TWI746907B - 煙霧判定方法、基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠定量地判定腔室內的煙霧的產生狀況是否正常的煙霧判定方法及基板處理裝置。在一邊在腔室的內部水平地保持基板、一邊對基板的上表面供給處理液的裝置中，判定煙霧的產生狀況。具體來說，首先，對腔室內的規定的拍攝區域進行拍攝（步驟S62）。接著，根據藉由拍攝而獲取到的拍攝圖像的亮度值，判定腔室內的煙霧的產生狀況（步驟S63）。由此，能夠定量地判定腔室內的煙霧的產生狀況是否正常。

Description

煙霧判定方法、基板處理方法及基板處理裝置
本發明有關於一種在半導體晶片等薄板狀的基板的製造步驟中所使用的裝置中，判定煙霧的產生狀況的技術。
先前，在半導體晶片的製造步驟中，是使用對基板供給光致抗蝕劑液、蝕刻液、洗滌液、純水等各種處理液，對基板的表面進行處理的基板處理裝置。關於現有的基板處理裝置，例如，已記載於專利文獻1中。專利文獻1所述的裝置包括保持基板並使所述基板旋轉的旋轉機構、以及對藉由旋轉機構而旋轉的基板的被處理面供給處理液的供給噴嘴（參照技術方案1、圖1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-056405號公報
[發明所要解決的問題] 在這種基板處理裝置中，對基板的表面已供給特定的處理液時，有時會產生被稱為煙霧（fume）的包含多個微粒（例如，固體微粒、水滴等微小液體等）的環境氣體。例如，在將硫酸與過氧化氫水的混合液即SPM（sulfuric acid and hydrogen peroxide mixture）洗滌液供給至基板的表面的步驟中，會產生所述煙霧。眾所周知，特別是在供給150℃以上的高溫的SPM洗滌液的情況下，或者在供給SPM洗滌液之後，使硫酸的供給停止而只追加供給過氧化氫水的情況下，容易產生煙霧。
當這種煙霧擴散至基板處理裝置的腔室內並附著於各部時，所附著的煙霧不久會固化而變為顆粒（particle）。接著，所述顆粒有可能附著在基板的表面，而污染基板。因此，理想的是準確掌握腔室內的煙霧的產生狀況，在異常時進行處置。但是，在現有的基板處理裝置中，腔室內的煙霧的產生狀況是否正常，是人藉由肉眼觀察來判斷。
本發明是鑒於如上所述的情況而完成的，目的在於提供一種能夠定量地判定腔室內的煙霧的產生狀況是否正常的煙霧判定方法及基板處理裝置。 [解決問題的技術手段]
為了解決所述問題，本申請的第一發明是一種煙霧判定方法，判定一邊在腔室的內部水平地保持基板、一邊對基板的上表面供給處理液的裝置中的煙霧的產生狀況，所述煙霧判定方法包括如下的步驟：a）對所述腔室內的規定的拍攝區域進行拍攝；以及b）根據藉由所述步驟a）而獲取到的拍攝圖像的亮度值，判定所述腔室內的煙霧的產生狀況。
本申請的第二發明根據第一發明的煙霧判定方法，其中所述步驟b）包括如下的步驟：b-1）生成預先獲取到的所述拍攝區域的參考圖像與所述拍攝圖像的亮度值的差分圖像；以及b-2）根據所述差分圖像，判定所述腔室內的煙霧的產生狀況。
本申請的第三發明根據第二發明的煙霧判定方法，其中所述拍攝區域包含至少一個評估區域，在所述步驟b-2）中，根據所述差分圖像中的所述評估區域的亮度值的合計值或平均值，判定所述評估區域內的煙霧的產生狀況。
本申請的第四發明根據第三發明的煙霧判定方法，其中在所述步驟b-2）中，根據所述差分圖像中的所述評估區域的亮度值的合計值或平均值與預先設定的第一閾值的比較結果，判定所述評估區域內的煙霧的產生狀況。
本申請的第五發明根據第四發明的煙霧判定方法，其中在所述步驟a）中，反復拍攝所述拍攝區域，在所述步驟b-1）中，根據藉由所述步驟a）而獲取到的多個拍攝圖像，生成多個所述差分圖像，在所述步驟b-2）中，當所述評估區域的亮度值的合計值或平均值為所述第一閾值以上時，將所述合計值或所述平均值作為累計對象值，對從所述累計對象值減去所述第一閾值所獲得的超過值或所述累計對象值進行累計，根據所獲得的累計值與預先設定的第二閾值的比較結果，判定所述評估區域內的煙霧的產生狀況。
本申請的第六發明根據第三發明的煙霧判定方法，其中所述評估區域包含水平地保持著的基板的上方的空間。
本申請的第七發明根據第六發明的煙霧判定方法，其中所述評估區域包含與配置在基板的上方的圓板狀的遮斷板的下表面接近的空間。
本申請的第八發明根據第三發明的煙霧判定方法，其中所述拍攝區域包含多個所述評估區域，在所述步驟b）中，判定多個所述評估區域的每一個的煙霧的產生狀況。
本申請的第九發明根據第八發明的煙霧判定方法，其中多個所述評估區域包含與水平地保持著的基板的上表面接近的空間。
本申請的第十發明根據第一發明至第九發明中任一發明的煙霧判定方法，其中所述裝置對基板的上表面供給包含硫酸及過氧化氫水的洗滌液，作為所述處理液。
本申請的第十一發明根據第十發明的煙霧判定方法，其中所述裝置在對基板的上表面供給所述洗滌液之後，使硫酸的供給停止，而進行對基板的上表面供給過氧化氫水的過水擠出處理，並且至少在所述過水擠出處理時，執行所述步驟a）及所述步驟b）。
本申請的第十二發明是一種基板處理方法，其是一邊在腔室的內部水平地保持基板、一邊對基板的上表面供給處理液的裝置中的基板處理方法，所述裝置包括包圍基板的杯體（cup）、以及從所述杯體的內側的空間向所述腔室的外部排出氣體的排氣部，所述基板處理方法包括如下的步驟：a）對所述腔室內的規定的拍攝區域進行拍攝；b）根據藉由所述步驟a）而獲取到的拍攝圖像的亮度值，判定所述腔室內的煙霧的產生狀況；以及c）根據所述步驟b）的判定結果，變更所述杯體的上下方向上的位置。
本申請的第十三發明根據第十二發明的基板處理方法，其中在所述步驟b）中，將所述煙霧的產生狀況判定為異常時，在所述步驟c）中，使所述杯體從第一位置上升至比所述第一位置更高的第二位置。
本申請的第十四發明根據第十三發明的基板處理方法，其中所述裝置還包括位於所述杯體的外側的環狀壁，所述第二位置上的所述杯體與所述環狀壁之間的間隙小於所述第一位置上的所述杯體與所述環狀壁之間的間隙。
本申請的第十五發明根據第十二發明至第十四發明中任一發明的基板處理方法，其中所述裝置包含多重地包圍基板的多個杯體，在所述步驟c）中，根據所述步驟b）的判定結果，變更所述多個杯體之中最外側的杯體的上下方向上的位置。
本申請的第十六發明是一種基板處理裝置，包括：腔室；基板保持部，在所述腔室的內部水平地保持基板；處理液供給部，對所述基板保持部所保持的基板的上表面供給處理液；攝像部，對所述腔室內的規定的拍攝區域進行拍攝；以及判定部，根據所述攝像部所獲取到的拍攝圖像的亮度值，判定所述腔室內的煙霧的產生狀況。
本申請的第十七發明根據第十六發明的基板處理裝置，其中所述判定部生成預先獲取到的所述拍攝區域的參考圖像與所述拍攝圖像的亮度值的差分圖像，並根據所述差分圖像，判定所述腔室內的煙霧的產生狀況。
本申請的第十八發明根據第十七發明的基板處理裝置，其中所述拍攝區域包含至少一個評估區域，所述判定部根據所述差分圖像中的所述評估區域的亮度值的合計值或平均值，判定所述評估區域內的煙霧的產生狀況。
本申請的第十九發明根據第十八發明的基板處理裝置，其中所述評估區域包含水平地保持著的基板的上方的空間。
本申請的第二十發明根據第十九發明的基板處理裝置，其還包括配置在基板的上方的圓板狀的遮斷板，所述評估區域包含與所述遮斷板的下表面接近的空間。
本申請的第二十一發明根據第二十發明的基板處理裝置，其還包括遮斷板升降機構，所述遮斷板升降機構是使所述遮斷板在從基板的上表面向上方遠離的上方位置與比所述上方位置更接近基板的上表面的下方位置之間移動，所述判定部在將所述評估區域內的煙霧的產生狀況判定為異常時，禁止所述遮斷板升降機構使所述遮斷板從所述上方位置下降至所述下方位置。
本申請的第二十二發明根據第十六發明的基板處理裝置，其還包括使所述腔室內產生氣流的氣流產生機構，所述氣流產生機構根據所述判定部的判定結果，改變所述氣流。
本申請的第二十三發明根據第十六發明的基板處理裝置，其中所述處理液供給部供給包含硫酸及過氧化氫水的洗滌液，作為所述處理液。
本申請的第二十四發明根據第二十三發明的基板處理裝置，其中所述處理液供給部在對基板的上表面供給所述洗滌液之後，使硫酸的供給停止，而進行對基板的上表面供給過氧化氫水的過水擠出處理，所述攝像部至少在所述過水擠出處理時，進行所述拍攝。
本申請的第二十五發明根據第十六發明至第二十四發明中任一發明的基板處理裝置，其包括包圍基板的杯體、從所述杯體的內側的空間向所述腔室的外部排出氣體的排氣部、以及使所述杯體沿上下方向移動的杯體升降機構，所述杯體升降機構根據所述判定部的判定結果，變更所述杯體的上下方向上的位置。
本申請的第二十六發明根據第二十五發明的基板處理裝置，其中所述杯體升降機構在所述判定部將所述煙霧的產生狀況判定為異常時，使所述杯體從第一位置上升至比所述第一位置更高的第二位置。
本申請的第二十七發明根據第二十六發明的基板處理裝置，其還包括位於所述杯體的外側的環狀壁，所述第二位置上的所述杯體與所述環狀壁之間的間隙小於所述第一位置上的所述杯體與所述環狀壁之間的間隙。
本申請的第二十八發明根據第二十五發明的基板處理裝置，其包括多重地包圍基板的多個杯體，所述杯體升降機構根據所述判定部的判定結果，變更所述多個杯體之中最外側的杯體的上下方向上的位置。 [發明的效果]
根據本申請的第一發明至第二十八發明，能夠根據拍攝圖像的亮度值，定量地判定腔室內的煙霧的產生狀況是否正常。
以下，一邊參照附圖，一邊對本發明的實施方式進行詳細說明。
＜1.基板處理裝置的整體結構＞ 圖1是本發明的一個實施方式的基板處理裝置100的平面圖。所述基板處理裝置100是在半導體晶片的製造步驟中，對圓板狀的基板W（矽基板）的表面進行處理的裝置。基板處理裝置100進行對基板W的表面供給處理液的液處理、以及使基板W的表面乾燥的乾燥處理。
如圖1所示，基板處理裝置100包括分度器（indexer）101、多個處理單元102及主搬運機器人103。
分度器101是用於從外部搬入處理前的基板W，並且將處理後的基板W搬出至外部的部位。在分度器101中，配置有多個收容多個基板W的載體（carrier）。並且，分度器101包含省略圖示的移送機器人。移送機器人在分度器101內的載體與處理單元102或主搬運機器人103之間，移送基板W。再者，載體中，例如，可使用將基板W收納於密閉空間的公知的前開式晶圓傳送盒（front opening unified pod，FOUP）或標準機械界面（Standard Mechanical Inter Face，SMIF）盒、或者收納基板W與外部空氣接觸的開放式晶圓匣（open cassette，OC）。
處理單元102是逐塊地處理基板W的所謂單片式的處理部。多個處理單元102配置在主搬運機器人103的周圍。在本實施方式中，配置在主搬運機器人103的周圍的四個處理單元102是沿高度方向層疊成三層。即，本實施方式的基板處理裝置100總共包括十二台處理單元102。多個基板W是在各處理單元102中並列地處理。但是，基板處理裝置100所包括的處理單元102的數量並不限定於十二台，例如也可以是八台、四台、一台等。
主搬運機器人103是用於在分度器101與多個處理單元102之間搬運基板W的機構。主搬運機器人103例如包括保持基板W的手（hand）、以及使手移動的臂（arm）。主搬運機器人103從分度器101取出處理前的基板W，而搬運至處理單元102。並且，當處理單元102中的基板W的處理完成後，主搬運機器人103從所述處理單元102取出處理後的基板W，而搬運至分度器101。
＜2.處理單元的結構＞ 接著，對處理單元102的結構進行說明。以下，對基板處理裝置100所含的多個處理單元102之中的一個進行說明，但其它處理單元102也具有同等的結構。
圖2是處理單元102的平面圖。圖3是處理單元102的縱剖面圖。如圖2及圖3所示，處理單元102包括腔室10、基板保持部20、旋轉機構30、處理液供給部40、處理液收集部50、遮斷板60、攝像部70及控制部80。
腔室10是內置用於對基板W進行處理的處理空間11的框體。腔室10包括包圍處理空間11的側部的側壁12、覆蓋處理空間11的上部的頂板部13、以及覆蓋處理空間11的下部的底板部14。基板保持部20、旋轉機構30、處理液供給部40、處理液收集部50、遮斷板60及攝像部70是收容在腔室10的內部。在側壁12的一部分設置有用於向腔室10內搬入基板W及從腔室10搬出基板W的搬入搬出口、以及使搬入搬出口開閉的擋板（shutter）（均省略圖示）。
如圖3所示，在腔室10的頂板部13設置有風機過濾器（fan filter）單元（FFU）15。風機過濾器單元15包括HEPA過濾器等集塵過濾器、以及使氣流產生的風機（fan）。當使風機過濾器單元15運行時，將設置基板處理裝置100的潔淨室（clean room）內的空氣擷取至風機過濾器單元15，藉由集塵過濾器而潔淨化，並供給至腔室10內的處理空間11。由此，在腔室10內的處理空間11內，形成潔淨的空氣的向下流（down flow）。
即，在本實施方式中，風機過濾器單元15成為使腔室10內產生氣流的氣流產生機構。
並且，在側壁12的下部的一部分上，連接著排氣導管（duct）16（排氣部）。排氣導管16包含朝向處理液收集部50的下方的空間打開的排氣口160。並且，排氣導管16與省略圖示的負壓源連接。因此，從風機過濾器單元15供給的空氣在腔室10的內部形成向下流之後，被抽吸至排氣口160。接著，被抽吸至排氣口160的空氣通過排氣導管16而排出至腔室10的外部。
基板保持部20是在腔室10的內部，水平地（以法線朝向鉛垂方向的姿勢）保持基板W的機構。如圖2及圖3所示，基板保持部20包括圓板狀的自旋底座（spin base）21及多個夾盤銷（chuck pin）22。多個夾盤銷22沿自旋底座21的上表面的外周部，以等角度間隔而設置。基板W在使形成圖案的被處理面朝向上側的狀態下，保持於多個夾盤銷22。各夾盤銷22與基板W的周緣部的下表面及外周端面接觸，從自旋底座21的上表面經由微小的空隙將基板W支撐於上方的位置。
在自旋底座21的內部設置有用於切換多個夾盤銷22的位置的夾盤銷切換機構23。夾盤銷切換機構23是對多個夾盤銷22，在保持基板W的保持位置與解除基板W的保持的解除位置之間進行切換。
旋轉機構30是用於使基板保持部20旋轉的機構。旋轉機構30是收容在設置於自旋底座21的下方的馬達蓋31的內部。如圖3中以虛線所示，旋轉機構30包括自旋馬達（spin motor）32及支撐軸33。支撐軸33沿鉛垂方向延伸，其下端部與自旋馬達32連接，並且上端部固定在自旋底座21的下表面的中央。當使自旋馬達32驅動時，支撐軸33以其軸心330為中心而旋轉。並且，與支撐軸33一同，基板保持部20及基板保持部20所保持的基板W也以軸心330為中心而旋轉。
處理液供給部40是對基板保持部20所保持的基板W的上表面，供給處理液的機構。如圖2及圖3所示，處理液供給部40包括第一上表面噴嘴41、第二上表面噴嘴42、第三上表面噴嘴43及下表面噴嘴44。
第一上表面噴嘴41包括第一噴嘴臂411、設置在第一噴嘴臂411的前端的第一噴嘴頭412、及第一噴嘴馬達413。第二上表面噴嘴42包括第二噴嘴臂421、設置在第二噴嘴臂421的前端的第二噴嘴頭422、以及第二噴嘴馬達423。第三上表面噴嘴43包括第三噴嘴臂431、設置在第三噴嘴臂431的前端的第三噴嘴頭432、以及第三噴嘴馬達433。
各噴嘴臂411、噴嘴臂421、噴嘴臂431藉由噴嘴馬達413、噴嘴馬達423、噴嘴馬達433的驅動，而如圖2中的箭頭所示，以各噴嘴臂411、噴嘴臂421、噴嘴臂431的基端部為中心，沿水平方向各別地轉動。由此，能夠使各噴嘴頭412、噴嘴頭422、噴嘴頭432，在基板保持部20所保持的基板W的上方的處理位置與比處理液收集部50更靠外側的退避位置之間移動。
在各噴嘴頭412、噴嘴頭422、噴嘴頭432上，各別地連接著用於供給處理液的供液部。圖4是表示與第一噴嘴頭412連接的供液部45的一例的圖。在圖4中，表示了供給硫酸及過氧化氫水的混合液即SPM洗滌液作為處理液的情況的示例。
圖4的供液部45包括第一配管451、第二配管452及合流配管453。第一配管451的上游側的端部與硫酸供給源454流路連接。第二配管452的上游側的端部與過氧化氫水供給源455流路連接。第一配管451及第二配管452的下游側的端部均與合流配管453流路連接。並且，合流配管453的下游側的端部與第一噴嘴頭412流路連接。在第一配管451的路徑中途，介插有第一閥456。在第二配管452的路徑中途，介插有第二閥457。
當在將第一噴嘴頭412配置在處理位置的狀態下，打開第一閥456及第二閥457時，從硫酸供給源454向第一配管451供給的硫酸、與從過氧化氫水供給源455向第二配管452供給的過氧化氫水在合流配管453中合流，而成為SPM洗滌液。接著，將所述SPM洗滌液從第一噴嘴頭412，向基板保持部20所保持的基板W的上表面噴出。
第一噴嘴頭412、第二噴嘴頭422及第三噴嘴頭432噴出各不相同的處理液。作為處理液的示例，除了所述SPM洗滌液以外，還可舉出SC1洗滌液（氨水、過氧化氫水、純水的混合液）、SC2洗滌液（鹽酸、過氧化氫水、純水的混合液）、稀氟氫酸（Dilute Hydrofluoric Acid，DHF）洗滌液（稀氫氟酸）、純水（去離子水）等。
再者，第一噴嘴頭412、第二噴嘴頭422或第三噴嘴頭432也可以是將處理液與經加壓的氣體加以混合而生成液滴，將所述液滴與氣體的混合流體噴射至基板W的所謂雙流體噴嘴。並且，設置在處理單元102中的上表面噴嘴的數量並不限定於三個，也可以是一個、兩個或四個以上。
下表面噴嘴44配置在設置於自旋底座21的中央的貫通孔的內側。下表面噴嘴44的噴出口與基板保持部20所保持的基板W的下表面相向。下表面噴嘴44也與用於供給處理液的供液部連接。當從供液部向下表面噴嘴44供給處理液時，將所述處理液從下表面噴嘴44向基板W的下表面噴出。
處理液收集部50是收集使用後的處理液的部位。如圖3所示，處理液收集部50包括內杯體51、中杯體52及外杯體53。基板W被所述杯體51～杯體53三重包圍。內杯體51、中杯體52及外杯體53能夠藉由圖3中概念性地表示的杯體升降機構54，而相互獨立地升降移動。
內杯體51包括包圍基板保持部20的周圍的圓環狀的第一引導板510。中杯體52包括位於第一引導板510的外側並且上側的圓環狀的第二引導板520。外杯體53包括位於第二引導板520的外側並且上側的圓環狀的第三引導板530。並且，內杯體51的底部是展開至中杯體52及外杯體53的下方為止。而且，在所述底部的上表面，從內側起依序設置有第一排液槽511、第二排液槽512及第三排液槽513。
從處理液供給部40的各噴嘴41、噴嘴42、噴嘴43、噴嘴44噴出的處理液在供給至基板W之後，藉由因基板W的旋轉而產生的離心力，而向外側飛散。接著，將從基板W飛散的處理液收集至第一引導板510、第二引導板520及第三引導板530中的任一者。使收集至第一引導板510的處理液通過第一排液槽511，向處理單元102的外部排出。使收集至第二引導板520的處理液通過第二排液槽512，向處理單元102的外部排出。使收集至第三引導板530的處理液通過第三排液槽513，向處理單元102的外部排出。
如上所述，所述處理單元102具有多條處理液的排出路徑。因此，能夠針對每個種類分別回收供給至基板W的處理液。因此，經回收的處理液的廢棄或再生處理也可以根據各處理液的性質而分別進行。例如，將第一排液槽511連接於廢棄處理液的廢液管線。由此，可以將收集於內杯體51的第一引導板510的處理液，通過第一排液槽511排出至廢液管線。並且，將第二排液槽512連接於再生處理液的再生管線。由此，可以將收集於中杯體52的第二引導板520的處理液，通過第二排液槽512排出至再生管線。
並且，在外杯體53的外側設置有環狀壁55。環狀壁55是包圍外杯體53的圓環狀的壁。在環狀壁55的上部設置有朝向內側突出的環狀凸部551。在腔室10的內部形成向下流的空氣通過內杯體51的內側、中杯體52的內側、外杯體53的內側、或外杯體53與環狀壁55之間的空間，流向下方的空間。接著，向下流後的空氣被從排氣口160抽吸至排氣導管16內。
遮斷板60是在進行乾燥處理等一部分處理時，用於抑制基板W的表面附近的氣體的擴散的構件。遮斷板60具有圓板狀的外形，水平地配置在基板保持部20的上方。如圖3所示，遮斷板60與遮斷板升降機構61連接。當使遮斷板升降機構61運行時，遮斷板60在從基板保持部20所保持的基板W的上表面向上方遠離的上方位置、與比上方位置更接近基板W的上表面的下方位置之間，進行升降移動。在遮斷板升降機構61中，例如，使用藉由滾珠螺桿將馬達的旋轉運動轉換成直行運動的機構。
並且，在遮斷板60的下表面的中央設置有吹出氮氣等惰性氣體的吹出口62。吹出口62與供給乾燥用的氣體的供氣部（圖示省略）連接。
當從第一上表面噴嘴41、第二上表面噴嘴42或第三上表面噴嘴43對基板W供給處理液時，遮斷板60退避至上方位置。在供給處理液之後，進行基板W的乾燥處理時，藉由遮斷板升降機構61，而使遮斷板60下降至下方位置。接著，從吹出口62向基板W的上表面，吹附乾燥用的氣體（例如，經加熱的氮氣）。這時，利用遮斷板60，來防止氣體的擴散。其結果為，對基板W的上表面高效率地供給乾燥用的氣體。
攝像部70是對腔室10內的規定的拍攝區域進行拍攝的裝置。攝像部70例如設置在與腔室10的側壁12的內面接近的位置。如圖2及圖3所示，攝像部70包括光源71及相機72。在光源71中，例如使用發光二極體（light-emitting diode，LED）。相機72中，例如使用具有電荷耦合元件（Charge Coupled Devices，CCD）或互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）等攝像元件的數位相機。攝像部70藉由一邊從光源71照射光，一邊利用相機72進行拍攝，而獲取腔室10內的處理空間11之中預先設定的拍攝區域A1的拍攝圖像。拍攝圖像包括多個像素（pixel），針對每個像素具有亮度值的資訊。
控制部80是用於對處理單元102內的各部進行運行控制的部件。圖5是表示控制部80與處理單元102內的各部的連接的框圖。如圖5中概念性地表示，控制部80包括具有中央處理器（central processing unit，CPU）等運算處理部81、隨機存取記憶體（random access memory，RAM）等記憶體82、及硬盤驅動器等記憶部83的計算機。在記憶部83內，安裝有用於執行處理單元102中的基板W的處理的計算機程式P。
並且，如圖5所示，控制部80與所述風機過濾器單元15、夾盤銷切換機構23、自旋馬達32、噴嘴馬達413、噴嘴馬達423、噴嘴馬達433、處理液供給部40的閥456及閥457、杯體升降機構54、遮斷板升降機構61、光源71及相機72分別可通信地連接。控制部80將記憶部83中所儲存的計算機程式P或數據暫時讀取至記憶體82，根據所述計算機程式P，藉由運算處理部81進行運算處理，來對所述各部進行運行控制。由此，進行處理單元102中的基板W的處理、後述煙霧的判定處理。
＜3.基板處理裝置的動作＞ 其次，一邊參照圖6的流程圖，一邊說明所述處理單元102中的基板W的處理。
當在處理單元102中對基板W進行處理時，首先，主搬運機器人103將成為處理對象的基板W搬入至腔室10內（步驟S1）。利用基板保持部20的多個夾盤銷22，水平地保持搬入至腔室10內的基板W。然後，藉由使旋轉機構30的自旋馬達32驅動，而使基板W開始旋轉（步驟S2）。具體來說，支撐軸33、自旋底座21、多個夾盤銷22及夾盤銷22所保持的基板W以支撐軸33的軸心330為中心而旋轉。
接著，進行來自處理液供給部40的處理液的供給（步驟S3）。在步驟S3中，藉由噴嘴馬達413、噴嘴馬達423、噴嘴馬達433的驅動，而使第一噴嘴頭412、第二噴嘴頭422及第三噴嘴頭432向與基板W的上表面相向的處理位置依序移動。接著，從配置在處理位置上的噴嘴頭，噴出處理液。在控制部80內的記憶部83中，預先設定有處理液的供給的順序及各處理液的供給時間。控制部80按照所述設定，執行來自各上表面噴嘴41、上表面噴嘴42、上表面噴嘴43的處理液的噴出動作。
再者，在步驟S3中，也可以一邊從各噴嘴41、噴嘴42、噴嘴43噴出處理液，一邊使所述噴嘴41、噴嘴42、噴嘴43在處理位置上水平地擺動。並且，也可以根據需要，進行來自下表面噴嘴44的處理液的噴出。
圖7是表示步驟S3中的處理液供給步驟的一部分的流程圖。在圖7的示例中，首先，第一噴嘴臂411轉動，第一噴嘴頭412從退避位置向處理位置移動（步驟S31）。接著，使圖4的第一閥456及第二閥457打開。由此，從第一噴嘴頭412向基板W的上表面，噴出硫酸與過氧化氫水的混合液即SPM洗滌液（步驟S32）。SPM洗滌液的溫度例如設為150℃～200℃。
圖8是步驟S32中的處理單元102的局部縱剖面圖。在步驟S32中，對基板W的上表面供給SPM洗滌液後，覆蓋基板W的上表面的抗蝕劑溶解於SPM洗滌液中。因此，在開始SPM洗滌液的噴出的初期，包含抗蝕劑的成分的接近於黑色的SPM洗滌液從基板W的上表面向側方飛散。這時，如圖8中以雙點劃線所示，內杯體51的第一引導板510配置在基板W的側方。從基板W的上表面飛散的SPM洗滌液被收集於內杯體51，並通過第一排液槽511，而排出至廢液管線。
不久，從基板W的上表面完全去除抗蝕劑後，從基板W的上表面飛散的液體成為無色透明的大致純粹的SPM洗滌液。當省略圖示的傳感器檢測出所述SPM洗滌液的顏色的變化時，控制部80藉由杯體升降機構54，而使內杯體51下降。具體來說，如圖8中以實線所示，將內杯體51的第一引導板510配置在比基板W更低的位置。於是，從基板W的上表面飛散的SPM洗滌液被收集於中杯體52，並通過第二排液槽512，回收至再生管線。
當規定時間的SPM洗滌液的噴出結束時，只關閉第一閥456及第二閥457之中的第一閥456，而停止硫酸的供給。由此，進行從第一噴嘴頭412只噴出過氧化氫水的所謂“過水擠出處理”（步驟S33）。進行所述過水擠出處理是為了沖走殘留於合流配管453及第一噴嘴頭412中的硫酸成分，防止硫酸從停止供給處理液後的第一噴嘴頭412意外滴落。
然後，當規定時間經過時，也關閉第二閥457，停止過氧化氫水的噴出。接著，使第一噴嘴臂411轉動，而使第一噴嘴頭412從處理位置移動至退避位置（步驟S34）。
然後，對基板W進行沖洗處理（步驟S35）。在沖洗處理中，一邊繼續進行基板W的旋轉，一邊對基板W的上表面噴出純水。純水也可以從第一噴嘴頭412～第三噴嘴頭432中的任一者噴出，或者也可以從遮斷板60的下表面中央噴出。
返回至圖6的流程圖。在步驟S3的處理液供給步驟的期間內，遮斷板60是配置在比上表面噴嘴41、上表面噴嘴42、上表面噴嘴43更靠上方的上方位置。當對基板W的各種處理液的供給完成，所有上表面噴嘴41、上表面噴嘴42、上表面噴嘴43配置在退避位置時，控制部80使遮斷板升降機構61運行，而使遮斷板60從上方位置向下方位置移動。接著，提高自旋馬達32的旋轉數而使基板W的旋轉高速化，並且從設置在遮斷板60的下表面的吹出口62向基板W吹附乾燥用的氣體。由此，使基板W的表面乾燥（步驟S4）。
當基板W的乾燥處理結束時，解除多個夾盤銷22對基板W的保持。接著，主搬運機器人103將處理後的基板W從基板保持部20取出，並搬出至腔室10的外部（步驟S5）。
＜4.關於煙霧的判定處理＞ 在所述步驟S3的處理液供給步驟中，有時在基板W的上方的空間內，會產生被稱為煙霧的包含多個微粒的環境氣體。眾所周知，特別是如圖7的示例，供給150℃以上的高溫的SPM洗滌液，然後，在供給SPM洗滌液之後進行過水擠出處理時，容易產生大量煙霧。
煙霧如果是通常的產生量，藉由腔室10內的向下流就得以抑制擴散。但是，當煙霧的產生量過多，例如煙霧附著在遮斷板60上時，所附著的煙霧不久會固化而變為顆粒。接著，所述顆粒有可能再次從遮斷板60飛散，而作為異物附著在基板W的表面上。因此，本實施方式的處理單元102在步驟S3的處理的期間內，對腔室10內的拍攝圖像進行監視，同時進行判定煙霧的產生狀況是否在正常範圍內的處理。以下，對所述判定處理進行說明。
圖9是表示煙霧的判定處理的流程的流程圖。
當進行煙霧的判定處理時，首先，獲取參考圖像Ir（步驟S61）。具體來說，在開始對基板W供給處理液之前，攝像部70對基板W的上方的規定的拍攝區域A1進行拍攝。藉由所述拍攝，而獲取無煙霧的拍攝區域A1的圖像作為參考圖像Ir。將所獲得的參考圖像Ir從攝像部70輸入至控制部80，並儲存至控制部80內的記憶部83。
當開始對基板W供給處理液時，攝像部70以規定的時間間隔（例如每隔0.1秒）反復拍攝腔室10內的拍攝區域A1。由此，反復獲取開始供給處理液後的拍攝區域A1的圖像（以下稱為“拍攝圖像Is”）（步驟S62）。將所獲得的拍攝圖像Is從攝像部70輸入至控制部80，並儲存至控制部80內的記憶部83。
圖10是從相機72觀察的基板保持部20、基板W及遮斷板60的立體圖。如圖10中以虛線所示，拍攝區域A1例如，是以包含基板保持部20與配置在上方位置的遮斷板60之間的空間的方式而設定。
圖11是表示在步驟S61中所獲取的參考圖像Ir的示例的圖。圖12是表示在步驟S62中所獲取的拍攝圖像Is的示例的圖。如圖11及圖12所示，拍攝區域A1包含至少一個評估區域A2。評估區域A2是拍攝區域A1之中，成為下一個步驟S63中的判定的對象的區域。評估區域A2是預先藉由用戶而設定。評估區域A2理想的是設定為包含由基板保持部20水平地保持著的基板W的上方的空間。特別理想的是如本實施方式所述，在處理單元102包含遮斷板60的情況下，評估區域A2如圖11及圖12所示，設定為包含與遮斷板60的下表面接近的空間。
當獲取到拍攝圖像Is後，控制部80根據所述拍攝圖像Is中所含的亮度值，判定評估區域A2中的煙霧的產生狀況（步驟S63）。如圖9所示，本實施方式的步驟S63包含步驟S63a～步驟S63h。
在步驟S63中，首先，生成所述參考圖像Ir與所獲得的拍攝圖像Is的亮度值的差分圖像Id（步驟S63a）。具體來說，針對每個像素算出參考圖像Ir中所含的各像素的亮度值與拍攝圖像Is中所含的各像素的亮度值的差分值，並將由所算出的差分值構成的圖像設為差分圖像Id。
圖13是表示根據圖11的參考圖像Ir及圖12的拍攝圖像Is而生成的差分圖像Id的示例的圖。在差分圖像Id中，在參考圖像Ir與拍攝圖像Is之間，不變化的部分的亮度值大致為0，只在已變化的部分出現亮度值。因此，當產生有煙霧F時，差分圖像Id的亮度值成為0以外的正數。
控制部80針對攝像部70反復拍攝所得的多個拍攝圖像Is，依序生成如上所述的差分圖像Id。
接著，控制部80針對依序獲得的差分圖像Id，分別算出評估區域A2的各像素的亮度值的平均值（步驟S63b）。其結果為，如圖14所示，獲得表示相對於拍攝圖像Is的獲取時刻的、評估區域A2的亮度值的平均值的變化的數據。控制部80對所算出的平均值與預先設定的第一閾值進行比較（步驟S63c）。接著，當平均值未達第一閾值時，控制部80判定為在所述時刻的煙霧的產生狀況在正常範圍內（步驟S63d）。另一方面，當平均值為第一閾值以上時，控制部80將所述平均值設為累計對象值（步驟S63e）。
然後，控制部80對從累計對象值減去第一閾值所得的數值即超過值進行依序累計（步驟S63f）。由此，如圖15所示，獲得表示對超過值進行累計的累計值的變化的數據。控制部80對所算出的累計值與預先設定的第二閾值進行比較（步驟S63g）。接著，當累計值未達第二閾值時，控制部80判定為在所述時刻的煙霧的產生狀況在正常範圍內（步驟S63d）。另一方面，當累計值為第二閾值以上時，控制部80判定為評估區域A2中的煙霧的產生狀況為異常（步驟S63h）。
在步驟S63d中，將煙霧的產生狀況判定為正常範圍內時，返回至步驟S62，繼續進行拍攝圖像Is的獲取（步驟S62）及煙霧的判定處理（步驟S63）。另一方面，在步驟S63h中，將煙霧的產生狀況判定為異常時，控制部80發出警報而通知用戶處於異常。警報例如既可以是警告燈的發光，也可以是語音或警報音的發報，還可以是向畫面的消息的顯示。
如以上所述，在所述處理單元102中，能夠根據拍攝圖像Is的亮度值定量地判定腔室10內的煙霧的產生狀況是否在正常範圍內。因此，用戶可以根據判定結果，適當地掌握腔室內的煙霧的產生狀況，在異常時能夠進行必要的處置。
特別是在本實施方式中，預先獲取參考圖像Ir，並根據參考圖像Ir與拍攝圖像Is的差分圖像Id，判定煙霧的產生狀況。因此，能夠將在參考圖像Ir與拍攝圖像Is中已發生變化的部分適當地判定為煙霧。
並且，在本實施方式中，不但將評估區域A2的亮度值的平均值只與第一閾值進行比較，而且只在所述平均值為第一閾值以上的情況下，對其超過值進行累計，將藉由累計而獲得的累計值與第二閾值進行比較。這樣一來，藉由測定誤差等，而使得即使在評估區域A2的亮度值的平均值暫時為第一閾值以上的情況下，也不會立即判定為異常，而只在平均值為第一閾值以上的狀態持續某種程度的情況下，才可判定為異常。因此，能夠更穩定地判定腔室10內的煙霧的產生狀況是否在正常範圍內。
再者，在本實施方式的步驟S63f中，是對從累計對象值減去第一閾值所得的值即超過值依序進行累計。但是，也可以取代超過值，對累計對象值自身依序進行累計。但是，如上所述對超過值進行累計的方式就如下方面來說更優選：能夠使在煙霧產生有異常的時刻的變化率（例如，圖15的以符號E所示的部位的變化率）更大而加以強調。
＜5.關於外杯體的升降動作＞ 外杯體53的高度在穩態時，是配置在圖8所示的第一位置。在第一位置上，將外杯體53的第三引導板530配置在基板W的周圍。這時，在外杯體53與位於外杯體53的外側的環狀壁55之間，存在圓環狀的間隙56。在腔室10內形成向下流的空氣如圖8中以虛線箭頭F1所示，主要通過所述間隙56，流向三個杯體51～杯體53的下方的空間。
但是，在圖9的步驟S63h中，判定為煙霧的產生狀況為異常時，控制部80藉由杯體升降機構54，而使外杯體53上升（步驟S64）。由此，使外杯體53的高度從第一位置變為比第一位置更高的第二位置。
圖16是步驟S64中的處理單元102的局部縱剖面圖。如圖16所示，在第二位置上，將外杯體53的第三引導板530配置在相當於基板W的上方的評估區域A2的空間的外側。並且，當將外杯體53配置在第二位置上時，外杯體53的外周面與環狀壁55的環狀凸部551的內周部接近。由此，外杯體53與環狀壁55之間的間隙56窄於第一位置時。因此，在腔室10內形成向下流的空氣如圖16中以虛線箭頭F2所示，主要通過外杯體53的內側，流向三個杯體51～杯體53的下方的空間。
在基板W的上方的空間內產生的煙霧隨著所述虛線箭頭F2的空氣的流動，而收集於外杯體53。因此，煙霧的朝向上方的擴散得到抑制。其結果為，能夠抑制煙霧附著在遮斷板60的下表面、外杯體53的外周面、腔室10的內壁面等。
如上所述，在本實施方式的處理單元102中，根據步驟S63的判定結果，變更外杯體53的上下方向上的位置。由此，將外杯體53配置在與煙霧的產生狀況相對應的適當位置。因此，能夠抑制煙霧的擴散，抑制煙霧附著在腔室10內的各部。特別是在本實施方式中，上升後的第二位置上的外杯體53與環狀壁55之間的間隙56小於上升前的第一位置上的外杯體53與環狀壁55之間的間隙56。如上所述，當判定為煙霧的產生狀況為異常時，藉由縮小所述間隙56，可以降低流向外杯體53的外側的氣體的流量。其結果為，能夠進一步抑制煙霧的擴散。
並且，在本實施方式中，處理液收集部50的三個杯體51～杯體53之中，內杯體51及中杯體52不管步驟S63的判定結果如何，都按照預先設定的處理順序而運行。而且，只有最外側的外杯體53根據步驟S63的判定結果，沿上下方向移動。這樣一來，可以一邊利用內杯體51及中杯體52繼續進行處理液的收集，一邊利用外杯體53收集所產生的煙霧。
＜6.變形例＞ 以上，已對本發明的一個實施方式進行說明，但是本發明並不限定於所述實施方式。
在所述實施方式中，當在步驟S63h中將煙霧的產生狀況判定為異常時，發出警報，並且為了抑制煙霧的擴散，將外杯體53的上下方向上的位置從第一位置變更為第二位置。但是，外杯體53的上下方向上的位置可以變更為三個階段以上，也可以連續地變更。並且，變更上下方向上的位置的杯體可以是內杯體51或中杯體52。並且，外杯體53的高度可以固定在第二位置上。並且，包圍基板W的杯體的數量可以是一個至兩個，也可以是四個以上。並且，可以與三個杯體51～杯體53不同，而另外地設置有用於收集煙霧的專用杯體。
並且，可以在步驟S63h中將煙霧的產生狀況判定為異常時，控制部80發出警報，並且自動進行用於抑制煙霧的擴散的其它控制。例如，如圖17所示，可以在步驟S63h之後，改變腔室10內的氣流（步驟S64）。具體來說，可以使風機過濾器單元15的風機的旋轉數提升，而提高腔室10內的向下流的流速。
並且，在步驟S63h中將煙霧的產生狀況判定為異常時，可認為煙霧已擴散至與遮斷板60的下表面接近的區域。因此，在其後不久預定進行步驟S4的乾燥處理的情況下，如果仍舊使遮斷板60下降，煙霧就會附著在遮斷板60上。因此，如圖18所示，在步驟S63h之後，控制部80可以禁止遮斷板升降機構61使遮斷板60從上方位置下降至下方位置（步驟S65）。
並且，在所述實施方式中，是根據差分圖像Id中的評估區域A2的亮度值的平均值，判定煙霧的產生狀況。但是，也可以根據評估區域A2的亮度值的合計值，判定煙霧的產生狀況。
並且，在所述實施方式中，拍攝區域A1中所設定的評估區域A2的數量只有一個。但是，拍攝區域A1中所設定的評估區域A2的數量也可以是兩個以上。而且，也可以判定兩個以上的評估區域A2的每一個的煙霧的產生狀況。
例如，如圖19所示，可以在拍攝區域A1中，在左右設定多個評估區域A2。這樣一來，可以根據各評估區域A2中的判定結果，獲知氣流的偏差等附加資訊。並且，由於各評估區域的面積變小，所以能夠以更高精度判定各評估區域A2中的煙霧的產生狀況。
並且，如圖20所示，也可以在拍攝區域A1中，在上下設定多個評估區域A2。而且，與基板保持部20所保持的基板W的上表面接近的空間也可以設定為評估區域A2。這時，在與基板W的上表面接近的評估區域A2中，例如，可以在如步驟S33的過水擠出處理之類，應產生煙霧時，如果沒有產生煙霧（如果評估區域A2中的亮度值的合計值或平均值未達預先設定的閾值），就判斷為異常。所述異常判定也可以與圖9中所說明的判定方法組合起來進行。即，當與基板W的上表面接近的空間內的評估區域A2內的判定結果（如果亮度值的合計值或平均值未達閾值就判斷為異常）、與位於比所述評估區域A2更靠上方的位置的另一個評估區域A2內的判定結果（如果亮度值的合計值或平均值為閾值以上就判定為異常）中的至少任一個判定結果為異常時，也可以作為整體而判定為異常。
並且，當在上下設定多個評估區域A2時，可以根據被判定為異常的評估區域A2的位置，變更外杯體53的位置。例如，可以設為在被判定為異常的評估區域A2之中位置最高的評估區域A2的側方，配置外杯體53的第三引導板530。
並且，在所述實施方式中，是在步驟S3的處理液供給步驟的期間，進行煙霧的判定處理（步驟S61～步驟S63）。但是，也可以只在步驟S3的處理液供給步驟之中供給容易產生煙霧的處理液時，進行煙霧的判定處理。例如，可以只在供給所述SPM洗滌液時及過水擠出處理時，進行煙霧的判定處理。優選的是至少在過水擠出處理時，執行煙霧的判定處理。
並且，也可以在處理液供給步驟的期間，進行煙霧的判定處理，特別是在供給SPM洗滌液時及過水擠出處理時，進行使利用相機72進行拍攝的幀數增多（即，縮短進行拍攝的時間間隔。例如，對曾經每隔0.1秒反復拍攝的區域，只在供給SPM洗滌液時及過水擠出處理時每隔0.05秒進行反復拍攝）的集中監視處理。藉由進行所述集中監視處理，可以特別地在容易產生煙霧的步驟中，以細微的時間間隔詳細地獲得攝像圖像，另一方面，在不容易產生煙霧的步驟中減少所獲取的攝像圖像數。其結果為，能夠減少記憶部83中所保存的數據容量。
並且，在所述實施方式中，是在即將對基板W開始供給處理液之前，獲取參考圖像Ir。但是，獲取參考圖像Ir的時序也可以是其它時序。並且，參考圖像Ir也可以並非一個。例如，可以將在成為判定對象的拍攝圖像Is的規定時間前所拍攝的拍攝圖像Is，設為參考圖像Ir。
並且，在所述實施方式中，控制部80具備對處理單元102的各部進行運行控制的功能、及判定煙霧的產生狀況的作為判定部的功能兩者。但是，用於對處理單元102的各部進行運行控制的控制部與用於判定煙霧的產生狀況的判定部也可以是分別不同的計算機。
並且，在所述實施方式中，成為處理對象的基板W是半導體用的矽晶片。但是，在本發明中成為處理對象的基板並不限定於矽晶片，也可以是液晶顯示裝置等平板顯示器用的玻璃基板、光罩 用的玻璃基板、太陽能電池用的玻璃基板等其它精密電子裝置用的基板。
並且，關於基板處理裝置的細部的形狀，可以與本申請的各圖中所示的形狀不同。並且，也可以將所述實施方式或變形例中所出現的各要素，在不產生矛盾的範圍內適當加以組合。
＜7.其它觀點的發明＞ 再者，可以從所述實施方式（圖8、圖16等）中提取出如下的發明：如果將“利用杯體，從基板的上方的空間回收煙霧”設定為第一課題，就不將煙霧的判定處理（拍攝及根據拍攝圖像的判定）設為必要條件，取而代之，將杯體與環狀壁之間的間隙尺寸的變化設為必要條件。
如果將所述發明作為裝置發明而記載，就變為例如，“一種基板處理裝置，其包括：腔室；基板保持部，在所述腔室的內部水平地保持基板；處理液供給部，對所述基板保持部所保持的基板的上表面供給處理液；杯體，包圍基板；排氣部，從所述杯體的內側的空間向所述腔室的外部排出氣體；杯體升降機構，使所述杯體沿上下方向移動；以及環狀壁，位於所述杯體的外側；並且所述杯體升降機構在回收所述煙霧時，使所述杯體從第一位置上升至比所述第一位置更高的第二位置，所述第二位置上的所述杯體與所述環狀壁之間的間隙小於所述第一位置上的所述杯體與所述環狀壁之間的間隙”。
並且，如果將所述發明作為方法發明而記載，就變為例如，“一種煙霧回收方法，在如下的裝置中，從基板的上方的空間回收煙霧，所述裝置是一邊在腔室的內部水平地保持基板，一邊對基板的上表面供給處理液，所述煙霧回收方法包括如下的步驟：a）一邊將包圍基板的杯體配置在第一位置，一邊對基板的上表面供給處理液；以及b）使所述杯體從第一位置移動至比所述第一位置更高的第二位置；並且在所述步驟a）及所述步驟b）中，從所述杯體的內側的空間向所述腔室的外部排出氣體，所述第二位置上的所述杯體與位於所述杯體的外側的環狀壁之間的間隙小於所述第一位置上的所述杯體與所述環狀壁之間的間隙”。
根據這些發明，在回收煙霧時，使杯體從第一位置上升至第二位置。於是，杯體與環狀壁之間的間隙變窄。因此，能夠減少流向杯體的外側的氣體的流量，與氣體一同將煙霧高效率地引入至杯體的內側。其結果為，能夠抑制腔室內的煙霧的擴散。並且，可以將所述實施方式或變形例中所出現的各要素與這些發明加以組合。
10‧‧‧腔室11‧‧‧處理空間12‧‧‧側壁13‧‧‧頂板部14‧‧‧底板部15‧‧‧風機過濾器單元16‧‧‧排氣導管20‧‧‧基板保持部21‧‧‧自旋底座22‧‧‧夾盤銷23‧‧‧夾盤銷切換機構30‧‧‧旋轉機構31‧‧‧馬達蓋32‧‧‧自旋馬達33‧‧‧支撐軸40‧‧‧處理液供給部41、42、43、44‧‧‧噴嘴45‧‧‧供液部50‧‧‧處理液收集部51‧‧‧內杯體52‧‧‧中杯體53‧‧‧外杯體54‧‧‧杯體升降機構55‧‧‧環狀壁56‧‧‧間隙60‧‧‧遮斷板61‧‧‧遮斷板升降機構62‧‧‧吹出口70‧‧‧攝像部71‧‧‧光源72‧‧‧相機80‧‧‧控制部81‧‧‧運算處理部82‧‧‧記憶體83‧‧‧記憶部100‧‧‧基板處理裝置101‧‧‧分度器102‧‧‧處理單元103‧‧‧主搬運機器人160‧‧‧排氣口330‧‧‧軸心411‧‧‧第一噴嘴臂412‧‧‧第一噴嘴頭413‧‧‧第一噴嘴馬達421‧‧‧噴嘴臂422‧‧‧噴嘴頭423‧‧‧噴嘴馬達431‧‧‧第三噴嘴臂432‧‧‧第三噴嘴頭433‧‧‧第三噴嘴馬達451‧‧‧第一配管452‧‧‧第二配管453‧‧‧合流配管454‧‧‧硫酸供給源455‧‧‧過氧化氫水供給源456、457‧‧‧閥510‧‧‧第一引導板511‧‧‧第一排液槽512‧‧‧第二排液槽513‧‧‧第三排液槽520‧‧‧第二引導板530‧‧‧第三引導板551‧‧‧環狀凸部A1‧‧‧拍攝區域A2‧‧‧評估區域E‧‧‧部位F‧‧‧煙霧F1、F2‧‧‧箭頭Id‧‧‧差分圖像Ir‧‧‧參考圖像Is‧‧‧拍攝圖像P‧‧‧計算機程式S1～S5、S31～S35、S61～S65、S63a～S63h‧‧‧步驟W‧‧‧基板
圖1是基板處理裝置的平面圖。 圖2是處理單元的平面圖。 圖3是處理單元的縱剖面圖。 圖4是表示與第一噴嘴頭連接的供液部的一例的圖。 圖5是表示控制部與處理單元內的各部的連接的框圖。 圖6是表示處理單元中的基板處理的流程的流程圖。 圖7是表示處理液供給步驟的一部分的流程圖。 圖8是步驟S32中的處理單元的局部縱剖面圖。 圖9是表示煙霧的判定處理的流程的流程圖。 圖10是從相機觀察的基板保持部、基板及遮斷板的立體圖。 圖11是表示參考圖像的示例的圖。 圖12是表示拍攝圖像的示例的圖。 圖13是表示差分圖像的示例的圖。 圖14是表示如下數據的示例的圖，所述數據表示評估區域的亮度值的平均值的變化。 圖15是表示如下數據的示例的圖，所述數據表示累計值的變化。 圖16是步驟S64中的處理單元的局部縱剖面圖。 圖17是在異常判定後改變腔室內的氣流時的流程圖。 圖18是在異常判定後禁止遮斷板的下降時的流程圖。 圖19是表示在左右設定有多個評估區域的示例的圖。 圖20是表示在上下設定有多個評估區域的示例的圖。
10‧‧‧腔室
16‧‧‧排氣導管
20‧‧‧基板保持部
21‧‧‧自旋底座
31‧‧‧馬達蓋
50‧‧‧處理液收集部
51‧‧‧內杯體
52‧‧‧中杯體
53‧‧‧外杯體
55‧‧‧環狀壁
56‧‧‧間隙
60‧‧‧遮斷板
160‧‧‧排氣口
510‧‧‧第一引導板
511‧‧‧第一排液槽
512‧‧‧第二排液槽
513‧‧‧第三排液槽
520‧‧‧第二引導板
530‧‧‧第三引導板
551‧‧‧環狀凸部
F1‧‧‧箭頭
W‧‧‧基板

Claims (12)

  1. 一種基板處理方法，其為於一邊在腔室的內部水平地保持基板、一邊對所述基板的上表面供給處理液的裝置中的基板處理方法，所述裝置包括：杯體，包圍基板；以及排氣部，從所述杯體的內側的空間向所述腔室的外部排出氣體；並且所述基板處理方法包括：步驟a)對所述腔室內的規定的拍攝區域進行拍攝；步驟b)根據藉由所述步驟a)而獲取到的拍攝圖像的亮度值，判定所述腔室內的煙霧的產生狀況；以及步驟c)根據所述步驟b)的判定結果，變更所述杯體的上下方向上的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理方法，其中在所述步驟b)中，將所述煙霧的產生狀況判定為異常時，在所述步驟c)中，使所述杯體從第一位置上升至比所述第一位置更高的第二位置。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的基板處理方法，其中所述裝置更包括：環狀壁，位於所述杯體的外側；並且所述第二位置上的所述杯體與所述環狀壁之間的間隙小於所述第一位置上的所述杯體與所述環狀壁之間的間隙。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的基板處理方法，其中所述裝置包括：多個杯體，多重地包圍基板；並且在所述步驟c)中，根據所述步驟b)的判定結果，變更所述多個杯體之中最外側的杯體的上下方向上的位置。
  5. 一種基板處理裝置，包括：腔室；基板保持部，在所述腔室的內部水平地保持基板；處理液供給部，對所述基板保持部所保持的基板的上表面供給處理液；攝像部，對所述腔室內的規定的拍攝區域進行拍攝；判定部，根據所述攝像部所獲取到的拍攝圖像的亮度值，判定所述腔室內的煙霧的產生狀況；圓板狀的遮斷板，配置在基板的上方；以及遮斷板升降機構，使所述遮斷板，在從基板的上表面向上方遠離的上方位置與比所述上方位置更接近基板的上表面的下方位置之間移動，其中，所述判定部生成預先獲取到的所述拍攝區域的參考圖像與所述拍攝圖像的亮度值的差分圖像，並根據所述差分圖像，判定所述腔室內的煙霧的產生狀況，所述拍攝區域包含至少一個評估區域，所述判定部是根據所述差分圖像中的所述評估區域中所含的各像素的亮度值的合計值或平均值與預先設定的第一閾值的比較 結果，判定所述評估區域內的煙霧的產生狀況，所述評估區域包含水平地保持著的基板的上方的空間，所述評估區域包含與所述遮斷板的下表面接近的空間，所述判定部在將所述評估區域內的煙霧的產生狀況判定為異常時，禁止所述遮斷板升降機構使所述遮斷板從所述上方位置下降至所述下方位置。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的基板處理裝置，其中所述處理液供給部供給包含硫酸及過氧化氫水的洗滌液，作為所述處理液。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的基板處理裝置，其中所述處理液供給部在對基板的上表面供給所述洗滌液之後，使硫酸的供給停止，而進行對基板的上表面供給過氧化氫水的過水擠出處理，所述攝像部至少在所述過水擠出處理時，進行所述拍攝。
  8. 一種基板處理裝置，包括：腔室；基板保持部，在所述腔室的內部水平地保持基板；處理液供給部，對所述基板保持部所保持的基板的上表面供給處理液；攝像部，對所述腔室內的規定的拍攝區域進行拍攝；判定部，根據所述攝像部所獲取到的拍攝圖像的亮度值，判定所述腔室內的煙霧的產生狀況；以及氣流產生機構，使所述腔室內產生氣流；並且所述氣流產生機構根據所述判定部的判定結果，改變所述氣 流。
  9. 一種基板處理裝置，包括：腔室；基板保持部，在所述腔室的內部水平地保持基板；處理液供給部，對所述基板保持部所保持的基板的上表面供給處理液；攝像部，對所述腔室內的規定的拍攝區域進行拍攝；判定部，根據所述攝像部所獲取到的拍攝圖像的亮度值，判定所述腔室內的煙霧的產生狀況；杯體，包圍基板；排氣部，從所述杯體的內側的空間向所述腔室的外部排出氣體；以及杯體升降機構，使所述杯體沿上下方向移動；並且所述杯體升降機構根據所述判定部的判定結果，變更所述杯體的上下方向上的位置。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的基板處理裝置，其中所述杯體升降機構在所述判定部將所述煙霧的產生狀況判定為異常時，使所述杯體從第一位置上升至比所述第一位置更高的第二位置。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的基板處理裝置，更包括：環狀壁，位於所述杯體的外側；並且所述第二位置上的所述杯體與所述環狀壁之間的間隙小於所述第一位置上的所述杯體與所述環狀壁之間的間隙。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的基板處理裝置，更包括： 多個杯體，多重地包圍基板；並且所述杯體升降機構根據所述判定部的判定結果，變更所述多個杯體之中最外側的杯體的上下方向上的位置。
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