JPS59101833A - X線露光装置 - Google Patents
X線露光装置Info
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- JPS59101833A JPS59101833A JP57211407A JP21140782A JPS59101833A JP S59101833 A JPS59101833 A JP S59101833A JP 57211407 A JP57211407 A JP 57211407A JP 21140782 A JP21140782 A JP 21140782A JP S59101833 A JPS59101833 A JP S59101833A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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-
- G—PHYSICS
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-
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野)
本発明はX線露光装置に関するものである。
X線露光装置の露光方式には一般に真空中露光と大気中
露光が考えられている。
露光が考えられている。
従来から主に行なわれていた真空中露光では、マスク、
ウェハを共にX線源のある真空室内に入れて露光する方
式で、X線が真空室外に出ることがないためX線の減衰
が少なく、露光効率が高い反面、マスクやクエへの取扱
い、位置合わせを真空室内で行なわなければならないた
め歩留が低い等の問題があった。
ウェハを共にX線源のある真空室内に入れて露光する方
式で、X線が真空室外に出ることがないためX線の減衰
が少なく、露光効率が高い反面、マスクやクエへの取扱
い、位置合わせを真空室内で行なわなければならないた
め歩留が低い等の問題があった。
このためクエへを大気中において露光を行なう大気中露
光が主流となってきた。
光が主流となってきた。
この大気中露光方式ではX線源を真空室内に置き、発生
したX線を、X線を通しやすいヘリウムガス等をほぼ1
気圧の圧力で充填した気密室と、気密室の一端に取付け
たマスクを通して0、このマスクと10μm−数101
1mに近接させたクエへに照射するものである。したが
ってマスクは一面をヘリウムガス等を充填した気密室に
面し。
したX線を、X線を通しやすいヘリウムガス等をほぼ1
気圧の圧力で充填した気密室と、気密室の一端に取付け
たマスクを通して0、このマスクと10μm−数101
1mに近接させたクエへに照射するものである。したが
ってマスクは一面をヘリウムガス等を充填した気密室に
面し。
他の一面を大気に面する様に取付けなければならない。
しかも、大気中露光方式ではへ9クムガス等によ、9X
線の減衰が大きいためマスクは出来るだけ薄くしたいと
言う要求がある。
線の減衰が大きいためマスクは出来るだけ薄くしたいと
言う要求がある。
このためヘリウムガスを充填した気密室と大気の圧力差
によシマスフが振動すると言う問題が起きるという欠点
があった。
によシマスフが振動すると言う問題が起きるという欠点
があった。
そこで大気圧と気密室間の圧力差を検出して気密空間内
のへ9クムガス圧力を圧力調整弁で制御する方法が考え
られる。しかしこの方法では検出遅れ、圧力調整弁作動
遅れがめシ、更には圧力調整弁の圧力調整精度にも問題
があった。
のへ9クムガス圧力を圧力調整弁で制御する方法が考え
られる。しかしこの方法では検出遅れ、圧力調整弁作動
遅れがめシ、更には圧力調整弁の圧力調整精度にも問題
があった。
本発明の目的は、°−上記従来の欠点をなくし、X線源
とマスク間の気密空間内の圧力を大気圧と同調させ、マ
スクの振動をなくすることで、露光時に生じるパターン
端のポクを防止して、ウェハ上にマスク上のパターンを
鮮明に転写出来るようにしたX線露光装置を提供するに
ある。
とマスク間の気密空間内の圧力を大気圧と同調させ、マ
スクの振動をなくすることで、露光時に生じるパターン
端のポクを防止して、ウェハ上にマスク上のパターンを
鮮明に転写出来るようにしたX線露光装置を提供するに
ある。
本発明の特徴は、マスクよ)も十分に柔軟な部材の窓を
気密空間と大気の間に設けたことである。これによシ大
気圧が気密空間の圧力よシ高くなるとマスクよシも先に
柔軟な部材が気密空間側に凹み、逆に大気圧が気密空間
の圧力より低くなると柔軟な部材が凸となシ気密空間の
圧力と大気圧を同調させマスクの振動を防止する。この
方法によると、十分に柔軟な部材な用い、マスクの付近
に窓な設けることで微小な圧力変化も防止することが可
能である。
気密空間と大気の間に設けたことである。これによシ大
気圧が気密空間の圧力よシ高くなるとマスクよシも先に
柔軟な部材が気密空間側に凹み、逆に大気圧が気密空間
の圧力より低くなると柔軟な部材が凸となシ気密空間の
圧力と大気圧を同調させマスクの振動を防止する。この
方法によると、十分に柔軟な部材な用い、マスクの付近
に窓な設けることで微小な圧力変化も防止することが可
能である。
〔発明の実施例)
本発明を第1図〜第3図に従って具体的に説明する。
X線露光装置は第1図に示す様に、電子銃1とターゲッ
ト2及びターゲット2から発生した軟X線2′を取シ出
すべ99クム製の窓3を存するxfs発生装置4とこの
X線発生装置と接続し。
ト2及びターゲット2から発生した軟X線2′を取シ出
すべ99クム製の窓3を存するxfs発生装置4とこの
X線発生装置と接続し。
てベローズ5、保持部材6、マスクステージ7及びマス
クステージZ上に真空保持7′されるマスク8と今回の
発明による柔軟部材の窓9から構成され中にへ9クムガ
スをほぼ大気と同じ圧力で充填した気密室1oと、マス
ク8と10μmから数10μmの間をおいて相対するウ
ェハ11とウェハ11を真空保持12’するクエハトヤ
ック12、マスク8とウェハ11の間隔をioItmか
ら数10μm ノ定メられた距離に保持させるためクエ
へ11を矯正する矯正素子12#、ウェハ11及びウェ
ハチャック12を回転及び水平方向に自在に移動可能な
様に支持したθステ1ジ13、xステージ14、Yステ
ージ15から成立っている。 、この構成において、タ
ーゲット2で発生したX線3がウェハ上に達するまりに
はぺ9リクム窓6、ヘリウムガスを充填した気密室10
.及びマスク8を透過しなければならない。一般に軟X
線21のそれぞれに対する透過率は90%、96%。
クステージZ上に真空保持7′されるマスク8と今回の
発明による柔軟部材の窓9から構成され中にへ9クムガ
スをほぼ大気と同じ圧力で充填した気密室1oと、マス
ク8と10μmから数10μmの間をおいて相対するウ
ェハ11とウェハ11を真空保持12’するクエハトヤ
ック12、マスク8とウェハ11の間隔をioItmか
ら数10μm ノ定メられた距離に保持させるためクエ
へ11を矯正する矯正素子12#、ウェハ11及びウェ
ハチャック12を回転及び水平方向に自在に移動可能な
様に支持したθステ1ジ13、xステージ14、Yステ
ージ15から成立っている。 、この構成において、タ
ーゲット2で発生したX線3がウェハ上に達するまりに
はぺ9リクム窓6、ヘリウムガスを充填した気密室10
.及びマスク8を透過しなければならない。一般に軟X
線21のそれぞれに対する透過率は90%、96%。
70%程度でありクエ/)11上に到達する軟X線量2
′は60%程度になる。
′は60%程度になる。
ウニ八11上に到達する軟X線2′量を多くするために
、マスク8をさ6に薄くすることが要求されている。
、マスク8をさ6に薄くすることが要求されている。
しかし、マスク8を薄くすると強度が低下し、柔軟部材
9の窓のない気密室10では大気との圧 l力差が気密
室10を構成する部材の中で一番強度の弱いマスク8を
変形させ振動を起し、マスク8上のパターンをウェハ1
1上に鮮明に転写出来ない。
9の窓のない気密室10では大気との圧 l力差が気密
室10を構成する部材の中で一番強度の弱いマスク8を
変形させ振動を起し、マスク8上のパターンをウェハ1
1上に鮮明に転写出来ない。
第2図、反び第6図に示す今回の発明による七分に柔軟
な部材9による窓をマスク附近に設けると気密室10と
大気との間に圧力差が生じても、マスク8が変形を起こ
す前にゴム製の薄膜等の柔難な部材9が変形し、気密室
10の圧力と大気圧を同調させるためマスク8が圧力差
のため変形し振動を起すことがなくなった。
な部材9による窓をマスク附近に設けると気密室10と
大気との間に圧力差が生じても、マスク8が変形を起こ
す前にゴム製の薄膜等の柔難な部材9が変形し、気密室
10の圧力と大気圧を同調させるためマスク8が圧力差
のため変形し振動を起すことがなくなった。
以上説明したように本発明によれば、X線露光装置にお
いて、大気中露光方式で問題となっていたマスク振動を
防−上出来るため、マスク上のパターンを鮮明に、しか
も高効率でフェノ)に転写出来る様忙なシ、サブミクロ
ンノ(ターンのLSI実現に道をひらくことが出来る効
果を奏する。
いて、大気中露光方式で問題となっていたマスク振動を
防−上出来るため、マスク上のパターンを鮮明に、しか
も高効率でフェノ)に転写出来る様忙なシ、サブミクロ
ンノ(ターンのLSI実現に道をひらくことが出来る効
果を奏する。
第1図は本発明に係る大気中露光方式によるX線露光装
置の一朶施例な示す構成図、第2図は本発明による柔軟
な部材による窓を気密室の壁に付けた状態で露光前の状
況を示す図、第3図は本発明による柔軟な部材による窓
を気密室の壁に付けた状態で露光状態を示す図である。 2・・・ターゲット、6・・・ベリリクム窓、8・・・
マスク、9・・・柔軟な部材、11・・・ワエノ1゜オ
1 国
置の一朶施例な示す構成図、第2図は本発明による柔軟
な部材による窓を気密室の壁に付けた状態で露光前の状
況を示す図、第3図は本発明による柔軟な部材による窓
を気密室の壁に付けた状態で露光状態を示す図である。 2・・・ターゲット、6・・・ベリリクム窓、8・・・
マスク、9・・・柔軟な部材、11・・・ワエノ1゜オ
1 国
Claims (1)
- X線を発生させるX線発生装置と、このX線発生装置に
気密結合され、X線発生装置を結合した面と相対する面
にマスクを保持する気密室と、ウェハな露光位置に移動
させるテーブルとを設けたX線露光装置において、前記
気密室に柔軟部材の窓を設けたことを特徴とするX#!
露光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57211407A JPS59101833A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | X線露光装置 |
EP83112086A EP0110414A3 (en) | 1982-12-03 | 1983-12-01 | X-ray lithographic apparatus |
US06/557,460 US4516254A (en) | 1982-12-03 | 1983-12-02 | X-Ray lithographic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57211407A JPS59101833A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | X線露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59101833A true JPS59101833A (ja) | 1984-06-12 |
JPH0360170B2 JPH0360170B2 (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=16605441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57211407A Granted JPS59101833A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | X線露光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4516254A (ja) |
EP (1) | EP0110414A3 (ja) |
JP (1) | JPS59101833A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS6433927A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Canon Kk | Mask holder and mask conveying method using the same |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6197918A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Hitachi Ltd | X線露光装置 |
US4648106A (en) * | 1984-11-21 | 1987-03-03 | Micronix Corporation | Gas control for X-ray lithographic system |
JPS62222634A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | X線露光方法 |
JPS63116424A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Nec Corp | X線露光装置 |
DE68922945T2 (de) * | 1988-09-09 | 1995-11-16 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungsvorrichtung. |
US5267292A (en) * | 1988-10-05 | 1993-11-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
EP0422814B1 (en) * | 1989-10-02 | 1999-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
US5031199A (en) * | 1990-06-05 | 1991-07-09 | Wisconsin Alumni Research Foundation | X-ray lithography beamline method and apparatus |
US5371774A (en) * | 1993-06-24 | 1994-12-06 | Wisconsin Alumni Research Foundation | X-ray lithography beamline imaging system |
US6364386B1 (en) | 1999-10-27 | 2002-04-02 | Agilent Technologies, Inc. | Apparatus and method for handling an integrated circuit |
US6313567B1 (en) * | 2000-04-10 | 2001-11-06 | Motorola, Inc. | Lithography chuck having piezoelectric elements, and method |
US6437463B1 (en) * | 2000-04-24 | 2002-08-20 | Nikon Corporation | Wafer positioner with planar motor and mag-lev fine stage |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57169242A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | X-ray transferring device |
-
1982
- 1982-12-03 JP JP57211407A patent/JPS59101833A/ja active Granted
-
1983
- 1983-12-01 EP EP83112086A patent/EP0110414A3/en not_active Ceased
- 1983-12-02 US US06/557,460 patent/US4516254A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61104619A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Fujitsu Ltd | X線露光装置 |
JPS6433927A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Canon Kk | Mask holder and mask conveying method using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0360170B2 (ja) | 1991-09-12 |
EP0110414A2 (en) | 1984-06-13 |
US4516254A (en) | 1985-05-07 |
EP0110414A3 (en) | 1986-03-26 |
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