JPS58191433A - X線転写方法および装置 - Google Patents
X線転写方法および装置Info
- Publication number
- JPS58191433A JPS58191433A JP57073474A JP7347482A JPS58191433A JP S58191433 A JPS58191433 A JP S58191433A JP 57073474 A JP57073474 A JP 57073474A JP 7347482 A JP7347482 A JP 7347482A JP S58191433 A JPS58191433 A JP S58191433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- ray
- roentgen
- tank
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1) fig分舒
公費明はX11転写、特にX線吸収によるX#マスクの
熱歪みおよび加熱による損傷を防止できるX線転写の方
法および装置に関する。
熱歪みおよび加熱による損傷を防止できるX線転写の方
法および装置に関する。
(2)技術の背景
x11転写K11pいて、近年、高出力X線源、特にパ
ルスx*gが使用されるようになった。その喪め#!未
問題とならなかつ九、X線吸収によるマスクの発熱が自
然放熱のlllft超えるようになった。
ルスx*gが使用されるようになった。その喪め#!未
問題とならなかつ九、X線吸収によるマスクの発熱が自
然放熱のlllft超えるようになった。
(3) **技衝と問題点
従来、X1ljlll射強覆は2iし’exs ・慣e
c ’1411テToヤ、マスクに吸収される熱量は、
マスクからの旅熱量と平衡してい九ので、マスクの温度
上昇は問題にならなかつ九。これに対してパルスX線源
は20 ml/J@ 10 ts lee を放射し、
時間平均照射強廖は201m1J/all・雷・Cと、
従来の10倍に達し、マスクは温度上昇し、これに伴な
って、マスクに熱歪みおよび損傷を生ずる欠点がめった
。
c ’1411テToヤ、マスクに吸収される熱量は、
マスクからの旅熱量と平衡してい九ので、マスクの温度
上昇は問題にならなかつ九。これに対してパルスX線源
は20 ml/J@ 10 ts lee を放射し、
時間平均照射強廖は201m1J/all・雷・Cと、
従来の10倍に達し、マスクは温度上昇し、これに伴な
って、マスクに熱歪みおよび損傷を生ずる欠点がめった
。
(4)発明の1的
本発明の目的は、上記欠点ts消することでめる。
(5)発明の構成
本発明の上記目的は、X線によりX線マスクのパターン
管レジストに転写する方法であって、X線マスクにガス
を噴射してX線マスクの温度上昇を防止することを特徴
とするX11転写方法によって達成することができる。
管レジストに転写する方法であって、X線マスクにガス
を噴射してX線マスクの温度上昇を防止することを特徴
とするX11転写方法によって達成することができる。
噴射するガスはヘリウ^が好オしいが、空気または窒素
でもよい。
でもよい。
本発明の上記目的は、また、X線露光槽にガス循環管を
接続し、この循積管罠冷却儀および加圧@を挿入し、か
つこの循環管の放出地がX線マスクに指向する噴射ノズ
ルを形成してなることt%黴とするXa転写装實によっ
て達成することができる。
接続し、この循積管罠冷却儀および加圧@を挿入し、か
つこの循環管の放出地がX線マスクに指向する噴射ノズ
ルを形成してなることt%黴とするXa転写装實によっ
て達成することができる。
冷却ガス噴射ノズルは1個に限らず、慶数個でもよく、
またマスクの照射面に指向してもよいが、裏面のつ菰−
ハ側から噴射させてもよい。
またマスクの照射面に指向してもよいが、裏面のつ菰−
ハ側から噴射させてもよい。
へ 空気または窒素ガスを冷却ガスとする場合は、露光
槽を設けずにレジストリきつ、−ハおよびX線マスクを
開放状態として、ガスを吹きつけることができる。
槽を設けずにレジストリきつ、−ハおよびX線マスクを
開放状態として、ガスを吹きつけることができる。
(6)実施例
111111KMt!5K、X線板z装置u、X*a*
1を會む真空槽2から、xII取出し窓3Yr経て、露
光槽4内のX線マスタ5Yt通してウェーノS6よのレ
ジストKjl射する。マスク5およびつ、−ノ16は、
それぞれマスク位置合わせ装置7およびつ、−ハステー
ジ畠上に支持されている。
1を會む真空槽2から、xII取出し窓3Yr経て、露
光槽4内のX線マスタ5Yt通してウェーノS6よのレ
ジストKjl射する。マスク5およびつ、−ノ16は、
それぞれマスク位置合わせ装置7およびつ、−ハステー
ジ畠上に支持されている。
本発明によって、露光槽4にカス循環管9を接続し、こ
れに冷却@10jpよび加圧器11i挿入し、槽壁を貫
いてマスタIsK指向する噴射ノズル12tlE)つけ
て参る。露光槽4にはヘリウムを ”充填し、ヘ
リウ^を温璽口′cに冷却して、マスク1に向けて噴射
し九。このときX線はパルスm源1a用し、1回の照射
エネルギー強1ft2Q慣J/exa”110鴇s@e
、パルス@*f: 1 /seaとしたので、時鴎平均
照射強fは20 mJ/am2a teaであった。露
受後に取出したX線マスク、特に吸収体管支持するメン
ブレンに歪みがなく、損傷も認められなかった。
れに冷却@10jpよび加圧器11i挿入し、槽壁を貫
いてマスタIsK指向する噴射ノズル12tlE)つけ
て参る。露光槽4にはヘリウムを ”充填し、ヘ
リウ^を温璽口′cに冷却して、マスク1に向けて噴射
し九。このときX線はパルスm源1a用し、1回の照射
エネルギー強1ft2Q慣J/exa”110鴇s@e
、パルス@*f: 1 /seaとしたので、時鴎平均
照射強fは20 mJ/am2a teaであった。露
受後に取出したX線マスク、特に吸収体管支持するメン
ブレンに歪みがなく、損傷も認められなかった。
(7)発−の効果
本発明によって、X@マスクに冷却ガス會噴射すること
によりて、X線マスクに歪みおよび損傷管与えることな
く、つ、−ノ\上のVシストにマスクパターンを転写す
ることがで1!b0
によりて、X線マスクに歪みおよび損傷管与えることな
く、つ、−ノ\上のVシストにマスクパターンを転写す
ることがで1!b0
第1図は本発明の鋏雪の夷llllAm様の説明図であ
る。 1・・・・・・Xls源、 2・・・・・・真空槽、
ト・・・・・xII取出し愈、 4・・・・・・
露光槽、 5・・・・・・X線マスク、6・・・・・
・つ、−ハ、 7・・・・・・マスク位置合わせ装置
、6・・・・・・つ、−ハステージ、 9・・・・・・
ガス循環管、10・・・・・・冷却器、 11・・・
・・・加圧器、 12・・・・・・噴射ノズル。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理1人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 1) 幸 男 弁理士 山 口 紹 之
る。 1・・・・・・Xls源、 2・・・・・・真空槽、
ト・・・・・xII取出し愈、 4・・・・・・
露光槽、 5・・・・・・X線マスク、6・・・・・
・つ、−ハ、 7・・・・・・マスク位置合わせ装置
、6・・・・・・つ、−ハステージ、 9・・・・・・
ガス循環管、10・・・・・・冷却器、 11・・・
・・・加圧器、 12・・・・・・噴射ノズル。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理1人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 1) 幸 男 弁理士 山 口 紹 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 t X@によりX線マスクのパターンをレジストに@
写する方法であって、X線マスク(ガス【噴射してX線
マスクの温度上昇を防止することを特徴とすゐX線転写
方法。 1 噴射するガスがヘリウムである、特許請求の範囲第
1項記載の方法。 4 噴射するガスが空気または窒素でるる、特許請求の
範1!l@1項記載の方法。 t X@露光檜にガス循環管を接続し、この循環管に
冷却器および加圧器を挿入し、かつこの循環管の放出蟻
がX線マスクに指向する噴射ノズルを形成してなること
t−特徴とするX線転写装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57073474A JPS58191433A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | X線転写方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57073474A JPS58191433A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | X線転写方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58191433A true JPS58191433A (ja) | 1983-11-08 |
Family
ID=13519304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57073474A Pending JPS58191433A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | X線転写方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58191433A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61104619A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Fujitsu Ltd | X線露光装置 |
US4692934A (en) * | 1984-11-08 | 1987-09-08 | Hampshire Instruments | X-ray lithography system |
JPS62237727A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | Hitachi Ltd | X線露光装置およびその方法 |
JPS63119233A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Hitachi Ltd | X線転写装置 |
JPS63312639A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS63312640A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Canon Inc | 露光装置 |
US4825453A (en) * | 1984-10-19 | 1989-04-25 | Hitachi, Ltd. | X-ray exposure apparatus |
US5610965A (en) * | 1988-09-13 | 1997-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
US6683936B2 (en) * | 2001-04-17 | 2004-01-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | EUV-transparent interface structure |
WO2017158936A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子のパターニング方法及びパターニング装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55123131A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Exposer for mask alignment |
-
1982
- 1982-05-04 JP JP57073474A patent/JPS58191433A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55123131A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Exposer for mask alignment |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4825453A (en) * | 1984-10-19 | 1989-04-25 | Hitachi, Ltd. | X-ray exposure apparatus |
JPS61104619A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Fujitsu Ltd | X線露光装置 |
US4692934A (en) * | 1984-11-08 | 1987-09-08 | Hampshire Instruments | X-ray lithography system |
JPS62237727A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | Hitachi Ltd | X線露光装置およびその方法 |
JPH0588534B2 (ja) * | 1986-04-09 | 1993-12-22 | Hitachi Ltd | |
JPS63119233A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Hitachi Ltd | X線転写装置 |
US4852133A (en) * | 1986-11-07 | 1989-07-25 | Hitachi, Ltd. | X-ray lithography apparatus |
JPS63312640A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS63312639A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Canon Inc | 露光装置 |
US5610965A (en) * | 1988-09-13 | 1997-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
US6683936B2 (en) * | 2001-04-17 | 2004-01-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | EUV-transparent interface structure |
JP2004519868A (ja) * | 2001-04-17 | 2004-07-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Euvに透明な境界構造 |
WO2017158936A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子のパターニング方法及びパターニング装置 |
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