JP7441131B2 - 基板処理監視に用いる設定情報の設定方法、基板処理装置の監視方法および基板処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 344
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 190
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims description 144
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 98
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 120
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 60
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 56
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 42
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 54
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 15
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 15
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
- B05B12/08—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
- B05B12/12—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature position or movement of the target relative to the spray apparatus
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/70—Determining position or orientation of objects or cameras
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description
図1は、本実施の形態に関する基板処理装置100の内部のレイアウトの一例を説明するための図解的な平面図である。図1に例が示されるように、基板処理装置100は、処理対象である基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。
図2は、処理ユニット1の構成の一例を概略的に示す平面図である。また、図3は、処理ユニット1の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。
<全体の流れ>
図6は、基板処理の流れの一例を示すフローチャートである。まず、主搬送ロボット103が未処理の基板Wを処理ユニット1に搬入する(ステップS1:搬入工程)。次に、スピンチャック20が基板Wを水平姿勢にて保持する(ステップS2:保持工程)。具体的には、複数のチャックピン26がそれぞれの当接位置に移動することにより、複数のチャックピン26が基板Wを保持する。
<ノズルの位置>
上述の処理レシピ工程(ステップS5)において、第1ノズル30、第2ノズル60および第3ノズル65は必要に応じて適宜に移動する。例えば、第1ノズル30は待機位置P33から中央位置P31に移動する。このとき、ノズル基台33のモータ異常等の諸要因により、第1ノズル30が中央位置P31からずれて停止する場合もある。この場合、第1ノズル30からの処理液に基づく処理が不適切に終了し得る。
まず、監視処理に用いる設定情報を設定するセットアップ処理について述べる。このセットアップ処理は、例えば、基板処理装置100が設置場所(例えば工場)に設置されるときに行われる。図7は、セットアップ処理の一例を示すフローチャートである。
次に、処理レシピ工程(ステップS5)と並行して行われる監視処理の一例について説明する。図9は、監視処理の一例を示すフローチャートである。カメラ70は処理レシピ工程と並行して、撮像領域を順次に撮像して撮像画像データを取得する(ステップS21:処理撮像工程)。上述の例では、処理レシピ工程において、第1ノズル30が中央位置P31で基板Wの上面に処理液を吐出し、その後、第2ノズル60が中央位置P61で基板Wの上面に処理液(例えばリンス液)を吐出する。
図9の例では、監視処理部91は、処理レシピ工程(ステップS5)における各ノズルからの処理液の吐出状態も、撮像画像データに基づいて監視する(ステップS23:吐出監視工程)。以下、第1ノズル30を例に挙げて説明する。
ところで、異なる第1停止位置および第2停止位置で停止した第1ノズル30の撮像画像データ内の大きさは互いに相違し得る。具体的には、第1停止位置および第2停止位置がカメラ70から見た奥行き方向において互いにずれている場合に、第1ノズル30の撮像画像データ内の大きさは互いに相違する。例えば、カメラ70の奥行き方向において、中央位置P31、周縁位置P32および周縁位置P34は互いに相違する。よって、中央位置P31、周縁位置P32および周縁位置P32で停止した第1ノズル30の撮像画像データ内おける大きさは、互いに相違する。
図7のセットアップ処理の一例では、位置設定工程(ステップS16)の後に判定領域設定工程(ステップS17)が実行される。この判定領域設定工程では、セットアップ部92は、各ノズルの設定座標位置と吐出判定領域R1との幾何学的な相対関係(位置および大きさ)を示す設定相対関係を、各ノズルの停止位置ごとに設定する。
セットアップ処理により設定された設定情報(設定座標位置および設定相対関係)が適切であるか否かを判断するチェック処理を行ってもよい。図13は、チェック処理の一例を示すフローチャートである。まず、カメラ70が撮像領域の撮像を開始する(ステップS31:チェック撮像工程開始)。次に、処理制御部93は、第1ノズル30、第2ノズル60および第3ノズル65の各々を各停止位置で停止させて、各停止位置で処理液を吐出させる(ステップS32:チェックレシピ工程)。例えば、ノズル移動機構37は第1ノズル30を待機位置P33から周縁位置P32に移動させて周縁位置P32で停止させる。第1ノズル30が周縁位置P32で停止しているときに、バルブ35が開くことにより、第1ノズル30が処理液を吐出する。次に、バルブ35が閉じることにより、第1ノズル30が処理液の吐出を停止する。以後、第1ノズル30を各停止位置で停止させつつ、都度、処理液を吐出させる。第2ノズル60および第3ノズル65も同様である。
上述の例では、チャンバー10内で移動する監視対象物の一例として、第1ノズル30、第2ノズル60および第3ノズル65を例示した。しかるに、監視対象物として処理カップ40を採用してもよい。この処理カップ40の内カップ41、中カップ42および外カップ43は、カップ移動機構59によって上位置および下位置との間で昇降する。以下では、説明の簡単のために、外カップ43について述べる。
10 チャンバー
20 基板保持(スピンチャック)
30,60,65 監視対象物(ノズル)
37 移動機構(ノズル移動機構)
40 監視対象物(処理カップ)
59 移動機構(カップ移動機構)
9 制御部
70 カメラ
100 基板処理装置
W 基板
Claims (8)
- 基板処理監視に用いる設定情報の設定方法であって、
基板処理装置内の第1監視対象物を移動させる移動機構を制御して、前記第1監視対象物を第1停止位置に移動させるセットアップレシピ工程と、
前記セットアップレシピ工程と並行して実行され、カメラが前記第1監視対象物を撮像するセットアップ撮像工程と、
前記セットアップ撮像工程において前記カメラによって取得され、前記第1停止位置で停止する前記第1監視対象物を含む第1画像データと、前記第1監視対象物の少なくとも一部を示す第1参照画像データとに基づいて、前記第1画像データ内における前記第1監視対象物の位置を検出し、当該位置を前記第1停止位置に関する適正位置として設定する設定工程と、
を備え、
前記設定工程では、前記セットアップ撮像工程において前記カメラによって順次に取得される複数の画像データのうち、前記第1停止位置で停止した前記第1監視対象物を含む前記第1画像データを、前記移動機構へ制御信号が出力された時刻と、前記複数の画像データの取得時刻とに基づいて特定する、基板処理監視に用いる設定情報の設定方法。 - 請求項1に記載の基板処理監視に用いる設定情報の設定方法であって、
前記セットアップレシピ工程では、前記基板処理装置内に保持された基板の主面に処理液を供給するノズルを、前記第1監視対象物として、前記第1停止位置に移動させる、基板処理監視に用いる設定情報の設定方法。 - 請求項2に記載の基板処理監視に用いる設定情報の設定方法であって、
前記セットアップレシピ工程では、前記ノズルを、前記第1停止位置、および、前記カメラから見て少なくとも奥行き方向において前記第1停止位置と異なる第2停止位置に順に移動させ、
前記設定工程は、
前記セットアップ撮像工程において前記カメラによって取得され、前記第2停止位置で停止した前記ノズルを含む第2画像データと、前記第1参照画像データとに基づいて、前記第2画像データ内における前記ノズルの位置および大きさを検出する検出工程と、
前記第1画像データ内の前記ノズルに対して吐出判定領域の位置および大きさが予め規定された第1相対関係と、前記第1画像データ内の前記ノズルの大きさに対する前記第2画像データ内の前記ノズルの大きさの倍率に基づいて、前記第2画像データ内の前記ノズルに対する吐出判定領域の位置および大きさを規定する第2相対関係を設定する判定領域設定工程と
を含む、基板処理監視に用いる設定情報の設定方法。 - 請求項1に記載の基板処理監視に用いる設定情報の設定方法であって、
前記セットアップレシピ工程では、前記基板処理装置内の基板保持部を取り囲む処理カップを、前記第1監視対象物として、鉛直方向に沿って移動させて前記第1停止位置で停止させる、基板処理監視に用いる設定情報の設定方法。 - 請求項1、請求項2および請求項4のいずれか一つに記載の基板処理監視に用いる設定情報の設定方法であって、
前記セットアップレシピ工程では、前記第1監視対象物を前記第1停止位置、および、前記第1停止位置とは異なる第2停止位置に順次に移動させ、
前記設定工程では、前記セットアップ撮像工程において取得され、前記第2停止位置で停止する前記第1監視対象物を含む第2画像データと、前記第1参照画像データとに基づいて、前記第2画像データ内における前記第1監視対象物の位置を検出し、当該位置を前記第2停止位置に関する適正位置として設定する、基板処理監視に用いる設定情報の設定方法。 - 請求項1から請求項5のいずれか一つに記載の基板処理監視に用いる設定情報の設定方法であって、
前記セットアップレシピ工程では、前記基板処理装置内の前記第1監視対象物とは異なる第2監視対象物を第3停止位置に移動させ、
前記設定工程では、前記セットアップ撮像工程において取得され、前記第3停止位置で停止する前記第2監視対象物を含む第3画像データと、前記第2監視対象物の少なくとも一部を示す第2参照画像データとに基づいて、前記第3画像データ内における前記第2監視対象物の位置を検出し、当該位置を前記第2監視対象物の前記第3停止位置に関する適正位置として設定する、基板処理監視に用いる設定情報の設定方法。 - 請求項1から請求項6のいずれか一つに記載の基板処理監視に用いる設定情報の設定方法を行うセットアップ工程と、
基板処理装置内の基板保持部が基板を保持する保持工程と、
前記基板保持部が前記基板を保持した状態で前記移動機構を制御して、前記第1監視対象物を前記第1停止位置に移動させる処理レシピ工程と、
前記処理レシピ工程と並行して、前記カメラが前記第1監視対象物を撮像する処理撮像工程と、
前記処理撮像工程において前記カメラによって取得され、前記第1停止位置で停止した前記第1監視対象物を含む第4画像データと、前記第1参照画像データとに基づいて、前記第4画像データ内における前記第1監視対象物の位置を検出し、当該位置の適否を、前記第1停止位置に関する前記適正位置に基づいて判断する位置監視工程と、
を備える、基板処理装置の監視方法。 - 基板に対する処理を行う基板処理装置であって、
チャンバーと、
チャンバー内の監視対象物を所定の停止位置に移動させる移動機構と、
前記監視対象物を含む領域を撮像して画像データを取得するカメラと、
前記監視対象物の少なくとも一部を示す参照画像データが記憶された記憶媒体と、
前記カメラによって取得され、前記停止位置で停止した前記監視対象物を含む前記画像データと、前記参照画像データとに基づいて、前記画像データ内における前記監視対象物の位置を検出し、当該位置を前記停止位置に関する適正位置として設定する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記カメラによって順次に取得される複数の画像データのうち、前記停止位置で停止した前記監視対象物を含む前記画像データを、前記移動機構へ制御信号が出力された時刻と、前記複数の画像データの取得時刻とに基づいて特定する、基板処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020112878A JP7441131B2 (ja) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 基板処理監視に用いる設定情報の設定方法、基板処理装置の監視方法および基板処理装置 |
KR1020227044196A KR20230012578A (ko) | 2020-06-30 | 2021-06-04 | 기판 처리 감시에 이용하는 설정 정보의 설정 방법, 기판 처리 장치의 감시 방법 및 기판 처리 장치 |
CN202180043923.3A CN115769344A (zh) | 2020-06-30 | 2021-06-04 | 用于基板处理监视的设定信息的设定方法、基板处理装置的监视方法以及基板处理装置 |
PCT/JP2021/021368 WO2022004276A1 (ja) | 2020-06-30 | 2021-06-04 | 基板処理監視に用いる設定情報の設定方法、基板処理装置の監視方法および基板処理装置 |
TW110121616A TWI806072B (zh) | 2020-06-30 | 2021-06-15 | 用於基板處理監視的設定資訊之設定方法、基板處理裝置之監視方法及基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020112878A JP7441131B2 (ja) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 基板処理監視に用いる設定情報の設定方法、基板処理装置の監視方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022011620A JP2022011620A (ja) | 2022-01-17 |
JP7441131B2 true JP7441131B2 (ja) | 2024-02-29 |
Family
ID=79315983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020112878A Active JP7441131B2 (ja) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 基板処理監視に用いる設定情報の設定方法、基板処理装置の監視方法および基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7441131B2 (ja) |
KR (1) | KR20230012578A (ja) |
CN (1) | CN115769344A (ja) |
TW (1) | TWI806072B (ja) |
WO (1) | WO2022004276A1 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018028496A (ja) | 2016-08-19 | 2018-02-22 | 株式会社Screenホールディングス | 変位検出装置、変位検出方法および基板処理装置 |
JP2020031103A (ja) | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3731995B2 (ja) * | 1997-12-04 | 2006-01-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5045218B2 (ja) | 2006-10-25 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
-
2020
- 2020-06-30 JP JP2020112878A patent/JP7441131B2/ja active Active
-
2021
- 2021-06-04 CN CN202180043923.3A patent/CN115769344A/zh active Pending
- 2021-06-04 KR KR1020227044196A patent/KR20230012578A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-06-04 WO PCT/JP2021/021368 patent/WO2022004276A1/ja active Application Filing
- 2021-06-15 TW TW110121616A patent/TWI806072B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018028496A (ja) | 2016-08-19 | 2018-02-22 | 株式会社Screenホールディングス | 変位検出装置、変位検出方法および基板処理装置 |
JP2020031103A (ja) | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI806072B (zh) | 2023-06-21 |
WO2022004276A1 (ja) | 2022-01-06 |
CN115769344A (zh) | 2023-03-07 |
TW202205492A (zh) | 2022-02-01 |
KR20230012578A (ko) | 2023-01-26 |
JP2022011620A (ja) | 2022-01-17 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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