JPH10166259A - サファイア基板研削研磨方法および装置 - Google Patents

サファイア基板研削研磨方法および装置

Info

Publication number
JPH10166259A
JPH10166259A JP33212096A JP33212096A JPH10166259A JP H10166259 A JPH10166259 A JP H10166259A JP 33212096 A JP33212096 A JP 33212096A JP 33212096 A JP33212096 A JP 33212096A JP H10166259 A JPH10166259 A JP H10166259A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grinding
sapphire substrate
polishing
wafer
grindstone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33212096A
Other languages
English (en)
Inventor
Yamato Sakou
光 大 和 左
Original Assignee
Okamoto Kosaku Kikai Seisakusho:Kk
株式会社岡本工作機械製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Okamoto Kosaku Kikai Seisakusho:Kk, 株式会社岡本工作機械製作所 filed Critical Okamoto Kosaku Kikai Seisakusho:Kk
Priority to JP33212096A priority Critical patent/JPH10166259A/ja
Publication of JPH10166259A publication Critical patent/JPH10166259A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シリコンよりも硬いサファイア基板の表面を
高精度に研磨する。 【解決手段】 ターンテーブル1上のサファイア基板2
の表面を粒度600番のダイヤモンド砥石4で研削して
表面粗さをRa500nm程度にした後、その表面をシ
リカ砥石5で研削するか、またはシリカ粉を介在させて
研磨布で加圧しながら研磨して表面粗さをRa100n
m〜50nm程度にし、さらにサファイア基板2の表面
をシリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁した研磨剤10を使
用して、定盤8上の研磨布7に加圧しながら研磨するこ
とにより、サファイア基板2の表面粗さを最終的にRa
2nm程度にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、サファイア基板の
表面を高精度に研削研磨するサファイア基板研削研磨方
法およびその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年のエレクトロニクス技術のめざまし
い発展により、多くの電子機器にさまざまな半導体デバ
イスが使用されるようになってきた。半導体デバイス
は、一般には、シリコンウェハに露光、酸化、不純物導
入、薄膜形成、洗浄、エッチング等の要素技術を組み合
わせたプロセスを何回も繰り返すことにより製造され
る。ベースとなるウェハは、非常に高精度な平坦度と粗
さが要求されるため、通常は、まず研削装置を使用し、
ウエハをターンテーブルに吸着して、ターンテーブルと
は逆に回転するダイヤモンド砥石により研削した後、今
度は研磨装置の研磨ヘッドに吸着したウエハを、シリカ
をアルカリ性溶液で溶かした研磨剤を供給しながら定盤
上の研磨布に押し付けて研磨することにより、必要な平
滑度と表面粗さを得ていた。最近では、シリコンウエハ
の代わりに放射線に強いサファイアウエハが、人工衛星
に搭載される機器等のLSIに使用されるようになって
きた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サファ
イアはシリコンよりも硬く、また人工衛星に搭載される
半導体デバイスとしては超LSIが使用され、ウエハに
対する品質要求がより厳しく、例えば直径6インチのウ
エハでは、表面の平坦度TTVが1μm、粗さRa(R
y)が0.002μm(2nm)を要求される。基板と
してサファイアを使用し、しかもこのような高精度に仕
上げることは、従来の技術ではかなり難しく、産業界の
要望に十分答えられなかった。
【0004】本発明は、このような従来の課題を解決す
るものであり、サファイア基板を高精度に仕上げること
のできる研削研磨方法およびその装置を提供することを
目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、従来は粒度400番程度のダイヤモンド
砥石を使用して研削していたのを600程度のダイヤモ
ンド砥石を使用することにより、サファイア基板の表面
の粗さをRa0.5μm程度に研削し、続いてメカノケ
ミカル研削技術を利用してRa0.1〜0.05μm程
度まで研削研磨し、最後にメカノケミカル研磨技術を利
用してRa0.002μm程度を実現するようにしたも
のである。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明によるサファイア基板研削
研磨方法は、サファイア基板の表面をシリカの砥石で研
削する工程を含むものであり、サファイアを研削する際
にメカノケミカル研削技術を利用することにより、硬い
サファイアの表面を高精度に研削することができる。
【0007】また、本発明によるサファイア基板研削研
磨方法は、サファイア基板の表面を粒度600番のダイ
ヤモンド砥石で研削する第1の工程と、次いでその表面
をシリカの砥石で研削するか、またはシリカ粉を介在さ
せて研磨布で加圧しながら研磨する第2の工程を含むも
のであり、ダイヤモンド研削により表面粗さをRa50
0nm程度にした後、シリカの砥石で表面粗さをRa1
00nm〜50nm程度にすることができる。
【0008】また、本発明によるサファイア基板研削研
磨方法は、第2の工程終了後、サファイア基板の表面を
シリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁した研磨剤を使用して
研磨布に加圧しながら研磨する第3の工程を含むもので
あり、サファイア基板の表面粗さを最終的にRa2nm
程度にすることができる。
【0009】また、本発明によるサファイア基板研削研
磨装置は、ダイヤモンド砥石を回転可能かつ加圧可能に
保持する第1の研削ヘッドと、シリカの砥石または研磨
布を回転可能かつ加圧可能に保持する第2の研削ヘッド
と、サファイア基板を回転可能に保持する複数のターン
テーブルを、第1の研削ヘッドに対応する研削位置およ
び第2の研削ヘッドに対応する研削位置または研磨位置
にそれぞれ位置決めするインデックステーブルとを備え
たものであり、サファイア基板の研削研磨工程を連続し
て行うことができる。
【0010】また、本発明によるサファイア基板研削研
磨装置は、ダイヤモンド砥石を回転可能かつ加圧可能に
保持する第1の研削ヘッドと、シリカの砥石または研磨
布を回転可能かつ加圧可能に保持する第2の研削ヘッド
と、サファイア基板を回転可能に保持する複数のターン
テーブルを、第1の研削ヘッドに対応する研削位置およ
び第2の研削ヘッドに対応する研削位置または研磨位置
およびサファイア基板を着脱・洗浄する着脱・洗浄位置
にそれぞれ位置決めするインデックステーブルとを備え
たものであり、サファイア基板の研削研磨工程および着
脱・洗浄工程を連続して行うことができる。
【0011】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図1は本発明のサファイア研削研磨方法の
一実施例を示す。まず(a)の第1工程において、ター
ンテーブル1の表面に真空吸着したサファイア基板2の
表面を、上部のスピンドル3に固定したダイヤモンド砥
石4により研削する。ダイヤモンド砥石4は、ダイヤモ
ンドチップ4aを台金に放射状に固定したものであり、
粒度は600番のものが使用される。シリコンウエハを
ダイヤモンド砥石で研削する場合は2000番の砥石を
使用するが、シリコンよりも硬いサファイアを研削する
場合は、600番を越えると砥石が目詰まりを起こして
使用できない。スピンドル3をターンテーブル1よりも
高速に回転させながら、研削負荷が少なくなるに連れて
送り速度を速めていく。この時、サファイアはシリコン
よりも硬く、剛性が高いので、研削負荷によってスピン
ドル3が逃げる傾向にあり、これを抑えるためにスピン
ドル3自体の剛性を60kg/μm程度に高める必要が
ある。また、ターンテーブル1の回転振れも0.1μm
以下に抑える必要がある。さらに従来のシリコンウエハ
の研削と同様に、スピンドル3の軸をサファイア基板2
に接触する側に少し傾斜させて研削を行う。このような
条件で研削を行うことにより、サファイア基板2の表面
粗さをRa500nm程度まで研削することができる。
【0012】次に(b)の第2工程において、今度は上
部のスピンドル3にシリコン砥石5を取り付けてサファ
イア基板2の表面を研削する。シリコン砥石5は、台金
にシリコンリング5aを固定したものであるが、台金全
体にシリコンプレートを固定してもよい。この研削はメ
カノケミカル研削と呼ばれるもので、モース硬度7程度
のシリコン砥石5によりモース硬度8程度のサファイア
基板2を研削する場合、通常は軟らかい砥石で硬いワー
クは削れないが、高温高圧下で削ると両者が固相反応を
起こし、この反応相が摩擦力により脱落することで削れ
るようになる。これをメカノケミカル反応またはメカノ
ケミカル現象という。この反応を起こすためには、80
0度C〜1000度Cの高温と、40kbar程度の高
圧が必要となるので、スピンドル3で1000g/cm
2 程度に加圧する必要がある。このような条件で研削を
行うことにより、サファイア基板2の表面粗さをRa1
00nm〜50nm程度まで研削することができる。
【0013】次に(c)の第3工程において、今度は上
部のスピンドル3に固定された吸着パッド6にサファイ
ア基板2を真空吸着し、表面に研磨布7を固定した定盤
8を回転軸9により回転させながら、研磨剤10をサフ
ァイア基板2と研磨布7との間に供給して研磨を行う。
研磨剤10はシリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁したもの
で、上記した第2工程と同様にメカノケミカル反応が発
生する。この第3工程では、シリカ粒子とサファイア粒
子との接触による摩擦熱により容易に高温、高圧が発生
するので、スピンドル3に加える荷重は200g/cm
2 〜400g/cm2 程度でよく、微小反応部の摩擦力
によりオングストロームレベルでの研磨が行われる。こ
のような条件で研磨を行うことにより、6インチのサフ
ァイア基板2の表面粗さをRa2nm、平坦度TTVを
1μmまで超精密に仕上げることができる。
【0014】図2は上記第2工程の変更例を示してお
り、シリコン砥石を用いたメカノケミカル研削に代え
て、上部のスピンドル3に固定されて定盤11に研磨布
12を貼り付けて、下部のターンテーブル1上のサファ
イア基板2の表面を、シリカ粉13を供給しながら研磨
布12で研磨するメカノケミカル研磨技術を用いたもの
である。この方法は、上記の第3工程の代替えとしても
行えるので、要求される精度が第3工程を行わなくても
済む場合に適している。
【0015】次に上記したサファイア基板研削研磨方法
を実施するための装置の実施例について説明する。図3
は同装置の概略平面図、図4は同装置の概略正面図であ
る。100は第1のカセット保持部であり、研削前のウ
エハWを収容したカセットCを搬入・搬出位置P1から
垂直面内に90度回転して第1の待機位置P2へ移動さ
せるとともに、待機位置P2でカセットCを水平面内に
所定角度だけ回転させる。200は回転ロボットであ
り、カセット保持部100からウエハWを真空吸着して
インデックステーブル400のウエハ着脱・洗浄位置P
3まで搬送するとともに、ウエハ着脱・洗浄位置P3か
らウエハ乾燥位置P6を経由して第1の待機位置P2ま
たは第2の待機位置P7まで回転して研削後のウエハW
を第1のカセット保持部100または第2のカセット保
持部900に引き渡す。300は回転ロボット200か
ら受け取ったウエハを真空吸着して独立に回転する3個
のターンテーブルである。400はインデックステーブ
ルであり、各ターンテーブル300を円周方向に120
度の等間隔に配置し、水平面内に所定角度回転させて、
各ターンテーブル300をそれぞれ着脱・洗浄位置P
3、研削位置P4、P5に順番に位置決めする。500
はダイヤモンド砥石を装着した研削ヘッドであり、60
0はシリカ砥石(または研磨布)を装着した研削ヘッド
であり、それぞれ研削位置P4、P5に位置するターン
テーブル300上のウエハの表面を研削する。501お
よび601はインプロセスゲージであり、2つのゲージ
の差を取ることにより研削中のウエハの厚さを測定す
る。700は洗浄部であり、ウエハ着脱・洗浄位置P3
において研削後のウエハの表面やテーブル300の表面
を純水により洗浄する。800は乾燥部であり、ウエハ
着脱・洗浄位置P3から回転ロボット200により搬送
されてきたウエハを受け取って空気を噴射することによ
りにより乾燥させる。900は第1のカセット保持部1
00と同様な第2のカセット保持部であり、回転ロボッ
ト200により乾燥部800から搬送されてきたウエハ
WをカセットC内に収容するウエハ収納用のカセット保
持部であり、ウエハ収納位置P7でウエハWを第2の待
機位置P7で受け取って、カセットC内に収納した後、
水平面内で所定角度回転し、さらに垂直面内に90度回
転してカセットCを第2の搬入・搬出位置P8へ移動さ
せる。なお1000はウエハをカセット保持部100か
らターンテーブル300に移す際にウエハの芯出しを行
うための仮受台である。
【0016】次に上記実施例の動作について説明する。
カセットCは、外形はほぼ立方体であるが、内部には中
央部に桟を有し、前方が開放されて後方がウエハに合わ
せて狭くなった棚CPが、例えば25段設けられてい
る。したがって、ウエハを収容したカセットをウエハが
水平になる状態で持ち運んだり、研削装置にセットしよ
うとする場合、少しでもカセットを下向きにすると、内
部のウエハが滑って落下することになる。このため、本
実施例では、ウエハを収容したカセットは、ウエハが垂
直になるように、すなわちカセットを上向きに持ち運
び、この研削装置の第1およびまたは第2の搬入・搬出
位置P1、P8において、第1およびまたは第2のカセ
ット保持部100、900の受け台にセットするように
している。
【0017】第1のカセット保持部100は、カセット
Cを保持した受け台をサーボモータにより垂直面内に9
0度回転させ、カセットCを第1の待機位置P2へ移動
させる。次いで受け台を水平面内に所定角度だけ、すな
わち回転ロボット200の回転中心に向くように回転さ
せる。回転ロボット200は、吸着アームによりカセッ
トC内の最下段の1枚目のウエハWを真空吸着し、サー
ボモータによりウエハWを待機位置P2から着脱・洗浄
位置P3まで搬送し、そこでターンテーブル300にウ
エハを引き渡す。
【0018】位置P3に位置するターンテーブル300
が、吸着パッドによりウエハを真空吸着すると、インデ
ックステーブル400が水平面内に時計回り方向に12
0度回転して、吸着したウエハを研削位置P4へ移動さ
せるとともに、研削位置P5に位置していたターンテー
ブル300を位置P3に移動させる。ウエハを吸着した
ターンテーブル300が研削位置P4に位置すると、低
速で回転を始めるとともに、研削ヘッド500のダイヤ
モンド砥石が下降して高速に回転してウエハに接触し、
第1研削工程を行う。その間に回転ロボット200は、
再び待機位置P2に戻って、そこで2枚目のウエハを吸
着して、位置P3に位置するターンテーブル300に引
き渡す。研削位置P4で第1研削工程が終了すると、再
びインデックスモータ400が時計回り方向に120度
回転して、第1研削工程を終えたウエハを研削位置P5
へ移動させる。ここでは、シリカ砥石(または研磨布)
を装着した研削ヘッド600により第2研削工程が行わ
れる。この間に位置P3のターンテーブル300には3
枚目のウエハが吸着されるとともに、位置P4では2枚
目のウエハに対する第1研削工程が行われる。位置P5
で第2研削工程が終了し、位置P4で第1研削工程が終
了すると、再びインデックステーブル400が時計回り
方向に120度回転して、第2研削工程を終えたウエハ
を位置P3へ移動させ、第1研削工程を終えたウエハを
位置P5へ移動させる。
【0019】第2研削工程を終えたウエハが位置P3に
来ると、洗浄部700のクリーニングヘッドが下降し
て、その下端部の高速に回転する洗浄ブラシをウエハの
表面に接触させて純水を供給しながら洗浄を行う。洗浄
が終了すると、回転ロボット200が着脱・洗浄位置P
3のターンテーブル300にあるウエハを吸着して乾燥
位置P6まで搬送する。乾燥装置800は、濡れたウエ
ハを吸着して芯出しを行った後、高速回転させてウエハ
を空気乾燥させる。乾燥したウエハは、再び回転ロボッ
ト200に吸着されて、第1の待機位置P2に搬送さ
れ、ここで第1のカセット保持部100に保持されたカ
セットC内に収納される。この時、カセット4は回転ロ
ボット200の回転中心に向いている。カセットCへの
ウエハWの収納が終わると、カセット保持部100が所
定角度回転した後、垂直面内に90度回転してカセット
Cを第1の搬入・搬出位置P1へ移動させる。第1の搬
入・搬出位置P1にセットしたカセットC内のウエハW
に対する研削がすべて終了すると、必要に応じて第2の
搬入・搬出位置P8にセットしたカセットC内のウエハ
Wに対しても同様な工程で研削が行われる。このように
して第1および第2研削工程を終えたウエハは、別の研
磨装置により第3工程が実施される。
【0020】このように、上記したサファイア基板研削
研磨装置によれば、カセットの研削装置へのセットをウ
エハが垂直の状態で行なった後、カセットを垂直面内に
回転させてウエハを水平にするようにしたので、カセッ
トの取り扱い中にウエハを落として破損する恐れがな
い。また、ウエハを着脱・洗浄する位置とウエハを研削
する位置とをインデックステーブル400で割り出すよ
うにしたので、一方でウエハを着脱・洗浄している間に
他方ではウエハの第1および第2研削工程を実施するこ
とができ、生産性を高めることができる。
【0021】上記したサファイア基板研削研磨装置は、
インデックステーブルに等間隔に3個のターンテーブル
を設けてウエハの着脱・洗浄を共用化した例であるが、
洗浄は別の位置で行うようにしてもよく、また、インデ
ックステーブルに等間隔に4個のターンテーブルを設け
て、ウエハの着脱と洗浄を別々のターンテーブルを用い
て行ってもよい。また、インデックステーブルを用いる
代わりに、単一のターンテーブルを用いて、単一の研削
ヘッドにダイヤモンド砥石とシリカ砥石を交換して研削
したり、またはダイヤモンド砥石を装着した研削ヘッド
とシリカ砥石を装着した研削ヘッドとを、単一のターン
テーブル上のサファイア基板に対し交互に位置決めして
研削を行うようにしてもよい。
【0022】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によるサファイア基板研削研磨方法によれば、サファイ
ア基板の表面をシリカの砥石で研削するか、またはシリ
カ粉を介在させて研磨布で加圧しながら研磨する工程を
含むので、サファイア基板の表面をより高精度に仕上げ
ることができる。また、本発明によるサファイア基板研
削研磨方法によれば、サファイア基板の表面を、まずダ
イヤモンド砥石により表面粗さをRa500nm程度に
研削し、続いてメカノケミカル研削技術を利用してRa
100〜50nm程度まで研磨し、最後にメカノケミカ
ル研磨技術を利用してRa2nm程度まで研削すること
ができるので、産業界の要望に十分に答えることができ
る。
【0023】また、本発明によるサファイア基板研削研
磨装置によれば、カセットの研削装置へのセットもウエ
ハが垂直の状態でセットした後、カセットを垂直面内に
回転させてウエハを水平にするようにしたので、カセッ
トの取り扱い中にウエハを落として破損する恐れがな
い。また、ウエハを着脱・洗浄する位置とウエハを研削
する位置とをインデックステーブルで割り出すようにし
たので、一方でウエハを着脱・洗浄している間に、他方
ではウエハのダイヤモンド砥石による研削とシリカ砥石
による研削を行うことができ、生産性を高めることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のサファイア基板研削研磨方法の実施例
を示す概略図。
【図2】本発明のサファイア基板研削研磨方法の第2工
程の別の実施例を示す概略図。
【図3】本発明のサファイア基板研削研磨装置の実施例
を示す研削装置の概略平面図。
【図4】同装置の概略正面図。
【符号の説明】
1 ターンテーブル 2 サファイア基板 3 スピンドル 4 ダイヤモンド砥石 5 シリコン砥石 6 吸着パッド 7 研磨布 8 定盤 9 回転軸 10 研磨剤 11 定盤 12 研磨布 13 シリカ粉 100 第1のカセット保持部 200 回転ロボット 300 ターンテーブル 400 インデックステーブル 500 第1研削工程用の研削ヘッド 600 第2研削工程用の研削ヘッド 700 洗浄部 800 乾燥部 900 第2のカセット保持部 W ウエハ C カセット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/304 331 H01L 21/304 331

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 サファイア基板の表面をシリカの砥石で
    研削する工程を含むサファイア基板研削研磨方法。
  2. 【請求項2】 サファイア基板の表面をダイヤモンド砥
    石で研削する第1の工程と、次いでその表面をシリカの
    砥石で研削する第2の工程を含むサファイア基板研削研
    磨方法。
  3. 【請求項3】 サファイア基板の表面をダイヤモンド砥
    石で研削する第1の工程と、次いでその表面をシリカ粉
    を介在させて研磨布で加圧しながら研磨する第2の工程
    を含むサファイア基板研削研磨方法。
  4. 【請求項4】 第2の工程終了後、サファイア基板の表
    面をシリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁した研磨剤を介在
    させて研磨布に加圧しながら研磨する第3の工程を含む
    請求項2または3記載のサファイア基板研削研磨方法。
  5. 【請求項5】 ダイヤモンド砥石の粒度が600番であ
    る請求項2または3または4記載のサファイア基板研削
    研磨方法。
  6. 【請求項6】 ダイヤモンド砥石を回転可能かつ加圧可
    能に保持する第1の研削ヘッドと、シリカの砥石または
    研磨布を回転可能かつ加圧可能に保持する第2の研削ヘ
    ッドと、サファイア基板を回転可能に保持する複数のタ
    ーンテーブルを、第1の研削ヘッドに対応する研削位置
    および第2の研削ヘッドに対応する研削位置または研磨
    位置にそれぞれ位置決めするインデックステーブルとを
    備えたサファイア基板研削研磨装置。
  7. 【請求項7】 ダイヤモンド砥石を回転可能かつ加圧可
    能に保持する第1の研削ヘッドと、シリカの砥石または
    研磨布を回転可能かつ加圧可能に保持する第2の研削ヘ
    ッドと、サファイア基板を回転可能に保持する複数のタ
    ーンテーブルを、第1の研削ヘッドに対応する研削位置
    および第2の研削ヘッドに対応する研削位置または研磨
    位置およびサファイア基板を着脱・洗浄する着脱・洗浄
    位置にそれぞれ位置決めするインデックステーブルとを
    備えたサファイア基板研削研磨装置。
JP33212096A 1996-12-12 1996-12-12 サファイア基板研削研磨方法および装置 Pending JPH10166259A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33212096A JPH10166259A (ja) 1996-12-12 1996-12-12 サファイア基板研削研磨方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33212096A JPH10166259A (ja) 1996-12-12 1996-12-12 サファイア基板研削研磨方法および装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10166259A true JPH10166259A (ja) 1998-06-23

Family

ID=18251383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33212096A Pending JPH10166259A (ja) 1996-12-12 1996-12-12 サファイア基板研削研磨方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10166259A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000133623A (ja) * 1998-10-28 2000-05-12 Toshiba Corp 平坦化方法及び平坦化装置
US6685539B1 (en) 1999-08-24 2004-02-03 Ricoh Company, Ltd. Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus
US6875082B2 (en) 2003-05-06 2005-04-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer
US7074652B2 (en) * 2003-09-23 2006-07-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for separating sapphire wafer into chips
JP2010514581A (ja) * 2006-12-28 2010-05-06 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド サファイア基板及びその製造方法
JP2010515270A (ja) * 2006-12-28 2010-05-06 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド サファイア基板及びその製造方法
US8197303B2 (en) 2006-12-28 2012-06-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
JP2012151410A (ja) * 2011-01-21 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 硬質基板の研削方法
US8628385B2 (en) 2008-12-15 2014-01-14 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Bonded abrasive article and method of use
US8740670B2 (en) 2006-12-28 2014-06-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
JP2015531318A (ja) * 2012-09-28 2015-11-02 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド 修正されたマイクロ研削プロセス
CN110238751A (zh) * 2019-07-10 2019-09-17 衢州学院 蓝宝石晶片研磨盘及研磨装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000133623A (ja) * 1998-10-28 2000-05-12 Toshiba Corp 平坦化方法及び平坦化装置
US6685539B1 (en) 1999-08-24 2004-02-03 Ricoh Company, Ltd. Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus
US7786488B2 (en) 2003-05-06 2010-08-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer
US6875082B2 (en) 2003-05-06 2005-04-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer
US7535082B2 (en) 2003-05-06 2009-05-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer
US8008165B2 (en) 2003-05-06 2011-08-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer
US7074652B2 (en) * 2003-09-23 2006-07-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for separating sapphire wafer into chips
US9464365B2 (en) 2006-12-28 2016-10-11 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrate
JP2010515270A (ja) * 2006-12-28 2010-05-06 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド サファイア基板及びその製造方法
US8197303B2 (en) 2006-12-28 2012-06-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
JP2010514581A (ja) * 2006-12-28 2010-05-06 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド サファイア基板及びその製造方法
JP2012250344A (ja) * 2006-12-28 2012-12-20 Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc サファイア基板及びその製造方法
US8455879B2 (en) 2006-12-28 2013-06-04 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
JP2013128147A (ja) * 2006-12-28 2013-06-27 Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc サファイア基板及びその製造方法
US8740670B2 (en) 2006-12-28 2014-06-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
JP2015039033A (ja) * 2006-12-28 2015-02-26 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド サファイア基板
US8628385B2 (en) 2008-12-15 2014-01-14 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Bonded abrasive article and method of use
JP2012151410A (ja) * 2011-01-21 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 硬質基板の研削方法
JP2015531318A (ja) * 2012-09-28 2015-11-02 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド 修正されたマイクロ研削プロセス
CN110238751A (zh) * 2019-07-10 2019-09-17 衢州学院 蓝宝石晶片研磨盘及研磨装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7749908B2 (en) Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer
JP2007260850A (ja) 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法
US8025556B2 (en) Method of grinding wafer
JP2002305168A (ja) 研磨方法及び研磨装置および半導体装置の製造方法
JP2000141215A (ja) 平坦化研磨装置及び平坦化研磨方法
JP2010023119A (ja) 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法
JPH10166259A (ja) サファイア基板研削研磨方法および装置
TW383252B (en) A kind of coaxial dressing method and apparatus for chemical mechanical polishing
JP2009285738A (ja) 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法
JP2011165994A (ja) 半導体基板の平坦化加工装置
JPWO2019013042A1 (ja) 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
JP2011155095A (ja) 半導体基板の平坦化加工装置およびそれに用いる仮置台定盤
JP4850666B2 (ja) ウエーハの加工装置
JP4754870B2 (ja) 研磨装置
WO1998012020A1 (en) Methods and apparatus for uniform polishing of a workpiece
JP2006303329A (ja) シリコン基板の薄板加工方法およびそれに用いられる加工装置
JP6877585B2 (ja) 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
KR20060089801A (ko) 웨이퍼 후면 연마 장치
KR20120130851A (ko) 웨이퍼 연삭 및 연마 장치
JP4672829B2 (ja) 研削されたウエハの洗浄・搬送方法
JP2001326196A (ja) 基板の研削装置
JPH10172932A (ja) 研削装置と乾燥装置
JP2002083794A (ja) 基板の研削装置
JP2003100684A (ja) 基板の研磨装置および基板の研磨・洗浄・乾燥方法
JP3265543B2 (ja) 自動研磨装置