KR20170113099A - 기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20170113099A
KR20170113099A KR1020170029944A KR20170029944A KR20170113099A KR 20170113099 A KR20170113099 A KR 20170113099A KR 1020170029944 A KR1020170029944 A KR 1020170029944A KR 20170029944 A KR20170029944 A KR 20170029944A KR 20170113099 A KR20170113099 A KR 20170113099A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
processing
film
substrate
measurement
Prior art date
Application number
KR1020170029944A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102351528B1 (ko
Inventor
요시후미 아마노
사토시 모리타
료지 이케베
이사무 미야모토
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20170113099A publication Critical patent/KR20170113099A/ko
Priority to KR1020220003982A priority Critical patent/KR102534576B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102351528B1 publication Critical patent/KR102351528B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

기판의 주연부의 막 제거에 관한 정보를 관리함으로써, 기판 처리 장치를 장기적으로 안정되게 운용할 수 있다. 기판 처리 레시피에 기초하여 처리된 기판의 주연부를 상기 촬상부(270)에 의해 촬상함으로써 얻어진 촬상 화상에 기초하여, 상기 막의 제거 폭을 측정하는 측정 처리 공정(S103)과, 상기 막의 제거 폭의 설정값과, 상기 측정 처리 공정에 의해 측정된 막의 제거 폭의 측정값과, 상기 측정 결과를 얻은 시각 정보를 관련시킨 관리 리스트를 작성하는 작성 공정(S602)과, 상기 작성된 관리 리스트에 기초하여 기판 처리의 상태를 분석하는 분석 공정(S603, S606)과, 상기 분석 공정에 의한 분석 결과에 따라, 사용자에 대하여 정해진 알림을 행하는 알림 공정(S605, S608, S609)을 구비한다.

Description

기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템 {MANAGEMENT METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
매엽식의 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템이 알려져 있다. 이런 종류의 시스템으로서, 기판의 표면에 막이 형성된 기판을 유지하여 연직축 둘레로 회전시키고, 노즐로부터 기판의 주연부로 처리액을 공급하여, 주연부의 막을 제거하는 기능을 구비하는 기판 처리 장치를 구비하는 것이 있다. 특허 문헌 1에서는, 기판 처리 시스템 내에 촬상 기구를 설치하여 기판 처리 장치에 의해 처리된 기판의 주연부를 촬상하고, 촬상된 화상에 기초하여 주연부의 막이 적절하게 제거되어 있는지를 판단하도록 하고 있다.
일본특허공개공보 2013-168429호
그러나 특허 문헌 1의 기술에서는, 1 회의 메인터넌스 작업에 있어서의 막 제거의 판단의 방법을 개시하는데 지나지 않고, 기판 처리 장치를 장기적으로 운용해 감에 있어서의 관리 방법은 개시하고 있지 않다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판의 주연부의 막 제거에 관한 정보를 관리함으로써, 기판 처리 장치를 장기적으로 안정되게 운용해 갈 수 있도록 한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 기판 처리 장치의 관리 방법은, 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와, 기판의 주연부의 막을 제거하기 위한 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 기판의 주연부를 촬상하는 촬상부를 구비하는 기판 처리 장치의 관리 방법으로서, 상기 막의 제거 폭의 설정값을 포함하는 기판 처리 레시피를 취득하는 레시피 취득 공정과, 상기 기판 처리 레시피에 기초하여 처리된 기판의 주연부를 상기 촬상부에 의해 촬상함으로써 얻어진 촬상 화상에 기초하여, 상기 막의 제거 폭을 측정하는 측정 처리 공정과, 상기 막의 제거 폭의 설정값과, 상기 측정 처리 공정에 의해 측정된 막의 제거 폭의 측정값과, 상기 측정 결과를 얻은 시각 정보를 관련시킨 관리 리스트를 작성하는 작성 공정과, 상기 작성된 관리 리스트에 기초하여 기판 처리의 상태를 분석하는 분석 공정과, 상기 분석 공정에 의한 분석 결과에 따라, 사용자에 대하여 정해진 알림을 행하는 알림 공정을 구비한다.
본 발명은 기판의 주연부의 막 제거에 관한 정보를 관리함으로써, 기판 처리 장치를 장기적으로 안정되게 운용할 수 있다고 하는 효과가 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도이다.
도 2는 본 발명의 실시의 형태에 따른 처리 유닛의 종단 측면도이다.
도 3은 처리 유닛의 커버 부재, 그 승강 기구 및 처리액 공급부를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 2의 우측의 웨이퍼의 외주연 부근의 영역을 확대하여 상세히 나타내는 단면도이다.
도 5는 촬상 장치의 상세한 구성을 나타내는 단면도이다.
도 6은 실시 형태에 따른 측정 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도이다.
도 7은 제 1 실시 형태에 있어서 기판 처리 시스템 및 측정 처리 시스템에 의해 실행되는 기판 처리 및 측정 처리의 전체 플로우를 나타내는 도이다.
도 8은 본 실시 형태에 있어서의 전체 플로우의 약액 처리를 구체적으로 설명하는 도이다.
도 9는 본 실시 형태의 약액 처리에 있어서의 웨이퍼(W) 상의 액 상태와 촬상 장치의 배치의 관계에 대하여 설명하는 도이다.
도 10은 촬상 장치의 웨이퍼(W)에 대한 촬상 화각(畵角)을 나타내는 도이다.
도 11은 촬상 장치, 처리 유닛 및 웨이퍼(W)의 배치 관계를 설명하는 도이다.
도 12는 컷 폭 및 편심량의 측정 동작에 대하여 설명하기 위한 순서도이다.
도 13은 제 2 촬상 조건에 의해 촬상된 제 2 촬상 화상의 모식도이다.
도 14는 제 1 촬상 조건에 의해 촬상된 제 1 촬상 화상의 모식도이다.
도 15는 유지부에 대한 웨이퍼(W)의 편심의 상태에 대하여 설명한다.
도 16은 웨이퍼(W)의 회전 각도에 대한 컷 폭의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 17은 표시 장치에 표시되는 측정 결과 정보를 나타내는 표시 화면 일례를 나타내는 도이다.
도 18은 유지 위치 조정 기구의 구성을 설명하는 도이다.
도 19는 제 2 실시 형태에 있어서의 전체 플로우를 설명하는 도이다.
도 20은 제 2 실시 형태에 있어서의 유지 위치 조정 처리를 설명하는 순서도이다.
도 21은 유지 위치 조정 기구의 동작을 설명하는 도이다.
도 22는 화상 처리 레시피를 설명하기 위한 도이다.
도 23은 제 3 실시 형태에 있어서의 촬상 설정 처리를 설명하는 순서도이다.
도 24는 측정 처리 결과의 정보 리스트를 나타내는 도이다.
도 25는 측정 처리 결과의 분석 및 활용 방법을 설명하는 도이다.
도 26은 제 4 실시 형태에 있어서의 전체 플로우를 설명하는 도이다.
도 27은 제 4 실시 형태에 있어서의 측정 결과의 분석 처리를 설명하는 순서도이다.
도 28은 제 5 실시 형태에 있어서의 처리 유닛의 커버 부재, 그 승강 기구 및 처리액 공급부를 나타내는 평면도이다.
도 29는 촬상 장치와 웨이퍼(W) 및 그 위의 액의 위치 관계에 대하여 설명하는 도이다.
도 30은 촬상 영역에 있어서의 촬상 장치, 처리 유닛 및 웨이퍼(W)의 배치 관계와 약액 또는 린스액의 액 놓임 상태를 설명하는 도이다.
도 31은 제 5 실시 형태에 있어서의 촬영을 수반하는 약액 처리를 설명하는 순서도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 실시 형태를 상세하게 설명한다.
본 실시 형태에서는, 주로 기판 처리 시스템의 구성, 측정 처리 시스템의 구성 및 그들의 동작에 대하여 설명한다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입반출 스테이션(2)은 캐리어 배치부(11)와 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는 복수 매의 기판, 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은 반송부(15)와 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.
반송부(15)는 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선 반입반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출된 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.
이어서 본 실시 형태의 처리 유닛(16)의 상세한 구성에 대하여 설명한다. 처리 유닛(16)은, 본 발명의 기판 처리 장치에 대응하고, 반도체 장치가 형성되는 원형의 기판인 웨이퍼(W)의 표면에 약액을 공급하여, 당해 웨이퍼(W)의 주연부에 형성된 불필요한 막을 제거하는 기판 처리가 행해진다.
도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)를 수평 자세로 연직축 둘레로 회전 가능하게 유지하는 웨이퍼 유지부(210)와, 웨이퍼 유지부(210)에 유지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸고 웨이퍼(W)로부터 비산한 처리액을 받는 컵체(220)와, 웨이퍼 유지부(210)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면의 주연부를 덮는 링 형상의 커버 부재(230)와, 커버 부재(230)를 승강시키는 승강 기구(이동 기구)(240)와, 웨이퍼 유지부(210)에 유지된 웨이퍼(W)에 처리 유체를 공급하는 처리액 공급부(250A, 250B)를 구비하고 있다.
상술한 처리 유닛(16)의 구성 부재인, 컵체(220), 웨이퍼 유지부(210), 커버 부재(230) 등은 하나의 하우징(260) 내에 수용되어 있다. 하우징(260)의 천장부 부근에는 외부로부터 청정 공기를 도입하는 청정 공기 도입 유닛(261)이 마련되어 있다. 또한, 하우징(260)의 바닥면 근방에는 하우징(260) 내의 분위기를 배기하는 배기구(262)가 마련되어 있다. 이에 의해, 하우징(260) 내에 하우징(260)의 상부로부터 하부를 향해 흐르는 청정 공기의 다운 플로우가 형성된다. 하우징(260)의 하나의 측벽에는 셔터(263)에 의해 개폐되는 반입반출구(264)가 마련되어 있다. 하우징(260)의 외부에 마련된 도시하지 않은 웨이퍼 반송 기구의 반송 암이, 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 반입반출구(264)를 통과할 수 있다. 웨이퍼 유지부(210)는 원판 형상의 진공 척으로서 구성되어 있고, 그 상면이 웨이퍼 흡착면으로 되어 있다. 웨이퍼 유지부(210)는 미도시의 회전 구동 기구에 의해, 원하는 속도로 회전시킬 수 있다. 웨이퍼 유지부(210)는 본 발명의 회전 유지부에 대응한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 컵체(220)는 웨이퍼 유지부(210)의 외주를 둘러싸도록 마련된, 바닥이 있는 원환(圓環) 형상의 부재이다. 컵체(220)는, 웨이퍼(W)에 공급된 후에 웨이퍼(W)의 외방으로 비산하는 약액을 받아 회수하고, 외부로 배출하는 역할을 가진다.
웨이퍼 유지부(210)에 의해 유지된 웨이퍼(W)의 하면과 이 웨이퍼(W)의 하면에 대향하는 컵체(220)의 내주측 부분(211)의 상면(212)과의 사이에는, 작은(예를 들면 2 ~ 3 mm 정도의 높이의) 극간이 형성된다. 웨이퍼(W)에 대향하는 상면(212)에는 2 개의 가스 토출구(213, 214)가 개구되어 있다. 이들 2 개의 가스 토출구(213, 214)는 동심의 대경(大徑)의 원주 및 소경(小徑)의 원주를 따라 각각 연속적으로 연장되어 있고, 반경 방향 외향으로, 또한 기울기 상방향으로, 웨이퍼(W)의 하면을 향해 N2 가스(가열된 질소 가스)를 토출한다. 컵체(220)의 내주측 부분(211) 내에 형성된 미도시의 가스 도입 라인으로부터 원환 형상의 가스 확산 공간(215)에 N2 가스가 공급되고, N2 가스는 가스 확산 공간(215) 내에서 가열되면서 원주 방향으로 확산되면서 흘러, 가스 토출구(213, 214)로부터 토출된다.
컵체(220)의 외주측에는 배액로(216)와 배기로(217)가 접속되어 있다. 컵체(220)의 내주측 부분(211)의 외주부(웨이퍼(W)의 주연의 하방의 위치)로부터 반경 방향 외측을 향해 환상의 안내판(218)이 연장되어 있다. 또한 컵체(220)의 외주측에는, 외주벽(219)이 마련되어 있다. 외주벽(219)은, 그 내주면에 의해, 웨이퍼(W)로부터 외방으로 비산하는 유체(액적, 가스 및 이들의 혼합물 등)를 받아 하방을 향해 안내한다. 안내판(218)보다 하방으로 유입된 가스 및 액적의 혼합 유체는 각각 분리되어, 액적은 배액로(216)로부터 배출되고, 가스는 배기로(217)로부터 배출된다.
커버 부재(230)는, 처리가 실행될 때, 웨이퍼 유지부(210)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면 주연부와 대향하도록 배치되는 링 형상의 부재이다. 커버 부재(230)는 웨이퍼(W)의 상면 주연부의 근방을 흘러 컵체(220) 내로 인입되는 기체를 정류하고 또한 기체의 유속을 증대시켜, 웨이퍼(W)로부터 비산한 처리액이 웨이퍼(W)의 상면에 재차 부착하는 것을 방지한다.
커버 부재(230)는 내주면(231)을 가지고 있고, 내주면(231)은 상방으로부터 하방을 향해 연직 방향으로 연장되고, 웨이퍼(W)에 근접함에 따라 반경 방향 외측을 향하도록 경사져 있다. 또한, 커버 부재(230)는 웨이퍼(W)에 대향하는 수평인 하면(232)을 가지고, 수평인 하면(232)과 웨이퍼(W)의 상면과의 사이에, 연직 방향의 극간이 형성되어 있다. 커버 부재(230)의 외주연은 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(엣지)(We)보다 반경 방향 외측에 위치하고 있다(도 3 참조). 또한 세정의 대상이 되는 주연부는, 예를 들면 외주 가장자리로부터의 반경 방향 내측의 약 3 mm의 영역이며, 커버 부재(230)의 수평인 하면으로 덮이는 범위이다.
웨이퍼 유지부(210)에 웨이퍼(W)가 유지되고, 또한 커버 부재(230)가 처리 위치에 위치했을 때의 상태가 평면도인 도 3에 나타나 있다. 도 3에 있어서, 커버 부재(230)로 덮여 감추어져 있는 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)가 일점 쇄선으로 나타나 있다. 또한, 커버 부재(230)의 내주연은 부호(5e)로 나타나 있다.
도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 커버 부재(230)를 승강시키는 승강 기구(240)는, 커버 부재(230)를 지지하는 지지체(233)에 장착된 복수(본 예에서는 4 개)의 슬라이더(241)와, 각 슬라이더(241)를 관통하여 연직 방향으로 연장되는 가이드 지주(支柱)(242)를 가지고 있다. 각 슬라이더(241)에는 실린더 모터(미도시)가 연결되어 있고, 실린더 모터를 구동함으로써 슬라이더(241)가 가이드 지주(242)를 따라 상하 이동하고, 이에 의해 커버 부재(230)를 승강시킬 수 있다. 컵체(220)는 컵 승강 기구(미도시)의 일부를 이루는 리프터(243)에 지지되어 있고, 리프터(243)를 도 2에 나타내는 상태로부터 하강시키면, 컵체(220)가 하강하여, 도 1에서 나타낸 기판 반송 장치(17)와 웨이퍼 유지부(210) 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달이 가능해진다.
이어서, 도 2, 도 3 및 도 4를 참조하여, 처리액 공급부(250A, 250B)에 대하여 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 처리액 공급부(250A)는 암모니아, 과산화수소 및 순수의 혼합 용액인 SC-1액을 토출하는 약액 노즐(251)과, 린스액(본 예에서는 DIW(순수))을 토출하는 린스 노즐(252)을 가진다. 또한, 처리액 공급부(250A)는 건조용 가스(본 예에서는 N2 가스)를 토출하는 가스 노즐(253)을 가진다. 처리액 공급부(250B)는, HF액을 토출하는 약액 노즐(254)과, 린스액을 토출하는 린스 노즐(255)을 가지고, 또한 건조용 가스를 토출하는 가스 노즐(256)을 가진다.
처리액 공급부(250A)는 본 발명의 제 1 처리액 공급부에 대응하고, 약액 노즐(251) 및 린스 노즐(252)로부터 토출되는 액은 본 발명의 제 1 처리액에 대응한다. 또한, 처리액 공급부(250B)는 본 발명의 제 2 처리액 공급부에 대응하고, 약액 노즐(254) 및 린스 노즐(255)로부터 토출되는 액은 본 발명의 제 2 처리액에 대응한다. 또한, 제 1 처리액 및 제 2 처리액의 종류는 본 실시 형태에 개시된 것에 한정되지 않고, 제 1 처리액 공급부와 제 2 처리액 공급부의 위치 관계는 반대여도 된다.
도 3 및 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 처리액 공급부(250A)의 노즐(251 ~ 253)은, 커버 부재(230)의 내주면에 형성된 오목부(234)에 수용되어 있다. 각 노즐(251~253)은, 도 4의 (b)에서 화살표(A)로 나타내는 바와 같이, 기울기 하방을 향해, 또한 화살표(A)로 나타내는 토출 방향이 웨이퍼(W)의 회전 방향(Rw)의 성분을 가지도록 처리 유체를 토출한다. 또한, 처리액 공급부(250A)는 미도시의 구동 기구를 구비하고 있고, 액 토출에 있어 최적인 웨이퍼(W) 상의 위치에 액이 착액하도록, 각 노즐(251~253)은 화살표(B)의 방향으로 진퇴하여 위치 조정할 수 있도록 되어 있다. 처리액 공급부(250B)도 처리액 공급부(250A)와 동일한 구성을 가진다.
도 2에 나타낸 제어 장치(4)는, 처리 유닛(16)의 모든 기능 부품(예를 들면, 미도시의 회전 구동 기구, 승강 기구(240), 웨이퍼 유지부(210), 각종 처리 유체 공급 기구 등)의 동작을 제어한다.
촬상 장치(270)는 본 발명의 촬상부에 대응하고, 후술하는 웨이퍼(W)에 관한 측정 처리 등을 행하기 위한 것이다. 촬상 장치(270)는 커버 부재(230)에 고정되어 있고, 촬상을 행하기 위한 개구가 웨이퍼(W)의 주연부의 연직 상방(Z축 방향)에 위치하도록 배치되어 있다.
본 실시 형태에 있어서의 촬상 장치(270)의 구성에 대하여, 도 5에 나타내는 단면도를 이용하여 설명한다. 촬상 장치(270)는 촬상 기능부(501)와 광 가이드부(502)로 구성된다. 촬상 기능부(501)는 광 가이드부(502)를 통하여 웨이퍼(W)를 촬상하기 위한 것이다. 광 가이드부(502)는 조명광을 웨이퍼(W)의 표면으로 유도하고, 또한 웨이퍼(W)의 조명광에 대한 반사광(이하, 광학상이라고 함)을 촬상 기능부(501)로 유도하기 위한 것이다. 광 가이드부(502)는 커버 부재(230)의 측면에 장착면(AA)을 개재하여 장착되어 있다. 커버 부재(230)는 도 2에 나타낸 단면 형상을 가지고 있지만, 광 가이드부(502)의 장착면(AA)에 상당하는 원주 방향의 영역은 노치되어 있다. 단, 커버 부재(230)와 광 가이드부(502)를 합친 전체의 단면 형상의 윤곽은, 도 2에 나타낸 커버 부재(230)의 단면 형상의 윤곽과 일치하도록 형성되어 있다.
촬상 기능부(501)는 촬상 센서(503)를 구비하고 있다. 본 실시 형태에 있어서, 촬상 센서(503)는 1600 화소 × 1200 라인으로 이루어지는 약 200 만 화소의 유효 화소 영역을 구비한 CCD 센서이며, 수광 레벨을 따라 휘도 신호에 대응하는 신호만 생성한다. 촬상 센서(503)의 표면 전방에는 적어도 초점 조정의 기능을 가지는 촬상 광학 기구(504)가 구비되어 있다. 촬상 광학 기구(504)는 렌즈군을 포함하고, 초점 조정을 위하여 렌즈의 위치를 변화시킬 수 있다. 본 실시 형태에서는, 사용자가 직접적으로 수동으로 렌즈 위치를 조정하여 초점 조정하기 위한 조정 부재(505)가 마련되어 있다. 조정 부재(505)는 커버 부재(230) 및 촬상 기능부(501)보다 높은 위치에 마련되어 있으므로, 장치의 사용자는 용이하게 수동 조작할 수 있다.
촬상 광학 기구(504)의 광축 방향의 전방에는 미러(506)가 마련되어 있다. 촬상 장치(270)는 웨이퍼(W)의 연직 상방(Z축 방향)을 향한 개구를 마련하고 있으므로, 촬상 대상물이 되는 웨이퍼(W)의 표면의 광학상은 연직 상방향(LZ)을 향하게 된다. 미러(506)는 광학상의 방향을 수평 방향(LX)으로 변환하고, 촬상 센서(503) 및 촬상 광학 기구(504)의 광축과 일치시킨다.
조명실(507)은, 웨이퍼(W)에의 조사광을 형성시키기 위한 것이며, 그 내부에 LED 조명부(508)와 미러(509)가 마련되어 있다. LED 조명부(508)는 웨이퍼(W)를 비추기 위한 조사광을 발생시킨다. 미러(509)는 LED 조명부(508)로부터의 조사광을 연직 하향으로 반사시키고, 한편, LZ 방향의 광학상을 투과시킨다. 개구(510)는 직사각형의 단면 형상을 가지고 있고, 조명실(507)의 미러(509)를 반사한 조사광을 하방향으로 유도하는 것이다. 또한, 개구(510)의 단면은 원형으로 형성해도 된다.
글라스창(511)은, 상단에서 개구(510)와 동일한 단면 형상을 가지고 있고, 개구(510)로부터 입사한 조사광을 촬영 대상인 웨이퍼(W)의 표면으로 유도한다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면으로부터의 반사광을 광학상으로서 LZ 방향으로 유도한다. 글라스창(511)의 하면(512)은 촬상 장치(270)의 하단으로서, 웨이퍼(W)의 상면의 주연부에 대향한 평면을 가지고 있고, 이 평면은 도 2의 커버 부재(230)의 하면(232)과 동일한 높이로 되어 있다. 또한 상술한 바와 같이, 커버 부재(230)의 형상과 일치시키기 위하여, 글라스창(511)의 외측 측면(513)은 커버 부재(230)의 외측 저면의 높이에서 그 상방보다 오목하다. 이 때문에, 글라스창(511)은 전체적으로 단면으로 봤을 때 L 자 형상이 되도록 형성되어 있다.
처리액 공급부(250A, 250B)가 약액 또는 린스액을 웨이퍼(W)로 공급하고 있을 때, 약액 또는 수분을 포함한 분위기가 촬상 장치(270)의 개구(510)의 하방 영역을 통과한다. 글라스창(511)은, 이러한 분위기가 촬상 장치(270)의 하우징 내에 진입하여 내부 구조가 부식되는 것을 방지하기 위하여, 분위기가 개구(510)로 진입하는 것을 차단하는 기능을 가지고 있다. 글라스창(511)은 투명한 부재이므로, 분위기는 차단하지만, 조사광 또는 웨이퍼 표면으로부터의 반사광은 통과시킨다.
내측 커버 부재(514)는 글라스창(511)에 액이 덮이는 것을 방지하는 것이며, 도 2에서 나타낸 커버 부재(230)의 내주면(231)과 동일한 형상을 가지고 있다. 이와 같이, 글라스창(511)의 하면(512), 외측 측면(513), 내측 커버 부재(514)에 의해, 커버 부재(230)의 단면과 동일한 윤곽 형상을 형성함으로써, 약액 처리 또는 린스 처리를 행하고 있을 때의 커버 부재(230)로부터 컵체(220)로 통과하고자 하는 기류가, 촬상 장치(270)의 형상에 기인하여 흐트러지는 것을 억제한다.
촬상 기능부(501)에서, 촬상 제어부(515)는 촬상 장치(270)의 촬상 동작의 제어 및 촬상 화상에 대한 화상 처리 등을 행한다. 촬상 센서(503)로 수광된 광학상은 광전 변환되고, 휘도 신호에 대응하는 아날로그 신호로 변환된 후, 촬상 제어부(515)로 보내진다. 촬상 제어부(515)는 수신한 아날로그 신호를 A/D 변환하여 휘도를 나타내는 디지털 신호를 생성하고, 정해진 화상 처리를 행하여 1 프레임의 촬상 화상을 형성한다. 또한 촬상 제어부(515)는 정지 화면 프레임을 연속적으로 취득함으로써 동영상을 형성할 수도 있다. 케이블(516)은 외부 장치와 제어 신호의 교환을 행하고, 또한 촬상 화상을 외부 장치에 대하여 송신한다.
본 실시 형태에 있어서의 측정 처리 시스템(600)에 대하여, 도 6을 이용하여 설명한다. 본 시스템은 촬상 장치(270), 측정 처리 장치(601), 정보 처리 장치(602), 제어 장치(4)로 구성되어 있다.
촬상 장치(270)는, 도 5를 이용하여 설명한 바와 같이, 촬상 센서(503), 촬상 광학 기구(504), LED 조명부(508) 및 촬상 제어부(515), 케이블(516) 등을 가지고 있다. 후술하는 바와 같이, 촬상 제어부(515)는 케이블(516)을 통하여 측정 처리 장치(601)로부터 수신한 제어 신호에 기초하여 촬상 조건을 변경하여 촬상시킬 수 있다.
측정 처리 장치(601)는, 촬상 장치(270)에 의해 얻어진 촬상 화상을 처리하여, 후술하는 컷 폭 및 편심량 등을 측정하는 장치이다. 측정 처리 장치(601)는 그 하우징 내에 제어부(603), 기억부(604)를 적어도 가진다.
제어부(603)는 측정 처리 장치(601)의 각 블록을 제어하고, 또한 촬상 장치(270)의 동작을 제어한다. 또한, 후술하는 측정 처리 프로그램을 실행함으로써, 컷 폭 또는 편심량에 관한 연산을 행한다. 기억부(604)는 제어부(603)가 실행하는 후술하는 측정 처리 프로그램 및 후술하는 화상 처리 레시피를 기억한다. 또한, 촬상 장치(270)로부터 케이블(516)을 통하여 수신한 촬상 화상을 일시적으로 기억하고, 제어부(603)가 산출한 측정 결과를 기억한다. 측정 처리 장치(601)는 통신선(605)을 통하여 정보 처리 장치(602) 및 제어 장치(4)와의 사이에서의 각종 정보의 송수신이 가능하다.
정보 처리 장치(602)는 측정 처리 장치(601)로부터 보내져 온 촬상 화상 및 측정 결과를 축적하고, 또한 그들의 정보를 제어 장치(4)에 대하여 송신할 수 있다. 정보 처리 장치(602)는 그 하우징 내에, 제어부(606), 기억부(607)를 적어도 가진다. 제어부(606)는 정보 처리 장치(602)의 각 블록을 제어하고, 또한 측정 처리 장치(601)에 대해서도 각종 지령을 송신할 수 있다. 또한, 측정 결과를 분석하는 기능도 가진다. 기억부(607)는 측정 처리 장치(601)로부터 보내져 온 촬상 화상 및 측정 결과를 축적한다. 정보 처리 장치(602)는 통신선(605)을 통하여 측정 처리 장치(601) 및 제어 장치(4)와의 사이에서 각종 정보의 송수신이 가능하다.
제어 장치(4)는, 도 1에 나타낸 바와 같이 기판 처리 시스템(1)의 전체를 제어하는 것이며, 측정 처리 장치(601) 및 정보 처리 장치(602)와 제휴한 동작도 가능하다. 제어 장치(4)는 통신선(605)을 통하여 측정 처리 장치(601) 및 정보 처리 장치(602)와의 사이에서 각종 정보의 송수신이 가능하다. 또한, 제어 장치(4)에는 조작 장치(608)와 표시 장치(609)가 접속되어 있다. 표시 장치(609)는 정보 처리 장치(602)로부터 수신한 촬상 화상 및 결과 화상의 표시를 행한다. 조작 장치(608)는 예를 들면 키보드, 마우스, 터치 패널 등의 입력 디바이스를 포함하고, 측정 처리의 대상이 되는 웨이퍼(W)에 실시해야 할 처리를 기술한 웨이퍼 처리 레시피의 선택을 행할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서, 측정 처리 시스템(600)을 구성하는 각 장치는 기판 처리 시스템(1)의 하우징 내부에 수용되어 있다. 단, 이 예에 한정되지 않고, 하나 또는 복수의 장치를 다른 하우징으로 구성하고, 통신선(605)을 유선 또는 무선의 네트워크로 구성해도 된다. 일례로서, 정보 처리 장치(602)를 기판 처리 시스템(1)과는 다른 하우징으로 구성하고, 원격으로 기판 처리 시스템(1)을 관리할 수 있도록 시스템을 구성할 수도 있다.
이어서, 도 7을 이용하여, 본 실시 형태의 기판 처리 시스템(1) 및 측정 처리 시스템(600)에 의해 실행되는 기판 처리 및 측정 처리의 전체 플로우를 설명한다. 이 처리 동작은 25 매의 웨이퍼(W)를 1 세트로서 실행되고, 본 순서도는 1 세트 내의 1 매의 웨이퍼(W)의 처리 동작을 나타내는 것이다.
우선, 처리 유닛(16)에의 웨이퍼(W)의 반입이 행해진다(S101). 여기서는, 승강 기구(240)에 의해 커버 부재(230)를 퇴피 위치(도 2보다 상방의 위치)에 위치시키고, 또한 컵 승강 기구의 리프터(243)에 의해 컵체(220)를 하강시킨다. 이어서, 하우징(260)의 셔터(263)를 열어 도 1에 나타낸 기판 반송 장치(17)의 반송 암을 하우징(260) 내로 진입시키고, 기판 반송 장치(17)의 반송 암에 의해 유지된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 유지부(210)의 직상(直上)에 위치시킨다. 이어서, 반송 암을 웨이퍼 유지부(210)의 상면보다 낮은 위치까지 강하시켜, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 유지부(210)의 상면에 배치한다. 이어서, 웨이퍼 유지부(210)에 의해 웨이퍼(W)를 흡착한다. 이 후, 빈 기판 반송 장치(17)를 하우징(260) 내로부터 퇴출시킨다. 이어서, 컵체(220)를 상승시켜 도 2에 나타내는 위치로 되돌리고, 또한 커버 부재(230)를 도 2에 나타내는 처리 위치까지 강하시킨다. 이상의 순서에 의해, 웨이퍼의 반입이 완료되고, 도 2에 나타내는 상태가 된다.
이어서, 약액 등을 이용하여 웨이퍼 처리가 행해진다(S102). 본 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 처리의 상세에 대해서는 후술한다.
이어서, 웨이퍼(W)에 대한 측정 처리가 행해진다(S103). 본 실시 형태에 있어서의 측정 처리의 상세에 대해서는 후술한다.
마지막으로, 처리 유닛(16)으로부터의 웨이퍼(W)의 반출이 행해진다(S104). 여기서는, 커버 부재(230)를 상승시켜 퇴피 위치에 위치시키고, 또한 컵체(220)를 하강시킨다. 이어서, 하우징(260)의 셔터(263)를 열어 기판 반송 장치(17)의 반송 암을 하우징(260) 내로 진입시키고, 빈 반송 암을 웨이퍼 유지부(210)에 유지된 웨이퍼(W)의 하방에 위치시킨 후 상승시키고, 웨이퍼(W)의 흡착을 정지한 상태의 웨이퍼 유지부(210)로부터 반송 암이 웨이퍼(W)를 수취한다. 이 후, 웨이퍼(W)를 유지한 반송 암이 하우징(260) 내로부터 퇴출된다. 이상에 의해, 1 매의 웨이퍼(W)에 대한 일련의 액 처리가 종료된다.
이어서, 본 실시 형태에 있어서의 단계(S102)에서 행해지는 웨이퍼 처리에 대하여, 도 8의 순서도를 이용하여 구체적으로 설명한다.
우선, 제 1 약액 처리가 행해진다(S201). 여기서는, 웨이퍼(W)를 회전시키고, 또한 컵체(220)의 가스 토출구(213, 214)로부터 N2 가스를 토출시키고, 웨이퍼(W), 특히 피처리 영역인 웨이퍼(W)의 주연부를 약액 처리에 적합한 온도(예를 들면 60℃ 정도)까지 가열한다. 웨이퍼(W)가 충분히 가열되면, 웨이퍼(W)를 회전시킨 채로 처리액 공급부(250A)의 약액 노즐(251)로부터 약액(SC-1)을 웨이퍼(W)의 상면(디바이스 형성면)의 주연부에 공급하여, 웨이퍼 상면 주연부에 있는 불필요한 막을 제거한다.
이어서, 제 1 린스 처리가 행해진다(S202). 여기서는, 정해진 시간 약액 처리를 행한 후, 약액 노즐(251)로부터의 약액의 토출을 정지하고, 처리액 공급부(250A)의 린스 노즐(252)로부터 린스액(DIW)을 웨이퍼(W)의 주연부에 공급하여, 린스 처리를 행한다. 이 린스 처리에 의해, 웨이퍼(W)의 상하면에 잔존하는 약액 및 반응 생성물 등이 씻겨내진다. 또한 여기서, 후술하는 단계(S205)와 동일한 건조 처리를 행해도 된다.
그리고, 제 2 약액 처리가 행해진다(S203). 여기서는, 제 1 약액 처리에서는 제거할 수 없는 불요물을 제거하기 위한, 웨이퍼(W)에 대한 약액 처리가 행해진다. 제 1 약액 처리와 마찬가지로 웨이퍼(W)를 회전시키고 또한 웨이퍼(W)를 가열하고, 처리액 공급부(250B)의 약액 노즐(254)로부터 약액(HF)을 웨이퍼(W)의 상면(디바이스 형성면)의 주연부에 공급하여, 웨이퍼 상면 주연부에 있는 불필요한 막을 제거한다.
이어서, 제 2 린스 처리가 행해진다(S204). 여기서는, 정해진 시간 약액 처리를 행한 후, 이어서 웨이퍼(W)의 회전 및 가스 토출구(213, 214)로부터의 N2 가스의 토출을 계속하고, 약액 노즐(254)로부터의 약액의 토출을 정지하고, 처리액 공급부(250B)의 린스 노즐(255)로부터 린스액(DIW)을 웨이퍼(W)의 주연부에 공급하여, 린스 처리를 행한다. 이 린스 처리에 의해, 웨이퍼(W)의 상하면에 잔존하는 약액 및 반응 생성물 등이 씻겨내진다.
마지막에 건조 처리가 행해진다(S205). 정해진 시간 린스 처리를 행한 후, 이어서 웨이퍼(W)의 회전 및 가스 토출구(213, 214)로부터의 N2 가스의 토출을 계속하고, 린스 노즐(255)로부터의 린스액의 토출을 정지하고, 가스 노즐(256)로부터 건조용 가스(N2 가스)를 웨이퍼(W)의 주연부에 공급하여, 건조 처리를 행한다.
이어서 도 9를 참조하여, 단계(S102)에서 행해지는 약액 처리에 있어서의 웨이퍼(W) 상의 액 상태와 촬상 장치(270)의 배치의 관계에 대하여 설명한다.
먼저, 단계(S201)에 있어서의, 제 1 약액(SC-1액)을 웨이퍼(W)를 향해 토출하는 제 1 약액 처리에 대하여 설명한다.
도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 제 1 회전 방향(R1)으로 회전시킨다. 회전수는 예를 들면 2000 ~ 3000 rpm으로 되어 있고, 약액 노즐(251)로부터 웨이퍼(W)의 상면의 주연부에 제 1 약액이 공급된다. 도 9의 (a)에 있어서, 웨이퍼(W)의 상면에 존재하는(놓여져 있는) 제 1 약액이 부호(901)로 나타내져 있다. 이와 같이, 제 1 회전 방향(R1)으로 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 주연부의 도달 영역(902)에 공급된 제 1 약액은 회전에 의한 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측으로 이동해 가고, 그리고 웨이퍼(W)로부터 털어내져 외방으로 비산한다. 웨이퍼(W)의 외방으로 비산한 제 1 약액은 컵체(220)의 외주벽(219)의 내주면을 거쳐 배액로(216)로부터 외부로 배출된다.
웨이퍼(W) 상에 있어서 제 1 약액이 웨이퍼(W)로부터 모두 털어내지는 위치(903)는 약액 노즐(251)로부터 토출되는 제 1 약액의 속도, 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 상술한 제 1 약액 도달 영역(902)으로부터 웨이퍼(W)의 측단부까지의 거리 등의 파라미터에 의존한다. 예를 들면, 회전수를 줄이면 원심력에 의해 약액이 털어내지기 어려워지므로, 점선으로 나타나는 바와 같이 약액이 존재하는 영역이 증가한다.
단계(S202)에 있어서의, 린스 노즐(252) 및 토출되어 웨이퍼(W) 상에 도달하는 린스액에 관해서도 마찬가지로 작용한다. 단, 린스 노즐(252)로부터의 린스액의 도달 영역은 제 1 약액의 도달 영역(902)과 대략 동일한 위치이지만, 약간 회전 방향 앞측 또한 웨이퍼(W)의 중심측으로 이동한 위치이다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 상면을 제 1 약액이 흐른 영역을 린스액에 의해 확실히 세정할 수 있다.
단계(S203)에 있어서의, 제 2 약액(HF)을 웨이퍼(W)를 향해 토출하는 제 2 약액 처리에 대하여 설명한다.
도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 제 1 회전 방향(R1)과는 반대인 제 2 회전 방향(R2)으로 회전시킨다. 회전수는 예를 들면 2000 ~ 3000 rpm으로 되어 있고, 약액 노즐(254)로부터 웨이퍼(W)의 상면의 주연부에 제 2 약액이 공급된다. 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상면에 존재하는(놓여져 있는) 제 2 약액이 부호(904)로 나타나 있고, 도달 영역(905)에 공급된 제 2 약액은 단계(S201)에 있어서의 제 1 약액과 동일한 양상을 나타낸다. 단계(S204)에 있어서의, 린스 노즐(255) 및 토출되어 웨이퍼(W) 상에 도달하는 린스액에 관해서도 린스 노즐(252)과 마찬가지로 작용한다.
이상과 같이, 단계(S201 및 S202)와 단계(S203 및 S204)에서 역회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 상면에 존재하는 제 1 약액(901) 및 제 2 약액(904)의 영역 및 모든 약액이 털어내지는 위치(903 및 906)를 조정할 수 있다. 여기서, 처리액 공급부(250A) 및 처리액 공급부(250B)와 웨이퍼(W)의 중심을 연결하여 이루어지는 각도가 “θX”, 도달 영역(902) 및 위치(903)와 웨이퍼(W)의 중심을 연결하여 이루어지는 각도가 “θA”, 도달 영역(905) 및 위치(906)와 웨이퍼(W)의 중심을 연결하여 이루어지는 각도가 “θB”로 한다(도 9의 (b) 참조). 이 때, 각 각도의 관계식으로서 θX + θA + θB < 360도가 되면 된다. 예를 들면, θX = 60도로 했을 때, θA < 120도, θB < 120도로 함으로써, 이 조건을 충족하고, 약액이 털어내지는 위치(903 및 906)가 원주 상에서 교차하지 않는다. 이와 같이, 웨이퍼(W) 상으로부터 털어내지는 처리액이, 컵체(220)의 내부에서 서로 섞여 반응하는 것에 따른 염의 발생 등을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 회전 방향(R1)에 관하여 웨이퍼(W)에 있어서의 제 1 약액 및 린스액의 도달 영역(902)보다 앞에 개구(510)를 위치시키고, 제 2 회전 방향(R2)에 관하여 웨이퍼(W)에 있어서의 제 2 약액 및 린스액의 도달 영역(905)보다 앞에 개구(510)를 위치시키고 있다. 이와 같이 촬상 장치(270)의 개구(510)를 배치함으로써, 약액 처리를 행하고 있을 때 개구(510)가 액으로 덮이는 것을 억제할 수 있다.
도 10은 촬상 장치(270)의 웨이퍼(W)에 대한 촬상 화각을 나타내는 도이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 촬상 장치(270)는 웨이퍼(W)의 주연에 위치하는 직사각형 영역을 촬상 화각(1001)으로 한다.
측정 처리 장치(601)는, 컷 폭 및 편심량의 측정을 위하여, 촬상 화각(1001)의 전체의 촬상 화상으로부터 절취된 화상을 이용한다. 구체적으로, 촬상 장치(270)의 화각(1001) 중, 웨이퍼(W)의 경계를 따라 위치 조정된, 1001a, 1001b, 1001c, 1001d, 및 1001e의 5 개의 영역의 절취된 촬상 화상을 이용한다. 절취된 촬상 화상의 사이즈는, 예를 들면 X축 방향 320 화소 × Y축 방향 240 화소이다. 또한 본 실시 형태에서는, 후술하는 바와 같이, 각각의 촬상 화각(1001)에 대하여, 제 1 촬상 조건 및 제 2 촬상 조건으로 각각 2 개의 촬상 화상을 취득한다.
도 11을 이용하여, 촬상 장치(270), 처리 유닛(16) 및 웨이퍼(W)의 배치 관계를 설명한다. 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)는 주연부에 라운드를 가지고, 상면에는 처리막이 형성되고, 그 주연부의 처리막만이 제거(컷)되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 직경은 300 mm이며, 원주 방향에 관하여 오차는 없는 것으로 한다.
촬상 장치(270)가 적절히 설치된 경우, 촬상 장치(270)의 종(X축) 방향의 촬상 화각은 내단(상단)이 웨이퍼(W)의 처리막 상에 있고, 외단(하단)이, 도 2에 나타낸 내주측 부분(211)의 상면(212) 상에 있다. 따라서, 촬상 장치(270)에 의한 촬상 화상에는, 화각 내단(상단)으로부터 차례로, 처리막 영역(1101), 컷면 영역(1102), 라운드 영역(1103), 상면 영역(1104)이 존재하게 된다. 여기서, 처리막 영역(1101)은, 형성된 처리막이 약액에 의해 제거되지 않고 그대로 남아 있는 영역이다. 컷면 영역(1102)은, 형성된 처리막이 제거된 영역 중, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리에 형성되어 있는 라운드를 포함하지 않는 평면의 영역이다. 라운드 영역(1103)은 처리막이 제거된 또는 처음부터 처리막이 형성되어 있지 않은 라운드의 영역이다. 상면 영역(1104)은 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리로부터 앞에 형성된 영역이다.
그리고 컷 폭은, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 있어서 처리막의 주연 가장자리와 웨이퍼(W)의 주연 가장자리와의 사이에 컷면 영역(1102)과 라운드 영역(1103)으로 형성되는 처리막이 존재하지 않는 영역(처리막이 제거된 또는 처음부터 처리막이 형성되어 있지 않은 영역)의 폭이다. 또한, 컷면 영역(1102)의 폭을 컷면 폭이라고 하고, 라운드 영역(1103)의 폭을 라운드 폭이라고 한다.
이어서, 단계(S103)에서 나타낸, 본 실시 형태의 각 장치가 제휴하여 행하는 컷 폭 및 편심량의 측정 동작에 대하여, 도 12의 순서도를 이용하여 설명한다. 본 순서도에 있어서의 측정 동작은, 측정 처리 장치(601)의 제어부(603)가 기억부(604)에 기억된 측정 처리 프로그램을 실행함으로써 달성된다.
전체 플로우가 단계(S103)로 이행했을 때, 촬상 장치(270), 처리 유닛(16) 및 웨이퍼(W)의 배치 관계는 이미 도 11에 나타내는 상태로 되어 있다.
우선, 측정 처리 장치(601)는, 촬상 장치(270)가 행해야 할 촬상 조건으로서, 이하에 나타내는 제 1 촬상 조건과 제 2 촬상 조건의 설정을 행한다(단계(S301)). 또한, 이 때, 웨이퍼(W)는 정해진 회전 초기 위치에 있다.
이어서, 웨이퍼(W)의 제 1 촬상 조건에서의 촬상이 행해진다(단계(S302)). 여기서는, 우선, 측정 처리 장치(601)의 제어부(603)는 촬상 장치(270)에 대하여 제 1 촬상 조건으로 촬상 동작을 행하도록 제어 지시를 송신한다. 제어 지시를 받은 촬상 제어부(515)는, 수신한 제어 지시에 따라, 제 1 촬상 조건으로 촬상하도록 촬상 센서(503) 및 LED 조명부(508)를 제어하고, 촬상시킨다. 촬상 제어부(515)는 촬상 센서(503)의 촬상에 의해 얻어진 신호를 1 프레임의 휘도 신호의 촬상 화상으로 변환하고, 측정 처리 장치(601)에 대하여 송신한다. 측정 처리 장치(601)로 전송된 촬상 화상은 기억부(604)에 기억된다. 여기서, 제 1 촬상 조건의 내용과 실제의 촬상 화상 상태에 대해서는 후술한다.
제 1 촬상 조건에 의한 촬상 후, 이어서 웨이퍼(W)의 제 2 촬상 조건에서의 촬상이 행해진다(단계(S303)). 여기서의 동작은 단계(S302)와 동일한 것이며, 그 제 2 촬상 조건의 내용과 실제의 촬상 화상 상태에 대해서는 후술한다.
이어서, 미리 설정해 둔 모든 위치에서의 촬상을 행했는지를 판정한다(S304). 본 실시 형태에서는, 단계(S302) 및 단계(S303)에서 촬상한 위치로부터 1도씩 회전시키면서 360 회의 촬상을 행하므로, 360 개의 위치에서 촬상을 행한 경우에만 판단 “Yes”가 이루어진다.
여기서는, 아직, 단계(S301)에서의 초기 설정의 위치에서만의 촬상을 행한 것 뿐이므로(단계(S304) : No), 단계(S305)의 회전 동작으로 이행한다.
제어 장치(4)는, 회전 구동부를 구동시켜 웨이퍼 유지부(210)를 회전시킴으로써, 유지되어 있는 웨이퍼(W)를 1도 회전시켜 촬상 장치(270)의 직하(直下)에 다음의 촬상 위치가 배치되도록 한다(S305).
회전 동작이 종료되면, 단계(S302)로 돌아와 동일한 촬상 동작 및 회전 동작을 행한다. 이상의 동작을 360 회 행하면, 모든 위치에서의 촬상을 행한 것이 되므로(단계(S304) : Yes), 단계(S306)로 이행하고, 360 세트의 제 1 촬상 화상 및 제 2 촬상 화상을 이용하여, 화상 해석 처리를 행한다(S306). 그리고 그 측정 결과로서, 컷 폭과 편심량을 얻는다(S307). 화상 해석 처리의 상세는 후술한다.
본 실시 형태에서는, 제어부(603)는 제 1 촬상 조건에 의한 제 1 촬상 화상, 제 2 촬상 조건에 의한 제 2 촬상 화상, 컷 폭을 정보 처리 장치(602)로 송신한다(S308). 정보 처리 장치(602)는 수취한 제 1 촬상 화상 및 제 2 촬상 화상을 기억부(607)에 기억한다.
이어서 단계(S302 ~ S306)에 있어서의 촬상 동작 및 화상 해석 처리의 상세에 대하여 설명한다.
본 실시 형태에서 측정하는 정보는 웨이퍼(W)의 컷 폭이다. 이 값은, 도 11의 관계를 참조하면, 각각, 이하의 산출식 (1) ~ (3)에 의해 산출할 수 있다.
· 컷 폭[mm] = 컷면 영역(1102)의 폭[mm] + 라운드 영역(1103)의 폭[mm] ··· 식 (1)
여기서,
· 컷면 영역(1102)의 폭[mm] = (컷면 경계(1110)의 위치[화소] - 처리막 경계(1109)의 위치[화소]) / 스케일링값[화소/mm] ··· 식 (2)
· 라운드 영역(1103)의 폭[mm] = (웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 위치[화소] - 컷면 경계(1110)의 위치[화소]) / 스케일링값[화소/mm] ··· 식 (3)
이상의 식 (1) ~ (3)에서, “위치[화소]”란, 절취한 화상의 내단으로부터의 횡방향의 화소수의 카운트값을 의미한다. 본 실시 형태에 있어서, 절취한 화상의 횡방향(X축 방향)의 화소수는 320 개이므로, “위치[화소]”로서는 1 ~ 320의 값을 취할 수 있다.
여기서, 이미, 스케일링 웨이퍼 등을 이용하여, 카메라에 의해 얻어진 촬상 화상의 화소수와 웨이퍼(W)가 놓여지는 평면 상의 길이[mm]와의 대응 관계는 측정되어 결정되어 있는 것으로 한다. 본 실시 형태에서는, “스케일링값” = 20 화소/mm라고 하는 값을 기억부(604)에 기억해 둔다.
본 실시 형태에서는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 1 개의 촬상 화상으로부터 5 개의 영역을 추출하여 각각 컷 폭을 구하고, 그들의 평균값을, 각각의 영역에 있어서의 최종적인 컷 폭값으로 한다.
식 (1) ~ (3)과 같이, 컷 폭을 산출하기 위해서는, (a) 컷면 경계(1110)의 위치, (b) 처리막 경계(1109)의 위치, (c) 웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 위치의 3 개의 경계 위치를 촬상 화상의 화소의 휘도 레벨의 변화량(휘도 엣지량)으로부터 특정할 필요가 있다. 여기서, 휘도 엣지량은 인접 화소 간의 휘도값의 차분 절대값으로부터 피크값을 구하는 방법 또는 공지의 엣지 필터를 화상에 대하여 적용하는 방법을 이용하여 구할 수 있다.
본 실시 형태의 웨이퍼(W) 및 처리 유닛(16)의 각 영역(1101 ~ 1104)은, 그 재질 특유의 반사 특성 또는 그 구조 특유의 반사 특성을 가지고 있다. LED 조명부(508)로부터 생성한 동일 조도의 조사광이 입사한 경우, 예를 들면 재질의 차이에 따라, 컷면 영역(1102)이 처리막 영역(1101)의 반사광 레벨(회색)보다 높은 반사광 레벨(밝은 회색)이 된다. 한편, 컷면 영역(1102)과 라운드 영역(1103)은 동일한 재질이지만, 라운드 영역(1103)은 경사져 있기 때문에, 촬상 센서(503)의 방향으로의 반사광 레벨이 낮다(흑색에 가깝다).
상면 영역(1104)은 반사면이 상대적으로 멀기 때문에 광의 감쇠가 발생하는데, 어느 정도의 반사광 레벨(흑색에 가까운 회색)을 가진다.
따라서, 촬상 센서(503)로 수광되는 광학상에 있어서의 조도 레벨은 결과적으로 컷면 영역(1102), 처리막 영역(1101), 상면 영역(1104), 라운드 영역(1103)의 순으로 높다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, LED 조명부(508)로부터의 동일 조도의 조사광을 이용한 경우, 광학상에 있어서의 조도 레벨의 폭이 매우 넓어지기 때문에, 통상의 넓이의 다이내믹 레인지를 가지는 촬상 센서(503)로는 모든 영역의 조도 레벨이 적절한 휘도 레벨이 되도록 촬상할 수 없다. 그리고, 적절한 휘도 레벨을 가지지 않는 촬상 화상으로부터는 정확한 휘도 엣지를 산출할 수 없어, 3 개의 경계 위치(a) ~ (c)의 특정에 오차가 발생한다.
본 실시 형태에서는, 밝기에 관한 조건이 서로 상이한 제 1 촬상 조건과 제 2 촬상 조건을 미리 준비해 두고, 촬상 시에는 이들을 이용하여 2 회로 나누어 촬상함으로써 상기 문제를 해결한다. 편의상, 제 2 촬상 조건 및 제 2 촬상 화상부터 먼저 설명한다.
제 2 촬상 조건은, 상대적으로 밝은 촬상 화상을 취득하여 (b) 처리막 경계(1109)의 위치를 정확하게 특정할 수 있도록, 중간 조도 레벨을 중시한 촬상 조건이 설정된다. 즉, 광학상의 조도 레벨이 휘도 신호로 변환될 시, 광학상에 있어서의 처리막 영역(1101)의 조도 레벨 및 컷면 영역(1102)의 조도 레벨에 넓은 폭의 계조가 나오도록 한다. 구체적으로, 예를 들면 CCD의 감도(예를 들면, ISO 감도)를 설정하거나, 미도시의 노출 조정 기구에 의한 CCD의 수광 시간을 설정함으로써 조정할 수 있다.
여기서, 제 2 촬상 조건은 중간 조도 레벨을 중시하고 있기 때문에, 저조도 레벨의 영역의 재현성은 낮은 것이 된다. 즉, 상면 영역(1104), 라운드 영역(1103)의 조도 레벨의 계조가 좁아지기 때문에, 어떤 영역도 흑색에 가까운 색의 화상이 되어 나타난다.
제 2 촬상 조건에 의해 촬상된 제 2 촬상 화상의 모식도를 도 13에 나타낸다. 처리막 영역(1101)과 컷면 영역(1102)의 휘도 신호 레벨은 계조가 충분히 유지되고 있으므로, 이 2 개의 영역의 화소의 휘도 레벨의 변화, 즉 휘도 엣지의 검출이 용이하게 가능해지고, (b) 처리막 경계(1109)의 위치를 정확하게 특정할 수 있다. 또한, (a) 컷면 경계(1110)의 위치도 정확하게 특정할 수 있다. 한편, 상면 영역(1104), 라운드 영역(1103)은 모두 낮은 휘도 신호값(거의 흑색)에 위치한다. 이 때문에, 휘도 엣지의 검출이 곤란하며, (c) 웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 위치를 특정할 수 없다.
본 실시 형태에서는, (c) 웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 위치를, 다른 일방의 촬상 조건인 제 1 촬상 조건에 의해 촬상된 상대적으로 어두운 제 1 촬상 화상으로부터 특정한다.
제 1 촬상 조건은 저조도 레벨을 중시한 촬상 조건이 설정된다. 즉, 광학상의 조도 레벨이 휘도 신호로 변환될 시, 광학상에 있어서의 라운드 영역(1103)의 조도 레벨에 넓은 폭의 계조가 나오도록 한다. 구체적으로, 예를 들면 CCD의 감도(예를 들면, ISO 감도)를 제 2 촬상 조건보다 고감도로 설정하거나, CCD의 수광 시간을 제 2 촬상 조건보다 장시간으로 설정함으로써 조정할 수 있다.
여기서, 제 1 촬상 조건은 저조도 레벨을 중시하고 있기 때문에, 중간 조도 레벨의 영역의 재현성은 낮은 것이 된다. 즉, 처리막 영역(1101)과 컷면 영역(1102)의 조도 레벨의 계조가 좁아지기 때문에, 거의 백색에 가까운 색의 화상이 되어 나타난다.
제 1 촬상 조건에 의해 촬상된 제 1 촬상 화상의 모식도를 도 14에 나타낸다. 상면 영역(1104), 라운드 영역(1103)의 휘도 신호값은 계조가 충분히 유지되고 있으므로, 휘도 엣지의 검출이 용이하게 가능해져 (c) 웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 위치를 정확하게 특정할 수 있다. 한편, 처리막 영역(1101)과 컷면 영역(1102)은 모두 높은 휘도 신호값(거의 백색)에 위치한다. 이 때문에, 휘도 엣지의 검출이 곤란하며 (b) 처리막 경계(1109)의 위치를 특정할 수 없다.
이상과 같이, 제 1 촬상 조건에 기초하는 제 1 촬상 화상 및 제 2 촬상 조건에 기초하는 제 2 촬상 화상의 2 개의 화상을 이용하여, (a) 컷면 경계(1110)의 위치, (b) 처리막 경계(1109)의 위치, (c) 웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 위치를 정확하게 구할 수 있다.
제어부(603)는 상기 식 (1) ~ (3)에, 상기의 위치 정보(a) ~ (c)를 적용함으로써 컷 폭을 산출한다. 다른 절취한 화상(1000a, 1000b, 1000d, 1000e)에 대해서도 마찬가지로 컷 폭을 산출하고, 그들 값을 평균한 것을, 촬상 화각(1001)에 의해 구한 최종적인 컷 폭으로서 결정한다.
이어서, 도 15를 이용하여, 유지부(210)에 대한 웨이퍼(W)의 편심의 상태에 대하여 설명한다. 기판 반송 장치(17)가 웨이퍼 유지부(210)에 웨이퍼(W)를 두었을 시의 웨이퍼(W)의 중심 위치(WO)와 웨이퍼 유지부의 중심 위치(HO)가, X축 및 Y축 방향으로 어긋나 있는 경우가 있다. 이 현상은, 예를 들면 기판 반송 장치(17)의 조정 부족 또는 장시간의 사용에 의한 구성 부재의 마모 등에 의해 일어난다. 본 실시 형태에서는, 본래 있어야 할 중심 위치(HO)로부터의 어긋남량을 편심량(WD)이라고 정의한다.
도 15에, 화상(1000a ~ 1000e)의 절취한 영역과 웨이퍼(W)의 위치 관계를 나타낸다. 기판 반송 장치(17)가 웨이퍼 유지부(210)에 웨이퍼(W)를 어긋나게 둔 직후에는, 웨이퍼(W)의 중심 위치(WO)는 원환(1501) 상의 어딘가의 위치에 있다. 그리고, 웨이퍼(W)를 화살표와 같이 회전시킨 경우, 웨이퍼(W)의 중심 위치(WO)는 도 15의 X축선 상의 WO1와 WO2의 위치를 반드시 통과한다.
본 실시 형태와 같이 촬상 장치(270)를 고정하여 이와 같은 편심이 있는 웨이퍼(W)를 회전시키면서 촬상한 경우, 상술한 웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 위치가 주기적으로 변화한다고 하는 현상이 일어난다. 화상(1000a ~ 1000e)의 절취한 영역에서 봤을 때, 웨이퍼 주연 가장자리(1111)는, 웨이퍼(W)의 중심이 WO1에 있을 때는 위치(1502)에 나타나 최소값을 취하고, 웨이퍼(W)의 중심이 WO2에 있을 때는 위치(1503)에 나타나 최대값을 취한다.
중심 위치 WO1와 WO2의 차분은 웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 최대값과 최소값의 차분과 동일하다. 따라서, 편심량(WD) = (웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 최대값 - 웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 최소값) / 2 ··· 식 (4)로 구할 수 있다.
도 16은 도 12에 나타낸 측정 처리에 의해 취득한 360도 웨이퍼(W)를 회전시켰을 때의, 웨이퍼(W)의 회전 각도에 대한 컷 폭의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
이 예는, 웨이퍼(W)를 편심시킨 채로, 도 7의 단계(S102)의 웨이퍼 처리를 행한 경우에 있어서의 측정 결과이다. 웨이퍼 주연 가장자리(1111)와 마찬가지로, 컷 폭도 각도에 따라 주기적으로 변동한다. 본 실시 형태에 있어서, 측정 처리 장치(601)는, 360 점의 측정 결과로부터 컷 폭의 평균값 “Ave”, 최대값 “Max” 및 최소값 “Min”을 특정한다. 여기서, 360 점의 촬상 화상에 있어서의 웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 주기적 변동에 대하여 처리막 경계(1109)의 변동이 무시할 수 있을 정도로 작다고 상정할 수 있는 경우, 컷 폭의 변동량에 있어서 웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 변동량이 지배적이게 된다. 따라서, 편심량(WD) = (최대값 “Max” - 최소값 “Min”) / 2 ··· 식 (5)로 계산할 수 있다.
측정 처리 장치(601)는, 컷 폭 및 편심량을 나타내는 정보인, 360 점의 평균값 “Ave”, 최대값 “Max” 및 최소값 “Min”을 정보 처리 장치(602)에 대하여 송신한다.
정보 처리 장치(602)는 측정 처리 장치(601)로부터 수취한 측정 결과 정보에 기초하여, 제어 장치(4)에 접속된 표시 장치(609)에 표시시키는 정보를 생성한다.
도 17은 표시 장치(609)에 표시되는 측정 결과 정보를 나타내는 표시 화면(1700)의 일례를 나타내는 도이다. 레시피 정보 윈도우(1701)는 측정 처리를 행하게 하는 웨이퍼(W)에 실시해야 할 약액 처리 등의 설정값, 예를 들면 컷 폭의 설정값을 표시시킨다. 또한, 처리 대상의 웨이퍼(W)의 막 종별을 표시시킨다.
측정 결과 윈도우(1702)는 측정 결과로서 얻어진 컷 폭, 여기서는 상기의 평균값 “Ave”를 표시시킨다. 또한, 상기의 식 (5)에서 계산되는 편심량(WD)도 표시시킨다.
제 1 화상 윈도우(1703) 및 제 2 화상 윈도우(1704)는, 각각 제 1 촬상 조건에 의해 얻어진 촬상 화상, 제 2 촬상 조건에 의해 얻어진 촬상 화상을 확인용으로 표시시킬 수 있다.
그래프 윈도우(1705)는, 예를 들면 도 16에서 나타낸 각도에 따른 컷 폭의 변화 등 다양한 측정 결과를 시각화하여 그 특징을 확인하기 위하여 이용하는 것이다.
본 실시 형태에서 얻어진 컷 폭은, 예를 들면 처리 유닛(16)의 처리액 공급부(250)를 조정하기 위한 정보로서 이용된다. 시스템의 사용자는, 미리 설정해 둔 컷 폭과 실제의 측정에 의해 얻어진 컷 폭과의 차분값에 기초하여, 예를 들면 약액 노즐(208)의 위치를 미조정할 수 있다. 또한, 제 2 실시 형태에서 설명하는 바와 같이, 편심량을 구하면, 웨이퍼(W)의 유지 위치 조정을 행할 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 제 1 회전 방향(R1)에 관하여 웨이퍼(W)에 있어서의 처리액의 도달 영역(902)보다 앞의 위치에 촬상 장치(270)의 개구(510)를 위치시키도록 했다. 이에 의해, 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 웨이퍼(W)의 주연부를 촬상할 수 있도록 촬상 장치(270)를 커버 부재(230)에 배치해도, 촬상 장치(270)에 액이 덮이지 않게 되어, 양호한 촬상을 할 수 있다. 또한, 촬상 장치(270)를 커버 부재(230)의 일부를 노치하여 장착하고, 전체적으로 다른 위치의 커버 부재(230)의 단면과 동일하게 되도록 했다. 이와 같이 내측 측면 및 하면의 형상까지도 동일하게 함으로써, 촬상 장치(270) 주변에서의 기류의 흐트러짐 등이 발생하지 않아, 양호한 액 처리가 가능해진다.
<제 1 실시 형태의 변형예 1>
상기 실시 형태의 변형예 1로서, 초점 조절에 관련되는 시스템 구성예를 2 가지 설명한다.
우선, 도 5에 나타낸 촬상 장치(270)의 조정 부재(505)를 조작하는 것에 의한 초점 조절에 대하여 설명한다. 사용자에 의한 초점 조절 작업은, 어느 정도 웨이퍼(W)에 초점이 맞는지를 사용자가 실시간으로 촬영 화상으로 확인하면서 조작하는 것이 신속하게 진행된다. 본 실시 형태에서는, 표시 장치(609)에 촬상 화상을 표시시키도록 한다.
구체적으로, 초점 조절 작업을 행하고 있는 동안에도, 촬상 제어부(515)는 촬상 센서(503)를 동작시켜, 예를 들면 5 fps의 프레임 레이트로 연속적으로 웨이퍼(W)의 화상을 도입하고, 측정 처리 장치(601)로 송신한다. 측정 처리 장치(601)는 수취한 연속적인 화상을 표시 장치(609)에 표시할 수 있도록 가공하여 제어 장치(4)를 향해 송신한다. 제어 장치(4)는 수취한 촬상 화상을, 예를 들면 상기한 도 17에서 나타낸 제 1 화상 윈도우(1703) 또는 제 2 화상 윈도우(1704)에 표시시킨다. 이 경우, 표시 장치(609)는, 기판 처리 시스템(1)의 하우징과 일체화시켜 둘 필요는 없고, 편리성을 향상시키기 위하여, 기판 처리 시스템(1)과 유선 또는 무선으로 접속된 운반 가능한 단말 장치로서 구성해도 된다.
이상이, 수동에 의한 초점 조절 작업인데, 이 초점 조절은 실제의 컷 폭 측정에 앞서 샘플의 웨이퍼를 이용하여 행해지는 것이며, 처리 대상의 웨이퍼(W)를 실제로 측정 처리를 실행하고 있을 때는 행할 수 없다.
2 번째의 예로서, 이 초점 조정은 수동이 아닌 자동으로 행할 수 있도록 촬상 장치(270)가 오토 포커스 기능을 구비하도록 구성한 경우에 대하여 설명한다.
본 변형예에 있어서, 도 5에 나타내는 촬상 광학 기구(504)는 렌즈군을 자동으로 움직이기 위한 미도시의 액츄에이터를 내장하고 있다. 촬상 제어부(515)는, 콘트라스트 방식에 의한 오토 포커스(AF) 제어가 가능하도록 구성되어 있고, 촬상 센서(503)에 의해 얻어진 촬상 화상에 기초하여 결정한 제어 신호를 액츄에이터에 대하여 송신한다.
구체적으로, 촬상 제어부(515)는, 촬상 센서(503)를 예를 들면 5 fps의 레이트의 동영상 촬영을 할 수 있도록 동작 모드를 설정하고, 촬상 화상 중 도 10에서 나타낸 5 개의 절취한 영역으로부터, 화상의 번짐 정도를 나타내는 AF 평가값을 취득한다. 그리고 AF 평가값에 기초하여, 번짐 정도가 작아지는 방향으로 촬상 광학 기구(504)의 렌즈군을 움직인다. 연속하는 프레임에 대하여 이 제어를 반복하여, AF 평가값으로부터 번짐 정도가 최소가 되었다고 판단할 수 있으면, 포커싱 된 상태라고 판단한다.
도 12의 (b)를 이용하여, 본 실시 형태의 측정 처리를 설명한다. 이미 설명한 도 12의 (a)의 순서도와 동일한 처리를 행하는 단계에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 있으며, 여기서는 설명을 생략한다.
본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 360 점의 위치 각각에서 AF 동작을 행하여 초점을 맞추고 나서, 촬상을 행하도록 한다.
단계(S311)에서는, 상술한 콘트라스트 방식에 의한 AF 제어를 행한다. 그리고, 단계(S312)에서는, 초점이 맞은 위치에 있어서의 (a) 액츄에이터의 구동 정보 또는 (b) 렌즈 위치 정보, (c) AF 제어 개시부터 포커싱 된 상태에 이르기까지 경과한 시간 등을 기억한다. 이 후, 이미 설명한 단계(S302)의 촬상 동작으로 이행한다.
이상의 제어를 행함으로써, 모든 촬상 위치에 있어서 양호하게 초점 조절된 후 촬상 화상을 얻을 수 있어, 측정 처리를 고정밀도로 행할 수 있다. 또한, 단계(S312)에 있어서의 AF 정보 (a), (b), (c)를 분석함으로써 웨이퍼(W)의 특징을 알 수도 있다. 예를 들면, 상기 AF 정보가 도 16에 나타낸 컷 폭의 예와 마찬가지로, 각도에 따른 주기적인 변동을 일으키고 있는 경우, 웨이퍼(W)와 촬상 장치(270)와의 거리가 주기적으로 변동하고 있을 가능성이 있다. 거리가 주기적으로 변동하고 있다고 하는 것은, 웨이퍼(W)에 휨(변형)이 발생하고 있을 가능성이 높고, 그 경우는, 표시 장치(609)를 통하여 사용자에 주의 환기하도록 제어해도 된다.
<제 1 실시 형태의 변형예 2>
상기 실시 형태의 변형예 2로서, 도 7의 전체 플로우에 있어서의 측정 처리 또는 웨이퍼 처리를 추가적으로 실행하는 예를 설명한다. 도 7의 단계(S103)에서의 측정 결과로서, 컷 폭이 도 16과 같은 매끄러운 곡선을 그리지 않고, 예를 들면 수 회 단위로 나타나는 작은 요철(凹凸)을 복수 개 포함하고 있는 경우가 있다(미도시). 이와 같은 현상은 특히 처리막 경계(1109)가 직경 방향으로 일정하지 않을 때 일어나므로, 처리막이 둘레 방향으로 균일한 폭으로 제거되지 않고, 부분적인 막 잔재가 발생하고 있는 것을 의미한다. 부분적인 막 잔재는, 노즐 위치 설정의 정밀도 부족 때문이 아닌, 약액 처리의 실행 시간이 부족하기 때문에 일어나고 있을 가능성이 높다. 따라서, 컷 폭의 측정 결과에 작은 요철이 생긴 경우는 다시 한번 동일한 약액 처리를 반복하는 제어를 행한다. 이에 의해, 남은 막 상에 충분한 양의 약액이 다시 공급되므로 막 잔재도 용이하게 제거할 수 있어, 측정 대상이었던 웨이퍼(W) 자체도 양호한 처리 결과를 얻을 수 있다.
구체적으로, 도 7의 전체 플로우의 단계(S103)에서의 측정 처리 후, 측정 처리 장치(601)의 제어부(603)가 도 16에 나타낸 컷 폭의 그래프화를 행하여 요철의 유무를 자동 인식한다. 이어서, 요철이 생겨 있다고, 즉 막 잔재가 있다고 판단하면 그 취지를 제어부(18)에 통지한다. 그리고 제어부(18)는 처리 유닛(16)을 제어하여 다시 단계(S102)의 웨이퍼 처리를 실행시킨다.
또한, 이상의 웨이퍼 처리와 함께 혹은 단독으로, 예를 들면 단계(S102)의 웨이퍼 처리에 있어서의 제 1 린스 처리(단계(S202))와 제 2 약액 처리(단계(S203))의 사이에서, 단계(S103)의 측정 처리를 추가적으로 실행해도 된다. 이에 의해, 제 1 약액 처리(단계(S201))에 의한 컷 폭을 개별로 확인할 수 있고, 그 결과에 따라, 그 후의 노즐 위치를 조정할 수 있다. 혹은 상기와 같은 제 1 약액 처리의 추가 처리를 행하여 막 잔재를 제거해도 된다.
<제 2 실시 형태>
제 1 실시 형태에서는, 촬상 장치(270)를 사용하여 편심량(WD)을 계측할 수 있도록 했지만, 이 편심량(WD)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 유지 위치를 자동 조정하도록 해도 된다. 본 실시 형태에서는, 유지 위치 조정 기구를 처리 유닛(16)의 내부에 마련한 경우의 동작에 대하여 설명한다.
도 18은 본 실시 형태의 처리 유닛(16)이 구비하는 유지 위치 조정 기구를 설명하기 위한 도이다. 이 기구는, 예를 들면 도 2에서 나타낸 처리 유닛(16)의 하우징(260)의 내부로, 도 3의 처리액 공급부(250A, 250B)의 하방의 공간에 마련할 수 있다.
도 18의 (a)는 유지 위치 조정 기구(1800)를 상방에서 본 도이다. 편의적으로 웨이퍼(W)를 점선으로 기재하고 있지만, 웨이퍼(W)는 유지 위치 조정 기구(1800)보다 상방에 있다.
유지 위치 조정 기구(1800)는, 핸드부(1801)와 암부(1802)와 지지 회전부(1803)를 가지고 있다. 핸드부(1801)는 원호 형상의 지지 부재이며, 유지부(210)를 둘러쌀 정도의 크기의 원호 형상을 가지고 있다. 그리고, 그 표면에 웨이퍼(W)의 이면에 직접적으로 접촉시키기 위한 돌기 부재(1804)를 3 개 구비하고 있다. 핸드부(1801)는 원호 형상에 한정되지 않고, 유지부(210) 외측으로부터 둘러싸는 크기의 호(弧) 형상(모난 ㄷ자 형상도 포함함)이면 된다.
암부(1802)는, 핸드부(1801)와 일단에서 접속하여 핸드부(1801)를 1 개의 축선상을 향해 수평으로 이동시키기 위한 것이다. 지지 회전부(1803)는 암부(1802)의 다른 일방의 단부와 접속되고, 암부(1802)를 지지하고, 또한 미도시의 모터를 구동시켜, 핸드부(1801)와 암부(1802)를 일체적으로 화살표(1805)의 방향으로 회전시킨다. 이에 의해, 핸드부(1801)는 유지부(210)를 둘러싸는 위치(도 18의 (a)에서 일점 쇄선으로 나타내는 상태)와 퇴피 위치(도 18의 (a)에서 실선으로 나타내는 상태)에서 이동할 수 있다. 또한, 핸드부(1801)와 암부(1802)를 일체적으로 승강시킬 수도 있다. 도 18의 (a)에서 이점 쇄선은 X축의 방향을 나타내고 있고, 도시하고 있지 않지만, 촬상 장치(270)도 이 직선 상에 위치하고 있다.
도 18의 (b)는 유지 위치 조정 기구(1801)를 횡방향에서 본 측면도이다. 돌기부(1804)를 유지부(210)의 상면의 높이보다 상승시킴으로써 웨이퍼에 접촉하여 들어올릴 수 있고, 유지부(210)의 높이보다 강하시킴으로써 유지부(210)로 전달할 수 있다. 또한 화살표에 나타나는 바와 같이, 암부(1802)는 X축 방향을 향해 전후로 직선 이동시켜, 암부(1802)의 위치를 전후로 직선적으로 변경할 수 있다.
이어서 도 19 및 도 20에 나타내는 순서도를 이용하여, 본 실시 형태에 따른 유지 위치 조정 처리를 설명한다.
도 19의 전체 플로우에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 유지 위치 조정 처리는, 제 1 실시 형태에서 설명한 도 7의 전체 플로우에 있어서, 단계(S101)의 웨이퍼 반입 처리 후에 추가적으로 행해지는 것이다. 도 19에서 단계(S111)의 유지 위치 조정 처리 이외의 처리는, 도 7에서 설명한 처리와 동일한 것이므로, 여기서는 설명을 생략한다. 이하, 단계(S111)의 상세에 대하여 도 20의 순서도를 이용하여 설명한다.
도 20에서 촬상 장치(270)의 촬상 조건으로서 제 1 촬상 조건을 설정하고(단계(S401)), 웨이퍼(W)의 제 1 촬상 조건에서의 촬상(단계(S402)), 촬상 횟수의 판정(S403), 웨이퍼(W)의 회전(S404)을 미리 설정된 촬상 횟수만큼 반복한다. 이 처리는, 도 12에 나타낸 단계(S301) ~ 단계(S305)의 반복 처리 중 제 2 촬상 조건에 의한 촬상(단계(S303))을 제외하고 동일한 처리이므로 상세한 설명은 생략한다. 제 1 실시 형태에서 기술한 바와 같이, 편심량(WD)을 알기 위해서는 웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 위치만을 알 수 있으면 되므로, 제 1 촬상 조건만으로의 촬영을 행하는 것으로 했다.
이상의 동작을 종료하면(단계(S403) : Yes), 단계(S405)로 이행하고, 360 세트의 제 1 촬상 화상을 이용하여 화상 해석 처리를 행한다(S405). 그리고, 그 측정 결과로서, 편심량(WD)을 결정한다(단계(S406)). 편심량(WD)을 구하기 위한 화상 해석 처리의 상세는, 이미 제 1 실시 형태에서 도 15를 이용하여 기술하였으므로 여기서는 생략한다. 단, 여기서, 몇 회째의 촬영으로 웨이퍼 주연 가장자리(1111)가 최대값 및 최소값을 취했는지도 함께 기억해 둔다. 예를 들면, 60 회째에서 최대값을 취하고, 240 회째에서 최소값을 취했다고 하면, 유지부(210)에 놓여졌을 때, 단계(S401) 때의 회전의 초기 위치로부터 -60도 회전시킨 방향으로 편심량(WD)의 벡터, 즉 어긋남의 방향이 향하고 있던 것이 된다.
이어서 편심량(WD)에 기초하여 웨이퍼(W)의 위치를 조정(보정)하는 단계를 개시한다. 여기부터는, 도 21도 참조하여, 유지 위치 조정 기구(1800)의 동작을 설명한다.
우선, 웨이퍼(W)의 편심의 위상을 맞추는 동작을 행한다(S407). 단계(S403)에서 360 회의 촬상을 종료했을 때부터 유지부(210)의 회전 동작이 이루어져 있지 않으면, 유지부(210)는 단계(S401) 때의 회전의 초기 위치에 있다. 이 단계에서는, 주연 가장자리(1111)가 최대값을 취한 회전 각도만큼 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 상기한 예라면, 회전의 초기 위치로부터 60도만큼 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 이에 의해, 편심량(WD)의 벡터의 방향과 X축의 방향이 일치하고, 유지 위치 조정 기구(1800)는 X축 방향으로 웨이퍼(W)를 편심량(WD)만큼 평행 이동시킨다고 하는 간단한 제어 동작만으로 적절한 위치로 웨이퍼(W)를 조정할 수 있게 된다.
이어서, 도 21의 (a)의 상태에 있는 커버 부재(230)(촬상 장치(270))를 승강 기구(240)에 의해 퇴피 위치(도 2보다 상방의 위치)에 위치시키고, 또한 컵 승강 기구의 리프터(243)에 의해 컵체(220)를 하강시킨다(단계(S408)). 여기서는 아직, 유지부(210)는 웨이퍼(W)를 흡착 유지하고 있다(하향 흰색 화살표).
이어서 도 21의 (b)에 나타내는 바와 같이, 유지 위치 조정 기구(1801)를 작동시켜, 암부(1802)를 회전시키면서 웨이퍼(W)와 컵체(220)의 사이로 진입시키고, 핸드부(1801)를 웨이퍼(W)의 하면에 위치시킨다(S409). 그리고 이 후, 유지부(210)의 흡착을 정지한다(S410).
그리고, 단계(S406)에서 결정한 편심량(WD)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 위치 조정을 행한다(S411). 여기서는 우선, 도 21의 (c)에 나타내는 바와 같이, 지지 회전부(1803)는 암부(1802)를 상승시켜 핸드부(1801)의 돌기부(1804)를 웨이퍼(W)의 이면에 접촉시킨다. 이 때, 핸드부(1801)는, 도 18에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면 중 유지부(210)와의 접촉 영역보다 외측의 영역을 지지한다. 또한 도 21의 (d)에 나타내는 바와 같이, 핸드부(1801)와 암부(1802)를 상승시켜, 유지부(210)와 웨이퍼(W)를 피접촉 상태로 한다. 그리고 도 21의 (e)에 나타내는 바와 같이, 편심량(WD)에 상당하는 만큼 암부(1802)를 이동시킨다.
이 후, 암부(1802)를 강하시켜, 도 21의 (f)와 같이 웨이퍼(W)를 유지부(210)에 접촉시켜, 흡착을 재개하고(S412), 또한 도 21의 (g)에 나타내는 바와 같이, 암부(1802)를 더 강하시켜, 웨이퍼(W)와 비접촉으로 한다.
그리고 도 21의 (h)에 나타내는 바와 같이, 암부(1802)를 퇴피시킨다(S413). 마지막으로, 승강 기구(240)에 의해 커버 부재(230)를 하강시키고, 또한 컵 승강 기구의 리프터(243)에 의해 컵체(220)를 상방시켜, 도 2에 나타내는 위치로 되돌림으로써, 일련의 처리가 종료된다(단계(S414)).
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 촬상 장치(270)에 의해 촬상된 화상에 기초하여 정해진 웨이퍼(W)의 편심량에 따라, 유지부(210)의 중심에 대한 웨이퍼(W)의 유지 위치를 조정하는 유지 위치 조정 기구(1800)를 마련하고, 웨이퍼(W)를 하면으로부터 지지하면서 웨이퍼(W)의 유지 위치를 조정하도록 했다. 유지 위치 조정 기구(1800)는 웨이퍼(W)의 하방으로 들어가 위치 조정하므로, 웨이퍼(W)를 외주 단부의 횡방향으로부터 끼워 넣어 위치 조정하는 종래의 방법에 비해, 유지 위치 조정 기구를 하우징 내에 설치하는 스페이스를 줄일 수 있다. 따라서, 장치의 풋 프린트의 증대를 초래하지 않고, 양호한 조정을 행할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)를 핸드부(1801)의 돌기 부재(1804)로 하방향으로부터 유지하므로, 웨이퍼(W)의 외주 단부를 손상시키지 않고 안정적으로 적절히 위치 조정할 수 있다. 또한, 유지부(210)와의 접촉 영역보다 외측의 영역의 하면을 지지하면서 조정하므로, 상방향으로의 들어올림양도 유지부(210)로부터 약간 띄우는 정도로 충분하게 되어, 처리 유닛(16)의 구조 상, 위치 조정을 위하여 Z축(수직) 방향에서의 스페이스를 확보할 필요가 없다. 또한, 미리 웨이퍼(W)를 회전시켜 편심의 방향을 특정하고, 그 방향을 암부(1802)의 직선 이동의 방향(X축 방향)에 맞추도록 웨이퍼(W)를 회전시킨 후 위치 조정을 행하므로, 유지 위치 조정 기구의 제어를 간단하고 또한 정밀한 것으로 할 수 있다.
<제 3 실시 형태>
상기 실시 형태에서는, 측정 처리 장치(601)는, 측정 처리를 개시함에 앞서 우선 촬상 장치(270)의 촬상 설정을 행하고 있지만, 이를 측정 대상의 웨이퍼 또는 처리의 내용에 따라 변경 가능하게 하도록 구성해도 된다.
측정 처리의 대상이 되는 웨이퍼에는 다양한 종별의 것이 있다. 예를 들면, 수용성막 또는 티탄, 알루미늄, 텅스텐과 같은 메탈막이 형성된 웨이퍼 등이다. 이러한 막은 고유의 굴절률 및 감쇠율 등을 가지고 있기 때문에 서로 광의 반사 특성이 상이하므로, 촬상 장치에 의해 동일한 촬영 조건으로 촬영했다 하더라도, 촬상 화상에 나타나는 엣지의 휘도 레벨은 상이해진다.
제 1 실시 형태에서는, 도 11에 나타낸 막 구조에 있어서, 제 2 촬상 조건으로서, 처리막 경계(1109)의 위치를 정확하게 특정할 수 있도록, 중간 조도의 반사광 레벨을 중시한 촬상 조건이 설정되어 있었다.
단, 상기와 같이 막의 종별에 따라 광의 반사 특성이 상이하므로, 중간 조도의 반사광 레벨이어도, 상대적으로 저조도측의 중간 조도에 넓은 계조폭을 할당하는 것이 정밀도가 좋은 엣지 검출을 할 수 있는 경우, 또는 반대로 고조도로부터의 중간 조도에 넓은 계조폭을 할당하는 것이 정밀도가 좋은 엣지 검출을 할 수 있는 경우가 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 라운드는 하지부터 형성되어 있지만, 원래 웨이퍼의 재질 자체가 상이하면 광의 반사 특성도 달라지므로, 제 1 촬영 조건도 막의 종별에 따라 바꾸는 것이 양호한 검출을 할 수 있는 경우가 있다.
또한, 막의 종별은 동일해도 설정되는 컷 폭의 크기에 따라 촬상 조건을 바꾸는 것이 좋은 경우도 있다.
본 실시 형태에서는, 촬영 조건 등을 포함한 측정용의 설정을 “화상 처리 레시피”라고 정의하여, 처리 대상 웨이퍼의 막의 종별에 따라 화상 처리 레시피를 선택하도록 한다. 이하, 도 22를 이용하여 본 실시 형태에 있어서의 화상 처리 레시피에 대하여 설명한다.
도 22의 (a)는, 막 종별과 화상 처리 레시피와의 대응 관계를 나타내는 측정용 설정의 테이블(2201)이다. 화상 처리 레시피(2202)는, 막의 종별(2203)과 컷 폭(2204)에 대응하여 각각 마련되어 있다. 이 리스트는 정보 처리 장치(602)의 기억부(607)에 미리 기억되어 있다.
본 실시 형태에 있어서, 화상 처리 레시피에 포함되는 촬상 조건은, 촬상 화상의 밝기에 반영되는 조건이며, CCD의 감도의 설정 또는 노출의 설정 등이 있다. 또한, 설정된 컷 폭의 크기 또는 촬상 조건이 바뀜으로써 화상의 명암의 세세함이 변화되면, 엣지 검출 처리의 알고리즘도 그들에 대응시켜 변경하는 것이 좋다. 따라서 본 실시 형태에서는, 검출 처리의 엣지 검출 방법 또는 검출을 위한 관련 처리(계조 변환 등)의 방법도 변경 가능하게 했다.
도 22의 (b)는 본 실시 형태의 화상 처리 레시피의 리스트를 나타내는 것이며, 이 화상 처리 레시피의 리스트(2205)는 측정 처리 장치(601)의 기억부(604)에 미리 기억되어 있다.
화상 처리 레시피 A는, 수용성막 웨이퍼의 주연부를 폭 3 mm로 제거하는 처리에 대응시켜 마련된 것이며, 라운드 영역을 촬상하기 위한 조건(2206)으로서 제 1 촬상 조건, 처리막 경계를 촬상하기 위한 조건(2207)으로서 제 2 촬상 조건을 이용한다. 또한, 엣지 검출 처리(2208)로서 검출 처리 A를 행하는 것으로 했다.
수용성막 웨이퍼의 주연부를 폭 2 mm로 제거하는 처리에서는, 좁은 컷 폭을 검출하기 위하여 최적인 제 3 촬상 조건과 검출 처리 B를 선택하도록 하고 있다. 또한, 알루미늄 또는 티탄의 경우는, 수용성막 웨이퍼와는 하지도 막도 광에 대한 특성이 상이하므로, 최적의 촬상 조건 또는 화상 처리, 검출 처리를 할 수 있는 것과 같은 설정으로 하고 있다. 또한, 막의 종별이 미지인 것을 처리할 때를 위하여, 표준적인 화상 처리 레시피 E도 준비하도록 했다. 예를 들면, 제 8 촬상 조건은 제 1 촬상 조건과 제 4 촬상 조건의 중간적인 설정값을 포함하는 조건, 제 9 촬상 조건은 제 2 촬상 조건, 제 3 촬상 조건, 제 5 촬상 조건, 제 6 촬상 조건을 평균화한 설정값을 포함하는 조건으로 한다.
본 실시 형태의 처리는, 도 12에 나타낸 순서도의 단계(S301)에서 행해지는 촬상 설정에서 적용 가능하다. 이어서, 도 23에 나타내는 순서도를 이용하여 본 실시 형태에 있어서의 촬상 설정의 상세를 설명한다.
우선, 제어 장치(4)에 있어서, 외부 장치로부터의 수신 또는 조작 장치(601)로부터의 조작 입력에 따라 웨이퍼 처리 레시피가 특정되고, 제어 장치(4)로부터 정보 처리 장치(602)로 웨이퍼 처리 레시피가 송신된다. 정보 처리 장치(602)에서는 제어부(606)가 웨이퍼 처리 레시피를 취득한다(S501).
이어서, 취득한 웨이퍼 처리 레시피의 내용을 읽어내어, 처리 대상의 웨이퍼(W)의 막 종별의 정보와 에칭해야 할 컷 폭을 특정한다(S502).
제어부(605)는 단계(S502)에서 특정한 막 종별과 컷 폭을 기억부(606)에 기억되어 있는 도 22의 (a)의 선택 테이블에서 검색한다. 금회에는 해당 막 종별과 해당 컷 폭 세트가 있으므로, 대응된 레시피 A를 선택한다(S503).
그리고, 정보 처리 장치(602)는 선택한 레시피 A를 이용하도록 설정 지시 정보를 측정 처리 장치(601)로 송신한다. 측정 처리 장치(601)의 제어부(603)는 수신한 설정 지시 정보를 이용하여 기억부(604)로부터 레시피 A를 읽어내어, 촬상 조건을 촬상 제어부(515)에 대하여 송신한다. 촬상 제어부(515)는 수신한 촬상 조건을 그 후의 촬상을 위하여 설정한다. 또한, 제어부(603)는 측정 처리를 행할 시의 검출 처리의 설정을 행한다(S504).
이상이 본 실시 형태의 일례인데, 단계(S501)의 웨이퍼 처리 레시피 내에 막 종별의 정보가 기재되어 있지 않은 경우는, 단계(S502)에서 상이한 방법에 의해 막 종별의 정보를 취득해도 된다. 예를 들면, 광을 조사하여 그 반사광을 수광함으로써 막 종별이 판정되는 미도시의 센서를 하우징(260) 내에 마련해 두고, 반입된 웨이퍼(W)를 직접적으로 검사함으로써, 제어부(603)가 웨이퍼(W)의 막의 종별을 특정하도록 해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 막의 종별에 관한 정보를 취득하고, 미리 기억부(607)에 기억된 복수의 측정용 설정 중에서 취득한 막의 종별로 대응하는 측정용 설정을 선택하고, 선택된 측정용 설정을 사용하여 촬상 장치(270)가 웨이퍼(W)의 주연부를 촬영하도록 했다. 이에 의해, 사용자가 수고를 들여 촬상 조건 등의 측정용 설정을 조정하지 않고, 적절하고 또한 신속하게 측정 처리를 할 수 있게 된다.
<제 4 실시 형태>
본 실시 형태에서는, 정보 처리 장치(601)가 축적하는 측정 처리 결과의 정보를 분석 처리하고, 장치의 보수 및 관리에 활용하는 방법에 대하여 설명한다.
도 24는 정보 처리 장치(601)의 기억부(607)에 기억되는 측정 처리 결과의 관리 리스트(2400)를 나타내고 있다.
이 관리 리스트(2400)의 정보는, 처리 대상의 웨이퍼(W)에 대하여 실시해야 할 처리의 레시피의 기재 내용으로부터 특정할 수 있는 정보인 처리 레시피 정보(2401)와, 측정 처리 장치(601)로 계측을 행할 시 특정되는 측정 처리 결과 정보(2402)로 구성되어 있다.
처리 레시피 정보(2401)로서는, 웨이퍼(W)의 식별 정보인 로트 ID(2403), 웨이퍼 ID(2404)가 있다. 또한, 구체적인 처리에 관계되는 막 종별(2405), 설정되는 컷 폭(2406)이 있다.
측정 처리 결과 정보(2402)는, 제 3 실시 형태에서 설명한 화상 처리 레시피(2407), 화상 처리 레시피에 기초하여 측정 처리를 행한 일자(2408), 시각(2409)이 포함된다. 또한, 측정 처리를 행한 결과로서 360 점에 대한 컷 폭의 결과의 최대값 “Max”(2410), 최소값 “Min”(2411), 평균값 “Ave”(2412)가 있다. 또한, 최대값 및 최소값뿐 아니라, 360 점 모든 계측값을 기억하도록 해도 된다.
정보 처리 장치(601)는, 기억부(607)에, 웨이퍼 1 매의 측정 처리마다 촬상 화상을 기록하기 위한 폴더와, 그 촬상 시에 이용한 촬상 장치(270)의 초점 조정 정보 등의 촬상 설정을 기록하기 위한 폴더를 마련하고 있다. 측정 처리 결과 정보(2402)로서, 촬상 화상 폴더의 링크(2413)와 촬상 설정 정보의 링크(2414)도 기억한다.
이어서, 이상의 측정 처리 결과의 정보 리스트를 이용한 구체적인 분석 처리 및 보수 관리 방법에 대하여 이하 설명한다.
우선, 로트 ID “3342”에 관해서는, 동일한 웨이퍼 처리 레시피와 화상 처리 레시피 A를 이용하여 동일 종별의 웨이퍼(W)를 25 매 연속하여 측정 처리하고 있다. 이에 의해, 예를 들면 하나의 로트의 웨이퍼군에 대하여 불균일 없이 컷 처리되었는지 여부를 확인할 수 있다.
로트 ID “3342”와 로트 ID "3842”는 동일한 웨이퍼 처리 레시피와 화상 처리 레시피 A를 이용하여 동일 종별의 웨이퍼(W)를 처리하고 있지만, 상이한 일자에서 측정 처리하고 있다. 이 사례의 상세를 도 25를 이용하여 설명한다.
도 25의 (a)는 종축이 편심량((최대값 “Max” - 최소값 “Min”) / 2), 횡축이 측정 처리를 행한 일자(및 시각)로 한 그래프이며, 정보 처리 장치(602)의 제어부(606)는 관리 리스트(2400)를 기초로 이 그래프를 작성할 수 있다.
이 그래프는 편심량의 경시 변화를 알 수 있고, 도 25의 (a)의 경시 변화(2501)의 예에서는, 시간이 경과함에 따라 편심량이 커져 가는 모습이 나타나 있다. 이는, 기판 반송 장치(17)를 구성하는 부재의 마모에 의해 웨이퍼(W)를 정확하게 반송할 수 없게 되는 것 등이 한 요인이라 할 수 있다.
정보 처리 장치(601)의 제어부(606)는 경시 변화(2501)의 그래프를 작성하여 제어 장치(4)로 송신하고, 제어 장치(4)는 사용자의 요구 또는 자동적으로, 제 1 실시 형태에서 설명한 도 17의 표시 화면(1700)의 그래프 윈도우(1705)에 표시시킬 수 있다.
또한 예를 들면, 미리 실험에 의해 장치의 운용상 허용할 수 있는 편심량을 제 1 임계치로 정해 두고, 제 1 임계치에 가까워지고 있는 것을 나타내는 결과가 나오면, 사용자에게 그 취지를 자동적으로 알리도록 해도 된다. 도 25의 (a)의 예에서는, 편심량이 제 1 임계치보다 작은 제 2 임계치를 초과한 시점에서, 표시 화면(1700) 상에 있어서 사용자에게 기판 반송 장치(17)의 확인 또는 교환 등의 주의 환기를 행하도록 구성하고 있다. 또한, 제 2 임계치를 초과했는지 여부뿐 아니라 제 2 임계치에 이르기 전의 편심량의 측정 결과를 복수 개 추출하고, 그 복수의 값이 증가의 기울기를 가지고 있는지 여부를 주의 환기의 판단 조건으로서 추가해도 된다.
또한, 경시 변화(2502)와 같이, 갑자기 편심량이 제 1 임계치를 초과한 경우는 장치 이상이 발생하고 있을 가능성이 높으므로, 표시 화면(1700) 상에서 경고 또는 장치 정지 등의 알림을 행하도록 한다.
도 25의 (b)에서는, 종축이 실질적인 컷 폭을 나타내는 평균값 “Ave”와 컷 폭의 설정값의 차분 절대값, 횡축이 측정 처리를 행한 일자(및 시각)로 한 그래프이다.
이 그래프는 처리액 공급부(250A, 250B)에 의한 액 토출 위치의 정밀도의 경시 변화를 알 수 있고, 도 25의 (b)의 경시 변화(2503)의 예에서는 시간이 경과함에 따라 액 토출 위치의 정밀도가 저하해 가는 모습이 나타나 있다. 이는, 처리액 공급부(250A, 250B)를 구성하는 부재의 마모에 의해 액 토출의 위치를 정확하게 제어할 수 없게 되는 것 등이 한 요인이라 할 수 있다. 이 경우도 도 25의 (a)와 마찬가지로, 사용자의 요구 또는 자동적으로 표시 화면(1700)의 그래프 윈도우(1705)에 경시 변화(2403)의 그래프를 표시시킬 수 있다. 또한, 제 2 임계치를 초과했을 때 주의 환기를 할 수 있다. 또한 도 25의 (a)의 예와 마찬가지로, 복수의 차분 절대값이 증가의 기울기를 가지고 있는지 여부를 주의 환기의 판단 조건으로서 추가해도 된다.
또한 경시 변화(2504)와 같이, 갑자기 제 1 임계치를 초과한 경우는 장치 이상이 발생하고 있을 가능성이 높으므로, 표시 화면(1700) 상에서 경고 또는 장치 정지 등의 알림을 행하도록 한다.
이하, 본 실시 형태의 시스템에 있어서의 전체 플로우를 도 26에 나타낸다. 도시하는 바와 같이, 도 7의 순서도에 대하여 단계(S131)의 결과 분석 처리가 추가된 것이다. 따라서, 여기서는 단계(S101 ~ S104)의 처리의 설명은 생략한다.
이하, 단계(S131)의 결과 분석 처리의 상세에 대하여 도 27의 순서도를 이용하여 설명한다.
우선, 정보 처리 장치(602)는, 측정 처리 장치(601)로부터 측정 결과 정보를 취득한다(S601). 여기서 취득하는 정보는, 도 24에서 나타낸 측정 처리 결과 정보(2402)이다.
이어서, 단계(S601)에서 취득한 정보를 기억부(607)에 기억하여 도 24에서 나타낸 관리 리스트(2400)를 작성한다(S602). 여기서는, 이미 처리 레시피 정보(2401)는 측정 처리 전에 취득이 끝난 상태이므로, 해당되는 처리 레시피 정보(2401)와 측정 처리 결과 정보(2402)의 관련시키기를 행한다. 이미 리스트가 작성되어 있다면, 금회의 측정 결과 정보를 추가 갱신함으로써 관리 리스트(2400)를 작성한다.
그리고, 웨이퍼(W)의 처리의 상태를 분석하는 처리로서, 금회의 측정 결과의 1 매의 웨이퍼(W)에 대하여 편심량이 미리 결정한 제 1 임계치를 초과하고 있는지를 확인한다(S603). 여기서 제 1 임계치를 초과하고 있다고 판단하면(S604 : No), 경고 알림을 행하여(S605) 이상 시 대응으로서 장치 정지 등의 제어를 행한다.
또한, 마찬가지로 웨이퍼(W)의 처리의 상태를 분석하는 처리로서, 설정값에 대한 실제의 컷 폭의 차분이 제 1 임계치를 초과하고 있는지 확인하고(S603), 여기서 초과하고 있다고 판단하면(S604 : No), 경고 알림을 행하여(S605) 이상 시 대응으로서 장치 정지 등의 제어를 행한다.
한편, 제 1 임계치를 초과하고 있지 않다고 판단한 경우에 있어서, 이어서 웨이퍼(W)의 처리의 상태를 분석하는 처리로서 경시 변화의 분석을 행한다(S606). 여기서는, 상술한 바와 같이, 편심량 또는 컷 폭이 제 2 임계치를 초과하고 있는지를 판단하고, 초과하고 있다고 판단한 경우는(S607 : No) 표시 화면(1700)을 통한 주의 환기 등의 알림을 행한다(S608).
특별히 이상이 없으면, 표시 화면(1700)의 그래프 윈도우(1705)에 분석 결과의 알림으로서 작성한 그래프를 표시한다(S609). 또한, 그래프의 표시는 단계(S605 및 S608)의 경고 또는 주의의 알림과 함께 행해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 정보 처리 장치(602)가 처리 레시피 정보(2401)와 측정 처리 결과 정보(2402)로 이루어지는 관리 리스트(2400)를 작성하도록 했다. 그리고 이 관리 리스트(2400)에 기초하여 기판 처리의 상태를 분석하고, 분석 결과에 따라 사용자에 대하여 정해진 알림을 행하도록 했다. 이와 같이, 웨이퍼(W)의 주연부의 막 제거에 관한 정보를 관리함으로써, 처리 유닛(16)을 장기적으로 안정되게 운용할 수 있다. 특히, 컷 폭 또는 편심량으로부터 처리액 공급부(250) 또는 기판 반송 장치(17)의 문제점 또는 마모, 열화 상황을 알 수 있고, 적절한 타이밍에 보수 또는 부재의 교환 등을 행할 수 있다.
<제 5 실시 형태>
제 1 ~ 제 4 실시 형태에서는, 웨이퍼 처리의 결과 또는 편심량을 취득하기 위하여 약액 처리를 행하기 전 또는 처리를 행한 후에 측정 처리를 행하는 것이었다.
한편, 실제로 액을 공급하고 있을 때의 웨이퍼 등의 상태를 확인하고자 하는 요구가 있다. 액 공급 중의 상태를 평가할 수 있으면 처리액의 공급량 또는 노즐 위치 등의 조정 작업에도 반영시킬 수 있다. 본 실시 형태에서는, 약액 처리 또는 린스 처리를 행하고 있을 때 측정 처리를 행하는 예에 대하여 설명한다.
도 28에 본 실시 형태에 있어서의 처리 유닛(16)의 평면도를 나타낸다. 상기 제 1 ~ 제 4 실시 형태에서는, 2 개의 처리액 공급부의 사이에 촬상 장치(270)를 마련하고, 웨이퍼(W) 상에 약액이 존재하지 않는 영역에 있어서의 촬상을 행했다. 본 실시 형태에서는, 도 28에 나타내는 바와 같이, 촬상 장치(270A)와 촬상 장치(270B)를 마련하고, 촬상 장치(270A)는 처리액 공급부(250A)보다 웨이퍼(W)의 회전 방향(R1)의 앞에 설치하여 처리액의 공급되어 있는 상태를 촬상 가능하게 했다. 마찬가지로, 촬상 장치(270B)는 처리액 공급부(250B)보다 웨이퍼(W)의 회전 방향(R2)의 앞에 설치하여 처리액의 공급되어 있는 상태를 촬상 가능하게 했다. 또한 본 실시 형태는, 상기 실시 형태에서 기술한 도 7 또는 도 19의 전체 플로우의 일부로서 실시되므로, 촬상 장치(270A) 및 촬상 장치(270B) 중 적어도 일방은 컷 폭 및 편심량 등의 계측 처리 등에도 이용되는 것이다. 또한, 본 실시 형태에서는 제 1 실시 형태에서 기술한 촬상 장치에 액이 덮이는 것에 의한 촬상에의 영향은 무시할 수 있을 정도로 작은 것으로 한다.
본 실시 형태에서 도 28과 같이 촬상 장치를 배치한 경우의 촬상 장치(270A, 270B)의 촬상 범위와 웨이퍼(W) 및 그 위의 액의 위치 관계에 대하여 도 29를 이용하여 설명한다.
도 29에서, 영역(2901)은 촬상 장치(270A)의 촬상 범위를 나타내고, 영역(2902)은 촬상 장치(270B)의 촬상 범위를 나타낸다.
도 30은 영역(2901) 또는 영역(2902)에 있어서의 촬상 장치(270), 처리 유닛(16) 및 웨이퍼(W)의 배치 관계와 약액 또는 린스액의 액 놓임 상태를 설명하는 도이다.
도 30은 약액 처리를 개시한 직후의 상태를 나타내는 것이며, 처리막은 제거되어 있지 않고, 약액(3001)이 처리막과 라운드 영역 상에 놓여져 있는 상태를 나타내고 있다. 또한, 도달 영역(902(905))을 화각 중심으로서 촬상하고 있고, 이론적으로는, 웨이퍼 처리 레시피에서의 컷 폭과 도 30의 액 놓임 폭은 동일하게 될 것이며, 본 실시 형태에 있어서의 하나의 목적은 이 두 개의 일치의 정도를 확인하는 것에 있다. 그러기 위해서는, 액 놓임의 내단 경계(3002)의 위치 및 그 상태의 변화를 적절히 촬상할 필요가 있다.
예를 들면, 약액 처리가 진행되고, 처리막이 제거되어 가면 내단 경계(3002)의 위치 또는 두께가 변화한다고 예측된다. 따라서 본 실시 형태에서는, 정지 화면의 촬영을 행하는 것이 아닌 동영상 촬영을 행함으로써, 액 처리의 개시부터 종료까지의 액 놓임 상황을 확인 가능하게 했다.
또한, 회전수 또는 처리액의 성질에 의해 액의 실리는 방식이 상이하므로, 동영상 촬영의 조건은 제 1 약액의 경우와 제 2 약액의 경우에서 상이한 것으로 했다. 촬상 조건으로서는, 상기 실시 형태와 마찬가지로 처리막과 액 놓임의 장소와의 사이에서 양호한 엣지 검출이 가능하게 되는 것으로 한다.
이어서, 본 실시 형태에 있어서의 촬영을 수반하는 약액 처리를 도 31의 순서도를 이용하여 설명한다. 또한 이 차트에서, S201 ~ S205에 관해서는, 제 1 실시 형태에서 설명한 도 8의 순서도에 나타낸 단계와 동일한 것이므로, 설명은 생략한다.
우선, 액의 공급을 개시하기 전에, 웨이퍼(W)를 제 1 동영상 촬상 조건으로 촬영 개시한다(S701). 여기서의 촬영 조건은, 제 1 약액 처리에서 이용하는 약액 및 제 1 린스 처리에서 이용하는 린스액에 최적화된 촬상 조건이다.
이어서, 제 1 약액 처리(S201) 및 제 1 린스 처리(S202)를 개시한다. 단계(S201) 및 단계(S202)를 행하고 있는 동안, 촬상 장치(270)는 제 1 동영상 촬영 조건 하에서 촬영을 계속하고 있다. 그 동안, 측정 처리 장치(601)는 촬영된 동영상을 실시간으로 제어 장치(4)로 보내고, 제어 장치(4)는 예를 들면 표시 화면(1700)의 제 1 화상 윈도우(1703)에 동영상을 표시시킨다.
이어서 촬상 장치(270)의 동영상 촬영을 일단 정지하고, 촬영에 의해 얻어진 동영상을 정보 처리 장치(602)로 송신하고, 정보 처리 장치(602)는 동영상의 기록 처리를 행한다(S702). 기록 처리의 상세에 대해서는 후술한다.
이어서 촬상 장치(270)는 촬상 조건을 제 2 촬상 조건으로 변경하여 촬영을 개시한다(S703).
이어서, 제 2 약액 처리(S203) 및 제 2 린스 처리(S204)를 개시한다. 단계(S203) 및 단계(S204)를 행하고 있는 동안, 촬상 장치(270)는 제 2 동영상 촬영 조건 하에서 촬영을 계속하고 있다. 그 동안, 촬영된 동영상을 실시간으로 제어 장치(4)로 보내고, 제어 장치(4)는 표시 화면(1700)의 제 2 화상 윈도우(1704)에 동영상을 표시시킨다.
이어서 촬상 장치(270)의 동영상 촬영을 일단 정지하고, 촬영에 의해 얻어진 동영상을 정보 처리 장치(602)로 송신하고, 정보 처리 장치(602)는 동영상의 기록 처리를 행한다(S704). 기록 처리의 상세에 대해서는 후술한다.
마지막으로 건조 처리(S205)를 행하여, 일련의 약액 처리를 종료한다.
이상이 본 실시 형태의 약액 처리이지만, 단계(S201)의 약액 처리 중에서, 웨이퍼(W)는 고속으로 회전하고 있고, 3000 rpm로 회전하고 있는 경우는 1 초 동안 50 회전하고 있는 계산이 된다. 약액 또는 린스액의 도달 영역(902(905))은 촬영 화각에 대하여 이론적으로는 변동하지 않는다. 웨이퍼(W)에 도 15에서 설명한 것과 같은 편심이 발생하고 있는 경우는, 웨이퍼(W)의 웨이퍼 주연 가장자리(1111)의 위치가 도 30에서 나타낸 “변동 폭”의 사이에서 고속으로 변동하는 움직임이 반복된다. 일반적인 동영상 촬영의 프레임 레이트는 30 fps 정도이다. 이 때문에, 변동하는 폭의 정확한 촬상과 관찰은 곤란하게 된다. 이 문제를 미리 방지하기 위하여, 도 19의 단계(S111)에 나타낸 유지 위치 조정 처리를 실행하여, 편심을 없앤 상태로 하여 단계(S201)의 약액 처리를 실행하는 것이 바람직하다. 또한, 유지 위치 조정 처리는 제 2 실시 형태에서 설명한 방법에 한정되는 것은 아니다.
이어서 단계(S702 및 S704)의 기록 처리에 대하여 설명한다. 처리 중에서의 액 놓임 폭은 사용자가 촬영 동영상을 관찰함으로써 확인할 수 있을 뿐 아니라, 그 후의 약액 처리의 설정 및 제어에 피드백할 수 있으면 더 바람직하다.
본 실시 형태에서는, 촬영 동영상을 기억부(607)에 기록하고, 또한 도 24의 측정 처리 결과인 관리 리스트(2400)의 측정 처리 결과 정보(2402)에 내단 경계(3002)를 추가한다. 이에 의해, 웨이퍼마다, 설정되는 컷 폭(2406)과 실질적인 계측 컷 폭인 평균값 “Ave”(2412)와 내단 경계(3002)와의 대비가 가능해진다. 그리고, 대비 결과에 따라 그 후의 처리에 있어서의 처리액 공급부(250A, 250B)의 각 노즐의 오프셋값을 결정하는 등과 같은 피드백 설정이 가능해진다.
내단 경계(3002)의 산출 방법은, 처리막 영역(1101)과 약액(3001)의 반사광의 조도 레벨이 충분히 상이하면, 동영상의 각 프레임에 있어서 2 개의 사이의 휘도 엣지를 구하면 된다. 또한 도 30과 같이, 약액(3001)이 놓여져 있는 영역에서는 화살표로 나타내는 외향의 액류가 발생하고 있으므로, 연속하는 복수의 프레임에 관하여 프레임 간 차분을 취하고, 차분값의 변동량의 절대값의 크기 또는 움직임 방향이 크게 변화하는 직경 방향의 위치를 내단 경계(3002)로 추정해도 된다.
여기서 본 실시 형태의 액 놓임 상태에 관한 정보에 의한 피드백의 일례를 설명한다.
단계(S201)의 제 1 약액 처리는, 컷 폭 3 mm, 액 공급 시간이 30 초로 설정되어 있었다고 한다. 이 경우, 노즐 위치는 컷 폭 3 mm에 맞춘 위치에 배치되고, 미리 정해진 제 1 유량으로 제 1 약액의 공급이 개시되는데, 관리 리스트(2400)를 나중에 참조한 바, 평균값 “Ave”가 3.1 mm가 되어, 차이가 발생하고 있었다고 한다.
본 실시 형태에서는, 액 공급 시간인 30 초간의 동영상을 이 정보에 관련시켜 기록하고 있으므로, 실제로 웨이퍼(W) 상에서 어떠한 현상이 일어났는지를 알 수 있다.
예를 들면, 동영상을 관찰하면, 처리가 진행됨에 따라 웨이퍼(W) 상의 처리막이 제거되어 얇아지고, 20 초가 경과한 시점에서 3.1 mm의 영역까지 제 1 약액이 침입했다고 하는 현상을 사용자는 알 수 있다.
사용자는 이 현상을 받아, 예를 들면 20 초 경과한 시점에서 0.1 mm만큼 노즐 위치를 외측으로 이동시키도록, 혹은 20 초 경과한 시점에서 제 1 약액의 액량을 줄이도록 레시피를 다시 만들 수 있다. 이에 의해, 과도하게 처리막이 제거되는 것을 방지하여, 레시피대로의 결과, 평균값 “Ave”가 3.0 mm라고 하는 결과가 얻어지게 된다.
사용자에 의한 설정뿐 아니라 제어 장치(4)에 의한 자동 제어도 가능하다. 액 공급 시간이 30 초 동안, 내단 경계(3002)도 예를 들면 1 초마다 계속 기록되고 있다고 한다. 정보 처리 장치(602)는 관리 리스트(2400)를 분석하고, 20 초 경과했을 때, 내단 경계(3002)가 그 때까지의 기록 정보와 비교하여 0.1 mm 어긋났다고 판단하면, 그 취지를 제어 장치(4)에 통지한다. 제어 장치(4)는 차회의 웨이퍼(W)의 처리에 있어서, 노즐 위치 또는 액량을 자동 제어하도록 처리 유닛(16)에 대하여 20 초 경과한 시점에서 0.1 mm만큼 노즐 위치를 외측으로 이동시키도록, 혹은 20 초 경과한 시점에서 제 1 약액의 액량을 줄이도록 지시를 내린다. 또한 제어 장치(4)는 상기 사용자의 예와 마찬가지로 레시피 그 자체를 변경하거나, 혹은 표시 장치(609)를 통하여 레시피를 변경하도록 사용자에 재촉하는 등의 대응을 취해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 처리액이 공급되고 있는 동안 웨이퍼(W)의 주연부에 액이 놓여져 있는 상태를 알 수 있다. 특히, 처리막과 액이 놓여져 있는 영역의 경계를 알 수 있으므로, 컷 폭 또는 액량 등의 피드백 설정을 위한 정보로서 유효하게 활용할 수 있다.
이상, 본 발명에 따른 제 1 ~ 제 5 실시 형태에 대하여 설명했지만, 이들 예는, 제품용의 웨이퍼를 처리할 시 적용할 뿐 아니라, 시스템의 스타트 업 또는 메인터넌스 모드 등의 특수한 상황에 있어서도 적용 가능하다. 또한, 시스템 구조는 하우징에 고정인 것은 필수가 아니며, 예를 들면 촬상 장치는 지그로서 준비해 두는 등, 각 장치는 운용상 필요한 타이밍에 따라 시스템에 접속 및 분리 가능하도록 구성해 두어도 된다. 또한 각 실시 형태는, 제 1 실시 형태에 개시된 시스템 구성 중 필요한 부분을 전제로서 개별로 실시 가능한 것이지만, 다른 실시 형태에 개시된 구성과의 병존도 가능하다. 즉, 복합적인 목적을 달성하기 위하여, 제 1 ~ 제 5 실시 형태는 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
4 : 제어 장치
16 : 처리 유닛
250A : 처리액 공급부
250B : 처리액 공급부
270 : 촬상 장치
601 : 측정 처리 장치
602 : 정보 처리 장치

Claims (7)

  1. 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와, 기판의 주연부의 막을 제거하기 위한 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 기판의 주연부를 촬상하는 촬상부를 구비하는 기판 처리 장치의 관리 방법으로서,
    상기 막의 제거 폭의 설정값을 포함하는 기판 처리 레시피를 취득하는 레시피 취득 공정과,
    상기 기판 처리 레시피에 기초하여 처리된 기판의 주연부를 상기 촬상부에 의해 촬상함으로써 얻어진 촬상 화상에 기초하여, 상기 막의 제거 폭을 측정하는 측정 처리 공정과,
    상기 막의 제거 폭의 설정값과, 상기 측정 처리 공정에 의해 측정된 막의 제거 폭의 측정값과, 측정 결과를 얻은 시각 정보를 관련시킨 관리 리스트를 작성하는 작성 공정과,
    상기 작성된 관리 리스트에 기초하여 기판 처리의 상태를 분석하는 분석 공정과,
    상기 분석 공정에 의한 분석 결과에 따라, 사용자에 대하여 정해진 알림을 행하는 알림 공정
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 관리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 분석 공정은, 상기 막의 제거 폭의 설정값과 측정값의 차분이 정해진 임계치를 초과하고 있는지 여부를 판단하고, 초과하고 있다고 판단한 경우에, 상기 알림 공정은, 정해진 알림을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 관리 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 정해진 임계치로서, 제 1 임계치와 상기 제 1 임계치보다 작은 제 2 임계치를 포함하고,
    상기 분석 공정은, 상기 막의 제거 폭의 설정값과 측정값의 차분이 제 1 임계치 및 제 2 임계치를 초과하고 있는지 여부를 판단하고, 상기 알림 공정은, 제 1 임계치 및 제 2 임계치 중 어느 것을 초과하고 있는지로, 알림의 내용을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 관리 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측정 처리 공정은, 상기 기판의 상기 회전 유지부에 대한 편심량의 정보를 측정하고,
    상기 작성 공정은, 상기 관리 리스트에 측정된 편심량의 정보를 관련시키고,
    상기 분석 공정은, 상기 관리 리스트의 편심량이 정해진 임계치를 초과하고 있는지 여부를 판단하고,
    초과하고 있다고 판단한 경우에, 상기 알림 공정은, 정해진 알림을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 관리 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 알림 공정은, 상기 작성 공정에서 작성한 관리 리스트에 기초하여 측정 결과의 경시 변화를 나타내는 그래프를 작성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 관리 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 알림 공정은, 표시 장치를 이용하여 상기 알림을 시각적으로 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 관리 방법.
  7. 기판의 주연부의 막을 제거하는 처리를 행하는 기판 처리 장치와, 촬상 화상에 기초하는 측정 처리를 행하는 측정 처리 장치와, 측정 처리에 관한 정보를 관리하는 정보 처리 장치와, 상기 기판 처리 장치를 제어하는 제어 장치로 구성되는 기판 처리 시스템으로서,
    상기 기판 처리 장치는,
    기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와, 기판의 주연부에 대하여 상기 막을 제거하기 위한 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 기판의 주연부를 촬상하는 촬상부
    를 구비하고,
    상기 측정 처리 장치는,
    상기 막의 제거 폭의 설정값을 포함하는 기판 처리 레시피에 기초하여 처리된 기판의 주연부를 촬상함으로써 얻어진 촬상 화상에 기초하여, 상기 막의 제거 폭을 측정하는 제어부를 구비하고,
    상기 정보 처리 장치는,
    기판의 식별 정보와, 상기 막의 제거 폭의 설정값과, 상기 측정된 막의 제거 폭의 측정값과, 측정 결과를 얻은 시각 정보를 관련시킨 관리 리스트를 작성하고, 상기 작성된 관리 리스트에 기초하여 기판 처리의 상태를 분석하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어 장치는,
    상기 정보 처리 장치의 분석 결과에 따라, 사용자에 대하여 정해진 알림을 행하는 제어부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
KR1020170029944A 2016-03-30 2017-03-09 기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템 KR102351528B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220003982A KR102534576B1 (ko) 2016-03-30 2022-01-11 기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016068212A JP6611652B2 (ja) 2016-03-30 2016-03-30 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
JPJP-P-2016-068212 2016-03-30

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220003982A Division KR102534576B1 (ko) 2016-03-30 2022-01-11 기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170113099A true KR20170113099A (ko) 2017-10-12
KR102351528B1 KR102351528B1 (ko) 2022-01-14

Family

ID=59960435

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170029944A KR102351528B1 (ko) 2016-03-30 2017-03-09 기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템
KR1020220003982A KR102534576B1 (ko) 2016-03-30 2022-01-11 기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220003982A KR102534576B1 (ko) 2016-03-30 2022-01-11 기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (3) US10128137B2 (ko)
JP (1) JP6611652B2 (ko)
KR (2) KR102351528B1 (ko)
CN (2) CN107275200B (ko)
TW (3) TWI677021B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111223796A (zh) * 2018-11-23 2020-06-02 细美事有限公司 基板处理装置和用于偏心检查的装置及方法
KR102482167B1 (ko) * 2022-04-27 2022-12-28 주식회사 솔텍크 서브 컴포넌트 모니터링 시스템 및 방법

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6611652B2 (ja) * 2016-03-30 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
TWI746907B (zh) * 2017-12-05 2021-11-21 日商斯庫林集團股份有限公司 煙霧判定方法、基板處理方法及基板處理裝置
JP7051455B2 (ja) * 2018-01-16 2022-04-11 キオクシア株式会社 パターン形成装置および半導体装置の製造方法
US11929268B2 (en) * 2018-02-05 2024-03-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing system, substrate processing method and computer-readable recording medium
JP7261786B2 (ja) * 2018-02-16 2023-04-20 東京エレクトロン株式会社 加工装置
US11791182B2 (en) * 2018-04-23 2023-10-17 Tokyo Electron Limited Measuring method and measuring device
JP7119584B2 (ja) * 2018-05-29 2022-08-17 オムロン株式会社 三次元計測装置、三次元計測装置の位置表示方法およびプログラム
JP7105135B2 (ja) * 2018-08-17 2022-07-22 東京エレクトロン株式会社 処理条件補正方法及び基板処理システム
JP7226949B2 (ja) 2018-09-20 2023-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理システム
TW202040639A (zh) * 2019-02-28 2020-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JP7309485B2 (ja) * 2019-07-04 2023-07-18 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置およびエッチング方法
TW202403948A (zh) * 2022-06-17 2024-01-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244328A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体基板の処理方法
JP2013168429A (ja) 2012-02-14 2013-08-29 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2014091105A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Tokyo Electron Ltd 基板周縁部の塗布膜除去方法、基板処理装置及び記憶媒体

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2002357620A1 (en) * 2001-12-25 2003-07-15 Tokyo Electron Limited Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
EP1814143A4 (en) * 2004-11-16 2009-01-21 Tokyo Electron Ltd CONDITIONING ADJUSTMENT METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM
JP4601452B2 (ja) * 2005-02-22 2010-12-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4522360B2 (ja) * 2005-12-02 2010-08-11 日東電工株式会社 半導体ウエハの位置決定方法およびこれを用いた装置
JP5324231B2 (ja) * 2009-01-08 2013-10-23 日東電工株式会社 半導体ウエハのアライメント装置
JP2010165876A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Olympus Corp 欠陥関連付け装置、基板検査システム、および欠陥関連付け方法
TWI474143B (zh) * 2010-02-09 2015-02-21 Hitachi Int Electric Inc 基板處理系統及其資料處理方法、群管理裝置及其資料處理方法、半導體處理裝置之製造方法暨電腦可讀取記錄媒體
JP2012146774A (ja) * 2011-01-11 2012-08-02 Sharp Corp 基板検査システム、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体
JP2012206020A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布液塗布方法および塗布装置
JP5841389B2 (ja) * 2011-09-29 2016-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
TWI550686B (zh) * 2011-11-04 2016-09-21 東京威力科創股份有限公司 基板處理系統、基板運送方法及電腦記憶媒體
KR101829676B1 (ko) * 2011-12-29 2018-02-20 삼성전자주식회사 웨이퍼 열 처리 방법
WO2013125387A1 (ja) * 2012-02-23 2013-08-29 株式会社日立国際電気 基板処理システム、管理装置、及び表示方法
JP6044428B2 (ja) * 2013-04-04 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体
JPWO2015011829A1 (ja) * 2013-07-26 2017-03-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2015115486A (ja) * 2013-12-12 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 液供給装置
JP6215059B2 (ja) * 2014-01-10 2017-10-18 株式会社ディスコ マーク検出方法
JP2015153903A (ja) * 2014-02-14 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、基板処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
WO2015125733A1 (ja) * 2014-02-24 2015-08-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR20150103578A (ko) * 2014-03-03 2015-09-11 삼성전자주식회사 공정 관리 시스템 및 장치
JP6462620B2 (ja) * 2016-03-29 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6537992B2 (ja) * 2016-03-30 2019-07-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム
JP6680040B2 (ja) * 2016-03-30 2020-04-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、液処理方法、及び記憶媒体
JP6611652B2 (ja) * 2016-03-30 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
KR102162187B1 (ko) * 2018-08-31 2020-10-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244328A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体基板の処理方法
JP2013168429A (ja) 2012-02-14 2013-08-29 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2014091105A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Tokyo Electron Ltd 基板周縁部の塗布膜除去方法、基板処理装置及び記憶媒体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111223796A (zh) * 2018-11-23 2020-06-02 细美事有限公司 基板处理装置和用于偏心检查的装置及方法
KR20200061422A (ko) * 2018-11-23 2020-06-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 편심 검사 장치 및 방법
US11158079B2 (en) 2018-11-23 2021-10-26 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and apparatus and method for eccentricity inspection
KR102482167B1 (ko) * 2022-04-27 2022-12-28 주식회사 솔텍크 서브 컴포넌트 모니터링 시스템 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW202247275A (zh) 2022-12-01
TWI677021B (zh) 2019-11-11
JP2017183496A (ja) 2017-10-05
US11018035B2 (en) 2021-05-25
US20170287750A1 (en) 2017-10-05
KR20220010760A (ko) 2022-01-26
TW201941293A (zh) 2019-10-16
KR102351528B1 (ko) 2022-01-14
TWI777287B (zh) 2022-09-11
JP6611652B2 (ja) 2019-11-27
CN107275200A (zh) 2017-10-20
US20190043742A1 (en) 2019-02-07
US10128137B2 (en) 2018-11-13
CN107275200B (zh) 2021-12-03
KR102534576B1 (ko) 2023-05-26
US20210257236A1 (en) 2021-08-19
TW202111801A (zh) 2021-03-16
CN114188243A (zh) 2022-03-15
TWI713105B (zh) 2020-12-11
TW201802918A (zh) 2018-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102534576B1 (ko) 기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템
KR20170113097A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 처리 방법
KR20170113098A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법, 및 기판 처리 시스템
JP6254929B2 (ja) 測定処理装置、基板処理システム、測定用治具、測定処理方法、及びその記憶媒体
JP6562864B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の調整方法
JP6541605B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理装置の撮像方法
TW202402415A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI843164B (zh) 基板處理裝置及其調整方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant