JP3971132B2

JP3971132B2 - 基板処理装置

Info

Publication number: JP3971132B2
Application number: JP2001201199A
Authority: JP
Inventors: 昭宏増田; 雅視澤村
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-07-02
Filing date: 2001-07-02
Publication date: 2007-09-05
Anticipated expiration: 2021-07-02
Also published as: JP2003017547A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、各種基板に対して処理液による処理を行うための基板処理装置に関する。各種基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）用ガラス基板などが含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に銅薄膜などの金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の不要部分をエッチング除去する処理が行われる場合がある。たとえば、配線形成のための銅薄膜は、ウエハの表面中央部のデバイス形成領域に形成されていればよいから、ウエハの表面周縁部（非デバイス形成領域）に形成された銅薄膜は不要となる。
【０００３】
ウエハの表面の周縁部に形成された金属薄膜をエッチング除去するための処理装置は、たとえば、ウエハの裏面を吸着して、ウエハをほぼ水平に保持した状態で回転するバキュームチャックと、このバキュームチャックに保持されているウエハの表面の周縁部に向けてエッチング液を吐出するノズルとを備えている。処理時には、ウエハがスピンチャックに保持された後、そのスピンチャックが回転されることにより、ウエハがほぼ水平な面内で回転される。そして、その回転しているウエハの表面の周縁部に、ノズルからエッチング液が供給される。
【０００４】
ウエハの表面の周縁部の金属薄膜を除去すべき領域にのみエッチング液を供給するためには、バキュームチャックによるウエハの保持位置とノズルとの相対的な位置関係が重要になる。そこで、上述のような基板処理装置には、バキュームチャックに対するウエハの水平方向の位置を一定の位置に位置決めするための位置決め機構が備えられている。
図８は、従来の基板処理装置に備えられている位置決め機構の構成を図解的に示す斜視図である。位置決め機構は、たとえば、図示しないスピンチャックの上面に対してウエハＷを昇降させるための３本のリフトピン１０１を備えている。ウエハＷの水平方向の位置決めは、リフトピン１０１によってウエハＷがバキュームチャックの上方の所定高さで支持された状態で行われる。
【０００５】
上記所定高さに関連して、その所定高さで支持されたウエハＷの端面に対して進退する一対の位置決めブロック１０２，１０３が設けられている。一対の位置決めブロック１０２，１０３は、ウエハＷの中心を通る線ＣＬを挟んで互いに対向しており、それぞれシリンダ１０４，１０５によって進退されるようになっている。シリンダ１０４，１０５は、ロッドが最も進出した状態で、それぞれ位置決めブロック１０２，１０３が上記所定高さに保持されたウエハＷの端面に当接し、これにより、そのウエハＷがリフトピン１０１上で位置決めされるように配置されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、ウエハＷの径やシリンダ１０４，１０５のストロークには若干の誤差があるため、図９(a)に示すように、位置決めブロック１０２がウエハＷの端面に当接した状態で位置決めブロック１０３がウエハＷの端面に当接しなかったり、図９(b)に示すように、位置決めブロック１０３がウエハＷの端面に当接した状態で位置決めブロック１０２がウエハＷの端面に当接しなかったりする場合がある。これらの場合、位置決め後のウエハＷの中心線ＣＬが、位置決めブロック１０３，１０４の両方がウエハＷの端面に当接して位置決めされた場合のウエハＷの中心線からずれ、その後、ウエハＷがバキュームチャックに保持されたときに、その保持されたウエハＷが正規の保持位置からずれてしまう。このようなウエハＷの位置ずれ（中心ずれ）が生じていると、バキュームチャックによって回転されるウエハＷの表面の所定領域に正確にエッチング液を供給することができず、ウエハＷの表面のデバイス形成領域上の薄膜がエッチングされたり、ウエハＷの表面の周縁部に不要な薄膜が残ったりする。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、基板の水平方向位置を良好に位置決めすることができる基板処理装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、所定の回転軸（１２）を中心に基板（Ｗ）の一方面を吸着保持しつつ回転させる基板回転機構（１０）と、この基板回転機構によって吸着保持される基板を位置決めする位置決め機構（４０）と、上記基板回転機構によって回転される基板に処理液を供給する処理液供給機構（３１，３２，３３，３４）と、上記基板回転機構を収容する処理カップ（２０）とを含み、上記位置決め機構は、基板に対して挟持動作および退避動作を行うことができ、基板の位置を調整する複数の位置調整部材（４２）と、複数の上記位置調整部材のうちの１つに入力される力を発生する駆動源（６２４）と、上記処理カップ内に設けられ、複数の上記位置調整部材同士を連結し、上記駆動源からの力が入力される上記位置調整部材の動作を当該位置調整部材以外の上記位置調整部材に伝達して、すべての上記位置調整部材を同時に動作させるリンク部材（４３）と、上記駆動源から上記位置調整部材に至るいずれかの位置に設けられ、上記位置調整部材の基板に対する挟持力を発生させるための弾性部材（６２３）とを備えていることを特徴とする基板処理装置である。
【０００９】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、複数の位置調整部材を同時に挟持動作させて、その複数の位置調整部材で基板を挟持して位置決めする構成であるから、複数の位置調整部材を基板に確実に当接させることができ、基板のサイズ（径）に若干の誤差がある場合でも、基板の位置決めを良好に行うことができる。よって、基板回転機構による正規の保持位置に基板を保持させることができ、基板に対して処理液による処理を良好に施すことができる。
【００１０】
また、位置調整部材が基板を挟持する力は弾性部材の弾性力であるから、たとえ基板のサイズに＋（プラス）誤差があっても、位置調整部材で基板を挟持した時に基板が割れるおそれはない。
なお、請求項２に記載のように、上記基板処理装置は、上記位置決め機構を上記基板回転機構に対して相対的に昇降させるための昇降機構（５１，５２，５３，５４，５５，５６）をさらに含んでいてもよい。
【００１１】
また、請求項３に記載のように、上記複数の位置調整部材は、少なくとも３個の位置調整部材を含むことが好ましい。この場合、少なくとも３個の位置調整部材で基板の外周端面を押し合うことにより、たとえ基板のサイズに若干の誤差があっても、基板の中心がすべての位置決めピンを通る図形の中心に一致するような一定位置に基板を位置決めすることができる。
請求項４記載の発明は、上記複数の位置調整部材を洗浄するための洗浄手段（３５）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
【００１２】
この発明によれば、位置調整部材の洗浄を行うことができる。よって、位置調整部材を清浄に保っておくことにより、位置決め時における基板の汚染を防止することができる。
請求項５記載の発明は、上記基板処理装置は、少なくとも基板表面の周縁部の不要物を除去するためのものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置である。
【００１３】
この発明によれば、位置決め機構による基板の位置決め後に、基板に対して処理液による処理を行うことにより、基板表面の周縁部の不要物を良好に除去することができる。
なお、上記少なくとも基板表面の周縁部の不要物とは、少なくとも基板表面の周縁部の不要な薄膜であってもよい。すなわち、請求項６に記載のように、上記基板処理装置は、少なくとも基板表面の周縁部の不要な薄膜をエッチング除去するためのものであってもよい。
【００１４】
請求項７記載の発明は、上記基板処理装置は、次工程において基板裏面の全域の不要物の除去処理が行われる基板に対して処理を施すためのものであることを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置である。
この発明によれば、少なくとも基板表面の周縁部の不要物が除去された後、基板裏面の全域の不要物が除去される。
請求項８記載の発明は、上記処理液供給機構は、上記基板回転機構によって回転される基板の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給機構（３１，３２）を含むことを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の基板処理装置である。
【００１５】
この発明によれば、回転する基板の周縁部にエッチング液が供給されることにより、少なくとも基板の周縁部の不要物（不要な薄膜）が除去される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置を鉛直面に沿って切断したときの断面図である。また、図２は、図１に示す基板処理装置の平面図であり、図３は、図１に示す切断面線III−IIIで切断したときの断面図である。
この基板処理装置は、ほぼ円形の基板であるウエハＷの表面、裏面および外周端面に金属薄膜（たとえば、銅薄膜）を形成する工程の後に、そのウエハＷの表面および裏面の周縁部ならびに外周端面に形成された不要な金属薄膜をエッチング除去するために用いられる装置である。この基板処理装置における処理の後にウエハＷの裏面中央部に残っている不要な金属薄膜は、別の基板処理装置における不要薄膜除去処理によって除去される。
【００１８】
この基板処理装置には、ウエハＷの裏面中央部を吸着して、ウエハＷをほぼ水平に保持した状態で回転するバキュームチャック１０が備えられている。バキュームチャック１０は、有底筒状の処理カップ２０内に収容されていて、この処理カップ２０の底面中央部に挿通された保持筒１１と、この保持筒１１に回動自在に保持されたチャック軸１２と、チャック軸１２の上端に固定された吸着ベース１３とを含む。
【００１９】
チャック軸１２は、円筒状に形成されることによって吸気路１２１を内部に有している。この吸気路１２１の下端には、図示しない真空源から延びた吸気ホース１４が接続されており、この吸気ホース１４の途中部には、吸気ホース１４内を開閉するバルブ（図示せず）が介装されている。一方、吸気路１２１の上端は、吸着ベース１３の内部に形成された吸着路１３１に接続されている。また、吸着ベース１３の上面には、複数の吸着口１３２が形成されていて、吸着ベース１３内の吸着路１３１は、途中で分岐して、各先端がそれぞれ吸着口１３２に接続されている。この構成により、吸着ベース１３上にウエハＷを載置した状態で、吸気ホース１４に介装されたバルブを開閉することによって、吸着ベース１３の上面にウエハＷの裏面を吸着させたり、その吸着を解除したりすることができる。
【００２０】
また、チャック軸１２は、保持筒１１の下端から突出しており、その突出した部分には、プーリ１５が固定されている。このプーリ１５には、モータ１６の回転軸に固定された駆動プーリ１７の回転が、ベルト１８を介して伝達されるようになっている。したがって、モータ１６を付勢すると、モータ１６の回転軸の回転がプーリ１５に伝達されてチャック軸１２が回転し、これと一体的に吸着ベース１３が回転する。ゆえに、バキュームチャック１０は、ウエハＷの裏面を吸着ベース１３の上面に吸着させた状態でモータ１６を付勢することにより、ウエハＷをほぼ水平面内で回転させることができる。
【００２１】
処理カップ２０の底面には、３つの裏面リンスノズル３１がほぼ等しい角度間隔で配置されている。裏面リンスノズル３１は、バキュームチャック１０に保持されたウエハＷの裏面の周縁部にエッチング液を供給するためのノズルであり、エッチング液供給管３２を介してエッチング液が供給されるようになっている。また、各裏面リンスノズル３１の近傍には、それぞれ１個の裏面純水ノズル３３が配置されている。裏面純水ノズル３３は、バキュームチャック１０に保持されたウエハＷの裏面の周縁部に純水を供給するためのノズルであり、純水供給管３４を介して純水が供給されるようになっている。
【００２２】
この基板処理装置にはさらに、図示しないが、バキュームチャック１０に保持されたウエハＷの表面の周縁部にエッチング液を供給するためのエッジリンスノズルと、バキュームチャック１０に保持されたウエハＷの表面のほぼ中心に純水を供給するための純水ノズルとが備えられている。エッジリンスノズルは、ウエハＷがバキュームチャック１０による正規の保持位置に保持された状態で、そのウエハＷの表面の金属薄膜を残しておくべき領域（デバイス形成領域）と除去すべき領域（たとえば、ウエハＷの周縁部の幅５mmの帯状領域）との境界付近の一定位置にエッチング液を供給するように取付調整されている。
【００２３】
ウエハＷの処理時において、その処理対象のウエハＷは、バキュームチャック１０の吸着ベース１３に吸着された後、モータ１６が付勢されることによりほぼ水平な面内で回転させられる。そして、その回転しているウエハＷの裏面周縁部に裏面リンスノズル３１からエッチング液が供給されるとともに、ウエハＷの表面周縁部にエッジリンスノズルからエッチング液が供給される。また、ウエハＷの表面中央部に純水ノズルから純水が供給される。
【００２４】
ウエハＷの裏面周縁部に供給されたエッチング液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの裏面を伝ってウエハＷの外方へ向けて流れ、その一部はウエハＷの外周端面に回り込む。また、ウエハＷの表面周縁部に供給されたエッチング液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上をウエハＷの外方に向けて流れ、ウエハＷの外周端面を伝って流下する。このとき、ウエハＷの表面中央部は純水によって覆われている。これにより、ウエハＷの表面中央部を純水で保護しつつ、ウエハＷの表面および裏面の周縁部ならびに外周端面にエッチング液を行き渡らせることができ、ウエハＷの表面および裏面の周縁部ならびに外周端面から不要な金属薄膜をエッチング除去することができる。
【００２５】
バキュームチャック１０によるウエハＷの保持位置が正規の保持位置であれば、エッジノズルリンスから吐出されるエッチング液は、ウエハＷの表面の金属薄膜を残しておくべき領域と除去すべき領域との境界付近の一定位置に供給され、その供給位置からウエハＷの外方に向けて流れる。したがって、ウエハＷの表面中央部にエッチング液が供給されることはない。ところが、バキュームチャック１０によるウエハＷの保持位置が正規の保持位置からずれていると、エッジリンスノズルからウエハＷの表面の金属薄膜を残しておくべき領域にエッチング液が供給されたり、ウエハＷの表面の金属薄膜を除去すべき領域に供給されたエッチング液が金属薄膜を残しておくべき領域に流れ込んだりするおそれがある。そこで、この基板処理装置には、バキュームチャック１０によるウエハＷの保持位置が正規の保持位置となるように、ウエハＷの水平方向の位置を位置決めするための位置決め機構４０が備えられている。
【００２６】
位置決め機構４０は、ほぼ水平に設けられたベース４１と、このベース４１上に回動自在に立設された３本の位置決めピン４２と、３本の位置決めピン４２をそれぞれ鉛直軸線まわりに同時に回動させるためのリンク機構４３とを有している。
ベース４１は、バキュームチャック１０に対して昇降可能に設けられており、その中央部には、昇降動作時にバキュームチャック１０の吸着ベース１３が通過可能な吸着ベース通過孔４１１が形成されている。また、ベース４１には、裏面リンスノズル３１および裏面純水ノズル３３の各組に対応する位置に処理液通過孔４１２が形成されていて、裏面リンスノズル３１から吐出されるエッチング液および裏面純水ノズル３３から吐出される純水は、処理液通過孔４１２を通過してウエハＷの裏面の周縁部に供給されるようになっている。
【００２７】
位置決めピン４２は、図４に示すように、ウエハＷの裏面周縁部を受けるための水平面４２１ならびにこの水平面４２１から立ち上がった挟持面４２２および退避面４２３を有している。３本の位置決めピン４２の水平面４２１でウエハＷの裏面周縁部を受けることにより、ウエハＷをほぼ水平に支持することができる。そして、その状態で位置決めピン４２を回動させることにより、位置決めピン４２の挟持面４２２および退避面４２３を切り換えてウエハＷの外周端面に対向させることができる。
【００２８】
リンク機構４３は、３本の位置決めピン４２を同時に同じ角度だけ回動させることができるものであり、各位置決めピン４２の下端部からほぼ水平に延びた第１リンクアーム４３１と、第１リンクアーム４３１の先端に連結された第２リンクアーム４３２と、第２リンクアーム４３２の先端が連結されたドーナツ板状の連結部材４３３とを含む。第１リンクアーム４３１と第２リンクアーム４３２とは、連結ピン４３４によって互いに回動自在に連結されている。また、３本の第２リンクアーム４３２の先端は、連結部材４３３の周方向にほぼ等しい間隔を空けた位置に、連結ピン４３５によって回動自在に連結されている。そして、連結部材４３３は、吸着ベース通過孔４１１を取り囲むようにベース４１上に配置されたガイドリング４３６に案内されて、その周方向に回動変位することができるようになっている。
【００２９】
位置決めピン４２の回転力は、１本の位置決めピン４２Ａに入力される。たとえば、図２に示す状態において、位置決めピン４２Ａに反時計回りの回転力が入力されると、第１リンクアーム４３１が反時計回りに回転し、この第１リンクアーム４３１の回転が第２リンクアーム４３２を介して連結部材４３３の時計回りの回転を引き起こす。そして、この連結部材４３３の時計回りの回転が、残りの２本の位置決めピン４２に対応する第２リンクアーム４３２を介して第１リンクアーム４３１の反時計回りの回転を引き起こす。これにより、残りの２本の位置決めピン４２が、位置決めピン４２Ａと同じ反時計回りに同じ角度だけ回転することになる。
【００３０】
また、処理カップ２０の底面には、３本の位置決めピン４２に関連して、３つのピン洗浄ノズル３５が配設されている。ピン洗浄ノズル３５は、それぞれ関連づけられた位置決めピン４２を洗浄するためのノズルであり、たとえば、ウエハＷの処理が行われていない期間において、位置決めピン４２に向けて洗浄液を噴射する。これにより、位置決めピン４２に付着している汚物（エッチング液の結晶など）を洗浄液で洗い流すことができ、位置決めピン４２によるウエハＷの汚染を防止することができる。
【００３１】
図５は、ベース４１（位置決め機構４０）をバキュームチャック１０に対して昇降させるための昇降機構の構成を示す断面図である。ベース４１は、鉛直方向に沿って設けられた２本のスライド軸５１の上端に支持されている。２本のスライド軸５１は、それぞれ処理カップ２０の底部に配設された筒状のガイド部材５２に挿通されており、処理カップ２０の底面を貫通して処理カップ２０の下方に延びている。そして、２本のスライド軸５１の下端は、処理カップ２０の下方に設けられた昇降ブロック５３に固定されている。
【００３２】
昇降ブロック５３は、ほぼ鉛直面に沿って設けられたスライドベース板５４に形成されている２本のガイドレール（図示せず）に案内されて、ほぼ鉛直な方向に昇降スライド可能に設けられている。この昇降ブロック５３の下端部には、２つのシリンダ５５，５６が上下２段に接続されている。すなわち、昇降ブロック５３の下端部には、上段のシリンダ５５のロッド５５１が連結されており、この上段のシリンダ５５の本体５５２に、下段のシリンダ５６のロッド５６１が連結されている。
【００３３】
シリンダ５５のロッド５５１が本体５５２内に没入し、シリンダ５６のロッド５６１が本体５６２内に没入している状態で、ベース４１は最下方位置にあり、このベース４１上の位置決めピン４２の先端がバキュームチャック１０の吸着ベース１３の上面よりも下方に位置している。この状態から、下段のシリンダ５６のロッド５６１のみを進出させると、そのロッド５６１のストローク量（たとえば、５３mm）だけ上段のシリンダ５５および昇降ブロック５３が上昇し、この昇降ブロック５３の上昇に伴って、スライド軸５１が上方にスライドする。その結果、スライド軸５１に支持されたベース４１がロッド５６１のストローク量だけ上昇し、位置決めピン４２がバキュームチャック１０の吸着ベース１３の上面よりも上方の第１上方位置に上昇する。さらに、下段のシリンダ５６のロッド５６１が進出している状態から上段のシリンダ５５のロッド５５１を進出させると、そのロッド５５１のストローク量（たとえば、１７mm）だけ昇降ブロック５３がさらに上昇し、この昇降ブロック５３の上昇に伴って、スライド軸５１がさらに上方にスライドする。その結果、スライド軸５１に支持されたベース４１がロッド５５１のストローク量分さらに上昇し、位置決めピン４２がさらに上方の第２上方位置に上昇する。
【００３４】
このように、スライド軸５１、昇降ブロック５３、シリンダ５５，５６などにより、ベース４１を昇降させるための昇降機構が構成されている。
２本のスライド軸５１の一方は、位置決めピン４２Ａの鉛直下方に配置されている。そして、この位置決めピン４２Ａの鉛直下方に配置されたスライド軸５１は、筒状に形成されており、その内部には、回転軸６１が回転自在に挿入されている。回転軸６１の上端は、スライド軸５１の上端から突出していて、位置決めピン４２Ａにねじ込まれている。一方、回転軸６１の下端は、スライド軸５１の下端から突出していて、その突出している部分には、回転軸６１を所定の角度範囲内で回転させるための回転駆動機構６２が結合されている。
【００３５】
なお、参照符号７１は、ベース４１（位置決め機構４０）が第２上方位置まで上昇された時に昇降ブロック５３が当接するダンパであり、参照符号７２は、ベース４１が最下方位置まで下降された時に昇降ブロック５３が当接するダンパである。
図６は、図５に示す切断面線VI−VIで切断したときの断面図であり、回転駆動機構６２の構成が示されている。回転駆動機構６２には、回転軸６１の下端部外周に被着された筒部材６２１と、この筒部材６２１の外周面から張り出したフランジ板６２２と、フランジ板６２２に図６における時計回りの弾性力を付与するコイルばね６２３と、フランジ板６２２を上記所定の角度範囲で回転させるためのシリンダ６２４とが含まれる。
【００３６】
フランジ板６２２には、２つの円弧状孔６２５が回転軸６１を挟んで互いに対向する位置に形成されている。これらの円弧状孔６２５には、たとえば、昇降ブロック５３の下端から垂下した回動量規制ピン６２６が挿通されていて、この回動量規制ピン６２６が円弧状孔６２５の両端部に当接することで、フランジ板６２２の回動量が規制されるようになっている。
シリンダ６２４のロッド６２７が本体６２８に没入した状態では、図６(a)に示すように、コイルばね６２３は最も縮んでおり、このとき、回動量規制ピン６２６が円弧状孔６２５の一方端部に当接している。
【００３７】
この状態から、シリンダ６２４のロッド６２７を進出させると、フランジ板６２２の所定部がロッド６２７によって押されて、フランジ板６２２がコイルばね６２３の弾性力に抗して図６における反時計回りに回転する。ロッド６２７が最も進出した状態では、図６(b)に示すように、回動量規制ピン６２６が円弧状孔６２５の他方端部付近に位置する。また、このとき、回転軸６１の上端が接続された位置決めピン４２Ａ（図４参照）は、３本の位置決めピン４２の水平面４２１でウエハＷを支持した場合に、そのウエハＷの外周端面に退避面４２３が対向するようになっている。
【００３８】
その後、シリンダ６２４のロッド６２７を没入させると、コイルばね６２３の弾性力によって、フランジ板６２２が図６における時計回りに回転し、このフランジ板６２２の回転に伴って回転軸６１が回転する。この回転軸６１の回転により、位置決めピン４２Ａは、３本の位置決めピン４２の水平面４２１でウエハＷを支持した場合に、そのウエハＷの外周端面に挟持面４２２が対向する向きに回転する。
【００３９】
図７は、この基板処理装置の動作について説明するための図解図である。この基板処理装置には、図７(a)に示すように、搬入用ハンドＨ１によって、処理対象のウエハＷがウエハ受渡し位置に搬入されてくる。このウエハＷの搬入に先立って、位置決め機構４０（ベース４１）は、最下方位置から第１上方位置まで上昇されて、その第１上方位置で待機している。
ウエハ受渡し位置にウエハＷが搬入されてくると、図７(b)に示すように、位置決め機構４０が第１上方位置から第２上方位置に上昇される。この過程で、位置決めピン４２の水平面４２１が搬入用ハンドＨ１に保持されているウエハＷの裏面に当接し、さらに位置決めピン４２が上昇することにより、ウエハＷが位置決めピン４２の水平面４２１で支持されて搬入用ハンドＨ１の上方に持ち上げられる。これにより、搬入用ハンドＨ１から位置決め機構４０へのウエハＷの受渡しが達成される。
【００４０】
このウエハＷの受渡し時には、３本の位置決めピン４２は、それぞれの退避面４２３がウエハＷの外周端面に対向する状態になっている。つまり、図６に示すシリンダ６２４のロッド６２７は、本体６２８から最も進出した状態になっている。位置決め機構４０が第２上方位置に達すると、次いで、シリンダ６２４のロッド６２７を没入させて、位置決めピン４２Ａを挟持面４２２がウエハＷの外周端面に対向する向きに回転させる。すると、リンク機構４３の働きにより、他の位置決めピン４２も挟持面４２２がウエハＷの外周端面に対向する向きに回転する。その結果、図７(c)に示すように、３本の位置決めピン４２の挟持面４２２がウエハＷの外周端面に当接し、図６に示すコイルばね６２３の弾性力により、３本の位置決めピン４２がウエハＷを互いに押し合って、３つの挟持面４２２でウエハＷを挟持した状態となる。３本の位置決めピン４２でウエハＷを押し合うことで、ウエハＷは、その中心が３本の位置決めピン４２（３つの挟持面４２２とウエハＷの外周端面との接点）を通る円周の中心に一致するような一定位置に位置決めされる。これにより、位置決め機構４０によるウエハＷの水平方向の位置決めが達成される。
【００４１】
その後、図６に示すシリンダ６２４のロッド６２７を進出させて、位置決めピン４２の挟持面４２２をウエハＷの外周端面に対向させることにより、位置決めピン４２によるウエハＷの挟持状態が解除される。そして、図７(d)に示すように、位置決め機構４０が第２上方位置から最下方位置まで下降される。この過程で、位置決めピン４２の水平面４２１に支持されているウエハＷの裏面にバキュームチャック１０の吸着ベース１３が当接し、その後さらに位置決め機構４０が下降することにより、ウエハＷが吸着ベース１３上に載置されて、位置決め機構４０からバキュームチャック１０へのウエハＷの受渡しが達成される。
【００４２】
この後は、ウエハＷの裏面が吸着ベース１３に吸着されて、ウエハＷに対する処理液による処理が開始される。ウエハＷに対する処理が終了すると、図７(e)に示すように、位置決め機構４０が最下方位置から第２の上方位置まで上昇され、この上昇過程で、吸着ベース１３上のウエハＷが位置決めピン４２に受け取られて、ウエハＷが吸着ベース１３の上方に持ち上げられる。そして、ウエハＷの下方に搬出用ハンドＨ２が進入してきた後、図７(f)に示すように、位置決め機構４０が第２上方位置から第１上方位置まで下降されることにより、位置決めピン４２に支持されているウエハＷが搬出用ハンドＨ２に受け渡される。
【００４３】
以上のように、この実施形態に係る位置決め機構４０は、３本の位置決めピン４２でウエハＷを押し合うことによりウエハＷの水平方向位置を位置決めする構成であるから、ウエハＷの径（サイズ）に若干の±（プラスマイナス）誤差があっても、ウエハＷの中心が３本の位置決めピン４２を通る円周の中心に一致するような一定位置に、ウエハＷを位置決めすることができる。よって、バキュームチャック１０による正規の保持位置にウエハＷを保持させることができ、ウエハＷに対してエッチング液による処理を良好に施すことができる。
【００４４】
また、位置決めピン４２がウエハＷを押し合う力はコイルばね６２３の弾性力であるから、たとえウエハＷに＋（プラス）誤差があっても、位置決めピン４２でウエハＷを押し合った時にウエハＷが割れるおそれがない。
この発明の一実施形態の説明は以上の通りであるが、この発明は、他の形態で実施することも可能である。たとえば、上述の実施形態では、３本の位置決めピン４２（位置調整部材）を備えた構成を取り上げたが、４本以上の位置決めピン４２を備え、この４本以上の位置決めピン４２でウエハＷの位置決めを行う構成であってもよい。
【００４５】
また、基板処理装置における処理対象の基板としてウエハＷを例にとったが、この発明は、液晶表示装置用ガラス基板やプラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などのような角形基板に対して処理を施すための装置にも適用することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置を鉛直面に沿って切断したときの断面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の平面図である。
【図３】図１に示す切断面線III−IIIで切断したときの断面図である。
【図４】位置決めピンの構成を示す断面図である。
【図５】位置決め機構をバキュームチャックに対して昇降させるための昇降機構の構成を示す断面図である。
【図６】位置決めピンの回転駆動機構の構成を示す断面図である。
【図７】この基板処理装置の動作について説明するための図解図である。
【図８】従来の基板処理装置に備えられている位置決め機構の構成を図解的に示す斜視図である。
【図９】従来の位置決め機構の問題点について説明するための図である。
【符号の説明】
１０バキュームチャック
１２チャック軸
１３吸着ベース
３１裏面リンスノズル
３２エッチング液供給管
３３裏面純水ノズル
３４純水供給管
３５ピン洗浄ノズル
４０位置決め機構
４１ベース
４２位置決めピン
４２Ａ位置決めピン
４３リンク機構
５１スライド軸
５２ガイド部材
５３昇降ブロック
５４スライドベース板
５５シリンダ
５６シリンダ
６２３コイルばね
６２４シリンダ

Claims

所定の回転軸を中心に基板の一方面を吸着保持しつつ回転させる基板回転機構と、
この基板回転機構によって吸着保持される基板を位置決めする位置決め機構と、
上記基板回転機構によって回転される基板に処理液を供給する処理液供給機構と、
上記基板回転機構を収容する処理カップとを含み、
上記位置決め機構は、
基板に対して挟持動作および退避動作を行うことができ、基板の位置を調整する複数の位置調整部材と、
複数の上記位置調整部材のうちの１つに入力される力を発生する駆動源と、
上記処理カップ内に設けられ、複数の上記位置調整部材同士を連結し、上記駆動源からの力が入力される上記位置調整部材の動作を当該位置調整部材以外の上記位置調整部材に伝達して、すべての上記位置調整部材を同時に動作させるリンク部材と、
上記駆動源から上記位置調整部材に至るいずれかの位置に設けられ、上記位置調整部材の基板に対する挟持力を発生させるための弾性部材とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
上記位置決め機構を上記基板回転機構に対して相対的に昇降させるための昇降機構をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
上記複数の位置調整部材は、少なくとも３個の位置調整部材を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
上記複数の位置調整部材を洗浄するための洗浄手段をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
上記基板処理装置は、少なくとも基板表面の周縁部の不要物を除去するためのものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
上記基板処理装置は、少なくとも基板表面の周縁部の不要な薄膜をエッチング除去するためのものであることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
上記基板処理装置は、次工程において基板裏面の全域の不要物の除去処理が行われる基板に対して処理を施すためのものであることを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置。
上記処理液供給機構は、上記基板回転機構によって回転される基板の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給機構を含むことを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の基板処理装置。