JPS63119233A - X線転写装置 - Google Patents
X線転写装置Info
- Publication number
- JPS63119233A JPS63119233A JP61263725A JP26372586A JPS63119233A JP S63119233 A JPS63119233 A JP S63119233A JP 61263725 A JP61263725 A JP 61263725A JP 26372586 A JP26372586 A JP 26372586A JP S63119233 A JPS63119233 A JP S63119233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat exchanger
- atmosphere chamber
- heat
- blower
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 16
- 239000001307 helium Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は軟X線を用いて微細なパターンを転写。
するX線転写装置に関するものである。
従来のX線転写装置は、特開昭57−169242号に
。
。
記載し、第2図に示すように軟X線発生装置1のX。
線取出し窓側に、内部にX線を透過させる気体を収容し
た雰囲気チャンバ2を配置し、この雰囲気チャ。
た雰囲気チャンバ2を配置し、この雰囲気チャ。
ンバの、XIIJ取出窓と対向する面に形成された穴を
。
。
覆うように、所要のパターンを形成したマスク3ζ。
取付け、雰囲気チャンバ外でマスクと対向するよう。
に保持したウェハ4を移動させるステージ5とを設け。
大気中にウェハを置いて露光する様にしている。。
雰囲気チャンバ2内にはマスク3のパターンと。
ウェハ4とを位置合せするための観察光学系6を、。
設けである。マスク交換時に混入する空気によるヘリウ
ムガス純度の低下を防止するために、雰囲気チャンバ内
に通常ヘリウムガスをボンベ7より供給し、ドレイン穴
8より排出しているが、流量は小なく、雰囲気チャンバ
内のガスは、はとんど流動しない。
ムガス純度の低下を防止するために、雰囲気チャンバ内
に通常ヘリウムガスをボンベ7より供給し、ドレイン穴
8より排出しているが、流量は小なく、雰囲気チャンバ
内のガスは、はとんど流動しない。
雰囲気チャンバ内には観察光学系乙の照明光源。
テレビカメラ9、観察光学系位置決め装置10、マスク
3の位置決め装置11等の発熱部があり、また、軟X線
発生装置1のX線取出し窓12からも熱が流入する。
3の位置決め装置11等の発熱部があり、また、軟X線
発生装置1のX線取出し窓12からも熱が流入する。
上記従来技術は、雰囲気チャンバ内の光学系等より発生
する熱の冷却について配慮がされておらず光学系等に熱
変形を生じ、マスク3とウェハ4、。
する熱の冷却について配慮がされておらず光学系等に熱
変形を生じ、マスク3とウェハ4、。
との位置検出値のドリフト現象が発生し、位置合せ精度
が低下するという問題があり、熱による温度上昇が飽和
するまで、数時間のならし運転をした後でないと使用で
きなかった。
が低下するという問題があり、熱による温度上昇が飽和
するまで、数時間のならし運転をした後でないと使用で
きなかった。
このため昼夜連続運転が必要となり、また使用条件の変
更時等にドリフトが再発することがあった。
更時等にドリフトが再発することがあった。
本発明の目的は光学系等の温度上昇による位置検出値の
ドリフト現象を防止し、電源投入後短時間で高精度に使
用できるX線転写装置を提供することにある。
ドリフト現象を防止し、電源投入後短時間で高精度に使
用できるX線転写装置を提供することにある。
上記目的は、雰囲気チャンバ内のヘリウムガス。
を送風器により熱交換器へ循環させて冷却するこ。
とにより達成される。 5〔
作用〕 光学系等より発生した熱は雰囲気ガスに伝わり、ガスの
温度を上昇させる。温度上昇したガスを送。
作用〕 光学系等より発生した熱は雰囲気ガスに伝わり、ガスの
温度を上昇させる。温度上昇したガスを送。
風儀により熱交換器に循環させ、一定温度にまで。
冷却して雰囲気チャンバに戻すので、光学系等よ、。
り発生した熱が雰囲気チャンバ内に溜まるのを防止でき
るので、光学系等の熱変形が短時間に飽和。
るので、光学系等の熱変形が短時間に飽和。
し、位置検出値のドリフトが止まって直ちに高精度に使
用できる。
用できる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。軟X
線発生装置1.雰囲気チャンバ2の内部ステージ5等は
従来と同様である。
線発生装置1.雰囲気チャンバ2の内部ステージ5等は
従来と同様である。
雰囲気チャンバ内のテレビカメラ9等の主たる発熱源の
近くに、内部のヘリウムガスを吸引排出・ 3 ・ するダクト13を設け、フレキシブルダクト14を。
近くに、内部のヘリウムガスを吸引排出・ 3 ・ するダクト13を設け、フレキシブルダクト14を。
仲介して送風器15に接続し、熱交換器16とフレ。
キシプルダクト14を介して吹込ダクト17にて雰。
囲気チャンバ2に戻す。熱交換器16の出口温度。
をセンサ18にて測定し、熱交換器の交換熱量を。
調整し、出口温度が一定になる様にする。
テレビカメラ9等の発熱部は断熱材を介して支。
持する様にし、熱が直接、他の光学系に伝わるの。
を防止する。
これにより発生した熱は周辺のヘリウムガスのO
温度を上昇させるが、そのガスを直ちに吸引排出ダクト
により吸出し熱交換器にて一定温度に冷却。
により吸出し熱交換器にて一定温度に冷却。
して戻すことができるので、熱が雰囲気チャンバ内に溜
まり、光学系の位置検出値のドリフト現象。
まり、光学系の位置検出値のドリフト現象。
が長時間続くのを防止できる効果がある。また送已
風器゛等をフレキシブルダクトを仲介して接続している
ので、送風器の振動が光学系に伝わり、位置検出値のば
らつきを生じさせるのを防止できる。
ので、送風器の振動が光学系に伝わり、位置検出値のば
らつきを生じさせるのを防止できる。
なお、実施例では熱交換器を送風器K11il接して配
置したが、熱交換器は振動が小ないため、スペ・ 4
・ 一スがあれば、雰囲気チャンバに隣接して配置し、送風
器との間を7レキシプルダクトで接続しヤも。
置したが、熱交換器は振動が小ないため、スペ・ 4
・ 一スがあれば、雰囲気チャンバに隣接して配置し、送風
器との間を7レキシプルダクトで接続しヤも。
よい。また、送風器と熱交換器を雰囲気チャンバ。
の内部に配置し、送風器を防振機構により支持し。
て光学系の振動を防止することもできる。
さらに、実施例では熱交換器の出口温度により。
交換熱量を調整したが、熱交換器の容量が充分大。
きいならば、熱交換器に一定温度の冷却水を供給。
するのみで出口温度を一定にできる。また熱交換。
器と温度センサの間にヒータを配し、温度センサにより
ヒータの加熱量を制御することにより戻り。
ヒータの加熱量を制御することにより戻り。
ガスの温度を一定にすることもできる。
以上説明したように本発明によれば観察光学系。
の位置検出値のドリフトを短時間で止めることができる
ので、昼夜連続運転が不要となり、条件変更時の安定が
速く、装置の稼働率が向上する等の経済的効果がある。
ので、昼夜連続運転が不要となり、条件変更時の安定が
速く、装置の稼働率が向上する等の経済的効果がある。
第1図は本発明による露光装置の縦断面図、第2図は従
来の露光装置の縦断面図である。 。 1・・・軟X線発生装置、2・・・雰囲気チャンバ、3
・・・。 マスク、4・・・ウェハ、6・・・観察光学系、13・
・・吸引排出ダクト、14・・・フレキシブルダクト、
15・・・。 送風器、16・・・熱交換器、17・・・吹込ダクト。 代理人弁理士 小 川 勝 男 ・ 7 ・ 兜 11!1
来の露光装置の縦断面図である。 。 1・・・軟X線発生装置、2・・・雰囲気チャンバ、3
・・・。 マスク、4・・・ウェハ、6・・・観察光学系、13・
・・吸引排出ダクト、14・・・フレキシブルダクト、
15・・・。 送風器、16・・・熱交換器、17・・・吹込ダクト。 代理人弁理士 小 川 勝 男 ・ 7 ・ 兜 11!1
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、軟X線を用いてマスクに形成されたパターンをウェ
ハに転写するX線転写装置において、軟X線発生装置と
、前記X線発生装置のX線取出し窓に接続され、内部に
X線の透過率の高い気体を満たした雰囲気チャンバと前
記雰囲気チヤンバに取付けられるマスクと、上記マスク
に対向させて微小すきまを隔ててウェハを設置するステ
ージと、前記雰囲気チャンバ内に設けられ、且マスクと
ウェハの位置合せを行なう観察光学系と、熱交換器と送
風器とを備え、前記雰囲気チャンバ内の気体を前記熱交
換器に循環させることを特徴とするX線転写装置。 2、送風器と雰囲気チャンバとをたわみ性ダクトにて接
続したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のX
線転写装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61263725A JPS63119233A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | X線転写装置 |
KR1019870012222A KR900007900B1 (ko) | 1986-11-07 | 1987-11-02 | X선 전사 장치 |
US07/117,499 US4852133A (en) | 1986-11-07 | 1987-11-06 | X-ray lithography apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61263725A JPS63119233A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | X線転写装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63119233A true JPS63119233A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17393438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61263725A Pending JPS63119233A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | X線転写装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4852133A (ja) |
JP (1) | JPS63119233A (ja) |
KR (1) | KR900007900B1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0323264B1 (en) * | 1987-12-29 | 1997-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure process using an electrically conductive x-ray mask |
JPH0276212A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Canon Inc | 多重露光方法 |
EP0363098B1 (en) * | 1988-10-03 | 1995-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Temperature controlling device |
JP2731950B2 (ja) * | 1989-07-13 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
EP0422814B1 (en) * | 1989-10-02 | 1999-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
US5142120A (en) * | 1990-12-21 | 1992-08-25 | Hewlett-Packard Company | Contact cooling of a projection mask |
EP0532236B1 (en) * | 1991-09-07 | 1997-07-16 | Canon Kabushiki Kaisha | System for stabilizing the shapes of optical elements, exposure apparatus using this system and method of manufacturing semiconductor devices |
US5491331A (en) * | 1994-04-25 | 1996-02-13 | Pilot Industries, Inc. | Soft x-ray imaging device |
US5627872A (en) * | 1995-02-03 | 1997-05-06 | Northrop Grumman Corporation | Stationary exit window for X-ray lithography beamline |
JPH09218519A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-19 | Nikon Corp | 露光装置の環境制御方法及び装置 |
EP1041605A4 (en) * | 1997-08-29 | 2005-09-21 | Nikon Corp | TEMPERATURE ADJUSTMENT FOR A DISPLAY DEVICE |
CA2341184A1 (en) * | 1998-08-20 | 2000-03-02 | Extraction Systems, Inc. | Filters employing porous strongly acidic polymers |
JP2001052986A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Nikon Corp | X線投影露光装置 |
WO2001085308A2 (en) * | 2000-05-05 | 2001-11-15 | Extraction Systems, Inc. | Filters employing both acidic polymers and physical-absorption media |
US7540901B2 (en) * | 2000-05-05 | 2009-06-02 | Entegris, Inc. | Filters employing both acidic polymers and physical-adsorption media |
JP2006259143A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 配置装置及び方法 |
TWI417130B (zh) * | 2006-07-13 | 2013-12-01 | Entegris Inc | 過濾系統 |
JP6189303B2 (ja) | 2011-09-12 | 2017-08-30 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 基板処理装置 |
CN106415876B (zh) * | 2014-01-21 | 2018-06-26 | 应用材料公司 | 允许低压力工具替换的薄膜封装处理系统和工艺配件 |
US10375901B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-08-13 | Mtd Products Inc | Blower/vacuum |
TWI746907B (zh) * | 2017-12-05 | 2021-11-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 煙霧判定方法、基板處理方法及基板處理裝置 |
WO2020030256A1 (de) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | Ist Metz Gmbh | Belichtungsanlage und verfahren zu deren betrieb |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57169242A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | X-ray transferring device |
JPS58191433A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-08 | Fujitsu Ltd | X線転写方法および装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4708484A (en) * | 1984-10-24 | 1987-11-24 | Hitachi, Ltd. | Projection alignment method and apparatus |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP61263725A patent/JPS63119233A/ja active Pending
-
1987
- 1987-11-02 KR KR1019870012222A patent/KR900007900B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-11-06 US US07/117,499 patent/US4852133A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57169242A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | X-ray transferring device |
JPS58191433A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-08 | Fujitsu Ltd | X線転写方法および装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4852133A (en) | 1989-07-25 |
KR880006763A (ko) | 1988-07-25 |
KR900007900B1 (ko) | 1990-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63119233A (ja) | X線転写装置 | |
US4432635A (en) | Temperature-controlled support for semiconductor wafer | |
JP3695000B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
ATE231318T1 (de) | Wagerechter diffusionsofen mit hoher leistung | |
JP2006308996A (ja) | 露光装置 | |
JP2010057596A (ja) | 放射線撮影装置、放射線撮影装置の撮影方法 | |
US6191843B1 (en) | Exposure device, method of making and using same, and objects exposed by the exposure device | |
CN103364077B (zh) | 用于光学测量仪器的温度控制方法和设备及光学测量仪器 | |
JP2008103409A (ja) | 露光装置 | |
JP4288411B2 (ja) | 光源用反射鏡保持装置、光源装置及び露光装置 | |
CN106871804B (zh) | 空气预热器漏风间隙视觉测量与可视化装置及方法 | |
JPH07168160A (ja) | 投射型液晶表示装置の空冷方法 | |
JP2006337700A (ja) | 露光装置、露光装置システム、及び露光方法 | |
JP2005000370A (ja) | X線撮影装置 | |
EP0121969A3 (en) | Lithography system | |
JP4790246B2 (ja) | 撮像装置及び電子部品の基板実装装置 | |
JPH01189117A (ja) | X線転写装置 | |
CN109348090A (zh) | 精确温控型红外线阵相机及控制方法 | |
JPH10242046A (ja) | 露光装置、露光方法及びマスク収納ケース | |
JPS5543865A (en) | Mask aligner | |
JPH08293449A (ja) | 露光装置 | |
US6989515B2 (en) | Imaging stabilization apparatus and method for high-performance optical systems | |
JP2502643B2 (ja) | 露光装置 | |
JPH09102450A (ja) | 露光装置 | |
JP2021081087A (ja) | 炉内監視方法、炉内監視装置および加熱炉 |