JPH0438814A - X線露光装置 - Google Patents

X線露光装置

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Publication number
JPH0438814A
JPH0438814A JP2145425A JP14542590A JPH0438814A JP H0438814 A JPH0438814 A JP H0438814A JP 2145425 A JP2145425 A JP 2145425A JP 14542590 A JP14542590 A JP 14542590A JP H0438814 A JPH0438814 A JP H0438814A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
mask
wafer
space
mask stage
Prior art date
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Pending
Application number
JP2145425A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Yamabe
山部 正樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH0438814A publication Critical patent/JPH0438814A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 マスクとウェハを一体走査する方式て、ンンクロ)oン
放射光を光源とする微細半導体露光用のX線露光装置に
関し、 空気中の酸素がX線により変化したオゾンがウェハ上の
レジストを化学変化させてレジストパターンに異状を生
せしめるのを防止することを目的とし、 ウェハとマスクを所定の間隔て配置するために、ウェハ
を支持するウェハステージと、ウェハに対してマスクを
動かす機能をもつマスクステージと、ウェハステージ及
びマスクステージを支持する固定部とを具備したX線露
光装置において、上記マスクステージの外周と、マスク
ステージ周囲の固定部との間の隙間に可動性をもった気
密手段を設け、マスクステージとウェハステージとの間
の空間を気密封止するように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクとウェハーを一体走査する方式で、ンン
クロトロン放射光を光源とする微細半導体露光用のX線
露光装置に関する。
近年、半導体装置は高密度化が進み、そのバタ−ンが微
細化しているため、製造時のホ) IJソゲラフイエ程
において可視光による露光では解像度に限度があり、最
近では可視光よりはるかに波長の短参X線が用いられる
ようになってきている。
またそのX線にはエネルギーが犬で露光時間を短縮でき
るシンクロトロン放射光を利用するものがある。
〔従来の技術〕
第4図はシンクロトロン放射光の原理図である。
同図において、1は直線加速器、2は多数のマグネット
3を円形に配置したストレージリングであり、直線加速
器1て加速された電子(例えば40MeV)がストレー
ジリング2を周回しているうちに更に加速されてエネル
ギーを増大しく例えばI GeV、数100mA)、遂
にシンクロトロン放射光4を発生する。この放射光4は
(b)図の如くスポット状をなし、その波長は(C)図
の如くX線領域から赤外線領域まで広がっている。X線
露光では、そのX線領域を使用する。
第5図は上言己シンクロトロン放射光を光源とするX線
露光装置を示す図である。同図において、5は前記シン
クロトロン放射光が導かれる真空パイプで先端にべIJ
 IJウムよりなるX線取り出し窓6が設けられている
。7はマスクであり、マスクステージ8にマスクリング
9を介して取り付けらレル。マスクステージ8はアクチ
ユエータ10を介して固定部11に取付けられている。
なお該固定部11はX線がマスク7上を走査できるよう
に矢印A−八へ向に摺動可能に支持されている。また該
固定部11には、ウェハーステージ12が真空チャック
等により気密且つ着脱自在に取り付けられており、該ウ
ェハーステージ12上にはマスク7に対向して露光すべ
きウェハー13が微動台14を介して取り付けられてい
る。そしてマスク7とウェハー13とが所定の間隔(X
線の回折を少くするため数10−とする)で、且つ平行
(露光パターンの精度確保のだと)にアクチユエータ1
0で調整された後、X線による露光が行なわれる。
こ発肋が解決しようとする課題〕 上記従来のX線露光装置では第5図に示す如くマスクを
搭載するマスクステージ12がマスク7とウェハーの間
隙方向(2)、及び隙間の不同を修正するためのあおり
(α、β)の位置合わせを行う為に可動となっていた。
そのため上記の可動なマスクステージとその周囲の固定
部分の間はマスクステージの可動性を保つために隙間が
あり、マスクとウェハーの間は系全体を特定の雰囲気(
例えばHe)にする場合を除いて大気となっていた。
ところが、このようにウェハーとマスクの闇が大気と一
;っていると、露光時に照射されるX線によって大気中
の酸素に化学変化が起こりオゾンが発生する。大部分の
レジストはオゾンにより不要の化学変化を起こし、その
結実現像後のレジストパターンに異常が生じる。この問
題を解決する為に、マスクとウェハーの間にHe等のガ
スを導入しこの闇の雰囲気をオゾンが発生しないものに
置換することが行われる。しかし、上記マスクステージ
の周囲の隙間の為にガスの漏れが多大であり、酸素濃度
を低くしようとすると大流量でガスを流す必要がある、
酸素濃度が十分に下がらない等の問題があった。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、小流量の置換ガスに
よってマスク、ウェハー間の雰囲気の十分な置換が可能
なX線露光装置を提供することを目的とする。
口課題を解決するたtの手段〕 上記目的を達成するために本発明のX線露光装置では、
ウェハー13とマスク7を所定の間隔で配置するために
、ウェハー13を支持するウェハーステージ12と、ウ
ェハー13に対してマスク7を動かす機能をもつマスク
ステージ8と、ウェハーステージ12及びマスクステー
ジ8を支持する固定部11とを具備したX線露光装置に
おいて、上記マスクステージ8の外周と、マスクステー
ジ周囲の固定部11との間の隙間に可動性をもった気密
手段を設け、マスクステージ8とウェハーステージ12
との間の空間17を気密封止したことを特徴とする特〔
作 用〕 マスクステージ8の外周と、マスクステージ周囲の固定
部11との隙間に可動性をもった気密手段を設けたこと
により、マスク7を取着したマスクステージ8の可動性
を保ったまま該マスクステージ8と、固定部11に取着
したウエノ1−ステージ12との間の空間を気密封止す
ることができる。従って該空間は小量の置換ガスで置換
可能となる。
〔実施例〕
第1図は本発明の第1の実施例を示す図である。
本実施例は同図に示すように、シンクロトロン放射光を
導く真空バイブ5、マスク7をマスクリング9を介して
支持するマスクステージ8、該マスクステージ8をアク
チュエータ10を介して支持する固定部11、ウェノ1
−13を微動台14を介して支持し、全周で固定部11
に取着されるウエノ\−ステージ12を具備しているこ
とは第5図で説明した従来例と同様であり、本実施例の
要点は、マスクステージ8の外周と、該マスクステージ
の周囲の固定部11との隙間に可動性をもった気密手段
としてゴム等の柔軟な材料で形成した環状をなす断面U
字状の環状部材15を挿入し、該環状部材15をマスク
ステージ8に接する部分で該マスクステージ8に固定し
たものである。なお16は置換ガス送入用のガス送入口
である。
このように構成された本実施例は、マスク7を取着した
マスクステージ8の可動性を保ったまま、該マスクステ
ージ8と、ウエノx−ステージ12との間の空間17が
密封される。従って該空間内の空気をHe等の置換ガス
で置換する場合、置換ガスが外部にリークすることが少
なくなり、小量の置換ガスで足りることになる。
第2図は本発明の第2の実施例の要部を示す図である。
同図において第1図と同一部分は同一符号を付して示し
た。
本実施例は、マスクステージ8と、その周囲の固定部1
1との間の隙間を円形断面を持つ環状のゴム部材18で
塞いだもので他の構成は前実施例と同様である。
このように構成された本実施例は、マスクステージ8を
動かすアクチユエータ10が十分な力を持つ場合には、
マスクステージ8の動作に及ぼす影響は少なくなり、マ
スクステージ8の可動性を保ったまま、マスクステージ
8と周囲の固定部11との隙間の気密封止が可能となる
第3又は本発明の第3の実施例を示す図であり、(a)
は要部を示す図、(b)はa図のB部拡大断面図である
。同図において第1図と同一部分は同一符号を付して示
した。
本実施例はマスクステージ8の一部を環状の永久磁石1
9とし、その永久磁石19の上方の外周(−邪でも良い
)及び下方の外周を周囲に句かって環状に張り出し、張
り出しB19 a及び19bを形成している。周囲の固
定部11は前記環状の永久磁石19に向かい合う部分が
高透磁率材料20で構成され、前記永久磁石19の張り
出し部19bに向かい合う部分が中心に向かって環状に
張り比して張り出し部20aを形成し、永久磁石19と
高透磁率材料20とで磁気回路を構成している。そして
該磁気回路のギャップである永久磁石の張り出し部19
bと高透磁率材料20の張り出し部20aとの間に磁性
流体21を保持させている。
このように構成された本実施例は、磁性流体21が気体
を透過させないため、マスクステージ8の可動性を保っ
たまま、マスクステージ8と周囲の固定部11との間の
隙間の気密封止が可能となる。
り発明の効果: 以上説明したように、本発駅によればウェハーとマスク
を所定の間隙で平行に配置するために、ウェハーに対し
てマスクを動かす機能をもつマスクステージを備えたX
線露光装置におし)で、マスクステージのマスク支持E
分とその周囲の固定部分との間の隙間を可動性をもった
気密手段で気密封止することで、小流量の置換ガスによ
るマスクウェハー間の雰囲気の十分な置換を可能とし、
よって露光中のX線照射によるオゾンの発生が防止され
良好な露光結果が得ちれるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例を示す図、第2図は本発
明の第2の実施例を示す図、第3図は本発明の第3の実
施例を示す図、第4図はシンクロトロン放射光を説明す
るための図、 第5図は従来のシンクロトロン放射光を光源とするX線
露光装置を示す図である。 図において、 5は真空バイブ、 6はX線取り出し窓、 7はマスク、 8はマスクステージ、 9はマスクリング、 10はアクチュエータ、 11は固定部、 12はウェハーステージ、 13はウェハー 14は微動台、 15は環状部材、 18は環状ゴム部材、 19は永久磁石、 20は高透磁率材料、 21は磁性流体 を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ウェハー(13)とマスク(7)を所定の間隔で配
    置するために、ウェハー(13)を支持するウェハース
    テージ(12)と、ウェハー(13)に対してマスク(
    7)を動かす機能をもつマスクステージ(8)と、ウェ
    ハーステージ(12)及びマスクステージ(8)を支持
    する固定部(11)とを具備したX線露光装置において
    、 上記マスクステージ(8)の外周と、マスクステージ周
    囲の固定部(11)との間の隙間に可動性をもった気密
    手段を設け、マスクステージ(8)とウェハーステージ
    (12)との間の空間(17)を気密封止したことを特
    徴とするX線露光装置。
JP2145425A 1990-06-05 1990-06-05 X線露光装置 Pending JPH0438814A (ja)

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JP2145425A JPH0438814A (ja) 1990-06-05 1990-06-05 X線露光装置

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JP2145425A JPH0438814A (ja) 1990-06-05 1990-06-05 X線露光装置

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ID=15384955

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JP2145425A Pending JPH0438814A (ja) 1990-06-05 1990-06-05 X線露光装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007189074A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Nsk Ltd 露光装置
JP2007189073A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Nsk Ltd 露光装置
US8511371B2 (en) 2006-08-22 2013-08-20 Calsonic Kansei Corporation Air conditioner for automobile

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