TWI616847B - 測定處理裝置、基板處理系統、測定用治具、測定處理方法及其記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明不會造成系統大型化且可於短時間內確認基板之膜去除狀態與包圍構件之固持狀態。藉由以設置於包圍構件302上方之第1～第3相機601～603拍攝周緣部之處理膜已被去除之晶圓W及包圍構件302，於測定處理裝置800中，藉由處理以此等相機所得之拍攝圖像，測定晶圓W之周緣部中該處理膜不存在之切除寛度、及晶圓W之周緣端與包圍構件302間之間隙寛度。

Description

測定處理裝置、基板處理系統、測定用治具、測定處理方法及其記錄媒體
本發明係關於一種基板處理裝置，其藉由處理液對如半導體晶圓等之基板進行處理。
一般為人所知之基板處理系統，係具備單片式基板處理裝置之基板處理系統。此種系統有的具備有以下功能之基板處理裝置(之後稱為第1基板處理裝置)：將於基板表面形成膜之基板加以固持並使繞著垂直軸旋轉，從噴嘴對基板周緣部供給處理液，以去除周緣部之膜。專利文獻1中，於基板處理系統內設置拍攝機構，拍攝以第1基板處理裝置所處理之基板之周緣部，根據所拍攝之圖像，判斷周緣部之膜是否已適當去除。另一方面，除了第1基板處理裝置之外，另一種基板處理裝置(之後稱為第2基板處理裝置)亦為人所知，該基板處理裝置具有從下方固持基板周緣並包圍基板全周之包圍構件，並對固持於包圍構件之基板進行處理(專利文獻2)。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2013－168429號公報 ［專利文獻2］專利第5372836號公報
［發明欲解決之問題］ 例如，當基板處理系統具備第1基板處理裝置與第2基板處理裝置二者之情形時，除了第1基板處理裝置之確認用之拍攝機構之外，亦必須有用以確認於第2基板處理裝置中基板是否正確地固持於包圍構件之拍攝機構。若個別設置2個拍攝機構以進行確認作業，則有造成系統大型化且確認作業時間變長之疑慮。本發明旨在解決上述問題點，可不造成系統大型化，並可於短時間內確認基板之膜去除狀態及包圍構件之固持狀態。 ［解決問題之方法］
為了解決上述課題，本發明之測定處理裝置，藉由對於利用設置於包圍基板之包圍構件之上方並拍攝周緣部之處理膜已被去除之基板及該包圍構件之拍攝裝置所得到之拍攝圖像加以處理，而測定該基板之周緣部中該處理膜不存在之切除寛度、及該基板之周緣端與該包圍構件間之間隙寛度。
又，本發明之基板處理系統具備：第1基板處理裝置，具有包圍基板之包圍構件，處理固持於該包圍構件之基板；拍攝裝置，設置於該包圍構件之上方，拍攝周緣部之處理膜已被去除之基板及該包圍構件；及測定處理裝置，藉由處理利用該拍攝裝置所得之拍攝圖像，測定該基板之周緣部中該處理膜不存在之切除寛度、及該基板之周緣端與該包圍構件間之間隙寛度。
又，本發明之測定用治具係用於基板處理裝置，該基板處理裝置具有包圍基板全周之包圍構件，本發明之測定用治具具備：設置台，具有相對於該基板處理裝置之設置面；及拍攝裝置，固定於該設置台，在周緣部之處理膜已被去除之基板固持於該包圍構件且該設置台固定於該基板處理裝置之狀態下，該拍攝裝置能拍攝可測定該基板之周緣部中該處理膜不存在之切除寛度、及該基板之周緣端與該包圍構件間之間隙寛度之圖像。
又，本發明之測定處理方法包含：拍攝步驟，自包圍基板之包圍構件之上方，拍攝周緣部之處理膜已被去除之基板及該包圍構件；及測定處理步驟，藉由處理該拍攝步驟中所得之拍攝圖像，測定該基板之周緣部中該處理膜不存在之切除寛度及該基板之周緣端與該包圍構件間之間隙寛度。
又，本發明之記錄媒體記錄用以執行上述測定處理方法之程式。 ［發明效果］
依據本發明，不會造成系統大型化，且可於短時間內確認基板之膜去除狀態及包圍構件之固持狀態。
(第1實施形態) 以下，參考圖1至圖15，說明本發明之實施形態。
＜基板處理系統＞ 於以本實施形態之基板處理系統所處理之晶圓W(基板)上，藉由既定之塗佈處理，形成例如金屬單層膜(TiN、Al、W)。之後，於本實施形態中，將此膜記載為“處理膜”。此處理膜形成於晶圓W頂面。在此，基板處理系統具備：第1基板處理裝置，具有藉由對晶圓W供給處理液而去除底面整面之膜之功能；及第2基板處理裝置，具有將於晶圓W所形成之處理膜中位於晶圓W頂面周緣部之膜予以去除之功能。首先，參考圖1，說明具有如此功能之基板處理系統100。
又，所謂晶圓W頂面或底面，係晶圓W藉由後述之基板固持部水平固持時朝上或下之面。又，所謂晶圓W周緣部，係晶圓W之側端部附近之區域，且係未形成半導體裝置電路圖案之區域。
圖1係基板處理系統100之概略構成之頂視圖。如圖1所示，基板處理系統100具備：搬入/搬出站100A，設有複數個收容晶圓W之晶圓載具C，進行晶圓W之搬入・搬出；及處理站100B，用以進行晶圓W之液體處理。搬入/搬出站100A及處理站100B相鄰設置。
搬入/搬出站100A具有：載具載置部101；搬運部102；傳遞部103；及框體104。於載具載置部101，載置著以水平狀態收容複數片晶圓W之晶圓載具C。於搬運部102中，進行晶圓W之搬運；於傳遞部103中，進行晶圓W之傳遞。搬運部102及傳遞部103收容於框體104。
搬運部102具有搬運機構105。搬運機構105具有：固持晶圓W之晶圓固持臂106；及使晶圓固持臂106前後移動之機構。又，雖未圖示，但搬運機構105更具有：使晶圓固持臂106沿著於排列著晶圓載具C之X方向延伸之水平導引件107移動之機構；使晶圓固持臂106沿著設於垂直方向之垂直導引件移動之機構；及使晶圓固持臂106於水平面內旋轉之機構。藉由搬運機構105，使晶圓W於晶圓載具C與傳遞部103之間搬運。
傳遞部103具有傳遞架108，傳遞架108具備複數個載置著晶圓W之載置部。傳遞部103構成為：經由此傳遞架108，於與處理站100B之間，進行晶圓W之傳遞。
處理站100B具備：框體109；複數基板處理裝置110(第2基板處理裝置)及基板處理裝置111(第1基板處理裝置)，收容於框體109內；搬運室112；及搬運機構113，設於搬運室112內。於複數基板處理裝置110及基板處理裝置111之下方，亦可收容用以對各基板處理裝置110及基板處理裝置111供給液體或氣體之機構。於本實施形態中，將圖1中各基板處理裝置110及基板處理裝置111存在之矩形封閉空間記載為“處理室”。
搬運機構113具有：固持晶圓W之晶圓固持臂114；及使晶圓固持臂114前後移動之機構。又，雖未圖示，但搬運機構113更具有：使晶圓固持臂114沿著設於搬運室112之水平導引件115往Y方向移動之機構；使晶圓固持臂114沿著設於垂直方向之垂直導引件移動之機構；及使晶圓固持臂114於水平面內旋轉之機構。藉由搬運機構113，對各基板處理裝置110及基板處理裝置111進行晶圓W之搬出/搬入。
於基板處理系統100，設置系統控制部116與操作面板117。系統控制部116具有根據於未圖示之內建之記錄裝置所記錄之控制程式，進行基板處理系統100整體控制之功能。又，操作面板117係用以讓基板處理系統100之使用者輸出各種操作命令之觸控面板式操作裝置。於基板處理裝置111，設置維修面板118(開閉式面板)，其係於處理室內作業或確認等時所使用之開閉式面板。圖1中，雖顯示1個基板處理裝置111具備維修面板118，但本實施形態中，係設定為圖示之12個基板處理裝置110及基板處理裝置111全部具備維修面板118。
使用圖2，說明基板處理裝置110之概略構成。如圖示，基板處理裝置110具備：基板固持部201，水平固持晶圓W，且不接觸晶圓W之周緣部；旋轉驅動部202，連接於基板固持部201下側，使基板固持部201旋轉；及杯體203，為環型構件，從側邊包圍基板固持部201及晶圓W側端部。
如圖2所示，於杯體203內部，形成朝上方開口且沿圓周方向延伸之溝部204，將液體處理間所產生之氣體或送入至晶圓W周邊之氣體，排出至外部。杯體203具有：凸緣部205，於溝部204上部往外面延伸；及蓋部206，於凸緣部205上方延伸。其中，凸緣部205係構成為：將從晶圓W所飛濺之液體或來自晶圓W周邊之氣體流導引至杯體203內部。又，蓋部206係構成為：以其內面接收從旋轉的晶圓W所飛濺之液體，並導引至溝部204。
以下，針對用以從上方對晶圓W施加處理之各構成要素之構造，加以說明。如圖2所示，化學液噴嘴207係供給從化學液供給部208所供給之氫氟酸(HF)或硝酸(HNO3)等化學液之噴嘴。沖洗噴嘴209供給從沖洗處理液供給部210所供給之DIW等沖洗處理液。又，亦可具備用以從下方對晶圓W施加處理之噴嘴或供給部等。
其次，參考圖3～圖5，說明本實施形態之基板處理裝置111。圖3係基板處理裝置111構成之概略剖面圖，圖4係從上方所見之該立體圖。圖5係後述支撐銷之周邊放大圖。
如圖3所示，基板處理裝置111具有：旋轉板301、包圍構件302、旋轉杯303、旋轉驅動部304、基板升降構件305、處理液供給機構306及排氣・排液部(杯)307。
亦如圖4所示，旋轉板301具有底板310及旋轉軸311。底板310係水平設置，於中央具有圓形之孔310a。旋轉軸311設置成從底板310朝下方延伸，並具有中心設有孔311a之圓筒狀之形狀。
如圖2～圖4所示，包圍構件302以全周圍繞晶圓W周緣部之方式，設置於晶圓W之周緣外面。又，包圍構件302設置為可旋轉，並從下方支撐晶圓W。如圖3所示，包圍構件302將處理晶圓W之處理液導引至排液杯307。又，包圍構件302具有支撐銷312。支撐銷312從包圍構件302下端往周緣內方凸出設置。支撐銷312係用以載置晶圓W周緣部。如此，藉由使晶圓W周緣部載置於支撐銷312，使得支撐銷312從下方支撐著晶圓W周緣部。又，如圖4所示，支撐銷312沿著晶圓W之周方向，大致等間隔地設置複數個(本實施形態為12個)。又，本實施形態中支撐銷312係設置於包圍構件302，但除此外，從下方支撐晶圓W之支撐銷，亦可設置於底板310。
旋轉杯303係用以防止供給至晶圓W底面側且從旋轉的晶圓W往外周側飛濺的處理液彈回而再次回到晶圓W。又，旋轉杯303亦用以使從旋轉的晶圓W往外周側飛濺的處理液，不會返回晶圓W之頂面側。
如圖5所示，底板310、包圍構件302及旋轉杯303，藉由將固結構件314嵌入形成為個別貫穿之孔313而固結。藉此，底板310、包圍構件302及旋轉杯303設置為可成一體旋轉。
圖3中，旋轉驅動部304具有：帶輪316、驅動帶315及馬達317。帶輪316設置於旋轉軸311下方側之周緣外面。驅動帶315捲繞於帶輪316。馬達317連結於驅動帶315，藉由將旋轉驅動力傳達至驅動帶315，透過帶輪316使旋轉軸311旋轉。亦即，旋轉驅動部304藉由使旋轉軸311旋轉，而使底板310、包圍構件302及旋轉杯303旋轉。又，於旋轉軸311之周緣外面，配置軸承318。
基板升降構件305可升降地設於底板310之孔310a及旋轉軸311之孔311a內，具有升降銷板319及升降軸320。升降銷板319於周緣具有複數(例如3根)升降銷319a。升降軸320從升降銷板319往下方延伸。升降銷板319及升降軸320於中心設有處理液供給機構306。又，於升降軸320之下端，連接著缸筒機構320a，藉由以此缸筒機構320a使基板升降構件305升降，進而使晶圓W升降，以進行晶圓W之裝載及卸載。
處理液供給機構306具有處理液供給管321。處理液供給管321以於上下方向延伸之方式，設置於升降銷板319及升降軸320之內部(中空空間內)。處理液供給管321將由處理液配管組322之各配管所供給之處理液，導引直至晶圓W之底面側。亦即，處理液供給管321對晶圓W底面供給處理液。處理液供給管321與形成於升降銷板319頂面之處理液供給口321a連通。
排氣・排液部(杯)307具有：排液杯323、排液管324、排氣杯325及排氣管326。又，排氣・排液部(杯)307於頂面設置開口。排氣・排液部(杯)307主要用以回收從環繞於旋轉板301與旋轉杯303之空間所排出之氣體及液體。
排液杯323接收由旋轉杯303所導出之處理液。排液管324連接於排液杯323底部之最外側部分，將排液杯323所接收之處理液，經由未圖示之排液配管組之任一配管而排出。排氣杯325於排液杯323之外面或下方，以與排液杯323連通之方式設置。於圖3中例示，排氣杯325於排液杯323之周緣內方及下方，以與排液杯323連通之方式設置。排氣管326連接於排氣杯325底部之最外側部分，將排氣杯325內之氮體等氣體，經由未圖示之排氣配管組之任一配管而排氣。
＜測定用治具＞ 以下，使用圖6，說明本實施形態所使用之測定用治具之形狀。圖6(a)係從上方觀看測定用治具600時之立體圖。圖6(b)係從下方觀看測定用治具600時之立體圖。
如圖6(a)所示，測定用治具600具備：第1相機601、第2相機602、第3相機603。第1～第3相機601～603皆用於拍攝晶圓W之周緣部。
設置台604為具有表面604a及背面604b之半圓狀構件。於表面604a上方，經由連接部等固定著第1～第3相機601～603。如圖6(b)所示，背面604b成為用以設置於基板處理裝置111之排氣・排液部(杯)307頂面之設置面。
第1支撐構件605將第1相機601搭載於其頂面而加以支撐，如圖6(b)所示，於相當於相機之拍攝感測器或光源之位置，具有開口605a。
第1連接構件606用以連接第1支撐構件605及設置台604，如後述，使從設置台604頂面起至第1支撐構件605背面為止具有既定高度H1之間隔(參考圖7(b))，以使於設置後亦可將晶圓W搬入/搬出。第2相機602同樣亦具備第2支撐構件607、第2連接構件608及開口607a；第3相機603同樣亦具備第3支撐構件609、第3連接構件610及開口609a。
第1～第3相機601～603具備用以從外部接收拍攝動作之控制信號或將所拍攝之圖像傳送至外部之第1～第3纜線611～613。於圖6雖然省略，但此等纜線連接至後述之測定處理裝置800。
接著，使用圖7，說明將測定用治具600設置於基板處理裝置111之狀態。圖7(a)係設置於基板處理裝置111之狀態之從上方所見之頂視圖，圖7(b)係從旁所見之側視圖。
如圖7(a)所示，當測定用治具600正確設置時，第1～第3相機601～603沿著晶圓W之周緣方向配置，且位於基板處理裝置111之排氣・排液部(杯)307之內周端上方。在此，包圍構件302之內緣端部，相較於排氣・排液部(杯)307之內周端，對內側有些許突出。因此，於圖中雖未顯示，但不僅支撐銷312，連包圍構件302之內緣端部，亦可從上方拍攝。
如圖7(b)所示，測定用治具600設置於基板處理裝置111之排氣・排液部(杯)307之頂面。因為從排氣・排液部(杯)307頂面至晶圓W頂面之距離已定，故從各相機之拍攝感測器至晶圓之距離為固定。
於設置測定用治具600之際，系統使用者利用未圖示之安裝用工具，以於測定中亦不會自排氣・排液部(杯)307之頂面移開之方式固定。
＜測定處理系統＞ 以下，使用圖8，說明本實施形態之測定系統之整體構成。本系統由測定用治具600、測定處理裝置800、資訊處理裝置801所構成。
測定處理裝置800係用以處理由測定用治具600所得到之拍攝圖像，以如測定後述之切除寛度或間隙寛度之裝置。測定處理裝置800於其框體內，具有CPU802、記錄部803、操作部804、I/F部805及I/F部806。
CPU802控制測定處理裝置800之各方塊，並控制測定用治具600之各相機601～603之動作。又，藉由執行後述之測定處理程式，而進行切除寛度或間隙寛度之計算或確認用畫面之產生。
記錄部803記錄CPU802所執行之後述之測定處理程式。又，暫時記錄從各相機601～603所接收之拍攝圖像，再記錄CPU802所算出之測定結果。操作部804用以讓使用者輸入對後述之確認用畫面之選擇動作或測定處理之執行指示等。
I/F(介面)部805係與各相機601～603之纜線611～613之連接部，對各相機傳送CPU802所產生之控制信號，並接收各相機之拍攝圖像，而傳輸至記錄部803。
I/F(介面)部806係經由資訊處理裝置801及USB纜線等而連接之連接部，對資訊處理裝置801傳送記錄部803所記錄之測定結果或拍攝圖像。又，傳送CPU802所產生之確認用畫面。又，雖未圖示，但I/F(介面)部806亦可用於與基板處理系統100之系統控制部116間進行通訊。
資訊處理裝置801具有未圖示之顯示部及記錄部，例如，由個人電腦所構成。資訊處理裝置801接收從測定處理裝置800經由I/F(介面)部806傳送而來之確認用畫面，將此顯示於顯示部。又，將從測定處理裝置800傳送而來之拍攝圖像或測定結果記錄於記錄部。
使用圖9，說明第1相機601、基板處理裝置111及晶圓W之配置關係。如圖所示，晶圓於周緣部具有修整部，於晶圓頂面形成處理膜，且僅有該周緣部之處理膜被去除(切除)。又，晶圓W之直徑為300mm，且設為於圓周方向無誤差。又，此晶圓W底面之周緣部，藉由設於包圍構件302之支撐銷312而從下方固持。圖9顯示晶圓W之周緣部中未由支撐銷312所支撐之位置之剖面圖。因此，於晶圓W與包圍構件302之間，存有間隙。
當將測定用治具600適當設置時，第1相機601之橫向之拍攝畫角之內端(左端)位於晶圓W之處理膜上，而外端(右端)位於包圍構件302上。因此，由第1相機601所得之拍攝圖像中，從畫角內端(左端)起依序存在：處理膜區901、切除面區902、修整區903、間隙區904、包圍構件區905。在此，處理膜區901為：所形成之處理膜未被蝕刻去除而完整留下之區域。切除面區902為：於所形成之處理膜被去除之區域中，不包含於晶圓W周端所形成之修整部的平面區域。修整區903為：處理膜被去除或自始即未形成處理膜之修整區域。間隙區904為：於晶圓W之周緣端與包圍構件302之間所形成之區域。包圍構件區905為：包圍構件302所存在之區域。如此，切除寛度為：於晶圓W之周端部中，於處理膜周緣端與晶圓W周緣端之間，由切除面區902與修整區903所形成之處理膜不存在區域(處理膜被去除或自始即未形成處理膜之區域)之寛度。又，間隙寛度為：於晶圓W周緣端與包圍構件間所形成之間隙區904之寛度。又，切除面區902之寛度稱為切除面寛度，修整區903之寛度稱為修整寛度。
第1相機601於對應圖6之開口605a之位置，具備：拍攝感測器906與光源907。本實施形態中，拍攝感測器906為具備由1600像素×1200行所成之約200萬像素之有效像素區之CCD感測器，對應受光位準，僅產生與亮度信號對應之信號。於拍攝感測器906表面前方，具備未圖示之焦點調整機構與曝光調整機構。光源907對晶圓W照射白色光，如箭頭所示，對晶圓W平面具有於垂直方向為強之方向性。拍攝控制部908控制拍攝感測器906與光源907，拍攝由上述畫角所成之被拍攝體，產生由具有1600像素×1200行之像素數之8bit之亮度信號所成之拍攝圖像。
如後所述，第1相機601之主要目的為：正確地拍攝處理膜界線909、切除面界線910、晶圓周緣端911、包圍構件界線912。因此，拍攝控制部908可根據經由纜線611從測定處理裝置800所接收之控制信號，改變拍攝條件而進行拍攝。又，第2相機、第3相機亦具備相同構成。
使用圖10，說明輸出至資訊處理裝置801之顯示部之確認用畫面、及確認用畫面上之拍攝圖像與晶圓W之拍攝位置之對應關係。
圖10(a)係顯示於資訊處理裝置801之確認用畫面1000之示意圖。圖10(b) 係於第1～第3相機601～603之拍攝畫角及確認用畫面1000上之顯示區之示意圖。
圖10(b)中，第1相機601之拍攝畫角為1001，第2相機602之拍攝畫角為1002，第3相機603之拍攝畫角為1003。
測定處理裝置800並非使用此等畫角之整體拍攝圖像，而是將其中部分切出所得之圖像，用於切除寛度及間隙寛度之測定。以第1相機601為例，將畫角1001中沿著晶圓W界線調整位置所得之1001a、1001b、1001c、1001d及1001e之5個區域之切出後拍攝圖像，用於測定。所切出之拍攝圖像之尺寸如為320×240像素。於第2相機602及第3相機603中亦使用相同圖像。
再者，本實施形態中，如後所述，針對各拍攝畫角1001～1003，以第1拍攝條件及第2拍攝條件，分別取得2個拍攝圖像。
圖10(a)中，顯示窗1004係用以顯示以第1拍攝條件所得之從5個區域1001a～1001e之其一所切出之拍攝圖像(圖像1)之區域。同樣地，顯示窗1005係用以顯示以第2拍攝條件所得之切出之拍攝圖像(圖像2)之區域。關於5個區域1001a～1001e中要顯示哪一區域所切出之拍攝圖像，使用者可使用操作部804所具備之例如滑鼠，利用以游標點選顯示窗上而依序切換。
為了選擇將哪一相機之圖像顯示於顯示窗1004，操作區1006配置圖標1007～1009。使用者若使用操作部804之滑鼠，使游標移動而點選選擇任一圖標，則所選擇之圖標所對應之相機之切出之拍攝圖像顯示於顯示窗1004。操作區1010及圖標1011～1013亦具有相同功能，選擇結果反映於顯示窗1005。
即使在測定處理裝置800尚未算出切除寛度或間隙寛度之期間，各相機601～603動作，例如以5圖框/秒之頻率進行拍攝，將拍攝圖像傳送至測定處理裝置800。因測定處理裝置800依據所接收之拍攝圖像更新確認用畫面1000再傳送至資訊處理裝置801，故使用者可即時以目視確認目前晶圓W之拍攝狀況。本實施形態中，開始測定動作之時機，係以操作部804所具備之開始按鈕決定，但亦可為以下規格：於確認用畫面1000上顯示開始按鈕，將其點選即可開始。
＜測定動作＞ 其次，使用圖11之流程圖，說明本實施形態之各裝置共同進行之切除寛度及間隙寛度之測定動作。本流程圖之測定動作，藉由以測定處理裝置800之CPU802執行記錄於記錄部803之測定處理程式而達成。
於開始進行本流程圖所示之測定動作前，基板處理系統100移至維修模式，進行測定所需之準備。於維修模式中，各基板處理裝置110及基板處理裝置111不進行依一般配方對晶圓W所進行之處理。另一方面，使晶圓W於各裝置內移動及固持之動作或於基板處理系統100內移動之動作，則以自動或手動進行。
基板處理系統100之使用者，藉由操作操作面板117，將系統變更為維修模式。之後，打開基板處理裝置111之維修面板118，將測定用治具600，以圖7所示之態樣，設置於處理室內之基板處理裝置111。此時，使用者於圖3中放置晶圓W之位置，放置未圖示之比例換算晶圓。比例換算晶圓係用來測定以相機所得之拍攝圖像之像素數與晶圓W所放置之平面上之長度［mm］之對應關係。於比例換算晶圓上，附加顯示如1mm寛度之標度或構造等。比例換算晶圓放置後，使用者關閉維修面板118。使用者分別將測定用治具600、測定處理裝置800及資訊處理裝置801連接並啟動，成為測定可能狀態，藉此完成前準備。之後，藉由從測定處理裝置之操作部804發出指示，而開始進行測定動作。
首先，使用放置於基板處理裝置111之晶圓W固持位置之比例換算晶圓，進行比例換算處理(步驟S1101)。具體而言，測定處理裝置800之CPU802，控制測定用治具600之第1相機601，拍攝放置於基板處理裝置111之晶圓W固持位置之比例換算晶圓。拍攝所得之拍攝圖像，從第1相機601經由纜線611、I/F部805傳送並記錄於記錄部803。CPU802藉由圖像分析，判斷拍攝圖像中1mm寛度之標度相當於哪種像素。例如，標度若為黑色，則藉由查出黑色之行像素之間隔，可判斷像素數。在此，CPU802判定像素數為20，將“比例換算值”＝20像素/mm之值，記錄於記錄部803。當以上動作結束後，基板處理系統100之系統控制部116使升降銷板319上升，以搬運機構113將比例換算晶圓從基板處理裝置111搬出，並保管於既定之保管場所。
其次，基板處理系統100之系統控制部116控制搬運機構113，將成為用以測定切除寛度之對象之晶圓W，搬入至基板處理裝置111(步驟S1102)。於本實施形態中，事先將晶圓W載置於載具載置部101，搬運機構113先將經由傳遞部103所搬入之晶圓W搬入至基板處理裝置110。接著，於基板處理裝置110中將周緣部之處理膜去除後，搬運機構113將晶圓W從基板處理裝置110取出，搬入至基板處理裝置111。系統控制部116回應使用者於操作面板117所操作之搬入指示，而開始進行搬運動作，但亦可回應從測定處理裝置800之CPU802經由I/F部806所接收之步驟S1101之結束指示，而開始動作。於將晶圓W搬入至基板處理裝置111後，升降銷板319上升，晶圓W從搬運機構113之晶圓固持臂114往升降銷板319之升降銷319a傳遞。之後，升降銷板319於固持所接收之晶圓W之狀態下降，將晶圓W傳遞至支撐銷312，而返回原來位置。當一連串動作結束，升降銷板319成為圖3所示之配置狀態，第1相機601、基板處理裝置111及晶圓W之配置關係，成為圖9所示之狀態。
晶圓W放置後，進行晶圓W之依據第1拍攝條件之拍攝(步驟S1103)。在此，首先，測定處理裝置800之CPU802對各相機601～603，傳送以第1拍攝條件進行拍攝動作之控制指示。收到控制指示之各相機601～603之拍攝控制部908，依循所接收之控制指示，以第1拍攝條件進行拍攝之方式控制拍攝感測器906及光源907，使進行拍攝。拍攝控制部908將以拍攝感測器906之拍攝所得之信號，轉換成1圖框之亮度信號之拍攝圖像，而對測定處理裝置800傳送。傳送至測定處理裝置800之拍攝圖像記錄於記錄部803。又，關於第1拍攝條件之內容與實際拍攝圖像之狀態，於後說明。
於依據第1拍攝條件之拍攝後，接著進行依據晶圓W之第2拍攝條件之拍攝(步驟S1104)。此時之動作與步驟S1103相同，關於第2拍攝條件之內容與實際拍攝圖像之狀態，於後說明。
於進行依據第1及第2拍攝條件之拍攝後，測定處理裝置800之CPU802，進行記錄於記錄部803之依據第1拍攝條件所得之第1拍攝圖像與依據第2拍攝條件所得之第2拍攝圖像之分析處理，得到作為測定結果之切除寛度及間隙寛度(步驟S1105)。圖像分析處理於後詳述。
當測定處理結束後，測定處理裝置800之CPU802顯示測定結果(步驟S1106)。於本實施形態中，CPU802產生依據第1拍攝條件所得之第1拍攝圖像、依據第2拍攝條件所得之第2拍攝圖像、切除寛度及間隙寛度之資訊之顯示畫面，所產生之顯示畫面經由I/F部806傳送至資訊處理裝置801。又，第1拍攝圖像及第2拍攝圖像本身亦共同傳送至資訊處理裝置801。資訊處理裝置801根據所接收之顯示畫面，於顯示部以圖10所示之態樣進行畫面顯示，同時將所接收之第1拍攝圖像及第2拍攝圖像記錄於未圖示之記錄部。
當測定結果顯示後，升降銷板319上升從底面支撐晶圓W，並傳遞至晶圓固持臂114。搬運機構113從基板處理裝置111搬出晶圓W。被搬出之基板經由傳遞部103而返回載具載置部101(步驟S1107)。系統控制部116回應使用者於操作面板117所操作之搬出指示，開始進行本步驟之搬運動作，但亦可不經由使用者之指示，而自動進行搬運動作。例如，測定處理裝置800於執行步驟S1104～S1106之任一步驟之時機，對系統控制部116進行通知，系統控制部116回應收到此通知，而執行步驟S1107亦可。
以上係關於本實施形態之1片晶圓W之測定動作，而對於載具載置部101所載置之下一晶圓W，則重複相同動作。
＜拍攝動作及圖像分析處理＞ 其次，說明步驟S1103～S1105之拍攝動作及圖像分析處理之詳細內容。
本實施形態所測定之資訊為晶圓W之切除寛度、晶圓W之周緣部之端部與包圍構件302間之間隙寛度。若參考圖9之關係，此等值可分別由以下算式(1)及(2)算出。
式(1) ・切除寛度［mm］＝切除面區902之寛度［mm］＋修整區903之寛度［mm］ 在此， ・切除面區902之寛度［mm］＝(切除面界線910之位置［像素］－處理膜界線909之位置［像素］)/比例換算值［像素/mm］ ・修整區903之寛度［mm］＝(晶圓周緣端911之位置［像素］－切除面界線910之位置［像素］)/比例換算值［像素/mm］
式(2) ・間隙寛度［mm］＝間隙區904之寛度［mm］＝(包圍構件界線912之位置［像素］－晶圓周緣端911之位置［像素］)/比例換算值［像素/mm］
於以上式(1)及(2)中，所謂“位置［像素］”係指：從切出圖像之畫角左端起之橫向像素數之計數值。本實施形態中，因為切出圖像之橫向像素數為320個，故“位置［像素］”可為1～320之值。 於本實施形態中，如圖10(b)所示，從1個拍攝圖像抽出5個區域分別求得切除寛度與間隙寛度，將該等平均值設為各區域之最終切除寛度值、間隙寛度。
如式(1)及(2)所示，為了算出切除寛度與間隙寛度，必須從拍攝圖像之像素之亮度位準之變化量(亮度邊緣量)，確定(a)切除面界線910位置、(b)處理膜界線909位置、(c)晶圓周緣端911位置、(d)包圍構件界線912位置之4個界線位置。在此，亮度邊緣量可使用從相鄰像素間之亮度值之差異量絕對值求得波峰值之方法、或將周知之邊緣濾光片應用於圖像之方法。
本實施形態之晶圓W及基板處理裝置之各區域901～905，具有該材質特有之反射特性或該構造特有之反射特性。當從光源907射入同一照度之照射光之情形時，例如，由於材質差異，切除面區902成為較處理膜區901之反射光位準(灰色)為高之反射光位準(明亮的灰色)。另一方面，切除面區902與修整區903雖為相同材質，但修整區903為傾斜，故往拍攝感測器906方向之反射光位準為低(接近黑色)。又，同樣地，因包圍構件區905亦傾斜，故反射光位準為低(接近黑色)。間隙區904因反射面為底面而產生衰減，但具有某種程度之反射光位準(接近黑之灰色)。
因此，拍攝感測器906所受光之反射光位準，結果由高而低之順序為：切除面區902、處理膜區901、間隙區904、包圍構件區905、修整區903。
如此，於本實施形態中，於使用來自光源907之同一照度之照射光之情形時，因反射光之位準範圍變得非常廣，因此以具有一般廣度之動態範圍之拍攝感測器906，無法以全部區域之反射光位準成為適當亮度位準之方式拍攝。而且，從不具適當亮度位準之拍攝圖像，無法算出正確亮度邊緣，使得4個界線位置(a)～(d)之確定產生誤差。
於本實施形態中，事先準備好關於明亮條件互不相同之第1拍攝條件與第2拍攝條件，於拍攝時，使用該等條件分成2次拍攝，藉此解決上述問題。依說明之便，先從第2拍攝條件及第2拍攝圖像開始說明。
第2拍攝條件設定成重視中間照度之反射光位準之拍攝條件，以使取得相對明亮之拍攝圖像而可正確地確認(b)處理膜界線909之位置。亦即，當反射光位準轉換為亮度信號時，對包含來自處理膜區之反射光位準或來自切除面區之反射光位準之照度位準，分配寬的階度寛度。具體而言，例如，可藉由設定CCD之靈敏度(例如，ISO靈敏度)或設定利用未圖示之曝光調整機構所得之CCD之受光時間而調整。
在此，第2拍攝條件因重視中間照度之反射光位準，故低照度反射光位準之再現性為低。亦即，包含來自間隙區904、包圍構件區905、修整區903之反射光位準之照度位準，分配到窄的寛度之階度，故任一區域皆以接近黑色顏色之圖像呈現。
圖12係以第2拍攝條件所拍攝之第2拍攝圖像之示意圖。處理膜區901與切除面區902之亮度信號位準，因充分保持階度，故此2區域之像素之亮度位準變化(亦即亮度邊緣)之檢測變容易，可正確地確認(b)處理膜界線909之位置。又，(a)切除面界線910之位置亦可正確地確定。另一方面，間隙區904、包圍構件區905、修整區903皆位於低亮度信號值(幾近黑色)。因此，亮度邊緣之檢測困難，無法確定(c)晶圓周緣端911之位置、(d)包圍構件界線912之位置。
於本實施形態中，(c)晶圓周緣端911之位置、(d)包圍構件界線912之位置，係由以另一個拍攝條件亦即第1拍攝條件所拍攝之相對為暗之第1拍攝圖像來確定。
第1拍攝條件設定為重視低照度之反射光位準之拍攝條件。亦即，當反射光位準轉換為亮度信號時，使對於包含來自間隙區904、包圍構件區905、修整區903之反射光位準之照度位準，產生寬的寛度之階度。具體而言，例如，可藉由將CCD之靈敏度(例如，ISO靈敏度)設定為較第2拍攝條件為高之靈敏度，或將CCD之受光時間設定為較第2拍攝條件為長之時間而調整。
在此，第1拍攝條件因重視低照度之反射光位準，故中間照度之反射光位準之再現性為低。亦即，包含來自處理膜區901與切除面區902之反射光位準之照度位準成為窄的階度，故以近乎白色之顏色之圖像呈現。
圖13係以第1拍攝條件所拍攝之第1拍攝圖像之示意圖。間隙區904、包圍構件區905、修整區903之亮度信號值因充分保持階度，故亮度邊緣之檢測變容易，可正確地確認(c)晶圓周緣端911之位置、(d)包圍構件界線912之位置。另一方面，處理膜區901與切除面區902皆位於高亮度信號值(幾近白色)。因此，亮度邊緣之檢測困難，無法確定(b)處理膜界線909之位置。
如上所述，使用依據第1拍攝條件之第1拍攝圖像及依據第2拍攝條件之第2拍攝圖像之2個圖像，可正確求得(a)切除面界線910位置、(b)處理膜界線909位置、(c)晶圓周緣端911位置、(d)包圍構件界線912位置。
CPU802藉由將上述位置資訊(a)～(d)應用至上述式(1)及式(2)，而算出切除寛度及間隙寛度。對於5個區域1001a～1001e所切出之其他之拍攝圖像，亦同樣地算出切除寛度及間隙寛度，將該等值之平均值，作為以拍攝圖像1001所求得之最終切除寛度及間隙寛度。
一般而言，因晶圓W於周緣之一部分有刻痕，可能拍入至5個區域1001a～1001e所切出之拍攝圖像之其一。於此情形時，亦可使用將拍入之切出圖像之測定值予以去除後之其他切出圖像，進行平均化處理，來決定上述之最終切除寛度及間隙寛度。是否為產生拍入之圖像之判定，可利用辨識刻痕形狀之習知圖像辨識而進行，亦可單純推定，若所得到之切除寛度或間隙寛度為異常值之圖像，則應為含有刻痕之圖像。
圖10之顯示畫面1000中之“測定結果”，為用以通知藉由拍攝圖像1001所求得之最終切除寛度及間隙寛度之區域，在此，以切除寛度為0．75mm，間隙寛度為0．35mm為例。
上述測定值不僅於畫面顯示，也以列表方式記載於文字檔，並記錄於資訊處理裝置801之記錄部。拍攝圖像轉換成點陣圖形式之檔案，同樣地記錄於記錄部。文字檔中，亦可與對應之晶圓ID或確定圖像檔之資訊附加關聯而記載。
＜測定結果之利用＞ 本實施形態所得之測定結果，例如，可如下述方式利用。於晶圓W於基板處理裝置110處理之情形時，切除寛度可用為調整基板處理裝置110之化學液噴嘴208位置之資訊。系統使用者根據事先設定之切除寛度與實際測定所得之切除寛度之差分值，例如，可微調整化學液噴嘴208之位置。
間隙寛度可用作為於晶圓W從搬運機構113往升降銷板319之傳遞中之中心位置調整之資訊。將測定用治具600適當地安裝基板處理裝置111時，第1～第3相機601～603之拍攝畫角，以基板處理裝置111之中心位置(基板升降構件305之中心位置)為基準，分別位於等距且於圓周方向互相分離120度之處。因此，實際放置於支撐銷312時之晶圓W之中心位置，可從3個間隙寛度之值計算而得。如此，根據基板處理裝置111之中心位置與實際放置時之晶圓W中心位置之差分值，可進行晶圓W從搬運機構113往升降銷板319之傳遞中之位置調整。
＜本實施形態之效果＞ 如以上所述，依據本實施形態，於基板處理裝置111中，藉由從包圍構件302上方，拍攝周緣部之處理膜已被去除之晶圓W及包圍構件302，並處理所得到之拍攝圖像，而可測定晶圓W中之切除寛度及晶圓W周緣端與包圍構件302間之間隙寛度。藉此，不需個別設置晶圓W之切除寛度確認用拍攝機構及包圍構件302固持狀態確認用拍攝機構，亦不需分別設定個別之拍攝程序。因此，不會造成基板處理系統大型化，可於短時間確認晶圓W之膜去除狀態及包圍構件302之固持狀態。
又，依據本實施形態，藉由確定處理膜界線909、切除面界線910、晶圓周緣端911、包圍構件界線912，而可測定切除寛度及間隙寛度。藉此，可測定能反映到修整寛度之切除寛度。如此，此時，可從以第1拍攝條件所得之相對為暗之第1拍攝圖像，確定晶圓周緣端911、包圍構件界線912。又，可從以第2拍攝條件所得之相對為亮之第2拍攝圖像，確定切除面界線910、處理膜界線909。藉此，因各界線與端部確定之誤差變小，故可正確地測定切除寛度及間隙寛度。再者，測定處理之後，可將第1及第2拍攝圖像與所測定之處理區域寛度及間隙寛度之值，顯示於顯示畫面。因此，使用者於以目視確認拍攝圖像之外，可得知處理區域寛度及間隙寛度之值，故可容易進行測定結果良否之判斷。
於本實施形態中，基板處理裝置111係處理晶圓W底面之裝置，由該包圍構件302所固持之周緣部之處理膜已被去除之晶圓W，可從該第1基板處理裝置外部搬入。藉此，不必個別設置晶圓W之切除寛度確認用拍攝機構及包圍構件302固持狀態確認用拍攝機構。又，於進行於基板處理裝置110中成膜之晶圓W之周緣部之處理後，進行將該晶圓W直接搬入基板處理裝置111之搬運程序，故從實際之周緣部處理至該處理之確認，可於短時間內進行。
於本實施形態中，測定用治具600於適當地設在基板處理裝置111之狀態中，可藉由第1～第3相機601～603拍攝用以測定切除寛度及間隙寛度之圖像。藉由採取可從如此之裝置自由裝脫之治具之方式，於基板處理裝置111內，可不必固定地先設置相機，也不會導致系統之大型化。又，即使設置測定用治具600，基板處理裝置111上升至較包圍構件302為高且較第1～第3相機601～603為低之位置，而接收從外部搬入之晶圓W，再從接收位置下降，將晶圓W放置於包圍構件302。因此，對於複數片晶圓W，可連續地測定切除寛度及間隙寛度。
(第1實施形態之變形例) 晶圓W之切除寛度之計算不限於上述式(1)，亦可使用以下之式(1)’。
式(1)’：切除寛度［mm］＝(晶圓周緣端911之位置［像素］－處理膜界線909之位置［像素］)/比例換算值［像素/mm］。
上述之式可應用於不必個別求出修整寛度，亦即，不必確認切除面界線910位置之情形。
(第2實施形態) 第1實施形態中，測定用治具600具備第1～第3相機601～603，使用此等複數相機，可得到對應於晶圓W中複數位置之複數拍攝圖像。於本實施形態中所說明之例為：使用1個相機，取得對應於晶圓W中複數位置之複數拍攝圖像，而進行切除寛度及間隙寛度之測定處理。
使用圖14，說明本實施形態之測定用治具之形狀。圖14(a)所示之測定用治具1400，僅以相機1401作為拍攝裝置。支撐構件1402之頂面搭載著相機1401。雖未圖示，但支撐構件1402與第1實施形態之測定用治具600相同，在相當於相機1401之拍攝感測器及光源之位置，具有開口。設置台1403與搭載著相機1401之支撐構件1402於表面連結。又，設置台1403之背面，成為用以設置於處理室底面之設置面。相機1401與於第1實施形態所說明之第1～第3相機為同一構成，經由纜線1404，連接於與第1實施形態具有相同構成之測定處理裝置800。與第1實施形態相同，從設置台1403頂面至支撐構件1402背面具有既定高度H2之間隔，俾使於設置後亦可將晶圓W搬入/搬出。如後所述，因與第1實施形態之設置面場所不同，故高度H2因加上基板處理裝置111本身高度，較H1為大。又，若使支撐構件1402藉由未圖示之一般構造更能往高度方向移動或更能往水平方向移動，則使相機1401之位置調整更為容易。再者，本實施形態之情形時，相機1401可僅於測定時搭載於支撐構件1402，亦可一直搭載於支撐構件1402。支撐構件1402亦可僅於測定時設置於處理室，亦可一直設置於處理室。
圖14(b)係將測定用治具1400設置於收容基板處理裝置111之處理室底面時之概觀圖。與第1實施形態不同，測定用治具1400設置於處理室內且於基板處理裝置111外部。於測定用治具1400之設置時，使用者使用未圖示之安裝用工具，使即使於測定中亦不會從處理室底面移動地進行固定。
圖14(c)係設置於處理室底面狀態之從上方所見之頂視圖。本實施形態之相機1401與基板處理裝置111之相對位置及對基板處理裝置111之拍攝畫角，與第1實施形態所說明之第1～第3相機之至少1個相機為相同。
其次，針對本實施形態之各裝置協同進行之切除寛度及間隙寛度之測定動作，使用圖15之流程圖，加以說明。本流程圖之測定動作，藉由以測定處理裝置800之CPU802執行記錄於記錄部803之測定處理程式而達成。
本實施形態中，步驟S1101、S1102及S1105～S1107係進行與第1實施形態所說明步驟相同之處理。
於本實施形態中，於步驟S1102中放置晶圓W後，進行晶圓W之依據第1拍攝條件之拍攝(步驟S1501)，於依據第1拍攝條件之拍攝之後，接著進行晶圓W之依據第2拍攝條件之拍攝(步驟S1502)。在此，與第1實施形態所說明之步驟S1103及S1104相同之動作，僅以1個相機1401執行。
其次，判定是否已進行於事先設定好之全部位置之拍攝(S1503)。於本實施形態中，拍攝3處：最初搬入時位於相機1401正下方之晶圓W之位置、以該位置為基準旋轉120度之位置之晶圓W之位置、再旋轉120度之位置之晶圓W之位置。亦即，於晶圓W之3個位置進行拍攝之點，與第1實施形態實質相同。在此，因僅拍攝最初搬入時相機1401之正下方之晶圓W之位置(步驟S1503：No)，故移至步驟S1504之旋轉動作。
系統控制部116藉由驅動旋轉驅動部304使旋轉板301旋轉，而使固持於包圍構件302之晶圓W旋轉120度，而將下一拍攝位置配置於相機1401之正下方(S1504)。
當旋轉動作結束，返回步驟S1501，進行相同之拍攝動作及旋轉動作後，再返回步驟S1501。當第3次之拍攝動作結束，因以完成於全部位置之拍攝(步驟S1503：Yes)，故移至步驟S1105，使用3組第1拍攝圖像及第2拍攝圖像，進行與第1實施形態相同之圖像分析處理(S1105)。其後之處理說明與第1實施形態相同樣，故省略之。
於本實施形態中，以拍攝晶圓W之3處為例說明，但不限於此，亦可拍攝多處位置，以用於其後之處理。例如，拍攝6處之情形時，於步驟S1504中，每次變成進行60度之旋轉動作。藉由增加拍攝位置，可求得更高精確度之切除寛度及間隙寛度。
如以上所述，依據本實施形態，將1個相機1401設置於沿著晶圓W周緣方向之位置，該相機1401配合包圍構件302之旋轉而進行晶圓W之複數位置之拍攝，藉此而取得用於測定處理裝置800處理之複數拍攝圖像。因此，如第1實施形態一般，因不需具備複數相機，故與第1實施形態相比，可進行低成本且省空間之測定作業。又，藉由增加拍攝次數，可使更多拍攝圖像用於測定，故可提升測定精確度。
(其他實施形態) 於上述實施形態中，係以對基板處理裝置可拆裝之測定用治具600及測定用治具1400為例說明，但本發明不限於此，亦可為將相機事先設置於基板處理裝置111內之上部，以既定時序進行拍攝及測定處理之構成。同樣地，測定處理裝置800亦可非設於基板處理系統外部之另一個體，而構成使系統控制部116具有相同功能即可。又，資訊處理裝置801亦可非為另一個體，而構成使操作面板117具有相同功能即可。
於上述實施形態中，包圍構件302係包圍晶圓W全周，但不限於全周，包圍構件302亦可為以一部分包圍晶圓W。於此情形時，於該一部分之包圍構件之位置設置相機，而進行與上述實施形態同樣之拍攝。又，於上述實施形態中，以改變拍攝感測器側之拍攝條件，進行2次照相為例，但亦可為藉由改變光源側之照射位準而得到複數拍攝圖像。又，依規格亦可不進行複數次照相。例如，若為具有動態範圍非常廣且可顯示從暗部至明部之明亮度之拍攝感測器之相機，則可從1張拍攝圖像求得全部之邊緣。又，即使為一般相機之情形時，測定處理裝置800若搭載可進行階度修正處理之圖像處理軟體，則可從1張拍攝圖像產生相當於圖12及圖13之圖像，而可求得全部之邊緣。
於上述實施形態中說明：用以控制基板處理系統100之程式，係由系統控制部116所具有之未圖示之記錄裝置所記錄；用以控制測定處理系統之程式，則由測定處理裝置800之記錄部803所記錄。此等記錄裝置不限於ROM或RAM等記憶體或硬碟等，亦可由CD－ROM、DVD－ROM或軟碟等光碟狀記錄媒體等所構成。又，亦可構成為：藉由透過未圖示之網路等，從外部伺服器等接收應記錄之程式之部分或全部，而可於系統中執行。
100‧‧‧基板處理系統
100A‧‧‧搬入/搬出站
100B‧‧‧處理站
101‧‧‧載具載置部
102‧‧‧搬運部
103‧‧‧傳遞部
104‧‧‧框體
105‧‧‧搬運機構
106‧‧‧晶圓固持臂
107‧‧‧水平導引件
108‧‧‧傳遞架
109‧‧‧框體
110‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧基板處理裝置
112‧‧‧搬運室
113‧‧‧搬運機構
114‧‧‧晶圓固持臂
115‧‧‧水平導引件
116‧‧‧系統控制部
117‧‧‧操作面板
118‧‧‧維修面板
201‧‧‧基板固持部
202‧‧‧旋轉驅動部
203‧‧‧杯體
204‧‧‧溝部
205‧‧‧凸緣部
206‧‧‧蓋部
207‧‧‧化學液噴嘴
208‧‧‧化學液供給部
209‧‧‧沖洗噴嘴
210‧‧‧沖洗處理液供給部
301‧‧‧旋轉板
302‧‧‧包圍構件
303‧‧‧旋轉杯
304‧‧‧旋轉驅動部
305‧‧‧基板升降構件
306‧‧‧處理液供給機構
307‧‧‧排氣・排液部(杯)
310‧‧‧底板
310a‧‧‧孔
311‧‧‧旋轉軸
311a‧‧‧孔
312‧‧‧支撐銷
313‧‧‧孔
314‧‧‧固結構件
315‧‧‧驅動帶
316‧‧‧帶輪
317‧‧‧馬達
318‧‧‧軸承
319‧‧‧升降銷板
320‧‧‧升降軸
320a‧‧‧缸筒機構
321‧‧‧處理液供給管
321a‧‧‧處理液供給口
322‧‧‧處理液配管組
323‧‧‧排液杯
324‧‧‧排液管
325‧‧‧排氣杯
326‧‧‧排氣管
600‧‧‧測定用治具
601‧‧‧第1相機
602‧‧‧第2相機
603‧‧‧第3相機
604‧‧‧設置台
604a‧‧‧表面
604b‧‧‧背面
605‧‧‧第1支撐構件
605a‧‧‧開口
606‧‧‧第1連接構件
607‧‧‧第2支撐構件
607a‧‧‧開口
608‧‧‧第2連接構件
609‧‧‧第3支撐構件
609a‧‧‧開口
610‧‧‧第3連接構件
611～613‧‧‧第1～第3纜線
800‧‧‧測定處理裝置
801‧‧‧資訊處理裝置
802‧‧‧CPU
803‧‧‧記錄部
804‧‧‧操作部
805‧‧‧I/F部
806‧‧‧I/F部
901‧‧‧處理膜區
902‧‧‧切除面區
903‧‧‧修整區
904‧‧‧間隙區
905‧‧‧包圍構件區
906‧‧‧拍攝感測器
907‧‧‧光源
908‧‧‧拍攝控制部
909‧‧‧處理膜界線
910‧‧‧切除面界線
911‧‧‧晶圓周緣端
912‧‧‧包圍構件界線
1000‧‧‧確認用畫面
1001‧‧‧第1相機601之拍攝畫角
1001a～1001e‧‧‧區域
1002‧‧‧第2相機602之拍攝畫角
1003‧‧‧第3相機603之拍攝畫角
1004、1005‧‧‧顯示窗
1006‧‧‧操作區
1007～1009‧‧‧圖標
1010‧‧‧操作區
1011～1013‧‧‧圖標
1400‧‧‧測定用治具
1401‧‧‧相機
1402‧‧‧支撐構件
1403‧‧‧設置台
1404‧‧‧纜線
C‧‧‧晶圓載具
H1、H2‧‧‧高度
S1101～S1107、S1501～S1504‧‧‧步驟
W‧‧‧晶圓
［圖1］基板處理系統100之概略構成之頂視圖。 ［圖2］基板處理裝置110之概略構成之示意圖。 ［圖3］基板處理裝置111之構成之概略剖面圖。 ［圖4］基板處理裝置111之從上方所見之立體圖。 ［圖5］支撐銷312之周邊放大圖。 ［圖6］第1實施形態之測定用治具600之形狀示意圖。 ［圖7］將測定用治具600設置於基板處理裝置111之狀態示意圖。 ［圖8］本實施形態之測定系統之整體構成圖。 ［圖9］第1相機601、基板處理裝置111及晶圓W之配置關係示意圖。 ［圖10］確認用畫面及確認用畫面上之拍攝圖像與晶圓W之拍攝位置之對應關係圖。 ［圖11］用以說明第1實施形態之切除寛度及間隙寛度之測定動作之流程圖。 ［圖12］以第2拍攝條件所拍攝之第2拍攝圖像之示意圖。 ［圖13］以第1拍攝條件所拍攝之第1拍攝圖像之示意圖。 ［圖14］第2實施形態之測定用治具1400之形狀示意圖。 ［圖15］用以說明第2實施形態之切除寛度及間隙寛度之測定動作之流程圖。
600‧‧‧測定用治具
601‧‧‧第1相機
602‧‧‧第2相機
603‧‧‧第3相機
611~613‧‧‧第1~第3纜線
800‧‧‧測定處理裝置
801‧‧‧資訊處理裝置
802‧‧‧CPU
803‧‧‧記錄部
804‧‧‧操作部
805‧‧‧I/F部
806‧‧‧I/F部

Claims (19)

  1. 一種測定處理裝置，其藉由對於利用設置於包圍基板之包圍構件之上方並拍攝周緣部之處理膜已被去除之基板及該包圍構件之拍攝裝置所得到之拍攝圖像加以處理，而測定該基板之周緣部中該處理膜不存在之切除寛度、及該基板之周緣端與該包圍構件間之間隙寛度，且藉由從該拍攝圖像，至少確定該處理膜已被去除之平面區域與該處理膜未被去除之平面區域的界線、該基板之周緣端及該包圍構件之界線，而測定該切除寛度及該間隙寛度，且從該拍攝裝置之以第1拍攝條件之拍攝所得之第1拍攝圖像，確定該基板之周緣端及該包圍構件之界線；並從該拍攝裝置之以第2拍攝條件之拍攝所得之第2拍攝圖像，確定該處理膜已被去除之平面區域與形成於該基板之周端之修整區域的界線、及該處理膜已被去除之平面區域與該處理膜未被去除之平面區域的界線。
  2. 如申請專利範圍第1項之測定處理裝置，其中，該第2拍攝條件為：用以得到較第1拍攝條件明亮之拍攝圖像的條件。
  3. 如申請專利範圍第1項之測定處理裝置，其中，該測定處理裝置對資訊處理裝置之顯示部，顯示該第1及第2拍攝圖像、以及該測定之該切除寛度與該間隙寛度之值。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之測定處理裝置，其中，該拍攝裝置設置於沿該基板之周緣方向之複數位置，將以該複數之拍攝裝置分別進行於該複數位置之拍攝所得之複數拍攝圖像，使用於測定。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之測定處理裝置，其中，該拍攝裝置設置於沿該基板之周緣方向之1個位置，將該1個拍攝裝置配合該包圍構件之旋轉而進行在該基板的複數位置之拍攝所得之複數拍攝圖像，使用於測定。
  6. 一種基板處理系統，其具有：第1基板處理裝置，具有包圍基板之包圍構件，用以處理固持於該包圍構件之基板；拍攝裝置，設置於該包圍構件之上方，用以拍攝周緣部之處理膜已被去除之基板及該包圍構件；及測定處理裝置，藉由處理利用該拍攝裝置所得之拍攝圖像，來測定該基板之周緣部中該處理膜不存在之切除寛度、及該基板之周緣端與該包圍構件間之間隙寛度；該測定處理裝置藉由從該拍攝圖像，至少確定該處理膜已被去除之平面區域與該處理膜未被去除之平面區域的界線、該基板之周緣端及該包圍構件之界線，而測定該切除寛度及該間隙寛度，且從該拍攝裝置之以第1拍攝條件之拍攝所得之第1拍攝圖像，確定該基板之周緣端及該包圍構件之界線；並從該拍攝裝置之以第2拍攝條件之拍攝所得之第2拍攝圖像，確定該處理膜已被去除之平面區域與形成於該基板之周端之修整 區域的界線、及該處理膜已被去除之平面區域與該處理膜未被去除之平面區域的界線。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理系統，其中，該第1基板處理裝置係用以處理固持於該包圍構件之基板的底面之裝置，該周緣部之處理膜已被去除之基板，係從該第1基板處理裝置之外部搬入。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理系統，其更具備：第2基板處理裝置，藉由對已成膜之基板之周緣部供給處理液，而去除處理膜，該周緣部之處理膜已被去除之基板為：係於該第2基板處理裝置中處理過後搬入該第1基板處理裝置之基板。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之基板處理系統，其中，該第1基板處理裝置更具有從底面支撐基板並可升降之升降構件，該升降構件上升至較該包圍構件為高且較該拍攝裝置為低之位置，而接收從該第1基板處理裝置之外部搬入之該基板，再從該接收位置下降，將該基板放置於該包圍構件。
  10. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之基板處理系統，其中，該拍攝裝置設置於沿該基板之周緣方向之複數位置，該複數拍攝裝置藉由分別進行該複數位置之拍攝，而取得該測定處理裝置處理所用之複數拍攝圖像。
  11. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之基板處理系統，其中，該拍攝裝置設於沿該基板之周緣方向之1個位置，該1個拍攝裝置藉由配合該包圍構件旋轉而進行該基板之複數位置之拍攝，以取得該測定處理裝置處理所用之複數拍攝圖像。
  12. 一種測定用治具，其用於具有包圍基板全周之包圍構件之基板處理裝置，該測定用治具具備：設置台，具有對於該基板處理裝置之設置面；及拍攝裝置，固定於該設置台，在周緣部之處理膜已被去除之基板受固持於該包圍構件且該設置台受固定於該基板處理裝置之狀態下，該拍攝裝置能拍攝可測定該基板之周緣部中該處理膜不存在之切除寛度及該基板之周緣端與該包圍構件間之間隙寛度之圖像，且藉由從拍攝的圖像，至少確定該處理膜已被去除之平面區域與該處理膜未被去除之平面區域的界線、該基板之周緣端及該包圍構件之界線，而測定該切除寛度及該間隙寛度，且從該拍攝裝置之以第1拍攝條件之拍攝所得之第1拍攝圖像，確定該基板之周緣端及該包圍構件之界線；並從該拍攝裝置之以第2拍攝條件之拍攝所得之第2拍攝圖像，確定該處理膜已被去除之平面區域與形成於該基板之周端之修整區域的界線、及該處理膜已被去除之平面區域與該處理膜未被去除之平面區域的界線。
  13. 如申請專利範圍第12項之測定用治具，其中，在該設置台與該拍攝裝置之間，至少留有一間隔，該間隔可容許該基板處理裝置所具備之升降構件從該基板處理裝置外部所搬入之該基板後下降，再將該基板放置於該包圍構件。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之測定用治具，其中，該拍攝裝置設置於沿該基板之周緣方向之複數位置。
  15. 如申請專利範圍第12或13項之測定用治具，其中，該拍攝裝置設置於沿該基板之周緣方向之1個位置。
  16. 一種測定處理方法，其包含：拍攝步驟，從包圍基板之包圍構件之上方，拍攝周緣部之處理膜已被去除之基板及該包圍構件；及測定處理步驟，藉由處理該拍攝步驟中所得之拍攝圖像，測定該基板之周緣部中該處理膜不存在之切除寛度、及該基板之周緣端與該包圍構件間之間隙寛度；且該測定處理步驟藉由從該拍攝圖像，至少確定該處理膜已被去除之平面區域與該處理膜未被去除之平面區域的界線、該基板之周緣端及該包圍構件之界線，而測定該切除寛度及該間隙寛度，且從該拍攝裝置之以第1拍攝條件之拍攝所得之第1拍攝圖像，確定該基板之周緣端及該包圍構件之界線；並從該拍攝裝置之以第2拍攝條件之拍攝所得之 第2拍攝圖像，確定該處理膜已被去除之平面區域與形成於該基板之周端之修整區域的界線、及該處理膜已被去除之平面區域與該處理膜未被去除之平面區域的界線。
  17. 如申請專利範圍第16項之測定處理方法，其中，該拍攝步驟藉由使用設置於沿該基板之周緣方向之複數位置之複數拍攝裝置，分別進行該複數位置之拍攝，而取得該測定處理步驟中處理所用之複數拍攝圖像。
  18. 如申請專利範圍第16項之測定處理方法，其中，該拍攝步驟使用設置於沿該基板之周緣方向之1個位置之1個拍攝裝置，藉由配合該包圍構件旋轉進行該基板之複數位置之拍攝，取得該測定處理步驟中處理所用之複數拍攝圖像。
  19. 一種記錄媒體，其記錄用以執行申請專利範圍第16至18項中任一項之測定處理方法之程式。
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