JPS58191433A - X線転写方法および装置 - Google Patents

X線転写方法および装置

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Publication number
JPS58191433A
JPS58191433A JP57073474A JP7347482A JPS58191433A JP S58191433 A JPS58191433 A JP S58191433A JP 57073474 A JP57073474 A JP 57073474A JP 7347482 A JP7347482 A JP 7347482A JP S58191433 A JPS58191433 A JP S58191433A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
ray
roentgen
tank
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57073474A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Okabe
岡部 正博
Yasuo Furukawa
古川 泰男
Yushi Inagaki
雄史 稲垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57073474A priority Critical patent/JPS58191433A/ja
Publication of JPS58191433A publication Critical patent/JPS58191433A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)  fig分舒 公費明はX11転写、特にX線吸収によるX#マスクの
熱歪みおよび加熱による損傷を防止できるX線転写の方
法および装置に関する。
(2)技術の背景 x11転写K11pいて、近年、高出力X線源、特にパ
ルスx*gが使用されるようになった。その喪め#!未
問題とならなかつ九、X線吸収によるマスクの発熱が自
然放熱のlllft超えるようになった。
(3)  **技衝と問題点 従来、X1ljlll射強覆は2iし’exs ・慣e
c ’1411テToヤ、マスクに吸収される熱量は、
マスクからの旅熱量と平衡してい九ので、マスクの温度
上昇は問題にならなかつ九。これに対してパルスX線源
は20 ml/J@ 10 ts lee を放射し、
時間平均照射強廖は201m1J/all・雷・Cと、
従来の10倍に達し、マスクは温度上昇し、これに伴な
って、マスクに熱歪みおよび損傷を生ずる欠点がめった
(4)発明の1的 本発明の目的は、上記欠点ts消することでめる。
(5)発明の構成 本発明の上記目的は、X線によりX線マスクのパターン
管レジストに転写する方法であって、X線マスクにガス
を噴射してX線マスクの温度上昇を防止することを特徴
とするX11転写方法によって達成することができる。
噴射するガスはヘリウ^が好オしいが、空気または窒素
でもよい。
本発明の上記目的は、また、X線露光槽にガス循環管を
接続し、この循積管罠冷却儀および加圧@を挿入し、か
つこの循環管の放出地がX線マスクに指向する噴射ノズ
ルを形成してなることt%黴とするXa転写装實によっ
て達成することができる。
冷却ガス噴射ノズルは1個に限らず、慶数個でもよく、
またマスクの照射面に指向してもよいが、裏面のつ菰−
ハ側から噴射させてもよい。
へ 空気または窒素ガスを冷却ガスとする場合は、露光
槽を設けずにレジストリきつ、−ハおよびX線マスクを
開放状態として、ガスを吹きつけることができる。
(6)実施例 111111KMt!5K、X線板z装置u、X*a*
1を會む真空槽2から、xII取出し窓3Yr経て、露
光槽4内のX線マスタ5Yt通してウェーノS6よのレ
ジストKjl射する。マスク5およびつ、−ノ16は、
それぞれマスク位置合わせ装置7およびつ、−ハステー
ジ畠上に支持されている。
本発明によって、露光槽4にカス循環管9を接続し、こ
れに冷却@10jpよび加圧器11i挿入し、槽壁を貫
いてマスタIsK指向する噴射ノズル12tlE)つけ
て参る。露光槽4にはヘリウムを    ”充填し、ヘ
リウ^を温璽口′cに冷却して、マスク1に向けて噴射
し九。このときX線はパルスm源1a用し、1回の照射
エネルギー強1ft2Q慣J/exa”110鴇s@e
、パルス@*f: 1 /seaとしたので、時鴎平均
照射強fは20 mJ/am2a teaであった。露
受後に取出したX線マスク、特に吸収体管支持するメン
ブレンに歪みがなく、損傷も認められなかった。
(7)発−の効果 本発明によって、X@マスクに冷却ガス會噴射すること
によりて、X線マスクに歪みおよび損傷管与えることな
く、つ、−ノ\上のVシストにマスクパターンを転写す
ることがで1!b0
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の鋏雪の夷llllAm様の説明図であ
る。 1・・・・・・Xls源、  2・・・・・・真空槽、
  ト・・・・・xII取出し愈、  4・・・・・・
露光槽、  5・・・・・・X線マスク、6・・・・・
・つ、−ハ、  7・・・・・・マスク位置合わせ装置
、6・・・・・・つ、−ハステージ、 9・・・・・・
ガス循環管、10・・・・・・冷却器、  11・・・
・・・加圧器、  12・・・・・・噴射ノズル。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理1人 弁理士  青  木     朗 弁理士  西 舘 和  之 弁理士  内  1) 幸  男 弁理士  山  口  紹  之

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 t  X@によりX線マスクのパターンをレジストに@
    写する方法であって、X線マスク(ガス【噴射してX線
    マスクの温度上昇を防止することを特徴とすゐX線転写
    方法。 1 噴射するガスがヘリウムである、特許請求の範囲第
    1項記載の方法。 4 噴射するガスが空気または窒素でるる、特許請求の
    範1!l@1項記載の方法。 t  X@露光檜にガス循環管を接続し、この循環管に
    冷却器および加圧器を挿入し、かつこの循環管の放出蟻
    がX線マスクに指向する噴射ノズルを形成してなること
    t−特徴とするX線転写装置。
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