JPS61240645A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、微粒子計測モニタを有する半導体製造装置に
関するものである。

〔発明の背景〕

半導体その他の製造工程で、製品上およびその周辺部に
存在する微粒子が製品の性能や歩留りに影響をおよぼし
、そのために上記微粒子の計測と制御とが、製品の製造
にとって重要であることは極めて多い。

特に、半導体の製造工程におけるいわゆる気相成長やプ
ラズマ膜の堆積、プラズマによる膜エツチング等の反応
炉内では、反応ガスの一部が分解して微粒子となり、そ
の一部はＳｉウェハ等の製品上に堆積し製品の欠陥発生
や膜質の性能劣化等を誘起する。従って上記反応炉内で
反応空間や製品の近傍および製品上に堆積する異物や微
粒子を観測し、観測結果から目的に応じた状態に制御す
るように、炉内に導入するガスの種類、流量、製品の温
度、炉内温度などの反応条件を適切に制御することが望
まれる。半導体製品の製造工程では、原料ウェハの投入
から最終製品の完成に至るまで、製品は多くのステップ
と設備を通って処理される。

そのため上記反応炉等の場合以外でも、製品周辺の異物
や微粒子を極力少なくすることが望まれる。

すなわち、半導体等の処理工程の全体、いわゆるウェハ
の動線に沿って製品周辺部における空間の異物や微粒子
を計測し制御することが重要である。

上記目的のために、作業室やクリーンベンチ内の微粒子
を計測し、所望の目的値になるように管理する程度のこ
とは現在でも行われている。また上記計測のために微粒
子を検出し、係数するダストカウンタが市販されている
。

従来のダストカウンタは作業室内の雰囲気（大気、一般
ガス等）を吸引し、上記ガス等と光検出部に導入し、光
散乱法で粒子数を計数する間接的な方法である（特開昭
５５−１８７８３号）。しかし上記方法にはつぎのよう
な問題点がある。（１）ガス吸引点周辺から吸引された
ある容積のガス内に含まれる微粒子総量の平均値が求め
られるが、空間内の微粒子分布の詳細な計測には適さな
い。（２）ガス吸引管内での粒子の沈着付着等により、
ガス吸引部と粒子計測部との微粒子の量的−敵性に問題
がある。（３）ガスの吸引により目的空間の微粒子の分
布を乱す。

〔発明の目的〕

本発明は、目的とする部分のガスを吸引することなく、
製品の処理領域に沿った上記部分に存在する微粒子を直
接検出し、計測することができる半導体製造装置を得る
ことを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明による半導体製造装置は、レーザ光を走査して照
射する手段と、上記レーザ光が製品上またはその周辺部
の微粒子によって生じる散乱光を検出し計測する手段と
を、製品の処理領域に沿って設けたことにより、上記製
品処理領域の目的とする部分の微粒子により生じる散乱
光を１例えば光学レンズとテレビジョンカメラで検出し
、ビデオシステムを通して、上記微粒子の寸法や数の分
布を微粒子解析装置で計測し、半導体製造装置の反応条
件や環境条件を制御するようにしたものである。

上記レーザ光を走査して微粒子による散乱光を検出し、
微粒子解析装置で計測する上記システムは、作業室内や
クリーンベンチ内の微粒子計測用として報告されている
（用瀬他：応用物理学会昭和５８年秋期連合講演会予稿
集、ｐ、２２）。本発明は上記技術を半導体製造システ
ムのウェハ動線の全体にわたって適用し、微粒子を計測
し制御するようにしたものである。

本発明に用いたレーザビーム走査型浮遊微粒子計測装置
の概要を第１３図に示す、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光源１から
発するレーザ光２を、被測定空間に浮遊する微粒子３に
照射し、該微粒子３から発生する近前方散乱光４を光学
レンズおよびテレビジョンカメラ５を用いてビデオ装置
６に記録する。記録された画像は静止画像として微粒子
解析装置７により空間内の微粒子数が計測でき、モニタ
画面によって微粒子の運動の様子や、微粒子のウェハへ
の付着過程を可視化することもできる。

製品に付着する異物や微粒子を極度に少なくする必要が
あるものの一例は、Ｓｉ超ＬＳＩの製造工程である。そ
の工程は、Ｓｉの表面酸化、プラズマ５Ｌ３Ｎ４膜堆積
、ホトリソグラフィ、イオン打込み、不純物拡散、ポリ
Ｓｉ堆積、りんガラス堆積、ウェハの洗浄・乾燥・保管
、金属スパッタ、不活性ガスアニール等の主要工程数で
６５ステップ以上からなる。これらのステップをさらに
個別ステップに分解すると数百ステップにおよび、作業
空間の微粒子や異物の管理の他に、製品が直接接触する
装置内の微粒子を計測して制御することが製品の歩留り
、性能改善上、工業的に極めて重要になってくる。従っ
て微粒子の計測も上記ステップの所望する部分に適用で
きることが必要であり、上記計測システムは以下実施例
に述べる各側を適用することにより、半導体製造装置に
おけるウェハ動線の全体にわたって微粒子計測モニタを
設けることができる。

なお、上記ウェハ動線の中には製造設備の他に、設備間
をつなぐウェハ搬送システムや、治具から治具へのウェ
ハ移し替え装置、ウェハ治具の一時保管等も含まれる。

〔発明の実施例〕

つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。

第１図は本発明による半導体製造装置の第１実施例とし
てＣＶＤ装置への適用を示す構成図、第２図は上記ＣＶ
Ｄ反応炉内の温度分布を示す図、第３図は上記実施例に
おける５ｉｎ２膜堆積時間と堆積膜厚の関係を示す図、
第４図は上記ＣＶＤ炉内微粒子の空間分布を示す図、第
５図は本発明の第２実施例として容量結合型プラズマＣ
ＶＤ装置への適用を示す構成図、第６図は本発明の第３
実施例として反応性イオンエツチング装置への適用を示
す構成図、第７図は本発明の第４実施例として投影露光
装置への適用を示す構成図、第８図は本発明の第５実施
例としてウェハ外観検査装置への適用を示す構成図、第
９図は本発明の第６実施例におけるウェハカセット搬送
システムの部分斜視図、第１０図は上記第６実施例とし
てウェハカセット搬送システムに適用した断面図、第１
１図は本発明の第７実施例としてウェハ・エア・トラッ
クを有する自動化ラインへの適用を示す説明図、第１２
図は上記ウェハ・エア・トラックへの実施例における一
部分を示す斜視図である。第１図の第１実施例に示すＣ
ＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ＶａｐｅｒＤ　ａｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ法）による５ｉｎ２、りんガラス膜等の形成法
は、半導体その他の分野で古くから実用化されており、
特にりんガラスは半導体素子のりん拡散源、素子の表面
安定化、多層配線用絶縁膜、電極保護膜等に広く応用さ
れている。この反応炉の模式図は第１図に示すように反
応炉８が○リング９によって密閉され、内部に基板１０
としてＳｉウェハがサセプタ１１上に設置されている。

上記サセプタ１１はヒータ１２を内蔵し、基板温度を目
的温度に設定することができる。また円板状のサセプタ
１１は図におけるＢ部の円周上に複数個の基板１０を設
置でき、下部に設けたモータ１３により回転させること
ができる。反応ガス供給装置１４とガス排出口１５とを
備え、ＳｉＯ□膜生成の場合にはシリコン源としてＳｉ
Ｈ４ガス、酸素源として０２ガスを、キャリアガスであ
るＮ２ガスとともに、上記反応ガス供給装置１４から反
応炉８内に流す。なお、上記混合ガスにＰＨ，ガスを添
加すれぼりんガラスが生成される。

Ｓｉｏ２膜を生成する場合の一例をつぎに記す。

キャリアガスＮ２を反応炉９内に流しく場合によっては
上記炉８内を真空にしたのちにＮ、を流す）、反応炉８
内の空気をＮ２で置換する。つぎにサセプタ１１のヒー
タ１２を加熱して基板１０の表面温度を４２０℃に設定
する。温度測定はのぞき窓１６を通して輻射温度計を用
い測定する。基板１０の中心に垂直な直線ＡＢに沿う温
度分布を計測した結果を第２図に示す。第２図から、表
面温度が４２０℃の場合、表面から約３５ｎｎ上部にお
ける温度は２００℃程になっていることがわかる。この
ため導入されたガスは上記基板１０上で反応する前に気
相中でＳｉＯ２粒子を形成しやすい。この気相中で形成
されるＳ　Ｌ０２粒子は基板１０の堆積膜の質に重要な
影響をおよぼす。気相中の粒子の状態と堆積膜の性能と
の関係は工業的に極めて重要であり、一般に気相中のＳ
ｉｎ、粒子が少なく、かつ粒子が細かいほど堆積膜の特
性（ピンホール密度、耐薬品性等）がよいとされている
。上記ＣＶＤ反応炉８内で反応中に、気相中または基板
１０表面の微粒子を計測し制御しながら膜の堆積を行う
ために、反応炉８の両側面および斜め上方に石英製のの
ぞき窓１６を設け、両側面ののぞき窓の一方からレーザ
光源１７より出射するレーザ光１８を反応炉８内に入れ
、水平面内で左右に走査する。レーザ光１８は上下移動
も可能である。斜め上方ののぞき窓１６の外部には粒子
観測用カメラ１９を設置し、上記カメラ１９の焦点面は
レーザ光１８の水平走査面に合致するように調整する。

したがって上記直線ＡＢ上で、直線ＡＢを中心として左
右にレーザ光１８が走査し、基板１０上における水平方
向の粒子の散乱光を粒子観測用カメ゛う１９でとらえ、
粒子の分布を可視化することができ、基板１０およびそ
の周辺部の粒子密度空間分布の計測が可能になる。

第３図にＳｉｏ２膜の堆積時間と膜厚との関係の一例を
示すが、第３図に示す条件下で反応させた場合における
反応炉８内空間の微粒子分布は第４図に示すようになる
。第４図は基板１０の中心部のＡＢ線上で計測した粒子
数と基板１０からの距離との関係を示したものである。

第２図によると基板温度が４２０℃の場合、基板直上”
１０ｍｍの点で反応炉内温度が１４０℃位になり、これ
に対応して微粒子数も７０ｍｍの点で最大に近い値にな
っている様子がわかる。

モノシランガスは常温でも酸素と接触し白色のＳｉＯ２
の粒子になるが、第４図に示す低温領域はどＳｊ○２粒
子が多くなるのは、上記モノシラン量に対し酸素が過剰
な状態になっているためと推定される。

上記各事項を、ガス流量、ガス組成比、あるいは基板温
度を変化させて実験し、ピンホール密度、膜密度、屈折
率、耐薬品性などに対する膜質がすぐれた条件を見出す
ことが可能である。また成膜中常時反応炉８内の空間に
おける微粒子計測を行い、ガス流量やガス組成比、温度
などの成膜条件を一定に制御し、成膜条件の安定化をは
かることができる。本発明の計測は直接計測であるから
前記特徴の外に、減圧反応炉に対して拡大適用すること
ができる利点がある。従来の吸引法は常圧ＣＶＤ炉には
可能であるが、減圧ＣＶＤ炉では炉内圧が１０−１〜１
０−’　Ｔ　ｏｒｒ程度になっているので、計測部にガ
スを吸引することが困難である。また、強力な真空ポン
プで吸引するようにしても、上記炉内の微粒子を計測部
まで確実に導入できたかどうかについて疑問が残る。

本発明の計測方法は光学的方法であるため、計測時間を
極めて短くすることが可能で、反応空間の粒子生成と成
長等の過程を計測できるので反応解析の有効なデータを
得ることも可能である。

第５図に示す第２実施例は、他の成膜装置、例えば多結
晶シリコン膜、５１３Ｎ４膜等のプラズマＣＶＤ炉への
適用例を示すもので、Ａｆｌ、Ｍｏ、Ｗ等の金属スパッ
タ装置やエピタキシャル成膜装置等にも同様に適用が可
能である。つぎに膜厚の均一性および生産性から注目さ
れている平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、Ｓｉ３
Ｎ４膜を堆積する場合について説明する。

ステンレス等の反応室２０の内部に丸形の基板電極２１
．２２を対向して設け、上記基板電極２１は磁気回転機
構２３により回転軸２４の周りに回転可能で、上記基板
電極２１の上にはＳｉ等の基板１０が設置されている。

ガス導入口２５からＳ　ｉ　Ｈ４とＮＨ３のガスを流し
排気管２６より排気し上記反応室２０内の圧力を０．１
〜０．５Ｔｏｒｒに保つようにする。Ｓｉウェハの基板
１０はヒータ２７により２５０℃に加熱される。

５０ｋＨｚの高周波電源２８により、上記基板電極２１
と２２との間に高周波電圧を印加し、反応室２０内の上
記混合ガスを励起する。基板電極２１と２２との間隔は
３０〜ｂ Ｓｉ基板１０近傍におけるプラズマ中の微粒子計測は、
側面ののぞき窓Ｉ６を通してレーザ光源１７から出射す
るレーザ光１８をＳｉ基板１０の上部に導入し。

反応室２０内の所定の部分における微粒子によって生じ
る前方散乱光を、他ののぞき窓２９を通して、例えば光
学レンズとテレビジョンカメラ、ビデオ装置、微粒子解
析装置などによる受光計測装置Ｉ９で計測する。

本実施例では、基板電極の直径１２００ｍｎ、　ＳｉＨ
＜流量２８０ｃｃ　／分、ＮＨ３流量６００ｃｃ／分、
電極間隔４５＋ｎｍ、反応圧力０．３５Ｔｏｒｒのとき
Ｓｉ３Ｎ、の組成比の膜が形成された。混合ガスの組成
比を変えるとＳｉウェハ近傍の０．５μｍの微粒子は８
×１０２〜５Ｘ１０３個／ｃｃの範囲に変るが、上記の
反応条件で最も粒子が少なく約８Ｘ１０２個／ｃｃとな
り、堆積膜のＨＦ液（４９％）でのエツチング速度は０
．３Ｐ／分と最少になり、膜上の異物数も１００ｎｎφ
ウェハ当り１０個と最適の状態になった。

上記のように本発明の半導体製造装置では、反応室内の
微粒子を計測しながら反応条件を制御することにより、
堆積膜上の異物数を最少値にし、かつ膜質を最適にする
ことができた。

第６図に示す第３実施例は反応性イオンエツチング装置
における適用例を示すものである。従来から、超ＬＳＩ
（７）ＭやＭＯや５ｉｎ２、Ｓｉ３Ｎ、、Ｗなどの反応
性イオンエツチング装置では、エツチングされた微粒子
が装置内に飛散し製品の歩留りや性能低下をもたらすこ
と“が知られている。

第６図に示す本実施例の装置は枚葉式プラズマエツチン
グ装置と呼ばれ、処理室３０の前後に真空予備室３１を
設置している。処理前のウェハはウェハカセット３２に
２５枚セットされており、上記ウェハカセット３２から
１枚ずつ取出されたウェハは真空予備室３１であらかじ
め真空処理され、バルブ３３を開けて処理室３０の下部
電極３４上にセットされる。

Ｓｉウェハ上にホトレジスト処理されたＳｉＯ２膜のエ
ツチングの場合には、処理室３０内にＣＦ４＋ｏ、（５
％）のガスを流す。この際の５ｉｎ２膜のエッチレート
は３００人／分であるが、反応により処理室内に反応生
成物の微粒子が発生する。上記微粒子を計測しエッチレ
ートが大きく、かつ処理室３０内の微粒子が少ない条件
を見出しながら同一作業条件で処理する。処理されたウ
ェハはバルブ３５を開き、他の真空予備室を通って他の
ウェハカセツ１〜３２′　に収納される。上記ウェハは
処理室３０内で下部電極直下の水冷テーブル３６（必要
により加熱テーブルにもなる）により冷却され、ホトレ
ジスト膜の劣化を防止する。処理室３０ののぞき窓１６
、レーザ光源１７およびレーザ光１８、観測用の他のの
ぞき窓２９、上記レーザ光１８に照射された微粒子の前
方散乱光を検知する受光計測装置１９の設置と役割りは
、前記の２実施例の場合と同様である。

上記処理室３０における反応はガス圧０　、８　Ｔ　ｏ
ｒｒで行われ、電極３４および３６の間に印加された高
周波パワー（１３，５６Ｍ凧、２５０Ｗ）により励起さ
れたガスのプラズマでＳｉＯ２膜の部分エツチングが行
われる。上記の装置により微粒子発生が少ない条件で５
ｊＯ２のプラズマエツチングを行うことができ、ウェハ
ごとの異物数２０個／１００ｍｍφ以下のレベルで安定
したプロセスを行うことが可能である。

第７図に示す第４実施例はマスクアライナへの適用を示
す一例で、塵埃を最も嫌うマスク合わせでは、従来マス
クとウェハとを密着させて露光する装置が主流であった
が、最近ではマスクとウェハとの間に微小な隙間を置い
て露光するプロキシミティ型や投影露光型が広く用いら
れている。第７図は１０：１の比率で投影する縮少投影
露光装置の主要部の模式図である。集積回路における実
寸の１０倍のパタンを有するレチクル３７がレチクル設
置台３８上に置かれ、高圧水銀ランプ３９の光で集光レ
ンズ系４０を通して照射する。レチクル３７の像は１／
１０の細光レンズ４１を通してウェハ４２上に結像する
。レチクル３７の位置は位置検出系４３、レチクル微動
系４４およびレチクルアライメント系４５によって、ウ
ェハ４２上の目的の位置に光像がくるように微調整され
る。ウェハ４２上に一度露光したあと、ウェハ台のＸ−
Ｙステージ４６を移動させ、順次ウェハ４２上に移動し
露光する。ウェハ４２の位置はまずブリアライナ４７で
粗合わせを行い、Ｘ−Ｙステージ４６の精密な位置決め
はレーザ測長系４８によって行う。ウェハ４２はウェハ
ハンドリング系４９により自動的にウェハカセット３２
から取出され、露光完了後にウェハカセッｌ−３２’　
に収納される。

上記装置における異物計測は、レチクル３７上またはそ
の周辺とウェハ４２上またはその周辺で行って管理する
必要がある。上記レチクル３７に対しては、レーザ光源
１７からのレーザ光１８をレンズおよびテレビジョンカ
メラ、ビデオ装置、微粒子解析装置などの受光計測装置
１９によって計測し、ウェハ４２に対しては、レーザ光
源５０からのレーザ光５１を受光計測装置５２により、
前記のような原理で異物である微粒子からの散乱光が計
測される。上記アライナで一次的に重要な異物管理はレ
チクル３７上における異物をゼロにすることである。上
記異物はウェハ４２上に転写された光像のすバてについ
て、同一個所に欠陥をもたらすので、いわゆる全ペレッ
ト不良の原因になる。つぎにはウェハ４２上およびウェ
ハ周辺の異物の管理が重要である。上記異物検出系によ
るアライナの管理によって、製品の歩留りを著しく向上
させることが可能になる。

第８図に示す第５実施例はウェハ外観検査装置への適用
を示すものである。半導体装置製造の工程では、ホトレ
ジスト処理、拡散処理、ＣＶＤ処理、ＡＩ配線蒸着処理
などの完了後、抜取りまたは全数のウェハ外観検査を行
っている。第８図において、ウェハローダ部のローダ用
ウェハカセット５３から取出されたウェハ５４は、検査
部のウェハ検査台５５に置かれ顕微鏡５６で検査され、
ウェハアンローダ部のアンローダ用力セツ１−５７に収
納される。

この検査装置の異物管理は、主としてウェハ検査台５５
の上のウェハ上およびその周辺であるが、ウェハ走行部
５８の周辺の異物管理も必要である。レーザ光源１７か
ら発するレーザ光１８および受光計測装置１９を第８図
に示すように配置して、上記各実流側と同様に異物の測
定を行うことにより、ウェハ外観検査工程での異物管理
をすることができる。

第９図および第１０図に示す第６実施例は、ウェハ搬送
システムへの適用例である。半導体装置の製造工程では
、ウェハ処理装置内の異物管理の他に、各装置間をつな
ぐウェハトラック部分などにおける異物管理も重要であ
る。このため、製品または製品を収納したケースをウェ
ハトラック内で搬送させ、各装置間をつなぐ搬送装置が
採用される場合がある。第９図はウェハトラックの説明
図で一部切欠いて内部を示している。第９図において、
ダクト５９の内部には２本のレール６０が敷かれ、該レ
ール６０の上をウェハ６１を搭載したウェハカセット６
２が走行する。上記ダクト５９の各端末をそれぞれのウ
ェハ処理装置に接続し、ウェハ搬送中における異物の付
着を低減させる。第１０図は上記ダクト５９の断面を示
す図で、ダクト５９、ウェハ６１、ウェハカセット６２
は上記の通りであり、上記ウェハカセット６２は直流モ
ータ６３によってレール６０上を走行する。ダクト５９
の一部に高性能フィルタ（ＨＥＰＡフィルタ）６４が設
置され、上部の空気流入口６５から入った空気はエアダ
クト６６から高性能フィルタ６４で浄化し、清浄な空気
として垂直に置かれたウェハ６１に平行に流れ排出口１
５から排出される。上記のように清浄雰囲気中でウェハ
搬送が行われるように構成されているが、走行台車から
の発塵や、ウェハカセット６２に付着していた異物の飛
散などが問題になり、ダクト５９内の微粒子計測管理が
必要になる。第１０図に示すように、レーザ光源１７か
らのレーザ光をレーザ光導入窓１６を通してダクト５９
内に導入し、検出用窓２９を通して出る散乱光を、例え
ばレンズおよびテレビジョンカメラ、ビデオ装置、微粒
子解析装置等の受光計測装置１９で計測する。このよう
に発塵状況をチェックし、レール材質や構造の検討、ダ
クトの形状の検討などが可能となり、発塵が少ない搬送
システムを構成させ、常時ウェハ周辺の異物をモニタし
ながら生産システム内でウェハ搬送を行うことが可能で
ある。

第１１図および第１２図に示す第７実施例は、ウニ＝１
９− ハ搬送システムの他の一例を示す図で、各プロセス設備
６６が多数並置されており、その間をつなぐトラック６
７でウェハが順次各プロセス設備６６に送られ、また受
取られる。上記例では第１２図の拡大部分図に示すよう
に、ウェハ６１が１葉ずつウェハエアトラック６７上を
滑走してつぎのプロセス！（［ｆに送られるようになっ
ており、前記第６実施例のようなレールや台車などの摩
擦による発塵のおそれがない。レーザ光源１７より発す
るレーザ光１８をウェハエアトラック６７の所定の位置
に導き、その位置で反射した前方散乱光が受光できるよ
うに受光計測装置１９をセットすれば、ウェハエアトラ
ック上の異物付着状態を管理することができる。

上記のように本発明により各プロセス設備や各装置内の
微粒子を計測し、適切な反応条件の設定、プロセス諸条
件の制御を行うことが可能であり、印加電圧や周波数な
ども制御の対象となり、また電極形状や配置、ガス供給
システムなどの改良のためのデータを得ることも可能で
ある。すなわち微粒子が製品に付着しにくい装置の設計
が可能であり、微粒子が少ない条件下における安定した
プロセス制御が可能である。

上記記述は半導体製造に限定して説明したが、製品の製
造、検査工程等で製品上またはその周辺部の微粒子異物
が問題となり、それらの計測を行って目的の数値になる
ように制御する必要がある工程は他にも多く存在する。

例えば、液晶表示装置、磁気ディスク、プリント基板、
磁気バブルメモリ素子、プラスチックフィルム、バイオ
ロジカル分野などがその例であって、本発明の主旨を実
施することにより製品の歩留り、性能、信頼性の向上に
寄与することができる。

また本発明の実施例はすべて気体雰囲気について述べた
が、水や薬品などの液体雰囲気でのプロセスについても
適用可能であることはいうまでもない。

なお、計測した情報とプロセス制御変数との関係は、個
々のプロセスによって適宜選定してその目的を達成する
ようにシステムを構成することは、既存技術の範囲内に
ある。

〔発明の効果〕

上記のように本発明の半導体製造装置は、レーザ光を走
査して照射する手段と、上記レーザ光が製品上またはそ
の周辺部の微粒子によって生じる散乱光を検出し計測す
る手段とを、製品の処理領域に沿って設けたことにより
、上記処理領域の所望部分の微粒子による散乱光を受光
計測装置で計測し、各プロセスにおける反応条件や環境
条件の制御または管理を行い、製品の歩留りや性能およ
び信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による半導体製造装置の第１実施例とし
てＣＶＤ装置への適用を示す構成図、第２図は上記ＣＶ
Ｄ反応炉内の温度分布を示す図、第３図は上記実施例の
Ｓｉｎ、膜堆積時間と堆積膜厚の関係を示す図、第４図
は上記ＣＶＤ炉内微粒子の空間分布を示す図、第５図は
本発明の第２実施例として容量結合型プラズマＣＶＤ装
置への適用を示す構成図、第６図は本発明の第３実施例
として反応型イオンエツチング装置への適用を示す構成
図、第７図は第４実施例で投影露光装置への適用を示す
構成図、第８図は第５実施例でウェハ外観検査装置への
適用を示す構成図、第９図は第６実施例でウェハカセッ
ト搬送システムの部分斜視図、第１０図は上記第６実施
例でウェハカセット搬送システムに適用した断面図、第
１１図は第７実施例でウェハエアトラックを有する自動
化ラインの一例を示す斜視図、第１２図は上記実施例の
部分斜視図、第１３図は本発明のレーザ走査型浮遊微粒
子計測装置の概要説明図である。 １０．４２．６１・・・ウェハ（製品）１７．５０・・
・レーザ光源 １８．５１・・・レーザ光 １９．５２・・・受光計測装置 代理人弁理士　　中　村　純之助 （り、）　　Ｖ　　　臂（ 牙３図　　　　１−４図 才５図 へ、、へへ　己＝＝ア 矛６図 牙１１翰 １−１２図 ！　１３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）レーザ光を走査して照射する手段と、上記レーザ
   光が製品上またはその周辺部の微粒子によって生じる散
   乱光を検出し計測する手段とを、製品の処理領域に沿っ
   て設けた半導体製造装置。
2. （２）上記製品の処理領域は、半導体製造における各処
   理のすべての動線に沿ったものであることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項に記載した半導体製造装置。