CN105632976A - 测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具 - Google Patents
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Abstract
提供一种测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具。能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。利用设置于包围构件(302)的上方的第一摄像机~第三摄像机(601~603)来拍摄被去除了周缘部的处理膜的晶圆(W)和包围构件(302),在测量处理装置(800)中,通过对由这些摄像机得到的摄像图像进行处理来测量晶圆(W)的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及晶圆(W)的周缘端与包围构件(302)之间的间隙宽度。
Description
技术领域
本发明涉及一种利用处理液对半导体晶圆等基板进行处理的基板处理装置。
背景技术
已知一种具备单片式的基板处理装置的基板处理系统。作为这种系统,存在具备如下的基板处理装置(以下设为第一基板处理装置)的系统,该基板处理装置具备以下功能:保持在基板的表面形成有膜的基板并使该基板绕铅垂轴旋转,从喷嘴向基板的周缘部供给处理液,由此去除周缘部的膜。在专利文献1中,在基板处理系统中设置摄像机构来拍摄由第一基板处理装置进行处理后的基板的周缘部,基于所拍摄到的图像来判断是否适当地去除了周缘部的膜。另一方面,除第一基板处理装置以外,还已知如下的基板处理装置(以下设为第二基板处理装置):具有从下方保持基板的周缘并且包围基板的整周的包围构件,对保持于包围构件的基板进行处理(专利文献2)。
专利文献1:日本特开2013-168429号公报
专利文献2:日本专利第5372836号公报
发明内容
发明要解决的问题
例如,在基板处理系统具备第一基板处理装置和第二基板处理装置这双方的情况下,除了需要用于确认第一基板处理装置的摄像机构以外,还需要用于确认在第二基板处理装置中基板是否被包围构件正确地保持着的摄像机构。当单独设置两个摄像机构来进行确认作业时,可能会导致系统的大型化,还可能会需要长时间来进行确认作业。
本发明用于解决上述的问题,其目的在于,能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题,本发明的测量处理装置通过对由拍摄被去除了周缘部的处理膜的基板和从下方保持上述基板的周缘部并且包围上述基板的包围构件的摄像装置得到的摄像图像进行处理,来测量上述基板的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及上述基板的周缘端与上述包围构件之间的间隙宽度,上述摄像装置设置于上述包围构件的上方。
另外,本发明的基板处理系统具备:第一基板处理装置,其具有包围基板的包围构件,对保持于上述包围构件的基板进行处理;摄像装置,其设置于上述包围构件的上方,拍摄被去除了周缘部的处理膜的基板和上述包围构件;以及测量处理装置,其通过对由上述摄像装置得到的摄像图像进行处理来测量上述基板的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及上述基板的周缘端与上述包围构件之间的间隙宽度。
另外,本发明的测量用工具使用于具备包围构件的基板处理装置,该包围构件包围基板的整周,该测量用工具具备:设置台,其具有对于上述基板处理装置的设置面;以及摄像装置,其固定于上述设置台,其中,在被去除了周缘部的处理膜的基板被保持于上述包围构件且在上述基板处理装置上固定有上述设置台的状态下,上述摄像装置能够拍摄能够用于测量上述基板的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及上述基板的周缘端与上述包围构件之间的间隙宽度的图像。
另外,本发明的测量处理方法包括:摄像工序,从包围基板的包围构件的上方拍摄被去除了周缘部的处理膜的基板和上述包围构件;以及测量处理工序,通过对在上述摄像工序中得到的摄像图像进行处理来测量上述基板的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及上述基板的周缘端与上述包围构件之间的间隙宽度。
另外,本发明的存储介质存储用于执行上述测量处理方法的程序。
发明的效果
根据本发明,能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。
附图说明
图1是表示基板处理系统100的概要结构的俯视图。
图2是表示基板处理装置110的概要结构的图。
图3是表示基板处理装置111的结构的概要剖面图。
图4是从上方观察基板处理装置111而得到的立体图。
图5是支承销312的周边的放大图。
图6是表示第一实施方式的测量用工具600的形状的图。
图7是表示将测量用工具600设置于基板处理装置111的状态的图。
图8是表示本实施方式的测量系统的整体结构的图。
图9是表示第一摄像机601、基板处理装置111以及晶圆W的配置关系的图。
图10是表示确认用画面以及确认用画面上的摄像图像与晶圆W的摄像位置之间的对应关系的图。
图11是用于说明第一实施方式的切割宽度和间隙宽度的测量动作的流程图。
图12是在第二摄像条件下拍摄到的第二摄像图像的示意图。
图13是在第一摄像条件下拍摄到的第一摄像图像的示意图。
图14是表示第二实施方式的测量用工具1400的形状的图。
图15是用于说明第二实施方式的切割宽度和间隙宽度的测量动作的流程图。
附图标记说明
100:基板处理系统;110:基板处理装置;111:基板处理装置;302:包围构件;600:测量用工具;800:测量处理装置;801:信息处理装置。
具体实施方式
(第一实施方式)
下面,参照图1至图15来说明本发明的实施方式。
<基板处理系统>
在由本实施方式的基板处理系统进行处理的晶圆W(基板)上,通过规定的涂布处理例如形成有金属单层膜(TiN、Al、W)。以后,在本实施方式中将该膜记载为“处理膜”。该处理膜形成于晶圆W的上表面。在此,基板处理系统具备第一基板处理装置和第二基板处理装置,其中,该第一基板处理装置具有通过对晶圆W供给处理液来去除整个下表面的膜的功能,该第二基板处理装置具有去除形成于晶圆W的处理膜中的位于晶圆W的上表面的周缘部的膜的功能。首先,参照图1来说明具备这种功能的基板处理系统100。
此外,晶圆W的上表面或下表面是指晶圆W在水平地保持于后述的基板保持部时朝上或朝下的面。另外,晶圆W的周缘部是指晶圆W的侧端部附近的区域,是不形成半导体装置的电路图案的区域。
图1是表示基板处理系统100的概要结构的俯视图。如图1所示,基板处理系统100具备:搬入搬出站100A,其用于进行晶圆W的搬入、搬出,设置有多个用于收容晶圆W的晶圆载体C;以及处理站100B,其用于进行晶圆W的液处理。搬入搬出站100A和处理站100B邻接地设置。
搬入搬出站100A具有载体载置部101、输送部102、交接部103以及壳体104。在载体载置部101上载置有多个将晶圆W以水平状态收容的晶圆载体C。在输送部102中进行晶圆W的输送,在交接部103中进行晶圆W的交接。输送部102和交接部103收容于壳体104。
输送部102具有输送机构105。输送机构105具有保持晶圆W的晶圆保持臂106和使晶圆保持臂106前后移动的机构。另外,虽然未图示,但是输送机构105还具有使晶圆保持臂106沿着在晶圆载体C所排列的X方向上延伸的水平引导件107移动的机构、使晶圆保持臂106沿着在垂直方向上设置的垂直引导件移动的机构以及使晶圆保持臂106在水平面内旋转的机构。通过输送机构105来在晶圆载体C与交接部103之间输送晶圆W。
交接部103具有交接架108,该交接架108具备多个用于载置晶圆W的载置部。交接部103构成为经由该交接架108而与处理站100B之间进行晶圆W的交接。
处理站100B具备壳体109、收容在壳体109内的多个基板处理装置110(第二基板处理装置)和基板处理装置111(第一基板处理装置)、输送室112以及设置在输送室112内的输送机构113。还可以在多个基板处理装置110和基板处理装置111的下方收容用于向各基板处理装置110和基板处理装置111供给液体、气体的机构。在本实施方式中,将图1中的各基板处理装置110和基板处理装置111所在的矩形的密闭空间记载为“处理室”。
输送机构113具有保持晶圆W的晶圆保持臂114和使晶圆保持臂114前后移动的机构。另外,虽然未图示,但是输送机构113还具有使晶圆保持臂114沿着设置于输送室112的水平引导件115在Y方向上移动的机构、使晶圆保持臂114沿着在垂直方向上设置的垂直引导件移动的机构以及使晶圆保持臂114在水平面内旋转的机构。通过输送机构113来实施晶圆W相对于各基板处理装置110和基板处理装置111的搬入和搬出。
在基板处理系统100中设置有系统控制部116和操作面板117。系统控制部116具有基于未图示的内置的存储装置中存储的控制程序来进行基板处理系统100整体的控制的功能。另外,操作面板117是用于供基板处理系统100的使用者输入各种操作命令的触摸面板方式的操作装置。在基板处理装置111处设置有维护面板118(开闭式面板),该维护面板118是在处理室内进行作业、确认等时使用的开闭式的面板。在图1中示出了一个基板处理装置111具备维护面板118的情况,但在本实施方式中,设图示的全部12个基板处理装置110和基板处理装置111都具备维护面板118。
使用图2来说明基板处理装置110的概要结构。如图所示,基板处理装置110具备:基板保持部201,其以不接触晶圆W的周缘部的方式水平地保持晶圆W;以及旋转驱动部202,其连接在基板保持部201的下侧,使基板保持部201旋转。另外,基板处理装置110还具备杯体203,该杯体203是环状的构件,从侧方包围基板保持部201和晶圆W的侧端部。
如图2所示,在杯体203的内部形成有向上方开口并沿圆周方向延伸的槽部204,将在进行液处理期间产生的气体、被送入晶圆W周边的气体排出到外部。杯体203具有在槽部204的上部向外延伸的凸缘部205和在凸缘部205的上方延伸的盖部206。其中,凸缘部205构成为将从晶圆W飞散出的液体、来自晶圆W周边的气流引导至杯体203的内部。另外,盖部206构成为利用其内表面来接住从旋转的晶圆W飞散出的液体并将该液体引导至槽部204。
说明用于从上方对晶圆W实施处理的各结构要素的构造。如图2所示,药液喷嘴207是对从药液供给部208供给的氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)等药液进行供给的喷嘴。冲洗喷嘴209供给来自冲洗处理液供给部210的DIW(deionizedwater:去离子水)等冲洗处理液。此外,也可以具备用于从下方对晶圆W实施处理的喷嘴、供给部等。
接着,参照图3至图5来说明本实施方式所涉及的基板处理装置111。图3是表示基板处理装置111的结构的概要剖面图,图4是从上方观察到的基板处理装置111的立体图。图5是后述的支承销的周边的放大图。
如图3所示,基板处理装置111具有旋转板301、包围构件302、旋转杯303、旋转驱动部304、基板升降构件305、处理液供给机构306以及排气排液部(杯)307。
如在图4中也示出的那样,旋转板301具有底板310和旋转轴311。底板310水平设置,在中央具有圆形的孔310a。旋转轴311设置为从底板310向下方延伸,具有在中心设置有孔311a的圆筒状的形状。
如图2至图4所示,包围构件302设置为在晶圆W的周缘外侧将晶圆W的周缘部遍及整周地围绕。另外,包围构件302设置为能够旋转,并从下方支承晶圆W。如图3所示,包围构件302将对晶圆W进行处理后的处理液引导至排液杯307。另外,包围构件302具有支承销312。支承销312设置为从包围构件302的下端向周缘内侧突出。支承销312用于载置晶圆W的周缘部。而且,支承销312是通过将晶圆W的周缘部载置于支承销312来从下方支承晶圆W的周缘部的构件。另外,如图4所示,沿着晶圆W的圆周方向大致等间隔地设置有多个(在本实施方式中为12个)支承销312。另外,在本实施方式中,包围构件302具有支承销312,但是也可以取而代之地使底板310具有从下方支承晶圆W的支承销。
旋转杯303用于防止被供给到晶圆W的下表面侧且从旋转的晶圆W向外周侧飞散的处理液溅起后再次返回到晶圆W。另外,旋转杯303还用于使从旋转的晶圆W向外周侧飞散的处理液不会绕到晶圆W的上表面侧。
如图5所示,底板310、包围构件302以及旋转杯303通过在以贯穿它们的方式形成的孔313中嵌入接合构件314而紧固连接。由此,底板310、包围构件302以及旋转杯303被设置为能够一体旋转。
在图3中,旋转驱动部304具有带轮316、驱动带315以及电动机317。带轮316配置于旋转轴311的下方侧的周缘外侧。驱动带315卷绕在带轮316上。电动机317与驱动带315连结,通过向驱动带315传递旋转驱动力来使旋转轴311经由带轮316旋转。即,旋转驱动部304通过使旋转轴311旋转来使底板310、包围构件302以及旋转杯303旋转。此外,在旋转轴311的周缘外侧配置有轴承318。
基板升降构件305能够升降地设置在底板310的孔310a和旋转轴311的孔311a内,该基板升降构件305具有升降销板319和升降轴320。升降销板319在周缘处具有多个、例如三个升降销319a。升降轴320从升降销板319向下方延伸。升降销板319和升降轴320在中心处设置有处理液供给机构306。另外,在升降轴320的下端连接有气缸机构320a,通过该气缸机构320a使基板升降构件305升高和降低,由此使晶圆W升高和降低来进行晶圆W的装载和卸载。
处理液供给机构306具有处理液供给管321。处理液供给管321以在上下方向上延伸的方式设置在升降销板319和升降轴320的内部(中空空间内)。处理液供给管321将从处理液配管群322的各配管供给的处理液引导至晶圆W的下表面侧。即,处理液供给管321向晶圆W的下表面供给处理液。处理液供给管321与形成于升降销板319的上表面的处理液供给口321a连通。
排气排液部(杯)307具有排液杯323、排液管324、排气杯325以及排气管326。另外,排气排液部(杯)307在上表面设置有开口。排气排液部(杯)307主要用于回收从由旋转板301和旋转杯303围成的空间排出的气体和液体。
排液杯323接受由旋转杯303引导来的处理液。排液管324与排液杯323的底部的最外侧部分连接,使由排液杯323接受的处理液经过未图示的排液配管群中的某个配管后排出。排气杯325以与排液杯323连通的方式设置于排液杯323的外侧或下方。在图3中,示出了排气杯325以与排液杯323连通的方式设置于排液杯323的周缘内侧及下方的例子。排气管326与排气杯325的底部的最外侧部分连接,使排气杯325内的氮气等气体经过未图示的排气配管群中的某个配管后排出。
<测量用工具>
使用图6来说明在本实施方式中使用的测量用工具的形状。图6的(a)是从上方观察测量用工具600的情况下的立体图。图6的(b)是从下方观察测量用工具600的情况下的立体图。
如图6的(a)所示,测量用工具600具备第一摄像机601、第二摄像机602以及第三摄像机603。第一摄像机601~第三摄像机603均用于拍摄晶圆W的周缘部。
设置台604是具有正面604a和背面604b的半圆状的构件。在正面604a的上方,经由连接部等固定有第一摄像机601~第三摄像机603。如图6的(b)所示,背面604b成为用于设置于基板处理装置111的排气排液部(杯)307的上表面的设置面。
第一支承构件605通过将第一摄像机601搭载于其上表面来支承第一摄像机601,如图6的(b)所示,在与摄像机的摄像传感器、光源相应的位置处具有开口605a。
第一连接构件606用于将第一支承构件605与设置台604相连接,如后述那样,设为从设置台604的上表面起到第一支承构件605的背面为止的间隔具有规定的高度H1(参照图7的(b)),使得即使在设置后也能够搬入搬出晶圆W。第二摄像机602和第三摄像机603也同样地分别具有第二支承构件607和第二连接构件608、第三支承构件609和第三连接构件610、开口607a和开口609a。
第一摄像机601~第三摄像机603具备用于从外部接收摄像动作的控制信号、向外部发送所拍摄到的图像的第一线缆611~第三线缆613。虽然在图6中进行了省略,但这些线缆与后述的测量处理装置800相连接。
使用图7来说明将测量用工具600设置于基板处理装置111后的状态。图7的(a)是从上方观察测量用工具600设置于基板处理装置111的状态而得到的俯视图,图7的(b)是从侧面观察测量用工具600设置于基板处理装置111的状态而得到的侧视图。
如图7的(a)所示,在正确地设置了测量用工具600的情况下,第一摄像机601~第三摄像机603沿着晶圆W的周缘方向配置,而且位于基板处理装置111的排气排液部(杯)307的内周端的上方。在此,包围构件302的内缘端部相比排气排液部(杯)307的内周端而言向内侧稍微伸出。因而,虽然在图中未示出,但从上方不仅能够拍摄支承销312,还能够拍摄包围构件302的内缘端部。
如图7的(b)所示,测量用工具600设置于基板处理装置111的排气排液部(杯)307的上表面。从排气排液部(杯)307的上表面起到晶圆W的上表面为止的距离也已被决定,因此从各摄像机的摄像传感器起到晶圆W为止的距离是固定的。
在设置测量用工具600时,系统的使用者使用未图示的安装用工具来固定测量用工具600,使得测量用工具600即使在进行测量的过程中也不会相对于排气排液部(杯)307的上表面移动。
<测量处理系统>
使用图8来说明本实施方式的测量系统的整体结构。本系统包括测量用工具600、测量处理装置800以及信息处理装置801。
测量处理装置800用于对由测量用工具600得到的摄像图像进行处理来测量后述的切割宽度、间隙宽度等。测量处理装置800在其壳体内具有CPU802、存储部803、操作部804、I/F部805以及I/F部806。
CPU802控制测量处理装置800的各模块,并且控制测量用工具600的各摄像机601~603的动作。另外,通过执行后述的测量处理程序来进行切割宽度、间隙宽度的计算、确认用画面的生成。
存储部803存储由CPU802执行的后述的测量处理程序。另外,暂时存储从各摄像机601~603接收到的摄像图像,存储由CPU802计算出的测量结果。操作部804用于供使用者输入对后述的确认用画面进行的选择动作、测量处理的执行指示等。
I/F(接口)部805是与各摄像机601~603的线缆611~613连接的连接部,对各摄像机发送由CPU802生成的控制信号,并且接收各摄像机的摄像图像,并将接收到的摄像图像传送到存储部803。
I/F(接口)部806是经由USB线缆等而与信息处理装置801连接的连接部,对信息处理装置801发送存储部803中存储的测量结果、摄像图像。另外,发送由CPU802生成的确认用画面。另外,虽然未图示,但是I/F(接口)部806还用于与基板处理系统100的系统控制部116之间进行通信。
信息处理装置801具备未图示的显示部和存储部,例如包括个人计算机。信息处理装置801接收从测量处理装置800经由I/F(接口)部806发送来的确认用画面并使该确认用画面显示于显示部。另外,将从测量处理装置800发送来的摄像图像、测量结果存储于存储部。
使用图9来说明第一摄像机601、基板处理装置111以及晶圆W的配置关系。如图所示,晶圆W在周缘部具有圆弧,在上表面形成有处理膜,只有其周缘部的处理膜被去除(切割)。此外,设晶圆W的直径为300mm,在圆周方向上没有误差。另外,利用设置于包围构件302的支承销312来从下方保持该晶圆W的下表面的周缘部。图9示出晶圆W的周缘部中的未被支承销312支承的位置处的截面图。因而,在晶圆W与包围构件302之间存在间隙。
在适当地设置了测量用工具600的情况下,第一摄像机601的横向的摄像视角的内端(左端)位于晶圆W的处理膜上,外端(右端)位于包围构件302上。因而,在由摄像机601拍摄到的摄像图像中,从视角内端(左端)起依次存在处理膜区域901、切割面区域902、圆弧区域903、间隙区域904以及包围构件区域905。在此,处理膜区域901是所形成的处理膜没有通过蚀刻被去除而依然残留的区域。切割面区域902是所形成的处理膜被去除了的区域中的不包括形成于晶圆W的周端的圆弧的平面的区域。圆弧区域903是处理膜被去除了或最初未形成处理膜的圆弧的区域。间隙区域904是形成于晶圆W的周缘端与包围构件302之间的区域。包围构件区域905是包围构件302所在的区域。而且,切割宽度是在晶圆W的周端部且在处理膜的周缘端与晶圆W的周缘端之间由切割面区域902和圆弧区域903形成的不存在处理膜的区域(处理膜被去除了或最初未形成处理膜的区域)的宽度。另外,间隙宽度是形成于晶圆W的周缘端与包围构件之间的间隙区域904的宽度。此外,将切割面区域902的宽度称为切割面宽度,将圆弧区域903的宽度称为圆弧宽度。
第一摄像机601在与图6示出的开口605a对应的位置处具备摄像传感器906和光源907。在本实施方式中,摄像传感器906是具备包括1600像素×1200行的约200万像素的有效像素区域的CCD传感器,根据受光水平仅生成与亮度信号对应的信号。在摄像传感器906的表面前方具备未图示的焦点调整机构和曝光调整机构。光源907对晶圆W照射白色光,如箭头所示,针对晶圆W的平面具有垂直方向上强的指向性。摄像控制部908控制摄像传感器906和光源907来拍摄包括上述视角的被摄体,并生成由具有1600像素×1200行的像素数的8bit的亮度信号构成的摄像图像。
如后述那样,第一摄像机601的主要目的是准确地拍摄处理膜边界909、切割面边界910、晶圆周缘端911以及包围构件边界912。为此,摄像控制部908能够基于经由线缆611从测量处理装置800接收到的控制信号来变更摄像条件地进行拍摄。此外,第二摄像机、第三摄像机也具备相同的结构。
使用图10来说明被输出到信息处理装置801的显示部的确认用画面以及确认用画面上的摄像图像与晶圆W的摄像位置之间的对应关系。
图10的(a)是表示显示于信息处理装置801的确认用画面1000的图。图10的(b)是表示第一摄像机601~第三摄像机603的摄像视角以及确认用画面1000上的显示区域的图。
在图10的(b)中,第一摄像机601的摄像视角为1001,第二摄像机602的摄像视角为1002,第三摄像机603的摄像视角为1003。
测量处理装置800在测量切割宽度和间隙宽度时使用的并不是这些视角的全部摄像图像,而是从摄像图像中提取出的一部分图像。以第一摄像机601为例,在测量中使用视角1001中的沿着晶圆W的边界进行位置调整后的1001a、1001b、1001c、1001d以及1001e这五个区域的提取出的摄像图像。提取出的摄像图像的尺寸例如为320×240像素。第二摄像机602和第三摄像机603也使用相同的图像。
并且,在本实施方式中,如后述那样,针对摄像视角1001~1003中的各摄像视角,分别在第一摄像条件和第二摄像条件下获取两个摄像图像。
在图10的(a)中,显示窗口1004是用于显示在第一摄像条件下得到的、从五个区域1001a~1001e中的某一个区域中提取出的摄像图像(图像1)的区域。同样地,显示窗口1005是用于显示在第二摄像条件下得到的提取出的摄像图像(图像2)的区域。使用者使用操作部804所具备的例如鼠标并利用光标在显示窗口上进行点击,由此能够依次切换要显示五个区域1001a~1001e中的哪个区域的提取摄像图像。
为了选择将哪个摄像机的图像显示于显示窗口1004,在操作区域1006中配置有图标1007~1009。当使用者使用操作部804的鼠标使光标移动并点击某个图标来进行选择时,将与所选择的图标对应的摄像机的提取出的摄像图像显示在显示窗口1004中。操作区域1010和图标1011~1013也具有相同的功能,将选择结果反映在显示窗口1005中。
即使在测量处理装置800不计算切割宽度、间隙宽度的期间,各摄像机601~603也进行动作,例如以5帧/秒的频率进行拍摄,并将摄像图像发送到测量处理装置800。测量处理装置800基于所接收到的摄像图像来更新确认用画面1000并发送到信息处理装置801,因此使用者能够实时地从视觉上确认当前的晶圆W的摄像状况。在本实施方式中,通过操作部804所具备的开始按钮来决定开始测量动作的定时,但是,也可以设计为:在确认用画面1000上显示开始按钮,当点击该按钮时开始进行测量动作。
<测量动作>
接着,使用图11的流程图来说明本实施方式的各装置协作地进行的测量切割宽度和间隙宽度的测量动作。通过由测量处理装置800的CPU802执行存储部803中存储的测量处理程序来实现本流程图中的测量动作。
在开始本流程图所示的测量动作之前,基板处理系统100转变为维护模式,进行用于测量的准备。在维护模式中,各基板处理装置110和基板处理装置111不按照通常的制程对晶圆W进行处理。另一方面,能够自动或手动地进行使晶圆W在各装置内移动和保持晶圆W的动作、使晶圆W在基板处理系统100内移动的动作。
基板处理系统100的使用者通过对操作面板117进行操作来将系统变更为维护模式。然后,打开基板处理装置111的维护面板118,将测量用工具600以图7所示的方式设置于处理室内的基板处理装置111。在此,使用者将未图示的标度晶圆(日语:スケーリングウエハ)放置在图3中放置晶圆W的位置处。标度晶圆用于测量由摄像机得到的摄像图像的像素数与晶圆W在所放置的平面上的长度[mm]之间的对应关系。在标度晶圆上例如标注有表示1mm宽度的刻度、构造等。在放置了标度晶圆之后,使用者关闭维护面板118。使用者将测量用工具600、测量处理装置800以及信息处理装置801分别连接后进行启动,使成为能够测量的状态,由此初步准备结束。然后,通过由测量处理装置的操作部804发出指示来开始测量动作。
首先,使用放置于基板处理装置111的晶圆W的保持位置的标度晶圆进行标度处理(步骤S1101)。具体地说,测量处理装置800的CPU802控制测量用工具600的第一摄像机601使其拍摄放置于基板处理装置111的晶圆W的保持位置的标度晶圆。将所得到的摄像图像从第一摄像机601经由线缆611、I/F部805发送到存储部803并存储。CPU802通过图像分析来判定在摄像图像中表示1mm宽度的刻度相当于几个像素。例如,如果刻度是黑色的,则能够通过检查黑色的行像素的间隔来判断像素数。在此,CPU802判断为像素数为20,将“标度值”=20像素/mm这样的值存储于存储部803。当以上的动作结束后,基板处理系统100的控制部116使升降销板319上升,通过输送机构113将标度晶圆从基板处理装置111搬出并保管于规定的保管场所。
接着,基板处理系统100的控制部116控制输送机构113使其将作为用于测量切割宽度的对象的晶圆W搬入到基板处理装置111(步骤S1102)。在本实施方式中,事先将晶圆W载置于载体载置部101,输送机构113首先将经由交接部103搬入的晶圆W搬入到基板处理装置110。然后,在基板处理装置110中进行了周缘部的处理膜去除之后,输送机构113将晶圆W从基板处理装置110取出并搬入到基板处理装置111。控制部116响应使用者在操作面板117上进行操作而输入的搬入指示来开始输送动作,但是也可以响应经由I/F部806从测量处理装置800的CPU802接受的步骤S1101的结束指示来开始动作。在将晶圆W搬入到基板处理装置111之后,升降销板319上升,将晶圆W从输送机构113的晶圆保持臂114交接到升降销板319的升降销319a。然后,升降销板319保持着所接受的晶圆W并下降,将晶圆W交接到支承销312,并返回到原来的位置。当一系列动作完成时,升降销板319成为图3所示的配置状态,第一摄像机601、基板处理装置111以及晶圆W的配置关系为成图9所示的状态。
在放置晶圆W之后,对晶圆W进行第一摄像条件下的摄像(步骤S1103)。在此,首先,测量处理装置800的CPU802对各摄像机601~603发送控制指示使各摄像机601~603在第一摄像条件下进行摄像动作。接收到控制指示的各摄像机601~603的摄像控制部908按照所接收到的控制指示来控制摄像传感器906和光源907,使之在第一摄像条件下进行拍摄。摄像控制部908将通过摄像传感器906的摄像得到的信号变换为一帧的亮度信号的摄像图像并发送给测量处理装置800。将被传送到测量处理装置800的摄像图像存储于存储部803。在此,在后文中叙述第一摄像条件的内容和实际的摄像图像的状态。
在进行第一摄像条件下的摄像之后,接着对晶圆W进行第二摄像条件下的摄像(步骤S1104)。此处的动作与步骤S1103相同,在后文中叙述该第二摄像条件的内容和实际的摄像图像的状态。
在进行了第一摄像条件下的摄像和第二摄像条件下的摄像之后,测量处理装置800的CPU802对存储部803中存储的基于第一摄像条件的第一摄像图像和基于第二摄像条件的第二摄像图像进行分析处理,获得切割宽度和间隙宽度来作为测量结果(步骤S1105)。在后文中叙述图像分析处理的详细内容。
当测量处理结束后,测量处理装置800的CPU802显示测量结果(步骤S1106)。在本实施方式中,CPU802生成包含基于第一摄像条件的第一摄像图像、基于第二摄像条件的第二摄像图像、切割宽度以及间隙宽度的信息的显示画面,并将生成的显示画面经由I/F部806发送到信息处理装置801。此外,将第一摄像图像和第二摄像图像本身也一并发送到信息处理装置801。信息处理装置801基于所接收到的显示画面,在显示部中以图10示出的方式进行画面显示,并且将接收到的第一摄像图像和第二摄像图像存储于未图示的存储部。
当显示了测量结果后,升降销板319上升来将晶圆W从下表面支承并交接到晶圆保持臂114。输送机构113将晶圆W从基板处理装置111搬出。被搬出晶圆W后的基板借助交接部103返回到载体载置部101(步骤S1107)。控制部116响应使用者在操作面板117上进行操作而输入的搬出指示来开始本步骤的输送动作,但是也可以不通过使用者的指示而自动地进行输送动作。例如,也可以是,在测量处理装置800执行步骤S1104~S1106中的某一步骤的定时向控制部116进行通知,控制部116接受该通知而相应地执行步骤S1107。
以上是本实施方式的针对一个晶圆W的测量动作,针对载置于载体载置部101的下一个晶圆W重复进行相同的动作。
<摄像动作和图像分析处理>
接着,说明步骤S1103~S1105中的摄像动作和图像分析处理的详细内容。
在本实施方式中测量的信息是晶圆W的切割宽度和晶圆W的周缘部的端部与包围构件302之间的间隙宽度。若参照图9的关系,则能够通过以下的计算式(1)和(2)分别计算这些值。
式(1)
·切割宽度[mm]=切割面区域902的宽度[mm]+圆弧区域903的宽度[mm]在此,
·切割面区域902的宽度[mm]=(切割面边界910的位置[像素]-处理膜边界909的位置[像素])/标度值[像素/mm]
·圆弧区域903的宽度[mm]=(晶圆周缘端911的位置[像素]-切割面边界910的位置[像素])/标度值[像素/mm]
式(2)
·间隙宽度[mm]=间隙区域904的宽度[mm]=(包围构件边界912的位置[像素]-晶圆周缘端911的位置[像素])/标度值[像素/mm]
在以上的式(1)和式(2)中,“位置[像素]”是指从提取图像的视角左端起的横向的像素数的计数值。在本实施方式中,提取图像的横向的像素数是320个,因此,作为“位置[像素]”,能够取1~320中的值。
在本实施方式中,如图10的(b)示出的那样,从一个摄像图像中提取出五个区域来分别求出切割宽度和间隙宽度,将它们的平均值设为各个区域的最终的切割宽度值、间隙宽度。
如式(1)和式(2)那样,为了计算切割宽度和间隙宽度,需要根据摄像图像的像素的亮度水平的变化量(亮度边缘量)来确定(a)切割面边界910的位置、(b)处理膜边界909的位置、(c)晶圆周缘端911的位置以及(d)包围构件边界912的位置这四个边界位置。在此,能够使用根据相邻像素间的亮度值的差绝对值求出峰值的方法、对图像应用公知的边缘滤波的方法来求出亮度边缘量。
本实施方式的晶圆W和基板处理装置的各区域901~905具有其材质特有的反射特性、其构造特有的反射特性。在从光源907射入了同一照度的照射光的情况下,例如,由于材质不同,切割面区域902的反射光水平(明亮的灰色)比处理膜区域901的反射光水平(灰色)高。另一方面,虽然切割面区域902与圆弧区域903材质相同,但是圆弧区域903是倾斜的,因此向摄像传感器906的方向反射的反射光水平低(接近黑色)。另外,同样地,包围构件区域905也是倾斜的,因此反射光水平低(接近黑色)。关于间隙区域904,由于反射面是底面,因此发生衰减,但是具有一定程度的反射光水平(接近黑色的灰色)。
因而,结果是,由摄像传感器906接收到的反射光水平按切割面区域902、处理膜区域901、间隙区域904、包围构件区域905、圆弧区域903的顺序从高到低。
这样,在本实施方式中,在使用来自光源907的同一照度的照射光的情况下,反射光的水平的范围变得很大,因此,在具有普通大小的动态范围的摄像传感器906中,无法以使全部区域的反射光水平成为适当的亮度水平的方式进行拍摄。而且,无法根据不具有适当的亮度水平的摄像图像来计算正确的亮度边缘,导致在确定四个边界位置处(a)~(d)时产生误差。
在本实施方式中,事先准备了与亮度有关的条件互不相同的第一摄像条件和第二摄像条件,在摄像时,通过使用这两个条件分两次进行拍摄来解决上述问题。为了方便起见,先从第二摄像条件和第二摄像图像起进行说明。
关于第二摄像条件,以能够获取相对亮的摄像图像来准确地确定(b)处理膜边界909的位置的方式设定了重视中间照度的反射光水平的摄像条件。即,在将反射光水平变换为亮度信号时,对包含来自处理膜区域的反射光水平、来自切割面区域的反射光水平的照度水平分配宽的灰度范围。具体地说,例如能够通过设定CCD的感光度(例如ISO感光度)、或者设定未图示的曝光调整机构的CCD的受光时间来进行调整。
在此,第二摄像条件重视中间照度的反射光水平,因此低照度的反射光水平的再现性低。即,对包含来自间隙区域904、包围构件区域905以及圆弧区域903的反射光水平的照度水平分配窄范围的灰度,因此这些区域均呈现接近黑色的颜色的图像。
在图12中示出在第二摄像条件下拍摄到的第二摄像图像的示意图。处理膜区域901和切割面区域902的亮度信号水平具有充分的灰度,因此能够容易地检测这两个区域的像素的亮度水平的变化、即亮度边缘,从而能够准确地确定(b)处理膜边界909的位置。此外,也能够准确地确定(a)切割面边界910的位置。另一方面,间隙区域904、包围构件区域905以及圆弧区域903均位于亮度信号值低(近似黑色)的位置处。因此,难以检测亮度边缘,无法确定(c)晶圆周缘端911的位置和(d)包围构件边界912的位置。
在本实施方式中,根据在另一个摄像条件下拍摄到的相对暗的第一摄像图像来确定(c)晶圆周缘端911的位置和(d)包围构件边界912的位置。
关于第一摄像条件,设定了重视低照度的反射光水平的摄像条件。即,在将反射光水平变换为亮度信号时,使得在包含来自间隙区域904、包围构件区域905、圆弧区域903的反射光水平的照度水平中出现范围大的灰度。具体地说,例如能够通过将CCD的感光度(例如ISO感光度)设定为比第二摄像条件的感光度高的感光度、或者将CCD的受光时间设定为比第二摄像条件的受光时间长的时间来进行调整。
在此,第一摄像条件重视低照度的反射光水平,因此中间照度的反射光水平的再现性变低。即,在包含来自处理膜区域901和切割面区域902的反射光水平的照度水平中灰度变窄,因此呈现几乎接近白色的颜色的图像。
图13中示出在第一摄像条件下拍摄到的第一摄像图像的示意图。间隙区域904、包围构件区域905以及圆弧区域903的亮度信号值具有充分的灰度,因此能够容易地检测亮度边缘,能够准确地确定(c)晶圆周缘端911的位置和(d)包围构件边界912的位置。另一方面,处理膜区域901和切割面区域902均位于亮度信号值高(近似白色)的位置处。因此,难以检测亮度边缘,无法确定(b)处理膜边界909的位置。
如以上那样,能够使用基于第一摄像条件的第一摄像图像和基于第二摄像条件的第二摄像图像这两个图像来准确地求出(a)切割面边界910的位置、(b)处理膜边界909的位置、(c)晶圆周缘端911的位置以及(d)包围构件边界912的位置。
CPU802通过将上述位置信息(a)~(d)应用于上述式(1)和式(2)来计算切割宽度和间隙宽度。对于其它提取图像1001a、1001b、1001d、1001e也同样地计算切割宽度和间隙宽度,将对这些值进行平均而得到的结果决定为根据摄像图像1001求出的最终的切割宽度和间隙宽度。
通常,晶圆W在其周缘的一部分具有切口,因此可能会被拍进提取图像1001a~1001e中的某一图像中。在该情况下,可以使用排除拍进了切口的提取图像的测量值后的其它提取图像来进行平均化的处理,从而决定上述最终的切割宽度和间隙宽度。关于是否为拍进了切口的图像的判定,既可以通过识别切口形状的公知的图像识别来进行,也可以简单地将关于切割宽度、间隙宽度得到了异常值的图像推测为相当于包含切口的图像。
图10所示的显示画面1000中的“测量结果”是用于通知根据摄像图像1001求出的最终的切割宽度和间隙宽度的区域,示出了切割宽度为0.75mm、间隙宽度为0.35mm的例子。
上述测量值不仅被显示于画面,还以列表形式记载于文本文件,并存储于信息处理装置801的存储部。摄像图像被变换为位图形式的文件并同样存储于存储部。在文本文件中,也可以与所对应的晶圆ID、用于确定图像文件的信息相关联地进行记载。
<测量结果的利用>
例如,像以下那样利用通过本实施方式得到的测量结果。在利用基板处理装置110对晶圆W进行处理的情况下,将切割宽度用作用于调整基板处理装置110的药液喷嘴208的位置的信息。系统的使用者例如能够基于预先设定的切割宽度与通过实际的测量得到的切割宽度的差值来对药液喷嘴208的位置进行微调整。
将间隙宽度用作用于在从输送机构113向升降销板319交接晶圆W时调整中心位置的信息。在将测量用工具600适当地安装于基板处理装置111时,第一摄像机601~第三摄像机603的摄像视角位于以基板处理装置111的中心位置(基板升降构件305的中心位置)为基准的距离相等且在圆周方向上彼此错开120度的位置处。因而,能够根据三个间隙宽度的值,通过计算来获得晶圆W在实际被放置于支承销312时的中心位置。而且,能够基于基板处理装置111的中心位置与晶圆W在实际被放置时的中心位置的差值来进行从输送机构113向升降销板319交接晶圆W时的位置调整。
<本实施方式的效果>
如以上所说明的那样,根据本实施方式,在基板处理装置111中,从包围构件302的上方拍摄被去除了周缘部的处理膜的晶圆W以及包围构件302,并对所得到的摄像图像进行处理,由此测量晶圆W的切割宽度以及晶圆W的周缘端与包围构件302之间的间隙宽度。由此,无需单独设置用于确认晶圆W的切割宽度的摄像机构和用于确认包围构件302的保持状态的摄像机构,也无需设置各自专用的摄像顺序。因而,能够不导致基板处理系统的大型化地在短时间内确认晶圆W的膜去除的状态和包围构件302的保持状态。
另外,根据本实施方式,通过确定处理膜边界909、切割面边界910、晶圆周缘端911以及包围构件边界912来测量切割宽度和间隙宽度。由此,能够测量出反映包括圆弧的宽度在内的切割宽度。而且,此时,根据在第一摄像条件下拍摄到的相对暗的第一摄像图像来确定晶圆周缘端911、包围构件边界912。另外,根据在第二摄像条件下拍摄到的相对亮的第二摄像图像来确定切割面边界910、处理膜边界909。由此,在确定各边界、端部时误差变少,因此能够准确地测量切割宽度和间隙宽度。并且,在测量处理之后,使第一摄像图像和第二摄像图像以及测量出的处理区域宽度和间隙宽度的值显示于显示画面。因而,使用者在目视确认摄像图像之后能够获知处理区域宽度和间隙宽度的值,因此能够容易地进行测量结果是否良好的判断。
在本实施方式中,基板处理装置111是对晶圆W的下表面进行处理的装置,保持于其包围构件302并被去除了周缘部的处理膜的晶圆W从上述第一基板处理装置的外部被搬入。由此,无需单独设置用于确认晶圆W的切割宽度的摄像机构和用于确认包围构件302的保持状态的摄像机构。另外,在基板处理装置110中对成膜后的晶圆W的周缘部进行处理之后,进行直接将该晶圆W搬入到基板处理装置111的输送顺序,因此能够在短时间内进行从实际的周缘部处理到该处理的确认。
在本实施方式中,测量用工具600能够在被适当地设置于基板处理装置111的状态下利用第一摄像机601~第三摄像机603来拍摄用于测量切割宽度和间隙宽度的图像。通过采取能够装卸于这种装置的工具的方式,也无需在基板处理装置111内始终设置摄像机,也不会导致系统的大型化。另外,即使设置有测量用工具600,基板处理装置111也会上升到高于包围构件302且低于第一摄像机601~第三摄像机603的位置处来接受从外部搬入的晶圆W,从接受的位置起下降来将晶圆W放置在包围构件302上。因而,能够对多个晶圆W连续地测量切割宽度和间隙宽度。
(第一实施方式的变形例)
晶圆W的切割宽度的计算不限于上述式(1),也可以使用以下的式(1)’。
式(1)’:切割宽度[mm]=(晶圆周缘端911的位置[像素]-处理膜边界909的位置[像素])/标度值[像素/mm]。
在无需单独求出圆弧宽度、即无需确定切割面边界910的位置的情况下,上述式是有效的。
(第二实施方式)
在第一实施方式中,测量用工具600具备第一摄像机601~第三摄像机603,使用该多个摄像机来获得与晶圆W上的多个位置对应的多个摄像图像。在本实施方式中,说明使用一个摄像机来获取与晶圆W上的多个位置对应的多个摄像图像并进行切割宽度和间隙宽度的测量处理的例子。
使用图14来说明本实施方式的测量用工具的形状。图14的(a)所示的测量用工具1400仅具备摄像机1401作为摄像装置。支承构件1402在其上表面搭载有摄像机1401。虽然未图示,但与第一实施方式的测量用工具600同样地,支承构件1402在与摄像机1401的摄像传感器和光源相当的位置处具有开口。设置台1403通过表面而与搭载有摄像机1401的支承构件1402结合。另外,设置台1403的背面成为用于设置于处理室的底面的设置面。摄像机1401具有与在第一实施方式中已说明的第一摄像机~第三摄像机相同的结构,经由线缆1404连接于具有与第一实施方式中的测量处理装置相同结构的测量处理装置800。与第一实施方式同样地,从设置台1403的上表面起到支承构件1402的背面为止的间隔具有规定的高度H2,使得即使在设置之后也能够将晶圆W搬入搬出。如后述那样,由于设置面的位置与第一实施方式不同,因此考虑到基板处理装置111自身的高度而使高度H2大于H1。此外,当支承构件1402能够通过未图示的一般的构造在高度方向上移动并且在水平方向上移动时,更容易进行摄像机1401的位置调整。并且,在本实施方式的情况下,摄像机1401既可以仅在测量时搭载于支承构件1402,也可以始终搭载于支承构件1402。支承构件1402也既可以仅在测量时设置于处理室,也可以始终设置于处理室。
图14的(b)是将测量用工具1400设置于收容有基板处理装置111的处理室的底面时的概略图。与第一实施方式不同,测量用工具1400设置于处理室内且基板处理装置111的外部。在设置测量用工具1400时,使用者使用未图示的安装用工具来进行固定,使得即使在测量中测量用工具1400也不会相对于处理室的底面移动。
图14的(c)是从上方观察设置于处理室的底面的状态而得到的俯视图。本实施方式中的摄像机1401与基板处理装置111的相对位置和对于基板处理装置111的摄像视角与在第一实施方式中已说明的第一摄像机~第三摄像机中的至少一个摄像机的摄像视角相同。
接着,使用图15的流程图来说明本实施方式的各装置协作地进行的测量切割宽度和间隙宽度的测量动作。通过由测量处理装置800的CPU802执行存储部803中存储的测量处理程序来实现本流程图中的测量动作。
在本实施方式中,在步骤S1101、S1102以及S1105~S1107中进行与在第一实施方式中已说明的步骤相同的处理。
在本实施方式中,在步骤S1102中放置晶圆W之后,对晶圆W进行第一摄像条件下的摄像(步骤S1501),在进行第一摄像条件下的摄像之后,继续对晶圆W进行第二摄像条件下的摄像(步骤S1502)。在此,仅使一个摄像机1401执行与在第一实施方式中已说明的步骤S1103和S1104相同的动作。
接着,判定是否对预先设定的全部位置进行了拍摄(S1503)。在本实施方式中,对最初搬入时位于摄像机1401的正下方的晶圆W的位置、以该位置为基准旋转120度后的位置处的晶圆W的位置、进一步旋转120度后的位置处的晶圆W的位置这三处进行拍摄。即,在对晶圆W的三个位置进行拍摄这一点上,实质上与第一实施方式相同。在此,仅对最初搬入时位于摄像机1401的正下方的晶圆W的位置进行了拍摄(步骤S1503:“否”),因此转移到步骤S1504的旋转动作。
系统控制部116使旋转驱动部304进行驱动来使旋转板301旋转,由此使保持于包围构件302的晶圆W旋转120度来将下一个摄像位置配置于摄像机1401的正下方(S1504)。
当旋转动作结束后,返回至步骤S1501,进行相同的摄像动作和旋转动作,再次返回至步骤S1501。当第三次摄像动作结束后,由于对全部位置进行了拍摄(步骤S1503:“是”),因此转移到步骤S1105,使用三组第一摄像图像和第二摄像图像来进行与第一实施方式相同的图像分析处理(S1105)。以后的处理的说明与第一实施方式相同,因此省略。
在本实施方式中说明了拍摄晶圆W的三个位置的例子,但不限于此,也可以拍摄更多的位置以用于之后的处理。例如,在拍摄六个位置的情况下,在步骤S1504中,每次进行60度的旋转动作。通过增加摄像位置,能够求出更高精度的切割宽度和间隙宽度。
如以上说明的那样,根据本实施方式,将一个摄像机1401设置于沿着晶圆W的周缘方向的位置处,上述摄像机1401与包围构件302的旋转相应地进行晶圆W的多个位置的拍摄,由此获取测量处理装置800进行处理时使用的多个摄像图像。因而,无需像第一实施方式那样具备多个摄像机,因此,与第一实施方式相比,能够进行低成本且省空间的测量作业。另外,通过增加摄像次数,能够在测量中使用更多的摄像图像,因此能够提高测量精度。
(其它实施方式)
在上述实施方式中,说明了使用能够装卸于基板处理装置的测量用工具600和测量用工具1400的例子,但是本发明不限于此,也可以构成为将摄像机预先设置于基板处理装置111内的上部,在规定的定时进行拍摄和测量处理。同样地,也可以构成为,不将测量处理装置800作为独立的个体设置于基板处理系统外部,而使系统控制部116具有相同的功能。另外,还可以构成为,信息处理装置801也不是独立的个体,而使操作面板117具有相同的功能。
在上述实施方式中,说明了包围构件302包围晶圆W的整周的情况,但是不限于整周,也可以是包围构件302的一部分包围晶圆W。在该情况下,使摄像机配置于该一部分的包围构件的位置处并进行与上述实施方式相同的摄像。另外,在上述实施方式中,示出了改变摄像传感器侧的摄像条件来进行两次摄影的例子,但是也可以通过改变光源侧的照射水平来获得多个摄像图像。另外,根据规格的不同也可以不进行多次摄影。例如,如果存在具备如下的摄像传感器的摄像机,则能够根据一个摄像图像求出所有边缘,该摄像传感器的动态范围很宽且能够表示从暗部到明部的明亮度。此外,即使在普通的摄像机的情况下,只要测量处理装置800搭载有用于能够进行灰度校正处理的图像处理软件,有时就能够根据一个摄像图像生成与图12和图13相当的图像,并求出所有边缘。
在上述实施方式中,说明了以下情况:由系统控制部116所具有的未图示的存储装置存储用于控制基板处理系统100的程序,由测量处理装置800的存储部803存储用于控制测量处理系统的程序。这些存储装置不限于ROM、RAM等存储器、硬盘等,也能够包括CD-ROM、DVD-ROM、软盘等盘状存储介质等。另外,还可以构成为,通过经由未图示的网络等从外部服务器等接收要存储的程序的一部分或全部,能够在系统中执行这些程序。
Claims (20)
1.一种测量处理装置,通过对由拍摄被去除了周缘部的处理膜的基板和包围所述基板的包围构件的摄像装置得到的摄像图像进行处理,来测量所述基板的周缘部中不存在所述处理膜的切割宽度以及所述基板的周缘端与所述包围构件之间的间隙宽度,所述摄像装置设置于所述包围构件的上方。
2.根据权利要求1所述的测量处理装置,其特征在于,
根据所述摄像图像,至少确定被去除了所述处理膜的平面区域与未被去除所述处理膜的平面区域的边界、所述基板的周缘端以及所述包围构件的边界,由此测量所述切割宽度和所述间隙宽度。
3.根据权利要求2所述的测量处理装置,其特征在于,
根据所述摄像装置通过第一摄像条件下的拍摄而得到的第一摄像图像,来确定所述基板的周缘端以及所述包围构件的边界,根据所述摄像装置通过第二摄像条件下的拍摄而得到的第二摄像图像,来确定被去除了所述处理膜的平面区域与形成于所述基板的周端的圆弧区域的边界以及被去除了所述处理膜的平面区域与未被去除所述处理膜的平面区域的边界。
4.根据权利要求3所述的测量处理装置,其特征在于,
所述第二摄像条件是用于得到比第一摄像条件下的摄像图像亮的摄像图像的条件。
5.根据权利要求3或4所述的测量处理装置,其特征在于,
所述测量处理装置使所述第一摄像图像和所述第二摄像图像以及进行所述测量得到的所述切割宽度和所述间隙宽度的值显示在信息处理装置的显示部上。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的测量处理装置,其特征在于,
在沿着所述基板的周缘方向的多个位置处设置有所述摄像装置,在测量中使用多个所述摄像装置通过分别进行所述多个位置处的摄像而得到的多个摄像图像。
7.根据权利要求1~5中的任一项所述的测量处理装置,其特征在于,
在沿着所述基板的周缘方向的一个位置处设置有所述摄像装置,在测量中使用一个所述摄像装置通过与所述包围构件的旋转相应地进行所述基板的多个位置处的摄像而得到的多个摄像图像。
8.一种基板处理系统,具备:
第一基板处理装置,其具有包围基板的包围构件,对保持于所述包围构件的基板进行处理;
摄像装置,其设置于所述包围构件的上方,拍摄被去除了周缘部的处理膜的基板和所述包围构件;以及
测量处理装置,其通过对由所述摄像装置得到的摄像图像进行处理来测量所述基板的周缘部中不存在所述处理膜的切割宽度以及所述基板的周缘端与所述包围构件之间的间隙宽度。
9.根据权利要求8所述的基板处理系统,其特征在于,
所述第一基板处理装置是用于对保持于所述包围构件的基板的下表面进行处理的装置,
从所述第一基板处理装置的外部搬入所述被去除了周缘部的处理膜的基板。
10.根据权利要求9所述的基板处理系统,其特征在于,
还具备第二基板处理装置,该第二基板处理装置通过对成膜后的基板的周缘部供给处理液来进行处理膜去除,
所述被去除了周缘部的处理膜的基板是在所述第二基板处理装置中进行处理之后被搬入到所述第一基板处理装置的基板。
11.根据权利要求9或10所述的基板处理系统,其特征在于,
所述第一基板处理装置还具有能够将基板从下表面支承并升降的升降构件,
所述升降构件上升到高于所述包围构件且低于所述摄像装置的位置来接受从所述第一基板处理装置的外部搬入的所述基板,从所述接受的位置起下降来将所述基板放置于所述包围构件。
12.根据权利要求8~11中的任一项所述的基板处理系统,其特征在于,
在沿着所述基板的周缘方向的多个位置处设置有所述摄像装置,多个所述摄像装置通过分别进行所述多个位置处的摄像来获取用于所述测量处理装置进行处理的多个摄像图像。
13.根据权利要求8~11中的任一项所述的基板处理系统,其特征在于,
在沿着所述基板的周缘方向的一个位置处设置有所述摄像装置,一个所述摄像装置通过与所述包围构件的旋转相应地进行所述基板的多个位置处的摄像,来获取用于所述测量处理装置进行处理的多个摄像图像。
14.一种测量用工具,使用于具备包围构件的基板处理装置,该包围构件包围基板的整周,该测量用工具具备:
设置台,其具有对于所述基板处理装置的设置面;以及
摄像装置,其固定于所述设置台,
其中,在被去除了周缘部的处理膜的基板被保持于所述包围构件且在所述基板处理装置上固定有所述设置台的状态下,所述摄像装置能够拍摄能够用于测量所述基板的周缘部中不存在所述处理膜的切割宽度以及所述基板的周缘端与所述包围构件之间的间隙宽度的图像。
15.根据权利要求14所述的测量用工具,其特征在于,
在所述设置台与所述摄像装置之间至少隔开所述基板处理装置所具备的升降构件能够接受从所述基板处理装置的外部搬入的所述基板并下降来将所述基板放置于所述包围构件的间隔。
16.根据权利要求14或15所述的测量用工具,其特征在于,
在沿着所述基板的周缘方向的多个位置处设置有所述摄像装置。
17.根据权利要求14或15所述的测量用工具,其特征在于,
在沿着所述基板的周缘方向的一个位置处设置有所述摄像装置。
18.一种测量处理方法,包括:
摄像工序,从包围基板的包围构件的上方拍摄被去除了周缘部的处理膜的基板和所述包围构件;以及
测量处理工序,通过对在所述摄像工序中得到的摄像图像进行处理来测量所述基板的周缘部中不存在所述处理膜的切割宽度以及所述基板的周缘端与所述包围构件之间的间隙宽度。
19.根据权利要求18所述的测量处理方法,其特征在于,
在所述摄像工序中,使用设置于沿着所述基板的周缘方向的多个位置处的多个摄像装置来分别进行所述多个位置处的摄像,由此获取用于在所述测量处理工序中进行处理的多个摄像图像。
20.根据权利要求18所述的测量处理方法,其特征在于,
在所述摄像工序中,使用设置于沿着所述基板的周缘方向的一个位置处的一个摄像装置来与所述包围构件的旋转相应地进行所述基板的多个位置处的摄像,由此获取用于在所述测量处理工序中进行处理的多个摄像图像。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014-238697 | 2014-11-26 | ||
JP2014238697A JP6254929B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 測定処理装置、基板処理システム、測定用治具、測定処理方法、及びその記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105632976A true CN105632976A (zh) | 2016-06-01 |
CN105632976B CN105632976B (zh) | 2019-09-17 |
Family
ID=56010713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510846534.0A Active CN105632976B (zh) | 2014-11-26 | 2015-11-26 | 测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10713772B2 (zh) |
JP (1) | JP6254929B2 (zh) |
KR (1) | KR102515301B1 (zh) |
CN (1) | CN105632976B (zh) |
TW (1) | TWI616847B (zh) |
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- 2015-11-20 TW TW104138364A patent/TWI616847B/zh active
- 2015-11-24 US US14/950,016 patent/US10713772B2/en active Active
- 2015-11-25 KR KR1020150165617A patent/KR102515301B1/ko active IP Right Grant
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US20160148366A1 (en) | 2016-05-26 |
KR20160063273A (ko) | 2016-06-03 |
KR102515301B1 (ko) | 2023-03-28 |
TWI616847B (zh) | 2018-03-01 |
JP6254929B2 (ja) | 2017-12-27 |
US10713772B2 (en) | 2020-07-14 |
JP2016100565A (ja) | 2016-05-30 |
TW201635240A (zh) | 2016-10-01 |
CN105632976B (zh) | 2019-09-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |