JPS6365621A - Ｘ線露光マスク - Google Patents
Ｘ線露光マスクInfo
- Publication number
- JPS6365621A JPS6365621A JP61210207A JP21020786A JPS6365621A JP S6365621 A JPS6365621 A JP S6365621A JP 61210207 A JP61210207 A JP 61210207A JP 21020786 A JP21020786 A JP 21020786A JP S6365621 A JPS6365621 A JP S6365621A
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- Japan
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- pattern
- ray
- thin film
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- crystal substrate
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線露光マスクに関する。
［従来の技術］
従来、Ｘ線露光マスクは、一般に第５図の模式断面図に
示したように軽元素の薄膜からなるＸ線透過性薄膜５１
と、このＸ線透過性薄膜５１の周囲を支持する支持枠５
２と、前記源１！ ５１上に形成されたＸ線吸収体パタ
ーン５３とを備え、アライメントマーク５４を所望の転
写パターンと共に前記Ｘ線吸収体パターン５３の構成材
料である重金属を用いて前記薄膜５１上に形成したもの
が用いられている（特公昭５３−３４４６４号）。
示したように軽元素の薄膜からなるＸ線透過性薄膜５１
と、このＸ線透過性薄膜５１の周囲を支持する支持枠５
２と、前記源１！ ５１上に形成されたＸ線吸収体パタ
ーン５３とを備え、アライメントマーク５４を所望の転
写パターンと共に前記Ｘ線吸収体パターン５３の構成材
料である重金属を用いて前記薄膜５１上に形成したもの
が用いられている（特公昭５３−３４４６４号）。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来のＸ線露光マスクでは、チップの配列
を効率的に行なうためにアライメントマーク５４はチッ
プ間のいわゆるスクライブ線上に形成される。この為、
例えば１シヨツトで４個のチップを転写するいわゆる４
面付は構成のマスクの場合には第６図に示すように４個
のチップ６１の配列の中心線上にアライメントマーク６
２が形成される。ところが、チップの寸法によってはマ
スク上のチップ配列が奇数になることもおり、この場合
、アライメントマークはＸ線露光マスクの中心線上から
大きくはずれた位置に形成されるため、アライメント用
光学系をＸ−Ｙ両方向に移動可能にする必要が生じ、こ
の結果、マスクアライナ−がかなり複雑になるという欠
点があった。
を効率的に行なうためにアライメントマーク５４はチッ
プ間のいわゆるスクライブ線上に形成される。この為、
例えば１シヨツトで４個のチップを転写するいわゆる４
面付は構成のマスクの場合には第６図に示すように４個
のチップ６１の配列の中心線上にアライメントマーク６
２が形成される。ところが、チップの寸法によってはマ
スク上のチップ配列が奇数になることもおり、この場合
、アライメントマークはＸ線露光マスクの中心線上から
大きくはずれた位置に形成されるため、アライメント用
光学系をＸ−Ｙ両方向に移動可能にする必要が生じ、こ
の結果、マスクアライナ−がかなり複雑になるという欠
点があった。
本発明の目的は、このような従来のＸ線露光マスクの欠
点を改良し、チップ寸法及びチップ配列の如何に関わら
ず、極めて簡単な光学系により粗アライメントが可能な
Ｘ線露光マスクを提供することにおる。
点を改良し、チップ寸法及びチップ配列の如何に関わら
ず、極めて簡単な光学系により粗アライメントが可能な
Ｘ線露光マスクを提供することにおる。
し問題点を解決するための手段］
本発明は軟Ｘ線を良好に吸収する重金属からなるＸ線吸
収体パターンと、該Ｘ線吸収体パターンを支持するパタ
ーン支持膜と、該パターン支持膜の周囲を一千平面で支
える支持枠とを備え、該支持枠の裏面に粗調用アライメ
ントマークを設けたことを特徴とするＸ線露光マスクで
ある。
収体パターンと、該Ｘ線吸収体パターンを支持するパタ
ーン支持膜と、該パターン支持膜の周囲を一千平面で支
える支持枠とを備え、該支持枠の裏面に粗調用アライメ
ントマークを設けたことを特徴とするＸ線露光マスクで
ある。
［作 用］
本発明のＸ線露光マスクにおいては、粗アライメント用
マークが支持枠上に形成される為、チップ配列及びチッ
プ寸法の如何に関わらず、常に一定の場所にアライメン
トマークを形成することができる。この結果、粗アライ
メント用光学系は極めて簡単な構成で済み、ひいては露
光装置が簡略化される。
マークが支持枠上に形成される為、チップ配列及びチッ
プ寸法の如何に関わらず、常に一定の場所にアライメン
トマークを形成することができる。この結果、粗アライ
メント用光学系は極めて簡単な構成で済み、ひいては露
光装置が簡略化される。
［実施例］
−次に第１図から第３図を参照しながら本発明の実施例
について説明する。
について説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の製造工程を
示す模式断面図である。第１図（ａ）に示すように、（
１００）面を表面とするＳｉ単結晶基板１１の一主平面
上に例えばＳｉ３Ｎ４又はＳｉＣ等の簿膜１２を堆積し
、次に第１図（ｂ）に示すようにこの簿’Ａ’Ａ １２
の所定の位置に粗アライメントパターン１３及び前記３
ｉ単結晶基板１１の窓開（プ用開ロ領域１４を通常の光
学露光技術及びドライエツチング技術を用いて設け、薄
１１１１２の一部から成るエツチングマスクパターン１
２′ を形成する。
示す模式断面図である。第１図（ａ）に示すように、（
１００）面を表面とするＳｉ単結晶基板１１の一主平面
上に例えばＳｉ３Ｎ４又はＳｉＣ等の簿膜１２を堆積し
、次に第１図（ｂ）に示すようにこの簿’Ａ’Ａ １２
の所定の位置に粗アライメントパターン１３及び前記３
ｉ単結晶基板１１の窓開（プ用開ロ領域１４を通常の光
学露光技術及びドライエツチング技術を用いて設け、薄
１１１１２の一部から成るエツチングマスクパターン１
２′ を形成する。
次に第１図（Ｃ）に示すように前記３ｉ単結晶基板１１
の裏面上に軟Ｘ線を良好に透過する任意のＸ線透過性薄
膜（例えば５ｉＯＨＮ＞１５を減圧ＣＶＤ法等の方法に
より堆積し、このＸ線透過性簿膜１５の表面上に例えば
Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ又はＴａ等の重金属から成るＸ線吸収体
パターン１６を形成する。
の裏面上に軟Ｘ線を良好に透過する任意のＸ線透過性薄
膜（例えば５ｉＯＨＮ＞１５を減圧ＣＶＤ法等の方法に
より堆積し、このＸ線透過性簿膜１５の表面上に例えば
Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ又はＴａ等の重金属から成るＸ線吸収体
パターン１６を形成する。
しかる後、任意の治具を用いて該Ｘ線吸収体パターン１
６を保護しつつ該エツチングマスクパターン１２′を保
護膜としてＫＯＨ水溶液等の異方性エツチング液を用い
て前記３ｉ単結晶基板１１の所定の部分をエツチングし
、第１図（ｄ）に示すような開口窓１７及びアライメン
トマーク１８を形成することにより、所望のＸ線露光マ
スクを完成させる。
６を保護しつつ該エツチングマスクパターン１２′を保
護膜としてＫＯＨ水溶液等の異方性エツチング液を用い
て前記３ｉ単結晶基板１１の所定の部分をエツチングし
、第１図（ｄ）に示すような開口窓１７及びアライメン
トマーク１８を形成することにより、所望のＸ線露光マ
スクを完成させる。
第２図は第１図（ｄ）の７ライメントマ一ク部の平面図
の一例を示す。予め、フライメン１〜用パターンを＜１
１０＞方向に平行に形成しておくことにより、第２図の
ように（１１１）面を側面とする高精度のアライメント
マーク１８が形成される。
の一例を示す。予め、フライメン１〜用パターンを＜１
１０＞方向に平行に形成しておくことにより、第２図の
ように（１１１）面を側面とする高精度のアライメント
マーク１８が形成される。
第３図は本発明の一実施例の平面図を示す。
３ｉ単結晶基板３１の中心部には異方性エツチング液を
用いて開口した透明窓３２が形成され、この透明窓３２
の部分に、Ｘ線透過性薄膜とこのＸ線透過性薄膜に支持
されたＸ線吸収体パターンが形成される。また前記３ｉ
単結晶基板３１０表面には異方性エツチングで形成した
アライメントマーク３３が形成されている。
用いて開口した透明窓３２が形成され、この透明窓３２
の部分に、Ｘ線透過性薄膜とこのＸ線透過性薄膜に支持
されたＸ線吸収体パターンが形成される。また前記３ｉ
単結晶基板３１０表面には異方性エツチングで形成した
アライメントマーク３３が形成されている。
第４図は本発明のＸ線露光マスクの粗アライメント方法
を示す模式図で、４１は本発明のＸＰＡ露光マスク、４
２はアライメントマーク、４３は搬送ステージ、４４は
アライメント用対物顕微鏡をそれぞれ示す。Ｘ線露光マ
スク４１は搬送ステージ４３に真空吸着で固定された後
、アライメント用対物顕微鏡４４の下に搬送され、該対
物顕微鏡４４の光軸に対してアライメントマーク４２が
位置合せされる。次にこのＸ線露光マスクはレーザ干渉
系により制御された高精度の搬送ステージ系により所定
のマスクホルダーの直下に移され、このマスクホルダー
に真空吸着される。
を示す模式図で、４１は本発明のＸＰＡ露光マスク、４
２はアライメントマーク、４３は搬送ステージ、４４は
アライメント用対物顕微鏡をそれぞれ示す。Ｘ線露光マ
スク４１は搬送ステージ４３に真空吸着で固定された後
、アライメント用対物顕微鏡４４の下に搬送され、該対
物顕微鏡４４の光軸に対してアライメントマーク４２が
位置合せされる。次にこのＸ線露光マスクはレーザ干渉
系により制御された高精度の搬送ステージ系により所定
のマスクホルダーの直下に移され、このマスクホルダー
に真空吸着される。
しかる後、前記搬送ステージ４３にはパターンを転写す
べきウェハが真空吸着され、該対物顕微鏡の光軸に対し
て位置合せされた後、前記マスクホルダーに固定された
Ｘ線マスクの直下に搬送されて直ちに露光されるか又は
微調アライメントされた後に露光される。
べきウェハが真空吸着され、該対物顕微鏡の光軸に対し
て位置合せされた後、前記マスクホルダーに固定された
Ｘ線マスクの直下に搬送されて直ちに露光されるか又は
微調アライメントされた後に露光される。
［発明の効果コ
本発明のＸ線露光マスクによれば、支持枠上の所定の場
所に形成したアライメントマークを用いて粗アライメン
トが行なわれる為、チップ寸法の如何に関わらず、常に
一定の位置でアライメントマークを検出することができ
る。この結果、粗アライメントは固定された極めて簡単
な光学系を用いて実現でき、Ｘ線露光マスクの７ライナ
ーを大幅に簡略化できる効果を有するものである。
所に形成したアライメントマークを用いて粗アライメン
トが行なわれる為、チップ寸法の如何に関わらず、常に
一定の位置でアライメントマークを検出することができ
る。この結果、粗アライメントは固定された極めて簡単
な光学系を用いて実現でき、Ｘ線露光マスクの７ライナ
ーを大幅に簡略化できる効果を有するものである。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例における′Ｉ
Ａ造工程を示す模式断面図、第２図は粗アライメントマ
ークの一例を示す模式平面図、第３図は本発明に係るＸ
線露光マスクを示す平面図、第４図は本発明のＸ線露光
マスクの使用方法を示す模式図、第５図は従来のＸ線露
光マスクの模式断面図、第６図は従来のＸ線露光マスク
を示す模式平面図である。 １１、３１・・・Ｓｉ単結晶基板、１２・・・薄膜、１
５．５１・・・Ｘ線透過性薄膜、１６．５３・・・Ｘ線
吸収体パターン、１８、３３．４２．６２・・・アライ
メントマーク、４１・・・Ｘ線露光マスク、４３・・・
搬送ステージ、４４・・・アライメント用対物顕微鏡、
５２・・・支持枠、６１・・・チップ第１図 第２図
Ａ造工程を示す模式断面図、第２図は粗アライメントマ
ークの一例を示す模式平面図、第３図は本発明に係るＸ
線露光マスクを示す平面図、第４図は本発明のＸ線露光
マスクの使用方法を示す模式図、第５図は従来のＸ線露
光マスクの模式断面図、第６図は従来のＸ線露光マスク
を示す模式平面図である。 １１、３１・・・Ｓｉ単結晶基板、１２・・・薄膜、１
５．５１・・・Ｘ線透過性薄膜、１６．５３・・・Ｘ線
吸収体パターン、１８、３３．４２．６２・・・アライ
メントマーク、４１・・・Ｘ線露光マスク、４３・・・
搬送ステージ、４４・・・アライメント用対物顕微鏡、
５２・・・支持枠、６１・・・チップ第１図 第２図
Claims (1)
- （１）軟Ｘ線を良好に吸収する重金属からなるＸ線吸収
体パターンと、該Ｘ線吸収体パターンを支持するパター
ン支持膜と、該パターン支持膜の周囲を一主平面で支え
る支持枠とを備え、かつ支持枠の裏面上にアライメント
マークを形成したことを特徴とするＸ線露光マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61210207A JPS6365621A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | Ｘ線露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61210207A JPS6365621A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | Ｘ線露光マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365621A true JPS6365621A (ja) | 1988-03-24 |
Family
ID=16585564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61210207A Pending JPS6365621A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | Ｘ線露光マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6365621A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07193044A (ja) * | 1992-12-16 | 1995-07-28 | Science & Tech Agency | ＳｉＣのパターンエッチング方法 |
| US5741362A (en) * | 1994-10-18 | 1998-04-21 | Nec Corporation | Wafer surface treating apparatus using chemical |
| JP2007201064A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 荷電粒子線露光用マスクおよび製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5399770A (en) * | 1977-02-10 | 1978-08-31 | Hitachi Ltd | Soft x-ray transfer mask |
| JPS53105381A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Hitachi Ltd | X-ray copying mask |
| JPS57124352A (en) * | 1980-12-17 | 1982-08-03 | Westinghouse Electric Corp | Phototype processing mask |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP61210207A patent/JPS6365621A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5399770A (en) * | 1977-02-10 | 1978-08-31 | Hitachi Ltd | Soft x-ray transfer mask |
| JPS53105381A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Hitachi Ltd | X-ray copying mask |
| JPS57124352A (en) * | 1980-12-17 | 1982-08-03 | Westinghouse Electric Corp | Phototype processing mask |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07193044A (ja) * | 1992-12-16 | 1995-07-28 | Science & Tech Agency | ＳｉＣのパターンエッチング方法 |
| US5741362A (en) * | 1994-10-18 | 1998-04-21 | Nec Corporation | Wafer surface treating apparatus using chemical |
| JP2007201064A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 荷電粒子線露光用マスクおよび製造方法 |
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