KR20080037539A - 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR20080037539A
KR20080037539A KR1020070107044A KR20070107044A KR20080037539A KR 20080037539 A KR20080037539 A KR 20080037539A KR 1020070107044 A KR1020070107044 A KR 1020070107044A KR 20070107044 A KR20070107044 A KR 20070107044A KR 20080037539 A KR20080037539 A KR 20080037539A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
nozzle
coating liquid
coating
imaging
Prior art date
Application number
KR1020070107044A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101172564B1 (ko
Inventor
쯔네나가 나까시마
미찌오 기노시따
고오스께 나까미찌
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20080037539A publication Critical patent/KR20080037539A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101172564B1 publication Critical patent/KR101172564B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는 기판 상에 도포액을 공급하기 위해 이동 중인 도포액 노즐로부터 도포액이 적하할 것 같은 액 흘림 상태로 되어 있는 것, 혹은 적하한 것을 촬상하여 적절한 처치 동작을 실행하는 것이 가능한 액 처리 장치 등을 제공하는 것이다.
주위를 컵체(5)로 둘러싸인 기판 보유 지지부(41)에 대략 수평으로 보유 지지된 반도체 웨이퍼(W) 등의 기판의 표면에, 도포액 노즐(10)로부터 레지스트액 등의 도포액을 공급하여, 기판의 표면을 액 처리하는 액 처리 장치(1)에 있어서, 도포액 노즐(10)은 기판 보유 지지부(41)에 보유 지지된 기판의 상방과, 적재하여 대기시키는 노즐 버스(14)와의 사이를 노즐 반송 기구(10a)에 의해 이동한다. 그리고 도포액 노즐(10)의 선단부의 상태를 촬상 수단[카메라(17)]에 의해 광학적으로 촬상하고, 액 흘림 또는 적하의 발생 상황에 따라서 소정의 대처 동작을 실행한다.
Figure P1020070107044
반도체 웨이퍼, 카메라, 노즐 버스, 노즐, 액 처리 장치

Description

액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 {LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 액정 디스플레이용 글래스 기판(LCD 기판)과 같은 기판에 대해, 도포액 노즐로부터 레지스트액이나 현상액 등의 도포액을 도포하는 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 이 액 처리 방법을 기억한 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 LCD 기판의 제조 프로세스의 하나인 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하는 공정은, 기판 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)에 레지스트막을 형성하고, 포토마스크를 이용하여 이 레지스트막을 노광한 후, 현상 처리를 행함으로써 원하는 패턴을 얻는 일련의 공정에 의해 행해지고, 이들 일련의 공정은 종래부터 도포, 현상 장치에 의해 행해지고 있다.
이 도포, 현상 장치는 레지스트액의 도포를 행하는 도포 유닛, 노광 후의 웨이퍼에 현상액을 도포하는 현상 유닛 등의 액 처리 장치를 구비하고 있고, 높은 스루풋을 확보하기 위해 이들 도포 유닛이나 현상 유닛 등을 각각 복수 구비한 구성으로 되어 있다.
예를 들어, 도포액으로서 레지스트액을 도포하는 도포 유닛에 있어서는, 기판 보유 지지부인 스핀 척의 주위를 둘러싸도록 컵체가 설치되어 있고, 이 스핀 척에 보유 지지된 웨이퍼의 대략 중앙에 레지스트액을 공급하여 스핀 척을 회전시킴으로써 레지스트액의 스핀 코팅이나 원심 탈수 건조, 또한 사이드 린스 등의 처리가 행해지도록 되어 있다.
웨이퍼에의 레지스트액의 공급은, 공급 유닛으로부터 공급된 레지스트액을 노즐(도포액 노즐)로부터 토출함으로써 행해진다. 그리고 이 노즐은, 웨이퍼의 반입출 동작의 방해가 되지 않도록 통상시는 웨이퍼의 반입출 경로로부터 떨어진 위치에 대기시키고, 레지스트액을 토출할 때만 스핀 척에 보유 지지된 웨이퍼 중앙까지 반송하는 구성으로 되어 있는 경우가 많다.
노즐을 웨이퍼 상에 반송한 후 바로 레지스트액의 토출을 개시하기 위해서는, 노즐의 선단 부근까지 레지스트액을 채워 둘 필요가 있다. 그런데, 이러한 상태에서 노즐을 반송하면, 반송 도중의 목적 외의 위치에서 레지스트액을 적하해 버리는 경우가 있다. 그 결과, 예를 들어 웨이퍼의 주연부에 레지스트액을 적하하고, 이것을 알아차리지 못한 상태에서 웨이퍼 중앙부에서 레지스트액을 토출하여 스핀 코팅을 행하면 불균일한 막 두께의 레지스트막이 형성되어 버려 노광 불량 등의 원인이 된다. 또한, 스핀 척의 상에 레지스트액을 적하하면, 스핀 척의 흡착력이 저하되어 버리는 경우도 있다.
이러한 문제에 대해서는, 노즐에의 레지스트액의 공급 경로의 도중에, 흡인실을 갖는 흡인 밸브(suck back valve)를 개재 설치하여, 레지스트액을 토출하고 있지 않을 때에는 진공압 등에 의해 이 흡인실을 확장시켜 부압(負壓)을 발생시키고, 레지스트액의 선단면을 노즐의 선단부로부터 인입함으로써 적하를 방지하고 있다. 그러나, 레지스트액 중의 용존 기체로부터 기포가 형성되거나, 클린룸 내의 온도 변화에 의해 기포나 레지스트액이 팽창함으로써, 인입된 레지스트액의 선단면이 다시 밀어내어져 버리는 경우도 있어, 목적 외의 위치에서의 레지스트액의 적하를 완전히 방지하는 것은 곤란하다.
그런데 최근에는, 다품종 소량 생산의 요청으로부터 농도나 성분이 상이한 복수 종류의 레지스트액을 구분하여 사용할 필요가 많아지고 있다. 종래는 레지스트액을 절환할 때에 노즐을 반송하는 노즐 아암에 노즐의 파지 절환 동작을 행하고 있었다. 이에 대해 발명자들은 노즐의 파지 절환 동작의 간소화나 파지 절환 기구의 생략을 목적으로 하여, 복수개의 노즐을 미리 고정한 구조인 노즐 아암을 개발하고 있다. 그런데 예를 들어 10개의 노즐을 고정한 노즐 아암을 이동시키면, 노즐로부터의 레지스트액 적하의 확률도 10배로 되어 버리므로 그 대책이 한층 더 필요해지고 있었다.
또한 최근, 부품의 종류의 삭감이나 경량화를 목적으로 하여, 도포, 현상 장치에 복수 내장되어 있는 동종의 액 처리 장치의 부품의 공통화가 검토되고 있다. 이러한 대처의 일예로서, 예를 들어 1개의 하우징 내에 복수 세트의 스핀 척이나 컵체(이하, 액 처리부라 함)를 직렬로 배치하고, 이들에 공통되는 노즐 아암을 사용하여 공통 노즐을 이동시키고, 각 스핀 척 상의 웨이퍼에 레지스트액을 공급하는 타입의 도포 유닛이 검토되어 있다. 그런데 이러한 구성의 도포 유닛은, 공통 노 즐의 이동 거리(이동 시간)가 길어, 그만큼 이동 중에 레지스트액을 적하해 버릴 확률도 높다. 또한 이러한 타입의 도포 유닛에, 복수개의 노즐을 고정한 타입의 노즐 아암을 적용하면, 종래 타입의 도포 유닛에 비해 레지스트액 적하의 문제가 몇배나 커져 버린다.
또한 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2에는, 본 발명에 있어서도 사용하는 카메라를 사용하여 노즐의 선단부의 상태를 감시하는 기술이 게재되어 있다. 그러나, 이들 특허 문헌에 기재되어 있는 카메라는, 모두 웨이퍼에 레지스트액을 공급하고 있는 동안, 혹은 그 직전 직후의 노즐 선단부의 화상 정보를 취득하고, 화상 정보를 해석한 결과를 기초로 하여 공급 유닛의 펌프 출력이나 흡인 밸브의 작동량을 조정하여 경시적으로 균일한 상태, 또는 노즐을 파지 절환한 경우라도 균일한 상태로 레지스트액을 공급하기 위한 기술이다.
이로 인해, 상기의 카메라는 웨이퍼의 대략 중앙부 상방에 있는 노즐을 감시하도록 설정되어 있으므로, 상술한 바와 같은 반송되고 있는 노즐의 선단부를 감시할 수 있는 구성으로 되어 있지 않다. 또한, 상술한 문제에 대처하는 기술에 대해서도, 이들 문헌에는 아무것도 개재되어 있지 않다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 평11-176734호 공보 : 단락 0017 내지 0020
[특허 문헌 2] 일본 특허 출원 공개 제2003-136015호 공보 : 단락 0090 내지 0102, 도14
본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은 기판 상에 도포액을 공급하기 위해 이동 중인 도포액 노즐로부터 도포액을 적하할 것 같은 액 흘림 상태로 되어 있는 것, 혹은 적하한 것을 촬상하여 적절한 처치 동작을 실행하는 것이 가능한 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 이 방법을 기억한 기억 매체를 제공하는 데 있다.
본 발명에 관한 액 처리 장치는, 주위가 컵체로 둘러싸인 기판 보유 지지부에 대략 수평으로 보유 지지된 기판의 표면에, 도포액 공급부로부터의 도포액을 도포액 노즐을 통해 공급하여, 기판의 표면을 액 처리하는 액 처리 장치에 있어서,
도포액 노즐을 적재하여 대기시키는 노즐 버스와,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 상방과 상기 노즐 버스와의 사이에서 상기 도포액 노즐을 반송하는 노즐 반송 기구와,
이 노즐 반송 기구에 의해 반송되어 있는 도포액 노즐의 선단부를 촬상하는 촬상 수단과,
이 촬상 수단에 의한 촬상 결과를 기초로 하여 상기 선단부로부터의 도포액의 액 흘림 또는 적하의 발생을 판단하는 판단 수단과,
도포액의 액 흘림 또는 적하가 발생되었다고 상기 판단 수단에 의해 판단된 경우에, 상기 도포 공급부 및/또는 상기 노즐 반송 기구에 대처 동작을 실행시키는 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서「액 흘림」이라 함은 도포액 노즐의 선단면으로부터 하방으로 도포액이 노출된 상태를 의미하고,「적하」라 함은 이 액 흘림이 성장한 결과, 상기 선단면으로부터 도포액이 분리된 상태를 의미하고 있다.
여기서, 상기 노즐 반송 기구는, 복수의 도포액 노즐을 동시에 반송하도록 구성되어 있고, 상기 판단 수단은 상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과를 기초로 하여 각 도포액 노즐을 식별하여 도포액의 액 흘림 또는 적하의 발생을 판단하도록 구성해도 좋다.
여기서, 상기 제어 수단은, 기판의 표면으로의 도포액의 공급을 실행 중인 도포액 노즐로부터의 촬상 결과를 기초로 하는 판단에 대해서는 상기 대처 동작을 실행하지 않도록 구성하면 좋다. 또한, 상기 촬상 수단은, 노즐 반송 기구에 장착하거나, 이 상기 촬상 수단을 예를 들어 CCD나 C-M0S 타입 등의 이미지 센서 카메라에 의해 구성하면 적합하고, 또한 상기 촬상 수단에 의한 촬상시에 상기 도포액 노즐을 조명하기 위한 광원을 더 구비하면 좋다. 여기서 액 흘림의 발생은, 그 발생을 판단하는 기준이 되는 기준 정보를 기억하는 제1 기억 수단을 더 구비하고, 상기 판단 수단은 상기 촬상 결과와 상기 기준 정보를 비교한 결과를 기초로 하여 도포액 노즐 선단부에 있어서의 액 흘림의 유무 및 액 흘림의 크기를 판단하도록 하면 좋다. 이 경우에는, 상기 기준 정보 및 상기 촬상 결과는, 상기 도포액의 노즐의 선단부로부터 액 흘림된 액적의 곡률 또는 면적을 채용하는 것이 바람직하다.
또한, 도포액의 적하의 발생은, 과거의 촬상 결과를 기억하는 제2 기억 수단 을 더 구비하고, 상기 판단 수단은 상기 제2 기억 수단에 기억되어 있는, 미리 정해진 기간 거슬러 올라간 과거의 촬상 결과와 현재의 촬상 결과를 비교하여, 과거의 촬상 결과에서 확인된 액 흘림의 크기보다 현재의 액 흘림의 크기가 작게 되어 있는 경우에, 도포액의 적하가 발생되었다고 판단해도 좋고, 상기 도포액 노즐 선단부로부터 미리 설정한 거리 하방의 촬상 영역에서 액적의 일부 또는 전부에 관계되는 촬상 결과를 얻은 경우에, 도포액의 적하가 발생되었다고 판단해도 좋다. 이 밖에, 상기 도포액 노즐은 투명한 재료로 구성되어 있고, 상기 판단 수단은 또한 상기 촬상 수단으로부터 취득한 촬상 결과를 기초로 하여 상기 도포액 노즐 선단부의 기포의 유무를 판단하도록 해도 좋고, 상기 판단 수단은 또한 상기 촬상 수단으로부터 취득한 상기 도포액 노즐로부터 토출된 도포액의 굵기와 그 토출 시간을 나타내는 촬상 결과를 기초로 하여 도포액의 토출량을 산출하도록 해도 좋다. 또한, 도포액을 토출하고 있지 않을 때에 상기 도포액 노즐의 선단부로부터 도포액을 인입하기 위한 흡인 밸브와, 상기 도포액 공급부에 대해 도포액의 공급 개시 신호를 출력하는 도포 제어 수단을 구비하고, 상기 판단부는 상기 흡인 밸브에 의해 도포액이 도포액 노즐의 선단부로부터 인입된 거리와, 상기 도포 제어 수단으로부터 공급 개시 신호가 출력된 후 상기 도포액 노즐의 선단부에서 도포액의 촬상 결과가 얻어질 때까지의 시간을 기초로 하여 도포액의 토출 속도를 산출하도록 해도 좋다.
특히, 도포액 노즐을 상기 노즐 버스로 퇴피시켜, 상기 도포액 노즐로부터 이 노즐 버스 내로 도포액을 토출하는 동작을 상기 대처 동작으로 한 경우에는, 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 표면에 도포액을 공급하기 위해 상기 도포액 노즐을 반송하는 동작의 도중에 액 흘림이 촬상되었을 때에, 상기 제어 수단은 상기 기판으로의 도포액의 공급을 종료한 후 상기 대처 동작을 해도 좋고, 이와는 반대로 상기 기판으로의 도포액의 공급을 행하기 전에 상기 대처 동작을 행해도 좋다. 또한, 대처 동작의 다른 태양으로서 상기 액 처리 장치에의 후속의 기판의 반입을 정지하는 동작으로 해도 좋다.
또한, 도포액의 액 흘림 또는 적하가 발생되었다고 판단된 경우에, 그 취지를 통지하는 통지 수단을 더 구비하는 것이 바람직하고, 이 경우에는 각 노즐마다 액 흘림이 발생된 횟수를 계수하는 카운터를 더 구비하고,
임의의 카운터에서 계수된 액 흘림의 횟수가 미리 설정된 횟수보다도 커진 경우에, 상기 통지 수단에서 액 흘림 발생의 취지를 통지하도록 구성해도 좋다.
상술한 특징을 가진 각 액 처리 장치는, 각각 상기 컵체와 기판 보유 지지부로 이루어지는 복수의 액 처리부가 공통의 하우징 내에서 횡방향으로 1열로 배열되어 설치되고, 상기 도포액 노즐 및 상기 노즐 반송 기구는 상기 복수의 액 처리부에 대해 공통화되어 있는 타입의 액 처리 장치에 적용하는 경우에 적합하고, 이 경우에는 상술한 도포액을 토출하는 퇴피 동작을 행하는 노즐 버스에 더하여, 상기 하우징 내에 배열된 각 액 처리부끼리의 사이에는, 상기 도포액 노즐을 퇴피시켜 대처 동작을 실행하기 위한 중간 버스를 더 구비하면 좋다.
다음에, 본 발명에 관한 액 처리 방법은, 주위가 컵체로 둘러싸인 기판 보유 지지부에 대략 수평으로 보유 지지된 기판의 표면에, 도포액 공급부로부터의 도포액을 도포액 노즐을 통해 공급하여, 기판의 표면을 액 처리하는 액 처리 방법에 있 어서,
노즐 버스에 도포액 노즐을 적재하여 대기시키는 공정과,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 상방과 상기 노즐 버스와의 사이에서 상기 도포액 노즐을 반송하는 공정과,
이 공정에서 반송되어 있는 도포액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과,
이 촬상 결과를 기초로 하여, 상기 선단부로부터의 도포액의 액 흘림 또는 적하의 발생을 판단하는 공정과,
도포액의 액 흘림 또는 적하가 발생되었다고 판단된 경우에, 상기 도포 공급부 및/또는 상기 노즐 반송 기구에 대처 동작을 실행시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 도포액 노즐을 반송하는 공정에 있어서는, 복수의 도포액 노즐이 동시에 반송되고, 액 흘림 또는 적하의 발생을 판단하는 공정에 있어서는, 상기 촬상 결과를 기초로 하여 각 도포액 노즐을 식별하여 도포액의 액 흘림 또는 적하의 발생을 판단하도록 구성해도 좋다. 또한 대처 동작을 실행하는 공정에 있어서는, 기판의 표면으로의 도포액의 공급을 실행 중인 도포액 노즐로부터의 촬상 결과를 기초로 하는 판단에 대해서는 대처 동작을 실행하지 않도록 구성하면 좋다. 또한, 상기 도포액 노즐의 선단부의 상태를 광학적으로 촬상하는 공정은 이미지 센서 카메라를 이용하여 행하는 것이 바람직하고, 이 촬상 공정을 실행할 때에 상기 도포액 노즐을 조명하는 공정을 더 포함하면 좋다.
여기서, 액 흘림 발생의 판단은, 그 발생을 판단하는 기준이 되는 기준 정보 를 미리 기억하는 공정을 더 포함하고, 상기 액 흘림 또는 적하의 발생을 판단하는 공정에 있어서는, 상기 촬상 결과와 상기 기준 정보를 비교한 결과를 기초로 하여 도포액 노즐 선단부에 있어서의 액 흘림의 유무 및 액 흘림의 크기를 판단하도록 해도 좋고, 이 경우의 상기 기준 정보 및 상기 촬상 결과는 상기 도포액의 노즐의 선단부로부터 액 흘림된 액적의 곡률 또는 면적으로 하면 좋다.
또한, 적하의 발생의 판단은, 과거의 촬상 결과를 기억하는 공정을 더 구비하고,
상기 판단을 행하는 공정에서는, 상기 과거의 촬상 결과를 기억하는 공정에서 기억되어 있는, 미리 정해진 기간 거슬러 올라간 과거의 촬상 결과와, 현재의 촬상 결과를 비교하여 과거의 촬상 결과에서 확인된 액 흘림의 크기보다 현재의 액 흘림의 크기가 작게 되어 있는 경우에, 도포액의 적하가 발생하였다고 판단하도록 해도 좋고, 상기 도포액 노즐 선단부로부터 미리 설정한 거리 하방의 촬상 영역에서 액적의 일부 또는 전부에 관계되는 촬상 결과를 얻은 경우에, 도포액의 적하가 발생되었다고 판단하도록 해도 좋다.
여기서, 상기 대처 동작은, 예를 들어 도포액 노즐을 상기 노즐 버스로 퇴피시켜, 상기 도포액 노즐로부터 이 노즐 버스 내로 도포액을 토출하는 동작이며, 이 경우에 있어서 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 표면에 도포액을 공급하기 위해 상기 도포액 노즐을 반송하는 동작의 도중에 액 흘림이 촬상되었을 때에는, 상기 대처 동작은 상기 기판에의 도포액의 공급을 종료한 후 행해지도록 해도 좋고, 상기 기판에의 도포액의 공급을 행하기 전에 행해지도록 해도 좋다. 또한, 대 처 동작의 다른 태양으로서 상기 액 처리 장치에의 후속의 기판의 반입을 정지하는 동작을 행해도 좋다.
이 밖에, 도포액의 액 흘림 또는 적하가 발생되었다고 판단된 경우에, 그 취지를 통지하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하고, 이 경우에는 각 노즐에 액 흘림이 발생된 횟수를 계수하는 공정을 더 포함하고,
임의의 노즐에 대해 계수된 액 흘림의 횟수가 미리 설정된 횟수보다도 커진 경우에, 액 흘림 발생의 취지를 통지하도록 해도 좋다.
다음에, 본 발명에 관계되는 기억 매체는, 주위가 컵체로 둘러싸인 기판 보유 지지부에 대략 수평으로 보유 지지된 기판의 표면에, 도포액 공급부로부터의 도포액을 도포액 노즐을 통해 공급하여, 기판의 표면을 액 처리하는 액 처리 장치에 이용되는 프로그램을 저장한 기억 매체이며, 상기 프로그램은 상술한 임의의 액 처리 방법을 실행하기 위해 스텝이 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 노즐 반송 기구에 의해 반송되는 도포액 노즐의 움직임에 맞추어, 촬상 수단이 이 도포액 노즐의 선단부의 상태를 광학적으로 촬상하므로, 반송 중인 도포액 노즐로 도포액의 액 흘림이나 적하가 발생된 것을 알 수 있다. 이에 의해, 발생한 사상(事象)에 따라서 적절한 대처 동작을 실행하는 것, 예를 들어 액 흘림이 발생된 경우에는 도포액 노즐을 노즐 버스로 퇴피시켜, 이 노즐 버스 내에 도포액을 토출하는 더미 디스펜스를 행하거나, 도포액을 적하해 버린 경우에는 액 처리 장치에의 후속의 기판의 반입을 정지시킬 수 있다. 이 결과, 목적 외 의 위치에서의 도포액의 적하를 미연에 방지할 수 있었던 경우에는, 불량품의 발생이 방지되어 수율 향상에 공헌할 수 있다. 또한 미연에 방지되지 않은 경우라도, 액 처리를 자동적으로 정지하면, 적하한 도포액을 닦아내는 등, 바로 적절한 조치를 채용할 수 있으므로 피해의 확대를 억제하여 손실을 최소한에 그치게 할 수 있다.
본 발명에 관한 액 처리 장치를, 웨이퍼에 레지스트액을 도포하는 도포 유닛에 적용한 실시 형태에 대해 설명한다. 우선 실시 형태에 관한 도포 유닛의 구성의 개요를 설명한다. 도1의 (a)는 도포 유닛(1)의 개략 평면도이고, 도1의 (b)는 이 종단면도이다. 또한 도2는, 도포 유닛(1) 내의 액 처리부(2)와, 이 액 처리부(2)에 도포액을 공급하는 공급 유닛(7)과의 관계를 도시하는 구성도이다.
도1에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 도포 유닛(1)은 편평한 상자 형상의 하우징(30) 내에, 횡방향(도면 중의 Y 방향)으로 1열로 배열된 3개의 액 처리부(2a, 2b, 2c)와, 이들 액 처리부(2a, 2b, 2c)에 레지스트액이나 시너 등의 도포액을 공급하는 복수개의 노즐(10)과, 이 노즐(10)을 반송하기 위한 노즐 반송 기구(10a)와, 노즐(10)을 대기시키는 노즐 버스(14)와, 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트막의 주연부를 제거하기 위한 에지·비드·리무버(Edge Bead Remover : EBR) 기구(6)를 구비하고 있다.
액 처리부[2(2a, 2b, 2c)]는 공통의 구성을 구비하고 있고, 기판 보유 지지부로서의 스핀 척(41)과, 이 스핀 척(41)에 보유 지지되고 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 설치된 컵체(5)를 구비하고 있다. 이하, 액 처리부(2)의 구성에 대해 설명한다.
스핀 척(41)은, 웨이퍼(W)의 이면측 중앙부를 흡인 흡착하여 수평으로 보유 지지하기 위한 기판 보유 지지부로서의 역할을 다한다. 도2에 도시하는 바와 같이 스핀 척(41)은 축부(42)를 통해 구동 기구(스핀 척 모터)(43)에 접속되어 있고, 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 회전 및 승강 가능하게 구성되어 있다. 스핀 척(41)의 측방에는, 승강 기구(44a)와 접속된 승강 핀(44)이 웨이퍼(W)의 이면을 지지하여 승강 가능하도록 설치되어 있고, 후술하는 반송 수단[반송 아암(A3)]과의 협동 작용에 의해 하우징(30)의 외부로부터 반입되어 온 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다. 또한, 도1의 (a)에 나타낸 부호 30a는, 반송 수단에 면하는 하우징(30) 벽면에 형성된 웨이퍼(W)의 반입출구이다.
컵체(5)는 스핀 코팅 등 시에 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 비산한 미스트가 하우징(30) 내에 비산하는 것을 억제하고 도포 유닛(1) 밖으로 배출하는 역할을 한다. 컵체(5)는 도넛 형상의 외관을 갖고 있고, 그 내부는 도2에 도시한 바와 같은 구조로 되어 있다.
컵체(5)의 내부 구조를 설명하면, 도넛 형상의 컵 본체(50)의 내부에는 도2에 도시하는 바와 같이 경사진 링 형상의 제1 링 부재(51)와 제2 링 부재(52)가 설치되어 있고, 이들의 링 부재(51, 52) 사이의 간극은 웨이퍼(W)로부터 비산한 미스트를 포함하는 기체가 통류하는 기체 유로(51a)로 되어 있다. 또한 제2 링 부재(52)는, 스핀 척(41)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주연부 하방에 위치하도록 장착되어 있고, 그 상면이「ヘ」형상으로 굴곡되어 있다. 이 제2 링 부재(52)의 외측 단부면에는, 컵 본체(50) 바닥부의 액 받침부(54)에 진입하도록 하방으로 신장되는 단부판(53)이 설치되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)로부터 비산한 레지스트액의 일부는 드레인으로서 제2 링 부재(52) 및 단부판(53)의 표면을 타고 액 받침부(54)에 안내되도록 되어 있다.
컵 본체(50)의 하부측은 액 받침부(54)로 되어 있고, 그 바닥부에는 컵체(5) 내를 통류한 기류를 배기하기 위한 예를 들어 2개의 배기 포트(55)와, 액 받침부(54)에 저류된 레지스트액의 드레인을 배출하기 위한 드레인 포트(56)가 설치되어 있다. 배기 포트(55)는 도시하지 않은 배기 덕트에 접속되어 있고, 또한 각 액 처리부(2a, 2b, 2c)의 배기 포트(55)와 접속된 배기 덕트는, 하우징(30) 밖에서 배기용 설비에 접속되어 있다.
여기서, 배기 포트(55)는 도2에 도시하는 바와 같이 액 받침부(54) 내의 상방으로 연신되어 있고, 액 받침부(54)로부터 배기 포트(55)로의 드레인의 넘침을 방지하기 위한 넘침 방지벽(54a)을 구성하고 있다. 또한 드레인 포트(56)도 도시하지 않은 드레인관에 접속되어 있어, 드레인을 도포 유닛(1) 밖으로 배출할 수 있도록 되어 있다.
또한 도1의 (b)에 도시하는 바와 같이, 컵체(5)와 대향하는 하우징(30)의 천장부에는 필터 유닛(31)이 장착되어 있고, 필터 유닛(31)으로부터 예를 들어 청정 공기를 소정 유량으로 공급함으로써, 하우징(30) 내에 청정 공기의 다운 플로우가 형성되도록 되어 있다. 청정 공기의 일부는 하우징(30) 내에 설치된 도시하지 않은 배기부로부터 배기되지만, 남은 청정 공기는 컵체(5) 내에 취입되어, 도2의 컵 체(5) 단면도 내에 화살표로 나타낸 바와 같은 기류를 형성하여 배기 포트(55)로부터 배출되도록 되어 있다.
다음에, 도포액 노즐(10)[이하, 노즐(10)이라 함] 및 그 반송 기구의 구성에 대해 설명한다. 노즐(10)은 스핀 척(41)에 보유 지지된 웨이퍼(W) 표면에 레지스트액을 공급하는 역할을 한다. 도3은 노즐(10)과 이 노즐(10)을 보유 지지하는 노즐 아암(11)과의 상세한 구성을 도시한 사시도이다. 본 실시 형태에 관한 도포 유닛(1)은, 예를 들어 농도나 성분이 상이한 10종류의 레지스트액과, 웨이퍼(W) 상에서 레지스트액을 퍼지기 쉽게 하기 위한 시너(이하, 이들을 총칭하여 도포액이라 함)를 공급할 수 있도록 11개의 노즐(10)을 구비하고 있다. 도3에 도시하는 바와 같이, 각 노즐(10)은 펜 끝과 같은 형상을 한 통 형상체이며, 그 베이스부를 노즐 아암(11)의 노즐 헤드부(11a)에 부착할 수 있도록 되어 있다. 각 노즐(10)의 내부에는 유로가 형성되어 있고, 노즐 아암(11)측으로부터 공급된 도포액을 노즐(10)의 선단부로부터 웨이퍼(W)를 향해 토출할 수 있도록 되어 있다. 또한 도1의 (a) 및 도2에서는 도시의 편의상 노즐(10)의 개수를 생략하여 나타내고 있다.
도1의 (a)에 도시하는 바와 같이, 노즐 반송 기구(10a)는 노즐(10)을 보유 지지하는 노즐 아암(11)과, 이 노즐 아암(11)을 지지하는 베이스(12)와, 베이스(12)의 주행 궤도를 이루는 레일(13)과, 레일(13) 상에서 베이스(12)를 이동시키는 기구로 구성되어 있다.
도3에 도시하는 바와 같이 노즐 아암(11)은, 11개의 노즐(10)을 보유 지지하는 노즐 헤드부(11a)와, 이 노즐 헤드부(11a)를 지지하는 아암부(11b)로 구성되어 있다. 노즐 헤드부(11a)의 선단부 하면에는, 상술한 노즐(10)의 베이스부를 끼움 삽입 가능한 형상으로 되어 있고, 노즐(10)의 베이스부를 삽입하는 것만으로 각각의 노즐(10)을 보유 지지할 수 있도록 되어 있다. 이 결과, 11개의 노즐(10)은 선단부를 하향으로 한 상태에서 1열로 배열되고, 또한 그들의 배열 방향이 도1의 (a)에 나타낸 노즐(10)의 반송 방향과 일치하도록 배치된다. 한편, 노즐 헤드부(11a)의 베이스부측에는 후술하는 공급 유닛(7)의 공급관(71)이 접속되어 있고, 노즐 헤드부(11a) 내부를 통해 노즐(10)에 도포액을 공급할 수 있도록 되어 있다.
아암부(11b)는 스핀 척(41)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 대략 중앙부의 상방에서 노즐(10)을 반송할 수 있도록, 노즐 헤드부(11a)와 베이스(12)와의 사이에 개재 설치된 지지 부재이다. 베이스(12)는 노즐 아암(11)을 이동시키는 슬라이더로서의 역할을 한다. 베이스(12)는 도시하지 않은 승강 기구를 구비하고 있고, 아암부(11b)의 베이스부는 이 승강 기구에 부착되어 있다. 이에 의해 노즐 아암(11)은, 도1의 (b)에 도시한 Z방향을 자유롭게 승강할 수 있도록 되어 있다. 또한 레일(13)은, 액 처리부(2)의 측방에, 액 처리부(2a, 2b, 2c)의 배열 방향과 평행하게 부설(敷設)되어 있다. 여기서 도포 유닛(1)은, 도포액의 공급을 행하지 않을 때에 노즐(10)을 적재하여 대기시키기 위한 노즐 버스(14)를 구비하고 있고, 레일(13)은 이 노즐 버스(14)와 그곳에서 가장 먼 액 처리부(2a)에 보유 지지된 웨이퍼(W)에 도포액을 공급 가능한 위치와의 사이에서 베이스(12)를 이동시키는 것이 가능한 길이를 갖고 있다. 또한, 노즐 버스(14)는 노즐(10)의 대기 중에 레지스트액이 건조되지 않도록 시너 분위기로 되어 있다.
또한 베이스(12)를 이동시키는 기구는 예를 들어, 레일(13)을 따라 배치한 권취축에 베이스(12)를 고정한 도시하지 않은 반송 벨트를 권취하고, 이 권취축 중 하나에 예를 들어 모터 등의 구동 기구(15)(도4 참조)를 접속한 구조로 되어 있고, 권취축의 회전 방향과 회전수를 조정함으로써 원하는 위치로 베이스(12)를 이동시킬 수 있도록 되어 있다.
이상의 구성에 의해, 레일(13) 상에서 베이스(12)를 이동시킴으로써, 1열로 배열되어 보유 지지된 노즐(10)을, 노즐 버스(14)와 액 처리부(2a, 2b, 2c)의 대략 중앙부를 연결한 직선상에서 반송할 수 있다. 이에 의해, 임의의 액 처리부(2a, 2b, 2c)에 웨이퍼(W)가 보유 지지되어 있는 경우라도, 베이스(12)의 정지 위치를 조정함으로써, 원하는 도포액을 공급하는 노즐(10)을 웨이퍼(W)의 대략 중앙부 상방까지 이동시키고, 그 위치로부터 웨이퍼(W)에 도포액을 공급할 수 있다.
다음에, EBR 기구(6)의 설명을 한다. EBR 기구는, 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트막의 주연부의 박리 등을 방지하기 위해 레지스트막을 제거하는 린스액을 웨이퍼(W) 주연부에 공급하는 역할을 한다. 각각의 액 처리부(2)에 설치된 EBR 기구(6)는 각각 대략 공통의 구성을 갖고 있고, 도1의 (a)에 도시하는 바와 같이 린스액을 토출하는 노즐을 보유 지지하는 EBR 아암(61)과, 이 EBR 아암(61)을 이동시키는 베이스(62)와, 베이스(62)의 주행 궤도를 이루는 레일(63)과, 린스액의 공급을 행하지 않을 때에 린스액 노즐을 적재하여 대기시키는 EBR 노즐 버스(64)를 구비하고 있다.
EBR 아암(61)은, 이미 서술한 도포액의 노즐 아암(11)을 소형화한 수평 방향 으로 신장되는 아암 형상의 부재이며, 스핀 척(41)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주연부에 린스액을 공급할 수 있도록, 그 선단부에는 도시하지 않은 린스액 노즐이 보유 지지되어 있다. 베이스(62)는 도시하지 않은 반송 벨트에 의해 레일(63) 상을 이동하여 EBR 아암(61)을 반송하는 슬라이더로서의 역할을 한다. 레일(63)은, 노즐 반송 기구(10a)와 각 액 처리부(2a, 2b, 2c)와의 사이에 노즐 반송 기구(10a)의 레일(13)과 대략 평행하게 부설되고, 각각의 EBR 노즐 버스(64)와 린스액의 공급 위치와의 사이에서 베이스(62)를 이동시키는 것이 가능한 길이를 갖고 있다.
이상의 구성에 의해, 구동 기구를 이용하여 각각의 EBR 아암(61)을 EBR 노즐 버스(64)로부터 웨이퍼(W)의 주연부에 대향하는 위치까지 린스액 노즐을 이동시켜 린스액을 공급하는 것이 가능해진다. 또한 액 처리부(2b, 2c)에 각각 부속 설치된 EBR 노즐 버스(64)는 도포액의 노즐(10)의 퇴피처로서의 중간 버스(16)의 역할도 하므로, 노즐(10)로부터 토출시킨 도포액을 받칠 수 있도록, 도1의 (a)에 도시한 바와 같은 받침구가 가늘고 긴 상자 형상으로 구성되어 있다. 또한, 이 EBR 노즐 버스(64)도 시너 분위기로 채워져 있고, 중간 버스(16)의 역할도 함으로써 시너의 공급계나 배출계를 공용화하여, 장치 구성을 간소화하고 있다.
다음에, 노즐(10)에 도포액을 공급하는 공급 유닛(7)의 구성에 대해 도2를 참조하면서 설명한다. 공급 유닛(7)은, 예를 들어 도포액을 저류한 도시하지 않은 공급 탱크와, 이 공급 탱크에 가스를 공급하여 그 내부를 가압함으로써 공급 탱크 내의 도포액을 도포 유닛(1)을 향해 송액하기 위한 도시하지 않은 가압부를 포함하는 도포액 공급 기구(70)(도포액 공급부)를 도포액의 종류에 대응하는 수만큼 구비 하고 있다.
각각의 도포액 공급 기구(70)는 도포액의 공급 및 중단 절환하기 위한 에어 구동 밸브(air operated valve)(72)와, 도포액을 공급하고 있지 않을 때에 노즐(10)의 선단부로부터 도포액을 인입하기 위한 흡인 밸브(73)를 통해 공급관(71)에 의해 각 노즐(10)에 접속되어 있고, 10종류의 레지스트액과 시너를 절환하여 공급할 수 있도록 되어 있다. 또한 도2에 있어서는 도시의 편의상, 시너를 공급하는 도포액 공급 기구(70)를 도면을 향해 좌측으로부터 2번째의 노즐(10)에 접속되어 있지만, 실제로는 도3에 도시하는 바와 같이 도면을 향해 좌측으로부터 6번째의 노즐(10)에 접속되어 있다. 이것은 레지스트액의 도포 전에 매회 공급되는 시너와, 시너의 공급 후에 공급되는 레지스트액을 각각 공급하는 노즐(10)을 이 순서로 웨이퍼(W)의 중심으로 이동시킬 때에, 베이스(12)의 평균 이동 거리를 최단으로 하기 위함이다.
또한 도2에 도시하는 바와 같이, 도포 유닛(1)이나 공급 유닛(7)은 각 기기의 동작을 통괄 제어하는 제어부(9)와 접속되어 있다. 또한 제어부(9)는, 본 실시 형태에 관한 도포 유닛(1)을 구비하는 도포, 현상 장치 전체의 동작을 통괄 제어하는 기능도 겸비하고 있다.
이상의 구성을 기초로 하여 도포 유닛(1)에 의해 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 동작에 대해 간단히 설명한다. 외부의 반송 수단에 의해 3개의 반입출구(30a) 중 어느 하나로부터 하우징(30) 내로 반입된 웨이퍼(W)는, 승강 핀(44)에 의해 이면측이 지지되고, 반송 수단을 하우징(30) 밖으로 퇴피시켜 승강 핀(44)을 하강시킴으로써, 반입된 반입출구(30a)에 대응하는 액 처리부(2)의 스핀 척(41)에 전달된다.
그리고 노즐 반송 기구(10a)를 작동시켜, 노즐 버스(14) 상에서 대기시킨 노즐 아암(11)을 들어올려 도1의 Y방향으로 반송한다. 이어서 시너를 공급하는 노즐(10)이 웨이퍼(W)의 대략 중앙 상방의 위치에 도달하면 노즐 아암(11)의 이동을 정지하고, 그 위치에서 노즐 아암(11)을 강하시킨다. 그 후 정지하고 있는 웨이퍼(W) 상에 노즐(10)로부터 시너를 공급한 후, 상기 처리에서 도포하는 레지스트액의 공급 노즐(10)이 웨이퍼(W)의 대략 중앙 상방에 위치하도록 노즐 아암(11)을 이동시킨다. 이 이동 동작과 병행하여, 스핀 척(41)을 예를 들어 고속 회전시키고, 그 회전 중인 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 공급, 정지하여 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 퍼지게 하는 스핀 코팅을 행한다.
계속해서 스핀 척(41)을 저속으로 회전시켜, 스핀 코팅한 레지스트막의 막 두께를 균일하게 하고, 이어서 다시 고속 회전시킴으로써 코팅한 레지스트액의 원심 탈수 건조를 행한다. 그동안, 노즐 반송 기구(10a)는 상술한 경로와는 반대의 경로로 노즐 아암(11)을 이동시켜, 도포액의 공급이 완료된 노즐(10)을 노즐 버스(14)에서 대기시킨다.
한편, 원심 탈수 건조가 완료된 웨이퍼(W)에 대해서는 대응하는 EBR 기구(6)를 가동시켜, 린스액 노즐을 EBR 노즐 버스(64)로부터 웨이퍼(W)의 주연부까지 반송하여, 여기에 린스액을 도포하고, 스핀 척(41)을 회전시킴으로써 웨이퍼(W) 주연부에 도포한 레지스트막을 제거한 후, 레지스트막의 경우와 마찬가지로 린스액의 원심 탈수 건조를 행하여 일련의 액 처리를 완료한다.
린스액 노즐을 EBR 노즐 버스(64)까지 퇴피시킨 후, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 반입시와는 반대의 순서로 반송 수단에 전달되어 도포 유닛(1)으로부터 반출된다. 이와 같이 하여 각 액 처리부(2)에는, 도포, 현상 장치에 정해진 웨이퍼(W)의 반송 사이클에 따라서 웨이퍼(W)가 예를 들어 24초 간격으로 순차 반송되어, 동일한 처리가 행해진다. 또한 노즐(10)은 하나의 액 처리부(2)에서 웨이퍼(W) 상에 도포액(시너 및 레지스트액)의 토출을 종료한 후, 예를 들어 도포 유닛(1)의 일단부에 위치하는 노즐 버스(14)에 퇴피되어, 레지스트액의 건조를 억제하고 있다.
이상에 설명한 구성에 더하여, 본 실시 형태에 관한 도포 유닛(1)은, 예를 들어 노즐 버스(14)로부터 도포액을 공급하는 위치까지의 반송 중에, 노즐(10)의 선단부로부터 도포액의 액 흘림 또는 적하를 발생한 경우에는 이것을 광학적으로 촬상하여, 각각의 사상에 따른 대처 동작을 실행하는 기능을 갖고 있다. 이하, 이들 기능의 상세에 대해 설명한다.
여기서 본 실시 형태에 있어서「액 흘림」이라 함은 노즐(10)의 선단면으로부터 하방으로 도포액이 노출된 상태를 의미하고,「적하」라 함은 이 액 흘림이 성장한 결과, 상기 선단면으로부터 도포액이 분리된 상태를 의미하고 있다.
노즐(10) 선단부로부터의 도포액의 액 흘림이나 적하를 광학적으로 촬상하는 기능에 관하여, 노즐 반송 기구(10a)의 노즐 아암(11)에는 도3에 도시하는 바와 같이 노즐 헤드부(11a)에 보유 지지된 노즐(10)의 화상을 이미지 센서로 측방으로부 터 촬상하기 위한 촬상 수단인, 예를 들어 CCD 카메라 등의 카메라(17)가 고정 부재(18)를 통해 고정되어 있다. 이 카메라(17)는, 서로의 그림자로 되지 않고 각 노즐(10)의 선단부를 촬상할 수 있도록, 도3에 도시하는 바와 같이 노즐 헤드부(11a)에 보유 지지된 노즐(10)의 배열 방향과 대략 직교하는 방위각으로부터 노즐(10)을 촬상하는 구성으로 되어 있다. 또한 카메라(17)는 예를 들어 광각 렌즈를 구비하고 있어, 1열로 배열된 모든 노즐(10)의 선단부를 촬상 영역에 들어오게 하고, 또한 각각의 선단부에 초점이 맞도록 설정되어 있다. 또한 촬상 수단은, 이미지 센서이면 좋고, CCD 이외의 C-M0S 타입인 것이라도 물론 좋다.
또한, 노즐 헤드부(11a) 하면의 노즐(10)과 카메라(17)와의 사이에는, 촬상되는 노즐(10) 조명용의 광원(19)이 설치되어 있다. 광원(19)은, 예를 들어 황색이나 오렌지색, 적색까지의 비교적 파장이 긴 가시광을 조사하는 LED 램프 등에 의해 구성되어, 도포되는 레지스트액을 감광시키지 않도록 되어 있다.
또한 도2에 도시하는 바와 같이 카메라(17)는, 도시하지 않은 A/D 변환기를 통해 이미 서술한 제어부(9)와 접속되어 있다. 제어부(9)는 카메라(17)로부터 취득한 촬상 결과를 기초로 하여 각 노즐(10) 선단부로부터의 도포액의 액 흘림이나 적하가 발생한 것을 판단하고, 그 판단 결과를 기초로 하여 노즐 반송 기구(10a) 등에 소정의 처치 동작을 실행시키는 기능을 더 구비하고 있다. 이하, 이들 기능의 상세에 대해 설명한다.
도4는 도포 유닛(1), 공급 유닛(7)의 각 기기와 제어부(9)와의 관계를 설명하기 위한 블록도이다. 예를 들어 제어부(9)는, 본 실시 형태에 관한 도포 유 닛(1)을 포함하는 도포·현상 장치 전체를 통괄 제어하는 주 제어부(9a)와, 도포액의 액 흘림이나 적하 발생의 판단에 필요한 화상 처리나, 그 처리 결과를 기초로 하여 이들의 사상이 발생한 것을 판단하는 액 흘림 판단부(9b)를 구비하고 있다.
주 제어부(9a)는, 중앙 연산 처리 장치(CPU)(90)와, 프로그램 저장부(91)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. 본 실시 형태에 관한 기능에 관하여, 프로그램 저장부(91)는 액 흘림 판단부(9b)에서 독립적으로 판단된 도포액의 액 흘림이나 적하 발생의 정보를 기초로 하여, 도포 유닛(1), 공급 유닛(7) 내의 각 기기를 작동시키고, 이들 사상에 대한 대처 동작이나 유지 보수 관리를 실행하기 위한 스텝군을 구비한 컴퓨터 프로그램(「대처 동작용 프로그램」,「유지 보수 관리용 프로그램」이라 나타내어져 있음)을 저장하는 역할을 한다. 프로그램 저장부(91)는, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티칼 디스크, 메모리 카드 등의 기억 수단에 의해 구성되어 있다.
주 제어부(9a)는 또한, 유지 보수 관리용의 정보로서 각 노즐(10)에서 액 흘림이 발생된 횟수를 계수하기 위한 카운터(92)와, 이 카운터(92)에서 계수된 액 흘림의 발생 횟수를 기초로 하여 유지 보수의 필요 여부를 판단하기 위한 기준치가 되는 임계치(「유지 보수 관리용 임계치」라 나타내어져 있음)를 기억한 설정치 기억부(93)를 구비하고 있다. 카운터(92)는 예를 들어 재기입 가능한 플래시 메모리 등에 의해 구성되고, 설정치 기억부(93)는 예를 들어 상술한 프로그램 저장부(91)를 구성하는 하드 디스크 등의 일부로서 구성되어 있다.
액 흘림 판단부(9b)는 예를 들어 도시하지 않은 CPU와, 프로그램 저장부(94) 를 구비한 마이크로 컨트롤러로서 구성되어 있다. 프로그램 저장부(94)는 예를 들어 ROM, RAM 등에 의해 구성되고, 카메라(17)로부터 취득한 화상 정보에 의해 화상 처리를 실시하여 액 흘림 등의 발생을 판단하기 위한 촬상 결과를 얻거나, 이 촬상 결과를 기초로 하여 액 흘림 등의 발생을 판단하기 위한 스텝군을 구비한 컴퓨터 프로그램(「화상 처리용 프로그램」,「액 흘림 판단용 프로그램」이라 나타내어져 있음)을 저장하는 역할을 한다.
액 흘림 판단부(9b)는 또한, 도포액의 적하 발생을 판단하기 위해 과거의 촬상 결과를 일시적으로 기억하기 위한 일시 메모리(95)와, 액 흘림 발생의 기준이 되는 임계치를 기억하는 설정치 기억부(96)를 구비하고 있다. 일시 메모리(95)는, 예를 들어 재기입 가능한 플래시 메모리 등에 의해 구성되고, 설정치 기억부(96)는 예를 들어 상술한 프로그램 저장부(94)를 구성하는 ROM 등의 일부로서 구성된다.
또한 주 제어부(9a)는, 카메라(17), 노즐 반송 기구(10a)의 구동 기구(15)나 도포액 공급 기구(70), 에어 구동 밸브(72), 흡인 밸브(73)와 접속되어 있고, 액 흘림 등의 발생을 판단한 결과를 기초로 하여 이들 기기를 작동시켜, 소정의 대처 동작을 실행할 수 있도록 되어 있다. 또한, 노즐(10) 조명용 광원(19)에 대해서도, 도시하지 않은 전원부를 통해 주 제어부(9a)와 접속되어 있고, 예를 들어 카메라(17)에 의해 촬상을 실행하는 타이밍과 동기하여 간헐적으로 노즐(10)을 조명하도록 구성되어 있다. 광원(19)을 상시 점등시키지 않음으로써, 광원(19)으로부터의 발열이 축열되는 것을 억제하여, 프로세스에의 영향을 작게 하고 있다.
또한 제어부(9)에는 표시 조작부(8)가 접속되어 있고, 표시 조작부(8)는 주 제어부(9a)의 지시를 기초로 하여 사용자에게 각종 안내 표시를 하는 역할을 한다.
다음에 액 흘림 판단부(9b)에서 실행되는 화상 처리나 촬상 결과를 기초로 하는 판단의 내용에 대해 설명한다. 도5는 액 흘림이 발생된 노즐(10)의 선단부의 모습을 도시한 모식도이다. 도면 중의 DP는, 상기 액 흘림에 관한 도포액의 액적을 나타내고 있다. 도5의 (a)는 액 흘림의 정도가 작은 상태, 도5의 (b)는 액 흘림의 정도가 큰 상태를 나타내고 있다.
액 흘림 판단부(9b)는, 예를 들어 200 ms의 간격으로 카메라(17)로부터 화상 정보를 취득한다. 이 화상 정보는, 카메라(17)에서 촬상된 아날로그 화상이 예를 들어 256 계조 표시가 가능한 소정 해상도의 8비트의 디지털 신호로 변환되어 있다. 그리고, 취득한 화상 정보에 대해, 예를 들어 계조차 등을 기초로 하여 액적(DP)과 그 주변의 공간과의 경계를 특정함으로써 촬상면에의 액적(DP)의 투영 형상을 특정한다. 표면 장력에 의해 액적(DP)은 구체(球體)의 일부를 절취한 것과 같은 형상이 되므로, 상술한 투영 형상은 도5의 (a) 및 도5의 (b)에 도시하는 바와 같은 원호가 된다.
그래서 액 흘림 판단부(9b)는, 상기 도면 중에 도시한 액적(DP)의 하단(P)에 있어서의 곡률(C)을 촬상 결과로서 산출하여, 이 곡률의 크기에 의해 액 흘림의 정도를 판단하도록 되어 있다. 즉, 산출한 곡률(C)의 값이 작은 경우에는 도5의 (a)에 도시하는 바와 같이 액 흘림의 정도가 작고, 큰 경우에는 도5의 (b)에 도시하는 바와 같이 액 흘림의 정도가 크다고 판단된다. 설정치 기억부(96)에는, 액 흘림의 정도를 판단하는 기준 정보가 임계치로서 미리 기억되어 있고, 액 흘림 판단부(9b) 는 이 임계치(기준 정보)와 화상 정보로부터 산출한 곡률(C)(촬상 결과)을 비교한 결과를 기초로 하여 액 흘림 발생의 유무나 발생한 액 흘림의 크기를 판단한다.
본 실시 형태에 관한 설정치 기억부(96)에는, 제1 곡률(C1)과 제2 곡률(C2)(C1 〈 C2)이 임계치로서 기억되어 있고, 촬상 결과의 곡률(C)과 이들의 임계치를 비교한 결과가,「C 〈 C1」인 경우에는 액 흘림 발생 없음, 「C1 〈 C 〈 C2」인 경우에는 작은 액 흘림[이하, 액 흘림 소(小)라 함] 발생,「C2 〈 C」인 경우에는 큰 액 흘림[이하, 액 흘림 대(大)라 함] 발생이라고 판단하도록 되어 있다.
또한, 이미 서술한 바와 같이 광각 렌즈를 이용하여 노즐(10)을 촬상한 결과, 촬상된 화상에 왜곡이 발생하는 경우에는, 액 흘림 판단부(9b)에서 이 왜곡을 보정하는 화상 처리를 실시한 후 곡률(C)을 산출해도 좋고, 임계치(C1, C2)에 미리 이 왜곡을 반영한 값을 기억시켜 두도록 해도 좋다. 또한, 곡률(C) 대신에 곡률 반경[R(= 1/C)]을 산출하여, 이것을 촬상 결과로 하여 상술한 판단을 행해도 좋다. 이 경우에는 산출된 곡률 반경이 작아질수록 액 흘림의 정도는 커진다.
또한, 액 흘림의 크기를 특정하는 방법은 상술한 것에 한정되지 않으며, 예를 들어 카메라(17)로부터 취득한 화상의 계조차 등을 기초로 하여, 액적(DP)과 그 주변 공간 및 노즐(10)과의 경계를 획정하고, 그 경계 내에 포함되는 화소수 등으로 결정되는 액적(DP) 투영 화상의 면적을 촬상 결과로 하고, 이 촬상 결과와 설정치 기억부(96)에 미리 기억시켜 둔 임계치(기준 정보)와 비교하여 액 흘림 발생의 유무나 그 대소를 판단하도록 구성해도 좋다.
여기서 본 실시 형태에 관한 노즐 반송 기구(10a)의 노즐 아암(11)에는 복수개의 노즐(10)을 보유 지지하고 있으므로, 어떤 노즐(10)에서 액 흘림을 발생하고 있는 것인지를 식별할 필요가 있다. 액 흘림이 발생된 노즐(10)을 식별하는 방법은, 예를 들어 취득한 화상 정보를 X-Y 좌표 상에 전개하여, 액 흘림이 확인된 위치를 기초로 하여 그 노즐(10)을 식별하도록 해도 좋다. 또한, 도3에 도시한 바와 같이 각 노즐(10)에 숫자 등의 식별 정보를 미리 부여해 두고, 촬상된 식별 정보의 화상과, 상술한 각 식별 정보에 대응하는 화상 정보[예를 들어 설정치 기억부(96) 등에 미리 등록되어 있음]와의 매칭에 의해 액 흘림이 발생된 노즐(10)을 식별하도록 해도 좋다.
이상의 순서를 기초로 하여 액 흘림이 발생되었다고 판단한 경우에는, 액 흘림 판단부(9b)는 액 흘림의 정도(액 흘림 소, 액 흘림 대)를 식별하는 정보와, 액 흘림이 발생된 노즐(10)을 식별하는 정보를 주 제어부(9a)에 대해 출력하도록 되어 있다.
다음에 노즐(10)로부터의 도포액의 적하 발생을 판단하는 방법에 대해 설명한다. 액 흘림 판단부(9b)는 1차 메모리(95)에 촬상 결과의 시계열(時系列) 데이터를 기억해 두고, 예를 들어 전회의 촬상 결과에서 확인된 액 흘림의 크기보다 현재의 액 흘림의 크기가 작게 되어 있는 경우에 촬상 간격 중에 액적(DP)의 적하가 발생하였다고 판단하도록 구성되어 있다. 촬상 결과로서는 액 흘림의 경우와 같이 액 흘림의 곡률을 채용하고, 예를 들어 200 ms마다 과거의 촬상 결과로서 일시 메 모리(95)에 덮어쓰기 보존되는 과거의 곡률(CP)과 최신의 촬상 결과인 곡률(C)을 기초로 하여,「ΔC = CP - C」가 소정의 임계치 이상이 된 경우에 액적(DP)의 적하 발생이라고 판단하여 그 취지의 정보와, 적하가 발생한 노즐(10)을 식별하는 정보를 주 제어부(9a)에 대해 출력하도록 구성되어 있다.
또한, 현재와 과거와의 액적(DP)의 곡률을 비교하여「CP - C」가 임계치 이상이 되는 현상은, 흡인 밸브(73)의 작동이나 클린룸 내의 온도 변화에 의해서도 발생하는 경우가 있다. 이러한 현상을 기초로 하는 곡률의 변화를 도포액의 적하에 의한 것으로 오판단해 버리지 않도록, 흡인 밸브(73)의 작동 상태 변화나 클린룸 내의 온도 변화를 별도 모니터하여, 이들의 상태 변화에 수반하여 상술한 곡률 변화가 발생한 경우에는, 액적(DP)의 적하에 의한 것은 아니라고 판단하도록 구성해도 좋다.
여기서, 액적의 적하의 유무를 판단하는 기준이 되는 촬상 정보는 액적(DP)의 곡률에 한정되는 것은 아니며, 액적(DP) 투영 화상의 면적을 촬상 결과로 해도 좋다. 또한 액적(DP)의 적하를 판단하는 방법은, 상술한 것에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 카메라(17)로부터 취득한 화상 정보에 노즐(10)의 선단부로부터 분리된 액적이 포함되어 있는 경우에는, 액적(DP)의 적하가 발생하였다고 판단하도록 구성해도 좋다. 적하가 발생하였는지 여부의 판단은, 예를 들어 노즐(10) 선단부의 하방이며, 이 선단부로부터 미리 설정한 거리[예를 들어 노즐(10)로부터 적하하는 액적의 직경에 상당하는 거리]만큼 떨어진 위치보다도 더욱 하방의 촬상 영역에 서 액적의 일부 또는 전부에 관계되는 촬상 결과를 얻은 경우(예를 들어, 액적에 상당하는 부분의 면적이 0보다도 커진 경우)에, 노즐(10) 선단부로부터 액적(DP)이 분리되어 적하되었다고 판단하도록 구성해도 좋다. 또한 상술한「미리 설정한 거리」는, 액적의 직경만큼 떨어진 위치보다도 더욱 하방에 설정되는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들어 이 거리를, 액적의 직경보다도 작은 거리로 설정하고, 촬상 영역에서 촬상된 액적의 면적이 미리 정한 임계치보다도 작은 경우에는 액적(DP)은 액 흘림의 상태이고, 상기의 임계치보다 커진 경우에는 액적(DP)이 적하되었다고 판단하도록 해도 좋다.
주 제어부(9a)는, 액 흘림 판단부(9b)로부터 취득한 액 흘림이나 적하의 발생을 나타내는 정보를 기초로 하여, 소정의 대처 동작이나 유지 보수 관리에 관한 동작을 실행하도록 되어 있다. [표1]은 액 흘림이나 적하의 정도에 따라서 실행되는 대처 동작이나 유지 보수 관리에 관계되는 동작의 내용을 나타내고 있다. 이들 동작은, 노즐 아암(11)의 이동 중에도 각 노즐(10)의 선단부를 감시하는 것인데, 그 상세에 대해서는 후술한다.
[표1]
Figure 112007076022671-PAT00001
이상의 구성을 기초로 하여, 노즐(10) 선단부로부터의 도포액의 액 흘림이나 적하의 발생의 판단 및 그 대처 동작 등에 관한 도포 유닛(1)의 작용에 대해 설명한다. 또한 이하에 나타내는 흐름도의 설명에서는, 액 흘림와 적하를 편의상 일괄하여「액 흘림」이라 표현하고, 「액 흘림 소」,「액 흘림 대」,「적하」의 3레벨로 구분되는 것으로서 설명을 한다.
우선, 액 흘림 판단부(9b)에서 액 흘림의 발생을 판단하는 동작에 대해 설명한다. 도6은 상기 동작의 흐름을 설명하기 위한 흐름도이다. 도포, 현상 장치가 가동을 개시하면(시작), 액 흘림 판단부(9b)는 예를 들어 더미 디스펜스를 행하는 타이밍이나, 프로세스 처리를 실행하고 있는 타이밍 등의 미리 정해진 기간 동안에 노즐(10) 선단부의 화상 정보를 취득하고(스텝 S101), 이미 서술한 판단 방법을 기초로 하여 액 흘림이 발생되어 있는지 여부를 판단한다(스텝 S102). 액 흘림이 발생되어 있지 않았던 경우에는(스텝 S102 ; 아니오), 예를 들어 200 ms의 소정 시간 대기하여(스텝 S106) 화상 정보의 취득과 액 흘림의 판단의 동작을 반복한다(스텝 S101 내지 S102).
액 흘림이 발생되어 있었던 경우에는(스텝 S102 ; 예), 액 흘림이 발생한 노즐(10)을 특정하고(스텝 S103), 또한「액 흘림 소」,「액 흘림 대」,「적하」의 3레벨 중에서 발생한 사상에 따른 레벨을 특정한다(스텝 S104). 그리고, 액 흘림이 발생된 노즐(10)과 액 흘림의 레벨에 관한 액 흘림 정보를 출력하고(스텝 S105), 다시 노즐(10) 선단부의 화상 정보를 취득하는 동작으로 복귀한다(스텝 S101).
다음에 액 흘림 판단부(9b)로부터 취득한 액 흘림 정보를 기초로 하여 실행되는 대처 동작이나 유지 보수 관리에 관계되는 동작의 내용에 대해 설명한다. 도7은 상기 동작의 흐름도이다. 도포, 현상 장치가 가동하면(시작), 도포 유닛(1)은 레시피를 기초로 하여 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 액 처리를 실행한다(스텝 S201). 그리고 액 흘림 판단부(9b)로부터 액 흘림 정보를 취득하지 않는 한 이 동작을 계속한다(스텝 S202 ; 아니오).
액 흘림 정보를 취득한 경우에는(스텝 S202 ; 예), 그 액 흘림 정보의 내용을 확인하고(스텝 S203), 현재 노즐(10)의 사용 상태가 어떻게 되어 있는지를 확인한다(스텝 S204). 그리고, 노즐(10)이「토출 전」인지,「토출 중」인지,「토출 후」인지의 차이에 따른 대처 동작 등을 실행한다(스텝 S205, S206, S207).
이어서, 이들 대처 동작 중에서 액 처리의 정지가 필요하다고 판단되었는지 여부를 확인한다(스텝 S208). 액 처리의 정지가 필요하지 않은 경우에는(스텝 S208 ; 아니오), 레시피를 기초로 하여 레지스트액의 도포를 실행하는 동작으로 복귀한다(스텝 S201). 한편, 액 처리의 정지가 필요하다고 판단된 경우에는(스텝 S208 ; 예), 액 처리를 정지[도포 유닛(1)에의 후속의 웨이퍼(W)의 반입을 정지]하여(스텝 S209) 동작을 종료한다(종료).
이하, 노즐(10)의 사용 상태에 따라서 실행되는 대처 동작의 내용에 대해 설명한다. 도8은 노즐(10)의 사용 상태가「토출 전」인 경우의 대처 동작 등(도7의 스텝 S205의 정의된 동작에 상당함)을 설명하기 위한 흐름도이다.
액 흘림 정보를 취득한 시점이 레지스트액의 토출 전이었던 경우에는(시작), 취득한 액 흘림 정보로부터 액 흘림의 레벨이 어느 정도였는지를 확인한다(스텝 S301). 액 흘림 레벨이「액 흘림 소」였던 경우에는(스텝 S301 ; 액 흘림 소), 그대로 레지스트액의 도포(액 처리)를 실행하여(스텝 S302), 그 후 노즐 버스(14) 또는 중간 버스(16) 중 가장 가까운 버스(14, 16)로 노즐(10)을 퇴피시켜, 액 흘림이 발생한 노즐(10)로부터 도포액을 노즐 버스(14, 16) 내로 토출하는 더미 디스펜스를 실행한다(스텝 S303).
이어서 상기 노즐(10)에 대해 카운터(92)의 카운트「m」을 카운트 업하여(스텝 S304), 그 결과가 미리 정해진 임계치「n」을 초과한 것인지 여부를 확인한다(스텝 S305). 카운트 업한 값이 임계치를 초과하고 있지 않은 경우에는(스텝S305 ; 아니오) 그대로 동작을 종료하여(종료) 도7의 스텝 S208로 복귀한다.
한편 카운트 업한 값이 임계치를 초과한 경우에는(스텝 S305 ; 예), 상기 노즐(10)에 대해 유지 보수가 필요한 취지를 표시 조작부(8)에 표시하여(스텝 S308) 본 흐름도의 동작을 종료한다(종료).
또한 스텝 S301에 있어서 액 흘림 레벨이「액 흘림 대」라고 판단된 경우에 는(스텝 S301 ; 액 흘림 대), 앞으로 실행하려고 하는 레지스트액의 도포를 행하기 전에, 가장 가까운 노즐 버스(14) 또는 중간 버스(16)로 노즐(10)을 퇴피시켜, 액 흘림이 발생한 노즐(10)로부터 더미 디스펜스를 실행한다(스텝 S306). 이어서 액 처리를 실행한 후(스텝 S307) 상기 노즐(10)에 대해 유지 보수가 필요한 취지를 표시 조작부(8)에 표시하여(스텝 S308) 본 흐름도의 동작을 종료한다(종료).
또한 스텝 S301에 있어서 액 흘림 레벨이「적하」라고 판단된 경우에는(스텝 S301 ; 적하), 액 처리를 정지하는 취지의 판단을 하여(스텝 S309) 표시 조작부(8)에 유지 보수 표시를 한 후(스텝 S308), 본 흐름도의 동작을 종료한다(종료).
다음에 액 흘림 정보를 취득한 시점이 레지스트액의 토출 중이었던 경우의 대처 동작 등에 대해 설명한다. 도9는 노즐(10)의 사용 상태가「토출 중」인 경우의 대처 동작 등(도7의 스텝 S206의 정의된 동작에 상당함)을 설명하기 위한 흐름도이다.
상기 흐름도는, 우선 액 흘림이 발생되어 있다고 판단된 노즐(10)이 도포액을 토출 중인 노즐(10) 뿐인지의 여부를 판단하고(스텝S401), 토출 중인 노즐(10) 뿐인 경우에는(스텝 S401 ; 예) 그대로 본 흐름도의 동작을 종료하는(종료) 점이 도8에서 설명한 흐름도와 상이하다. 이것은, 사용 중인 노즐(10)로부터의 도포액의 토출을 액 흘림이라 오판단해 버리지 않기 위함이다. 한편, 사용 노즐(10) 이외에 액 흘림이 발생하고 있다고 판단된 경우에는(스텝 S401 ; 아니오), 액 흘림 레벨이「액 흘림 대」였던 경우에(스텝 S402 ; 액 흘림 대), 그대로 액 처리를 실행한 후 (스텝 S407) 더미 디스펜스를 행하는 동작(스텝 S408)을 제외하고는, 도8 에서 설명한 것과 완전히 동일한 대처 동작 등을 실행하므로 설명을 생략한다. 이와 같이 도9에 도시한 실시 형태에서는, 액 처리를 실행한 후(스텝 S407) 더미 디스펜스를 행하도록(스텝 S408) 구성하였지만, 액 처리를 도중에 중지하고 더미 디스펜스를 행하도록 해도 좋다.
다음에 액 흘림 정보를 취득한 시점이 레지스트액의 토출 후였던 경우의 대처 동작 등에 대해 설명한다. 도10은 노즐(10)의 사용 상태가「토출 후」인 경우의 대처 동작 등(도7의 스텝 S207의 정의된 동작에 상당함)을 설명하기 위한 흐름도이다.
상기 흐름도는, 도8에서 설명한 것과 거의 동일하지만, 도포액의 토출이 완료되어 있으므로, 액 흘림 소인 경우에는(스텝 S501 ; 액 흘림 소) 액 처리를 실행하는 동작을 행하지 않고 그대로 노즐(10)을 퇴피시켜 더미 디스펜스를 실행하는 점이 도8에서 설명한 흐름도와 상이하다. 또한, 액 흘림 대인 경우에는(스텝S501 ; 액 흘림 대) 더미 디스펜스에 이어지는 액 처리 실행 동작이 없는 점이 도8에서 설명한 흐름도와 상이하다. 이들 차이점 이외에는 도8에서 설명한 대처 동작 등과 동일한 동작을 실행하므로 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 따르면, 이하와 같은 효과가 있다. 노즐 반송 기구(10a)에 의해 이동하는 노즐(10)의 움직임에 맞추어, 카메라(17)가 이 노즐(10)의 선단부의 상태를 광학적으로 촬상하므로, 이동 중인 노즐(10)에서 도포액의 액 흘림이나 적하가 발생한 경우에 이것을 촬상할 수 있다. 그리고, 발생한 사상에 따라서, 예를 들어 액 흘림이 발생한 경우에는 노즐(10)을 노즐 버스(14), 중간 버스(16)로 퇴피 시켜, 이 중에 도포액을 토출하는 더미 디스펜스를 행하거나, 도포액을 적하해 버린 경우에는 그 액 처리를 정지시키는 적절한 대처 동작을 실행할 수 있다. 이 결과, 목적 외의 위치에서의 도포액의 적하를 미연에 방지할 수 있었던 경우에는, 불량품의 발생이 방지되어 수율 향상에 공헌할 수 있다. 또한 미연에 방지되지 않은 경우에도, 도포, 현상 장치를 자동적으로 정지하면, 적하한 도포액을 닦아내는 등, 바로 적절한 조치를 채용할 수 있으므로 피해의 확대를 억제하여 손실을 최소한에 그치게 할 수 있다.
특히 본 실시 형태에 있어서는, 노즐 반송 기구(10a)의 노즐 아암(11)에 복수개 예를 들어 10개의 노즐(10)을 보유 지지하고, 이들 노즐(10)을 동시에 이동시키고, 또한 복수의 예를 들어 3개의 액 처리부(2)에 대해 노즐(10) 및 노즐 반송 기구(10a)가 공통화되어 있다. 이로 인해, 노즐(10)의 이동 중에 도포액의 액 흘림이나 적하가 발생될 확률은, 노즐(10)이 1개인 경우나 각 액 처리부(2)의 노즐(10)이 공통화되어 있지 않은 경우에 비해 높게 되어 있으므로, 상기한 대처 동작에 의해 얻어지는 수율 향상이나 손실 저감의 효과는 한층 높아진다.
또한, 카메라(17)가 노즐 반송 기구(10a)에 장착되어 있는 것에 의해, 예를 들어 카메라(17)를 독립적으로 이동시키는 기구를 필요로 하지 않아 장치 비용을 저감할 수 있다. 단, 노즐 반송 기구(10a)와는 독립된 이동 기구에 카메라(17)를 장착하여, 이들 이동 기구의 움직임을 동기시킴으로써 반송되어 있는 노즐(10)의 움직임에 맞추어 그 선단부의 상태를 촬상해도 되는 것은 물론이다.
또한 광학적인 촬상 수단으로서 카메라(17)를 이용함으로써, 촬상한 화상 정 보로부터 액 흘림의 크기를 나타내는 액적(DP)의 곡률 등의 촬상 결과를 얻는 것이 가능해진다. 이 결과, 액 흘림 발생의 유무뿐만 아니라 그 크기도 파악하는 것이 가능해지고, 더미 디스펜스를 행하는 타이밍을 액 흘림이 작은 경우에는 도포액의 도포 후로 하고, 큰 경우에는 도포 전으로 하는 등, 발생한 사상의 긴급도에 따른 대처 동작을 실행할 수 있다. 이에 의해, 더미 디스펜스를 실행하고 있는 동안의 대기 시간의 발생 등, 프로세스 처리의 효율 저하를 가능한 한 억제할 수 있다.
또한, 예를 들어 3개의 액 처리부(2)끼리의 사이에, 다른 스핀 척(41) 상을 가로지르지 않고 노즐(10)을 퇴피시켜 더미 디스펜스를 실행하기 위한 중간 버스(16)를 구비함으로써, 퇴피처가 노즐 버스(14)밖에 없는 경우에 비해 이동 거리를 짧게 할 수 있어, 액 흘림이 성장하여 적하되어 버릴 위험성을 작게 할 수 있다.
또한, 큰 액 흘림이나 적하가 발생한 것을 표시 조작부(8)에 표시하거나, 발생한 액 흘림이 작은 경우라도, 그 발생 횟수를 카운트하여 그 수가 소정 횟수를 초과하면 유지 보수가 필요한 취지를 표시 조작부(8)에 표시하거나 함으로써, 오퍼레이터나 보전 담당자는 바로 필요한 조치를 채용할 수 있다.
또한 노즐(10)의 선단부의 상태를 광학적으로 촬상하는 방법은, 카메라(17)에 의해 가시광을 촬상하는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들어 노즐(10) 선단부의 열 이미지를 적외선 카메라에 의해 화상 정보로 변환하여, 액 흘림이나 적하의 유무를 촬상하도록 구성해도 좋다. 이 경우에는, LED 램프 대신에, 예를 들어 적외선이나 근적외선을 조사하는 광원에 의해 노즐(10) 선단부를 조명해도 좋다.
또한, 카메라(17) 등을 이용하여 감시하는 것은 노즐(10) 반송 중의 액 흘림이나 적하의 발생에 더하여, 예를 들어 투명한 재료로 구성한 노즐(10)을 촬상함으로써 노즐(10) 선단부에서의 기포의 유무를 감시해도 좋다. 또한 사용 중인 노즐(10)의 선단부로부터 토출된 도포액의 굵기와 토출 시간을 기초로 하여 도포액의 토출량을 산출하여 감시하도록 구성해도 좋다. 또한 흡인 밸브(73)에 의해 레지스트액이 노즐(10)의 선단부로부터 인입된 거리「L」과, 주 제어부(9a)(도포 제어 수단)로부터 도포액 공급 기구(70)를 향해 레지스트액의 공급 개시 신호가 출력된 후 노즐(10)의 선단부에서 도포액의 촬상 결과가 얻어질 때까지의 시간「T」를 기초로 하여 레지스트액의 토출 속도「V = L/T」를 산출하여 감시하도록 구성해도 좋다. 노즐(10) 선단부에 기포를 발생시키고 있거나 레지스트액의 토출 속도가 지나치게 빠른 경우에는, 레지스트액이 미스트로서 비산되어 버려 스핀 코팅의 불량 등에 이를 우려가 있기 때문이다.
또한 본 실시 형태에서는, 노즐 반송 기구(10a)에서 10개의 노즐(10)을 이동시키는 경우에 대해 설명하였지만 노즐(10)의 수는 복수개에 한정되는 일 없이 예를 들어 1개라도 좋다. 또한 액 처리부(2)의 수도 실시 형태 중에 예시한 것에 한정되지 않으며, 1개의 하우징(3O) 내에 1개씩 노즐(10)과 노즐 반송 기구(10a)를 구비하는 경우에 대해서도 본 발명은 적용할 수 있다.
이 밖에, 노즐(10)을 촬상하는 카메라(17)의 용도는, 실시 형태 중에 나타낸 액 흘림의 감시만의 사용에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도포, 현상 장치의 가동 개시 전에 웨이퍼(W) 반송 위치의 조정 등을 목적으로 하고, 실제의 프로세스 처리 는 행하지 않는 더미 기판을 장치 내에서 반송하는 경우가 있다. 이러한 더미 기판의 사용시에, 예를 들어 노즐 위치의 확인, 조정용으로 본 실시 형태에 관한 카메라(17)를 사용해도 좋다. 또한 통상의 프로세스 처리 중에 액 흘림이 발생된 경우 등에, 액 흘림의 상황을 육안으로 확인할 목적으로 카메라(17)를 사용해도 좋다. 이러한 목적으로 카메라(17)를 사용하는 경우에는, 오퍼레이터에 의한 육안 확인이 하기 쉽도록 광원(19)으로부터 조사되는 광을 백색광으로 절환되도록 구성해도 좋다.
다음에, 도포, 현상 장치에 상술한 도포 유닛(1)을 적용한 일예에 대해 간단하게 설명한다. 도11은 도포, 현상 장치에 노광 장치가 접속된 시스템의 평면도이고, 도12는 상기 시스템의 사시도이다. 또한 도13은 상기 시스템의 종단면도이다. 이 장치에는 캐리어 블록(S1)이 설치되어 있고, 그 적재대(101) 상에 적재된 밀폐형 캐리어(100)로부터 전달 아암(C)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(S2)에 전달하고, 처리 블록(S2)으로부터 전달 아암(C)이 처리된 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(100)로 복귀시키도록 구성되어 있다.
상기 처리 블록(S2)은, 도12에 도시하는 바와 같이 본 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 블록(BCT층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성을 행하기 위한 제4 블록(TCT층)(B4)을, 아래부터 차례로 적층하여 구성되어 있다.
제2 블록(BCT층)(B2)과 제4 블록(TCT층)(B4)은, 각각 반사 방지막을 형성하 기 위한 약액을 스핀 코팅에 의해 도포하는 본 형태에 관계되는 도포 유닛(1)과, 이 도포 유닛(1)에서 행해지는 처리 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 유닛군과, 상기 도포 유닛(1)과 처리 유닛군 사이에 설치되고, 이들 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(A2, A4)에 의해 구성되어 있다. 제3 블록(COT층)(B3)에 대해서도 상기 약액이 레지스트액인 것을 제외하면 동일한 구성이다.
한편, 제1 블록(DEV층)(B1)에 대해서는 도13에 도시하는 바와 같이 하나의 DEV층(B1) 내에 현상 유닛이 2단으로 적층되어 있다. 그리고 상기 DEV층(B1) 내에는, 이들 2단의 현상 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 아암(A1)이 설치되어 있다. 즉 2단의 현상 유닛에 대해 반송 아암(A1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다.
또한 처리 블록(S2)에는, 도11 및 도13에 도시하는 바와 같이 선반 유닛(U5)이 설치되고, 캐리어 블록(S1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U5) 중 하나의 전달 유닛, 예를 들어 제2 블록(BCT층)(B2)이 대응하는 전달 유닛(CPL2)에, 상기 선반 유닛(U5)의 근방에 설치된 승강 가능한 제1 교환 아암(D1)에 의해 순차 반송된다. 제2 블록(BCT층)(B2) 내의 반송 아암(A2)은, 이 전달 유닛(CPL2)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 각 유닛(반사 방지막 유닛 및 가열·냉각계의 처리 유닛군)으로 반송하고, 이들 유닛에 의해 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF2), 교환 아암(D1), 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(CPL3) 및 반송 아암(A3)을 통해 제3 블록(COT층)(B3)으로 반 입되어, 레지스트막이 형성된다. 또한 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3) → 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF3) → 전달 아암(D1)을 경유하여 선반 유닛(U5)에 있어서의 전달 유닛(CPL11)에 전달된다. 또한 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제4 블록(TCT층)(B4)에서 또한 반사 방지막이 형성되는 경우도 있다. 이 경우는, 웨이퍼(W)는 전달 유닛(CPL4)을 통해 반송 아암(A4)에 전달되고, 반사 방지막이 형성된 후 반송 아암(A4)에 의해 전달 유닛(TRS4)에 전달된다.
한편 DEV층(B1) 내의 상부에는, 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 유닛(CPL11)으로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 전달 유닛(CPL12)에 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀 아암(E)이 설치되어 있다. 레지스트막이나 또한 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D1)을 통해 전달 유닛(BF3, TRS4)으로부터 수취하여 전달 유닛(CPL11)에 전달되고, 여기서 셔틀 아암(E)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(CPL12)에 직접 반송되어, 인터페이스 블록(S3)에 취입되게 된다. 또한 도13 중의 CPL이 부여되어 있는 전달 유닛은 온도 조절용 냉각 유닛을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 유닛은 복수매의 웨이퍼(W)를 적재 가능한 버퍼 유닛을 겸하고 있다.
이어서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(B)에 의해 노광 장치(S4)로 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(TRS6)에 적재되어 처리 블록(S2)으로 복귀된다. 복귀된 웨이퍼(W)는, 제1 블록(DEV층)(B1)에서 현상 처리가 행해지고, 반송 아암(A1)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달대(TRS1)로 전달된다. 그 후, 전달 아암(C)을 통해 캐리어(100)로 복귀된다. 또한 도11 있어서 U1 내지 U4는 각각 가열부와 냉각부를 적층한 열계 유닛군이다.
도1은 본 발명에 관한 도포 유닛을 도시하는 평면도와 단면도.
도2는 상기 도포 유닛 내의 액 처리부와 도포액을 공급하는 공급 유닛을 도시하는 구성도.
도3은 도포액을 공급하는 도포 노즐을 노즐 아암에 장착한 상태를 도시하는 사시도.
도4는 상기 도포 유닛의 전기적 구성을 도시하는 블록도.
도5는 도포 노즐 선단부의 액 흘림의 모습을 설명하기 위한 모식도.
도6은 액 흘림의 발생을 판단하는 동작의 흐름을 설명하기 위한 흐름도.
도7은 액 흘림 발생시의 도포 유닛의 동작의 흐름을 설명하기 위한 흐름도.
도8은 도포액 토출 전에 있어서의 액 흘림 발생시의 대처 동작의 내용을 설명하기 위한 흐름도.
도9는 도포액 토출 중에 있어서의 상기 대처 동작의 내용을 설명하기 위한 흐름도.
도10은 도포액 토출 후에 있어서의 상기 대처 동작의 내용을 설명하기 위한 흐름도.
도11은 상기 도포 유닛을 적용한 도포, 현상 장치의 실시 형태를 도시하는 평면도.
도12는 상기 도포, 현상 장치의 사시도.
도13은 상기 도포, 현상 장치의 종단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
DP : 액적
W : 웨이퍼
1 : 도포 유닛
2, 2a, 2b, 2c : 액 처리부
5 : 컵체
6 : EBR 기구
7 : 공급 유닛
8 : 표시 조작부
9 : 제어부
9a : 주 제어부
9b : 액 흘림 판단부
10 : 노즐
10a : 노즐 반송 기구
11 : 노즐 아암
11a : 노즐 헤드부
11b : 아암부
12, 62 : 베이스
13, 63 : 레일
14 : 노즐 버스
15 : 구동 기구
16 : 중간 버스
17 : 카메라
18 : 고정 부재
19 : 광원
30 : 하우징
30a : 반입출구
31 : 필터 유닛
41 : 스핀 척
42 : 축부
43 : 구동 기구(스핀 척 모터)
44 : 승강 핀
44a : 승강 기구
50 : 컵 본체
51 : 제1 링 부재
51a : 기체 유로
52 : 제2 링 부재
53 : 단부판
54 : 액 받침부
54a : 넘침 방지벽
55 : 배기 포트
56 : 드레인 포트
61 : EBR 아암
64 : EBR 노즐 버스
70 : 도포액 공급 기구
71 : 공급관
72 : 에어 구동 밸브
73 : 흡인 밸브
90 : 중앙 연산 처리 장치(CPU)
91, 94 : 프로그램 저장부
92 : 카운터
93, 96 : 설정치 기억부
95 : 일시 메모리
100 : 캐리어
101 : 적재대

Claims (37)

  1. 주위가 컵체로 둘러싸인 기판 보유 지지부에 대략 수평으로 보유 지지된 기판의 표면에, 도포액 공급부로부터의 도포액을 도포액 노즐을 통해 공급하여, 기판의 표면을 액 처리하는 액 처리 장치에 있어서,
    도포액 노즐을 적재하여 대기시키는 노즐 버스와,
    상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 상방과 상기 노즐 버스와의 사이에서 상기 도포액 노즐을 반송하는 노즐 반송 기구와,
    이 노즐 반송 기구에 의해 반송되어 있는 도포액 노즐의 선단부를 촬상하는 촬상 수단과,
    이 촬상 수단에 의한 촬상 결과를 기초로 하여, 상기 선단부로부터의 도포액의 액 흘림 또는 적하의 발생을 판단하는 판단 수단과,
    도포액의 액 흘림 또는 적하가 발생되었다고 상기 판단 수단에 의해 판단된 경우에, 상기 도포 공급부 및/또는 상기 노즐 반송 기구에 대처 동작을 실행시키는 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노즐 반송 기구는 복수의 도포액 노즐을 동시에 반송하도록 구성되어 있고,
    상기 판단 수단은 상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과를 기초로 하여 각 도포액 노즐을 식별하여 도포액의 액 흘림 또는 적하의 발생을 판단하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어 수단은 기판의 표면으로의 도포액의 공급을 실행 중인 도포액 노즐로부터의 촬상 결과를 기초로 하는 판단에 대해서는 상기 대처 동작을 실행하지 않는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촬상 수단은 노즐 반송 기구에 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촬상 수단은 이미지 센서 카메라인 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촬상 수단에 의한 촬상시에 상기 도포액 노즐을 조명하기 위한 광원을 더 구비한 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도포액의 액 흘림의 발생을 판단하는 기준이 되는 기준 정보를 기억하는 제1 기억 수단을 더 구비하고, 상기 판단 수단은 상기 촬상 결과와 상기 기준 정보를 비교한 결과를 기초로 하여 도포액 노즐 선단부에 있어서의 액 흘림의 유무 및 액 흘림의 크기를 판단하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 기준 정보 및 상기 촬상 결과는, 상기 도포액 노즐의 선단부로부터 액 흘림된 액적의 곡률 또는 면적인 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 과거의 촬상 결과를 기억하는 제2 기억 수단을 더 구비하고,
    상기 판단 수단은 상기 제2 기억 수단에 기억되어 있는, 미리 정해진 기간 거슬러 올라간 과거의 촬상 결과와 현재의 촬상 결과를 비교하여, 과거의 촬상 결과에서 확인된 액 흘림의 크기보다 현재의 액 흘림의 크기가 작게 되어 있는 경우에, 도포액의 적하가 발생하였다고 판단하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 판단부는 상기 도포액 노즐 선단부로부터 미리 설정한 거리 하방의 촬상 영역에서 액적의 일부 또는 전부에 관계되는 촬상 결과를 얻은 경우에, 도포액의 적하가 발생하였다고 판단하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도포액 노즐은 투명한 재료로 구성되어 있고, 상기 판단 수단은 또한 상기 촬상 수단으로부터 취득한 촬상 결과를 기초로 하여 상기 도포액 노즐 선단부의 기포의 유무를 판단하는 것을 특징으로 하는 액 처 리 장치.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 판단 수단은 또한 상기 촬상 수단으로부터 취득한 상기 도포액 노즐로부터 토출된 도포액의 굵기와 그 토출 시간을 나타내는 촬상 결과를 기초로 하여 도포액의 토출량을 산출하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도포액을 토출하고 있지 않을 때에 상기 도포액 노즐의 선단부로부터 도포액을 인입하기 위한 흡인 밸브와, 상기 도포액 공급부에 대해 도포액의 공급 개시 신호를 출력하는 도포 제어 수단을 더 구비하고,
    상기 판단부는 상기 흡인 밸브에 의해 도포액이 도포액 노즐의 선단부로부터 인입된 거리와, 상기 도포 제어 수단으로부터 공급 개시 신호가 출력된 후 상기 도포액 노즐의 선단부에서 도포액의 촬상 결과가 얻어질 때까지의 시간을 기초로 하여 도포액의 토출 속도를 산출하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 대처 동작은 도포액 노즐을 상기 노즐 버스로 퇴피시켜, 상기 도포액 노즐로부터 이 노즐 버스 내로 도포액을 토출하는 동작인 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서, 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 표면에 도포액을 공급하기 위해 상기 도포액 노즐을 반송하는 동작의 도중에 액 흘림이 촬상되었을 때에는, 상기 제어 수단은 상기 기판으로의 도포액의 공급을 종료한 후 상기 대처 동작을 행하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  16. 제14항에 있어서, 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 표면에 도포액을 공급하기 위해 상기 도포액 노즐을 반송하는 동작의 도중에 액 흘림이 촬상되었을 때에는, 상기 제어 수단은 상기 기판으로의 도포액의 공급을 행하기 전에 상기 대처 동작을 행하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  17. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 대처 동작은 상기 액 처리 장치에의 후속의 기판의 반입을 정지하는 동작인 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  18. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도포액의 액 흘림 또는 적하가 발생되었다고 판단된 경우에, 그 취지를 통지하는 통지 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서, 각 노즐마다 액 흘림이 발생된 횟수를 계수하는 카운터를 더 구비하고,
    임의의 카운터에서 계수된 액 흘림의 횟수가 미리 설정된 횟수보다도 커진 경우에, 상기 통지 수단에서 액 흘림 발생의 취지를 통지하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  20. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각각 상기 컵체와 기판 보유 지지부로 이루어지는 복수의 액 처리부가 공통의 하우징 내에서 횡방향으로 1열로 배열되어 설치되고, 상기 도포액 노즐 및 상기 노즐 반송 기구는 상기 복수의 액 처리부에 대해 공통화되어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  21. 제14항에 있어서, 각각 상기 컵체와 기판 보유 지지부로 이루어지는 복수의 액 처리부가 공통의 하우징 내에서 횡방향으로 1열로 배열되어 설치되고, 상기 도포액 노즐 및 상기 노즐 반송 기구는 상기 복수의 액 처리부에 대해 공통화되어 있고,
    상기 하우징 내에 배열된 각 액 처리부끼리의 사이에는, 상기 도포액 노즐을 퇴피시켜 대처 동작을 실행하기 위한 중간 버스를 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  22. 주위가 컵체로 둘러싸인 기판 보유 지지부에 대략 수평으로 보유 지지된 기판의 표면에, 도포액 공급부로부터의 도포액을 도포액 노즐을 통해 공급하여, 기판의 표면을 액 처리하는 액 처리 방법에 있어서,
    노즐 버스에 도포액 노즐을 적재하여 대기시키는 공정과,
    상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 상방과 상기 노즐 버스와의 사 이에서 상기 도포액 노즐을 반송하는 공정과,
    이 공정에서 반송되어 있는 도포액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과,
    이 촬상 결과를 기초로 하여, 상기 선단부로부터의 도포액의 액 흘림 또는 적하의 발생을 판단하는 공정과,
    도포액의 액 흘림 또는 적하가 발생되었다고 판단된 경우에, 상기 도포액 공급부 및/또는 상기 노즐 반송 기구에 대처 동작을 실행시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 도포액 노즐을 반송하는 공정에 있어서는, 복수의 도포액 노즐이 동시에 반송되고,
    액 흘림 또는 적하의 발생을 판단하는 공정에 있어서는, 상기 촬상 결과를 기초로 하여 각 도포액 노즐을 식별하여 도포액의 액 흘림 또는 적하의 발생을 판단하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  24. 제22항 또는 제23항에 있어서, 상기 대처 동작을 실행하는 공정에 있어서는, 기판의 표면으로의 도포액의 공급을 실행 중인 도포액 노즐로부터의 촬상 결과를 기초로 하는 판단에 대해서는 대처 동작을 실행하지 않는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  25. 제22항 또는 제23항에 있어서, 상기 도포액 노즐의 선단부의 상태를 광학적 으로 촬상하는 공정은 이미지 센서 카메라를 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  26. 제22항 또는 제23항에 있어서, 상기 도포액 노즐의 선단부의 상태를 광학적으로 촬상하는 공정을 실행할 때에, 상기 도포액 노즐을 조명하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  27. 제22항 또는 제23항에 있어서, 도포액의 액 흘림의 발생을 판단하는 기준이 되는 기준 정보를 미리 기억하는 공정을 더 포함하고, 상기 액 흘림 또는 적하의 발생을 판단하는 공정에 있어서는, 상기 촬상 결과와 상기 기준 정보를 비교한 결과를 기초로 하여 도포액 노즐 선단부에 있어서의 액 흘림의 유무 및 액 흘림의 크기를 판단하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 기준 정보 및 상기 촬상 결과는 상기 도포액의 노즐의 선단부로부터 액 흘림된 액적의 곡률 또는 면적인 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  29. 제22항 또는 제23항에 있어서, 과거의 촬상 결과를 기억하는 공정을 더 구비하고,
    상기 판단을 행하는 공정에서는, 상기 과거의 촬상 결과를 기억하는 공정에 서 기억되어 있는, 미리 정해진 기간 거슬러 올라간 과거의 촬상 결과와, 현재의 촬상 결과를 비교하여, 과거의 촬상 결과에서 확인된 액 흘림의 크기보다 현재의 액 흘림의 크기가 작게 되어 있는 경우에, 도포액의 적하가 발생되었다고 판단하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  30. 제22항 또는 제23항에 있어서, 상기 판단을 행하는 공정에서는, 상기 도포액 노즐 선단부로부터 미리 설정한 거리 하방의 촬상 영역에서 액적의 일부 또는 전부에 관계되는 촬상 결과를 얻은 경우에, 도포액의 적하가 발생되었다고 판단하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  31. 제22항 또는 제23항에 있어서, 상기 대처 동작은 도포액 노즐을 상기 노즐 버스로 퇴피시켜, 상기 도포액 노즐로부터 이 노즐 버스 내로 도포액을 토출하는 동작인 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  32. 제31항에 있어서, 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 표면에 도포액을 공급하기 위해 상기 도포액 노즐을 반송하는 동작의 도중에 액 흘림이 촬상되었을 때에는, 상기 대처 동작은 상기 기판으로의 도포액의 공급을 종료한 후 행해지는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  33. 제31항에 있어서, 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 표면에 도포액을 공급하기 위해 상기 도포액 노즐을 반송하는 동작의 도중에 액 흘림이 촬상되었을 때에는, 상기 대처 동작은 상기 기판에의 도포액의 공급을 행하기 전에 행해지는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  34. 제22항 또는 제23항에 있어서, 상기 대처 동작은 상기 액 처리 장치에의 후속의 기판의 반입을 정지하는 동작인 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  35. 제22항 또는 제23항에 있어서, 도포액의 액 흘림 또는 적하가 발생되었다고 판단된 경우에, 그 취지를 통지하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  36. 제35항에 있어서, 각 노즐에 액 흘림이 발생된 횟수를 계수하는 공정을 더 포함하고,
    임의의 노즐에 대해 계수된 액 흘림의 횟수가 미리 설정된 횟수보다도 커진 경우에, 액 흘림 발생의 취지를 통지하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  37. 주위가 컵체로 둘러싸인 기판 보유 지지부에 대략 수평으로 보유 지지된 기판의 표면에, 도포액 공급부로부터의 도포액을 도포액 노즐을 통해 공급하여, 기판의 표면을 액 처리하는 액 처리 장치에 이용되는 프로그램을 저장한 기억 매체이며,
    상기 프로그램은 제22항 또는 제23항에 기재된 액 처리 방법을 실행하기 위해 스텝이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
KR1020070107044A 2006-10-25 2007-10-24 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 KR101172564B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00289346 2006-10-25
JP2006289346 2006-10-25
JP2007119572A JP5045218B2 (ja) 2006-10-25 2007-04-27 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JPJP-P-2007-00119572 2007-04-27

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110102591A Division KR101184808B1 (ko) 2006-10-25 2011-10-07 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080037539A true KR20080037539A (ko) 2008-04-30
KR101172564B1 KR101172564B1 (ko) 2012-08-08

Family

ID=39329685

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070107044A KR101172564B1 (ko) 2006-10-25 2007-10-24 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체
KR1020110102591A KR101184808B1 (ko) 2006-10-25 2011-10-07 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110102591A KR101184808B1 (ko) 2006-10-25 2011-10-07 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7752999B2 (ko)
JP (1) JP5045218B2 (ko)
KR (2) KR101172564B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101522695B1 (ko) * 2009-06-22 2015-05-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
KR101530959B1 (ko) * 2009-02-13 2015-06-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체
KR20150090408A (ko) * 2014-01-29 2015-08-06 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
KR20170138051A (ko) * 2016-06-06 2017-12-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 검사 장치, 검사 방법 및 기능액 토출 장치
KR20180070225A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 노즐의 온도 제어 방법

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4887310B2 (ja) * 2008-01-29 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5442226B2 (ja) * 2008-07-28 2014-03-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2010103131A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
KR101080865B1 (ko) * 2008-10-28 2011-11-08 세메스 주식회사 기판 처리 방법
JP4900397B2 (ja) * 2009-01-29 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP4941570B2 (ja) * 2010-03-04 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5457384B2 (ja) * 2010-05-21 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5336441B2 (ja) * 2010-08-24 2013-11-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5314657B2 (ja) 2010-11-12 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 ノズルの位置調整方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
JP4894962B1 (ja) * 2011-03-28 2012-03-14 富士ゼロックス株式会社 円筒部材の製造方法
JP5459279B2 (ja) * 2011-09-02 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5672204B2 (ja) * 2011-09-13 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5293790B2 (ja) * 2011-09-22 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
CN103084290B (zh) * 2011-10-31 2015-10-28 细美事有限公司 喷嘴单元、基板处理装置和基板处理方法
KR101881894B1 (ko) * 2012-04-06 2018-07-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법
KR101567195B1 (ko) 2013-03-14 2015-11-06 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 토출 검사 장치 및 기판 처리 장치
US10446390B2 (en) * 2013-06-28 2019-10-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for dispensing liquid spin-on glass (SOG) onto semiconductor wafers
JP6281161B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US9527116B2 (en) * 2013-09-28 2016-12-27 General Electric Company System and method for conformal cleaning
JP2015153903A (ja) * 2014-02-14 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、基板処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6319114B2 (ja) * 2015-01-21 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体
KR101681189B1 (ko) * 2015-01-30 2016-12-02 세메스 주식회사 검사 유닛 및 검사 방법, 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP6332095B2 (ja) * 2015-03-20 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 薬液供給装置の調整方法、記憶媒体及び薬液供給装置
JP2016185502A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出ヘッド検査装置、液滴吐出ヘッド検査方法および液滴吐出装置
KR102440321B1 (ko) 2015-09-04 2022-09-06 삼성전자주식회사 기판 처리 방법
JP6893433B2 (ja) * 2017-03-30 2021-06-23 株式会社Ｆｕｊｉ 粘性流体塗布装置
KR101993732B1 (ko) * 2017-05-10 2019-06-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 노즐 위치 세팅 방법
KR102000017B1 (ko) * 2017-07-21 2019-07-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102415323B1 (ko) 2017-09-25 2022-07-04 세메스 주식회사 노즐 유닛 및 기판 처리 장치
KR102013671B1 (ko) * 2017-10-12 2019-08-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 처리액 노즐 검사 방법
JP7071209B2 (ja) * 2018-05-11 2022-05-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液吐出装置、処理液吐出方法、および基板処理装置
US11355366B2 (en) * 2018-08-30 2022-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for shuttered wafer cleaning
JP7179568B2 (ja) 2018-10-05 2022-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7165019B2 (ja) 2018-10-05 2022-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7211751B2 (ja) 2018-10-05 2023-01-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7314634B2 (ja) 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP7352419B2 (ja) * 2019-09-13 2023-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ノズル内部における気液界面の検出方法および基板処理装置
JP7443163B2 (ja) 2020-05-27 2024-03-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7384748B2 (ja) 2020-06-08 2023-11-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7441131B2 (ja) 2020-06-30 2024-02-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理監視に用いる設定情報の設定方法、基板処理装置の監視方法および基板処理装置
TWI798654B (zh) * 2021-03-09 2023-04-11 南亞科技股份有限公司 半導體設備及其操作方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1199354A (ja) * 1997-09-27 1999-04-13 Tdk Corp 回転式塗布方法及び塗布装置
JPH11176734A (ja) 1997-12-16 1999-07-02 Sony Corp レジスト塗布装置
JP2000070834A (ja) * 1998-09-04 2000-03-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 異常検出方法及びこれを用いた基板塗布装置
JP2001157863A (ja) * 1999-09-21 2001-06-12 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
KR100470682B1 (ko) * 2001-09-11 2005-03-07 나노에프에이 주식회사 포토레지스트의 흘림 길이를 조절할 수 있는 포토레지스트공급 장치 및 이를 이용한 포토레지스트 공급 방법
JP4024036B2 (ja) * 2001-11-06 2007-12-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置の自動設定方法及びその装置
JP3918914B2 (ja) * 2001-11-14 2007-05-23 アボットジャパン株式会社 微小流量測定装置、方法、コンピュータプログラム、および記憶媒体
US20040173144A1 (en) * 2002-05-31 2004-09-09 Edwards Charles O. Formation of printed circuit board structures using piezo microdeposition
JP4249550B2 (ja) * 2003-06-30 2009-04-02 株式会社マイクロジェット 塗布装置
JP4449602B2 (ja) * 2004-07-01 2010-04-14 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置及び膜パターン形成方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101530959B1 (ko) * 2009-02-13 2015-06-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체
KR101522695B1 (ko) * 2009-06-22 2015-05-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
KR20150090408A (ko) * 2014-01-29 2015-08-06 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
KR20170138051A (ko) * 2016-06-06 2017-12-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 검사 장치, 검사 방법 및 기능액 토출 장치
KR20180070225A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 노즐의 온도 제어 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7752999B2 (en) 2010-07-13
US20080100809A1 (en) 2008-05-01
JP2008135679A (ja) 2008-06-12
US20100216259A1 (en) 2010-08-26
KR20110126572A (ko) 2011-11-23
JP5045218B2 (ja) 2012-10-10
KR101184808B1 (ko) 2012-09-20
US8236378B2 (en) 2012-08-07
KR101172564B1 (ko) 2012-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101172564B1 (ko) 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체
KR101608509B1 (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
JP5457384B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP4887310B2 (ja) 液処理装置
JP5336441B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP5314657B2 (ja) ノズルの位置調整方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
KR20170113099A (ko) 기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템
US10217628B2 (en) Substrate processing apparatus and processing method of substrate processing apparatus
US11011436B2 (en) Substrate processing apparatus, control method of substrate processing apparatus and substrate processing system
JP2024072826A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2011003865A (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
KR20190035505A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2011146683A (ja) 液処理装置、塗布、現像装置、塗布、現像方法、及び記憶媒体
JP5127080B2 (ja) 液処理装置
KR20100088090A (ko) 액처리 장치
JP2014109436A (ja) 基板の欠陥検査方法、基板の欠陥検査装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR20190008102A (ko) 기판 위치 조정 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템
JP2003273003A (ja) 基板処理装置
JP2023116089A (ja) 基板処理装置および監視方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170720

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180717

Year of fee payment: 7