, 본 발명에 있어서, 지립의 입자 직경은, 예를 들어 오츠카 덴시(주)제 제타 전위ㆍ입경 측정 시스템 ELSZ-1000ZS에 의해 측정할 수 있다.
지립으로서는, 시판품을 사용해도 고형 지립을 순수에 분산시킨 것을 사용할 수 있고, 알루미나계 지립이면, 예를 들어 (주)후지미 인코포레이티드제 FO 시리즈 등을 사용할 수 있다. 탄화규소계 지립이면, 예를 들어 시나노 덴키 세이렌(주)제 GP 시리즈, (주)후지미 인코포레이티드제 GC 시리즈 등을 사용할 수 있다. 산화지르코늄계 지립이면, 예를 들어 다이이치키 겐소 가가쿠(주)제 MZ 시리즈, DK-3CH 시리즈, FSD 시리즈 등을 사용할 수 있다.
본 발명에 적용되는 기판은 합성 석영 유리 기판인 것이 바람직하다. 이는, 예를 들어 합성 석영 유리 잉곳을 성형, 어닐, 슬라이스 가공, 모따기, 랩핑, 기판 표면을 경면 가공하기 위한 연마 공정을 거침으로써 얻어진다. 본 발명에 적용할 수 있는 기판으로서는, 그 밖의 동일한 방법으로 얻어지는, 소다 석회 유리 기판, 실리콘 웨이퍼 기판, 사파이어 기판, 갈륨나이트라이드 기판, 탄탈산리튬 기판 등을 들 수 있다.
본 발명은 기판의 크기나 두께를 규정하지는 않지만, 특히 기판의 두께가 얇은 것, 바람직하게는 0.1 내지 7㎜, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 1㎜의 두께를 갖는 기판에 대해 큰 효과가 얻어진다. 기판의 두께가 얇은 것은 가공에 있어서의 전체 공정에서 기판 표면에 비교적 흠집이 나기 쉬운 경향이 있고, 특히 기판에의 충격이 강한 상부 정반의 착반 시에 수율을 떨어뜨리는 것이 종종 보이므로, 본 발명을 사용하면 착반 시에 있어서의 불량률을 격감시키는 것이 가능해진다.
가공 대상의 기판으로서는, 예를 들어 사각 형상의 기판에서는, 한 변이 6인치인 6.35㎜t(6025 기판), 2.3㎜t(6009 기판), 0.35㎜t, 한 변이 400mm인 1.0㎜t 기판, 둥근 형상의 기판에서는 6인치φ, 8인치φ, 12인치φ 웨이퍼 등의 크기이고 0.1 내지 0.5㎜t인 것을 들 수 있다. 이와 같은 기판을 사용하여, 본 발명의 제조 방법은, 바람직하게는 랩핑 공정에 있어서 적용된다.
또한, 본 발명에 관한 기판의 제조 방법으로서는, 뱃치식의 양면 가공이 일반적이지만, 편면 가공, 매엽식 가공 등 정반과 기판의 착반 공정을 갖는 가공법에 있어서 실시되는 것일 수도 있다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명의 효과를 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1 내지 6]
합성 석영 유리 기판(8인치φ이고 두께가 0.3㎜t)을 도 1의 워크 홀 중에 보유 지지하고, 하부 정반을 회전시키면서 상부 정반을 기판에 착반시켰다. 그때의 조건을 하기 표 1에 나타낸다. 기판 표면에 도포하는 충격 흡수액은 20℃에서의 점도가 18mPaㆍs인 에틸렌글리콜 수용액을 사용하였다. 착반 후, 랩핑 가공을 행하였다. 이때의 연마 슬러리는 탄화규소계 지립(시나노 덴키 세이렌(주)제, 상품명: 시나노 랜덤 GP#4000)을 순수에 분산시킨 것을 사용하였다. 각 실시예 모두 기판 100매의 가공을 실시하였다. 불량률은 JIS H 0614 내에서 나타난 결함(클로트 크랙, 마크로스 클러치)을 기판 표면에 있어서 1개 이상 갖는 것을 불량으로 하여 산출하였다.
또한, 랩핑 가공기는 양면 가공 방식의 16B기(하마이 산교 가부시키가이샤제: 16BF)를 사용하였다.
Figure 112016044345146-pat00001
[비교예 1 내지 3]
표 2에 나타내는 조건으로, 하부 정반을 정지시키는 것 이외는 실시예 1 내지 6과 마찬가지로 하여 착반, 가공을 행하고, 평가하였다.
Figure 112016044345146-pat00002
[비교예 4 내지 5]
표 3에 나타내는 조건으로, 기판 표면에 충격 흡수액의 도포는 행하지 않았던 것 이외는 실시예 1 내지 6과 마찬가지로 하여 착반, 가공을 행하고, 평가하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure 112016044345146-pat00003
[실시예 7 내지 9]
합성 석영 유리 기판(한 변이 6인치이고 두께가 6.35㎜t)을 도 1의 워크 홀 중에 보유 지지하고, 하부 정반을 회전시키면서 상부 정반을 기판에 착반시켰다. 그때의 조건을 하기 표 4에 나타낸다. 기판 표면에 도포하는 충격 흡수액은 프로필렌글리콜과 디에탄올아민을 10:1(질량비)의 비율로 혼합하고, 최종적으로 20℃에서의 점도가 40mPaㆍs가 되도록 제조한 수용액을 사용하였다. 착반 후, 랩핑 가공을 행하였다. 이때의 연마 슬러리는 알루미나계 지립(후지미 인코포레이티드(주)제, 상품명: FO#2000)을 순수에 분산시킨 것을 사용하고, 실시예 1 내지 6과 마찬가지로 하여 가공을 행하고, 평가하였다. 결과를 표 4에 나타낸다.
Figure 112016044345146-pat00004
[실시예 10 내지 11]
소다 석회 유리 기판(한 변이 7인치이고 두께가 3.0㎜t)을 도 1의 워크 홀 중에 보유 지지하고, 하부 정반을 회전시키면서 상부 정반을 기판에 착반시켰다. 그때의 조건을 하기 표 5에 나타낸다. 기판 표면에 도포하는 충격 흡수액은 에틸렌글리콜과 트리에탄올아민을 20:1(질량비)의 비율로 혼합하고, 최종적으로 20℃에서의 점도가 37mPaㆍs가 되도록 제조한 수용액을 사용하였다. 착반 후, 랩핑 가공을 행하였다. 이때의 연마 슬러리는 산화지르코늄계 지립(다이이치키 겐소 고교(주)제, 상품명: MZ-1000B)을 순수에 분산시킨 것을 사용하고, 실시예 1 내지 6과 마찬가지로 하여 가공을 행하고, 평가하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.
Figure 112016044345146-pat00005
1 연마 장치
2 상부 정반
3 하부 정반
4 하부 정반의 회전축
5 캐리어
6 기판
7 워크 홀
8 상부 정반의 회전축

Claims (9)

  1. 하부 정반 상에 설치된 캐리어에 형성된 워크 홀 중에 기판을 보유 지지하고, 해당 기판 표면에 충격 흡수액이 도포된 상태에서 하부 정반을 회전시키면서 상부 정반을 상기 기판 표면에 착반(着盤)시키고, 계속해서 상기 기판 표면에 연마 슬러리를 동반하면서 상하 정반을 회전시켜 상기 기판을 연마 가공하는 공정을 포함하는 기판의 제조 방법으로서, 상기 충격 흡수액이 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리아크릴산 및 그의 유도체, 폴리(메트)아크릴산 및 그의 유도체, 디에탄올아민 및 트리에탄올아민 중에서 선택되는 적어도 1종의 수용액인 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 미리 충격 흡수액이 도포된 상태에서 하부 정반을 회전시킴으로써 해당 충격 흡수액의 액막을 기판 표면에 균일하게 형성하고, 또한 하부 정반을 회전시키면서 상부 정반을 상기 기판 표면에 착반시키는 기판의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상부 정반을 기판 표면에 착반할 때의 하부 정반의 회전수가 1 내지 4rpm인 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 충격 흡수액의 20℃에서의 점도가 10 내지 100mPaㆍs인 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 상부 정반을 기판 표면에 착반시킬 때의 하강 속도가 5 내지 20㎜/초의 범위인 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 연마 슬러리가 알루미나계 지립, 탄화규소계 지립 및 산화지르코늄계 지립 중에서 선택되는 적어도 1종의 지립을 포함하는 수분산액인 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 가공 전의 기판 두께가 0.1 내지 7㎜인 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판이 합성 석영 유리 기판인 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가공 공정이 랩핑 공정인 기판의 제조 방법.
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