JPH10166259A - サファイア基板研削研磨方法および装置 - Google Patents
サファイア基板研削研磨方法および装置Info
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- JPH10166259A JPH10166259A JP33212096A JP33212096A JPH10166259A JP H10166259 A JPH10166259 A JP H10166259A JP 33212096 A JP33212096 A JP 33212096A JP 33212096 A JP33212096 A JP 33212096A JP H10166259 A JPH10166259 A JP H10166259A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンよりも硬いサファイア基板の表面を
高精度に研磨する。 【解決手段】 ターンテーブル１上のサファイア基板２
の表面を粒度６００番のダイヤモンド砥石４で研削して
表面粗さをＲａ５００ｎｍ程度にした後、その表面をシ
リカ砥石５で研削するか、またはシリカ粉を介在させて
研磨布で加圧しながら研磨して表面粗さをＲａ１００ｎ
ｍ〜５０ｎｍ程度にし、さらにサファイア基板２の表面
をシリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁した研磨剤１０を使
用して、定盤８上の研磨布７に加圧しながら研磨するこ
とにより、サファイア基板２の表面粗さを最終的にＲａ
２ｎｍ程度にすることができる。
高精度に研磨する。 【解決手段】 ターンテーブル１上のサファイア基板２
の表面を粒度６００番のダイヤモンド砥石４で研削して
表面粗さをＲａ５００ｎｍ程度にした後、その表面をシ
リカ砥石５で研削するか、またはシリカ粉を介在させて
研磨布で加圧しながら研磨して表面粗さをＲａ１００ｎ
ｍ〜５０ｎｍ程度にし、さらにサファイア基板２の表面
をシリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁した研磨剤１０を使
用して、定盤８上の研磨布７に加圧しながら研磨するこ
とにより、サファイア基板２の表面粗さを最終的にＲａ
２ｎｍ程度にすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、サファイア基板の
表面を高精度に研削研磨するサファイア基板研削研磨方
法およびその装置に関する。
表面を高精度に研削研磨するサファイア基板研削研磨方
法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のエレクトロニクス技術のめざまし
い発展により、多くの電子機器にさまざまな半導体デバ
イスが使用されるようになってきた。半導体デバイス
は、一般には、シリコンウェハに露光、酸化、不純物導
入、薄膜形成、洗浄、エッチング等の要素技術を組み合
わせたプロセスを何回も繰り返すことにより製造され
る。ベースとなるウェハは、非常に高精度な平坦度と粗
さが要求されるため、通常は、まず研削装置を使用し、
ウエハをターンテーブルに吸着して、ターンテーブルと
は逆に回転するダイヤモンド砥石により研削した後、今
度は研磨装置の研磨ヘッドに吸着したウエハを、シリカ
をアルカリ性溶液で溶かした研磨剤を供給しながら定盤
上の研磨布に押し付けて研磨することにより、必要な平
滑度と表面粗さを得ていた。最近では、シリコンウエハ
の代わりに放射線に強いサファイアウエハが、人工衛星
に搭載される機器等のＬＳＩに使用されるようになって
きた。
い発展により、多くの電子機器にさまざまな半導体デバ
イスが使用されるようになってきた。半導体デバイス
は、一般には、シリコンウェハに露光、酸化、不純物導
入、薄膜形成、洗浄、エッチング等の要素技術を組み合
わせたプロセスを何回も繰り返すことにより製造され
る。ベースとなるウェハは、非常に高精度な平坦度と粗
さが要求されるため、通常は、まず研削装置を使用し、
ウエハをターンテーブルに吸着して、ターンテーブルと
は逆に回転するダイヤモンド砥石により研削した後、今
度は研磨装置の研磨ヘッドに吸着したウエハを、シリカ
をアルカリ性溶液で溶かした研磨剤を供給しながら定盤
上の研磨布に押し付けて研磨することにより、必要な平
滑度と表面粗さを得ていた。最近では、シリコンウエハ
の代わりに放射線に強いサファイアウエハが、人工衛星
に搭載される機器等のＬＳＩに使用されるようになって
きた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サファ
イアはシリコンよりも硬く、また人工衛星に搭載される
半導体デバイスとしては超ＬＳＩが使用され、ウエハに
対する品質要求がより厳しく、例えば直径６インチのウ
エハでは、表面の平坦度ＴＴＶが１μｍ、粗さＲａ（Ｒ
ｙ）が０．００２μｍ（２ｎｍ）を要求される。基板と
してサファイアを使用し、しかもこのような高精度に仕
上げることは、従来の技術ではかなり難しく、産業界の
要望に十分答えられなかった。
イアはシリコンよりも硬く、また人工衛星に搭載される
半導体デバイスとしては超ＬＳＩが使用され、ウエハに
対する品質要求がより厳しく、例えば直径６インチのウ
エハでは、表面の平坦度ＴＴＶが１μｍ、粗さＲａ（Ｒ
ｙ）が０．００２μｍ（２ｎｍ）を要求される。基板と
してサファイアを使用し、しかもこのような高精度に仕
上げることは、従来の技術ではかなり難しく、産業界の
要望に十分答えられなかった。
【０００４】本発明は、このような従来の課題を解決す
るものであり、サファイア基板を高精度に仕上げること
のできる研削研磨方法およびその装置を提供することを
目的とする。
るものであり、サファイア基板を高精度に仕上げること
のできる研削研磨方法およびその装置を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、従来は粒度４００番程度のダイヤモンド
砥石を使用して研削していたのを６００程度のダイヤモ
ンド砥石を使用することにより、サファイア基板の表面
の粗さをＲａ０．５μｍ程度に研削し、続いてメカノケ
ミカル研削技術を利用してＲａ０．１〜０．０５μｍ程
度まで研削研磨し、最後にメカノケミカル研磨技術を利
用してＲａ０．００２μｍ程度を実現するようにしたも
のである。
成するために、従来は粒度４００番程度のダイヤモンド
砥石を使用して研削していたのを６００程度のダイヤモ
ンド砥石を使用することにより、サファイア基板の表面
の粗さをＲａ０．５μｍ程度に研削し、続いてメカノケ
ミカル研削技術を利用してＲａ０．１〜０．０５μｍ程
度まで研削研磨し、最後にメカノケミカル研磨技術を利
用してＲａ０．００２μｍ程度を実現するようにしたも
のである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明によるサファイア基板研削
研磨方法は、サファイア基板の表面をシリカの砥石で研
削する工程を含むものであり、サファイアを研削する際
にメカノケミカル研削技術を利用することにより、硬い
サファイアの表面を高精度に研削することができる。
研磨方法は、サファイア基板の表面をシリカの砥石で研
削する工程を含むものであり、サファイアを研削する際
にメカノケミカル研削技術を利用することにより、硬い
サファイアの表面を高精度に研削することができる。
【０００７】また、本発明によるサファイア基板研削研
磨方法は、サファイア基板の表面を粒度６００番のダイ
ヤモンド砥石で研削する第１の工程と、次いでその表面
をシリカの砥石で研削するか、またはシリカ粉を介在さ
せて研磨布で加圧しながら研磨する第２の工程を含むも
のであり、ダイヤモンド研削により表面粗さをＲａ５０
０ｎｍ程度にした後、シリカの砥石で表面粗さをＲａ１
００ｎｍ〜５０ｎｍ程度にすることができる。
磨方法は、サファイア基板の表面を粒度６００番のダイ
ヤモンド砥石で研削する第１の工程と、次いでその表面
をシリカの砥石で研削するか、またはシリカ粉を介在さ
せて研磨布で加圧しながら研磨する第２の工程を含むも
のであり、ダイヤモンド研削により表面粗さをＲａ５０
０ｎｍ程度にした後、シリカの砥石で表面粗さをＲａ１
００ｎｍ〜５０ｎｍ程度にすることができる。
【０００８】また、本発明によるサファイア基板研削研
磨方法は、第２の工程終了後、サファイア基板の表面を
シリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁した研磨剤を使用して
研磨布に加圧しながら研磨する第３の工程を含むもので
あり、サファイア基板の表面粗さを最終的にＲａ２ｎｍ
程度にすることができる。
磨方法は、第２の工程終了後、サファイア基板の表面を
シリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁した研磨剤を使用して
研磨布に加圧しながら研磨する第３の工程を含むもので
あり、サファイア基板の表面粗さを最終的にＲａ２ｎｍ
程度にすることができる。
【０００９】また、本発明によるサファイア基板研削研
磨装置は、ダイヤモンド砥石を回転可能かつ加圧可能に
保持する第１の研削ヘッドと、シリカの砥石または研磨
布を回転可能かつ加圧可能に保持する第２の研削ヘッド
と、サファイア基板を回転可能に保持する複数のターン
テーブルを、第１の研削ヘッドに対応する研削位置およ
び第２の研削ヘッドに対応する研削位置または研磨位置
にそれぞれ位置決めするインデックステーブルとを備え
たものであり、サファイア基板の研削研磨工程を連続し
て行うことができる。
磨装置は、ダイヤモンド砥石を回転可能かつ加圧可能に
保持する第１の研削ヘッドと、シリカの砥石または研磨
布を回転可能かつ加圧可能に保持する第２の研削ヘッド
と、サファイア基板を回転可能に保持する複数のターン
テーブルを、第１の研削ヘッドに対応する研削位置およ
び第２の研削ヘッドに対応する研削位置または研磨位置
にそれぞれ位置決めするインデックステーブルとを備え
たものであり、サファイア基板の研削研磨工程を連続し
て行うことができる。
【００１０】また、本発明によるサファイア基板研削研
磨装置は、ダイヤモンド砥石を回転可能かつ加圧可能に
保持する第１の研削ヘッドと、シリカの砥石または研磨
布を回転可能かつ加圧可能に保持する第２の研削ヘッド
と、サファイア基板を回転可能に保持する複数のターン
テーブルを、第１の研削ヘッドに対応する研削位置およ
び第２の研削ヘッドに対応する研削位置または研磨位置
およびサファイア基板を着脱・洗浄する着脱・洗浄位置
にそれぞれ位置決めするインデックステーブルとを備え
たものであり、サファイア基板の研削研磨工程および着
脱・洗浄工程を連続して行うことができる。
磨装置は、ダイヤモンド砥石を回転可能かつ加圧可能に
保持する第１の研削ヘッドと、シリカの砥石または研磨
布を回転可能かつ加圧可能に保持する第２の研削ヘッド
と、サファイア基板を回転可能に保持する複数のターン
テーブルを、第１の研削ヘッドに対応する研削位置およ
び第２の研削ヘッドに対応する研削位置または研磨位置
およびサファイア基板を着脱・洗浄する着脱・洗浄位置
にそれぞれ位置決めするインデックステーブルとを備え
たものであり、サファイア基板の研削研磨工程および着
脱・洗浄工程を連続して行うことができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明のサファイア研削研磨方法の
一実施例を示す。まず（ａ）の第１工程において、ター
ンテーブル１の表面に真空吸着したサファイア基板２の
表面を、上部のスピンドル３に固定したダイヤモンド砥
石４により研削する。ダイヤモンド砥石４は、ダイヤモ
ンドチップ４ａを台金に放射状に固定したものであり、
粒度は６００番のものが使用される。シリコンウエハを
ダイヤモンド砥石で研削する場合は２０００番の砥石を
使用するが、シリコンよりも硬いサファイアを研削する
場合は、６００番を越えると砥石が目詰まりを起こして
使用できない。スピンドル３をターンテーブル１よりも
高速に回転させながら、研削負荷が少なくなるに連れて
送り速度を速めていく。この時、サファイアはシリコン
よりも硬く、剛性が高いので、研削負荷によってスピン
ドル３が逃げる傾向にあり、これを抑えるためにスピン
ドル３自体の剛性を６０ｋｇ／μｍ程度に高める必要が
ある。また、ターンテーブル１の回転振れも０．１μｍ
以下に抑える必要がある。さらに従来のシリコンウエハ
の研削と同様に、スピンドル３の軸をサファイア基板２
に接触する側に少し傾斜させて研削を行う。このような
条件で研削を行うことにより、サファイア基板２の表面
粗さをＲａ５００ｎｍ程度まで研削することができる。
て説明する。図１は本発明のサファイア研削研磨方法の
一実施例を示す。まず（ａ）の第１工程において、ター
ンテーブル１の表面に真空吸着したサファイア基板２の
表面を、上部のスピンドル３に固定したダイヤモンド砥
石４により研削する。ダイヤモンド砥石４は、ダイヤモ
ンドチップ４ａを台金に放射状に固定したものであり、
粒度は６００番のものが使用される。シリコンウエハを
ダイヤモンド砥石で研削する場合は２０００番の砥石を
使用するが、シリコンよりも硬いサファイアを研削する
場合は、６００番を越えると砥石が目詰まりを起こして
使用できない。スピンドル３をターンテーブル１よりも
高速に回転させながら、研削負荷が少なくなるに連れて
送り速度を速めていく。この時、サファイアはシリコン
よりも硬く、剛性が高いので、研削負荷によってスピン
ドル３が逃げる傾向にあり、これを抑えるためにスピン
ドル３自体の剛性を６０ｋｇ／μｍ程度に高める必要が
ある。また、ターンテーブル１の回転振れも０．１μｍ
以下に抑える必要がある。さらに従来のシリコンウエハ
の研削と同様に、スピンドル３の軸をサファイア基板２
に接触する側に少し傾斜させて研削を行う。このような
条件で研削を行うことにより、サファイア基板２の表面
粗さをＲａ５００ｎｍ程度まで研削することができる。
【００１２】次に（ｂ）の第２工程において、今度は上
部のスピンドル３にシリコン砥石５を取り付けてサファ
イア基板２の表面を研削する。シリコン砥石５は、台金
にシリコンリング５ａを固定したものであるが、台金全
体にシリコンプレートを固定してもよい。この研削はメ
カノケミカル研削と呼ばれるもので、モース硬度７程度
のシリコン砥石５によりモース硬度８程度のサファイア
基板２を研削する場合、通常は軟らかい砥石で硬いワー
クは削れないが、高温高圧下で削ると両者が固相反応を
起こし、この反応相が摩擦力により脱落することで削れ
るようになる。これをメカノケミカル反応またはメカノ
ケミカル現象という。この反応を起こすためには、８０
０度Ｃ〜１０００度Ｃの高温と、４０ｋｂａｒ程度の高
圧が必要となるので、スピンドル３で１０００ｇ／ｃｍ
2 程度に加圧する必要がある。このような条件で研削を
行うことにより、サファイア基板２の表面粗さをＲａ１
００ｎｍ〜５０ｎｍ程度まで研削することができる。
部のスピンドル３にシリコン砥石５を取り付けてサファ
イア基板２の表面を研削する。シリコン砥石５は、台金
にシリコンリング５ａを固定したものであるが、台金全
体にシリコンプレートを固定してもよい。この研削はメ
カノケミカル研削と呼ばれるもので、モース硬度７程度
のシリコン砥石５によりモース硬度８程度のサファイア
基板２を研削する場合、通常は軟らかい砥石で硬いワー
クは削れないが、高温高圧下で削ると両者が固相反応を
起こし、この反応相が摩擦力により脱落することで削れ
るようになる。これをメカノケミカル反応またはメカノ
ケミカル現象という。この反応を起こすためには、８０
０度Ｃ〜１０００度Ｃの高温と、４０ｋｂａｒ程度の高
圧が必要となるので、スピンドル３で１０００ｇ／ｃｍ
2 程度に加圧する必要がある。このような条件で研削を
行うことにより、サファイア基板２の表面粗さをＲａ１
００ｎｍ〜５０ｎｍ程度まで研削することができる。
【００１３】次に（ｃ）の第３工程において、今度は上
部のスピンドル３に固定された吸着パッド６にサファイ
ア基板２を真空吸着し、表面に研磨布７を固定した定盤
８を回転軸９により回転させながら、研磨剤１０をサフ
ァイア基板２と研磨布７との間に供給して研磨を行う。
研磨剤１０はシリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁したもの
で、上記した第２工程と同様にメカノケミカル反応が発
生する。この第３工程では、シリカ粒子とサファイア粒
子との接触による摩擦熱により容易に高温、高圧が発生
するので、スピンドル３に加える荷重は２００ｇ／ｃｍ
2 〜４００ｇ／ｃｍ2 程度でよく、微小反応部の摩擦力
によりオングストロームレベルでの研磨が行われる。こ
のような条件で研磨を行うことにより、６インチのサフ
ァイア基板２の表面粗さをＲａ２ｎｍ、平坦度ＴＴＶを
１μｍまで超精密に仕上げることができる。
部のスピンドル３に固定された吸着パッド６にサファイ
ア基板２を真空吸着し、表面に研磨布７を固定した定盤
８を回転軸９により回転させながら、研磨剤１０をサフ
ァイア基板２と研磨布７との間に供給して研磨を行う。
研磨剤１０はシリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁したもの
で、上記した第２工程と同様にメカノケミカル反応が発
生する。この第３工程では、シリカ粒子とサファイア粒
子との接触による摩擦熱により容易に高温、高圧が発生
するので、スピンドル３に加える荷重は２００ｇ／ｃｍ
2 〜４００ｇ／ｃｍ2 程度でよく、微小反応部の摩擦力
によりオングストロームレベルでの研磨が行われる。こ
のような条件で研磨を行うことにより、６インチのサフ
ァイア基板２の表面粗さをＲａ２ｎｍ、平坦度ＴＴＶを
１μｍまで超精密に仕上げることができる。
【００１４】図２は上記第２工程の変更例を示してお
り、シリコン砥石を用いたメカノケミカル研削に代え
て、上部のスピンドル３に固定されて定盤１１に研磨布
１２を貼り付けて、下部のターンテーブル１上のサファ
イア基板２の表面を、シリカ粉１３を供給しながら研磨
布１２で研磨するメカノケミカル研磨技術を用いたもの
である。この方法は、上記の第３工程の代替えとしても
行えるので、要求される精度が第３工程を行わなくても
済む場合に適している。
り、シリコン砥石を用いたメカノケミカル研削に代え
て、上部のスピンドル３に固定されて定盤１１に研磨布
１２を貼り付けて、下部のターンテーブル１上のサファ
イア基板２の表面を、シリカ粉１３を供給しながら研磨
布１２で研磨するメカノケミカル研磨技術を用いたもの
である。この方法は、上記の第３工程の代替えとしても
行えるので、要求される精度が第３工程を行わなくても
済む場合に適している。
【００１５】次に上記したサファイア基板研削研磨方法
を実施するための装置の実施例について説明する。図３
は同装置の概略平面図、図４は同装置の概略正面図であ
る。１００は第１のカセット保持部であり、研削前のウ
エハＷを収容したカセットＣを搬入・搬出位置Ｐ１から
垂直面内に９０度回転して第１の待機位置Ｐ２へ移動さ
せるとともに、待機位置Ｐ２でカセットＣを水平面内に
所定角度だけ回転させる。２００は回転ロボットであ
り、カセット保持部１００からウエハＷを真空吸着して
インデックステーブル４００のウエハ着脱・洗浄位置Ｐ
３まで搬送するとともに、ウエハ着脱・洗浄位置Ｐ３か
らウエハ乾燥位置Ｐ６を経由して第１の待機位置Ｐ２ま
たは第２の待機位置Ｐ７まで回転して研削後のウエハＷ
を第１のカセット保持部１００または第２のカセット保
持部９００に引き渡す。３００は回転ロボット２００か
ら受け取ったウエハを真空吸着して独立に回転する３個
のターンテーブルである。４００はインデックステーブ
ルであり、各ターンテーブル３００を円周方向に１２０
度の等間隔に配置し、水平面内に所定角度回転させて、
各ターンテーブル３００をそれぞれ着脱・洗浄位置Ｐ
３、研削位置Ｐ４、Ｐ５に順番に位置決めする。５００
はダイヤモンド砥石を装着した研削ヘッドであり、６０
０はシリカ砥石（または研磨布）を装着した研削ヘッド
であり、それぞれ研削位置Ｐ４、Ｐ５に位置するターン
テーブル３００上のウエハの表面を研削する。５０１お
よび６０１はインプロセスゲージであり、２つのゲージ
の差を取ることにより研削中のウエハの厚さを測定す
る。７００は洗浄部であり、ウエハ着脱・洗浄位置Ｐ３
において研削後のウエハの表面やテーブル３００の表面
を純水により洗浄する。８００は乾燥部であり、ウエハ
着脱・洗浄位置Ｐ３から回転ロボット２００により搬送
されてきたウエハを受け取って空気を噴射することによ
りにより乾燥させる。９００は第１のカセット保持部１
００と同様な第２のカセット保持部であり、回転ロボッ
ト２００により乾燥部８００から搬送されてきたウエハ
ＷをカセットＣ内に収容するウエハ収納用のカセット保
持部であり、ウエハ収納位置Ｐ７でウエハＷを第２の待
機位置Ｐ７で受け取って、カセットＣ内に収納した後、
水平面内で所定角度回転し、さらに垂直面内に９０度回
転してカセットＣを第２の搬入・搬出位置Ｐ８へ移動さ
せる。なお１０００はウエハをカセット保持部１００か
らターンテーブル３００に移す際にウエハの芯出しを行
うための仮受台である。
を実施するための装置の実施例について説明する。図３
は同装置の概略平面図、図４は同装置の概略正面図であ
る。１００は第１のカセット保持部であり、研削前のウ
エハＷを収容したカセットＣを搬入・搬出位置Ｐ１から
垂直面内に９０度回転して第１の待機位置Ｐ２へ移動さ
せるとともに、待機位置Ｐ２でカセットＣを水平面内に
所定角度だけ回転させる。２００は回転ロボットであ
り、カセット保持部１００からウエハＷを真空吸着して
インデックステーブル４００のウエハ着脱・洗浄位置Ｐ
３まで搬送するとともに、ウエハ着脱・洗浄位置Ｐ３か
らウエハ乾燥位置Ｐ６を経由して第１の待機位置Ｐ２ま
たは第２の待機位置Ｐ７まで回転して研削後のウエハＷ
を第１のカセット保持部１００または第２のカセット保
持部９００に引き渡す。３００は回転ロボット２００か
ら受け取ったウエハを真空吸着して独立に回転する３個
のターンテーブルである。４００はインデックステーブ
ルであり、各ターンテーブル３００を円周方向に１２０
度の等間隔に配置し、水平面内に所定角度回転させて、
各ターンテーブル３００をそれぞれ着脱・洗浄位置Ｐ
３、研削位置Ｐ４、Ｐ５に順番に位置決めする。５００
はダイヤモンド砥石を装着した研削ヘッドであり、６０
０はシリカ砥石（または研磨布）を装着した研削ヘッド
であり、それぞれ研削位置Ｐ４、Ｐ５に位置するターン
テーブル３００上のウエハの表面を研削する。５０１お
よび６０１はインプロセスゲージであり、２つのゲージ
の差を取ることにより研削中のウエハの厚さを測定す
る。７００は洗浄部であり、ウエハ着脱・洗浄位置Ｐ３
において研削後のウエハの表面やテーブル３００の表面
を純水により洗浄する。８００は乾燥部であり、ウエハ
着脱・洗浄位置Ｐ３から回転ロボット２００により搬送
されてきたウエハを受け取って空気を噴射することによ
りにより乾燥させる。９００は第１のカセット保持部１
００と同様な第２のカセット保持部であり、回転ロボッ
ト２００により乾燥部８００から搬送されてきたウエハ
ＷをカセットＣ内に収容するウエハ収納用のカセット保
持部であり、ウエハ収納位置Ｐ７でウエハＷを第２の待
機位置Ｐ７で受け取って、カセットＣ内に収納した後、
水平面内で所定角度回転し、さらに垂直面内に９０度回
転してカセットＣを第２の搬入・搬出位置Ｐ８へ移動さ
せる。なお１０００はウエハをカセット保持部１００か
らターンテーブル３００に移す際にウエハの芯出しを行
うための仮受台である。
【００１６】次に上記実施例の動作について説明する。
カセットＣは、外形はほぼ立方体であるが、内部には中
央部に桟を有し、前方が開放されて後方がウエハに合わ
せて狭くなった棚ＣＰが、例えば２５段設けられてい
る。したがって、ウエハを収容したカセットをウエハが
水平になる状態で持ち運んだり、研削装置にセットしよ
うとする場合、少しでもカセットを下向きにすると、内
部のウエハが滑って落下することになる。このため、本
実施例では、ウエハを収容したカセットは、ウエハが垂
直になるように、すなわちカセットを上向きに持ち運
び、この研削装置の第１およびまたは第２の搬入・搬出
位置Ｐ１、Ｐ８において、第１およびまたは第２のカセ
ット保持部１００、９００の受け台にセットするように
している。
カセットＣは、外形はほぼ立方体であるが、内部には中
央部に桟を有し、前方が開放されて後方がウエハに合わ
せて狭くなった棚ＣＰが、例えば２５段設けられてい
る。したがって、ウエハを収容したカセットをウエハが
水平になる状態で持ち運んだり、研削装置にセットしよ
うとする場合、少しでもカセットを下向きにすると、内
部のウエハが滑って落下することになる。このため、本
実施例では、ウエハを収容したカセットは、ウエハが垂
直になるように、すなわちカセットを上向きに持ち運
び、この研削装置の第１およびまたは第２の搬入・搬出
位置Ｐ１、Ｐ８において、第１およびまたは第２のカセ
ット保持部１００、９００の受け台にセットするように
している。
【００１７】第１のカセット保持部１００は、カセット
Ｃを保持した受け台をサーボモータにより垂直面内に９
０度回転させ、カセットＣを第１の待機位置Ｐ２へ移動
させる。次いで受け台を水平面内に所定角度だけ、すな
わち回転ロボット２００の回転中心に向くように回転さ
せる。回転ロボット２００は、吸着アームによりカセッ
トＣ内の最下段の１枚目のウエハＷを真空吸着し、サー
ボモータによりウエハＷを待機位置Ｐ２から着脱・洗浄
位置Ｐ３まで搬送し、そこでターンテーブル３００にウ
エハを引き渡す。
Ｃを保持した受け台をサーボモータにより垂直面内に９
０度回転させ、カセットＣを第１の待機位置Ｐ２へ移動
させる。次いで受け台を水平面内に所定角度だけ、すな
わち回転ロボット２００の回転中心に向くように回転さ
せる。回転ロボット２００は、吸着アームによりカセッ
トＣ内の最下段の１枚目のウエハＷを真空吸着し、サー
ボモータによりウエハＷを待機位置Ｐ２から着脱・洗浄
位置Ｐ３まで搬送し、そこでターンテーブル３００にウ
エハを引き渡す。
【００１８】位置Ｐ３に位置するターンテーブル３００
が、吸着パッドによりウエハを真空吸着すると、インデ
ックステーブル４００が水平面内に時計回り方向に１２
０度回転して、吸着したウエハを研削位置Ｐ４へ移動さ
せるとともに、研削位置Ｐ５に位置していたターンテー
ブル３００を位置Ｐ３に移動させる。ウエハを吸着した
ターンテーブル３００が研削位置Ｐ４に位置すると、低
速で回転を始めるとともに、研削ヘッド５００のダイヤ
モンド砥石が下降して高速に回転してウエハに接触し、
第１研削工程を行う。その間に回転ロボット２００は、
再び待機位置Ｐ２に戻って、そこで２枚目のウエハを吸
着して、位置Ｐ３に位置するターンテーブル３００に引
き渡す。研削位置Ｐ４で第１研削工程が終了すると、再
びインデックスモータ４００が時計回り方向に１２０度
回転して、第１研削工程を終えたウエハを研削位置Ｐ５
へ移動させる。ここでは、シリカ砥石（または研磨布）
を装着した研削ヘッド６００により第２研削工程が行わ
れる。この間に位置Ｐ３のターンテーブル３００には３
枚目のウエハが吸着されるとともに、位置Ｐ４では２枚
目のウエハに対する第１研削工程が行われる。位置Ｐ５
で第２研削工程が終了し、位置Ｐ４で第１研削工程が終
了すると、再びインデックステーブル４００が時計回り
方向に１２０度回転して、第２研削工程を終えたウエハ
を位置Ｐ３へ移動させ、第１研削工程を終えたウエハを
位置Ｐ５へ移動させる。
が、吸着パッドによりウエハを真空吸着すると、インデ
ックステーブル４００が水平面内に時計回り方向に１２
０度回転して、吸着したウエハを研削位置Ｐ４へ移動さ
せるとともに、研削位置Ｐ５に位置していたターンテー
ブル３００を位置Ｐ３に移動させる。ウエハを吸着した
ターンテーブル３００が研削位置Ｐ４に位置すると、低
速で回転を始めるとともに、研削ヘッド５００のダイヤ
モンド砥石が下降して高速に回転してウエハに接触し、
第１研削工程を行う。その間に回転ロボット２００は、
再び待機位置Ｐ２に戻って、そこで２枚目のウエハを吸
着して、位置Ｐ３に位置するターンテーブル３００に引
き渡す。研削位置Ｐ４で第１研削工程が終了すると、再
びインデックスモータ４００が時計回り方向に１２０度
回転して、第１研削工程を終えたウエハを研削位置Ｐ５
へ移動させる。ここでは、シリカ砥石（または研磨布）
を装着した研削ヘッド６００により第２研削工程が行わ
れる。この間に位置Ｐ３のターンテーブル３００には３
枚目のウエハが吸着されるとともに、位置Ｐ４では２枚
目のウエハに対する第１研削工程が行われる。位置Ｐ５
で第２研削工程が終了し、位置Ｐ４で第１研削工程が終
了すると、再びインデックステーブル４００が時計回り
方向に１２０度回転して、第２研削工程を終えたウエハ
を位置Ｐ３へ移動させ、第１研削工程を終えたウエハを
位置Ｐ５へ移動させる。
【００１９】第２研削工程を終えたウエハが位置Ｐ３に
来ると、洗浄部７００のクリーニングヘッドが下降し
て、その下端部の高速に回転する洗浄ブラシをウエハの
表面に接触させて純水を供給しながら洗浄を行う。洗浄
が終了すると、回転ロボット２００が着脱・洗浄位置Ｐ
３のターンテーブル３００にあるウエハを吸着して乾燥
位置Ｐ６まで搬送する。乾燥装置８００は、濡れたウエ
ハを吸着して芯出しを行った後、高速回転させてウエハ
を空気乾燥させる。乾燥したウエハは、再び回転ロボッ
ト２００に吸着されて、第１の待機位置Ｐ２に搬送さ
れ、ここで第１のカセット保持部１００に保持されたカ
セットＣ内に収納される。この時、カセット４は回転ロ
ボット２００の回転中心に向いている。カセットＣへの
ウエハＷの収納が終わると、カセット保持部１００が所
定角度回転した後、垂直面内に９０度回転してカセット
Ｃを第１の搬入・搬出位置Ｐ１へ移動させる。第１の搬
入・搬出位置Ｐ１にセットしたカセットＣ内のウエハＷ
に対する研削がすべて終了すると、必要に応じて第２の
搬入・搬出位置Ｐ８にセットしたカセットＣ内のウエハ
Ｗに対しても同様な工程で研削が行われる。このように
して第１および第２研削工程を終えたウエハは、別の研
磨装置により第３工程が実施される。
来ると、洗浄部７００のクリーニングヘッドが下降し
て、その下端部の高速に回転する洗浄ブラシをウエハの
表面に接触させて純水を供給しながら洗浄を行う。洗浄
が終了すると、回転ロボット２００が着脱・洗浄位置Ｐ
３のターンテーブル３００にあるウエハを吸着して乾燥
位置Ｐ６まで搬送する。乾燥装置８００は、濡れたウエ
ハを吸着して芯出しを行った後、高速回転させてウエハ
を空気乾燥させる。乾燥したウエハは、再び回転ロボッ
ト２００に吸着されて、第１の待機位置Ｐ２に搬送さ
れ、ここで第１のカセット保持部１００に保持されたカ
セットＣ内に収納される。この時、カセット４は回転ロ
ボット２００の回転中心に向いている。カセットＣへの
ウエハＷの収納が終わると、カセット保持部１００が所
定角度回転した後、垂直面内に９０度回転してカセット
Ｃを第１の搬入・搬出位置Ｐ１へ移動させる。第１の搬
入・搬出位置Ｐ１にセットしたカセットＣ内のウエハＷ
に対する研削がすべて終了すると、必要に応じて第２の
搬入・搬出位置Ｐ８にセットしたカセットＣ内のウエハ
Ｗに対しても同様な工程で研削が行われる。このように
して第１および第２研削工程を終えたウエハは、別の研
磨装置により第３工程が実施される。
【００２０】このように、上記したサファイア基板研削
研磨装置によれば、カセットの研削装置へのセットをウ
エハが垂直の状態で行なった後、カセットを垂直面内に
回転させてウエハを水平にするようにしたので、カセッ
トの取り扱い中にウエハを落として破損する恐れがな
い。また、ウエハを着脱・洗浄する位置とウエハを研削
する位置とをインデックステーブル４００で割り出すよ
うにしたので、一方でウエハを着脱・洗浄している間に
他方ではウエハの第１および第２研削工程を実施するこ
とができ、生産性を高めることができる。
研磨装置によれば、カセットの研削装置へのセットをウ
エハが垂直の状態で行なった後、カセットを垂直面内に
回転させてウエハを水平にするようにしたので、カセッ
トの取り扱い中にウエハを落として破損する恐れがな
い。また、ウエハを着脱・洗浄する位置とウエハを研削
する位置とをインデックステーブル４００で割り出すよ
うにしたので、一方でウエハを着脱・洗浄している間に
他方ではウエハの第１および第２研削工程を実施するこ
とができ、生産性を高めることができる。
【００２１】上記したサファイア基板研削研磨装置は、
インデックステーブルに等間隔に３個のターンテーブル
を設けてウエハの着脱・洗浄を共用化した例であるが、
洗浄は別の位置で行うようにしてもよく、また、インデ
ックステーブルに等間隔に４個のターンテーブルを設け
て、ウエハの着脱と洗浄を別々のターンテーブルを用い
て行ってもよい。また、インデックステーブルを用いる
代わりに、単一のターンテーブルを用いて、単一の研削
ヘッドにダイヤモンド砥石とシリカ砥石を交換して研削
したり、またはダイヤモンド砥石を装着した研削ヘッド
とシリカ砥石を装着した研削ヘッドとを、単一のターン
テーブル上のサファイア基板に対し交互に位置決めして
研削を行うようにしてもよい。
インデックステーブルに等間隔に３個のターンテーブル
を設けてウエハの着脱・洗浄を共用化した例であるが、
洗浄は別の位置で行うようにしてもよく、また、インデ
ックステーブルに等間隔に４個のターンテーブルを設け
て、ウエハの着脱と洗浄を別々のターンテーブルを用い
て行ってもよい。また、インデックステーブルを用いる
代わりに、単一のターンテーブルを用いて、単一の研削
ヘッドにダイヤモンド砥石とシリカ砥石を交換して研削
したり、またはダイヤモンド砥石を装着した研削ヘッド
とシリカ砥石を装着した研削ヘッドとを、単一のターン
テーブル上のサファイア基板に対し交互に位置決めして
研削を行うようにしてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によるサファイア基板研削研磨方法によれば、サファイ
ア基板の表面をシリカの砥石で研削するか、またはシリ
カ粉を介在させて研磨布で加圧しながら研磨する工程を
含むので、サファイア基板の表面をより高精度に仕上げ
ることができる。また、本発明によるサファイア基板研
削研磨方法によれば、サファイア基板の表面を、まずダ
イヤモンド砥石により表面粗さをＲａ５００ｎｍ程度に
研削し、続いてメカノケミカル研削技術を利用してＲａ
１００〜５０ｎｍ程度まで研磨し、最後にメカノケミカ
ル研磨技術を利用してＲａ２ｎｍ程度まで研削すること
ができるので、産業界の要望に十分に答えることができ
る。
によるサファイア基板研削研磨方法によれば、サファイ
ア基板の表面をシリカの砥石で研削するか、またはシリ
カ粉を介在させて研磨布で加圧しながら研磨する工程を
含むので、サファイア基板の表面をより高精度に仕上げ
ることができる。また、本発明によるサファイア基板研
削研磨方法によれば、サファイア基板の表面を、まずダ
イヤモンド砥石により表面粗さをＲａ５００ｎｍ程度に
研削し、続いてメカノケミカル研削技術を利用してＲａ
１００〜５０ｎｍ程度まで研磨し、最後にメカノケミカ
ル研磨技術を利用してＲａ２ｎｍ程度まで研削すること
ができるので、産業界の要望に十分に答えることができ
る。
【００２３】また、本発明によるサファイア基板研削研
磨装置によれば、カセットの研削装置へのセットもウエ
ハが垂直の状態でセットした後、カセットを垂直面内に
回転させてウエハを水平にするようにしたので、カセッ
トの取り扱い中にウエハを落として破損する恐れがな
い。また、ウエハを着脱・洗浄する位置とウエハを研削
する位置とをインデックステーブルで割り出すようにし
たので、一方でウエハを着脱・洗浄している間に、他方
ではウエハのダイヤモンド砥石による研削とシリカ砥石
による研削を行うことができ、生産性を高めることがで
きる。
磨装置によれば、カセットの研削装置へのセットもウエ
ハが垂直の状態でセットした後、カセットを垂直面内に
回転させてウエハを水平にするようにしたので、カセッ
トの取り扱い中にウエハを落として破損する恐れがな
い。また、ウエハを着脱・洗浄する位置とウエハを研削
する位置とをインデックステーブルで割り出すようにし
たので、一方でウエハを着脱・洗浄している間に、他方
ではウエハのダイヤモンド砥石による研削とシリカ砥石
による研削を行うことができ、生産性を高めることがで
きる。
【図１】本発明のサファイア基板研削研磨方法の実施例
を示す概略図。
を示す概略図。
【図２】本発明のサファイア基板研削研磨方法の第２工
程の別の実施例を示す概略図。
程の別の実施例を示す概略図。
【図３】本発明のサファイア基板研削研磨装置の実施例
を示す研削装置の概略平面図。
を示す研削装置の概略平面図。
【図４】同装置の概略正面図。
１ ターンテーブル ２ サファイア基板 ３ スピンドル ４ ダイヤモンド砥石 ５ シリコン砥石 ６ 吸着パッド ７ 研磨布 ８ 定盤 ９ 回転軸 １０ 研磨剤 １１ 定盤 １２ 研磨布 １３ シリカ粉 １００ 第１のカセット保持部 ２００ 回転ロボット ３００ ターンテーブル ４００ インデックステーブル ５００ 第１研削工程用の研削ヘッド ６００ 第２研削工程用の研削ヘッド ７００ 洗浄部 ８００ 乾燥部 ９００ 第２のカセット保持部 Ｗ ウエハ Ｃ カセット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３３１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３３１
Claims (7)
- 【請求項１】 サファイア基板の表面をシリカの砥石で
研削する工程を含むサファイア基板研削研磨方法。 - 【請求項２】 サファイア基板の表面をダイヤモンド砥
石で研削する第１の工程と、次いでその表面をシリカの
砥石で研削する第２の工程を含むサファイア基板研削研
磨方法。 - 【請求項３】 サファイア基板の表面をダイヤモンド砥
石で研削する第１の工程と、次いでその表面をシリカ粉
を介在させて研磨布で加圧しながら研磨する第２の工程
を含むサファイア基板研削研磨方法。 - 【請求項４】 第２の工程終了後、サファイア基板の表
面をシリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁した研磨剤を介在
させて研磨布に加圧しながら研磨する第３の工程を含む
請求項２または３記載のサファイア基板研削研磨方法。 - 【請求項５】 ダイヤモンド砥石の粒度が６００番であ
る請求項２または３または４記載のサファイア基板研削
研磨方法。 - 【請求項６】 ダイヤモンド砥石を回転可能かつ加圧可
能に保持する第１の研削ヘッドと、シリカの砥石または
研磨布を回転可能かつ加圧可能に保持する第２の研削ヘ
ッドと、サファイア基板を回転可能に保持する複数のタ
ーンテーブルを、第１の研削ヘッドに対応する研削位置
および第２の研削ヘッドに対応する研削位置または研磨
位置にそれぞれ位置決めするインデックステーブルとを
備えたサファイア基板研削研磨装置。 - 【請求項７】 ダイヤモンド砥石を回転可能かつ加圧可
能に保持する第１の研削ヘッドと、シリカの砥石または
研磨布を回転可能かつ加圧可能に保持する第２の研削ヘ
ッドと、サファイア基板を回転可能に保持する複数のタ
ーンテーブルを、第１の研削ヘッドに対応する研削位置
および第２の研削ヘッドに対応する研削位置または研磨
位置およびサファイア基板を着脱・洗浄する着脱・洗浄
位置にそれぞれ位置決めするインデックステーブルとを
備えたサファイア基板研削研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33212096A JPH10166259A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | サファイア基板研削研磨方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33212096A JPH10166259A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | サファイア基板研削研磨方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10166259A true JPH10166259A (ja) | 1998-06-23 |
Family
ID=18251383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33212096A Pending JPH10166259A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | サファイア基板研削研磨方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10166259A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133623A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Toshiba Corp | 平坦化方法及び平坦化装置 |
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| US6875082B2 (en) | 2003-05-06 | 2005-04-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer |
| US7074652B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-07-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for separating sapphire wafer into chips |
| JP2010515270A (ja) * | 2006-12-28 | 2010-05-06 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | サファイア基板及びその製造方法 |
| JP2010514581A (ja) * | 2006-12-28 | 2010-05-06 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | サファイア基板及びその製造方法 |
| US8197303B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-06-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
| JP2012151410A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 硬質基板の研削方法 |
| US8628385B2 (en) | 2008-12-15 | 2014-01-14 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of use |
| US8740670B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-06-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
| JP2015531318A (ja) * | 2012-09-28 | 2015-11-02 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 修正されたマイクロ研削プロセス |
| CN110238751A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-09-17 | 衢州学院 | 蓝宝石晶片研磨盘及研磨装置 |
| CN114871888A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-08-09 | 泽木焱光学科技(苏州)有限公司 | 一种led基板玻璃面抛光设备及工艺 |
-
1996
- 1996-12-12 JP JP33212096A patent/JPH10166259A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133623A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Toshiba Corp | 平坦化方法及び平坦化装置 |
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| US7786488B2 (en) | 2003-05-06 | 2010-08-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer |
| US6875082B2 (en) | 2003-05-06 | 2005-04-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer |
| US7535082B2 (en) | 2003-05-06 | 2009-05-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer |
| US8008165B2 (en) | 2003-05-06 | 2011-08-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer |
| US7074652B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-07-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for separating sapphire wafer into chips |
| US8740670B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-06-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
| JP2015039033A (ja) * | 2006-12-28 | 2015-02-26 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | サファイア基板 |
| US8197303B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-06-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
| US9464365B2 (en) | 2006-12-28 | 2016-10-11 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrate |
| JP2012250344A (ja) * | 2006-12-28 | 2012-12-20 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc | サファイア基板及びその製造方法 |
| US8455879B2 (en) | 2006-12-28 | 2013-06-04 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
| JP2013128147A (ja) * | 2006-12-28 | 2013-06-27 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc | サファイア基板及びその製造方法 |
| JP2010514581A (ja) * | 2006-12-28 | 2010-05-06 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | サファイア基板及びその製造方法 |
| JP2010515270A (ja) * | 2006-12-28 | 2010-05-06 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | サファイア基板及びその製造方法 |
| US8628385B2 (en) | 2008-12-15 | 2014-01-14 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of use |
| JP2012151410A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 硬質基板の研削方法 |
| JP2015531318A (ja) * | 2012-09-28 | 2015-11-02 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 修正されたマイクロ研削プロセス |
| CN110238751A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-09-17 | 衢州学院 | 蓝宝石晶片研磨盘及研磨装置 |
| CN114871888A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-08-09 | 泽木焱光学科技(苏州)有限公司 | 一种led基板玻璃面抛光设备及工艺 |
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