JPS61104619A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPS61104619A JPS61104619A JP59227035A JP22703584A JPS61104619A JP S61104619 A JPS61104619 A JP S61104619A JP 59227035 A JP59227035 A JP 59227035A JP 22703584 A JP22703584 A JP 22703584A JP S61104619 A JPS61104619 A JP S61104619A
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- rays
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Links
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明はＸ線露光装置、詳しくはＸ線の減衰を防止し、
かつ、作業性の高められなＸ線露光装置に関する。
かつ、作業性の高められなＸ線露光装置に関する。
半導体集積パターンの形成において、パターンの高密度
化が進み従来の光を用いるリソグラフィ技術では対応で
きなくなってきている。そして、電子ビーム、Ｘ線、イ
オンビームなどを用いるりソグラフィ技術の開発が進め
られ、なかでも一括露光が可能なＸ線リソグラフィ技術
が注目されている。
化が進み従来の光を用いるリソグラフィ技術では対応で
きなくなってきている。そして、電子ビーム、Ｘ線、イ
オンビームなどを用いるりソグラフィ技術の開発が進め
られ、なかでも一括露光が可能なＸ線リソグラフィ技術
が注目されている。
Ｘ線露光法には、真空中、大気中、ガス中露光法力２開
発されている。
発されている。
真空中露光法を第２図の断面図を参照して説明すると、
真空室２１内に電子ビーム（ＥＢ）発生手段である電子
銃２２が配置され、それから放射されるＥＢ２３は同じ
く真空室内におかれたターゲット２４に衝突し、このタ
ーゲットからＸ線２５が放射され、Ｘ線は同じく真空室
内に配置されたマスク２６を通って試料例えばウェハ２
７に照射し、マスク２６のパターンがウェハ２７上に転
写される。なお図において、符号２８は図示しない排気
系に連結された排気口を示す。
真空室２１内に電子ビーム（ＥＢ）発生手段である電子
銃２２が配置され、それから放射されるＥＢ２３は同じ
く真空室内におかれたターゲット２４に衝突し、このタ
ーゲットからＸ線２５が放射され、Ｘ線は同じく真空室
内に配置されたマスク２６を通って試料例えばウェハ２
７に照射し、マスク２６のパターンがウェハ２７上に転
写される。なお図において、符号２８は図示しない排気
系に連結された排気口を示す。
上記の装置においては、マスクの交換の度毎に真空室の
真空をリークしなければならないので、作業性が悪い（
時間が費やされる）問題がある。
真空をリークしなければならないので、作業性が悪い（
時間が費やされる）問題がある。
大気中露光装置は第３図に示され、この装置において、
電子銃３２、ターゲット３４は真空室３１内に配置され
ているが、Ｘ線３５ばＸ線取出し窓３６から大気中に出
て、大気中に配置されたマスク３７を通ってウェハ３８
を照射する。なお第３図において、符号３９はυＩ気系
（図示せず）に連結された排気口を示す。
電子銃３２、ターゲット３４は真空室３１内に配置され
ているが、Ｘ線３５ばＸ線取出し窓３６から大気中に出
て、大気中に配置されたマスク３７を通ってウェハ３８
を照射する。なお第３図において、符号３９はυＩ気系
（図示せず）に連結された排気口を示す。
かかる装置においては、Ｘ線が大気中で酸素（０？）に
ｆｆｆｉｉ突して発生するオゾンによって、Ｘ線取出し
窓を構成するヘリリウム（Ｂｅ） ＩＩＷにピンボール
をあげ、それによってＢｅ膜が劣化し真空室の気密性が
１ｎなわれるだけでなく、大気中の０２はＸ線を良く吸
収するのでＸ線の減衰が大になる問題がある。
ｆｆｆｉｉ突して発生するオゾンによって、Ｘ線取出し
窓を構成するヘリリウム（Ｂｅ） ＩＩＷにピンボール
をあげ、それによってＢｅ膜が劣化し真空室の気密性が
１ｎなわれるだけでなく、大気中の０２はＸ線を良く吸
収するのでＸ線の減衰が大になる問題がある。
ガス中露光装置においては、第３図に示すマスクとウェ
ハを共にヘリウム（Ｉｌｅ）ガス室内に配置するもので
あるが、そのような装置においては、ウェハの交換毎に
ｌｉｅガスの百充填を行わなければならないので、操作
性が悪くなる問題がある。
ハを共にヘリウム（Ｉｌｅ）ガス室内に配置するもので
あるが、そのような装置においては、ウェハの交換毎に
ｌｉｅガスの百充填を行わなければならないので、操作
性が悪くなる問題がある。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明は、」二記問題点を解決した操作性が良く、Ｘ線
の減衰が防止され、Ｘ線取出し窓の損傷のないＸ線露光
装置を提供するもので、その手段は、Ｘ線発生室と試料
露光手段とから成るＸ線露光装置において、Ｘ線発生室
に設けたＸ線取出し窓と露光用マスクとの間に、Ｘ線減
衰率の小なるガスを充満したガス留室を設け、該ガス留
室は露光用マスクにより大気から密封されたことを特徴
とするＸ線露光装置によってなされる。
の減衰が防止され、Ｘ線取出し窓の損傷のないＸ線露光
装置を提供するもので、その手段は、Ｘ線発生室と試料
露光手段とから成るＸ線露光装置において、Ｘ線発生室
に設けたＸ線取出し窓と露光用マスクとの間に、Ｘ線減
衰率の小なるガスを充満したガス留室を設け、該ガス留
室は露光用マスクにより大気から密封されたことを特徴
とするＸ線露光装置によってなされる。
上記装置においては、Ｘ線取出し窓とマスクとの間にＸ
線の減衰の少ないガスを充満させた予備室を設けること
により、マスクに到達するＸ線の減衰を抑えると共に、
前記予備室の大気とのシールに露光用マスクを用いるの
で、Ｘ線照射中Ｘ線取出し窓のＢｅが大気にさらされる
ことを防止し、それによりＸ線取出し窓へのダメージを
防止するものである。
線の減衰の少ないガスを充満させた予備室を設けること
により、マスクに到達するＸ線の減衰を抑えると共に、
前記予備室の大気とのシールに露光用マスクを用いるの
で、Ｘ線照射中Ｘ線取出し窓のＢｅが大気にさらされる
ことを防止し、それによりＸ線取出し窓へのダメージを
防止するものである。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図に本発明実施例が断面図で示され、同図において
、１ば１０− ” Ｔｏｒｒ以下の真空度に保たれる真
空室（Ｘ線発生室）、２はＥＢを発生するための電子銃
、３はＥＢ、４はターゲット、５はＥＢがターゲット４
に衝突したときに発生されるＸ線、６はＸ線取出し窓、
７はＩｌｅガスが充満されたガス留室、８は薄膜」二に
金またはタンクルのパターンが形成されたマスク、９ば
試料例えばウェハ、１０は試料装着アラインメント機構
、１１はその上にＸ線露光装置がのせられた防震台、１
２は図示しない排気系に連結された排気口、をそれぞれ
示し、試料装着アラインメント機構１０において符号ｘ
、ｙ。
、１ば１０− ” Ｔｏｒｒ以下の真空度に保たれる真
空室（Ｘ線発生室）、２はＥＢを発生するための電子銃
、３はＥＢ、４はターゲット、５はＥＢがターゲット４
に衝突したときに発生されるＸ線、６はＸ線取出し窓、
７はＩｌｅガスが充満されたガス留室、８は薄膜」二に
金またはタンクルのパターンが形成されたマスク、９ば
試料例えばウェハ、１０は試料装着アラインメント機構
、１１はその上にＸ線露光装置がのせられた防震台、１
２は図示しない排気系に連結された排気口、をそれぞれ
示し、試料装着アラインメント機構１０において符号ｘ
、ｙ。
θ、Ｚを付したものはＸ軸ステージ、Ｙ軸ステージ、回
転のだめのθ輔ステージ、上方方向位置調整のためのＺ
輔ステージを示す。Ｘ線取出し窓６は従来例と同しく数
十ミクロンの膜厚のベリリウム膜で構成される。
転のだめのθ輔ステージ、上方方向位置調整のためのＺ
輔ステージを示す。Ｘ線取出し窓６は従来例と同しく数
十ミクロンの膜厚のベリリウム膜で構成される。
第１図の実施例において、Ｘ線取出し窓６は、一方側は
真空、他方側はＩｌｅガス雰囲気にあるので、従来例の
如くＸ線５が酸素に衝突して発生するオシンによるＢｅ
の劣化の問題が解決される。また、Ｘ線５はマスク８に
到達するまではＩｌｅガス中を通過するので、Ｘ線の減
衰問題も解決される。マスク８とウェハ９の間でＸ線は
大気中を通過するが、マスクとウェハとの間の距離は数
十ミクロン程度であるので、減衰の問題はほとんど発生
しない。
真空、他方側はＩｌｅガス雰囲気にあるので、従来例の
如くＸ線５が酸素に衝突して発生するオシンによるＢｅ
の劣化の問題が解決される。また、Ｘ線５はマスク８に
到達するまではＩｌｅガス中を通過するので、Ｘ線の減
衰問題も解決される。マスク８とウェハ９の間でＸ線は
大気中を通過するが、マスクとウェハとの間の距離は数
十ミクロン程度であるので、減衰の問題はほとんど発生
しない。
加えて、ガス留室７は大気圧にあるので、マスク８が反
ったりすることもなくパターンの正確な転写が可能にな
る。
ったりすることもなくパターンの正確な転写が可能にな
る。
操作において、ウェハは一般にパンチ処理されるので、
マスク８をセットした状態で１バツチのウェハの露光を
行う。バッチのウェハの装脱着は大気中でなすので容易
であり、またアラインメントの操作も大気中でなすから
これも特に問題な〈実施される。別のバッチを処理する
ときはマスク８も交換するが、その結果必要となるｌｌ
ｅガスの充満は、ウェハのバッチが変る間になすことが
できるので、時間の？＆費は少なくてすむ。
マスク８をセットした状態で１バツチのウェハの露光を
行う。バッチのウェハの装脱着は大気中でなすので容易
であり、またアラインメントの操作も大気中でなすから
これも特に問題な〈実施される。別のバッチを処理する
ときはマスク８も交換するが、その結果必要となるｌｌ
ｅガスの充満は、ウェハのバッチが変る間になすことが
できるので、時間の？＆費は少なくてすむ。
以上説明したように本発明によれば、Ｘ線露光装置にお
いて、Ｘ線発生室に連結してｌｌｅガスを充満したガス
留室を設り、これら２室の間にＸ線取出し窓を配置し、
ガス留室を通ったＸ線がマスクを照射する構成とするこ
とによって、Ｘ線の減衰か抑えられ、Ｘ線処理の時間が
短縮され、マスクの反り、Ｘ線取出し窓のダメージなど
の問題も）Ｗ決され、更にはウェハの装脱着、アライン
メントは大気中でなされるので、作業性の向」二に効果
大である。
いて、Ｘ線発生室に連結してｌｌｅガスを充満したガス
留室を設り、これら２室の間にＸ線取出し窓を配置し、
ガス留室を通ったＸ線がマスクを照射する構成とするこ
とによって、Ｘ線の減衰か抑えられ、Ｘ線処理の時間が
短縮され、マスクの反り、Ｘ線取出し窓のダメージなど
の問題も）Ｗ決され、更にはウェハの装脱着、アライン
メントは大気中でなされるので、作業性の向」二に効果
大である。
第１図は本発明実施例の断面図、第２図と第３図は従来
のＸ線露光装置の断面図である。 図中、１は真空室、２ば電子銃、３はＩＥＢ、４はター
ゲット、５ばＸ線、６はＸ線取出し窓、７はガス留室、
８はマスク、９はウェハ、１０はウェハ結着アラインメ
ンｌ−機構、１１は防震台、１２は排気口、をそれぞれ
示す。 第１図
のＸ線露光装置の断面図である。 図中、１は真空室、２ば電子銃、３はＩＥＢ、４はター
ゲット、５ばＸ線、６はＸ線取出し窓、７はガス留室、
８はマスク、９はウェハ、１０はウェハ結着アラインメ
ンｌ−機構、１１は防震台、１２は排気口、をそれぞれ
示す。 第１図
Claims (1)
- Ｘ線発生室と試料露光手段とから成るＸ線露光装置に
おいて、Ｘ線発生室に設けたＸ線取出し窓と露光用マス
クとの間に、Ｘ線減衰率の小なるガスを充満したガス留
室を設け、該ガス留室は露光用マスクにより密封された
ことを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59227035A JPS61104619A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59227035A JPS61104619A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104619A true JPS61104619A (ja) | 1986-05-22 |
Family
ID=16854503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59227035A Pending JPS61104619A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61104619A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5873116A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-02 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
| JPS58191433A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-08 | Fujitsu Ltd | Ｘ線転写方法および装置 |
| JPS59101833A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-12 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP59227035A patent/JPS61104619A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5873116A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-02 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
| JPS58191433A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-08 | Fujitsu Ltd | Ｘ線転写方法および装置 |
| JPS59101833A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-12 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
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